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CN1229693C - 化学增强型正光刻胶组合物和锍盐 - Google Patents

化学增强型正光刻胶组合物和锍盐 Download PDF

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CN1229693C CNB011295112A CN01129511A CN1229693C CN 1229693 C CN1229693 C CN 1229693C CN B011295112 A CNB011295112 A CN B011295112A CN 01129511 A CN01129511 A CN 01129511A CN 1229693 C CN1229693 C CN 1229693C
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Abstract

本发明公开了一种化学增强型正光刻胶组合物,其提供了具有显著改善了线边缘粗糙度的光刻胶图案,并且其各种光刻胶性能如耐干蚀刻性、灵敏度和分辨力均优良,其包括:(A)一种酸发生剂,含有锍盐和至少一种鎓盐;(B)一种树脂,该树脂包括具有对酸不稳定的基团的聚合单元,并且其本身不溶或微溶于碱,但通过酸的作用变为可溶于碱。该组合物适宜于KrF受激准分子激光、ArF受激准分子激光下的平版印刷,从而可得到高性能的光刻胶图案。

Description

化学增强型正光刻胶组合物和锍盐
技术领域
本发明是有关于一种用于半导体精加工的化学增强型正光刻胶组合物。
背景技术
通常使用光刻胶组合物的平版印刷工艺已在半导体精加工中采用。在平版印刷处理中,原则上如Rayleigh的有限衍射表达式表达的那样,曝光波长越短,分辨力越高。如光波长436nm的g-线、波长365nm的i-线和波长248nm的KrF受激准分子激光已被用作在半导体生产中平版印刷的曝光光源。因而,曝光光源的波长一年比一年短。波长157nm的F2受激准分子激光作为下一代改进的曝光光源被认为很有前途,并且提出波长不超过13nm的软X-射线(EUV)作为光源。
因为具有比g-线和i-线更短波长的光源,如ArF受激准分子激光,具有低的照明强度,要求提高光刻胶的灵敏性。出于这个原因,使用所谓的化学增强型光刻胶,这种光刻胶利用因曝光发生的酸催化作用,并包括一种具有通过酸的作用而裂解的基团的树脂。
然而,用本领域已知的化学增强型光刻胶组合物,由于出现驻波恶化了线边缘粗糙度等,即图案侧壁的光滑度。结果,出现了恶化线的均匀性的问题。
发明内容
本发明的一个目标是提供一种化学增强型正光刻胶组合物,包括一种树脂组分和酸发生剂,其适用于用ArF、KrF等的受激准分子激光平版印刷,其具有各种优良的光刻胶性能如敏感性和分辨性,并特别改善了线边缘粗糙度。
本发明人已发现并提出下列事实。即,通过使用选自三苯锍和二苯基碘鎓盐的至少一种鎓盐和2-氧代锍的全氟烷基磺酸盐如环己基甲基(2-氧代锍)全氟烷基磺酸盐组合作为酸发生剂,可提高分辨率,也可改善在碱性基材或低反射基材上的轮廓(日本专利申请2000-060057)。然后,发现这种组合体系也可改善线边缘粗糙度,并对其进行了研究。结果发现:用特定锍盐来代替组合中的2-氧代锍的全氟烷基磺酸盐,可改善线边缘粗糙度。由此,完成了本发明。
本发明提供一种事实上优良的化学增强型正光刻胶树脂组合物,包括:
(A)一种酸发生剂,含有(a)由下式(I)表示的锍盐:
Figure C0112951100071
其中Q1和Q2各自独立表示1至6个碳原子的烷基或3至10个碳原子的环烷基,或Q1和Q2与相邻的硫原子一起形成可还含有一个氧原子或硫原子的杂脂环基;Q3表示氢原子,Q4表示1至6个碳原子的直链或支链烷基或3至10个碳原子的环烷基,或Q3和Q4与其相邻的CHC(O)基一起形成2-氧代环烷基;Q5SO3 -表示有机磺酸根离子,条件是当Q5表示具有1至8个碳原子的全氟烷基时,排除Q1表示1至6个碳原子的直链或支链烷基、Q2表示1至6个碳原子的直链或支链烷基或3至10个碳原子的环烷基,和Q3和Q4与其相邻的CHC(O)基一起形成2-氧代环烷基的情形;和
(b)至少一种鎓盐,选自:由下式(IIa)表示的三苯基锍盐和由下式(IIb)表示的二苯基碘鎓盐
Figure C0112951100081
其中P1-P5各自独立表示氢原子、羟基、1至6个碳原子的烷基或1至6个碳原子的烷氧基,P6SO3 -和P7SO3 -各自表示有机磺酸根离子,和
(B)一种树脂,该树脂包括具有对酸不稳定的基团的聚合单元,并且其本身不溶或微溶于碱,但通过酸的作用变为可溶于碱。
本发明还提供了由下式(Ia)表示的锍盐化合物:
其中Q6表示1至8个碳原子的全氟烷基、1至8个碳原子的烷基、6-12个碳原子的芳香基或樟脑基;当Q6表示1至8个碳原子的全氟烷基时,Q1和Q2各自独立表示1至6个碳原子的直链或支链烷基或3至10个碳原子的环烷基,或Q1和Q2与相邻的硫原子一起形成可还具有一个氧原子或硫原子的杂脂环基;Q3表示氢原子,Q4表示1至6个碳原子的直链或支链烷基或3至10个碳原子的环烷基;当Q6表示1至8个碳原子的烷基、6-12个碳原子的芳香基或樟脑基时,Q1和Q2各自独立表示1至6个碳原子的直链或支链烷基或3至10个碳原子的环烷基,或Q1和Q2与相邻的硫原子一起形成可还具有一个氧原子或硫原子的杂脂环基;Q3表示氢原子,Q4表示1至6个碳原子的直链或支链烷基或3至10个碳原子的环烷基;或Q3和Q4与其相邻的CHC(O)基一起形成2-氧代环烷基。
具体实施方式
用于化学增强型正光刻胶树脂组合物中的酸发生剂是通过采用辐射如光或电子束照射该组分本身或含有该组分的光刻胶组合物而分解产生酸的物质。在本发明的树脂组合物中,由上式(I)表示的锍盐和选自由式(IIa)表示的三苯基锍盐和由式(IIb)表示的二苯基碘鎓盐的至少一个鎓盐,一起用作酸发生剂。
在式(I)中,Q1和Q2各自独立表示1至6个碳原子的烷基或3至10个碳原子的环烷基。当它们每一个具有3个或更多的碳原子时,可以是直链或支链的。烷基和环烷基的具体例子包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基、己基、环戊基和环己基。由Q1、Q2和与它们键合的硫原子一起形成的杂环基的例子包括亚乙基硫化物、三亚甲基硫化物、四氢噻吩、四氢噻喃、噻烷、二噻烷、四氢噻吩-3-酮、四氢噻吩-4-酮。其中,由于热稳定性,优选由Q1、Q2和与其相邻的硫原子一起形成的并还可含有氧原子和硫原子的杂环基。若热稳定性好,则可以升高烘焙温度(PEB温度)。
通常,随着PEB温度升高粗糙度得到改善。另外,Q3可表示氢原子,Q4表示1至6个碳原子的直链或支链烷基或3至10个碳原子的环烷基,或Q3和Q4与其相邻的CHC(O)基一起形成2-氧代环烷基。作为Q4的烷基和环烷基的具体例子包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基、己基和环己基。当Q3和Q4与其相邻的CHC(O)基一起形成2-氧代环烷基时,2-氧代环烷基的例子包括2-氧代环己基、2-氧代环戊基、樟脑基等。
在式(I)中,Q5SO3 -表示磺酸根离子。例如,Q5可以是具有约1-12个碳原子的有机基团。作为Q5的有机基团的例子包括1-8个碳原子的全氟烷基、1至8个碳原子的烷基、6-12个碳原子的芳香基或樟脑基。全氟烷基的具体例子包括三氟甲基、全氟丁基和全烷辛基。1至8个碳原子的烷基的例子包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、戊基、己基、环己基、辛基。芳香基的例子包括苯基、甲苯基、二甲苯、2,4,6-三甲苯基和萘苯基。
可根椐已知方法生产式(I)的脂族锍化合物。例如,可通过用J.V.Crivello等人在“聚合物科学杂志、聚合物化学版”(Journal of PolymerScience,Polymer Chemistry Edition),第17卷,2877-2892(1979)所述方法按照下列流程生产:
Figure C0112951100101
其中Q1、Q2、Q3、Q4和Q5定义如上,X表示卤原子如溴和碘,M表示氢原子、碱金属如钠和钾或银。
换言之,将式(A2)的β-卤代酮作用于式(A1)硫化物,得到式(B)的卤化锍。接着与式Q5SO3M的磺酸或磺酸的金属盐进一步反应。结果,可得到由式(I)表示的锍盐。这些反应在适当的溶剂如丙酮、乙腈、硝基甲烷等中进行。相对于式(A2)的β-卤代酮,所用的式(A1)的硫化物的摩尔比为0.7-1.5,更优选为0.8-1.1mol。所用的Q5SO3M的磺酸或磺酸的金属盐的摩尔比为0.7-1.2mol,优选0.8-1.0mol,以用于生产式(B)的卤化锍的式(A1)的硫化物计。完成反应后,可通过过滤等除去产生的金属卤化物盐并对该溶液进行后处理如浓缩、重结晶等,得到锍盐。
由式(I)表示的锍盐的具体例子包括下列化合物:
二甲基-(2-氧代丙基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二甲基-(2-氧代丁基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二甲基-(2-氧代戊基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二甲基-(2-氧代己基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二甲基-(2-氧代庚基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二甲基-(2-氧代辛基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二甲基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍三氟甲烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基二甲基锍三氟甲烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基二甲基锍三氟甲烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基二甲基锍三氟甲烷磺酸盐,
二乙基-(2-氧代丙基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二乙基-(2-氧代丁基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二乙基-(2-氧代戊基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二乙基-(2-氧代己基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二乙基-(2-氧代庚基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二乙基-(2-氧代辛基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二乙基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍三氟甲烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基二乙基锍三氟甲烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基二乙基锍三氟甲烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基二乙基锍三氟甲烷磺酸盐,
二丁基-(2-氧代丙基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二丁基-(2-氧代丁基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二丁基-(2-氧代戊基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二丁基-(2-氧代己基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二丁基-(2-氧代庚基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二丁基-(2-氧代辛基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二丁基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二丁基-(3,3-二甲基-2-氧代丁基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二丁基-(2-环己基-2-氧代乙基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二丁基-(2-环戊基-2-氧代乙基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代丙基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代丁基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代戊基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代己基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代庚基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代辛基)锍三氟甲烷磺酸盐,
二异丙基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍三氟甲烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基二异丙基锍三氟甲烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基二异丙基锍三氟甲烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基二异丙基锍三氟甲烷磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代丙基)锍三氟甲烷磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代丁基)锍三氟甲烷磺酸盐,
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叔丁基甲基(2-环戊基-2-氧代乙基)甲基锍三氟甲烷磺酸盐,
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2-氧代丙基噻环戊烷鎓三氟甲烷磺酸盐,
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2-氧代戊基噻环己烷鎓三氟甲烷磺酸盐,
2-氧代己基噻环己烷鎓三氟甲烷磺酸盐,
2-氧代庚基噻环己烷鎓三氟甲烷磺酸盐,
2-氧代辛基噻环己烷鎓三氟甲烷磺酸盐,
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3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环己烷鎓三氟甲烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基噻环己烷鎓三氟甲烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基噻环己烷鎓三氟甲烷磺酸盐,
2-氧代丙基(1,4-噻烷鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-氧代丁基(1,4-噻烷鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-氧代戊基(1,4-噻烷鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-氧代己基(1,4-噻烷鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-氧代庚基(1,4-噻烷鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-氧代辛基(1,4-噻烷鎓)三氟甲烷磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基(1,4-噻烷鎓)三氟甲烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基(1,4-噻烷鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基(1,4-噻烷鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基(1,4-噻烷鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-氧代丙基(4-氧代噻环己烷鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-氧代丁基(4-氧代噻环己烷鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-氧代戊基4-氧代噻环己烷鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-氧代己基(4-氧代噻环己烷鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-氧代庚基(4-氧代噻环己烷鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-氧代辛基(4-氧代噻环己烷鎓)三氟甲烷磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基(4-氧代噻环己烷鎓)三氟甲烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基(4-氧代噻环己烷鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基(4-氧代噻环己烷鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基(4-氧代噻环己烷鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-氧代丙基(1,4-二噻鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-氧代丁基(1,4-二噻鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-氧代戊基1,4-二噻鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-氧代己基(1,4-二噻鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-氧代庚基(1,4-二噻鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-氧代辛基(1,4-二噻鎓)三氟甲烷磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基(1,4-二噻鎓)三氟甲烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基(1,4-二噻鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基(1,4-二噻鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基(1,4-二噻鎓)三氟甲烷磺酸盐,
2-氧代环己基噻环戊烷鎓三氟甲烷磺酸盐,
二甲基-(2-氧代丙基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二甲基-(2-氧代丁基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二甲基-(2-氧代戊基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二甲基-(2-氧代己基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二甲基-(2-氧代庚基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二甲基-(2-氧代辛基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二甲基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍全氟丁烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基二甲基锍全氟丁烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基二甲基锍全氟丁烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基二甲基锍全氟丁烷磺酸盐,
二乙基-(2-氧代丙基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二乙基-(2-氧代丁基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二乙基-(2-氧代戊基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二乙基-(2-氧代己基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二乙基-(2-氧代庚基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二乙基-(2-氧代辛基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二乙基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍全氟丁烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基二乙基锍全氟丁烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基二乙基锍全氟丁烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基二乙基锍全氟丁烷磺酸盐,
二丁基-(2-氧代丙基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二丁基-(2-氧代丁基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二丁基-(2-氧代戊基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二丁基-(2-氧代己基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二丁基-(2-氧代庚基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二丁基-(2-氧代辛基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二丁基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二丁基-(3,3-二甲基-2-氧代丁基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二丁基-(2-环己基-2-氧代乙基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二丁基-(2-环戊基-2-氧代乙基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代丙基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代丁基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代戊基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代己基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代庚基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代辛基)锍全氟丁烷磺酸盐,
二异丙基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍全氟丁烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基二异丙基锍全氟丁烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基二异丙基锍全氟丁烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基二异丙基锍全氟丁烷磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代丙基)锍全氟丁烷磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代丁基)锍全氟丁烷磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代戊基)锍全氟丁烷磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代己基)锍全氟丁烷磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代庚基)锍全氟丁烷磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代辛基)锍全氟丁烷磺酸盐,
叔丁基甲基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍全氟丁烷磺酸盐,
叔丁基-(3,3-二甲基-2-氧代丁基)甲基锍全氟丁烷磺酸盐,
叔丁基-(2-环己基-2-氧代乙基)甲基锍全氟丁烷磺酸盐,
叔丁基-(2-环戊基-2-氧代乙基)甲基锍全氟丁烷磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代丙基)锍全氟丁烷磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代丁基)锍全氟丁烷磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代戊基)锍全氟丁烷磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代己基)锍全氟丁烷磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代庚基)锍全氟丁烷磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代辛基)锍全氟丁烷磺酸盐,
环己基甲基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍全氟丁烷磺酸盐,
环己基(3,3-二甲基-2-氧代丁基)甲基锍全氟丁烷磺酸盐,
环己基(2-环己基-2-氧代乙基)甲基锍全氟丁烷磺酸盐,
环己基(2-环戊基-2-氧代乙基)甲基锍全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代丙基噻环戊烷鎓全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代丁基噻环戊烷鎓全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代戊基噻环戊烷鎓全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代己基噻环戊烷鎓全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代庚基噻环戊烷鎓全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代辛基噻环戊烷鎓全氟丁烷磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓全氟丁烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓全氟丁烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基噻环戊烷鎓全氟丁烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基噻环戊烷鎓全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代丙基噻环己烷鎓全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代丁基噻环己烷鎓全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代戊基噻环己烷鎓全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代己基噻环己烷鎓全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代庚基噻环己烷鎓全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代辛基噻环己烷鎓全氟丁烷磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基噻环己烷鎓全氟丁烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环己烷鎓全氟丁烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基噻环己烷鎓全氟丁烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基噻环己烷鎓全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代丙基(1,4-噻烷鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代丁基(1,4-噻烷鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代戊基(1,4-噻烷鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代己基(1,4-噻烷鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代庚基(1,4-噻烷鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代辛基(1,4-噻烷鎓)全氟丁烷磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基(1,4-噻烷鎓)全氟丁烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基(1,4-噻烷鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基(1,4-噻烷鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基(1,4-噻烷鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代丙基(4-氧代噻环己烷鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代丁基(4-氧代噻环己烷鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代戊基4-氧代噻环己烷鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代己基(4-氧代噻环己烷鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代庚基(4-氧代噻环己烷鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代辛基(4-氧代噻环己烷鎓)全氟丁烷磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基(4-氧代噻环己烷鎓)全氟丁烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基(4-氧代噻环己烷鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基(4-氧代噻环己烷鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基(4-氧代噻环己烷鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代丙基(1,4-二噻鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代丁基(1,4-二噻鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代戊基1,4-二噻鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代己基(1,4-二噻鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代庚基(1,4-二噻鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代辛基(1,4-二噻鎓)全氟丁烷磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基(1,4-二噻鎓)全氟丁烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基(1,4-二噻鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基(1,4-二噻鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基(1,4-二噻鎓)全氟丁烷磺酸盐,
2-氧代环己基噻环戊烷鎓全氟丁烷磺酸盐,
二甲基-(2-氧代丙基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二甲基-(2-氧代丁基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二甲基-(2-氧代戊基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二甲基-(2-氧代己基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二甲基-(2-氧代庚基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二甲基-(2-氧代辛基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二甲基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍全氟辛烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基二甲基锍全氟辛烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基二甲基锍全氟辛烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基二甲基锍全氟辛烷磺酸盐,
二乙基-(2-氧代丙基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二乙基-(2-氧代丁基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二乙基-(2-氧代戊基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二乙基-(2-氧代己基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二乙基-(2-氧代庚基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二乙基-(2-氧代辛基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二乙基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍全氟辛烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基二乙基锍全氟辛烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基二乙基锍全氟辛烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基二乙基锍全氟辛烷磺酸盐,
二丁基-(2-氧代丙基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二丁基-(2-氧代丁基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二丁基-(2-氧代戊基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二丁基-(2-氧代己基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二丁基-(2-氧代庚基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二丁基-(2-氧代辛基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二丁基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二丁基-(3,3-二甲基-2-氧代丁基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二丁基-(2-环己基-2-氧代乙基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二丁基-(2-环戊基-2-氧代乙基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代丙基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代丁基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代戊基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代己基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代庚基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代辛基)锍全氟辛烷磺酸盐,
二异丙基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍全氟辛烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基二异丙基锍全氟辛烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基二异丙基锍全氟辛烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基二异丙基锍全氟辛烷磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代丙基)锍全氟辛烷磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代丁基)锍全氟辛烷磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代戊基)锍全氟辛烷磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代己基)锍全氟辛烷磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代庚基)锍全氟辛烷磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代辛基)锍全氟辛烷磺酸盐,
叔丁基甲基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍全氟辛烷磺酸盐,
叔丁基-(3,3-二甲基-2-氧代丁基)甲基锍全氟辛烷磺酸盐,
叔丁基-(2-环己基-2-氧代乙基)甲基锍全氟辛烷磺酸盐,
叔丁基-(2-环戊基-2-氧代乙基)甲基锍全氟辛烷磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代丙基)锍全氟辛烷磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代丁基)锍全氟辛烷磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代戊基)锍全氟辛烷磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代己基)锍全氟辛烷磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代庚基)锍全氟辛烷磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代辛基)锍全氟辛烷磺酸盐,
环己基甲基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍全氟辛烷磺酸盐,
环己基(3,3-二甲基-2-氧代丁基)甲基锍全氟辛烷磺酸盐,
环己基(2-环己基-2-氧代乙基)甲基锍全氟辛烷磺酸盐,
环己基(2-环戊基-2-氧代乙基)甲基锍全氟辛烷磺酸盐,
2-氧代丙基噻环戊烷鎓全氟辛烷磺酸盐,
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3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓全氟辛烷磺酸盐,
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2-氧代丁基噻环己烷鎓全氟辛烷磺酸盐,
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2-氧代己基噻环己烷鎓全氟辛烷磺酸盐,
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2-氧代庚基(1,4-噻烷鎓)全氟辛烷磺酸盐,
2-氧代辛基(1,4-噻烷鎓)全氟辛烷磺酸盐,
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2-氧代丁基(4-氧代噻环己烷鎓)全氟辛烷磺酸盐,
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2-氧代己基(4-氧代噻环己烷鎓)全氟辛烷磺酸盐,
2-氧代庚基(4-氧代噻环己烷鎓)全氟辛烷磺酸盐,
2-氧代辛基(4-氧代噻环己烷鎓)全氟辛烷磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基(4-氧代噻环己烷鎓)全氟辛烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基(4-氧代噻环己烷鎓)全氟辛烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基(4-氧代噻环己烷鎓)全氟辛烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基(4-氧代噻环己烷鎓)全氟辛烷磺酸盐,
2-氧代丙基(1,4-二噻鎓)全氟辛烷磺酸盐,
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2-氧代己基(1,4-二噻鎓)全氟辛烷磺酸盐,
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二甲基-(2-氧代丁基)锍丁烷磺酸盐,
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3,3-二甲基-2-氧代丁基二甲基锍丁烷磺酸盐,
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2-环戊基-2-氧代乙基二甲基锍丁烷磺酸盐,
二乙基-(2-氧代丙基)锍丁烷磺酸盐,
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2-环戊基-2-氧代乙基二异丙基锍丁烷磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代丙基)锍丁烷磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代丁基)锍丁烷磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代戊基)锍丁烷磺酸盐,
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叔丁基甲基-(2-氧代庚基)锍丁烷磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代辛基)锍丁烷磺酸盐,
叔丁基甲基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍丁烷磺酸盐,
叔丁基-(3,3-二甲基-2-氧代丁基)甲基锍丁烷磺酸盐,
叔丁基-(2-环己基-2-氧代乙基)甲基锍丁烷磺酸盐,
叔丁基-(2-环戊基-2-氧代乙基)甲基锍丁烷磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代丙基)锍丁烷磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代丁基)锍丁烷磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代戊基)锍丁烷磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代己基)锍丁烷磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代庚基)锍丁烷磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代辛基)锍丁烷磺酸盐,
环己基甲基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍丁烷磺酸盐,
环己基(3,3-二甲基-2-氧代丁基)甲基锍丁烷磺酸盐,
环己基(2-环己基-2-氧代乙基)甲基锍丁烷磺酸盐,
环己基(2-环戊基-2-氧代乙基)甲基锍丁烷磺酸盐,
2-氧代丙基噻环戊烷鎓丁烷磺酸盐,
2-氧代丁基噻环戊烷鎓丁烷磺酸盐,
2-氧代戊基噻环戊烷鎓丁烷磺酸盐,
2-氧代己基噻环戊烷鎓丁烷磺酸盐,
2-氧代庚基噻环戊烷鎓丁烷磺酸盐,
2-氧代辛基噻环戊烷鎓丁烷磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓丁烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓丁烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基噻环戊烷鎓丁烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基噻环戊烷鎓丁烷磺酸盐,
2-氧代丙基噻环己烷鎓丁烷磺酸盐,
2-氧代丁基噻环己烷鎓丁烷磺酸盐,
2-氧代戊基噻环己烷鎓丁烷磺酸盐,
2-氧代己基噻环己烷鎓丁烷磺酸盐,
2-氧代庚基噻环己烷鎓丁烷磺酸盐,
2-氧代辛基噻环己烷鎓丁烷磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基噻环己烷鎓丁烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环己烷鎓丁烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基噻环己烷鎓丁烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基噻环己烷鎓丁烷磺酸盐,
2-氧代丙基(1,4-噻烷鎓)丁烷磺酸盐,
2-氧代丁基(1,4-噻烷鎓)丁烷磺酸盐,
2-氧代戊基(1,4-噻烷鎓)丁烷磺酸盐,
2-氧代己基(1,4-噻烷鎓)丁烷磺酸盐,
2-氧代庚基(1,4-噻烷鎓)丁烷磺酸盐,
2-氧代辛基(1,4-噻烷鎓)丁烷磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基(1,4-噻烷鎓)丁烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基(1,4-噻烷鎓)丁烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基(1,4-噻烷鎓)丁烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基(1,4-噻烷鎓)丁烷磺酸盐,
2-氧代丙基(4-氧代噻环己烷鎓)丁烷磺酸盐,
2-氧代丁基(4-氧代噻环己烷鎓)丁烷磺酸盐,
2-氧代戊基4-氧代噻环己烷鎓)丁烷磺酸盐,
2-氧代己基(4-氧代噻环己烷鎓)丁烷磺酸盐,
2-氧代庚基(4-氧代噻环己烷鎓)丁烷磺酸盐,
2-氧代辛基(4-氧代噻环己烷鎓)丁烷磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基(4-氧代噻环己烷鎓)丁烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基(4-氧代噻环己烷鎓)丁烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基(4-氧代噻环己烷鎓)丁烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基(4-氧代噻环己烷鎓)丁烷磺酸盐,
2-氧代丙基(1,4-二噻鎓)丁烷磺酸盐,
2-氧代丁基(1,4-二噻鎓)丁烷磺酸盐,
2-氧代戊基1,4-二噻鎓)丁烷磺酸盐,
2-氧代己基(1,4-二噻鎓)丁烷磺酸盐,
2-氧代庚基(1,4-二噻鎓)丁烷磺酸盐,
2-氧代辛基(1,4-二噻鎓)丁烷磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基(1,4-二噻鎓)丁烷磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基(1,4-二噻鎓)丁烷磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基(1,4-二噻鎓)丁烷磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基(1,4-二噻鎓)丁烷磺酸盐,
2-氧代环己基噻环戊烷鎓丁烷磺酸盐,
二甲基-(2-氧代丙基)锍对甲苯磺酸盐,
二甲基-(2-氧代丁基)锍对甲苯磺酸盐,
二甲基-(2-氧代戊基)锍对甲苯磺酸盐,
二甲基-(2-氧代己基)锍对甲苯磺酸盐,
二甲基-(2-氧代庚基)锍对甲苯磺酸盐,
二甲基-(2-氧代辛基)锍对甲苯磺酸盐,
二甲基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍对甲苯磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基二甲基锍对甲苯磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基二甲基锍对甲苯磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基二甲基锍对甲苯磺酸盐,
二乙基-(2-氧代丙基)锍对甲苯磺酸盐,
二乙基-(2-氧代丁基)锍对甲苯磺酸盐,
二乙基-(2-氧代戊基)锍对甲苯磺酸盐,
二乙基-(2-氧代己基)锍对甲苯磺酸盐,
二乙基-(2-氧代庚基)锍对甲苯磺酸盐,
二乙基-(2-氧代辛基)锍对甲苯磺酸盐,
二乙基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍对甲苯磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基二乙基锍对甲苯磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基二乙基锍对甲苯磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基二乙基锍对甲苯磺酸盐,
二丁基-(2-氧代丙基)锍对甲苯磺酸盐,
二丁基-(2-氧代丁基)锍对甲苯磺酸盐,
二丁基-(2-氧代戊基)锍对甲苯磺酸盐,
二丁基-(2-氧代己基)锍对甲苯磺酸盐,
二丁基-(2-氧代庚基)锍对甲苯磺酸盐,
二丁基-(2-氧代辛基)锍对甲苯磺酸盐,
二丁基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍对甲苯磺酸盐,
二丁基-(3,3-二甲基-2-氧代丁基)锍对甲苯磺酸盐,
二丁基-(2-环己基-2-氧代乙基)锍对甲苯磺酸盐,
二丁基-(2-环戊基-2-氧代乙基)锍对甲苯磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代丙基)锍对甲苯磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代丁基)锍对甲苯磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代戊基)锍对甲苯磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代己基)锍对甲苯磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代庚基)锍对甲苯磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代辛基)锍对甲苯磺酸盐,
二异丙基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍对甲苯磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基二异丙基锍对甲苯磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基二异丙基锍对甲苯磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基二异丙基锍对甲苯磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代丙基)锍对甲苯磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代丁基)锍对甲苯磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代戊基)锍对甲苯磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代己基)锍对甲苯磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代庚基)锍对甲苯磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代辛基)锍对甲苯磺酸盐,
叔丁基甲基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍对甲苯磺酸盐,
叔丁基-(3,3-二甲基-2-氧代丁基)甲基锍对甲苯磺酸盐,
叔丁基-(2-环己基-2-氧代乙基)甲基锍对甲苯磺酸盐,
叔丁基-(2-环戊基-2-氧代乙基)甲基锍对甲苯磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代丙基)锍对甲苯磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代丁基)锍对甲苯磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代戊基)锍对甲苯磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代己基)锍对甲苯磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代庚基)锍对甲苯磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代辛基)锍对甲苯磺酸盐,
环己基甲基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍对甲苯磺酸盐,
环己基(3,3-二甲基-2-氧代丁基)甲基锍对甲苯磺酸盐,
环己基(2-环己基-2-氧代乙基)甲基锍对甲苯磺酸盐,
环己基(2-环戊基-2-氧代乙基)甲基锍对甲苯磺酸盐,
2-氧代丙基噻环戊烷鎓对甲苯磺酸盐,
2-氧代丁基噻环戊烷鎓对甲苯磺酸盐,
2-氧代戊基噻环戊烷鎓对甲苯磺酸盐,
2-氧代己基噻环戊烷鎓对甲苯磺酸盐,
2-氧代庚基噻环戊烷鎓对甲苯磺酸盐,
2-氧代辛基噻环戊烷鎓对甲苯磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓对甲苯磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓对甲苯磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基噻环戊烷鎓对甲苯磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基噻环戊烷鎓对甲苯磺酸盐,
2-氧代丙基噻环己烷鎓对甲苯磺酸盐,
2-氧代丁基噻环己烷鎓对甲苯磺酸盐,
2-氧代戊基噻环己烷鎓对甲苯磺酸盐,
2-氧代己基噻环己烷鎓对甲苯磺酸盐,
2-氧代庚基噻环己烷鎓对甲苯磺酸盐,
2-氧代辛基噻环己烷鎓对甲苯磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基噻环己烷鎓对甲苯磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环己烷鎓对甲苯磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基噻环己烷鎓对甲苯磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基噻环己烷鎓对甲苯磺酸盐,
2-氧代丙基(1,4-噻烷鎓)对甲苯磺酸盐,
2-氧代丁基(1,4-噻烷鎓)对甲苯磺酸盐,
2-氧代戊基(1,4-噻烷鎓)对甲苯磺酸盐,
2-氧代己基(1,4-噻烷鎓)对甲苯磺酸盐,
2-氧代庚基(1,4-噻烷鎓)对甲苯磺酸盐,
2-氧代辛基(1,4-噻烷鎓)对甲苯磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基(1,4-噻烷鎓)对甲苯磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基(1,4-噻烷鎓)对甲苯磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基(1,4-噻烷鎓)对甲苯磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基(1,4-噻烷鎓)对甲苯磺酸盐,
2-氧代丙基(4-氧代噻环己烷鎓)对甲苯磺酸盐,
2-氧代丁基(4-氧代噻环己烷鎓)对甲苯磺酸盐,
2-氧代戊基4-氧代噻环己烷鎓)对甲苯磺酸盐,
2-氧代己基(4-氧代噻环己烷鎓)对甲苯磺酸盐,
2-氧代庚基(4-氧代噻环己烷鎓)对甲苯磺酸盐,
2-氧代辛基(4-氧代噻环己烷鎓)对甲苯磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基(4-氧代噻环己烷鎓)对甲苯磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基(4-氧代噻环己烷鎓)对甲苯磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基(4-氧代噻环己烷鎓)对甲苯磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基(4-氧代噻环己烷鎓)对甲苯磺酸盐,
2-氧代丙基(1,4-二噻鎓)对甲苯磺酸盐,
2-氧代丁基(1,4-二噻鎓)对甲苯磺酸盐,
2-氧代戊基1,4-二噻鎓)对甲苯磺酸盐,
2-氧代己基(1,4-二噻鎓)对甲苯磺酸盐,
2-氧代庚基(1,4-二噻鎓)对甲苯磺酸盐,
2-氧代辛基(1,4-二噻鎓)对甲苯磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基(1,4-二噻鎓)对甲苯磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基(1,4-二噻鎓)对甲苯磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基(1,4-二噻鎓)对甲苯磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基(1,4-二噻鎓)对甲苯磺酸盐,
2-氧代环己基噻环戊烷鎓对甲苯磺酸盐,
二甲基-(2-氧代丙基)锍樟脑磺酸盐,
二甲基-(2-氧代丁基)锍樟脑磺酸盐,
二甲基-(2-氧代戊基)锍樟脑磺酸盐,
二甲基-(2-氧代己基)锍樟脑磺酸盐,
二甲基-(2-氧代庚基)锍樟脑磺酸盐,
二甲基-(2-氧代辛基)锍樟脑磺酸盐,
二甲基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍樟脑磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基二甲基锍樟脑磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基二甲基锍樟脑磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基二甲基锍樟脑磺酸盐,
二乙基-(2-氧代丙基)锍樟脑磺酸盐,
二乙基-(2-氧代丁基)锍樟脑磺酸盐,
二乙基-(2-氧代戊基)锍樟脑磺酸盐,
二乙基-(2-氧代己基)锍樟脑磺酸盐,
二乙基-(2-氧代庚基)锍樟脑磺酸盐,
二乙基-(2-氧代辛基)锍樟脑磺酸盐,
二乙基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍樟脑磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基二乙基锍樟脑磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基二乙基锍樟脑磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基二乙基锍樟脑磺酸盐,
二丁基-(2-氧代丙基)锍樟脑磺酸盐,
二丁基-(2-氧代丁基)锍樟脑磺酸盐,
二丁基-(2-氧代戊基)锍樟脑磺酸盐,
二丁基-(2-氧代己基)锍樟脑磺酸盐,
二丁基-(2-氧代庚基)锍樟脑磺酸盐,
二丁基-(2-氧代辛基)锍樟脑磺酸盐,
二丁基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍樟脑磺酸盐,
二丁基-(3,3-二甲基-2-氧代丁基)锍樟脑磺酸盐,
二丁基-(2-环己基-2-氧代乙基)锍樟脑磺酸盐,
二丁基-(2-环戊基-2-氧代乙基)锍樟脑磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代丙基)锍樟脑磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代丁基)锍樟脑磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代戊基)锍樟脑磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代己基)锍樟脑磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代庚基)锍樟脑磺酸盐,
二异丙基-(2-氧代辛基)锍樟脑磺酸盐,
二异丙基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍樟脑磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基二异丙基锍樟脑磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基二异丙基锍樟脑磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基二异丙基锍樟脑磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代丙基)锍樟脑磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代丁基)锍樟脑磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代戊基)锍樟脑磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代己基)锍樟脑磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代庚基)锍樟脑磺酸盐,
叔丁基甲基-(2-氧代辛基)锍樟脑磺酸盐,
叔丁基甲基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍樟脑磺酸盐,
叔丁基-(3,3-二甲基-2-氧代丁基)甲基锍樟脑磺酸盐,
叔丁基-(2-环己基-2-氧代乙基)甲基锍樟脑磺酸盐,
叔丁基-(2-环戊基-2-氧代乙基)甲基锍樟脑磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代丙基)锍樟脑磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代丁基)锍樟脑磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代戊基)锍樟脑磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代己基)锍樟脑磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代庚基)锍樟脑磺酸盐,
环己基甲基-(2-氧代辛基)锍樟脑磺酸盐,
环己基甲基-(3-甲基-2-氧代丁基)锍樟脑磺酸盐,
环己基(3,3-二甲基-2-氧代丁基)甲基锍樟脑磺酸盐,
环己基(2-环己基-2-氧代乙基)甲基锍樟脑磺酸盐,
环己基(2-环戊基-2-氧代乙基)甲基锍樟脑磺酸盐,
2-氧代丙基噻环戊烷鎓樟脑磺酸盐,
2-氧代丁基噻环戊烷鎓樟脑磺酸盐,
2-氧代戊基噻环戊烷鎓樟脑磺酸盐,
2-氧代己基噻环戊烷鎓樟脑磺酸盐,
2-氧代庚基噻环戊烷鎓樟脑磺酸盐,
2-氧代辛基噻环戊烷鎓樟脑磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓樟脑磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓樟脑磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基噻环戊烷鎓樟脑磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基噻环戊烷鎓樟脑磺酸盐,
2-氧代丙基噻环己烷鎓樟脑磺酸盐,
2-氧代丁基噻环己烷鎓樟脑磺酸盐,
2-氧代戊基噻环己烷鎓樟脑磺酸盐,
2-氧代己基噻环己烷鎓樟脑磺酸盐,
2-氧代庚基噻环己烷鎓樟脑磺酸盐,
2-氧代辛基噻环己烷鎓樟脑磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基噻环己烷鎓樟脑磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环己烷鎓樟脑磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基噻环己烷鎓樟脑磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基噻环己烷鎓樟脑磺酸盐,
2-氧代丙基(1,4-噻烷鎓)樟脑磺酸盐,
2-氧代丁基(1,4-噻烷鎓)樟脑磺酸盐,
2-氧代戊基(1,4-噻烷鎓)樟脑磺酸盐,
2-氧代己基(1,4-噻烷鎓)樟脑磺酸盐,
2-氧代庚基(1,4-噻烷鎓)樟脑磺酸盐,
2-氧代辛基(1,4-噻烷鎓)樟脑磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基(1,4-噻烷鎓)樟脑磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基(1,4-噻烷鎓)樟脑磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基(1,4-噻烷鎓)樟脑磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基(1,4-噻烷鎓)樟脑磺酸盐,
2-氧代丙基(4-氧代噻环己烷鎓)樟脑磺酸盐,
2-氧代丁基(4-氧代噻环己烷鎓)樟脑磺酸盐,
2-氧代戊基4-氧代噻环己烷鎓)樟脑磺酸盐,
2-氧代己基(4-氧代噻环己烷鎓)樟脑磺酸盐,
2-氧代庚基(4-氧代噻环己烷鎓)樟脑磺酸盐,
2-氧代辛基(4-氧代噻环己烷鎓)樟脑磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基(4-氧代噻环己烷鎓)樟脑磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基(4-氧代噻环己烷鎓)樟脑磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基(4-氧代噻环己烷鎓)樟脑磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基(4-氧代噻环己烷鎓)樟脑磺酸盐,
2-氧代丙基(1,4-二噻鎓)樟脑磺酸盐,
2-氧代丁基(1,4-二噻鎓)樟脑磺酸盐,
2-氧代戊基1,4-二噻鎓)樟脑磺酸盐,
2-氧代己基(1,4-二噻鎓)樟脑磺酸盐,
2-氧代庚基(1,4-二噻鎓)樟脑磺酸盐,
2-氧代辛基(1,4-二噻鎓)樟脑磺酸盐,
3-甲基-2-氧代丁基(1,4-二噻鎓)樟脑磺酸盐,
3,3-二甲基-2-氧代丁基(1,4-二噻鎓)樟脑磺酸盐,
2-环己基-2-氧代乙基(1,4-二噻鎓)樟脑磺酸盐,
2-环戊基-2-氧代乙基(1,4-二噻鎓)樟脑磺酸盐,
2-氧代环己基噻环戊烷鎓樟脑磺酸盐,
通过加入式(I)所示的锍盐,可改善线边缘粗糙度。单独使用式(I)所示锍盐作为酸发生剂的光刻胶组合物,难以得到有效的灵敏度和分辨率。然而,在本发明的光刻胶组合物中,组合使用选自式(IIa)和(IIb)的至少一种鎓盐和式(I)的锍盐作为酸发生剂。通过组合使用基于鎓盐的酸发生剂,相比于单独用式(I)的锍盐基的酸发生剂,可以改善灵敏度和分辨率,并相比于单独用选自式(IIa)和(IIb)的至少一种基于鎓盐的酸发生剂,可以改善线边缘粗糙度。
在分别表示三苯基锍盐和二苯基碘鎓盐的式(IIa)和(IIb)中,P1、P2、P3、P4和P5各自独立表示氢原子、羟基、1至6个碳原子的烷基或1至6个碳原子的烷氧基。当这些烷基或烷氧基各自具有3个或更多的碳原子时,它们可以是直链或支链的。烷基的具体例子包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基、己基。烷氧基的具体例子包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基。在式(IIa)和(IIb)中,每个形成阴离子的P6SO3 -和P7SO3 -表示有机磺酸根离子。P6和P7各自可以是具有1至8个碳原子的有机基团。其例子包括1至8个碳原子的全氟烷基、1至8个碳原子的烷基、6-12个碳原子的芳香基或樟脑基。具有1至8个碳原子的全氟烷基、1至8个碳原子的烷基、6-12个碳原子的芳香基的具体例子包括如上所述。
若可购得由式(IIa)表示的三苯基锍盐或由式(IIb)表示的二苯基碘鎓盐,可原样加以使用。另外,它们也可根椐常规方法生产。生产三苯基锍盐(IIa)的方法,可例举下列方法:一种将相应的溴化三苯基锍与磺酸银盐反应的方法,所述磺酸银盐具有与目标化合物的阴离子相同的阴离子;一种将相应的二苯基亚砜与苯化合物和全氟链烷磺酸在三氟乙酸酐存在下反应的方法(根椐Chem.Pharm.Bull.,Vol.29,3753(1981)中的描述);一种将相应的芳基Grignard试剂与亚硫酰氯反应,然后将反应产品与卤化三有机甲硅烷基反应制备卤化三芳基锍,接着将该卤化三芳基锍与磺酸银盐反应的方法,所述磺酸银盐具有与目标化合物的阴离子相同的阴离子(根椐JP-A-8-311018),等等。根椐JP-A-8-311018,其中P1、P2和/或P3为羟基的式(IIa)化合物可按如下生产:用与三苯基锍盐有相同阴离子的磺酸处理在苯环上具有叔丁氧基的三苯基锍盐,以去除叔丁基。
而生产二苯基碘鎓盐(IIb)的方法,可例举下列方法:如J.Am.Soc.,Vol.81,342(1959)中所述的硫酸碘酰盐与相应的芳基化合物反应,接着加入与目标化合物具有相同阴离子的磺酸的方法;将碘和三氟乙酸加入乙酸酐和发烟硝酸的混合溶液中而得到的反应产物与相应的芳基化合物反应,接着加入与目标化合物具有相同阴离子的磺酸的方法;将浓硫酸滴加到相应的芳基化合物、乙酸酐和碘酸钾的混合物中,接着加入与目标化合物具有相同阴离子的磺酸的方法,如JP-A-9-179302。
式(IIa)的三苯基锍盐和式(IIb)的二苯基碘鎓盐的例子包括下列化合物:
甲烷磺酸三苯基锍盐,
乙烷磺酸三苯基锍盐,
丁烷磺酸三苯基锍盐,
全氟丁烷磺酸三苯基锍盐,
对甲苯磺酸三苯基锍盐,
樟脑磺酸三苯基锍盐,
甲烷磺酸4-甲基苯基二苯基锍盐,
乙烷磺酸4-甲基苯基二苯基锍盐,
丁烷磺酸4-甲基苯基二苯基锍盐,
苯磺酸4-甲基苯基二苯基锍盐,
对甲苯磺酸4-甲基苯基二苯基锍盐,
樟脑磺酸4-甲基苯基二苯基锍盐,
全氟丁烷磺酸4-甲基苯基二苯基锍盐,
全氟丁烷磺酸4-羟基苯基二苯基锍盐,
全氟丁烷磺酸4-甲氧基苯基二苯基锍盐,
全氟丁烷磺酸三(4-甲苯基)锍盐,
全氟丁烷磺酸三(4-甲氧苯基)锍盐,
全氟辛烷磺酸4-甲基苯基二苯基锍盐,
全氟辛烷磺酸4-羟苯基二苯基锍盐,
全氟辛烷磺酸4-甲氧基苯基二苯基锍盐,
全氟辛烷磺酸三(4-甲苯基)锍盐,
全氟辛烷磺酸三(4-甲氧苯基)锍盐,
全氟丁烷磺酸二苯基碘鎓,
全氟辛烷磺酸二(4-甲氧苯基)碘鎓,
全氟辛烷磺酸二(4-叔-丁基苯基)碘鎓,
甲烷磺酸二(4-叔丁基苯基)碘鎓,
乙烷磺酸二(4-叔丁基苯基)碘鎓,
丁烷磺酸二(4-叔丁基苯基)碘鎓,
苯烷磺酸二(4-叔丁基苯基)碘鎓,
对甲苯磺酸二(4-叔丁基苯基)碘鎓,和
樟脑磺酸二(4-叔-丁基苯基)碘鎓。
然后,介绍构成本发明的光刻胶组合物的树脂组分。该树脂包括具有对酸不稳定的基团的聚合单元。用于化学增强型正光刻胶组合物的树脂通常本身是碱不溶的或碱微溶的。然而,其中的一部分基团由于酸的作用而裂解,在裂解后该树脂变为碱可溶的。对酸不稳定的基团还可为本领域已知的各种基团。对酸不稳定的基团的例子包括各种羧酸酯。羧酸酯的例子包括烷基酯如甲基酯和叔丁基酯、缩醛型酯如甲氧甲基酯、乙氧基甲基酯、1-乙氧基乙基酯、1-异丁氧基乙基酯、1-异丙氧基乙基酯、1-乙氧基丙基酯、1-(2-甲氧基乙氧基)乙基酯、1-(2-乙酰氧基乙氧基)乙基酯、1-[2-(1-金刚烷氧基)乙氧基]乙基酯、1-[2-(1-金刚烷羰基氧基)乙氧基]乙基酯、四氢-2-呋喃基酯和四氢-2-吡喃酯,脂环族酯如异冰片基酯、2-烷基-2-金刚烷基酯和1-(1-金刚烷基)-1-烷基烷基酯等。导致具有这些具有羧酸酯的聚合单元的单体可为(甲基)丙烯酸类单体,如甲基丙烯酸酯和丙烯酸酯,或其中羧酸酯基团键合到脂环族单体上的单体如降冰片烯羧酸酯、三环癸烯或四环癸烯羧酸酯。
在这些单体中,出于优良的分辨率考虑,优选使用具有包括脂环族基团如2-烷基-2-金刚烷基或1-(1-金刚烷基)-1-烷基烷基的大基团作为通过酸作用而裂解的基团的单体。这些含有大基团的单体的例子包括(甲基)丙烯酸2-烷基-2-金刚烷基酯、(甲基)丙烯酸1-(1-金刚烷基)-1-烷基烷基酯、5-降冰片烯-2-羧酸2-烷基-2-金刚烷基酯和5-降冰片烯-2-羧酸1-(1-金刚烷基)-1-烷基烷基酯。其中,由于优良的分辨率,优选(甲基)丙烯酸2-烷基-2-金刚烷基酯。这些(甲基)丙烯酸2-烷基-2-金刚烷基酯的典型例子包括丙烯酸2-甲基-2-金刚烷基酯、甲基丙烯酸2-甲基-2-金刚烷基酯、丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯、甲基丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯和丙烯酸2-正丁基-2-金刚烷基酯等。其中,由于灵敏度和耐热性的良好平衡,特别优选使用(甲基)丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯。若需要,也可组合使用具有通过酸作用而裂解的基团的其它单体。
(甲基)丙烯酸2-烷基-2-金刚烷基酯可通过2-烷基-金刚烷醇或其金属盐与丙烯酸卤化物或甲基丙烯酸卤化物反应而制备。
本发明所定义的树脂除了具有如上所述的对酸不稳定的基团的聚合单元外,还可包括通过酸的作用不分解或几乎不分解的另外聚合单元。其中可包含的其它聚合单元的例子包括具有游离羧酸基如丙烯酸或甲基丙烯酸的聚合单元,脂族不饱和二羧酸酐如马来酸酐或衣康酸酐的聚合单元,2-降冰片烯的聚合单元、(甲基)丙烯腈的聚合单元、各种(甲基)丙烯酸酯的聚合单元。由于吸光量大,不优选把羟基苯乙烯的聚合单元用于ArF曝光,但优选把其用于KrF曝光,原因在于其在光吸收中不出现问题。
特别是,考虑到光刻胶与基材的粘合性,优选共聚至少一种选自下列的聚合单元:对羟基苯乙烯的聚合单元、间羟基苯乙烯的聚合单元、(甲基)丙烯酸3-羟基-1-金刚烷基酯的聚合单元、(甲基)丙烯酸3,5-羟基-1-金刚烷基酯的聚合单元和其中丁内酯环可被烷基取代的(甲基)丙烯酰氧基-γ-丁内酯的聚合单元、每一个用下式(IIIa)和(IIIb)表示的脂环内酯的聚合单元等:
Figure C0112951100421
其中R1和R2各自独立表示氢或甲基,n表示1-3的一个数。
(甲基)丙烯酸3-羟基-1-金刚烷基酯、(甲基)丙烯酸3,5-羟基-1-金刚烷基酯可商购。另外它们也可生产,如通过将相应的羟基金刚烷与(甲基)丙烯酸或其卤化物反应而生产。其中,(甲基)丙烯酰氧基-γ-丁内酯可通过将内酯环被烷基取代的α-或β-溴-γ-丁内酯与丙烯酸或甲基丙烯酸反应或将内酯环被烷基取代的α-或β-溴-γ-丁内酯与丙烯酰卤或甲基丙烯酰卤反应而生产。关于形成每个由式(IIIa)和(IIIb)表示的脂环内酯的聚合单元的单体,例如可提到如下所述的具有羟基的脂环内酯的(甲基)丙烯酸酯、其混合物等。例如这些酯的制备可通过相应的具有羟基的脂环内酯与(甲基)丙烯酸反应来进行(如JP-A-2000-26446)。
Figure C0112951100432
Figure C0112951100434
Figure C0112951100435
Figure C0112951100437
Figure C0112951100438
(甲基)丙烯酸3-羟基-1-金刚烷基酯聚合单元、(甲基)丙烯酸3,5-羟基-1-金刚烷基酯的聚合单元、α-(甲基)丙烯酰氧基-γ-丁内酯的聚合单元、β-(甲基)丙烯酰氧基-γ-丁内酯的聚合单元和(IIIa)和(IIIb)表示的脂环内酯的聚合单元中任何一种都具有高极性。在树脂中存在这些单元中的任何一种可改善含有其的光刻胶与基材的粘合性。另外,这些聚合物单元也有助于改善光刻胶的分辨率。
形成α-(甲基)丙烯酰氧基-γ-丁内酯聚合单元的单体的例子包括:α-丙烯酰氧基-γ-丁内酯,α-甲基丙烯酰氧基-γ-丁内酯,α-丙烯酰氧基-β,β-二甲基-γ-丁内酯,α-甲基丙烯酰氧基-β,β-二甲基-γ-丁内酯,α-丙烯酰氧基-α-甲基-γ-丁内酯,α-甲基丙烯酰氧基-α-甲基-γ-丁内酯,β-丙烯酰氧基-γ-丁内酯,β-甲基丙烯酰氧基-γ-丁内酯,β-甲基丙烯酰氧基-α-甲基-γ-丁内酯。
对于KrF受激准分子曝光,甚至把羟基苯乙烯聚合单元用作树脂的聚合单元时,也可得到足够的透光度。具体地,可提到下面所示的对或间羟基苯乙烯共聚物树脂作为这些树脂。每种这些共聚物树脂可通过自由基聚合相应的(甲基)丙烯酸酯单体、乙酰氧基苯乙烯、和苯乙烯,接着用酸脱乙酰化来制备。
Figure C0112951100451
在这些情况中,考虑耐干蚀刻性,用2-烷基-2-金刚烷基或1-(1-金刚烷基)-1-烷基烷基作为对酸不稳定的基团是更有利的。
另外,含有2-降冰片烯的树脂由于在主链上直接具有脂环结构而具有很强的结构。结果,具有优良的抗干蚀性。例如,通过用相应的2-降冰片烯和脂族不饱和二羧酸酐如马来酸酐或衣康酸酐一起自由基聚合可将2-降冰片烯聚合单元引入主链中。因此,2-降冰片烯聚合单元是通过打开其中的双键形成并可用式(IV)表示。此外,作为脂族不饱和二羧酸酐聚合单元的马来酸酐聚合单元和衣康酸聚合单元,通过打开相应的双键而形成并可用式(V)和(VI)表示。
在式(IV)中,R3和R4各自独立表示氢、1至3个碳原子的烷基、1至3个碳原子的羟烷基、羧基、氰基或基团-COOZ(其中Z是醇残基),或R3和R4可结合起来形成由-C(=O)OC(=O)-表示的羧酸酐残基。当R3和/或R4是烷基时,其具体例子包括甲基、乙基和丙基。由R3或R4表示的羟烷基的具体例包括羟甲基和2-羟乙基。当R3和/或R4是-COOZ基时,作为对应于Z的醇残基,例如1至8个碳原子的可取代烷基,可提及2-oxooxolane-3-或-4-基等。这里,作为在烷基上的取代基,可列举羟基、脂环烃残基等。当R1和/或R4是由-COOZ表示的羧酸酯基时,其具体例子包括甲氧基羰基、乙氧基羰基、2-羟乙氧基羰基、叔丁氧基羰基、2-oxooxolane-3-基氧羰基、2-oxooxolane-4-基氧羰基、1,1,2-三甲基丙氧羰基、1-环己基-1-甲基乙氧基羰基、1-(4-甲基环己基)-1-甲基乙氧基羰基和1-(1-金刚烷基)-1-甲基乙氧基羰基。
形成式(IV)表示的2-降冰片烯的单体的例子包括:
2-降冰片烯、
2-羟基-5-降冰片烯、
5-降冰片烯-2-羧酸、
5-降冰片烯-2-甲基羧酸酯、
5-降冰片烯-2-叔丁基羧酸酯、
5-降冰片烯-2-(1-环己基-1-甲乙基)羧酸酯、
5-降冰片烯-2-[1-(4-甲基环己基-1-甲基乙基)]羧酸酯、
5-降冰片烯-2-[1-(4-羟基环己基-1-甲基乙基)]羧酸酯、
5-降冰片烯-2-[1-甲基-1-(4-氧代环己基)-乙基]羧酸酯、
5-降冰片烯-2-[1-(1-金刚烷基)-1-甲基乙基]羧酸酯、
5-降冰片烯-2-(1-甲基环己基)羧酸酯、
5-降冰片烯-2-(2-甲基-2-金刚烷基)羧酸酯、
5-降冰片烯-2-(2-乙基-2-金刚烷基)羧酸酯、
5-降冰片烯-2-(2-羟基-1-乙基)羧酸酯、
5-降冰片烯-2-甲醇和
5-降冰片烯-2,3-二羧酸酐。
根椐用于成图案曝光辐射的种类和对酸不稳定基团的种类,通常优选用于本发明的树脂含有10-80%mol具有对酸不稳定基团的聚合单元。特别是,当将(甲基)丙烯酸2-烷基-2-金刚烷基酯或(甲基)丙烯酸1-(1-金刚烷基)-1-烷基烷基酯用作对酸不稳定的基团时,该单元的存在量以总树脂计有利地为不小于15%mol。此外,除了具有对酸不稳定基团的聚合单元,当其中存在另外的对酸作用几乎不裂解的聚合单元,如(甲基)丙烯酸3-羟基-1-金刚烷基酯的聚合单元、(甲基)丙烯酸3,5-羟基-1-金刚烷基酯的聚合单元、α-(甲基)丙烯酰氧基-γ-丁内酯的聚合单元、β-(甲基)丙烯酰氧基-γ-丁内酯的聚合单元、由式(IIIa)或(IIIb)表示的脂环内酯聚合单元、羟基苯乙烯聚合单元、由式(IV)表示的2-降冰片烯聚合单元、由式(V)表示的马来酸酐的聚合单元、由式(VI)表示的衣康酸酐的聚合单元作为脂族不饱和二羧酸酐时,优选这些单元的存在量以总树脂计为20-90%mol。
当2-降冰片烯和脂族不饱和二羧酸酐用作共聚单体时,由于其难以聚合,考虑这一点,优选过量使用。
还已知:通常在化学增强型正光刻胶组合物中,由于在曝光后与裂解相关的酸的减活化作用引起的性能的退化可通过加入碱性化合物,特别是加入碱性含氮的有机化合物如胺作为淬灭剂降低。在本发明中加入这样的碱性化合物也是优选的。可用作淬灭剂的碱性化合物的实例包括下式代表的化合物:
Figure C0112951100471
Figure C0112951100472
Figure C0112951100473
Figure C0112951100474
Figure C0112951100481
Figure C0112951100482
Figure C0112951100483
Figure C0112951100485
其中R11和R12可彼此相同或不同,表示氢、可非必要被羟基取代的环烷基、芳基或烷基;R13、R14和R15彼此相同或不同,表示氢、或可非必要被羟基取代的环烷基、芳基或烷基;R16表示可非必要被羟基取代的环烷基或烷基;A表示亚烷基、羰基、亚胺基。由R11至R17表示的烷基和由R13至R15表示的烷氧基可含有约1至6个碳原子。由R11至R16表示的环烷基可含有约5至10个碳原子和由R11至R15表示的芳基可含有约6至10个碳原子,由A表示的亚烷基可含有约1至6个碳原子并可是直链或支链的。
本发明的光刻胶组合物优选含有80-99.9%重量的树脂和0.1-20%重量的酸发生剂,以树脂和酸发生剂的总量计。在本发明的光刻胶组合物,式(I)的脂族锍盐与选自式(IIa)的三苯基锍盐和式(IIb)的二苯基碘鎓盐的鎓盐的比例优选约为9∶1-1∶9,更优选为8∶2-2∶8。
当碱性化合物用作淬灭剂时,以光刻胶组合物的总量计,其优选的量为0.01-0.1%重量。如果需要,该组合物还可含有少量各种添加剂如敏化剂、溶解抑制剂、其它树脂、表面活性剂、稳定剂和染料,只要不损害本发明的目的。
本发明的光刻胶组合物通常在其中上述组分溶解在待涂布在基材如硅片上的溶剂中旋转涂布时变成光刻胶溶液。这里所用的溶剂可以是溶解每种组分的溶剂,具有适当的干燥速率,在蒸发溶剂后提供均匀和光滑的涂层,并可以是通常用在本领域中的溶剂。其例子包括二醇醚酯类如乙基溶纤剂乙酸酯、甲基溶纤剂乙酯酯和丙二醇单甲基醚乙酸酯;酯类如乳酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯和丙酮酸乙酯;酮类如丙酮、甲基异丁基酮、2-庚酮和环己酮;和环酯如γ-丁内酯。这些溶剂可单独或以其两种或多种组合使用。
涂布到基质上并变干的光刻胶须经曝光处理以形成图案。然后,经过热处理以促进保护解封闭反应,用碱性显影剂进行显影。此处使用的碱性显影剂可是本领域使用的各种碱性水溶液。通常使用四甲基氢氧化铵或(2-羟乙基)三甲基氢氧化铵(所谓的隆脊氢氧化物)的水溶液。
通过实施例更详细说明本发明,但这并不解释为对本发明范围的限定。在实施例中的所有份数都是重量份,除非另有说明。重均分子量是通过使用聚苯乙烯作为参考标准的凝胶渗透色谱测定的值。
合成酸发生剂例1:合成酸发生剂B1
(1)向四颈烧瓶中加入70.17份四氢噻吩和750份丙酮,并向其中滴加150份1-溴特己酮,接着在室温下搅拌24小时。沉积的晶体经过滤收集、用100份叔丁基甲基醚洗涤并干燥,得到161.3份3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓溴化物。
(2)向四颈烘瓶中加入80份在(1)中制得的3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓溴化物和3200份乙腈,并向其加滴加56.33份三氟甲磺酸钾,接着在室温下在搅拌18小时。过滤收集沉淀的溴化钾,并浓缩过滤物。向其中加入丙酮并在室温搅拌16小时,过滤收集不溶物。进一步浓缩过滤物,并向其中加入丙酮。然后,向混合物中加入叔丁基甲基醚,从而得到94.73份目标物。经1H-NMR(“GX-270”,由Nippon Denshi制造)发现该化合物是由下式表示的3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓三氟甲烷磺酸盐。
Figure C0112951100501
1H-NMR:(氯仿-d,内标:四甲基硅烷):δ(ppm)
1.24(S,9H);2.26-2.33(m,2H);2.42-2.52(m,2H);3.45-3.55(m,2H);3.61-3.71(m,2H):4.96(s,2H)。
合成酸发生剂例1-2:合成酸发生剂B1
(I)用与合成酸发生剂例1相同的方法,除了提高反应规模外,得到3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓溴化物。
(2)向四颈烧瓶中加入169.58份在(1)中制得的3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓溴化物和3391.59份乙腈,二降生成的混合物冷却至5℃。向其加滴加100份三氟甲烷磺酸,接着在5℃下在搅拌1.5小时。然后,将反应物浓缩至270份,向其中加入680份乙酸乙酯。向生成的混合物中,搅拌加入300份叔丁基甲基醚,过滤收集沉淀。将由此得到的滤饼溶于500份乙酸乙酯中,然后浓缩至420份。向其中搅拌加入50份叔丁基甲基醚,过滤收集沉淀物,干燥沉淀物,得到156.22份目标物。
合成酸发生剂例2和3:合成酸发生剂B2和B3
用与合成酸发生剂例1中步骤(2)相同的方法进行实验,除了在合成酸发生剂例1中步骤(2)用全氟丁烷磺酸钾和全氟辛烷磺酸钾代替三氟甲烷磺酸钾外,由此分别得到3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓全氟磺酸丁烷磺酸盐和3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓全氟磺酸辛烷磺酸盐。
3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓全氟磺酸丁烷磺酸盐的1H-NMR:(二甲亚砜-d6,内标:四甲基硅烷):δ(ppm)
1.15(s,9H);2.13-2.23(m,4H);3.33-3.38(m,2H);3.47-3.54(m,2H);4.85(s,2H)。
3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓全氟磺酸辛烷磺酸盐的1H-NMR:(氯仿-d,内标:四甲基硅烷):δ(ppm)
1.25(s,9H);2.24-2.32(m,2H);2.49-2.56(m,2H);3.56-3.69(m,4H);5.05(s,2H)。
酸发生剂的合成例4:合成酸发生剂B4
向四颈烧瓶中加入2.3份3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓溴化物和92份乙腈,并向其加滴加溶解2.4份对甲苯磺酸银在7.2份乙腈中的溶液,接着在室温下在搅拌22小时。过滤收集沉淀的溴化银,并用30份乙腈洗涤。将滤液和洗液的混合物浓缩至3.3份。向其中加入30份乙腈,并在室温搅拌2小时,并过滤收集不溶物。浓缩过滤物至2.75份。从乙酸乙酸和叔丁基甲基醚的混合溶剂中重结晶浓缩的残余物,从而得到0.68份目标物。经1H-NMR(“GX-270”,由Nippon Denshi制造)发现该化合物是由下式表示的3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓对甲苯磺酸盐。
1H-NMR:(二甲亚砜-d6,内标:四甲基硅)
1.12(s,9H);2.05-2.29(m,4H);2.29(s,3H);3.32-3.56(m,4H);4.89(s,2H);7.12(d,2H);7.48(d,2H)。
酸发生剂的合成例5:合成酸发生剂B5
向四颈烧瓶中加入2.3份3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓溴化物和92份乙腈,并向其加滴加溶解2.9份对樟脑磺酸银在8.8份乙腈中的溶液,接着在室温下搅拌18小时。过滤收集沉淀的溴化银,并用30份乙腈洗涤。将滤液和洗液的混合物浓缩至3.2份。向其中加入10份乙腈,并在室温搅拌2小时,过滤收集不溶物。进一步浓缩过滤物至2.92份。从乙酸乙酸和叔丁基甲基醚的混合溶剂中重结晶浓缩的残余物,从而得到2.46份目标物。经1H-NMR(“GX-270”,由Nippon Denshi制造)发现该化合物是由下式表示的3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓樟脑磺酸盐。
1H-NMR:(二甲亚砜-d6,内标:四甲基硅)
0.74(s,3H);1.05(s,3H);1.15(s,9H);1.20-1.39(m,2H);1.76-1.95(m,3H);2.10-2.28(m,5H);2.36(d,1H);2.66-2.74(m,1H);2.86(d,1H);3.33-3.58(m,4H);4.90(s,2H)。
树脂合成例1(树脂A1)
以摩尔比5∶2.5∶2.5(20.0份∶9.5份∶7.3份)加入甲基丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯、甲基丙烯酸3-羟基-1-金刚烷基酯和α-甲基丙烯酰氧基γ-丁丙酯。向其中加入量为总单体重量的两倍的甲基异丁基酮,形成单体溶液。然后,加入基于单体总摩尔数的2%的偶氮二异丁腈作为引发剂。接着在85℃加热约8小时。冷却反应物质后,将反应溶液倒入大量庚烷中以引起沉淀。该沉淀操作重复三次,由此纯化产品。得到分子量为约9200的共聚物。该共聚物称为树脂A1。
树脂合成例2(树脂A2)
以摩尔比2∶2∶3∶3(10.0份∶9.0份∶5.7份∶5.9份)加入甲基丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯、丙烯酸3-羟基-1-金刚烷基酯、降冰片烯和马来酸酐。向其中加入量为总单体重量的两倍的甲基异丁基酮,形成单体溶液,并将生成的溶液在氮气氛下加热至最高80℃。然后,加入基于单体总摩尔数的3%的偶氮二异丁腈作为引发剂。在氮气氛在80℃加热约15小时。将反应溶液倒入大量甲醇中以引起沉淀。该沉淀操作重复三次,由此纯化产品。得到分子量为约12160、分子量分布为1.90的共聚物(17.1份)。该共聚物称为树脂A2。
树脂合成例3(树脂A3)
以摩尔比2∶1∶1(11.1g∶5.0g∶3.8g)加入甲基丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯、5-甲基丙烯酰氧基-2,6-降冰片烯内酯和α-甲基丙烯酰氧基γ-丁丙酯,并加入50g 1,4-二噁烷,形成单体溶液。然后,加入0.30g偶氮二异丁腈作为引发剂,然后将该混合物加热最高到85℃并搅拌约5小时。将反应溶液倒入大量庚烷中以引起沉淀。该沉淀操作重复三次,由此纯化产品。得到分子量为约9100、分子量分布为1.72的共聚物。该共聚物称为树脂A3。
树脂合成例4(树脂A4)
向四颈烧瓶中加入10.5g(42mmol)丙烯酸-(1-金刚烷基)-1-甲基乙基酯、9.4g(42mmol)丙烯酸3-羟基-1-金刚烷基酯、6.0g(63mmol)2-降冰片烯和6.2g(63mmol)马来酸酐,将该混合物溶于64.2g甲基异丁基酮。向其中吹入氮鼓泡30分钟,然后将温度升至最高80℃。然后,向溶液中滴加1.0g(6.3mmol)的2,2′-偶氮二(异丁腈)在16.0g甲基异丁基酮中的溶液,并将温度保持在80℃15小时。冷却生成的反应物,并加入1134g甲醇。结果,沉淀出白色晶体,并过滤收集晶体。用甲醇洗涤晶体,在30℃下减压干燥15小时。由此制备的丙烯酸-(1-金刚烷基)-1-甲基乙基酯、丙烯酸3-羟基-1-金刚烷基酯、降冰片烯和马来酸酐的共聚物的量为16.4g,分子量为6900(按聚苯乙烯计)。该共聚物称为树脂A4。
树脂合成例5(树脂A5)
(1)向四颈烧瓶中加入16.4g(0.07mol)甲基丙烯酸-2-甲基-2-金刚烷基酯、45.4g(0.28mol)对乙酰氧基苯乙烯和123.6g异丙醇。氮气置换后,将温度升至最高75℃。向溶液中滴加4.84g(0.021mol)的二甲基2,2-偶氮二(2-甲基丙酸酯)溶于9.7g异丙醇而制得的溶液,将该溶液在75℃下老化约0.5小时,并回流约11小时,然后用丙酮稀释。将生成的溶液加入庚烷以促进结晶。干燥所得的晶体,得到的甲基丙烯酸-2-甲基-2-金刚烷基酯和对乙酰氧基苯乙烯的共聚物的量为54.2g。
(2)向烧瓶中加入53.0g(0.30mol,以单体单元计)如上制备的甲基丙烯酸-2-甲基-2-金刚烷基酯和对乙酰氧基苯乙烯(20∶80)的共聚物、5.3g(0.043mol)4-二甲基氨基吡啶和159.0g甲醇,接着在回流下老化20小时。冷却后,用3.13g(0.052mol)冰乙酸中和该混合物,并向该混合物加入水使其结晶。然后过滤收集晶体。然后,将晶体溶于丙酮中,并向溶液中加入水使其结晶。然后过滤收集晶体。重复三次一系列操作,然后干燥所得的晶体。甲基丙烯酸-2-甲基-2-金刚烷基酯和对乙酰氧基苯乙烯的共聚物的量为37.8g。其重均分子量为约7900,分子量分布为1.72(GPC法,以聚苯乙烯为标准)。由核磁共振仪(13C-NMR)测定的共聚比为约20∶80。该共聚物称为树脂A5。
树脂A6:4-羟基苯乙烯/苯乙烯/丙烯酸叔丁酯(60/20/20)共聚物,重均分子量:11000(TSM4,由Maruzen Oil,Co.,Ltd.制造)
用酸发生剂B1-B3、C1和C2制备光刻胶组合物,并对其进行评估。
酸发生剂:
酸发生剂B1:
3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓三氟甲烷磺酸盐。
合成酸发生剂B2:
3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓全氟磺酸丁烷磺酸盐合成酸发生剂B3:
3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓全氟磺酸辛烷磺酸盐。
酸发生剂B4:
3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓对甲苯磺酸盐。
酸发生剂B5:
3,3-二甲基-2-氧代丁基噻环戊烷鎓樟脑磺酸盐。
酸发生剂C1:
4-甲基苯基二苯基锍全氟辛烷磺酸盐
酸发生剂C2:
二(4-叔丁基苯基)碘鎓樟脑磺酸盐
实施例1-6和比较例1-4
混合并溶解表1所示的树脂、表1所示的酸发生剂和下面所列组分。用孔径为0.2μm的氟树脂过滤器过滤生成的溶液得到光刻胶溶液。
树脂(其种类在表1中列出)                10份
酸发生剂(量和种类在表1中列出)
淬灭剂:2,6-二异丙基苯胺              (其量在表1中示出)
溶剂:丙二醇单甲基醚乙酸酯             57份
γ-丁内酯                              3份
将Brewer Co.Ltd.生产的组合物“DUV-30J”涂布到硅片上并在215℃的条件下烘烤60秒,使得在硅片上形成的有抗反射层的厚度为1600埃。用旋转涂布将上述制得的光刻胶溶液涂布到所述的硅片上,使得膜的厚度干燥后为0.335μm。涂布光刻胶溶液后,将该硅片在直接加热板上、在表1、栏“PB”所示温度下预烘60秒。
对其上如此形成光刻胶的硅片,通过使用KrF受激准分子分档器(Nikon公司制造的“NSR 2205 EX12B”,NA=0.55,σ=0.8)逐步改变曝光量,使光通过线和空隙图案对其进行曝光。将曝光后的硅片在热板上在150℃下进行后曝光烘干(PEB)60秒。然后用2.38%的四甲基氢氧化铵水溶液对硅片进行划槽显影60秒。
用扫描电子显微镜观察显影后的图案并用下列方法评估其有效灵敏度和分辨率。
有效灵敏度:得到0.18μm的1∶1线和空间图案的最小曝光量来表示。
分辨率:用在有效灵敏度的曝光量下分离的线和空间图案的最小尺寸表示。
线边缘粗糙度(图案壁的光滑度):用扫描电镜观察得到的线图案壁。
○:壁的光滑度好于比较例
×:壁的光滑度几乎同于比较例
透过百分率:将上述得到光刻胶溶液涂在石英玻璃硅片上以形成预烘烤后膜厚度为0.335μm的光刻胶膜。然后在上述相同条件下预烘烤以形成光刻膜。用分光光度计在193nm处光刻胶膜的透过率。结果如表2所示。
表1:
 编号   树脂   酸发生剂(份)   淬灭剂(份)   PB(℃)   PEB(℃)
 实施例1   A1   B1(0.5)+C1(0.2)   0.015   110   115
 实施例2   A1   B2(0.5)+C1(0.2)   0.015   110   115
 实施例3   A1   B3(0.5)+C1(0.2)   0.015   110   125
 实施例4   A2   B3(0.5)+C1(0.2)   0.015   110   125
 实施例5   A3   B3(0.5)+C1(0.2)   0.015   100   125
 实施例6   A4   B1(0.25)+C1(0.2)   0.008   110   125
 比较例1   A1   C1(0.2)   0.015   110   125
 比较例2   A2   C1(0.2)   0.015   110   125
 比较例3   A3   C1(0.2)   0.015   100   125
 比较例4   A4   C1(0.2)   0.015   100   125
表2:
  编号   有效灵敏度mJ/cm2   分辨率μm   透过百分率n   线边缘粗糙度
  实施例1   48   0.16   68   ○
  实施例2   57   0.15   68   ○
  实施例3   41   0.16   67   ○
  实施例4   41   0.16   67   ○
  实施例5   70   0.16   68   ○
  实施例6   29   0.16   65   ○
  比较例1   53   0.15   64   -
  比较例2   76   0.16   64   -
  比较例3   88   0.16   65   -
  比较例4   44   0.16   67   -
如表2所示,实施例的光刻胶具有好于比较例的线边缘粗糙度(图案壁的光滑度)。它们具有良好的灵敏度和分辨力,且没有降低百分透过率。
实施例7-12和比较例5和6
混合并溶解表3所示的树脂、表3所示的酸发生剂和下面所列化合物。用孔径为0.2μm的氟树脂过滤器过滤生成的溶液得到光刻胶溶液。
树脂(其种类在表3中列出)                13.5份
酸发生剂(量和种类在表3中列出)
淬灭剂:三异丙基胺                     0.07份
溶剂:乳酸乙酯                         60份
将Brewer Co.Ltd.生产的组合物“DUV-30J”涂布到硅片上并在215℃的条件下烘烤60秒,使得在硅片上形成的有抗反射层的厚度为表3所示。用旋转涂布将上述制得的光刻胶溶液涂布到所述的硅片上,使得膜的厚度干燥后为0.49μm。涂布光刻胶溶液后,将该硅片在直接加热板上、在表3、栏“PB”所示温度下预烘60秒。
对其上如此形成光刻胶的硅片,通过使用KrF受激准分子分档器(Nikon公司制造的“NSR 2205 EX12B”,NA=0.55,2/3环形照明)逐步改变曝光量,使光通过线和空隙图案对其进行曝光。将曝光后的硅片在热板上在表3所示的温度下进行后曝光烘干(PEB)60秒。然后用2.38%的四甲基氢氧化铵水溶液对硅片进行划槽显影60秒。
用扫描电子显微镜观察显影后的图案并用下列方法评估其有效灵敏度和分辨率。
有效灵敏度:得到0.20μm的1∶1线和空间图案的最小曝光量来表示。
分辨率:用在有效灵敏度的曝光量下分离的线和空间图案的最小尺寸表示。
线边缘粗糙度(图案壁的光滑度):用扫描电镜观察得到的线图案壁。
○:壁的光滑度好于比较例
×:壁的光滑度几乎同于比较例
透过百分率:将上述得到光刻胶溶液涂在石英玻璃硅片上以形成预烘烤后膜厚度为0.49μm的光刻胶膜。然后在上述相同条件下预烘烤以形成光刻膜。用分光光度计在248nm处光刻胶膜的透过率。结果如表4所示。
表3:
  编号   埃**   树脂   酸发生剂(份)   PB(℃)   PEB(℃)
  实施例7   1600   A5   B2(0.35)+C2(0.7)   120   140
  实施例8   1600   A6   B1(0.35)+C2(0.35)   130   140
  实施例9   1600   A6   B2(0.35)+C2(0.35)   130   140
  实施例10   1600   A6   B3(0.35)+C2(0.35)   130   140
  实施例11   600   A6   B4(0.35)+C2(0.35)   130   140
  实施例12   600   A6   B5(0.35)+C2(0.35)   130   140
  比较例5   1600   A5   C2(0.7)   120   140
  比较例6   1600   A6   C2(0.35)   130   140
**:防反射膜的厚度
表4
  编号   有效灵敏度mJ/cm2   分辨率μm   透过百分率n   线边缘粗糙度
  实施例7   50   0.16   72   ○
  实施例8   78   0.16   76   ○
  实施例9   82   0.16   76   ○
  实施例10   90   0.16   76   ○
  实施例11   82   0.16   75   ○
  实施例12   96   0.16   75   ○
  比较例5   48   0.16   72   -
  比较例6   120   0.19   77   -
如表4所示,实施例的光刻胶具有好于比较例的线边缘粗糙度(图案壁的光滑度)。它们具有良好的灵敏度和分辨力,且没有降低百分透过率。
本发明化学增强型正光刻胶组合物提供了具有显著改善线边缘粗糙度的光刻胶图案,并且其各种光刻胶性能如耐干蚀刻性、灵敏度和分辨力均优良。因此,该组合物适宜于KrF受激准分子激光、ArF受激准分子激光下的平版印刷,从而可得到高性能的光刻胶图案。

Claims (8)

1.一种化学增强型正光刻胶树脂组合物,其特征为:包括:
(A)一种酸发生剂,含有(a)由下式(I)表示的锍盐,
其中每一个Q1和Q2独立表示1至6个碳原子的直链或支链烷基或3至10个碳原子的环烷基,或Q1和Q2与相邻的硫原子一起形成杂脂环基;Q3表示氢原子,Q4表示1至6个碳原子的直链或支链烷基或3至10个碳原子的环烷基,或Q3和Q4与其相邻的CHC(O)基一起形成2-氧代环烷基;Q5SO3 -表示有机磺酸根离子,Q5表示1至8个碳原子的全氟烷基、1至8个碳原子的烷基,或6-12个碳原子的芳香基或樟脑基,条件是当Q5表示具有1至8个碳原子的全氟烷基时,排除Q1表示1至6个碳原子的直链或支链烷基,Q2表示1至6个碳原子的直链或支链烷基或3至10个碳原子的环烷基,和Q3和Q4与其相邻的CHC(O)基一起形成2-氧代环烷基的情形;和
(b)至少一种鎓盐,选自:由下式(IIa)表示的三苯基锍盐和由下式(IIb)表示的二苯基碘鎓盐
Figure C011295110002C2
其中P1-P5各自独立表示氢原子、羟基、1至6个碳原子的烷基或1至6个碳原子的烷氧基,P6SO3 -和P7SO3 -各自表示有机磺酸根离子,P6和P7各自独立表示1至8个碳原子的全氟烷基、1至8个碳原子的烷基,或6-12个碳原子的芳香基或樟脑基;和
(B)一种树脂,该树脂包括具有对酸不稳定的基团的聚合单元,并且其本身不溶或微溶于碱,但通过酸的作用变为可溶于碱,以树脂和酸发生剂的总量计,该树脂的重量百分比为0.1-20%,该酸发生剂的重量百分比为80-99.9%。
2.如权利要求1所述的化学增强型正光刻胶树脂组合物,其特征为:Q1和Q2与其相邻的硫原子一起形成杂脂环基。
3.如权利要求1所述的化学增强型正光刻胶树脂组合物,其特征为:式(I)表示的脂族锍盐与选自式(IIa)的三苯基锍盐和式(IIb)的二苯基碘鎓盐的鎓盐的重量的比例为9∶1-1∶9。
4.如权利要求1所述的化学增强型正光刻胶树脂组合物,其特征为:以总树脂量计,该树脂含有10-80%mol的具有对酸不稳定基的聚合单元。
5.如权利要求1所述的化学增强型正光刻胶树脂组合物,其特征为:该具有对酸不稳定基团的聚合单元是丙烯酸2-烷基-2-金刚烷基酯聚合单元、甲基丙烯酸2-烷基-2-金刚烷基酯聚合单元、丙烯酸1-(1-金刚烷基)-1-烷基烷基酯聚合单元或甲基丙烯酸1-(1-金刚烷基)-1-烷基烷基酯聚合单元。
6.如权利要求1所述的化学增强型正光刻胶树脂组合物,其特征为:(B)树脂还包括至少一种选自下列的聚合单元:对羟基苯乙烯的聚合单元、间羟基苯乙烯的聚合单元、丙烯酸3-羟基-1-金刚烷基酯的聚合单元、甲基丙烯酸3-羟基-1-金刚烷基酯的聚合单元、丙烯酸3,5-羟基-1-金刚烷基酯的聚合单元、甲基丙烯酸3,5-羟基-1-金刚烷基酯的聚合单元或其中丁内酯环未被烷基取代或被烷基取代的丙烯酰氧基-γ-丁内酯的聚合单元或甲基丙烯酰氧基-γ-丁内酯的聚合单元、每一个用下式(IIIa)和(IIIb)表示的脂环内酯的聚合单元:
其中R1和R2独立表示氢或甲基,n表示1-3的一个数。
7.如权利要求6所述的化学增强型正光刻胶树脂组合物,其特征为:该树脂还包括2-降冰片烯的聚合单元和脂族不饱和二羧酸酐的聚合单元。
8.如权利要求1所述的化学增强型正光刻胶树脂组合物,其特征为:还含有胺作为淬灭剂。
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Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100382960B1 (ko) * 1998-07-03 2003-05-09 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 락톤 구조를 갖는 (메트)아크릴레이트 유도체, 중합체,포토레지스트 조성물, 및 이것을 사용한 패턴 형성 방법
US6808860B2 (en) 2000-04-17 2004-10-26 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photoresist composition
TW538316B (en) * 2001-01-19 2003-06-21 Sumitomo Chemical Co Chemical amplifying type positive resist composition
JP4019645B2 (ja) * 2001-03-12 2007-12-12 東洋インキ製造株式会社 重合性組成物
JP4117112B2 (ja) * 2001-03-30 2008-07-16 富士フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
JP4255100B2 (ja) * 2001-04-06 2009-04-15 富士フイルム株式会社 ArFエキシマレ−ザ−露光用ポジ型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパタ−ン形成方法
EP1308781A3 (en) * 2001-10-05 2003-09-03 Shipley Co. L.L.C. Cyclic sulfonium and sulfoxonium photoacid generators and photoresists containing them
US7776505B2 (en) * 2001-11-05 2010-08-17 The University Of North Carolina At Charlotte High resolution resists for next generation lithographies
US6767688B2 (en) * 2001-12-31 2004-07-27 Shipley Company, L.L.C. Photoresist compositions
JP4281326B2 (ja) * 2002-07-25 2009-06-17 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物
CN100371826C (zh) * 2002-08-26 2008-02-27 住友化学工业株式会社 磺酸盐和光刻胶组合物
KR100962452B1 (ko) * 2002-09-12 2010-06-14 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 화학증폭형 레지스트 조성물
JP4253486B2 (ja) 2002-09-25 2009-04-15 富士フイルム株式会社 ポジ型又はネガ型レジスト組成物、酸発生剤及びパターン形成方法
US20040224251A1 (en) * 2002-09-25 2004-11-11 Kouji Toishi Positive resist composition
WO2004053594A2 (en) * 2002-12-05 2004-06-24 International Business Machines Corporation High sensitivity resist compositions for electron-based lithography
JP2004219989A (ja) * 2002-12-25 2004-08-05 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
US20040191674A1 (en) * 2003-03-28 2004-09-30 Yukio Hanamoto Chemical amplification resist composition
JP4439270B2 (ja) * 2003-06-18 2010-03-24 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
KR101101668B1 (ko) * 2003-07-18 2011-12-30 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 설포네이트 및 레지스트 조성물
JP4347110B2 (ja) * 2003-10-22 2009-10-21 東京応化工業株式会社 電子線又はeuv用ポジ型レジスト組成物
KR100680405B1 (ko) * 2003-11-19 2007-02-08 주식회사 하이닉스반도체 Euv용 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성 방법
US20050148679A1 (en) * 2003-12-29 2005-07-07 Chingfan Chiu Aryl sulfonium salt, polymerizable composition and polymerization method of the same
US7781724B2 (en) * 2004-07-16 2010-08-24 Luna Innovations Incorporated Fiber optic position and shape sensing device and method relating thereto
KR20060051603A (ko) * 2004-09-28 2006-05-19 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 화학 증폭 레지스트 조성물
TWI378325B (en) * 2005-03-30 2012-12-01 Sumitomo Chemical Co Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same
TWI394004B (zh) 2005-03-30 2013-04-21 Sumitomo Chemical Co 適合作為酸產生劑之鹽及含有該鹽之化學放大型光阻組成物
JP4667945B2 (ja) * 2005-04-20 2011-04-13 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
CN101213169A (zh) * 2005-07-01 2008-07-02 西巴特殊化学品控股有限公司 锍盐引发剂
US7358029B2 (en) * 2005-09-29 2008-04-15 International Business Machines Corporation Low activation energy dissolution modification agents for photoresist applications
TWI411881B (zh) 2005-10-28 2013-10-11 Sumitomo Chemical Co 適用為酸產生劑之鹽以及包含該鹽之化學增幅型阻劑組成物
US7786322B2 (en) 2005-11-21 2010-08-31 Sumitomo Chemical Company, Limited Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same
CN1991585B (zh) 2005-12-27 2011-06-01 住友化学株式会社 适合于酸生成剂的盐和含有该盐的化学放大型抗蚀剂组合物
TWI399617B (zh) 2006-08-02 2013-06-21 Sumitomo Chemical Co 適用為酸產生劑之鹽及含該鹽之化學放大正型阻劑組成物
GB2441032B (en) * 2006-08-18 2008-11-12 Sumitomo Chemical Co Salts of perfluorinated sulfoacetic acids
TWI402249B (zh) 2006-08-22 2013-07-21 Sumitomo Chemical Co 適合作為酸產生劑之鹽及含有該鹽之化學放大型正型光阻組成物
CN101196687A (zh) * 2006-12-06 2008-06-11 住友化学株式会社 化学放大型抗蚀剂组合物
TWI437364B (zh) 2006-12-14 2014-05-11 Sumitomo Chemical Co 化學放大型阻劑組成物
CN101211113B (zh) * 2006-12-27 2012-01-11 住友化学株式会社 化学放大型抗蚀剂组合物
JP4844436B2 (ja) * 2007-03-07 2011-12-28 住友化学株式会社 化学増幅型レジスト組成物
JP5012122B2 (ja) 2007-03-22 2012-08-29 住友化学株式会社 化学増幅型レジスト組成物
KR101347284B1 (ko) * 2007-09-28 2014-01-07 삼성전자주식회사 광산발생제 및 이를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물
US8685616B2 (en) 2008-06-10 2014-04-01 University Of North Carolina At Charlotte Photoacid generators and lithographic resists comprising the same
US8455176B2 (en) * 2008-11-12 2013-06-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Coating composition
TWI491600B (zh) * 2009-06-12 2015-07-11 住友化學股份有限公司 鹽類及含有其之光阻組合物
US8609062B2 (en) * 2010-12-07 2013-12-17 Skyworks Solutions, Inc. Specialty materials processing techniques for enhanced resonant frequency hexaferrite materials for antenna applications and other electronic devices
JP5745338B2 (ja) * 2011-05-24 2015-07-08 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP2013079232A (ja) * 2011-09-30 2013-05-02 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト
US9921480B2 (en) * 2016-02-10 2018-03-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Extreme ultraviolet photoresist
KR101960596B1 (ko) * 2016-06-28 2019-07-15 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
JP6789024B2 (ja) * 2016-07-22 2020-11-25 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに、高分子化合物
JP7365110B2 (ja) * 2018-09-11 2023-10-19 信越化学工業株式会社 ヨードニウム塩、レジスト組成物、及びパターン形成方法
CN113253569B (zh) * 2021-05-21 2023-10-10 上海邃铸科技有限公司 小分子组合物、光刻胶组合物及在基板上形成图案的方法
CN114236965B (zh) * 2021-12-30 2024-07-26 苏州瑞红电子化学品有限公司 耐刻蚀KrF光刻胶及制备方法
CN116355126B (zh) * 2022-12-26 2025-07-29 广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院 一种电子束光刻胶成膜树脂及其制备方法和应用

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5635332A (en) * 1993-07-14 1997-06-03 Nec Corporation Alkylsulfonium salts and photoresist compositions containing the same
JP2770740B2 (ja) * 1994-07-14 1998-07-02 日本電気株式会社 橋かけ環式アルキル基を有するスルホニウム塩化合物および光酸発生剤
KR100206664B1 (ko) * 1995-06-28 1999-07-01 세키사와 다다시 화학증폭형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 형성방법
JP3804138B2 (ja) * 1996-02-09 2006-08-02 Jsr株式会社 ArFエキシマレーザー照射用感放射線性樹脂組成物
CN1190706C (zh) * 1998-08-26 2005-02-23 住友化学工业株式会社 一种化学增强型正光刻胶组合物
KR100704423B1 (ko) * 1999-03-31 2007-04-06 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 화학 증폭형 포지티브 레지스트
DE10054550A1 (de) * 1999-11-01 2001-05-31 Nec Corp Sulfoniumsalz-Verbindung, Photoresist-Zusammensetzung und Verfahren zur Muster-/Strukturerzeugung unter Verwendung derselben

Also Published As

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