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CN112825303A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

基板处理装置和基板处理方法 Download PDF

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CN112825303A CN202011258884.2A CN202011258884A CN112825303A CN 112825303 A CN112825303 A CN 112825303A CN 202011258884 A CN202011258884 A CN 202011258884A CN 112825303 A CN112825303 A CN 112825303A
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Abstract

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。能够减少基板处理装置的动作且缩短基板处理所花费的时间。基板处理装置具备：保持部，保持基板；液供给部，对由保持部保持的状态下的基板的主表面按顺序供给第1处理液和不同于第1处理液的第2处理液；摩擦体，在第1处理液和第2处理液的供给过程中，与基板的主表面接触并摩擦主表面；移动部，使摩擦体在基板的主表面处的接触位置在与基板的主表面平行的方向且互相交叉的第1轴方向和第2轴方向上移动；以及控制部，控制液供给部和移动部，以在第1处理液的供给过程中，使摩擦体的接触位置向第1轴方向的一方向移动，在接下来的第2处理液的供给过程中，使摩擦体的接触位置向第1轴方向的另一方向移动。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
专利文献1所记载的基板处理装置进行送入处理和下表面清洗处理。在送入处理过程中，利用两个吸附垫保持基板的下表面的周缘部。在下表面清洗处理过程中，首先，使保持着基板的吸附垫向X轴正方向移动(专利文献1的图6)，接着，将清洗体向基板的下表面按压(专利文献1的图7)。之后，交替地重复进行使两个吸附垫向X轴负方向移动的动作和使清洗体在两个吸附垫间向Y轴正方向或Y轴负方向移动的动作(专利文献1的图8)。由此，清洗基板的下表面的中央区域。
专利文献1：日本特开2019-106531号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开的一技术方案提供能够减少基板处理装置的动作且能够缩短基板处理所花费的时间的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案的基板处理装置具备：
保持部，其用于保持基板；
液供给部，其对由所述保持部保持的状态下的所述基板的主表面，按顺序供给第1处理液和不同于所述第1处理液的第2处理液；
摩擦体，其在所述第1处理液和所述第2处理液的供给过程中，与所述基板的所述主表面接触，并摩擦所述主表面；
移动部，其使所述摩擦体在所述基板的所述主表面处的接触位置在与所述基板的所述主表面平行的方向且是互相交叉的第1轴方向和第2轴方向上移动；以及
控制部，其控制所述液供给部和所述移动部，以在所述第1处理液的供给过程中，使所述摩擦体的所述接触位置向所述第1轴方向的一方向移动，在接下来的所述第2处理液的供给过程中，使所述摩擦体的所述接触位置向所述第1轴方向的另一方向移动。
发明的效果
根据本公开的一技术方案，能够减少基板处理装置的动作，而能够缩短基板处理所花费的时间。
附图说明
图1是表示一实施方式的基板处理装置的俯视图。
图2是表示图1的旋转卡盘、吹拂器以及液供给部的立体图。
图3是表示一实施方式的基板处理方法的流程图。
图4是表示图3的S2的一例的流程图。
图5是表示图3的S4的一例的流程图。
图6A是表示图3的S1的完成时的基板处理装置的剖视图。
图6B是透视基板而表示图6A的局部的俯视图。
图7A是表示图4的S21的开始时的基板处理装置的剖视图。
图7B是透视基板而表示图7A的局部的俯视图。
图8A是表示图4的S21的完成时的基板处理装置的剖视图。
图8B是透视基板而表示图8A的局部的俯视图。
图9是透视基板而表示图4的S22的开始时的基板处理装置的局部的俯视图。
图10是透视基板而表示图4的S22的完成时的基板处理装置的局部的俯视图。
图11是表示图3的S4的开始时的基板处理装置的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本公开的实施方式进行说明。另外，在各附图中有时对相同或相对应的结构标注相同的附图标记，并省略说明。在本说明书中，X轴方向、Y轴方向、Z轴方向是互相垂直的方向。X轴方向和Y轴方向是水平方向，Z轴方向是铅垂方向。
在基板W被保持为水平的情况下，X轴方向和Y轴方向是相对于基板W的主表面平行的方向。X轴方向是一对吸附垫24的移动方向，Y轴方向是摩擦体70的移动方向。X轴方向相当于第1轴方向，Y轴方向相当于第2轴方向。另外，第1轴方向和第2轴方向在本实施方式中是正交的方向，但也可以是倾斜交叉的方向。
如图1所示，基板处理装置10具备保持部20、液供给部30、摩擦体70、移动部80以及控制部90。保持部20与基板W的下表面接触，并将基板W保持为水平。液供给部30对由保持部20保持的状态下的基板W的下表面，按顺序供给第1处理液和不同于第1处理液的第2处理液。摩擦体70在第1处理液和第2处理液的供给过程中与基板W的下表面接触，并摩擦基板W的下表面。而能够擦洗基板W的下表面。移动部80使保持部20和摩擦体70在X轴方向和Y轴方向上相对地移动，而移动摩擦体70在基板W的主表面处的接触位置。控制部90控制液供给部30和移动部80，而对基板W的下表面进行处理。
如图6A所示，保持部20与基板W的下表面接触，并将基板W保持为水平。基板W例如是半导体基板或玻璃基板。半导体基板是硅晶圆或化合物半导体晶圆等。也可以预先在基板W的下表面和上表面中的至少一者形成器件。器件包含半导体元件、电路或端子等。保持部20具有第1保持部21和第2保持部22。
第1保持部21吸附图6B所示的基板W的下表面的第1区域A1并对其进行保持。第1区域A1是包含基板W的下表面的中心的区域。第1区域A1和第2区域A2的交界B例如是矩形状。矩形的两边与X轴方向平行，矩形的其余的两边与Y轴方向平行，矩形的四角是与摩擦体70的上表面的半径相同半径的圆弧状。第1保持部21例如包含旋转卡盘23。
如图6A所示，旋转卡盘23与旋转机构15连接。旋转机构15使旋转卡盘23绕铅垂轴线旋转。该旋转中心线与Z轴方向平行。旋转卡盘23利用升降机构16在Z轴方向上移动。另外，旋转卡盘23不在X轴方向和Y轴方向上移动。
在旋转卡盘23的周围配置有中转构件17。中转构件17例如包含多根升降销171，多根升降销171在旋转卡盘23的周向上等间隔配置。中转构件17在旋转卡盘23的周围升降，而从未图示的输送装置接收基板W，并将接收的基板W向第2保持部22交接。
此外，在旋转卡盘23的周围配置有气体喷出环18。气体喷出环18包围旋转卡盘23，朝向基板W的下表面形成环状的气帘。气帘限制第1处理液和第2处理液从其外侧进入内侧，从而保护旋转卡盘23。气帘也保护中转构件17。
如图2和图6B所示，气体喷出环18包含圆筒体181和在圆筒体181的上表面遍及整个周向排列的多个喷出口182。多个喷出口182朝向正上方喷出气体，而形成环状的气帘。气体是氮气等非活性气体或干燥空气。
第2保持部22吸附图6B所示的基板W的下表面的第2区域A2并对其进行保持。第2区域A2是包含基板W的下表面的周缘且与第1区域A1的周缘相接的区域。第2保持部22包含在Y轴方向上空开间隔地配置的一对吸附垫24。
如图1所示，一对吸附垫24固定于一对第1杆25的长度方向中央。一对第1杆25隔着旋转卡盘23配置，架设于一对第2杆26。一对第1杆25和一对第2杆26形成四方框状的框架27。
框架27与移动部80的第1移动部81连接。第1移动部81借助框架27使一对吸附垫24在X轴方向上移动。此外，框架27与升降机构19连接。升降机构19借助框架27使一对吸附垫24在Z轴方向上移动。
在框架27固定有环罩14。环罩14遍及基板W的周向整周地包围基板W，抑制来自基板W的液滴的飞散。在环罩14的上表面具有直径比基板W的直径大的开口部。开口部是基板W的通路。
液供给部30对由保持部20保持的状态下的基板W的下表面，按顺序供给第1处理液和不同于第1处理液的第2处理液。第1处理液是去除基板W的污物的清洗液，例如是SC1(氨、过氧化氢和水的混合液)等化学溶液。另外，化学溶液的种类不特别限定。另一方面，第2处理液是去除第1处理液的冲洗液，例如是DIW(去离子水)。第1处理液也可以不是清洗液，也可以是蚀刻液或剥离液。此外，第2处理液也可以不是DIW，也可以是稀释氨水或臭氧水。
如图2所示，液供给部30例如包含下喷嘴31、32。在摩擦体70摩擦第1区域A1和第2区域A2时，下喷嘴31供给化学溶液或冲洗液。此外，在摩擦体70摩擦第2区域A2的周缘时，下喷嘴32供给化学溶液或冲洗液。
下喷嘴31具有化学溶液的喷出口311和冲洗液的喷出口312。化学溶液的喷出口311配置在比冲洗液的喷出口312靠下方的位置。因此，能够抑制化学溶液附着于冲洗液的喷出口312。化学溶液的喷出口311的数量是多个，但也可以是一个。同样地，冲洗液的喷出口312的数量是多个，但也可以是一个。
如图1所示，下喷嘴31经由配管33与化学溶液供给源34连接。在配管33的中途设有开闭阀35和流量控制器36。在开闭阀35开放配管33的流路时，使化学溶液从化学溶液供给源34向下喷嘴31供给，而使化学溶液从喷出口311喷出。其喷出量由流量控制器36控制。另一方面，在开闭阀35关闭配管33的流路时，停止从化学溶液供给源34向下喷嘴31的化学溶液供给，而停止化学溶液的喷出。
此外，下喷嘴31经由配管37与冲洗液供给源38连接。在配管37的中途设有开闭阀39和流量控制器40。在开闭阀39开放配管37的流路时，使冲洗液从冲洗液供给源38向下喷嘴31供给，而使冲洗液从喷出口312喷出。其喷出量由流量控制器40控制。另一方面，在开闭阀39关闭配管37的流路时，停止从冲洗液供给源38向下喷嘴31的冲洗液供给，而停止冲洗液的喷出。
如图2所示，与下喷嘴31同样地，下喷嘴32具有化学溶液的喷出口321和冲洗液的喷出口322。此外，与下喷嘴31同样地，下喷嘴32经由配管41与化学溶液供给源42连接。在配管41的中途设有开闭阀43和流量控制器44。而且，下喷嘴32经由配管45与冲洗液供给源46连接。在配管45的中途设有开闭阀47和流量控制器48。
液供给部30还对由保持部20保持的状态下的基板W的上表面供给处理液。使用例如DIW等冲洗液作为处理液。另外，作为处理液，也可以按顺序使用化学溶液和冲洗液。如图1等所示，液供给部30例如包含上喷嘴51、52。
上喷嘴51在基板W的旋转过程中向基板W的上表面的中心供给处理液。处理液因离心力而润湿基板W的整个上表面并在基板W的整个上表面扩展，在基板W的周缘被甩落。与下喷嘴31同样地，上喷嘴51经由配管53与处理液供给源54连接。在配管53的中途设有开闭阀55和流量控制器56。
上喷嘴52在基板W的旋转过程中在基板W的径向上移动，而遍及基板W的上表面的整个径向地供给处理液。液供给部30包含使上喷嘴52在基板W的径向上移动的移动装置65。上喷嘴52是二流体喷嘴，利用N2气体等气体粉碎处理液，使其微粒化并进行喷射。能够提高处理液的处理效率。
与下喷嘴31同样地，上喷嘴52经由配管57与处理液供给源58连接。在配管57的中途设有开闭阀59和流量控制器60。而且，上喷嘴52经由配管61与气体供给源62连接。在配管61的中途设有开闭阀63和流量控制器64。在开闭阀63开放配管61的流路时，使气体从气体供给源62向上喷嘴52供给，而使气体从上喷嘴52喷出。其喷出量由流量控制器64控制。另一方面，在开闭阀63关闭配管61的流路时，停止从气体供给源62向上喷嘴52的气体供给，而停止气体的喷出。
从液供给部30喷出来的各种处理液被处理槽11回收。处理槽11例如是箱形状。如图6A等所示，在处理槽11的底壁设有用于排出处理液的排液管12和用于排出气体的排气管13。
摩擦体70与基板W的下表面接触，并摩擦基板W的下表面。摩擦体70是刷子或海绵。摩擦体70例如是圆柱状，摩擦体70的上表面水平地配置。摩擦体70的上表面比基板W的下表面小。另外，摩擦体70在本实施方式中配置在基板W的下方，但也可以配置在基板W的上方，也可以摩擦基板W的上表面。
摩擦体70借助铅垂的旋转轴71与旋转马达72连接。旋转马达72使摩擦体70以旋转轴71为中心旋转。旋转马达72借助臂73与移动部80的第2移动部82连接。第2移动部82使摩擦体70在Y轴方向上移动。第2移动部82还使摩擦体70在Z轴方向上移动。
移动部80在X轴方向和Y轴方向上使保持部20和摩擦体70相对地移动，而使摩擦体70在基板W的下表面处的接触位置移动。例如，移动部80包含第1移动部81和第2移动部82。如上所述，第1移动部81使第2保持部22在X轴方向上移动。另一方面，如上所述，第2移动部82使摩擦体70在Y轴方向上移动。
控制部90例如是计算机，如图1所示，具备CPU(Central Processing Unit：中央处理器)91和存储器等存储介质92。在存储介质92存储用于控制在基板处理装置10执行的各种处理的程序。控制部90通过由CPU91执行存储于存储介质92的程序，来控制基板处理装置10的动作。此外，控制部90具备输入接口93和输出接口94。控制部90利用输入接口93接收来自外部的信号，并利用输出接口94向外部发送信号。
上述程序存储在能够被例如计算机读取的存储介质，从该存储介质加载到控制部90的存储介质92。作为能够被计算机读取的存储介质，可列举例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)以及存储卡等。另外，程序也可以经由互联网从服务器下载，并加载到控制部90的存储介质92。
接着，参照图3等对基板处理装置10的动作、也就是基板处理方法进行说明。如图3所示，基板处理方法包含保持S1、下表面处理S2、交换保持S3、两面处理S4以及干燥S5。该处理方法在控制部90的控制下实施。
在保持S1中，第2保持部22保持基板W。具体地说，首先，未图示的输送装置将基板W输送至旋转卡盘23的上方，并待机。接着，中转构件17在旋转卡盘23的周围上升，从环罩14的开口部向上方突出，将基板W从输送装置抬起。接着，在输送装置从基板处理装置10退出时，移动部80使环罩14和一对吸附垫24上升。之后，中转构件17下降，将基板W向一对吸附垫24交接。接着，一对吸附垫24吸附基板W的下表面的第2区域A2并对其进行保持。如上所述，第2区域A2是包含基板W的下表面的周缘且与第1区域A1的周缘相接的区域。
在下表面处理S2中，以第2保持部22保持基板W的状态，摩擦体70摩擦基板W的下表面的第1区域A1。如上所述，第1区域A1是包含基板W的下表面的中心的区域，是一对吸附垫24之间的区域。如图4所示，下表面处理S2包含化学溶液处理S21和冲洗液处理S22。
在化学溶液处理S21中，控制部90控制移动部80和液供给部30，在化学溶液的供给过程中，如图7B和图8B所示，在第1区域A1内移动摩擦体70在基板W的下表面处的接触位置。此外，在化学溶液处理S21中，控制部90控制旋转马达72，使摩擦体70旋转。
控制部90交替地重复进行使第2保持部22向X轴正方向移动从而使摩擦体70的接触位置向X轴负方向移动的动作、和使摩擦体70向Y轴正方向或Y轴负方向移动的动作。如图8B所示，摩擦体70的旋转中心的移动路径是曲折的轨迹。
在化学溶液处理S21中，如上所述，使第2保持部22向X轴正方向移动。X轴正方向是使由第2保持部22保持的基板W的中心远离第1保持部21的中心的方向。与如以往那样，在实施擦洗之前，暂时使第2保持部22向X轴正方向移动之后，一边使第2保持部22向X轴负方向移动一边实施擦洗的情况相比，能够省去无用的动作，缩短处理时间。
另外，中转构件17配置在旋转卡盘23的周围。因此，如图6A所示，在旋转卡盘23的中心线和基板W的中心一致的位置，第2保持部22接收基板W。因此，之后的第2保持部22在X轴方向上的移动方向首先成为X轴正方向。由此，在化学溶液处理S21中，使第2保持部22向X轴正方向移动。
此外，根据本实施方式，一边使第2保持部22向X轴正方向移动一边实施擦洗，因此，与如以往那样一边使第2保持部22在X轴负方向上移动一边实施擦洗的情况相比较，能够抑制附着于基板W的化学溶液的干燥。X轴正方向由于是使基板W的中心远离第1保持部21的中心的方向，因此是使第1区域A1远离气体喷出环18的方向。由于使第1区域A1远离气帘，因此，能够抑制附着于基板W的化学溶液的干燥，而能够抑制微粒的产生。
另外，在化学溶液的供给过程中，若气体喷出环18不形成气帘，就能够抑制附着于基板W的化学溶液的干燥。但是，由于不形成气帘，因此，会导致化学溶液溅在旋转卡盘23。根据本实施方式，在化学溶液的供给过程中，由于气体喷出环18形成气帘，因此，能够保护旋转卡盘23免受化学溶液的影响。
在冲洗液处理S22中，控制部90控制移动部80和液供给部30，在冲洗液的供给过程中，如图9和图10所示，在第1区域A1内移动摩擦体70在基板W的下表面处的接触位置。此外，在冲洗液处理S22中，控制部90控制旋转马达72，使摩擦体70旋转。
控制部90交替地重复进行使第2保持部22向X轴负方向移动从而使摩擦体70的接触位置向X轴正方向移动的动作、和使摩擦体70向Y轴正方向或Y轴负方向移动的动作。如图10所示，摩擦体70的旋转中心的移动路径是曲折的轨迹。
在化学溶液处理S21和冲洗液处理S22中，摩擦体70的接触位置在X轴方向上移动，但该移动方向是相反的。在化学溶液处理S21之后、冲洗液处理S22之前，无需移动摩擦体70的接触位置，因此，能够省去无用的动作，缩短处理时间。若在化学溶液处理S21和冲洗液处理S22中，摩擦体70的接触位置在X轴方向上的移动方向相反就可以得到该效果。
在冲洗液处理S22中，如上所述，使第2保持部22向X轴负方向移动。X轴负方向是使由第2保持部22保持的基板W的中心靠近第1保持部21的中心的方向。因此，能够减少在冲洗液处理S22之后、交换保持S3之前使第2保持部22和第1保持部21的对位所需的动作，能够缩短基板W的处理时间。
在交换保持S3中，控制部90实施基板W从第2保持部22向第1保持部21的交接。首先，第1移动部81使第2保持部22向X轴负方向移动，使由第2保持部22保持的基板W的中心和第1保持部21的中心一致。接着，升降机构19使第2保持部22下降，将基板W放置于第1保持部21。此时，第2保持部22解除基板W的吸附保持，第1保持部21吸附基板W的下表面的第1区域A1并对其进行保持。
另外，也可以代替升降机构19使第2保持部22下降，而利用升降机构16使第1保持部21上升，实施基板W从第2保持部22向第1保持部21的交接。无论采用哪种方式，均能够在交换保持S3之后对基板W的下表面的第2区域A2进行处理，并能够在交换保持S3之前对基板W的下表面的第1区域A1进行处理，因此，能够对基板W的整个下表面进行处理。
在两面处理S4中，实施基板W的下表面的第2区域A2的处理和基板W的整个上表面的处理。如图5所示，下表面的第2区域A2的处理包含化学溶液处理S41和冲洗液处理S42。此外，如图5所示，整个上表面的处理包含旋涂处理S43和扫描处理S44。另外，也可以在下表面的第2区域A2的处理过程中，也对下表面的第1区域A1的局部进行处理。只要第1保持部21和摩擦体70不干涉即可。
在化学溶液处理S41中，控制部90在利用第1保持部21保持基板W且利用旋转机构15使第1保持部21旋转的状态下，控制液供给部30和第2移动部82，以在化学溶液的供给过程中，使摩擦体70的接触位置遍及整个第2区域A2地移动。摩擦体70的接触位置也可以在遍及整个第2区域A2地移动的期间从第2区域A2向第1区域A1伸出。第2移动部82使摩擦体70的接触位置逐渐向基板W的径向外侧移动。此外，在化学溶液处理S41中，控制部90控制旋转马达72，使摩擦体70旋转。
在冲洗液处理S42中，控制部90在利用第1保持部21保持基板W且利用旋转机构15使第1保持部21旋转的状态下，控制液供给部30和第2移动部82，以在冲洗液的供给过程中，使摩擦体70的接触位置遍及整个第2区域A2地移动。摩擦体70的接触位置也可以在遍及整个第2区域A2地移动的期间从第2区域A2向第1区域A1伸出。第2移动部82使摩擦体70的接触位置逐渐向基板W的径向外侧移动。此外，在冲洗液处理S42中，控制部90控制旋转马达72，使摩擦体70旋转。
在旋涂处理S43中，旋转机构15使基板W与旋转卡盘23一起旋转，上喷嘴51向基板W的上表面的中心供给处理液。处理液因离心力而润湿基板W的整个上表面并在基板W的整个上表面扩展，将自基板W分离开的污物向基板W的径向外侧冲走。作为处理液，使用例如DIW等冲洗液。另外，作为处理液，也可以按顺序使用化学溶液和冲洗液。
旋转机构15使旋转卡盘23以低速旋转，以使基板W的下表面的残留液体不会因离心力而经由基板W的周缘绕到基板W的上表面。控制部90控制旋转卡盘23的转速和来自上喷嘴51的处理液的供给量，使得在基板W的下表面的残留液体到达基板W的周缘之前，在基板W的整个上表面上形成处理液的液膜。
控制部90在旋转卡盘23的低速旋转过程中实施基板W的斜面处理。在基板W的斜面处理中，使未图示的刷子或海绵等摩擦体按压于基板W的周缘，并摩擦基板W的周缘。控制部90在旋转卡盘23的低速旋转过程中，结束基板W的斜面处理，并使摩擦体离开基板W的周缘。低速旋转过程中的离心力较小，从基板W的周缘甩落的液滴的速度较小，因此，能够抑制由液滴和摩擦体碰撞而引起的液体飞溅。
在扫描处理S44中，旋转机构15使基板W与旋转卡盘23一起旋转，上喷嘴52将处理液向基板W的上表面的中心供给，移动装置65使上喷嘴52从基板W的径向内侧向径向外侧移动。自基板W分离开的污物被向基板W的径向外侧冲走。
上喷嘴52一边朝向基板W的上表面喷出处理液一边从基板W的中心的正上方的位置逐渐移动至基板W的周缘的正上方的位置，在设定时间内停止在基板W的周缘的正上方的位置。这是因为污物易于附着在基板W的周缘。根据本实施方式，能够去除粘着在基板W的周缘的污物。
另外，上喷嘴52的移动方向在本实施方式中是基板W的径向外侧，但也可以是基板W的径向内侧。此外，上喷嘴52的扫描次数在本实施方式中是一次，但也可以是多次。
控制部90在扫描处理S44中，与旋涂处理S43相比，使旋转卡盘23的转速增大，使旋转卡盘23以高速旋转。在使上喷嘴52在基板W的径向上移动时，能够遍及基板W的整个周向地吹走处理液。
上喷嘴52例如是二流体喷嘴，利用N2气体等气体粉碎处理液，使其微粒化并进行喷射。能够提高处理液的处理效率。上喷嘴52在喷射气体和处理液的混合流体之前仅喷射气体。能够可靠地粉碎处理液，而能够在处理液向基板W碰撞时抑制液体飞溅。
在干燥S5中，使旋转卡盘23以高速旋转，甩落附着于基板W的处理液。之后，基板W被向基板处理装置10的外部输送。由此，基板W的处理结束。
以上，对本公开的基板处理装置和基板处理方法的实施方式进行了说明，但本公开不限定于上述实施方式等。在权利要求书所记载的范围内能够进行各种变更、修改、置换、添加、删除和组合。这些当然也属于本公开的技术范围。

Claims (15)

1.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置具备：
保持部，其用于保持基板；
液供给部，其对由所述保持部保持的状态下的所述基板的主表面，按顺序供给第1处理液和不同于所述第1处理液的第2处理液；
摩擦体，其在所述第1处理液和所述第2处理液的供给过程中，与所述基板的所述主表面接触，并摩擦所述主表面；
移动部，其使所述摩擦体在所述基板的所述主表面处的接触位置在与所述基板的所述主表面平行的方向且是互相交叉的第1轴方向和第2轴方向上移动；以及
控制部，其控制所述液供给部和所述移动部，以在所述第1处理液的供给过程中，使所述摩擦体的所述接触位置向所述第1轴方向的一方向移动，在接下来的所述第2处理液的供给过程中，使所述摩擦体的所述接触位置向所述第1轴方向的另一方向移动。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述保持部与所述基板的所述主表面接触。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
所述基板的所述主表面是所述基板的下表面，
所述保持部具有：第1保持部，其吸附所述基板的所述下表面的第1区域并对其进行保持，该第1区域包含所述基板的所述下表面的中心；以及第2保持部，其吸附所述基板的所述下表面的第2区域并对其进行保持，该第2区域包含所述基板的所述下表面的周缘且与所述第1区域的周缘相接，
所述控制部在利用所述第2保持部保持所述基板的状态下，控制所述液供给部和所述移动部，以在所述第1处理液的供给过程中，使所述摩擦体的所述接触位置在所述第1区域内向所述第1轴方向的一方向移动，在接下来的所述第2处理液的供给过程中，使所述摩擦体的所述接触位置在所述第1区域内向所述第1轴方向的另一方向移动。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备中转构件，该中转构件在所述第1保持部的周围升降，而从外部的输送装置接收所述基板，并将接收到的所述基板向所述第2保持部交接，
所述移动部具有：第1移动部，其使所述第2保持部在所述第1轴方向上移动；以及第2移动部，其使所述摩擦体在所述第2轴方向上移动，
所述控制部在利用所述第2保持部保持所述基板的状态下，控制所述液供给部和所述第1移动部，以在所述第1处理液的供给过程中，使所述第2保持部向使所述基板的中心远离所述第1保持部的中心的方向移动，在所述第2处理液的供给过程中，使所述第2保持部向使所述基板的中心靠近所述第1保持部的中心的方向移动。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备气体喷出环，该气体喷出环在所述第1处理液的供给过程中，在所述第1保持部的周围以朝向所述基板的所述下表面的方式形成环状的气帘。
6.根据权利要求4或5所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备：升降机构，其使所述第1保持部和所述第2保持部相对地升降，并将所述基板从所述第2保持部向所述第1保持部交接；以及旋转机构，其使所述第1保持部旋转，
所述控制部在利用所述第1保持部保持所述基板且利用所述旋转机构使所述第1保持部旋转的状态下，控制所述液供给部和所述第2移动部，以在所述第1处理液的供给过程中，使所述摩擦体的所述接触位置遍及整个所述第2区域地移动。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述液供给部包含对所述基板的上表面供给处理液的上喷嘴，
所述控制部在使所述摩擦体的所述接触位置遍及整个所述第2区域地移动的期间，控制所述液供给部，而对所述基板的所述上表面供给处理液。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述液供给部具有作为所述第1处理液的化学溶液的喷出口和作为所述第2处理液的冲洗液的喷出口，
所述化学溶液的喷出口配置在比所述冲洗液的喷出口靠下方的位置。
9.一种基板处理方法，其中，
该基板处理方法包括：
利用保持部保持基板；
对所述基板的主表面按顺序供给第1处理液和不同于所述第1处理液的第2处理液；
利用与所述基板的所述主表面接触的摩擦体摩擦所述基板的所述主表面；以及
使所述摩擦体在所述基板的所述主表面处的接触位置在与所述基板的所述主表面平行的方向且是互相交叉的第1轴方向和第2轴方向上移动，
对于所述摩擦体的所述接触位置的移动，在所述第1处理液的供给过程中，使所述摩擦体的所述接触位置向所述第1轴方向的一方向移动，在接下来的所述第2处理液的供给过程中，使所述摩擦体的所述接触位置向所述第1轴方向的另一方向移动。
10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，
所述保持部与所述基板的所述主表面接触。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，
所述基板的所述主表面是所述基板的下表面，
所述保持部具有：第1保持部，其吸附所述基板的所述下表面的第1区域并对其进行保持，该第1区域包含所述基板的所述下表面的中心；以及第2保持部，其吸附所述基板的所述下表面的第2区域并对其进行保持，该第2区域包含所述基板的所述下表面的周缘且与所述第1区域的周缘相接，
在利用所述第2保持部保持所述基板的状态下，在所述第1处理液的供给过程中，使所述摩擦体的所述接触位置在所述第1区域内向所述第1轴方向的一方向移动，在接下来的所述第2处理液的供给过程中，使所述摩擦体的所述接触位置在所述第1区域内向所述第1轴方向的另一方向移动。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法包括：
利用在所述第1保持部的周围升降的中转构件从外部的输送装置接收所述基板，并将接收到的所述基板向所述第2保持部交接；以及
在利用所述第2保持部保持所述基板的状态下，在所述第1处理液的供给过程中，使所述第2保持部向使所述基板的中心远离所述第1保持部的中心的方向移动，在所述第2处理液的供给过程中，使所述第2保持部向使所述基板的中心靠近所述第1保持部的中心的方向移动。
13.根据权利要求12所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法还包括：
在所述第1处理液的供给过程中，在所述第1保持部的周围以朝向所述基板的所述下表面的方式形成环状的气帘。
14.根据权利要求12或13所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法还包括：
使所述第1保持部和所述第2保持部相对地升降，并将所述基板从所述第2保持部向所述第1保持部交接；以及
在利用所述第1保持部保持所述基板且使所述第1保持部旋转的状态下，在所述第1处理液的供给过程中，使所述摩擦体的所述接触位置遍及整个所述第2区域地移动。
15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法包括：
在使所述摩擦体的所述接触位置遍及整个所述第2区域地移动的期间，对所述基板的上表面供给处理液。
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