CN113005400A - 吸附装置和蒸镀设备 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种吸附装置和蒸镀设备，所述吸附装置用于蒸镀设备，其中，吸附装置包括：底座；驱动机构，与所述底座连接，并且能够驱动所述底座沿指定方向移动；吸附器件，设于所述底座；所述吸附器件具有中心磁体和多个环形的周边磁体，各所述周边磁体均环绕所述中心磁体设置，且依次向远离所述中心磁体的方向间隔分布。该吸附装置能够解决掩模板不易被吸附平整的问题，从而降低蒸镀过程中的混色风险，进而提高蒸镀良率。

Description

吸附装置和蒸镀设备

技术领域

本公开涉及蒸镀设备制造技术领域，尤其涉及一种吸附装置和蒸镀设备。

背景技术

目前，在蒸镀设备制造技术领域中，如图1和图2所示，现有的吸附器件通常由多个依次间隔排列的多个柱形磁体1构成。但是，如图3和图4所示，由于掩模板2受重力影响下垂程度不同，使用多个依次间隔排列的柱形磁体1时不能够使掩模板2处处均被吸附平整，从而出现混色的问题，进而影响蒸镀良率。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种吸附装置和蒸镀设备，能够解决掩模板不易被吸附平整的问题，从而降低蒸镀时的混色风险，进而提高蒸镀良率。

本公开第一方面提供了一种吸附装置，用于蒸镀设备，包括：

底座；

驱动机构，与所述底座连接，并且能够驱动所述底座沿指定方向移动；

吸附器件，设于所述底座；所述吸附器件具有中心磁体和多个环形的周边磁体，各所述周边磁体均环绕所述中心磁体设置，且依次向远离所述中心磁体的方向间隔分布。

在本公开的一种示例性实施例中，在任意相邻的两个所述周边磁体中，靠近所述中心磁体的所述周边磁体在第一方向上的宽度大于远离所述中心磁体的所述周边磁体在第一方向上的宽度；

所述中心磁体在第一方向上的宽度大于任意所述周边磁体在第一方向上的宽度；

其中，所述第一方向为由所述中心磁体的中心点指向所述周边磁体的方向。

在本公开的一种示例性实施例中，相邻的两个所述周边磁体在第一方向上的宽度具有第一差值，且任意相邻的两个所述周边磁体的所述第一差值相等；

所述中心磁体与所述中心磁体相邻的所述周边磁体在第一方向上的宽度具有第二差值，所述第二差值与所述第一差值相等。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一差值的取值范围为0.5mm～2mm。

在本公开的一种示例性实施例中，在第一方向上，相邻的两个所述周边磁体的外周面之间具有第一距离，且任意相邻的两个所述周边磁体的第一距离相等；

在第一方向上，所述中心磁体的外周面与所述中心磁体相邻的所述周边磁体的外周面之间具有第二距离，所述第二距离与所述第一距离相等。

在本公开的一种示例性实施例中，任意相邻的两个所述周边磁体的磁极的极性相反；

且所述中心磁体的磁极的极性与所述中心磁体相邻的所述周边磁体的磁极的磁性相反。

在本公开的一种示例性实施例中，所述周边磁体具有多个沿环形轨迹分布的磁体单元，且同一个所述周边磁体的各所述磁体单元的磁极的极性相同。

在本公开的一种示例性实施例中，所述底座上设置有中心凹槽和多个环形的周边凹槽，所述周边凹槽的数量与所述周边磁体的数量相同且多个所述周边凹槽与多个所述周边磁体一一对应；

所述中心磁体位于所述中心凹槽内并通过所述中心凹槽固定，每个所述周边磁体位于与其对应的所述周边凹槽内并通过所述周边凹槽固定。

在本公开的一种示例性实施例中，各所述周边磁体在第一方向上的宽度和所述中心磁体在第一方向上的宽度相同；

在第一方向上，相邻两个所述周边磁体的外周面之间均具有第三距离，且任意相邻的两个所述周边磁体的第三距离不同，且所述第三距离在所述第一方向上逐渐增加；

在第一方向上，所述中心磁体的外周面与所述中心磁体相邻的所述周边磁体的外周面之间具有第四距离，所述第四距离小于所述第三距离；

其中，所述第一方向为由所述中心磁体指向所述周边磁体的方向。

本公开第二方面提供了一种蒸镀设备，包括：

支撑台，所述支撑台用于放置掩模板；

吸附装置，所述吸附装置为上述任意一项所述的吸附装置，用于吸附所述掩模板；

其中，所述驱动机构能够驱动所述底座沿靠近所述支撑台或者远离所述支撑台的方向移动。

本公开提供的技术方案可以达到以下有益效果：

本公开所提供的吸附装置具有底座和与底座连接的驱动机构，从而能够使得驱动机构驱动底座沿指定方向移动。又由于吸附器件设置于底座上，从而吸附器件也能够在驱动机构的驱动下沿指定方向移动。因此，能够通过吸附器件的移动来吸附和放开掩模板。

另外，该吸附器件具有中心磁体和多个环形的周边磁体，各周边磁体均环绕中心磁体设置，且依次向远离中心磁体的方向间隔分布。因此，该吸附器件的能够产生环形磁场，并且能够使得该吸附器件中心的磁力较大，从而能够防止掩模板的中心下垂，进而能够使得掩模板在吸附器件的吸附下平整。也就因此，本申请提供的吸附装置能够降低蒸镀过程中的混色风险，并能够减轻掩模板和基板的损坏，从而提高蒸镀的良率。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了现有技术的吸附器件的结构示意图；

图2示出了图1中A-A截面的结构示意图；

图3示出了利用现有技术的吸附器件吸附掩模板的效果示意图；

图4示出了图3中B-B截面的结构示意图；

图5示出了根据本公开一实施例的吸附器件的结构示意图；

图6示出了图5中C-C截面的结构示意图；

图7示出了根据本公开的吸附器件的磁场与现有技术吸附器件的磁场的数据对比示意图；

图8示出了根据本公开一实施例的吸附器件吸附掩模板的效果示意图；

图9示出了图8中D-D截面的结构示意图；

图10示出了根据本公开另一实施例的吸附器件的结构示意图；

图11示出了根据本公开又一实施例的吸附器件的结构示意图；

图12示出了根据本公开再一实施例的吸附器件的结构示意图。

附图标记说明：

1、柱形磁体；2、掩模板；3、吸附器件；4、框架结构；31、中心磁体；32、周边磁体；321、磁体单元。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。

另外，在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。

用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。

需要说明的是，虽然术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种部件、构件、元件、区域、层和/或部分，但是这些部件、构件、元件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。而是，这些术语用于将一个部件、构件、元件、区域、层和/或部分与另一个相区分。

本公开第一方面提供了一种吸附装置，如图5～6和8～12所示，该吸附装置能够降低蒸镀过程中的混色概率，并能够减轻掩模板2和基板的损坏，从而提高蒸镀的良率。

该吸附装置可以包括：底座、驱动机构和吸附器件3。其中，该底座的材料可以为金属材料，但不限于此，也可以为塑料等材料，本公开对此不作限定。另外，本公开对底座的形状也不做限定，可以根据蒸镀设备具体的形状设置。举例而言，该底座可以为金属遮罩，但不限于此，也可以为其他蒸镀设备中的结构。

上述吸附器件3可以设置在底座上，如图5和6所示，并且该吸附器件3可以具有中心磁体31和多个环形的周边磁体32，各周边磁体32均可以环绕中心磁体31设置，且各周边磁体32均依次向远离中心磁体31的方向间隔分布。该中心磁体31和周边磁体32可以为永磁体，但不限于此。通过该吸附器件3，能够通过磁力将掩模板吸附，从而使得掩模板能够与掩模板上覆盖的基板贴合。

同时，由于该吸附器件3具有中心磁体31和环绕其设置的多个环形的周边磁体32，从而使得该吸附器件3具有环形磁场，从而相对于依次排列的柱形磁体1产生的磁场来说，环形磁场的影响范围更大，从而使得掩模板受到的磁力范围更大，进而更容易使得掩模板平整。

进一步的，如图8和图9所示，由于本公开提供的吸附器件3具有环形磁场，从而使得吸附器件3中心的磁场相较于其他地方较大，也就使得掩模板中心不会产生下垂，从而更进一步地使得掩模板平整。

如图5所示，在任意相邻的两个周边磁体32中，靠近中心磁体31的周边磁体32在第一方向X上的宽度d大于远离中心磁体31的周边磁体32在第一方向X上的宽度d。同时中心磁体31在第一方向X上的宽度d大于任意周边磁体32在第一方向X上的宽度d。

其中，第一方向X可以为由中心磁体31的中心点指向周边磁体32的方向，可以理解的是，该第一方向X可以穿过中心磁体31的中心点，并指向远离中心磁体31的方向，但不限于此，该第一方向X也可以不穿过中心磁体31的中心点，可以根据实际需要设置。

需要说明的是，此处所说的周边磁体32的宽度d，即为周边磁体32在第一方向X上内壁与外壁之间的距离；此处所说的中心磁体31的宽度d，即为中心磁体31的中心点沿第一方向X与中心磁体31的外壁之间的距离。

由于本公开所用的中心磁体31和周边磁体32为永磁体，通常来说，永磁体在厚度相同的情况下，宽度d越宽的永磁体的磁力越大。因此，本公开通过将任意相邻的两个周边磁体32中靠近中心磁体31的周边磁体32在第一方向X上的宽度d大于远离中心磁体31的周边磁体32在第一方向X上的宽度d，并且使得中心磁体31在第一方向X上的宽度d大于任意周边磁体32在第一方向X上的宽度d，从而使得吸附器件3的磁力有吸附器件3的外围向中心点进一步逐渐增大，从而进一步保证了掩模板的中心不会产生下垂的问题。

同时，由于吸附器件3的磁力在第一方向X上逐渐减少，从而防止由于吸附器件3对掩模板周边区域的磁力过大而造成掩模板和基板的损坏问题。

在本公开的一个实施例中，在所有周边磁体32中，离中心磁体31最远的周边磁体32的宽度d可以为5～10mm，例如：5mm、6mm、7mm、8mm、9mm、10mm，但不限于此，离中心磁体31最远的周边磁体32的宽度d也可以为其他数值。可以理解的是，当吸附器件3需要更大的磁力时，可以将周边磁体32和中心磁体31的宽度d设置的更大；当吸附器件3需要较小的磁力时，可以将周边磁体32和中心磁体31的宽度d设置的小一些。从而，本公开可以根据实际需要任意调整设置磁体的宽度d值。

在本公开的一个实施例中，相邻的两个周边磁体32在第一方向X上的宽度d可以具有第一差值，且任意相邻的两个周边磁体32的第一差值可以相等。并且，中心磁体31与中心磁体31相邻的周边磁体32在第一方向X上的宽度d可以具有第二差值。其中，第二差值可以与第一差值相等。本公开通过使得相邻两个磁体之间的宽度d差值相等，能够使得吸附器件3中的中心磁体31以及各个周边磁体32的磁场沿第一方向X均匀递减，从而使得吸附器件3中的各个位置的磁力较为均匀，从而能够进一步的防止掩模板2和基板的损坏。

具体地，如图7所示为本公开提供的吸附器件3与现有技术的吸附器件3所产生的磁场的数据对比图，其中实线表示本公开提供的吸附器件3所产生的磁场、虚线表示现有技术的吸附器件3所产生的磁场。从而，能够从图7中明显看出，现有技术中的吸附器件3处处产生的磁场相同，从而无法克服掩模板2中心下垂的问题。而本公开所提供的吸附器件3在中心位置具有较高的磁场，从而能够防止掩模板2中心下垂的问题。

在本公开的一个实施例中，第一差值的取值范围可以为0.5mm～2mm之间，即第二差值的取值范围也可以为0.5mm～2mm之间。举例而言，第一差值可以为0.5mm、0.8mm、1.1mm、1.4mm、1.7mm、2mm等，第二差值也可以为0.5mm、0.8mm、1.1mm、1.4mm、1.7mm、2mm等。

进一步的，在第一方向X上，相邻的两个周边磁体32的外周面之间具有第一距离L，且任意相邻的两个周边磁体32的第一距离L相等。并且，在第一方向X上，中心磁体31的外周面与中心磁体31相邻的周边磁体32的外周面之间具有第二距离l，该第二距离l可以与上述第一距离L相等，可以理解的是，该吸附器件3中的各个磁体之间的距离均相等。

通过将吸附器件3中的各个磁体之间的距离均设置为相等的距离，能够进一步的使得吸附器件3的磁力能够由吸附器件3的中心沿第一方向X非常均匀的减少，也就能够更进一步地使得掩模板被吸附的更加平整，且更进一步地使得掩模板的受力更加均匀，也就因此更有利于保护掩模板和基板。

在本公开的一个实施例中，第一距离L的取值范围可以为15mm～25mm之间，第二距离l的取值范围也可以为15mm～25mm之间，但不限于此，第一距离L和第二距离l的取值也可以不在上述取值范围内，均可以根据实际需要设置。即：当吸附器件3需要较小的磁力变化梯度时，可以将第一距离L和第二距离l设置的较短；当吸附器件3需要较大的磁力变化梯度时，也可以将第一距离L和第二距离l适当的延长，这均在本公开的保护范围之内。

在本公开的另一个实施例中，各周边磁体32在第一方向X上的宽度d可以和中心磁体31在第一方向X上的宽度d相同。在第一方向X上，相邻两个周边磁体32的外周面均可以具有第三距离，且任意相邻的两个周边磁体32的第三距离不同，同时第三距离可以在第一方向X上逐渐增加。另外，在第一方向X上，中心磁体31的外周面与中心磁体31相邻的周边磁体32的外周面之间具有第四距离，该第四距离小于第三距离。可以理解的是，在第一方向X上，中心磁体31的外周面与中心磁体31相邻的周边磁体32的外周面之间的距离小于任意相邻的两个周边磁体32的外周面之间的距离。

由于各磁体在第一方向X上的宽度d均相同，通过将使各磁体之间的距离在第一方向X上逐渐增加，从而保证吸附器件3中心的磁力大，从而防止掩模板2的中心下垂。并且，本公开通过该设置方式还能够使得吸附器件3其他区域的磁力小，从而防止掩模板2和基板由于吸附器件3磁力过大而发生损坏。

在本公开的一个实施例中，第三距离在第一方向X上的数值均匀增加，并且最小的第三距离与第四距离之间的差值与第三距离在第一方向X上均匀增加的数值相同。从而，本申请能够使得吸附器件3的磁力在第一方向X上均匀的变化，进而更进一步地使得掩模板的受力均匀，也就使得掩模板被吸附的更加平整。同时，能够进一步的防止掩模板2和基板由于吸附器件3磁力变化不均匀而发生损坏

在本公开的一个实施例中，如图5～6以及图10～11所示，环形的周边磁体32的横截面可以为圆形环、椭圆形环、矩形环等，可以根据实际需要设置。中心磁体31的横截面的形状可以为圆形、椭圆形、矩形等，同样也可以根据实际需要设置，本公开对此不做限定。

进一步的，为了保证吸附器件3的吸附效果更好，当环形的周边磁体32的横截面为圆形环时，中心磁体31的横截面形状可以为圆形；当环形的周边磁体32的横截面为椭圆环时，中心磁体31的横截面的形状可以为椭圆形；当环形的周边磁体32的横截面为矩形环时，中心磁体31的横截面的形状可以为矩形。

除此之外，每个环形的周边磁体32和中心磁体31的厚度均可以相同，且环形的周边磁体32和中心磁体31在厚度方向上截面的形状均可以为矩形，但不限于此，也可以为其他形状，本公开对此不做限定。

在本公开的一个实施例中，任意相邻的两个周边磁体32的磁极的极性可以相反，且中心磁体31的磁极的极性与中心磁体31相邻的周边磁体32的磁极的磁性可以相反。需要说明的是，中心磁体31和每个周边磁体32均可以具有N极以及S极，因此相邻的两个周边磁体32的磁极的极性相反可以理解为，相邻的两个周边磁体32中，一个周边磁体32的磁极的极性在第二方向上可以依次为N极和S极，另一个周边磁体32的磁极的极性在第二方向上可以依次为S极和N极，从而保证多个周边磁体32的磁极的极性可以交替设置。

另外，中心磁体31的磁极的极性与中心磁体31相邻的周边磁体32的磁极的极性相反可以理解为：中心磁体31的磁极的极性在第二方向上可以依次为N极和S极，与中心磁体31相邻的周边磁体32的磁极的极性在第二方向上可以依次为S极和N极。但不限于此，本公开对中心磁体31和各周边磁体32的磁极的极性排列方式不做限定，例如中心磁体31的磁极的极性在第二方向上也可以依次为S和N极，只要保证相邻的两个磁体的磁极的极性相反即可。其中，上述第二方向可以为由中心磁体31指向底座的方向。

通过使任意相邻的两个周边磁体32的磁极的极性相反，并且使得中心磁体31的磁极的极性与中心磁体31相邻的周边磁体32的磁极的极性相反，能够防止相邻的两个周边磁体32以及中心磁体31和与其相邻的周边磁体32之间发生磁场互斥和抵消现象，从而保证了吸附器件3具有良好的吸附性能。

在本公开的一个实施例中，如图12所示，周边磁体32可以具有多个沿环形轨迹分布的磁体单元321，且同一个周边磁体32的各磁体单元321的磁极的极性相同。可以理解的是，在同一个周边磁体32中各个磁体单元321的磁极的极性在第二方向上可以均依次为N极和S极或者S极和N极。另外，在同一个周边磁体32中，各个磁体单元321之间也可以具有间隙。

在本公开的一个实施例中，底座上可以设置中心凹槽和多个环形的周边凹槽。其中，多个环形的周边凹槽可以环绕中心凹槽设置，并且依次向远离中心凹槽的方向间隔设置。

另外，周边凹槽的数量可以与周边磁体32的数量相同，且多个周边凹槽与多个周边磁体32一一对应。需要说明的是，此处所说的一一对应指的是，每一个尺寸的周边磁体32均有一个与其尺寸相对应的周边凹槽，且该周边凹槽所处的位置与该周边磁体32在吸附器件3中的位置相同。

进一步的，中心磁体31可以位于中心凹槽内，并通过中心凹槽固定。每个周边磁体32均可以位于与其对应的周边凹槽内，并通过周边凹槽固定。本公开通过设置中心凹槽和周边凹槽，能够对中心磁体31和周边磁体32的位置进行限定，防止中心磁体31和周边磁体32发生位移，从而能够显著提高蒸镀的良率。

上述驱动机构可以与底座连接，并且能够驱动底座沿指定方向移动。需要说明的是，此处所说的指定方向可以为靠近掩模板或者远离掩模板的方向，但不限于此，可以根据实际需要设定该指定方向。

进一步的，驱动机构可以与底座远离磁体的一侧连接，也可以与底座的侧面连接。同时，本公开对驱动机构的形式不做限定，可以根据实际需要设置，只要能够驱动底座向指定方向移动即可。

本公开第二方面提供了一种蒸镀设备，该蒸镀设备能够降低蒸镀过程中的混色概率，并能够减轻掩模板2和基板的损坏，从而提高蒸镀的良率。

具体地，该蒸镀设备可以包括：支撑台和吸附装置。其中，支撑台可以用于放置掩模板2，且支撑台的中心可以具有通孔；吸附装置可以为上述所述的吸附装置，用于吸附放置于支撑台上的掩模板2。其中，吸附装置中的驱动机构能够驱动底座沿靠近支撑台或者远离支撑台的方向移动。

进一步的，在支撑台上与掩模板之间，还可以设置承载框架结构4，该框架结构4中心也可以具有通孔。另外，在支撑台远离吸附装置的一侧设置有蒸镀源，以用于蒸镀基板。

因此，当需要对基板进行蒸镀时，可以先将掩模板放置在支撑台上，并将基板覆盖在掩模板上。随后利用驱动装置驱动底座向靠近支撑台的方向移动，从而使得掩模板靠近吸附器件3的磁场，并受到吸附器件3的磁力作用而平整的吸附在基板上。并打开蒸镀源对基板进行蒸镀。当蒸镀完成后，可以利用驱动装置驱动底座向远离支撑台的方向移动，从而使得掩模板脱离吸附器件3的磁场，此时掩模板也就不会受到吸附器件3的磁力作用，进而与基板分离。此时可以将蒸镀好的基板和掩模板分别取出，从而完成了整个蒸镀的过程。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (10)

1.一种吸附装置，用于蒸镀设备，其特征在于，包括：

底座；

驱动机构，与所述底座连接，并且能够驱动所述底座沿指定方向移动；

吸附器件，设于所述底座；所述吸附器件具有中心磁体和多个环形的周边磁体，各所述周边磁体均环绕所述中心磁体设置，且依次向远离所述中心磁体的方向间隔分布。

2.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，

在任意相邻的两个所述周边磁体中，靠近所述中心磁体的所述周边磁体在第一方向上的宽度大于远离所述中心磁体的所述周边磁体在第一方向上的宽度；

所述中心磁体在第一方向上的宽度大于任意所述周边磁体在第一方向上的宽度；

其中，所述第一方向为由所述中心磁体的中心点指向所述周边磁体的方向。

3.根据权利要求2所述的吸附装置，其特征在于，

相邻的两个所述周边磁体在第一方向上的宽度具有第一差值，且任意相邻的两个所述周边磁体的所述第一差值相等；

所述中心磁体与所述中心磁体相邻的所述周边磁体在第一方向上的宽度具有第二差值，所述第二差值与所述第一差值相等。

4.根据权利要求3所述的吸附装置，其特征在于，所述第一差值的取值范围为0.5mm～2mm。

5.根据权利要求2所述吸附装置，其特征在于，

在第一方向上，相邻的两个所述周边磁体的外周面之间具有第一距离，且任意相邻的两个所述周边磁体的第一距离相等；

在第一方向上，所述中心磁体的外周面与所述中心磁体相邻的所述周边磁体的外周面之间具有第二距离，所述第二距离与所述第一距离相等。

6.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，任意相邻的两个所述周边磁体的磁极的极性相反；

且所述中心磁体的磁极的极性与所述中心磁体相邻的所述周边磁体的磁极的磁性相反。

7.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，所述周边磁体具有多个沿环形轨迹分布的磁体单元，且同一个所述周边磁体的各所述磁体单元的磁极的极性相同。

8.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，

所述底座上设置有中心凹槽和多个环形的周边凹槽，所述周边凹槽的数量与所述周边磁体的数量相同且多个所述周边凹槽与多个所述周边磁体一一对应；

所述中心磁体位于所述中心凹槽内并通过所述中心凹槽固定，每个所述周边磁体位于与其对应的所述周边凹槽内并通过所述周边凹槽固定。

9.根据权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，

各所述周边磁体在第一方向上的宽度和所述中心磁体在第一方向上的宽度相同；

在第一方向上，相邻两个所述周边磁体的外周面之间均具有第三距离，且任意相邻的两个所述周边磁体的第三距离不同，且所述第三距离在所述第一方向上逐渐增加；

在第一方向上，所述中心磁体的外周面与所述中心磁体相邻的所述周边磁体的外周面之间具有第四距离，所述第四距离小于所述第三距离；

其中，所述第一方向为由所述中心磁体指向所述周边磁体的方向。

10.一种蒸镀设备，其特征在于，包括：

支撑台，所述支撑台用于放置掩模板；

吸附装置，所述吸附装置为上述权利要求1～9任意一项所述的吸附装置，用于吸附所述掩模板；

其中，所述驱动机构能够驱动所述底座沿靠近所述支撑台或者远离所述支撑台的方向移动。

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