CN1294640C - 介层洞优先双镶嵌制程 - Google Patents
介层洞优先双镶嵌制程 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1294640C CN1294640C CNB031565352A CN03156535A CN1294640C CN 1294640 C CN1294640 C CN 1294640C CN B031565352 A CNB031565352 A CN B031565352A CN 03156535 A CN03156535 A CN 03156535A CN 1294640 C CN1294640 C CN 1294640C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- interlayer hole
- joint filling
- dielectric layer
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 title abstract description 21
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 49
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 150
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 31
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 claims 17
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims 2
- OUUQCZGPVNCOIJ-UHFFFAOYSA-M Superoxide Chemical compound [O-][O] OUUQCZGPVNCOIJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 claims 1
- 230000002262 irrigation Effects 0.000 claims 1
- 238000003973 irrigation Methods 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 48
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940104869 fluorosilicate Drugs 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- -1 poly(arylene ether Chemical compound 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
本发明提供一种介层洞优先双镶嵌制程，包含下列步骤：提供一半导体基底，其上形成有导电结构以及介电层设于该半导体基底上，其中该介电层包含有一介层洞开孔，暴露出部分该导电结构；于该介层洞开孔内填满填缝高分子材料(GFP)，并形成一填缝高分子层于该介电层上；回蚀刻该填缝高分子层一预定深度，使该填缝高分子层的表面低于该介电层的表面，形成凹槽，借此暴露出部分该介层洞开孔的侧壁；以及进行一表面处理手段，用以改变该介层洞开孔的侧壁与该填缝高分子层的表面的特性，借此避免后续填入该凹槽的深紫外线(DUV)光刻胶与该介层洞开孔的侧壁或与该填缝高分子层的表面发生任何物理或化学作用。
Description
技术领域
本发明是关于一种双镶嵌(dual damascene)制程，尤指一种介层洞优先(via-first)双镶嵌制程，可解决定义沟渠图案时的DUV光刻胶残留于介层洞内的问题。
背景技术
铜双镶嵌(dual damascene)技术搭配低介电常数介电层为目前所知对于高积集度、高速(high-speed)逻辑集成电路芯片制造以及针对0.18微米以下的深亚微米(deep sub-micro)半导体制程最佳的金属内联机解决方案。这是由于铜具有低电阻值(比铝低30％)以及较佳抗电致迁(electromigration resistance)的特性，而低介电常数材料则可帮助降低金属导线之间的RC延迟(RC delay)，由此可知，铜金属双镶嵌内联机技术在集成电路制程中显得日益重要。目前，双镶嵌制程基本上有所谓的沟渠优先(trench-first)双镶嵌、介层洞优先(via-first)双镶嵌、部分介层洞(partial-via)双镶嵌，以及自行对准(self-aligned)双镶嵌等选择。其中，介层洞优先(via-first)双镶嵌简单地说即是利用多道微影及蚀刻步骤，先定义介层洞，随后再于介层洞上方定义出沟渠，构成一体的双镶嵌结构。
请参阅图1至图5，图1至图5为公知介层洞优先(via-first)双镶嵌制程。如图1所示，公知方法首先提供一半导体基底100，其上具有导电结构111以及112，例如铜镶嵌导线，形成于底层或组件层101中。接着，依序在半导体基底100上沉积形成保护盖层(capping layer)115，其成分通常为氮化硅，覆盖于该导电结构111以及112的暴露表面，以及一堆栈介电层120，其一般包含有一第一介电层121、一第二介电层123，以及一介于第一介电层121与第二介电层123之间的蚀刻停止层122。在第一介电层121上，随后会再沉积一氮氧化硅(SiNO)停止层130。接着，于氮氧化硅停止层130上形成第一DUV光刻胶层140，并于第一DUV光刻胶层140定义出介层洞开孔141及142，其中假设介层洞开孔141为独立(isolated)介层洞图案，亦即其邻近周围并无其它介层洞图案被定义，而介层洞开孔142为密集(dense)介层洞图案。接着，进行一蚀刻制程，以第一DUV光刻胶层140为蚀刻屏蔽，经由第一DUV光刻胶层140中的介层洞开孔141及142依序蚀刻氮氧化硅停止层130、堆栈介电层120，直到保护盖层115，如此以形成介层洞151以及152。
如图2所示，在去除第一DUV光刻胶层140后，随即于半导体基底100上涂布一填缝高分子层201，并填满介层洞151以及152。填缝高分子层201一般由i-line光刻胶所构成。填缝高分子层201的涂布类似一般光刻胶涂布制程，其后并加以烘烤硬化。如图3所示，接着进行一回蚀刻制程，将填缝高分子层201回蚀刻至一预定深度，使填缝高分子层201的表面低于氮氧化硅停止层130，形成凹槽301及302。如图4所示，公知方法接着直接于半导体基底100上涂布第二DUV光刻胶层401，并填满凹槽301及302。
请参阅图5及图6，其中图6为图5的上视图，而图5为图6沿着AA′切线的剖面。接着进行一曝光制程，利用一定义有沟渠图案的光罩，以DUV为光源分别于凹槽301及302的上方曝出沟渠图案(未显示)。随后，利用显影液将所曝的光刻胶移除，分别于凹槽301及302的上方形成沟渠411以及412。然而，显影液(一般为亲水性)在进行独立(isolated)介层洞151上方凹槽301的光刻胶显影时，往往无法清洗完全而发生如图5所示的光刻胶残留511，其会导致微沟渠(micro-trenching)或者矮篱(fence)现象的发生。这可能是由于填缝高分子层201的表面为斥水性(hydrophobic)，加上毛细现象造成显影液较难接触独立介层洞151上方凹槽301的底部所致。
发明内容
因此，本发明的主要目的在于提供一种双镶嵌内联机制程，可以避免微沟渠(micro-trenching)或者矮篱(fence)现象的发生。
为达上述目的，本发明提供一种介层洞优先双镶嵌制程，包含下列步骤：提供一半导体基底，其上形成有导电结构以及介电层设于该半导体基底上，其中该介电层包含有一介层洞开孔，暴露出部分该导电结构；于该介层洞开孔内填满填缝高分子材料(GFP)，并形成一填缝高分子层于该介电层上；回蚀刻该填缝高分子层一预定深度，使该填缝高分子层的表面低于该介电层的表面，形成凹槽，借此暴露出部分该介层洞开孔的侧壁；以及进行一表面处理手段，用以改变该介层洞开孔的侧壁与该填缝高分子层的表面的特性，借此避免后续填入该凹槽的深紫外线(DUV)光刻胶与该介层洞开孔的侧壁或与该填缝高分子层的表面发生任何物理或化学作用。
依据上述的目的，本发明提供一种介层洞优先双镶嵌制程，包含有下列步骤：提供一半导体基底，其上形成有一导电结构以及一介电层设于该半导体基底上，其中该介电层包含有一介层洞开孔，暴露出部分该导电结构；于该介层洞开孔内填满一填缝高分子材料，并形成一填缝高分子层于该介电层上；回蚀刻该填缝高分子层一预定深度，使该填缝高分子层的表面低于该介电层的表面，形成一凹槽，借此暴露出部分该介层洞开孔的侧壁；进行一表面处理手段，用以均一化该介层洞开孔的侧壁与该填缝高分子层的表面的特性；于该凹槽内填入深紫外线(DUV)光刻胶，并于该介电层上形成一光刻胶层；进行一微影制程，以于该光刻胶层中形成一位于该介层洞开孔上的沟渠开口；以及以该光刻胶层为蚀刻屏蔽，经由该沟渠开口蚀刻该介电层以及该填缝高分子层。其中该填缝高分子材料为i-line光刻胶所构成。该表面处理手段是以对该填缝高分子材料具有一低蚀刻率的活性自由基接触该介层洞开孔的侧壁与该填缝高分子层的表面。
附图说明
图1至图5为公知介层洞优先(via-first)双镶嵌制程；
图6为图5的上视图；
图7至图11为依据本发明第一较佳实施例的方法示意图；
图12以及图13为依据本发明第二较佳实施例的方法示意图。
符号说明：
100～半导体基底
101～底层或组件层
111、112～导电结构
115～保护盖层
120～堆栈介电层
121～第一介电层
122～蚀刻停止层
123～第二介电层
130～氮氧化硅停止层
140～第一DUV光刻胶层
141、142～介层洞开孔
151、152～介层洞
201～填缝高分子层
301、302～凹槽
401～第二DUV光刻胶层
411、412～沟渠开孔
511～光刻胶残留
700～半导体基底
711、712～导电结构
715～保护盖层
720～堆栈介电层
721～第一介电层
722～蚀刻停止层
723～第二介电层
730～氮氧化硅停止层
740～第一DUV光刻胶层
741、742～介层洞开孔
751、752～介层洞
801～填缝高分子层
901、902～凹槽
911、912～介层洞侧壁
1001～第二DUV光刻胶层
1011、1012～沟渠开孔
1201～高分子薄膜
具体实施方式
请参阅图7至图11，图7至图11为依据本发明第一较佳实施例的介层洞优先(via-first)双镶嵌制程剖面示意图。如图七所示，本发明方法首先提供一半导体基底700，其上具有导电结构711以及712，例如铜镶嵌导线。接着，依序在半导体基底700上沉积形成保护盖层(cappinglayer)715，其成分通常为氮化硅，覆盖于该导电结构711以及712的暴露表面，以及一堆栈介电层720，其一般包含有一第一介电层721、一第二介电层723，以及一介于第一介电层721与第二介电层723之间的蚀刻停止层722。第一及第二介电层的介电常数小于3为较佳，其选择有FLARETM、SiLKTM、亚芳香基醚类聚合物(poly(arylene ether)polymer)、parylene类化合物、聚醯亚胺(polyimide)是高分子、氟化聚醯亚胺(fluorinated polyimide)、HSQ、BCB、氟硅玻璃(FSG)、二氧化硅、多孔硅玻璃(nanoporous silica)、或铁氟龙等等，但不限于上述所列组成。在第一介电层721上，随后通常会再选择沉积一氮氧化硅(SiNO)停止层730。接着，于氮氧化硅停止层730上形成第一DUV光刻胶层740，并于第一DUV光刻胶层740定义出介层洞开孔741及742，其中假设介层洞开孔741为独立(isolated)介层洞图案，亦即其邻近周围并无其它介层洞图案被定义，而介层洞开孔742为密集(dense)介层洞图案，亦即其邻近周围尚有其它介层洞图案被定义。接着，进行一蚀刻制程，以第一DUV光刻胶层740为蚀刻屏蔽，经由第一DUV光刻胶层740中的介层洞开孔741及742依序蚀刻氮氧化硅停止层730、堆栈介电层720，直到保护盖层715，如此以形成介层洞751以及752。介层洞751以及752的平均孔径约为0.1至0.2微米左右。
如图8所示，在去除第一DUV光刻胶层740后(利用氧气灰化方法)，随即于半导体基底700上涂布一填缝高分子层801，并填满介层洞751以及752。填缝高分子层801一般由i-line光刻胶所构成，例如含novolak树脂、聚苯乙烯类树脂(poly hydroxystyrene，PHS)、或者丙烯酸脂(acrylate)类等等i-line光刻胶成分。填缝高分子层801的涂布类似一般光刻胶涂布制程，其后并加以烘烤硬化。如图9所示，接着进行一回蚀刻制程，将填缝高分子层801回蚀刻至一预定深度，使填缝高分子层801的表面低于氮氧化硅停止层730，形成凹槽901及902。凹槽901及902乃分别由暴露出的部分介层洞开孔751及752的侧壁911及912以及填缝高分子层801的表面所构成。随后，进行一表面处理手段，用以改变暴露出的介层洞开孔751及752侧壁与填缝高分子层801表面的特性，借此避免后续填入凹槽901及902的深紫外线(DUV)光刻胶与介层洞开孔的侧壁911及912或与填缝高分子层801的表面发生任何物理或化学作用。
依据本发明的第一较佳实施例，此表面处理手段是以对填缝高分子材料层801具有一低蚀刻率(较佳为小于或等于100埃每分钟(/min)的蚀刻率)的活性自由基，例如氧自由基(oxygen radical)或超氧自由基(superoxide radical)，接触介层洞开孔的侧壁911及912与填缝高分子层801的表面。借由利用对填缝高分子材料具有低蚀刻率的活性自由基接触暴露出的介层洞开孔的侧壁911及912与填缝高分子层801的表面，可以使填缝高分子层801的表面成为亲水性(hydrophilic)表面或者使暴露出的介层洞开孔的侧壁911及912与填缝高分子层801的表面形成多数的氢氧键，借此可使后续亲水性显影液得以深入凹槽901及902清除DUV光刻胶。需注意的是本发明强调以对填缝高分子材料层801具有一低蚀刻率的活性自由基接触介层洞开孔的侧壁911及912与填缝高分子层801的表面，换言之，其应用并不仅限定于所举的氧自由基或超氧自由基，其它可能的自由基来源包括臭氧(O3)、过氧化氢(H2O2)，以及任何可经分解以产生自由基的含氧(但不含氮)的物质，例如一氧化碳、二氧化碳等。此外，此表面处理手段可以干式或湿式方法(不论浸洗或冲洗)进行。
如图10所示，本发明方法接着直接于半导体基底700上涂布第二DUV光刻胶层1001，并填满凹槽901及902。
如图11所示，接着进行一曝光制程，利用一定义有沟渠图案的光罩(未显示)，以DUV为光源分别于凹槽901及902的上方曝出沟渠图案(未显示)。随后，利用显影液将所曝的光刻胶移除，分别于凹槽901及902的上方形成沟渠1011以及1012。如图11所示，公知方法所可能产生的光刻胶残留已不存在。
请参阅图12及图13，图12及图13为依据本发明第二较佳实施例的介层洞优先双镶嵌制程剖面示意图。如图12所示，在去除第一DUV光刻胶层740后，随即于半导体基底700上涂布一填缝高分子层801，并填满介层洞751以及752。接着进行一回蚀刻制程，将填缝高分子层801回蚀刻至一预定深度，使填缝高分子层801的表面低于氮氧化硅停止层，形成凹槽901及902。凹槽901及902乃分别由暴露出的部分介层洞开孔751及752的侧壁911及912以及填缝高分子层801的表面所构成。随后，进行一表面处理手段，用以均一化暴露出的介层洞开孔751及752侧壁与填缝高分子层801表面的特性，借此避免后续填入凹槽901及902的深紫外线(DUV)光刻胶与介层洞开孔的侧壁911及912或与填缝高分子层801的表面发生任何物理或化学作用。
依据本发明的第二较佳实施例，此表面处理手段是于介层洞开孔的侧壁911及912与填缝高分子层801的表面上形成一均厚高分子薄膜1201。高分子薄膜1201可利用CHF3/H2、CF4/CHF3或其它可形成高分子碳氢膜的类似等离子体组合形成，其厚度约为50埃(angstrom)至150埃之间。
Claims (14)
1.一种介层洞优先双镶嵌制程，包含有下列步骤：
提供一半导体基底，其上形成有一导电结构以及一介电层设于该半导体基底上，其中该介电层包含有一介层洞开孔，暴露出部分该导电结构；
于该介层洞开孔内填满一填缝高分子材料，并形成一填缝高分子层于该介电层上；
回蚀刻该填缝高分子层一预定深度，使该填缝高分子层的表面低于该介电层的表面，形成一凹槽，借此暴露出部分该介层洞开孔的侧壁；
进行一用活性自由基来接触该介层洞开孔的侧壁与该填缝高分子层的表面的表面处理，用以改变该介层洞开孔的侧壁与该填缝高分子层的表面的特性光刻胶；以及
在完成该表面处理之后，于该半导体基底上涂布一深紫外线光刻胶，用来在该介层洞开孔上定义一沟渠图案，该深紫外线光刻胶填入该凹槽，并与经过该表面处理的该介层洞开孔的侧壁接触，其中该表面处理可以避免后续填入该凹槽的深紫外线光刻胶与该介层洞开孔的侧壁或与该填缝高分子层的表面发生作用。
2.根据权利要求1所述的介层洞优先双镶嵌制程，其中该填缝高分子材料为i-line光刻胶所构成。
3.根据权利要求1所述的介层洞优先双镶嵌制程，其中该介电层的介电常数小于3。
4.根据权利要求1所述的介层洞优先双镶嵌制程，其中该介电层上另有一停止层。
5.根据权利要求4所述的介层洞优先双镶嵌制程，其中该停止层为氮氧化硅所构成。
6.根据权利要求1所述的介层洞优先双镶嵌制程，其中该活性自由基对于该填缝高分子材料具有一小于或等于100埃每分钟的蚀刻率。
7.根据权利要求6所述的介层洞优先双镶嵌制程，其中该活性自由基包含有氧自由基以及超氧自由基。
8.根据权利要求6所述的介层洞优先双镶嵌制程，其中用对该填缝高分子材料具有低蚀刻率的活性自由基接触该介层洞开孔的侧壁与该填缝高分子层的表面，使该填缝高分子层的表面成为亲水性表面。
9.一种介层洞优先双镶嵌制程，包含有下列步骤：
提供一半导体基底，其上形成有一导电结构以及一介电层设于该半导体基底上，其中该介电层包含有一介层洞开孔，暴露出部分该导电结构；
于该介层洞开孔内填满一填缝高分子材料，并形成一填缝高分子层于该介电层上；
回蚀刻该填缝高分子层一预定深度，使该填缝高分子层的表面低于该介电层的表面，形成一凹槽，借此暴露出部分该介层洞开孔的侧壁；
于该介层洞开孔的侧壁与该填缝高分子层的表面形成一高分子薄膜；
于该高分子薄膜上涂布一光刻胶层，且该光刻胶层填入该凹槽中；
进行一微影制程，以于该光刻胶层中形成一位于该介层洞开孔上的沟渠开口；以及
以该光刻胶层为蚀刻屏蔽，经由该沟渠开口蚀刻该介电层以及该填缝高分子层。
10.根据权利要求9所述的介层洞优先双镶嵌制程，其中该填缝高分子材料为i-line光刻胶所构成。
11.根据权利要求9所述的介层洞优先双镶嵌制程，其中该介电层的介电常数小于3。
12.根据权利要求9所述的介层洞优先双镶嵌制程，其中该介电层上另有一停止层。
13.根据权利要求12所述的介层洞优先双镶嵌制程，其中该高分子薄膜是利用CHF3/H2或CF4/CHF3等离子体形成。
14.根据权利要求12所述的介层洞优先双镶嵌制程，其中该高分子薄膜的厚度为50埃至150埃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB031565352A CN1294640C (zh) | 2003-09-03 | 2003-09-03 | 介层洞优先双镶嵌制程 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB031565352A CN1294640C (zh) | 2003-09-03 | 2003-09-03 | 介层洞优先双镶嵌制程 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1591820A CN1591820A (zh) | 2005-03-09 |
| CN1294640C true CN1294640C (zh) | 2007-01-10 |
Family
ID=34598462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB031565352A Expired - Lifetime CN1294640C (zh) | 2003-09-03 | 2003-09-03 | 介层洞优先双镶嵌制程 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1294640C (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106001004A (zh) * | 2016-07-08 | 2016-10-12 | 北京睿昱达科技有限公司 | 一种辉光放电等离子体光伏板清洁装置及光伏板清洁方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100420001C (zh) * | 2005-05-27 | 2008-09-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种改进深沟槽dram钨金属位线的cmp工艺窗的方法 |
| US7645701B2 (en) * | 2007-05-21 | 2010-01-12 | International Business Machines Corporation | Silicon-on-insulator structures for through via in silicon carriers |
| WO2009114244A2 (en) * | 2008-03-11 | 2009-09-17 | Lam Research Corporation | Line width roughness improvement with noble gas plasma |
| CN110391230B (zh) * | 2018-04-16 | 2021-09-03 | 华邦电子股份有限公司 | 存储器装置及其制造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6432814B1 (en) * | 2000-11-30 | 2002-08-13 | Agere Systems Guardian Corp. | Method of manufacturing an interconnect structure having a passivation layer for preventing subsequent processing reactions |
| CN1404137A (zh) * | 2001-07-16 | 2003-03-19 | 联华电子股份有限公司 | 一种无突出物形成的双镶嵌制程的湿式清洗方法 |
| US6579791B1 (en) * | 2002-02-12 | 2003-06-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to form dual damascene structure |
| CN1431687A (zh) * | 2002-01-07 | 2003-07-23 | 联华电子股份有限公司 | 金属镶嵌制程的去除光阻的方法 |
-
2003
- 2003-09-03 CN CNB031565352A patent/CN1294640C/zh not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6432814B1 (en) * | 2000-11-30 | 2002-08-13 | Agere Systems Guardian Corp. | Method of manufacturing an interconnect structure having a passivation layer for preventing subsequent processing reactions |
| CN1404137A (zh) * | 2001-07-16 | 2003-03-19 | 联华电子股份有限公司 | 一种无突出物形成的双镶嵌制程的湿式清洗方法 |
| CN1431687A (zh) * | 2002-01-07 | 2003-07-23 | 联华电子股份有限公司 | 金属镶嵌制程的去除光阻的方法 |
| US6579791B1 (en) * | 2002-02-12 | 2003-06-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to form dual damascene structure |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106001004A (zh) * | 2016-07-08 | 2016-10-12 | 北京睿昱达科技有限公司 | 一种辉光放电等离子体光伏板清洁装置及光伏板清洁方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1591820A (zh) | 2005-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1149642C (zh) | 在半导体基片上形成带图案导电层的方法和半导体器件 | |
| CN1276500C (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
| CN1146956C (zh) | 用牺牲可流动氧化物双嵌埋形成多共面金属/绝缘膜的方法 | |
| CN1256438A (zh) | 半导体制造中防止由介质防反射层引起的光致抗蚀剂中毒 | |
| CN1815710A (zh) | 具有低介电常数介电层的半导体元件的制造方法 | |
| CN1815709A (zh) | 半导体元件及其制造方法 | |
| CN1828845A (zh) | 镶嵌结构与其形成方法 | |
| TW200403750A (en) | Dual-damascene semiconductor device | |
| EP1619718A1 (en) | Electronic device and its manufacturing method | |
| JP2006128543A (ja) | 電子デバイスの製造方法 | |
| CN100372078C (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
| CN1831643A (zh) | 改善双镶嵌蚀刻轮廓的方法 | |
| CN100353520C (zh) | 制作双镶嵌结构以及清除其残余聚合物的方法 | |
| CN1677643A (zh) | 具有含气隙的镶嵌结构的半导体器件的制造方法 | |
| US6780761B1 (en) | Via-first dual damascene process | |
| CN1238892C (zh) | 双重镶嵌结构的制造方法 | |
| CN1294640C (zh) | 介层洞优先双镶嵌制程 | |
| CN101051622A (zh) | 形成无蚀刻停止层的双镶嵌结构的方法 | |
| US20070249164A1 (en) | Method of fabricating an interconnect structure | |
| US7192880B2 (en) | Method for line etch roughness (LER) reduction for low-k interconnect damascene trench etching | |
| CN1495879A (zh) | 微电子器件的双镶嵌互连的制造方法 | |
| CN1661799A (zh) | 半导体器件 | |
| CN1203540C (zh) | 双重镶嵌结构的制造方法 | |
| CN1450597A (zh) | 定义低介电常数介电层的方法 | |
| CN1278379C (zh) | 填隙工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20070110 |