[go: up one dir, main page]

CN1303660C - 用粘合剂薄膜将半导体管芯粘结到衬底的半导体封装方法 - Google Patents

用粘合剂薄膜将半导体管芯粘结到衬底的半导体封装方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1303660C
CN1303660C CNB028210115A CN02821011A CN1303660C CN 1303660 C CN1303660 C CN 1303660C CN B028210115 A CNB028210115 A CN B028210115A CN 02821011 A CN02821011 A CN 02821011A CN 1303660 C CN1303660 C CN 1303660C
Authority
CN
China
Prior art keywords
adhesive
film
substrate
die
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB028210115A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1575510A (zh
Inventor
何锡平
C·J·多米尼克
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Starch and Chemical Investment Holding Corp
Original Assignee
National Starch and Chemical Investment Holding Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Starch and Chemical Investment Holding Corp filed Critical National Starch and Chemical Investment Holding Corp
Publication of CN1575510A publication Critical patent/CN1575510A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1303660C publication Critical patent/CN1303660C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10W70/60—
    • H10P72/74—
    • H10W72/073—
    • H10W72/07337—
    • H10W72/354—
    • H10W74/129—

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

使用为膏剂粘合剂使用而构造的标准管芯粘附设备用无支撑的薄膜粘合剂或支撑在刚性载体上的粘合剂可以完成CSP或层叠芯片CSP的制造。

Description

用粘合剂薄膜将半导体管芯粘结到衬底的 半导体封装方法
技术领域
本发明涉及在半导体封装的制造中使用的粘合剂和键合方法。本发明特别对制造芯片尺寸和层叠的管芯封装有用。
背景技术
芯片尺寸封装(CSP)在半导体封装中提供轻重量、小管脚(footprint)、高密度和提高的电气性能的优点。包括依次层叠的一个或多个集成半导体芯片的CSP进一步提高电气性能和减小空间和重量。
半导体被机械地和电气地连接到衬底，该半导体又连接到其他器件或外部电源。衬底可以是刚性的如金属引线框架、陶瓷或叠片，或者它可以是柔性的如聚酰亚胺带。
将半导体连接到其衬底的一种公知方法是线键合，其中首先用膏剂或薄膜粘合剂将半导体芯片粘附到衬底，然后用细金属线将芯片上的有源端键合到衬底上的有源端。
历史上，膏剂粘合剂比薄膜粘合剂更经常使用。但是，使用薄膜粘合剂可更成功地制造某些CSP，因为薄膜可以更精确地适于芯片布局(x-y容差)，粘合层有最小的流失或没有流失，并且更容易控制粘合剂层厚度和粘合剂层倾斜。
但是，在制造芯片尺寸和层叠芯片尺寸封装中薄膜工艺和设备增加成本并且增加工艺时间。使用通常称为“拾起-和-放置”设备的放置机器，将半导体元件放置在它们合适的衬底上。该设备对于可靠地且足够精确地放置元件是重要的以便以成本效率的方式满足生产量需求。
在使用薄膜粘合剂制造CSP的一种方法中，由薄膜切开的贴花(decal)被拾起并放置在衬底上，并利用压力和热量层叠。然后半导体芯片被拾起并放置在粘合剂上，并用压力和/或热量层压到粘合剂。除拾起-和-放置设备之外，该方法需要专门的薄膜处理和层压设备。
在使用薄膜粘合剂的另一方法中，使用压力和/或热量将贴花冲压和层压在衬底上，然后将半导体芯片拾起并放置在粘合剂上且利用压力和/或热量层压到粘合剂。该方法需要为每个希望的贴花(decal)形状设置分开的冲压机以及专门的冲压机和薄膜层叠设备。
也可以使用上述两种方法和设备制造层叠芯片CSP，尽管需要的薄膜材料可能需要不同的厚度和显示出不同的流动性能。用于层叠芯片的工艺需要拾起和放置薄膜粘合剂的贴花在衬底上，并加热和加压，拾起和放置管芯在粘合剂上，且加热和加压。重复该工序，但是在此情况下粘合剂的贴花放置在第一(母)芯片的顶部且层压，接着在母芯片上放置几何形状相同或不同的第二(子)芯片。然后层压子芯片。一般，母芯片和子芯片放置和层压都需要专门的薄膜层压设备。
在另一方法中，粘合剂薄膜被直接层压到半导体晶片的背侧，然后使用一般的晶片切割设备切割成单个管芯(单数化(singulation))。粘合剂保持为层叠到单个管芯上并且现在拾起管芯并放置到衬底上，或在管芯堆叠的情况下放置到另一管芯上。利用压力和/或热量将管芯层叠到衬底或第一管芯。该方法需要专门的薄膜层压设备以及专门的薄膜管芯键合设备。
尽管用于CSP和层叠芯片CSP的薄膜粘合剂有优点，但是半导体封装工业有一个比较重要的因素，由于更低的成本、容易使用以及工业中该设备的可用性，更喜欢用于膏剂粘合剂涂覆的工艺和设备。
用于使用膏剂粘合剂将半导体芯片键合到衬底的标准拾起-和-放置设备，首先将膏剂粘合剂分配到衬底上，然后拾起芯片并将芯片放置到粘合剂上。在放置过程中衬底搁在其上的放置台可被加热或不被加热，但是通过拾起-和-放置工具施加的压力可用于优化管芯粘附的质量。这类设备一般不具有后层叠(post lamination)能力并且目前比使用薄膜所需要的设备更便宜。
使用这类设备的拾起-和-放置、加热以及加压部件借助薄膜粘合剂制造具有单个芯片或层叠芯片的半导体封装的潜能具有时间和成本的优点。避免了昂贵的冲压组件以及层压部件，以及操作本身花费较少时间。而且，一般的半导体封装工艺需要晶片切割能力以及对薄膜的物理性能的合适选择，该切割设备可用于将薄膜粘合剂切割为适当的结构。
发明内容
现在已发现可以用无支撑的薄膜粘合剂或支撑在刚性载体上的粘合剂利用为使用膏剂粘合剂构造的标准管芯粘附设备完成CSP或层叠芯片CSP的制造。本发明是用于使用无支撑薄膜粘合剂或支撑在刚性载体上的粘合剂制造半导体的方法。
本发明的目的是提供一种制造单一芯片或层叠芯片的方法，其中采用了拾起和放置设备、加热设备、对部件加压的设备等现行工业设备，并使用了薄膜粘合剂。
根据本发明的一种利用无支撑的薄膜粘合剂或者支撑在刚性载体的粘合剂制造半导体封装的方法，其中用粘合剂薄膜将半导体管芯粘结到衬底，该方法包括：(a)在晶片切割带上提供薄膜粘合剂，其中薄膜粘合剂具有高于120MPa的模量以及对晶片切割带小于0.1MPa的粘附力；(b)将晶片切割带上的薄膜粘合剂切割为贴花；(c)从切割带拾起粘合剂贴花并将粘合剂贴花放置在衬底上；(d)使用压力和/或热量将粘合剂贴花层压到衬底；(e)将半导体管芯拾起并放置到粘合剂上；以及(f)使用压力和/或热量将管芯层压到粘合剂上。
根据本发明的一种制造半导体封装的方法，其中将多个半导体管芯堆叠在一起，该方法包括首先执行以下步骤：(a)在晶片切割带上提供薄膜粘合剂，其中薄膜粘合剂具有高于120MPa的模量以及对晶片切割带小于0.1MPa的粘附力；(b)将晶片切割带上的薄膜粘合剂切割为贴花；(c)从切割带拾起粘合剂贴花并将粘合剂贴花放置在衬底上；(d)使用压力和/或热量将粘合剂贴花层压到衬底；(e)将半导体管芯拾起并放置到粘合剂上；以及(f)使用压力和/或热量将管芯层压到粘合剂上，然后使用先前粘结的半导体管芯作为衬底多次重复执行上述各步骤，重复次数与所需要的将被层压在一起的半导体管芯的数目相同。
本发明具有节省时间和降低成本的优点，并且省去了昂贵的冲压装置和层压装置。此外，典型的半导体封装工艺要求能够对晶片进行切割，通过对薄膜的物理性能的适当选择，可利用切块设备将薄膜粘合剂切割成适当的结构。
利用本发明，通过无支撑的薄膜粘合剂或者支撑在刚性载体的粘合剂，并采用标准的用于膏状粘合剂的管芯键合设备，可以制造CSP或层叠芯片CSP。
具体实施方式
无支撑的粘合剂可以是具有模量高于120MPa和与晶片切割带的粘附力小于0.1MPa的任意热塑性、热固性或热塑性和热固性粘合剂的组合物。合适的粘合剂是环氧树脂、氰酸盐酯、聚酰亚胺、硅氧烷聚酰亚胺、顺丁烯二酰亚胺、硅树脂或这些粘合剂的任意组合物。
支撑的粘合剂由在一侧或两侧上涂敷热塑性或热固性粘合剂的刚性载体构成，热塑性或热固性粘合剂显示出与晶片切割带的粘附力小于0.1MPa。如果两侧都涂敷，在每一侧上的粘合剂可以是相同或不同的组成。刚性层的存在便于在切断和拾起-和-放置过程中的处理以及在特别厚和在两个键合表面之间需要受控制的距离的情况下用作隔片。
刚性载体可以是无机材料如陶瓷、硅或金属，或可以是有机材料如聚酰亚胺或聚酯，或可以是无机和有机材料的任意组合物如整个合成物显示出120MPa的模量和与切割带的粘附力小于0.1MPa的FR-和BT层压板。
在这些物理参数内，支撑的或无支撑的粘合剂都可以通过用来处理半导体晶片的标准设备处理，如用于晶片切割带的涂敷器(applicator)、切割锯以及拾起-和-放置设备(具有加热部件的管芯键合机)。使用标准晶片切割带层压设备将粘合剂涂敷到晶片切割带。然后在和硅晶片切割同样的工序中将粘合剂锯为单个贴花。(由于避免了过量处理和十分薄的易碎晶片的层压，因此该方法优于晶片背侧层压方法。)
用和使用一般膏剂键合器的管芯粘附一样的方法执行粘合剂粘附。粘合剂贴花被从晶片切割带拾起并放置到选定的衬底上并使用压力和/或热量层压到衬底。然后半导体管芯被拾起并放置到粘合剂上以及使用压力和/或热量层压。
对于层叠芯片尺寸封装，使用在先粘附的半导体芯片作为衬底重复该工序多次，重复的次数与需要层叠在一起的半导体管芯的数目相同。
在下面例1和例2中，薄膜粘合剂具有高于120MPa的模量并且对晶片切割带的粘附力小于0.1MPa。例子3中的载体不满足该这些条件。
例1：使用层叠设备在下列条件下将提供为12英寸×12英寸×2密耳厚片的薄膜热固性环氧粘合剂(来自Ablestik实验室的RP571-10)，层叠到BT层叠板(三菱财团气体化学有限公司，8英寸×8英寸×8密耳厚度)的两侧上：
速度：            30.5厘米/分
温度：            135
压力：            40psi
然后将层压粘合剂安装在切割带上(Nitto SPV224)并使用设为以下参数的Disco DAD 320切割机切割成4毫米×6毫米贴花：
刀片：            NBC-ZH27HEEE
主轴转速：        30000转/分
进料速率：        2.54厘米/秒
切割模式：        向下切割
用具有拾起-和-放置能力的ESEC Die Bonder 2007 LOC管芯键合器测试切割的粘合剂的被处理能力，两次试验设为以下参数：
实验                      #1        #2
拾起z-高度(密耳)          177       177
拾起时间(毫秒)            50        50
箔接触时间(毫秒)          60        0
针顶部高度(密耳)          45        45
喷射器高度偏移量(密耳)    9.8       9.8
针速度(毫米/秒)           30        30
成功次数/试验次数        10/10        10/10
为两个箔接触时间的每一个进行十次测试，且两个箔接触时间的每一个成功十次。该例子说明使用标准拾起-和-放置设备能从晶片切割带拾下粘合剂。
例2：单层聚乙烯(美国塑料30.48厘米×30.48厘米×3密耳厚度)安装在Nitto SPV-224切割带上并使用Disco DAD 320切割机用NBC-ZH27HEEE刀片、30000转/分的主轴转速以及进料速率2.54厘米/秒将其切割成4毫米×6毫米尺寸。切割条件是：
切割模式        A
切割形状        正方形
主轴转速        32000转/分
工件厚度        7密耳
带厚            3密耳
刀片高度        2密耳
进料速度        0.5厘米/秒
Y指数           CH10.4厘米
                CH20.6厘米
用具有拾起-和-放置性能的ESEC Die Bonder 2007 LOC管芯键合器测试切割的粘合剂的被处理能力，键合器设为以下参数：
拾起z高度(毫米)           6.00至5.52
拾起时间(毫秒)            600至6000
箔接触时间(毫秒)          200
针顶部高度(毫米)          0至1.80
喷射器高度偏移量(毫米)    0
针速度(毫米/秒)           30至110
键合臂状态                停放位置
喷射器状态                定标高度
针状态                    底部位置
键合臂z定位(毫米)         2.17
芯片厚度(毫米)       0.17
针类型               圆头
成功次数/试验次数    10/10
例3：进行与例子2一样的测试，除衬底材料是5密耳的硅树脂以外。十次测试中拾起失败十次。

Claims (4)

1.一种制造半导体封装的方法，其中用粘合剂薄膜将半导体管芯粘结到衬底，该方法包括：
a.在晶片切割带上提供薄膜粘合剂，其中薄膜粘合剂具有高于120MPa的模量以及对晶片切割带小于0.1MPa的粘附力；
b.将晶片切割带上的薄膜粘合剂切割为贴花；
c.从切割带拾起粘合剂贴花并将粘合剂贴花放置在衬底上；
d.使用压力和/或热量将粘合剂贴花层压到衬底；
e.将半导体管芯拾起并放置到粘合剂上；以及
f.使用压力和/或热量将管芯层压到粘合剂上。
2.根据权利要求1的方法，其中薄膜粘合剂是无支撑的热塑性或热固性薄膜或支撑在刚性载体上的热塑性或热固性薄膜。
3.一种制造半导体封装的方法，其中将多个半导体管芯堆叠在一起，该方法包括首先执行以下步骤：
a.在晶片切割带上提供薄膜粘合剂，其中薄膜粘合剂具有高于120MPa的模量以及对晶片切割带小于0.1MPa的粘附力；
b.将晶片切割带上的薄膜粘合剂切割为贴花；
c.从切割带拾起粘合剂贴花并将粘合剂贴花放置在衬底上；
d.使用压力和/或热量将粘合剂贴花层压到衬底；
e.将半导体管芯拾起并放置到粘合剂上；以及
f.使用压力和/或热量将管芯层压到粘合剂上，
然后使用先前粘结的半导体管芯作为衬底多次重复执行上述各步骤，重复次数与所需要的将被层压在一起的半导体管芯的数目相同。
4.根据权利要求3的方法，其中薄膜粘合剂是无支撑的热塑性或热固性薄膜或支撑在刚性载体上的热塑性或热固性薄膜。
CNB028210115A 2001-10-23 2002-10-02 用粘合剂薄膜将半导体管芯粘结到衬底的半导体封装方法 Expired - Fee Related CN1303660C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/040,674 US6620651B2 (en) 2001-10-23 2001-10-23 Adhesive wafers for die attach application
US10/040,674 2001-10-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1575510A CN1575510A (zh) 2005-02-02
CN1303660C true CN1303660C (zh) 2007-03-07

Family

ID=21912302

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB028210115A Expired - Fee Related CN1303660C (zh) 2001-10-23 2002-10-02 用粘合剂薄膜将半导体管芯粘结到衬底的半导体封装方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6620651B2 (zh)
EP (1) EP1438741A2 (zh)
JP (1) JP4261356B2 (zh)
KR (1) KR100906355B1 (zh)
CN (1) CN1303660C (zh)
AU (1) AU2002334780A1 (zh)
TW (1) TW586192B (zh)
WO (1) WO2003036715A2 (zh)

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6323060B1 (en) 1999-05-05 2001-11-27 Dense-Pac Microsystems, Inc. Stackable flex circuit IC package and method of making same
US6262895B1 (en) 2000-01-13 2001-07-17 John A. Forthun Stackable chip package with flex carrier
KR100401020B1 (ko) 2001-03-09 2003-10-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체칩의 스택킹 구조 및 이를 이용한 반도체패키지
JP4800524B2 (ja) * 2001-09-10 2011-10-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法、及び、製造装置
JP2003100781A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置
US6940729B2 (en) 2001-10-26 2005-09-06 Staktek Group L.P. Integrated circuit stacking system and method
US7656678B2 (en) 2001-10-26 2010-02-02 Entorian Technologies, Lp Stacked module systems
US20030234443A1 (en) 2001-10-26 2003-12-25 Staktek Group, L.P. Low profile stacking system and method
US7202555B2 (en) 2001-10-26 2007-04-10 Staktek Group L.P. Pitch change and chip scale stacking system and method
US7485951B2 (en) * 2001-10-26 2009-02-03 Entorian Technologies, Lp Modularized die stacking system and method
US7371609B2 (en) 2001-10-26 2008-05-13 Staktek Group L.P. Stacked module systems and methods
US7310458B2 (en) 2001-10-26 2007-12-18 Staktek Group L.P. Stacked module systems and methods
US6956284B2 (en) * 2001-10-26 2005-10-18 Staktek Group L.P. Integrated circuit stacking system and method
US7026708B2 (en) 2001-10-26 2006-04-11 Staktek Group L.P. Low profile chip scale stacking system and method
US6914324B2 (en) * 2001-10-26 2005-07-05 Staktek Group L.P. Memory expansion and chip scale stacking system and method
US7053478B2 (en) 2001-10-26 2006-05-30 Staktek Group L.P. Pitch change and chip scale stacking system
US20060255446A1 (en) 2001-10-26 2006-11-16 Staktek Group, L.P. Stacked modules and method
US7081373B2 (en) * 2001-12-14 2006-07-25 Staktek Group, L.P. CSP chip stack with flex circuit
US6831132B2 (en) * 2002-03-28 2004-12-14 Henkel Corporation Film adhesives containing maleimide compounds and methods for use thereof
AU2003276729A1 (en) * 2002-06-17 2003-12-31 Henkel Corporation Interlayer dielectric and pre-applied die attach adhesive materials
US7176044B2 (en) * 2002-11-25 2007-02-13 Henkel Corporation B-stageable die attach adhesives
JP2005045023A (ja) * 2003-07-22 2005-02-17 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
US7542304B2 (en) 2003-09-15 2009-06-02 Entorian Technologies, Lp Memory expansion and integrated circuit stacking system and method
US7306971B2 (en) * 2004-03-02 2007-12-11 Chippac Inc. Semiconductor chip packaging method with individually placed film adhesive pieces
US7074695B2 (en) * 2004-03-02 2006-07-11 Chippac, Inc. DBG system and method with adhesive layer severing
US20050208700A1 (en) * 2004-03-19 2005-09-22 Chippac, Inc. Die to substrate attach using printed adhesive
US20050224919A1 (en) * 2004-04-01 2005-10-13 Chippac, Inc Spacer die structure and method for attaching
US20050224959A1 (en) * 2004-04-01 2005-10-13 Chippac, Inc Die with discrete spacers and die spacing method
US7190058B2 (en) * 2004-04-01 2007-03-13 Chippac, Inc. Spacer die structure and method for attaching
US20050258545A1 (en) * 2004-05-24 2005-11-24 Chippac, Inc. Multiple die package with adhesive/spacer structure and insulated die surface
US8552551B2 (en) * 2004-05-24 2013-10-08 Chippac, Inc. Adhesive/spacer island structure for stacking over wire bonded die
US20050269692A1 (en) 2004-05-24 2005-12-08 Chippac, Inc Stacked semiconductor package having adhesive/spacer structure and insulation
US20050258527A1 (en) * 2004-05-24 2005-11-24 Chippac, Inc. Adhesive/spacer island structure for multiple die package
JP4003780B2 (ja) 2004-09-17 2007-11-07 カシオ計算機株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7309914B2 (en) 2005-01-20 2007-12-18 Staktek Group L.P. Inverted CSP stacking system and method
US7033861B1 (en) 2005-05-18 2006-04-25 Staktek Group L.P. Stacked module systems and method
US7576995B2 (en) 2005-11-04 2009-08-18 Entorian Technologies, Lp Flex circuit apparatus and method for adding capacitance while conserving circuit board surface area
US20070154157A1 (en) * 2005-12-30 2007-07-05 Horine Bryce D Quasi-waveguide printed circuit board structure
US7508069B2 (en) 2006-01-11 2009-03-24 Entorian Technologies, Lp Managed memory component
US7304382B2 (en) 2006-01-11 2007-12-04 Staktek Group L.P. Managed memory component
US7508058B2 (en) 2006-01-11 2009-03-24 Entorian Technologies, Lp Stacked integrated circuit module
US7605454B2 (en) 2006-01-11 2009-10-20 Entorian Technologies, Lp Memory card and method for devising
US7608920B2 (en) 2006-01-11 2009-10-27 Entorian Technologies, Lp Memory card and method for devising
US20070178666A1 (en) * 2006-01-31 2007-08-02 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit system with waferscale spacer system
US7675180B1 (en) 2006-02-17 2010-03-09 Amkor Technology, Inc. Stacked electronic component package having film-on-wire spacer
US20080237824A1 (en) * 2006-02-17 2008-10-02 Amkor Technology, Inc. Stacked electronic component package having single-sided film spacer
US7633144B1 (en) 2006-05-24 2009-12-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package
US7468553B2 (en) 2006-10-20 2008-12-23 Entorian Technologies, Lp Stackable micropackages and stacked modules
US7417310B2 (en) 2006-11-02 2008-08-26 Entorian Technologies, Lp Circuit module having force resistant construction
TW200832532A (en) * 2007-01-23 2008-08-01 Advanced Semiconductor Eng Method for cutting a wafer and method for manufacturing semiconductor package by using multiple tape
US8178419B2 (en) 2008-02-05 2012-05-15 Twin Creeks Technologies, Inc. Method to texture a lamina surface within a photovoltaic cell
US20110186215A1 (en) * 2010-02-03 2011-08-04 C Sun Mfg. Ltd. Apparatus and method for laminating a film on a wafer
CN101905625B (zh) * 2010-07-14 2013-11-27 蔡宗翰 美耐皿容器的多面贴花制程
US8313982B2 (en) 2010-09-20 2012-11-20 Texas Instruments Incorporated Stacked die assemblies including TSV die
US8916954B2 (en) 2012-02-05 2014-12-23 Gtat Corporation Multi-layer metal support
US8841161B2 (en) 2012-02-05 2014-09-23 GTAT.Corporation Method for forming flexible solar cells
US8785294B2 (en) 2012-07-26 2014-07-22 Gtat Corporation Silicon carbide lamina
WO2014028349A1 (en) * 2012-08-15 2014-02-20 Gtat Corporation Bonding of thin lamina
KR20140139212A (ko) * 2013-05-27 2014-12-05 제일모직주식회사 다이싱 다이본딩 필름

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0134606A2 (en) * 1983-08-03 1985-03-20 National Starch and Chemical Corporation Carrier film with conductive adhesive for dicing of semiconductor wafers
JPS62204539A (ja) * 1986-03-05 1987-09-09 Toshiba Chem Corp 半導体チツプの接着取付け方法
US4793883A (en) * 1986-07-14 1988-12-27 National Starch And Chemical Corporation Method of bonding a semiconductor chip to a substrate
CN1120850A (zh) * 1993-04-05 1996-04-17 明尼苏达矿产制造公司 用于电子器件的可再加工的聚(乙烯-乙烯醇)粘合剂
US5972735A (en) * 1998-07-14 1999-10-26 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Method of preparing an electronic package by co-curing adhesive and encapsulant
EP0979852A2 (en) * 1998-08-10 2000-02-16 LINTEC Corporation A dicing tape and a method of dicing a semiconductor wafer
CN1284526A (zh) * 1999-08-16 2001-02-21 国家淀粉及化学投资控股公司 用于电子封装的薄膜粘合剂组合物
WO2001039266A1 (en) * 1999-11-24 2001-05-31 International Rectifier Corporation Power semiconductor die attach process using conductive adhesive film
CN1309156A (zh) * 2000-02-18 2001-08-22 日本电气株式会社 用于粘合晶片的压敏粘合剂片
US6281044B1 (en) * 1995-07-31 2001-08-28 Micron Technology, Inc. Method and system for fabricating semiconductor components

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH628926A5 (de) 1977-02-16 1982-03-31 Guenter Schwarz Mehrschichtiges klebematerial.
US4874721A (en) 1985-11-11 1989-10-17 Nec Corporation Method of manufacturing a multichip package with increased adhesive strength
JP2918574B2 (ja) * 1989-09-29 1999-07-12 株式会社日立製作所 半導体装置
JP2994510B2 (ja) 1992-02-10 1999-12-27 ローム株式会社 半導体装置およびその製法
AU4242693A (en) 1992-05-11 1993-12-13 Nchip, Inc. Stacked devices for multichip modules
US5279991A (en) 1992-05-15 1994-01-18 Irvine Sensors Corporation Method for fabricating stacks of IC chips by segmenting a larger stack
US5286679A (en) 1993-03-18 1994-02-15 Micron Technology, Inc. Method for attaching a semiconductor die to a leadframe using a patterned adhesive layer
US6046072A (en) 1993-03-29 2000-04-04 Hitachi Chemical Company, Ltd. Process for fabricating a crack resistant resin encapsulated semiconductor chip package
US5323060A (en) 1993-06-02 1994-06-21 Micron Semiconductor, Inc. Multichip module having a stacked chip arrangement
US5548160A (en) 1994-11-14 1996-08-20 Micron Technology, Inc. Method and structure for attaching a semiconductor die to a lead frame
US5600183A (en) 1994-11-15 1997-02-04 Hughes Electronics Multi-layer film adhesive for electrically isolating and grounding an integrated circuit chip to a printed circuit substrate
US5635010A (en) 1995-04-14 1997-06-03 Pepe; Angel A. Dry adhesive joining of layers of electronic devices
US5564181A (en) 1995-04-18 1996-10-15 Draper Laboratory, Inc. Method of fabricating a laminated substrate assembly chips-first multichip module
JP3467611B2 (ja) 1995-09-29 2003-11-17 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 半導体装置の製造方法
JP3085356B2 (ja) * 1996-04-23 2000-09-04 日立電線株式会社 リードフレームのダイパット部への接着テープの貼付方法
US5776799A (en) 1996-11-08 1998-07-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Lead-on-chip type semiconductor chip package using an adhesive deposited on chip active surfaces at a wafer level and method for manufacturing same
US5879965A (en) 1997-06-19 1999-03-09 Micron Technology, Inc. Plastic lead frames for semiconductor devices, packages including same, and methods of fabrication
JPH11154687A (ja) * 1997-09-18 1999-06-08 Hitachi Chem Co Ltd 回路板
US6023094A (en) 1998-01-14 2000-02-08 National Semiconductor Corporation Semiconductor wafer having a bottom surface protective coating
US6175149B1 (en) 1998-02-13 2001-01-16 Micron Technology, Inc. Mounting multiple semiconductor dies in a package
WO1999048140A1 (en) 1998-03-19 1999-09-23 The Regents Of The University Of California Attachment method for stacked integrated circuit (ic) chips
US6210522B1 (en) 1999-06-15 2001-04-03 Lexmark International, Inc. Adhesive bonding laminates
US6228687B1 (en) 1999-06-28 2001-05-08 Micron Technology, Inc. Wafer-level package and methods of fabricating
US6212767B1 (en) 1999-08-31 2001-04-10 Micron Technology, Inc. Assembling a stacked die package
US6514795B1 (en) * 2001-10-10 2003-02-04 Micron Technology, Inc. Packaged stacked semiconductor die and method of preparing same

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0134606A2 (en) * 1983-08-03 1985-03-20 National Starch and Chemical Corporation Carrier film with conductive adhesive for dicing of semiconductor wafers
JPS62204539A (ja) * 1986-03-05 1987-09-09 Toshiba Chem Corp 半導体チツプの接着取付け方法
US4793883A (en) * 1986-07-14 1988-12-27 National Starch And Chemical Corporation Method of bonding a semiconductor chip to a substrate
CN1120850A (zh) * 1993-04-05 1996-04-17 明尼苏达矿产制造公司 用于电子器件的可再加工的聚(乙烯-乙烯醇)粘合剂
US6281044B1 (en) * 1995-07-31 2001-08-28 Micron Technology, Inc. Method and system for fabricating semiconductor components
US5972735A (en) * 1998-07-14 1999-10-26 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Method of preparing an electronic package by co-curing adhesive and encapsulant
EP0979852A2 (en) * 1998-08-10 2000-02-16 LINTEC Corporation A dicing tape and a method of dicing a semiconductor wafer
CN1284526A (zh) * 1999-08-16 2001-02-21 国家淀粉及化学投资控股公司 用于电子封装的薄膜粘合剂组合物
WO2001039266A1 (en) * 1999-11-24 2001-05-31 International Rectifier Corporation Power semiconductor die attach process using conductive adhesive film
CN1309156A (zh) * 2000-02-18 2001-08-22 日本电气株式会社 用于粘合晶片的压敏粘合剂片

Also Published As

Publication number Publication date
AU2002334780A1 (en) 2003-05-06
US20030087479A1 (en) 2003-05-08
CN1575510A (zh) 2005-02-02
WO2003036715A2 (en) 2003-05-01
WO2003036715A3 (en) 2003-11-13
TW586192B (en) 2004-05-01
KR20040062574A (ko) 2004-07-07
US6620651B2 (en) 2003-09-16
KR100906355B1 (ko) 2009-07-06
JP4261356B2 (ja) 2009-04-30
EP1438741A2 (en) 2004-07-21
JP2005507172A (ja) 2005-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1303660C (zh) 用粘合剂薄膜将半导体管芯粘结到衬底的半导体封装方法
CN100345256C (zh) 半导体电路器件的制造方法
EP1195809B1 (en) Process for producing semiconductor device
JP4409014B2 (ja) 半導体装置の製造方法
TWI254387B (en) Wafer stacking package method
CN101038891A (zh) 半导体装置的制造方法
US6784021B2 (en) Semiconductor device, method of fabricating the same and semiconductor device fabricating apparatus
US20050208700A1 (en) Die to substrate attach using printed adhesive
US9281182B2 (en) Pre-cut wafer applied underfill film
US20050218479A1 (en) Spacer die structure and method for attaching
JP2005123609A (ja) ダイボンダー設備及びこれを用いた半導体チップ付着方法
JP2008103390A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3771843B2 (ja) 導電性接着フィルムを用いるパワー半導体ダイの接着方法
EP2636712A1 (en) Pressure-sensitive adhesive tape for resin encapsulation and method for producing resin encapsulation type semiconductor device
HK1072126A (zh) 用於管芯附着应用的粘合晶片
CN1841688A (zh) 层叠型半导体器件以及层叠型电子部件的制造方法
KR101923736B1 (ko) 수지 봉지용 점착 테이프 및 수지 봉지형 반도체 장치의 제조방법
US7498202B2 (en) Method for die attaching
US20240112956A1 (en) Wafer composite, semiconductor device and methods of manufacturing a semiconductor circuit
CN1452786A (zh) 晶片背面的晶粒黏接材料的预先使用方法及封装组件
US20250349619A1 (en) Method for Attaching Metallic Bodies to Thin Semiconductor Dies at Wafer Level
WO2023136004A1 (ja) 積層フィルム及び支持片の製造方法
JP2005129912A (ja) 受動素子の供給方法および半導体パッケージ製造用受動素子ならびに受動素子
US20050224919A1 (en) Spacer die structure and method for attaching
CN1925121A (zh) 晶圆级堆叠多芯片的封装方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1072126

Country of ref document: HK

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20070307

Termination date: 20091102

REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: WD

Ref document number: 1072126

Country of ref document: HK