[go: up one dir, main page]

CN1271690C - 等离子体清洗气体和等离子体清洁方法 - Google Patents

等离子体清洗气体和等离子体清洁方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1271690C
CN1271690C CNB028028430A CN02802843A CN1271690C CN 1271690 C CN1271690 C CN 1271690C CN B028028430 A CNB028028430 A CN B028028430A CN 02802843 A CN02802843 A CN 02802843A CN 1271690 C CN1271690 C CN 1271690C
Authority
CN
China
Prior art keywords
plasma
gas
fluorine
cvd
volume
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB028028430A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1526159A (zh
Inventor
关屋章
三井有规
大平丰
米村泰辅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Canon Annewa Co ltd
Daikin Industries Ltd
Tokyo Electron Ltd
Kanto Denka Kogyo Co Ltd
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Sanyo Electric Co Ltd
Sony Corp
Ulvac Inc
Kokusai Electric Corp
AGC Inc
Panasonic Holdings Corp
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Research Institute of Innovative Technology for the Earth RITE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST, Research Institute of Innovative Technology for the Earth RITE filed Critical National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Publication of CN1526159A publication Critical patent/CN1526159A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1271690C publication Critical patent/CN1271690C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • H10P50/242—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/905—Cleaning of reaction chamber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

如本发明所述的CVD室的等离子体清洗气体是一种在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后，用于清洁CVD室内壁表面和部件表面上含硅沉积物的气体。这种清洗气体含有占体积100%的氟气，通过放电可以使它产生等离子体。当占体积100%的氟气通过放电产生等离子体并将用作清洗气体时，即便总气体流量为1000sccm同时室压为400Pa，仍可以得到特别突出的腐蚀速度并可以进一步稳定地产生等离子体。此外，在上述条件下还可以保证清洁的均一性。另外，氟气的含量为100%，故而设备并不复杂，因此这种清洗气体有很好的实用性。

Description

等离子体清洗气体和等离子体清洁方法
技术领域
本发明涉及用于CVD室的等离子体清洗气体，这种气体被用来除去CVD室内壁表面或其它表面上在等离子体CVD(化学气相淀积)设备中进行成膜处理时产生的沉积物，在该设备中用二氧化硅、氮化硅等进行的成膜处理是在半导体等的基材表面进行的，本发明还涉及等离子体清洁CVD室的方法。
更具体的，本发明涉及对于清洁内壁等上的沉积物有高均一性和优秀腐蚀速度的用于CVD室的等离子体清洗气体，并涉及等离子体清洁CVD室的方法。这里使用的术语“清洁的均一性”是指所产生等离子体的稳定性，它用以下的方法评定，同时也在实施例中加以描述。通过CVD已经被SiO2膜沉积的硅基片被用作样品并被置于下边的电极上，然后测量腐蚀速度。将对硅基片内表面中腐蚀速度均一性的评定作为清洁均一性的典型评价。以后同样用这种方法评定该性质。
这里使用的术语“腐蚀速度”是指对清洁速度的评定，如实施例中所述，它是通过测量腐蚀干硅基片上SiO2薄膜的速度评定的。腐蚀速度被作为清洁的典型评价。以后同样用这种方法评定性质。
背景技术
按照惯例，在用于半导体(如LSI等)制造的等离子体CVD设备中，大量的全氟代化合物，如CF4、C2F6、SF6、NF3等被用作CVD室的清洗气体以除去成膜处理时在CVD室内壁表面或其它表面形成的沉积物。这些化合物是稳定的，在大气中有很长的寿命和较高的红外吸收。考虑到上述全氟代化合物使全球变暖的潜力(GWP100)，以二氧化碳为1，CF4为6500，C2F6为9200，SF6为23900NF3为8000，这些值是相当高的。因此，这些化合物有较高的温室效应并会极大的使全球变暖。
此外，当将CF4、C2F6、SF6、NF3等之类的全氟代化合物用作CVD室清洗气体时，即便产生了等离子体，也会产生包括未分解的全氟代化合物自身在内的废气。此外，当使用各种含有碳和氟的化合物，如全氟化碳、氢化全氟化碳(HFC)等时，废气中会含有作为副产物产生的CF4。因此它们会导致排出使全球变暖气体这样的环境问题。
上述废气中所含的导致温室效应和全球变暖气体的气体很难被常规使用的废气装置(水涤气器)吸收或分解，因此需要利用化学反应(包括高温高能量燃烧在内)进行处理的分解装置。
此外，如果将这些清洗气体用于CVD室清洁，人们已经尝试了用等离子体产生清洗气体以获得有效清洁效果的方法。
通常，在等离子体清洁中，在清洗气体中混有适当量的别的气体，如氧气、氩气等。
根据本发明者的了解，在清洗气体和其它气体的混合气系统中，如果总的气体流量恒定，当增加清洗气体的浓度时，腐蚀速度就可能增加。然而，当清洗气体的浓度超过固定浓度时，就会产生诸如等离子体产生不稳定、腐蚀速度降低或减慢、清洁均一性恶化之类的问题。特别地，以100％的浓度使用清洗气体会在清洁过程中导致更加明显的等离子体的产生不稳定、腐蚀速度降低或减慢以及清洁均一性恶化，以至于这一问题限制了它在实践中的应用。
这这种情况下，在使用前，有必要将清洗气体稀释以使其在腐蚀速度-清洗气体浓度曲线中具有峰浓度或低于峰浓度的浓度。为抑制稀释造成的腐蚀速度的降低，应增加室压或增加清洁时气体的流量以使清洁条件最优化。然而，当提高室压或增加清洁时的气体流量时，等离子体的产生变得不稳定，因此清洁的均一性就会被破坏且不利于有效清洁。
对于上述清洗气体，例如，当使用NF3时，需要一个遥控的等离子体装置，在该装置中等离子不是在CVD设备的加工室中产生的，以保证高分解速度(这是目标之一)，从而可以提高清洁效率、避免未分解的NF3进入废气造成污染。然而，装有遥控等离子体装置的CVD设备会产生设备复杂的问题，因此造价较高。
此外，在通常使用的清洗气体中，当提高室压或增加气体流量时，等离子体中清洗气体的分解速度和等离子体的稳定性(清洁的均一性)会显著降低，因此，废气中所含的清洗气体会导致全球变暖物质的排放量增加。因此，有必要采取措施以减少这些气体。
由此，需要有在LSI等半导体制造的CVD处理后用于室清洁的等离子体清洗气体，这些气体有低的温室效应和低的全球变暖潜力，无论稀释与否都有出色的清洁均一性，并有有效的腐蚀速度，同时需要等离子体清洁的方法。
鉴于上述内容，本发明者认真研究了解决上述问题的方法，并发现，与使用(例如)NF3相比，当使用氟气和基本上不与等离子体中的氟发生反应的气体的混合气体时，可以在较宽条件下稳定产生等离子体而无需使用遥控等离子体设备，此外，它可以提供极好的腐蚀速度而不必降低腐蚀速度。本发明者还发现，例如，如将在本说明书实施例34和37以及对比例30和31中描述的那样，当总的气体流量为1000sccm时，当室压条件从250Pa变为较高的400Pa时，在使用含有占体积20％的NF3的混合气体时，清洁的均一性降低，但使用同样含有占体积20％的氟气的混合气体时，可以保证合适的清洁均一性。
此外，本发明者发现，当等离子体产生占体积100％的氟气并将其用作清洗气体时，可以得到特别突出的腐蚀速度而无需使用遥控等离子体设备，即便总气体流速为1000sccm同时室压为400Pa，仍可以稳定产生等离子体并保证合适的清洁均一性。
因此，本发明可以实现。
本发明试图解决上述现有技术的问题，本发明的一个目的是提供CVD室的等离子体清洗气体，在总气体流量约为1000sccm同时室压约为400Pa的条件下，在稀释或不稀释时，这种气体在清洁时都有极好的清洁均一性和有效的腐蚀速度。本发明的另一个目的是提供等离子体清洁CVD室的方法。
发明内容
如本发明所述的第一种用于CVD室的等离子体清洗气体含有100％体积的能够通过放电产生等离子体的氟气，它被用于在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上的含硅沉积物。
如本发明所述的等离子体清洁CVD室的第一种方法包括，在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后，用由100％体积的氟气通过放电产生的等离子体清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上的含硅沉积物。
这种含硅沉积物优选含有至少一种下列物质：
(1)硅，
(2)含有硅以及氧、氮、氟和碳中至少一种的化合物，以及
(3)含有金属硅化物的高熔点化合物。
清洁时，等离子体CVD设备的室压优选在50Pa-1000Pa，进入等离子体发生部分的氟气的流量优选为50sccm-1000sccm。
上述氟气产生等离子体的过程优选在已经引入氟气的等离子体CVD设备的加工室中通过放电进行。
如本发明所述的第二种用于CVD室的等离子体清洗气体由能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与等离子体中的氟发生反应的气体组成，它被用于在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上的含硅沉积物。
能够通过放电产生等离子体的氟气的浓度优选应大于20％体积至小于100％体积，同时，基本上不能与等离子体中的氟反应的气体的浓度应大于0％体积至不大于80％体积，只要能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与氟反应的气体的总浓度为100％体积即可。
此外，更加优选的是，能够通过放电产生等离子体的氟气的浓度应大于30％体积至小于100％体积，同时，基本上不能与等离子体中的氟反应的气体的浓度应大于0％体积至不大于70％体积，只要能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与氟反应的气体的总浓度为100％体积即可。
基本上不能与等离子体中的氟反应的气体最好是氮气、氧气、二氧化碳、N2O、干燥空气、氩气、氦气和氖气中的至少一种。
如本发明所述的用于CVD室的等离子体清洁的第二种方法包括，在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后，用由能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与等离子体中的氟反应的气体组成的用于等离子体CVD室的清洗气体清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上的含硅沉积物。
能够通过放电产生等离子体的氟气的浓度优选应大于20％体积至小于100％体积，同时，基本上不能与等离子体中的氟反应的气体的浓度应大于0％体积至不大于80％体积，只要能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与氟反应的气体的总浓度为100％体积即可。
室压优选在50Pa-1000Pa，清洁时氟气的流量优选从50sccm-1000sccm。
氟气产生等离子体的过程最好是在已经引入氟气的等离子体CVD室的加工室中通过放电进行。
附图说明
图1显示了与实施例1-17和对比例1-13有关的气体浓度和腐蚀速度之间的关系。
具体实施方式
下面将详细描述本发明。
(如第一个发明所述的用于CVD室的等离子体清洗气体和等离子体清洁方法)
如第一个发明所述的用于CVD室的等离子体清洗气体被用于在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上的含硅沉积物。清洗气体由100％体积的氟气组成，它通过放电由氟气产生等离子体来去除如上所述的含硅沉积物。
如本发明所述的第一种等离子体清洁CVD室的方法是，在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后，用由100％体积的氟气通过放电产生的等离子体清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上的含硅沉积物。
本说明书中使用的术语“用于CVD室的等离子体清洁”是指，在半导体(如LSI等)制造过程中进行CVD处理后，除去室内壁表面和部件(如夹具、导管)或其它置于半导体生产设备中的部件如CVD设备等表面的沉积物。
此外，本说明书中使用的术语“等离子体产生”是指通过引入氟气或氟气和基本上不能与等离子体中的氟反应的气体的混合气体并在等离子体产生部分(CVD室或遥控等离子体装置)中放电以产生等离子体。
用这种100％体积的氟气清洁CVD室的目标化合物可包括上述CVD室内壁和CVD法中CVD设备的夹具等表面的含硅沉积物。含硅沉积物包括，例如，至少下列物质中的一种：
(1)硅，
(2)含有硅以及氧、氮、氟和碳中至少一种的化合物，以及
(3)含有金属硅化物的高熔点化合物。其特定的例子有：Si、SiO2、Si3N4以及含有金属硅化物的高熔点化合物如WSi。
在如本发明所述的用于CVD室的等离子体清洁方法中，由氟气通过放电产生等离子体可以在遥控室中进行，或在已经引入氟气的等离子体CVD室的加工室中进行而不用遥控室。
在这些方法中，希望在等离子体CVD室的加工室中由氟气产生等离子体。
当在加工室中由氟气产生等离子体时，对CVD室中沉积物的清洁处理用短的时间就可有效进行，且可以稳定产生等离子体。此外，设备可以变得紧凑，因此，与遥控室中的等离子体发生相比它更有实际意义。
本发明的第一种清洗气体含有100％体积的氟气，它被用于CVD室的等离子体清洁。通常，当将C2F6或NF3作为清洗气体时，则不使用100％体积的气体，在使用时有必要将气体与氧气、氩气、氮气等稀释气体混合。根据条件，如果用C2F6或NF3时，当清洗气体中C2F6或NF3的浓度大于约20-40％体积，在总气体流量恒定时，基于清洗气体浓度的腐蚀速度的升高会减慢，且最终腐蚀速度会降低。如上所述，如果总的气体流速为1000sccm且室压约为400Pa，则这些气体不会稳定产生等离子体。当气体浓度或室压升高时，清洁的均一性会更加糟糕。
然而，在如第一个或第二个发明所述的等离子体清洗气体和用于CVD室的等离子体清洗方法中，使用了氟气，且清洗气体有特殊的特性，即当总的气体流量恒定时腐蚀速度几乎随氟气浓度的增加线性升高。即便清洗气体由100％体积的氟气组成，仍可以得到极其优秀的腐蚀速度，且清洗的均一性亦非常优秀。
当使用100％体积的氟气时，不仅当室压为150Pa(流速为150sccm)时，而且在室压为250Pa(流速为300sccm)时等离子体都可以稳定地产生。在本发明者进行研究之前，有上述特殊性质的清洗气体还未被发现。
当用如第一个发明所述的等离子体清洗气体进行清洁时，较好的室压在50Pa-1000Pa之间，更好的是在150Pa-1000Pa之间。较好的氟气流量为0sccm-1000sccm，更好的是150-1000sccm。
当室压和氟气流量在上述范围时，可以得到出色的腐蚀速度，并可以保持优秀的等离子体产生的稳定性和清洁的均一性。
室压是CVD设备中加工室的内压，它通常是通过设定值来调节的。
(如第二发明所述的用于CVD室的等离子体清洗气体和等离子体清洁方法)
如第二个发明所述的用于CVD室的等离子体清洗气体被用于在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上的含硅沉积物。等离子体清洗气体由能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与等离子体中的氟反应的气体组成。
如本发明所述的第二种等离子体清洁CVD室的方法包括，在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后，用由能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与等离子体中的氟反应的气体组成的用于等离子体CVD室的等离子体清洗气体清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上的含硅沉积物。
在本说明书中，基本上不能与氟反应的气体中的“氟”包括氟分子、氟原子、氟根、氟离子等。
能够通过放电产生等离子体的氟气的浓度较好的是大于20％体积至小于100％体积，同时，基本上不能与等离子体中的氟反应的气体的浓度应大于0％体积至不小于80％体积，能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与氟反应的气体的浓度的总和为100％体积。
此外，能够通过放电产生等离子体的氟气的浓度较好的是大于30％体积至小于100％体积，更好的是不小于40％体积至小于100％体积，尤其是不小于70％体积至小于100％体积，同时，基本上不能与等离子体中的氟反应的气体的浓度应大于0％体积至不大于70％体积，更好的是大于0％体积至小于60％体积，尤其是大于0％体积至小于30％体积。
当氟气浓度在上述范围时，即便总的气体流量约为1000sccm且室压约为400Pa，仍可以得到出色的腐蚀速度。此外，当氟气存在时可以稳定地产生等离子体。
如上所述，腐蚀速度有特定的性能，即腐蚀速度和氟气浓度几乎呈线性增加，因此由氟气浓度可以容易的预测腐蚀速度，这在实际使用中是有效的。
在输送等过程中，氟气浓度被限制在不超过50％体积时，用于等离子体处理的氟气浓度较好的是大于20％体积，更好的是大于30％体积。特别地，它最好不要超过50％体积，这样，清洗气体有可维持的实用的腐蚀速度，同时，作为清洗气体，有突出的输送特性和储存稳定性以及便于操作。此外，如上所述，尽管这一浓度范围是相对较低的浓度范围，但在这一浓度范围内，即便将室压升高以增加腐蚀速度，清洁的均一性仍不会被破坏。
此外，即便用于等离子体处理的氟气的浓度在5-20％体积的低范围内，当提高室压以增加腐蚀速度时清洁的均一性仍没有被破坏。
基本上不能与等离子体中的氟反应的气体最好至少是氮、氧、二氧化碳、N2O、干燥空气、氩、氦和氖中的一种。其中，更好的是至少是氧、二氧化碳和干燥空气中的一种。
引入等离子体的氟气产生氟根。使用基本上不能与氟根、氟分子、氟离子等反应的气体可以抑制副产物的生成并且可以有效地进行清洁。
此外，使用氧、二氧化碳和干燥空气，可以低成本稳定地产生氟根。
当用如第二个发明所述的等离子体清洗气体进行清洁时，室压较好为50Pa-1000Pa，更好是的150Pa-1000Pa。氟气的流量较好为50sccm-1000sccm，更好的是150sccm-1000sccm。
当室压和氟气流量在上述范围时，可以得到出色的腐蚀速度，并可以保持优秀的等离子体产生的稳定性和清洁的均一性。
当对CVD室采用如第二个发明所述的等离子体清洗气体时，通过由氟气放电产生等离子体的过程可以在遥控室中进行，或者无需使用遥控室，将氟气导入等离子体CVD设备并在CVD设备的加工室中用氟气产生等离子体。
在这些方法中，希望在CVD设备的加工室中用氟气产生等离子体。
当在加工室中用氟气产生等离子体时，对CVD室中沉积物的清洁处理用短的时间就可有效进行，且可以类似于第一个发明稳定地产生等离子体。此外，与遥控室中的等离子体发生相比设备比较紧凑，因此它更有实际意义。
实施例
将参考以下非限制性的实施例更详细地描述本发明。
在这些实施例中，作为清洗气体的一个特征，对应除去的沉积物的清洗速度是明确的用硅基片上SiO2薄膜的腐蚀速度评价的。
下面列出了测量氟气和稀释的氟气腐蚀速度的方法。用等离子体CVD设备制得的厚度约为11000其上沉积有SiO2膜的硅基片被用作样品，并使用了平行板等离子体增强的CVD设备。在如实施例所描述的条件下，作为样品的硅基片被置于平行板电极的下边的电极上并进行腐蚀。用分光光度反射计膜厚度仪精确测量腐蚀前后样品上九个定点的膜厚度并测量膜厚度的减少，从而确定腐蚀速度。
通过以下公式，利用九个定点腐蚀速度的最大值和最小值确定清洁的均一性。
[(最大值-最小值)/(最大值+最小值)]×100(％)
实施例1-17和对比例1-16
以F2、C2F6和NF3作为清洗气体并以表中所示气体作为稀释气，在以下条件下测量了腐蚀速度与气体种类和气体浓度的依赖性。结果显示在表1-7中。此外，结果还显示在图1中。
总的气体流量：300sccm
室压：        250Pa
电极温度：    300℃
射频电功率：  750W
电极间距：    50mm
放电时间：    30秒
                                  表1
 实施例1  实施例2  实施例3   实施例4   实施例5
  清洗气体成分   F2含量(摩尔％)   10   25   50   75   100
  O2含量(摩尔％)   90   75   50   25   0
  Ar含量(摩尔％)   -   -   -   -   -
  N2含量(摩尔％)   -   -   -   -   -
  总气体量(摩尔％)   100   100   100   100   100
  腐蚀速度(/min)   3460   8190   15960   21800   29420
  清洁的均一性(％)   3   3.2   4   3.9   4.1
                                  表2
  实施例6   实施例7   实施例8   实施例9   实施例10   实施例11
  清洗气体成分   F2含量(摩尔％)   5   10   20   25   50   75
  O2含量(摩尔％)   -   -   -   -   -   -
  Ar含量(摩尔％)   95   90   80   75   50   25
  N2含量(摩尔％)   -   -   -   -   -   -
  总气体量(摩尔％)   100   100   100   100   100   100
  腐蚀速度(/min)   2190   4230   7090   8800   16440   22240
  清洁的均一性(％)   4.2   3.6   3.3   3.9   3.4   4.5
                             表3
  实施例12   实施例13   实施例14
  清洗气体成分   F2含量(摩尔％)   25   50   75
  O2含量(摩尔％)   -   -   -
  Ar含量(摩尔％)   -   -   -
  N2含量(摩尔％)   75   50   25
  总气体量(摩尔％)   100   100   100
  腐蚀速度(/min)   8570   16230   22450
  清洁的均一性(％)   3.2   6.2   4.2
                            表4
              干燥空气
  实施例12   实施例13   实施例14
  清洗气体成分   F2含量(摩尔％)   25   50   75
  O2含量(摩尔％)   15   10   5
  Ar含量(摩尔％)   -   -   -
  N2含量(摩尔％)   60   40   20
  总气体量(摩尔％)   100   100   100
  腐蚀速度(/min)   8490   16180   22320
  清洁的均一性(％)   3.2   4.3   4
                                      表5
                        对比例
  1   2   3   4   5   6   7
  清洗气体成分   C2F6含量(摩尔％)   20   40   45   50   55   60   70
  O2含量(摩尔％)   80   60   55   50   45   40   30
  NF3含量(摩尔％)   -   -    -   -   -   -
  Ar含量(摩尔％)   -   -    -   -   -   -
  总气体量(摩尔％)   100   100   100   100   100   100   100
  腐蚀速度(/min)   7810   11810   12270   12410   12140   11140   7590
  清洁的均一性(％)   4.7   4.3   4   3.5   4   3.1   1.9
                                 表6
                       对比例
  8   9   10   11   12   13
  清洗气体成分   C2F6含量(摩尔％)   -   -   -   -   -   -
  O2含量(摩尔％)   -   -   -   -   -   -
  NF3含量(摩尔％)   10   20   30   40   50   60
  Ar含量(摩尔％)   90   80   70   60   50   40
  总气体量(摩尔％)   100   100   100   100   100   100
  腐蚀速度(/min)   5070   9080   12510   15310   17180   16080
  清洁的均一性(％)   3.3   3.4   3.4   4.1   24   36
                     表7
            对比例
  14   15   16
  清洗气体成分   C2F6含量(摩尔％)   -   -   -
  O2含量(摩尔％)   -   -   -
  NF3含量(摩尔％)   10   30   40
  N2含量(摩尔％)   90   70   60
  总气体量(摩尔％)   100   100   100
  腐蚀速度(/min)   4872   12298   14316
  清洁的均一性(％)   3.2   5.4   31.5
由结果显见，氟气为任何浓度直至100％对腐蚀的均一性几乎没有影响，与加入的气体种类无关。
相反，对于C2F6，在高C2F6浓度下，清洁的均一性没有受到损害，但腐蚀速度大幅度降低。
对于NF3，如果加入的气体是氩气，当NF3的浓度不小于50％时，清洁的均一性大幅度受损，而当NF3浓度为60％时，观察到了腐蚀速度的降低。如果加入的气体是氮气，当NF3的浓度为40％时，清洁的均一性大幅度受损。这说明，等离子体的产生是不均匀的，因此不能稳定产生等离子体。
实施例18-37
以F2作为清洗气体并以Ar作为稀释气，用5-20％体积的低F2浓度，在如表8-11显示的条件下测量了腐蚀速度与气体流量和室压的依赖性。结果显示在表8-11中。
电极温度：  300℃
射频电功率：750W
电极间距：  50mm
放电时间：  30秒
                                 表8
  实施例18   实施例19   实施例20   实施例21
  总的气体流量(sccm)   300   300   300   300
  室压(Pa)   250   250   250   150
  清洗气体成分   F2含量(摩尔％)   5   10   20   5
  Ar含量(摩尔％)   95   90   80   95
  总气体量(摩尔％)   100   100   100   100
  腐蚀速度(/min)   2192   4234   7089   2731
  清洁的均一性(％)   4.2   3.6   3.3   2.9
                               表9
  实施例22   实施例23   实施例24   实施例25   实施例26
  总的气体流速(sccm)   500   500   500   500   500
  室压(Pa)   250   250   250   150   400
  清洗气体成分   F2含量(摩尔％)   5   10   20   5   5
  Ar含量(摩尔％)   95   90   80   95   95
  总气体含量(摩尔％)   100   100   100   100   100
  腐蚀速度(/min)   2543   4801   8473   3324   6297
  清洁的均一性(％)   3.8   3.4   3.5   2.6   2.6
                              表10
  实施例27   实施例28   实施例29   实施例30   实施例31
  总的气体流量(sccm)   700   700   700   700   700
  室压(Pa)   250   250   250   150   400
  清洗气体成分   F2含量(摩尔％)   5   10   20   5   5
  Ar含量(摩尔％)   95   90   80   95   95
  总气体量(摩尔％)   100   100   100   100   100
  腐蚀速度(/min)   2777   5241   9114   3308   6923
  清洁的均一性(％)   3.7   3.2   3.4   2.3   5.3
                                  表11
                         实施例
  32   33   34   35   36   37
  总的气体流量(sccm)   1000   1000   1000   1000   1000   1000
  室压(Pa)   250   250   250   150   400   400
  清洗气体成分   F2含量(摩尔％)   5   10   20   5   5   20
  Ar含量(摩尔％)   95   90   80   95   95   80
  总气体量(摩尔％)   100   100   100   100   100   100
  腐蚀速度(/min)   2978   5519   9893   3531   7800   13552
  清洁的均一性(％)   3.6   3.3   3.4   2.3   5.3   4.8
由结果显见，当使用F2含量为5-20％的清洗气体时，即便在实验范围内提高流速或升高压力，清洁的均一性仍很优秀。
实施例38-55
以F2浓度为100％体积气体作为清洗气体，在如表12-16显示的条件下测量了腐蚀速量与气体流速和室压的依赖性。结果显示在表12-1中。
电极温度：     300℃
射频电功率：   750W
电极间距：     50mm
放电时间：     30秒
                 表12
        实施例
  38   39
 总的气体流量(sccm)   100   100
 室压(Pa)   50   80
 清洗气体成分F2含量(摩尔％)   100   100
 总气体量(摩尔％)   100   100
 腐蚀速度(/min)   5119   8239
 清洁的均一性(％)   1.6   1.5
                        表13
               实施例
  40   41   42
 总的气体流量(sccm)   150   150   150
 室压(Pa)   50   80   100
 清洗气体成分F2含量(摩尔％)   100   100   100
 总气体量(摩尔％)   100   100   100
 腐蚀速度(/min)   4664   8981   10939
 清洁的均一性(％)   1.6   0.6   2.4
                           表14
                    实施例
  43   44   45   46
 总的气体流量(sccm)   200   200   200   200
 室压(Pa)   50   80   100   150
 清洗气体成分F2含量(摩尔％)   100   100   100   100
 总气体量(摩尔％)   100   100   100   100
 腐蚀速度(/min)   5144   8270   11173   17812
 清洁的均一性(％)   1.4   1.7   2.5   2.7
                              表15
                  实施例
  47   48   49   50
  总的气体流量(sccm)   250   250   250   250
  室压(Pa)   50   80   100   150
  清洗气体成分F2含量(摩尔   100   100   100   100
  ％)
  总气体量(摩尔％)   100   100   100   100
  腐蚀速度(/min)   4468   8733   12406   23590
  清洁的均一性(％)   2   1.2   1.9   3
                              表16
                    实施例
  51   52   53   54   55
  总的气体流量(sccm)   300   300   300   300   300
  室压(Pa)   50   80   100   150   250
  清洗气体成分F2含量(摩尔％)   100   100   100   100   100
  总气体量(摩尔％)   100   100   100   100   100
  腐蚀速度(/min)   5012   9235   10927   18484   29416
  清洁的均一性(％)   1.5   1.3   2.1   2.6   4.1
由结果显见，当F2含量为100％时，即便在实验范围内提高流量或升高压力，清洁的均一性仍很优秀。
对比例17-29和对比例8-13(再次列举)
考虑到腐蚀速度和清洁的均一性，以NF3作为清洗气体并以Ar作为稀释气，在如表17-20所示的条件下测量了NF3与浓度和室压的依赖性。结果显示在表17-20中。
总的气体流量：300sccm
电极温度：    300℃
射频电功率    750W
电极间距：    50mm
放电时间：    30秒
                                    表17
                   对比例
  17   18   19   20   21
  室压(Pa)   100   100   100   100   100
  清洗气体成分   NF3含量(摩尔％)   40   50   80   90   100
  Ar含量(摩尔％)   60   50   20   10   0
  总气体量(摩尔％)   100   100   100   100   100
  腐蚀速度(/min)   8430   10198   12180   13082   13390
  清洁的均一性(％)   0.8   1.6   4.1   14.2   24.8
                         表18
                 对比例
  22   23   24   25
  室压(Pa)   150   150   150   150
  清洗气体成分   NF3含量(摩尔％)   60   70   80   90
  Ar含量(摩尔％)   40   30   20   10
  总气体量(摩尔％)   100   100   100   100
  腐蚀速度(/min)   12594   13779   13574   14389
  清洁的均一性(％)   5.7   21.1   34.6   40.9
                        表19
                 对比例
  26   27   28   29
  室压(Pa)   200   200   200   200
  清洗气体成分   NF3含量(摩尔％)   40   50   60   70
  Ar含量(摩尔％)   60   50   40   30
  总气体量(摩尔％)   100   100   100   100
  腐蚀速度(/min)   12308   14366   15214   14987
  清洁的均一性(％)   3.4   8.2   28.4   38.2
                                 表20
                          对比例
  8   9   10   11   12   13
  室压(Pa)   250   250   250   250   250   250
  清洗气体成分   NF3含量(摩尔％)   10   20   30   40   50   60
  Ar含量(摩尔％)   90   80   70   60   50   40
  总气体量(摩尔％)   100   100   100   100   100   100
  腐蚀速度(/min)   5070   9080   12510   15310   17180   16080
  清洁的均一性(％)   3.3   3.4   3.4   4.1   24   36
由结果显见，当将NF3用作清洗气体时，随着NF3浓度的升高清洁的均一性被严重破坏。此外，随着室压的升高，清洁的均一性也被严重破坏。
实施例34和37(再次列举)以及对比例30和31
以F2或NF3作为清洗气体并以Ar作为稀释气，当F2或NF3浓度为20％体积时，在如表21和20所示的条件下测量了腐蚀速度和清洁均一性与室压的依赖性。结果显示在表21和20中。
总的气体流量：1000sccm
电极温度：    300℃
射频电功率：  750W
电极间距：    50mm
放电时间：    30秒
                   表21
  实施例34   实施例37
  总的气体流量(sccm)   1000   1000
  室压(Pa)   250   400
  清洗气体成分   F2含量(摩尔％)   20   20
  Ar含量(摩尔％)   80   80
  总气体量(摩尔％)   100   100
  腐蚀速度(/min)   9893   13552
  清洁的均一性(％)   3.4   4.8
                     表22
           对比
  实施例30   实施例31
  总的气体流量(sccm)   1000   1000
  室压(Pa)   250   400
  清洗气体成分   F2含量(摩尔％)   20   20
  Ar含量(摩尔％)   80   80
  总气体量(摩尔％)   100   100
  腐蚀速度(/min)   12260   15380
  清洁的均一性(％)   3.7   19.2
由上述结果显见，如果总的气体流量为1000sccm，在使用20％体积的NF3时，当室压由250Pa变为400Pa时清洁的均一性会变坏，但在使用20％体积的氟气时可以保证良好的清洁均一性。
                       工业应用
在本发明中，由于氟气被用作清洗气体，在CVD处理后无需使用CF4、C2F6、SF6、NF3等(它们很可能造成全球变暖)就可高速清洁含硅沉积物，并可以用常规的水涤气器处理废气。因此，进行清洁使可以只排出很少量有温室效应和使全球变暖作用的废气。
此外，即便在总气体流量约为1000sccm和室压约为400Pa时，用氟气和特定量的不能与等离子体中的氟反应的气体的混合气体也可以稳定地产生等离子体。此外腐蚀速度没有降低并可以提供出色的腐蚀速度。另外，例如，即便混合气体含有5-20％体积低浓度的氟气，即便在上述总气体流量和室压条件下仍可以保证清洁的均一性。此外，含有低浓度氟气的混合气体在操作上是比较简单的。
此外，当由100％体积的氟气通过放电产生等离子体并将其用作清洗气体时，即便在高压条件下仍可以得到特别优秀的腐蚀速度，且等离子体可以稳定产生，同时在高压条件下仍可以保证清洁均一性。另外，清洗气体是氟气浓度为100％，则设备不会很复杂且这种清洗气体有优秀的实用性。

Claims (18)

1.用于CVD室的等离子体清洗气体，它含有100％体积的能够通过放电产生等离子体的氟气，并被用于在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上的含硅沉积物。
2.如权利要求1所述的用于CVD室的等离子体清洗气体，其特征在于，含硅沉积物含有至少一种下列物质：
(1)硅，
(2)含有硅以及氧、氮、氟和碳中至少一种的化合物，以及
(3)含有金属硅化物的高熔点化合物。
3.用于CVD室的等离子体清洁方法，这种方法包括，在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后，用由100％体积的氟气通过放电产生的等离子体来清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上含硅沉积物。
4.如权利要求3所述的用于CVD室的等离子体清洁法，其特征在于，含硅沉积物含有至少一种下列物质：
(1)硅，
(2)含有硅以及氧、氮、氟和碳中至少一种的化合物，以及
(3)含有金属硅化物的高熔点化合物。
5.如权利要求3或4所述的用于CVD室的等离子体清洁法，其特征在于，清洁时，等离子体CVD设备的室压为50Pa-1000Pa，在所述等离子体的部分引入氟气的流量为50sccm-1000sccm。
6.如权利要求3所述的用于CVD室的等离子体清洁法，其特征在于，用氟气产生等离子体是在已经引入氟气的等离子体CVD设备的加工室中通过放电进行的。
7.如权利要求4所述的用于CVD室的等离子体清洁法，其特征在于，用氟气产生等离子体是在已经引入氟气的等离子体CVD设备的加工室中通过放电进行的。
8.如权利要求5所述的用于CVD室的等离子体清洁法，其特征在于，用氟气产生等离子体是在已经引入氟气的等离子体CVD设备的加工室中通过放电进行的。
9.用于CVD室的等离子体清洗气体，它由能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与等离子体中的氟反应的气体组成，并被在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上含硅沉积物。
10.如权利要求9所述的用于CVD室的等离子体清洗气体，其特征在于，能够通过放电产生等离子体的氟气的浓度为大于20％体积至小于100％体积，且基本上不能与等离子体中的氟反应的气体的浓度为大于0％体积至不大于80％体积，只要能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与氟反应的气体的总浓度为100％体积即可。
11.如权利要求9所述的用于CVD室的等离子体清洗气体，其特征在于，能够通过放电产生等离子体的氟气的浓度为大于30％体积至小于100％体积，且基本上不能与等离子体中的氟反应的气体的浓度为大于0％体积至不大于70％体积，只要能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与氟反应的气体的总浓度为100％体积即可。
12.如权利要求9-11任一所述的用于CVD室的等离子体清洗气体，其特征在于，基本上不能与等离子体中的氟反应的气体是至少一种选自氮气、氧气、二氧化碳、N2O、干燥空气、氩气、氦气和氖气的气体。
13.用于CVD室的等离子体清洁方法，这种方法包括，在用等离子体CVD设备在基材上进行成膜处理后，用由能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与等离子体中的氟反应的气体组成的用于等离子体CVD室的等离子体清洗气体清洁CVD室内壁表面和置于CVD室中的部件表面上含硅沉积物。
14.如权利要求13所述的用于CVD室的等离子体清洁法，其特征在于，能够通过放电产生等离子体的氟气的浓度为大于20％体积至小于100％体积，且基本上不能与等离子体中的氟反应的气体的浓度为大于0％体积至不大于80％体积，只要能够通过放电产生等离子体的氟气和基本上不能与氟反应的气体的总浓度为100％体积即可。
15.如权利要求13或14所述的用于CVD室的等离子体清洁法，其特征在于，清洁时，等离子体CVD设备的室压为50Pa-1000Pa，氟气的流量为50sccm-1000sccm。
16.如权利要求13所述的用于CVD室的等离子体清洁法，其特征在于，用氟气产生等离子体是在已经引入氟气的等离子体CVD设备的加工室中通过放电进行的。
17.如权利要求14所述的用于CVD室的等离子体清洁法，其特征在于，用氟气产生等离子体是在已经引入氟气的等离子体CVD设备的加工室中通过放电进行的。
18.如权利要求15所述的用于CVD室的等离子体清洁法，其特征在于，用氟气产生等离子体是在已经引入氟气的等离子体CVD设备的加工室中通过放电进行的。
CNB028028430A 2001-08-30 2002-08-26 等离子体清洗气体和等离子体清洁方法 Expired - Lifetime CN1271690C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP261484/2001 2001-08-30
JP2001261484 2001-08-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1526159A CN1526159A (zh) 2004-09-01
CN1271690C true CN1271690C (zh) 2006-08-23

Family

ID=19088525

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB028028430A Expired - Lifetime CN1271690C (zh) 2001-08-30 2002-08-26 等离子体清洗气体和等离子体清洁方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7322368B2 (zh)
EP (1) EP1437768B1 (zh)
KR (1) KR100682042B1 (zh)
CN (1) CN1271690C (zh)
DE (1) DE60237380D1 (zh)
TW (1) TW583736B (zh)
WO (1) WO2003021653A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103068724A (zh) * 2010-07-05 2013-04-24 索尔维公司 氟容器

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7112546B2 (en) * 2003-09-02 2006-09-26 Texas Instruments Incorporated Method of manufacturing semiconductor devices comprising a deposition tool cleaning process having a moving plasma zone
US7737382B2 (en) * 2004-04-01 2010-06-15 Lincoln Global, Inc. Device for processing welding wire
US20060016459A1 (en) * 2004-05-12 2006-01-26 Mcfarlane Graham High rate etching using high pressure F2 plasma with argon dilution
JP4178414B2 (ja) * 2004-12-27 2008-11-12 セイコーエプソン株式会社 強誘電体膜、強誘電体キャパシタおよび強誘電体メモリ
US20070028944A1 (en) * 2005-08-02 2007-02-08 Sawin Herbert H Method of using NF3 for removing surface deposits
RU2008108013A (ru) * 2005-08-02 2009-09-10 Массачусетс Инститьют Оф Текнолоджи (Us) Способ удаления поверхностных отложений и пассивирования внутренних поверхностей реактора химического осаждения из паровой фазы
US20090047447A1 (en) * 2005-08-02 2009-02-19 Sawin Herbert H Method for removing surface deposits and passivating interior surfaces of the interior of a chemical vapor deposition reactor
WO2007026762A1 (ja) * 2005-08-31 2007-03-08 Tokyo Electron Limited クリーニング方法
EP2007923B1 (en) * 2006-04-10 2017-07-19 Solvay Fluor GmbH Etching process
CN101466873B (zh) * 2006-04-10 2012-09-26 苏威氟有限公司 蚀刻方法
US20080236483A1 (en) * 2007-03-27 2008-10-02 Jun Sonobe Method for low temperature thermal cleaning
US8308871B2 (en) * 2008-11-26 2012-11-13 L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Thermal cleaning gas production and supply system
KR20120098751A (ko) * 2009-10-26 2012-09-05 솔베이 플루오르 게엠베하 Ｔｆｔ 매트릭스 제조를 위한 식각 공정
KR101107077B1 (ko) * 2010-06-10 2012-01-20 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 세정 장치
KR20140022717A (ko) * 2010-08-25 2014-02-25 린데 악티엔게젤샤프트 불소 분자를 사용한 화학 증착 챔버 세정 방법
EP2871669A1 (en) * 2013-11-07 2015-05-13 Solvay SA Gas mixture and gas transportation vessel therefor
US20150187562A1 (en) * 2013-12-27 2015-07-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Abatement water flow control system and operation method thereof
CN111593327B (zh) * 2020-06-30 2022-08-19 度亘激光技术（苏州）有限公司 一种mocvd设备清洁方法
CN114752918B (zh) * 2021-01-08 2024-06-04 江苏鲁汶仪器股份有限公司 一种腔室的清洗方法
JP7393409B2 (ja) * 2021-12-24 2023-12-06 株式会社Kokusai Electric クリーニング方法、半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置
CN115491658B (zh) * 2022-09-26 2024-03-12 江苏筑磊电子科技有限公司 一种使用等离子中解离的f2进行cvd室清洁的方法
CN117732818B (zh) * 2024-02-20 2024-06-21 威海市正威机械设备股份有限公司 一种反应容器的清洁系统及方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2890493B2 (ja) 1989-07-10 1999-05-17 ソニー株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2746448B2 (ja) * 1990-02-07 1998-05-06 セントラル硝子株式会社 混合ガス組成物
US5425842A (en) 1992-06-09 1995-06-20 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing a semiconductor device using a chemical vapour deposition process with plasma cleaning of the reactor chamber
JPH0864559A (ja) * 1994-06-14 1996-03-08 Fsi Internatl Inc 基板面から不要な物質を除去する方法
JP3571404B2 (ja) * 1995-03-03 2004-09-29 アネルバ株式会社 プラズマｃｖｄ装置及びその場クリーニング後処理方法
JP3485290B2 (ja) * 1996-03-15 2004-01-13 和夫 杉山 物質表面の有機物の除去方法
JPH1012593A (ja) 1996-06-20 1998-01-16 Hitachi Ltd 半導体製造装置のクリーニング方法
US6626185B2 (en) 1996-06-28 2003-09-30 Lam Research Corporation Method of depositing a silicon containing layer on a semiconductor substrate
JPH1072672A (ja) 1996-07-09 1998-03-17 Applied Materials Inc 非プラズマ式チャンバクリーニング法
US20030010354A1 (en) * 2000-03-27 2003-01-16 Applied Materials, Inc. Fluorine process for cleaning semiconductor process chamber
DE10029523A1 (de) 2000-06-21 2002-01-10 Messer Griesheim Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen eines PVD- oder CVD-Reaktors sowie von Abgasleitungen desselben
JP2002198357A (ja) * 2000-12-27 2002-07-12 Showa Denko Kk 半導体製造装置のクリーニングガス及びクリーニング方法
US6569257B1 (en) * 2000-11-09 2003-05-27 Applied Materials Inc. Method for cleaning a process chamber
US6843258B2 (en) * 2000-12-19 2005-01-18 Applied Materials, Inc. On-site cleaning gas generation for process chamber cleaning
JP4791637B2 (ja) 2001-01-22 2011-10-12 キヤノンアネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置とこれを用いた処理方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103068724A (zh) * 2010-07-05 2013-04-24 索尔维公司 氟容器

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030051745A (ko) 2003-06-25
EP1437768A1 (en) 2004-07-14
WO2003021653A1 (en) 2003-03-13
CN1526159A (zh) 2004-09-01
KR100682042B1 (ko) 2007-02-15
TW583736B (en) 2004-04-11
EP1437768A4 (en) 2007-03-21
US7322368B2 (en) 2008-01-29
DE60237380D1 (de) 2010-09-30
US20040016441A1 (en) 2004-01-29
EP1437768B1 (en) 2010-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1271690C (zh) 等离子体清洗气体和等离子体清洁方法
CN1290157C (zh) 化学气相沉积设备以及化学气相沉积设备的清洗方法
TWI674617B (zh) 用於在電漿清潔製程之後執行電漿處理製程的方法
CN100454496C (zh) 清洗衬底表面的方法
WO2002078073A1 (en) Method of cleaning cvd device and cleaning device therefor
CN1725442A (zh) 氮化钛去除方法
CN1539159A (zh) 薄膜形成装置的洗净方法
CN1837404A (zh) 成膜装置和成膜方法
CN1119385C (zh) 去除沉积物的气体和使用该气体的去除方法
CN1638028A (zh) 蚀刻高介电常数材料和清洗用于高介电常数材料的沉积室的方法
CN1579011A (zh) Cvd设备以及使用cvd设备清洗cvd设备的方法
CN1724706A (zh) 提高氟利用率的方法
CN1579010A (zh) Cvd设备以及使用所述cvd设备清洗所述cvd设备的方法
CN101048853A (zh) 用于膜形成的前驱体和用于形成含钌膜的方法
CN1214444C (zh) 用于半导体生产设备的净化气
CN1706031A (zh) 基板处理装置
CN1908228A (zh) 形成含硅的绝缘膜的方法和装置
TW200527531A (en) Cleaning CVD chambers following deposition of porogen-containing materials
CN1208247A (zh) 生成加氟绝缘薄膜的方法
CN1922102A (zh) 用于制备含f2气体的方法和装置以及用于制品表面改性的方法和装置
TW200536953A (en) Low temperature CVD chamber cleaning using dilute NF3
CN1645569A (zh) 使用具有Si－Si键的含有机Si化合物形成含Si薄膜的方法
JP5214316B2 (ja) プラズマ成膜装置のクリーニング方法
TWI477485B (zh) 原位產生碳醯氟化物或其任何變異體之分子蝕刻劑之方法及其應用
CN1592798A (zh) 用于半导体制造设备的清洁气体以及使用该气体的清洁方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: ASAHI GLASS CO., LTD.; CANON ANELVA CO., LTD.; CO

Free format text: FORMER OWNER: INCORPORATED FOUNDATION EARTH'S ENVIRONMENT OF INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTES; INDEPENDENT ADMINISTRATIVE INSTITUTION OF INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE

Effective date: 20060922

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20060922

Address after: Tokyo, Japan

Co-patentee after: Nikon Canon Annewa Co.,Ltd.

Patentee after: ASAHI GLASS Co.,Ltd.

Co-patentee after: ULVAC, Inc.

Co-patentee after: KANTO DENKA KOGYO CO.,LTD.

Co-patentee after: Sanyo Electric Co.,Ltd.

Co-patentee after: SHOWA DENKO Kabushiki Kaisha

Address before: Kyoto Japan

Co-patentee before: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

Patentee before: Research Institute of Innovative Technology For the Earth

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20191105

Address after: Tokyo, Japan

Co-patentee after: Nikon Canon Annewa Co.,Ltd.

Patentee after: ASAHI GLASS Co.,Ltd.

Co-patentee after: Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.

Co-patentee after: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

Co-patentee after: ULVAC, Inc.

Co-patentee after: KANTO DENKA KOGYO CO.,LTD.

Co-patentee after: Sanyo Electric Co.,Ltd.

Co-patentee after: SHOWA DENKO Kabushiki Kaisha

Co-patentee after: Sony Corp.

Co-patentee after: DAIKIN INDUSTRIES, Ltd.

Co-patentee after: Tokyo Electron Ltd.

Co-patentee after: KOKUSAI ELECTRIC Corp.

Address before: Tokyo, Japan

Co-patentee before: Nikon Canon Annewa Co.,Ltd.

Patentee before: ASAHI GLASS Co.,Ltd.

Co-patentee before: Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.

Co-patentee before: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

Co-patentee before: ULVAC, Inc.

Co-patentee before: KANTO DENKA KOGYO CO.,LTD.

Co-patentee before: Sanyo Electric Co.,Ltd.

Co-patentee before: SHOWA DENKO Kabushiki Kaisha

Co-patentee before: Sony Corp.

Co-patentee before: DAIKIN INDUSTRIES, Ltd.

Co-patentee before: Tokyo Electron Ltd.

Co-patentee before: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC Inc.

TR01 Transfer of patent right
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Tokyo, Japan

Co-patentee after: Nikon Canon Annewa Co.,Ltd.

Patentee after: ASAHI GLASS Co.,Ltd.

Co-patentee after: Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.

Co-patentee after: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

Co-patentee after: ULVAC, Inc.

Co-patentee after: KANTO DENKA KOGYO CO.,LTD.

Co-patentee after: Sanyo Electric Co.,Ltd.

Co-patentee after: SHOWA DENKO Kabushiki Kaisha

Co-patentee after: Sony Corp.

Co-patentee after: DAIKIN INDUSTRIES, Ltd.

Co-patentee after: Tokyo Electron Ltd.

Co-patentee after: KOKUSAI ELECTRIC Corp.

Address before: Tokyo, Japan

Co-patentee before: Nikon Canon Annewa Co.,Ltd.

Patentee before: ASAHI GLASS Co.,Ltd.

Co-patentee before: Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.

Co-patentee before: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

Co-patentee before: ULVAC, Inc.

Co-patentee before: KANTO DENKA KOGYO CO.,LTD.

Co-patentee before: Sanyo Electric Co.,Ltd.

Co-patentee before: SHOWA DENKO Kabushiki Kaisha

Co-patentee before: Sony Corp.

Co-patentee before: DAIKIN INDUSTRIES, Ltd.

Co-patentee before: Tokyo Electron Ltd.

Co-patentee before: KOKUSAI ELECTRIC Corp.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20060823

CX01 Expiry of patent term