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CN111584564B - 一种显示面板及显示面板制程方法 - Google Patents

一种显示面板及显示面板制程方法 Download PDF

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CN111584564B
CN111584564B CN202010385100.6A CN202010385100A CN111584564B CN 111584564 B CN111584564 B CN 111584564B CN 202010385100 A CN202010385100 A CN 202010385100A CN 111584564 B CN111584564 B CN 111584564B
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CN
China
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layer
electrode layer
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display panel
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王士攀
史婷
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Abstract

本申请实施例提供一种显示面板，该显示面板包括：驱动电路层、第一电极层、辅助电极层、像素定义层以及电子传输层。驱动电路层包括相对设置的第一面和第二面，第一电极层部分覆盖所述第一面，辅助电极层部分覆盖第一面，辅助电极层与第一电极层同层设置，且辅助电极层与第一电极层之间留有间隙，像素定义层覆盖驱动电路层、第一电极层以及辅助电极层，像素定义层上设置有第一通孔，电子传输层设置于像素定义层远离驱动电路层的一侧，并通过第一通孔与辅助电极层连接。通过将电子传输层的最低空轨道与辅助电极层功函的能级差设置为2.0eV以下，降低了辅助电极层与电子传输层之间的注入势垒，改善了显示面板发光不均匀的现象。

Description

一种显示面板及显示面板制程方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及显示面板制程方法。
背景技术
近年来，有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)因其具有自发光、宽视角、广色域、低能耗、高效率、响应速度快、超轻超薄及易于柔性化等特点，在全色显示和固态照明领域展示出巨大的应用前景。大尺寸顶发射OLED面板由于透明上电极电阻较高，出现边缘亮中间暗的现象，使得面板发光不均匀。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及显示面板制程方法，改善了显示面板的发光不均匀现象。
本申请提供一种显示面板，包括：驱动电路层，所述驱动电路层包括相对设置的第一面和第二面；
第一电极层，所述第一电极层部分覆盖所述第一面；
辅助电极层，所述辅助电极层部分覆盖所述第一面，所述辅助电极层与所述第一电极层同层设置，且所述辅助电极层与所述第一电极层之间留有间隙；
像素定义层，所述像素定义层覆盖所述驱动电路层、所述第一电极层以及所述辅助电极层，所述像素定义层上设置有第一通孔；
电子传输层，所述电子传输层设置于所述像素定义层远离所述驱动电路层的一侧，并通过所述第一通孔与所述辅助电极层连接；
其中，所述电子传输层的最低空轨道与所述辅助电极层功函的能级差为2.0eV以下。
在一些实施例中，所述电子传输层采用的材料最低空轨道的能级范围为2.5eV至3.5eV，所述电子传输层采用的材料包括有机电子传输材料、碱金属、碱土金属或稀土金属中任一种或多种的组合。
在一些实施例中，所述辅助电极层包括层叠设置的第一透明金属氧化物、金属及第二透明金属氧化物，所述第二透明金属氧化物设置于所述第一面上，其中，第二透明金属氧化物的功函为4.6eV以下。
在一些实施例中，该显示面板还包括电子注入层及第二电极层，所述电子注入层设置在所述电子传输层远离所述像素定义层的一侧，所述第二电极层设置在所述电子注入层远离所述电子传输层的一侧。
在一些实施例中，所述第二电极层的功函与所述电子传输层的最低空轨道能级差为2.0eV以下。
在一些实施例中，所述电子传输层厚度为50nm以下，所述电子注入层厚度为10nm以下，所述第二电极层厚度为10nm至30nm。
在一些实施例中，该显示面板还包括：光学调节层和封装层，所述光学调节层设置于所述第二电极层远离所述电子注入层的一侧，所述封装层设置于所述光学调节层远离所述第二电极层的一侧。
在一些实施例中，该显示面板还包括：空穴注入层、空穴传输层及发光层，所述像素定义层还设置有第二通孔，所述空穴注入层设置于所述第二通孔内并通过所述第二通孔与所述第一电极层连接，所述空穴传输层设置于所述第二通孔内，且设置于所述空穴注入层远离所述第一电极层的一侧，所述发光层设置于所述第二通孔内，且设置于所述空穴传输层远离所述空穴注入层的一侧。
在一些实施例中，该显示面板包括发光像素，所述发光像素包括所述第一电极层、所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述发光层及所述第二电极层，所述发光像素与所述发光像素之间设置有所述辅助电极层，其中，所述辅助电极层通过所述电子传输层及所述电子注入层与所述第二电极层导通。
本申请实施例提供一种显示面板制程方法，包括：
提供一驱动电路层，所述驱动电路层包括相对设置的第一面和第二面；
在所述第一面设置第一电极层；
在所述第一面设置辅助电极层，所述辅助电极层与所述第一电极层同层设置，且所述辅助电极层与所述第一电极层之间留有间隔；
在所述驱动电路层、所述第一电极层以及所述辅助电极层上覆盖像素定义层，所述像素定义层上设置有第一通孔；
在所述像素定义层远离所述驱动电路层的一侧设置电子传输层，所述电子传输层通过所述第一通孔与所述辅助电极层连接；
其中，电子传输层的最低空轨道与辅助电极层的功函的能级差为2.0eV以下。
本申请实施例所提供的显示面板，包括：驱动电路层、第一电极层、辅助电极层、像素定义层以及电子传输层。所述驱动电路层包括相对设置的第一面和第二面，所述第一电极层部分覆盖所述第一面，所述辅助电极层部分覆盖所述第一面，所述辅助电极层与所述第一电极层同层设置，且所述辅助电极层与所述第一电极层之间留有间隙，所述像素定义层覆盖所述驱动电路层、所述第一电极层以及所述辅助电极层，所述像素定义层上设置有第一通孔，所述电子传输层设置于所述像素定义层远离所述驱动电路层的一侧，并通过所述第一通孔与所述辅助电极层连接，其中，所述电子传输层的最低空轨道与所述辅助电极层功函的能级差为2.0eV以下。通过将电子传输层的最低空轨道与辅助电极层功函的能级差设置为2.0eV以下，降低了辅助电极层与电子传输层之间的注入势垒，改善了显示面板发光不均匀的现象。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的显示面板的第一种结构示意图；
图2为本申请实施例提供的显示面板的第二种结构示意图；
图3为本申请实施例提供的显示面板的第三种结构示意图；
图4为本申请实施例提供的显示面板的第四种结构示意图；
图5为本申请实施例提供的显示面板的一种像素结构示意图；
图6为本申请实施例提供的显示面板的一种驱动电路的示意图；
图7为本申请实施例提供的显示面板制程方法的第一种流程示意图；
图8为本申请实施例提供的显示面板制程方法的第二种流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
需要说明的是，在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
本申请实施例提供一种显示面板及显示面板制程方法，以下对显示面板做详细介绍。
请参阅图1，图1是本申请实施例提供的显示面板10的第一种结构示意图。该显示面板10包括驱动电路层100、第一电极层112、辅助电极层113、像素定义层114以及电子传输层115。驱动电路层100包括相对设置的第一面100a和第二面100b，第一电极层112部分覆盖第一面100a，辅助电极层113部分覆盖第一面100a，辅助电极层113与第一电极层112同层设置，且辅助电极层113与第一电极层112之间留有间隙，像素定义层114覆盖驱动电路层100、第一电极层112以及辅助电极层113，像素定义层114上设置有第一通孔114a，电子传输层115设置于像素定义层114远离驱动电路层100的一侧，并通过第一通孔114a与辅助电极层113连接，其中，电子传输层115的最低空轨道与辅助电极层113功函的能级差为2.0eV以下。通过将电子传输层115的最低空轨道与辅助电极层113功函的能级差设置为2.0eV以下，可以降低了辅助电极层113与电子传输层115之间的注入势垒，更有利于电流回路中电子的传输，使电极之间更容易导通，从而改善了显示面板发光不均匀的现象。
需要说明的是，第一面100a可以为驱动电路层100的上表面，第二面100b可以为驱动电路层100的下表面。当然，第一面100a也可以为驱动电路层100的下表面，第二面100b可以为驱动电路层100的上表面。本申请实施例中不做特殊说明的情况下，默认为第一面100a为驱动电路层100的上表面，第二面100b为驱动电路层100的下表面。
其中，电子传输层115采用的材料最低空轨道的能级范围为2.5eV至3.5eV。具体地，电子传输层115采用的材料最低空轨道的能级为2.5eV、2.6eV、3.0eV、3.1eV、3.4eV或3.5eV。最低空轨道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital,LUMO)是未占有电子的能级最低的轨道，电子在传输过程中，最容易激发到能量最低的空轨道LUMO中去。因此，电子传输层115的最低空轨道与辅助电极层112的功函的能级差为2.0eV以下，电子传输层115从辅助电极层112接收电子所需要的能量较低，能够使辅助电极层112的电子更容易向电子传输层115注入。
其中，电子传输层115采用的材料包括有机电子传输材料、碱金属、碱土金属或稀土金属中任一种或多种的组合。例如1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、锂(Li)、钡(Ba)或镱(Yb)中一种或多种的组合。电子传输层115的厚度为50nm以下。具体地，电子传输层115的厚度为0.5nm、10nm、25nm、40nm、48nm或50nm。电子传输层115用于传输电子，具有N型掺杂的效果。电子传输层115具有N型掺杂的效果即表示电子传输层115中具有更多电子，并且显示面板10通过电子作为载流子进行电流传输。因此，通过将电子传输层115的最低空轨道与辅助电极层112的功函的能级差设置为2.0eV以下将更有利于电子的传输，并有利于电极之间的导通。
其中，请参阅图2，图2是本申请实施例提供的显示面板10的第二种结构示意图。第一电极层112包括层叠设置的第一电极透明金属氧化物112a、第一电极金属112b及第一电极透明金属氧化物113c。其中，辅助电极层113包括层叠设置的第一透明金属氧化物113a、金属113b及第二透明金属氧化物113c，第二透明金属氧化物113c设置于第一面100a上，其中，第二透明金属氧化物113c的功函为4.6eV以下。具体地，第二透明金属氧化物113c的功函为3.5eV、4.0eV、4.1eV、4.2eV、4.3eV、4.4eV、4.5eV或4.6eV。由于电子传输层115采用的材料最低空轨道的能级范围为2.5eV至3.5eV，能够使电子传输层115的最低空轨道与辅助电极层112的功函的能级差为2.0eV以下，提高了辅助电极层112向电子传输层115注入电子的能力。
具体地，第一电极透明金属氧化物112a和第一电极透明金属氧化物113c采用的材料为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或铟锌锡氧化物(IZTO)中的任一种。第一透明金属氧化物113a和第二透明金属氧化物113c采用的材料为铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、锌锡氧化物(ZTO)，锌铝氧化物(AZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)或锑锡氧化物(ATO)中任一种或多种的组合。以上材料具有很好的导电性和透明性，并且厚度较小，不会影响显示面板的整体厚度。同时，还可以减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外光。第一电极金属112b和金属113b采用的材料为银(Ag)、铝(Al)或铜(Cu)中的任一种。
进一步地，本申请实施例提供第一电极层112的结构示例：第一电极层112的结构为层叠设置的铟锡氧化物、银以及铟锡氧化物(ITO/Ag/ITO)或层叠设置的铟锌氧化物、银以及铟锌氧化物(IZO/Ag/IZO)。本申请实施例提供辅助电极层113的结构示例：辅助电极层113的结构为层叠设置的铟锡氧化物、银以及铟镓锌氧化物(ITO/Ag/IGZO)，或层叠设置的铟锡氧化物、银以及锌锡氧化物(ITO/Ag/ZTO)，或层叠设置的铟锌氧化物、银以及铟镓锌氧化物(IZO/Ag/IGZO)，或层叠设置的铟锡氧化物、银以及铟锡氧化物与铟镓锌氧化物的混合物(ITO/Ag/ITO、IGZO)。
其中，请参阅图3，图3是本申请实施例提供的显示面板10的第三种结构示意图。该显示面板还包括衬底101。其中，驱动电路层100设置在衬底101上。具体地，衬底101设置在第二面100a。衬底101(substrate)包括玻璃基底、石英基底、陶瓷基底、聚对苯二甲酸乙二醇酯基底或聚酰亚胺基底。衬底101作为驱动电路层100的制作基底，用于支持显示面板10。采用聚对苯二甲酸乙二醇酯基底或聚酰亚胺基底可用作柔性显示面板的制作。
其中，驱动电路层100包括遮光层102、缓冲层103、活性层104、栅极绝缘层105、栅极106、层间介质层107、漏极108、源极109、辅助电极金属走线110以及钝化层111。
具体地，遮光层102部分覆盖衬底101，缓冲层103覆盖遮光层102和衬底101，活性层104部分覆盖缓冲层103，且活性层104的正投影在遮光层102上方，栅极绝缘层105部分覆盖活性层104，栅极106设置在栅极绝缘层105远离活性层104的一侧。
具体地，层间介质层107覆盖缓冲层103、活性层104、栅极绝缘层105以及栅极106，且层间介质层107上设置有第三通孔和第四通孔，源极109设置在层间介质层107上且部分覆盖层间介质层107，并通过第三通孔与活性层104连接，漏极108设置在层间介质层107上且部分覆盖层间介质层107，并通过第四通孔与活性层104连接，辅助电极金属走线110设置在层间介质层107上且部分覆盖层间介质层107，辅助电极金属走线110与源极109、漏极108同层设置，且辅助电极金属走线110、源极109和漏极108之间留有间隙。
具体地，钝化层111覆盖层间介质层107、源极109、漏极108及辅助电极金属走线110，且钝化层111上设置有第五通孔和第六通孔，第一电极层112通过第五通孔与漏极108连接，辅助电极层113通过第六通孔与辅助电极金属走线110连接。
其中，钝化层111远离层间介质层107的一侧为第一面100a，遮光层102和缓冲层103远离层间介质层107的一侧为第二面100b。
其中，遮光层102(lightshield)采用的材料为金属或合金，具体地，遮光层102采用的材料为钼(Mo)、钼钛合金或层叠设置的铜和钼钛合金。遮光层102用于遮挡光线，减轻光线对驱动电路层100的影响。
其中，缓冲层103(buffer)、栅极绝缘层105(gate insulation,GI)、层间介质层107(Inter Layer Dielectric,ILD)和钝化层111(passivation layer)采用的材料为氧化硅衍生物或氮化硅衍生物。
其中，活性层104(active)采用的材料为低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)、低温多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide,LTPO)或铟镓锌氧化物(IGZO)中的任一种。采用LTPS作为活性层104的材料能够使显示面板10获得高亮度、高解析度，并且耗电低。采用LTPO作为活性层104的材料能以低生产成本实现更高的电荷迁移率，稳定性和可扩展性。采用IGZO作为活性层104的材料成本较低，并且轻薄省电。
其中，栅极106(gate)、漏极108(drain)和源极109(source)的结构为层叠设置的钼、铝以及钼(Mo/Al/Mo)或层叠设置的铜和钼钛合金(Cu/MoTi)。辅助电极金属走线110采用的材料为金属或合金。具体地，辅助电极金属走线110采用的材料为银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、铜(Cu)、钨(W)或钛(Ti)中的任一种。
请参阅图4，图4是本申请实施例提供的显示面板10的第四种结构示意图。本申请实施例提供的显示面板与上一个实施例的区别在于，该显示面板10还包括空穴注入层116、空穴传输层117、发光层118、电子注入层119、第二电极层120、光学调节层121以及封装层120。
其中，该显示面板10还包括：空穴注入层116、空穴传输层117及发光层118。具体地，像素定义层114还设置有第二通孔，空穴注入层116设置于第二通孔内并通过第二通孔与第一电极层112连接，空穴传输层117设置于第二通孔内，且设置于空穴注入层116远离第一电极层112的一侧，发光层118设置于第二通孔内，且设置于空穴传输层117远离空穴注入层116的一侧。电子传输层115通过第二通孔与发光层118连接。
其中，空穴注入层116采用聚(3，4-乙烯二氧噻吩)和聚苯乙烯磺酸盐的混合物(PEDOT:PSS)。这种混合物具有空穴注入能力，并且在不同的配比下具有不同的导电性。空穴注入层116的厚度为10nm至200nm。具体地，空穴注入层116的厚度为10nm、15nm、50nm、100nm、150nm、190nm或200nm。
其中，空穴传输层117采用的材料为芳香胺衍生物。具体地，空穴传输层117采用的材料至少包括聚对苯撑乙烯、三苯甲烷或三芳胺。进一步地，空穴传输层117采用含有交联基团的芳香胺衍生物材料，可避免沉积其上层发光层时被溶解。空穴传输层117的厚度为10nm至200nm。具体地，空穴传输层117的厚度为10nm、15nm、50nm、100nm、150nm、190nm或200nm。
其中，发光层118采用的材料为小分子发光材料或高分子发光材料。具体地，发光层118采用的材料包括8-羟基喹啉铝(Alq3)、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(Be(bq)2)、三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、酚醛树脂(phenolic resin,PF)或聚对苯乙烯(PPV)中的任一种。发光层118的厚度为30nm至100nm。具体地，发光层118的厚度为30nm、35nm、45nm、50nm、60nm、90nm或100nm。
其中，该显示面板10还包括电子注入层119及第二电极层120。具体地，电子注入层119设置在电子传输层115远离像素定义层114的一侧，第二电极层120设置在电子注入层119远离电子传输层115的一侧。
其中，第二电极层120的功函与电子传输层115的最低空轨道能级差为2.0eV以下。其中，第二电极层120的功函为4.6eV以下。具体地，第二电极层120的功函为3.5eV、4.0eV、4.1eV、4.2eV、4.3eV、4.4eV、4.5eV或4.6eV。由于电子传输层115采用的材料最低空轨道的能级范围为2.5eV至3.5eV，能够使电子传输层115的最低空轨道与第二电极层120的功函的能级差为2.0eV以下，并且由于辅助电极层113通过电子传输层115与第二电极层120导通，增加了辅助电极层113与第二电极层120的导通性。
其中，电子注入层119厚度为10nm以下，第二电极层120厚度为10nm至30nm。具体地，电子注入层119厚度为0.5nm、1nm、5nm、8nm、9nm或10nm，第二电极层120厚度为10nm、15nm、20nm、25nm或30nm。
其中，电子注入层119采用的材料为碱金属氟化物。具体地，电子注入层119采用的材料包括氟化锂(LiF)、氟化钠(NaF)或氟化铯(CsF)。第二电极层120采用的材料为金属或合金。具体地，第二电极层120采用的材料至少包括银(Ag)、镁(Mg)或镁银合金。
其中，该显示面板10还包括：光学调节层121和封装层122，具体地，光学调节层121设置于第二电极层120远离电子注入层119的一侧，封装层122设置于光学调节层121远离第二电极层120的一侧。
其中，光学调节层121的材料为有机材料或透明金属氧化物材料。具体地，光学调节层121的材料为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸脂(PC)、聚丙烯酸酯(PEA)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)或锑锡氧化物(ATO)中的任一种。
本申请实施例提供的显示面板10，通过设置辅助电极层113(auxiliary wiring)用于连接第二电极层120以降低电流回路中的电阻。同时，将辅助电极层113中第二透明金属氧化物113c的功函设置为4.6eV以下，并使电子传输层115的最低空轨道与辅助电极层113或第二电极层120的功函的能级差均为2.0eV以下。由于能级差较低，辅助电极层113或第二电极层120向电子传输层115注入电子所需的能量也较低，从而提高了辅助电极层113向电子传输层115注入电子的能力，增加了辅助电极层113与第二电极层120的导通性，解决了辅助电极层113与第二电极层120难以导通的问题，改善了电压降(IR Drop)带来的显示面板10亮度不均的问题。
请参阅图5，图5是本申请实施例提供的显示面板10的一种像素结构示意图。结合图4与图5，该显示面板10包括发光像素123，发光像素123包括第一电极层112、空穴注入层116、空穴传输层117、发光层118及第二电极层120，发光像素123与发光像素123之间设置有辅助电极层113，其中，辅助电极层113通过电子传输层115及电子注入层119与第二电极层120导通。具体地，发光像素123至少包括第一发光子像素123a、第二发光子像素123b以及第三发光子像素123c，其中，第一发光子像素123a为红色发光子像素、蓝色发光子像素或绿色发光子像素中的任一种，第二发光子像素123b或第三发光子像素123c也为红色发光子像素、蓝色发光子像素或绿色发光子像素中的任一种，第一发光子像素123a、第二发光子像素123b以及第三发光子像素123c的开口形状可以为长方形、圆角长方形或椭圆形，第一发光子像素123a、第二发光子像素123b以及第三发光子像素123c的排列顺序不做限制，图5中的排列方式及开口形状仅为示例，不作为对本申请的限制。
其中，在发光像素123之间的辅助电极层113设置有第一通孔114a，又可称为接触孔(connecthole)，用于连接电路控制发光像素123发光。第一通孔114a的横截面形状为方形、圆形或菱形，图中第一通孔114a的形状和排布仅为示例，不作为对本发明的限制。第一通孔114a的横截面形状为方形制程方便，易于操作。第一通孔114a的横截面形状为圆形有利于减小像素定义层114的应力，使像素定义层114设置接触孔后保持稳定。第一通孔114a的横截面形状为菱形可以使第一通孔114a在避开发光像素123开口区的情况下设置更大的面积，更有利于发光像素123与驱动电路层100的接触。
其中，像素定义层114又称bank层。像素定义层114采用的材料为含氟素的树脂材料。像素定义层114用于分隔每个发光像素123及发光子像素，像素定义层114的像素开口区即每个发光子像素的发光面积，并且设置第一通孔114a以使辅助电极层113与外界或第二电极层120接触，以便电路连接。
请参阅图6，图6是本申请实施例提供的一种驱动电路的示意图。该驱动电路包括存储电容Cst、第一晶体管T1、第二晶体管T2以及有机发光二极管OLED。第一晶体管T1的漏极D连接第一电压VDD，第一晶体管T1的源极S连接有机发光二极管OLED的阳极，且第一晶体管T1的源极S与有机发光二极管OLED之间设置有第一节点N1。第一晶体管T1的栅极G连接第二晶体管T2的第一电极，且第一晶体管T1的栅极G与第二晶体管T2的第一电极之间设置有第二节点N2。第二晶体管T2的第二电极通过第三节点N3连接第二电压Vdata，第二晶体管T2的栅极连接滑动变阻器WR。存储电容Cst连接第一节点N1与第二节点N2。有机发光二极管OLED的阴极连接第三电压VSS。其中，滑动变阻器WR用于设定第二晶体管T2打开所需电压的大小以控制第二晶体管T2的打开或关闭，第二电压Vdata用于输入时序信号以使第二晶体管T2打开或关闭，存储电容Cst用于保证有机发光二极管OLED稳定发光。第一晶体管T1对应第一电压VDD用于控制供应到有机发光二极管OLED的驱动电流，并作为发光像素123的驱动晶体管。
本申请实施例提供一种显示面板制程方法，以下对显示面板制程方法做详细介绍。请参阅图7，图7是本申请实施例中的显示面板制程方法的第一种流程示意图。
201、提供一驱动电路层，驱动电路层包括相对设置的第一面和第二面。
其中，驱动电路层包括遮光层、缓冲层、活性层、栅极绝缘层、栅极、层间介质层、漏极、源极、辅助电极金属走线以及钝化层。在第二面设置有衬底。
具体地，先在衬底上设置遮光层，遮光层部分覆盖衬底。在衬底和遮光层上设置缓冲层。在缓冲层上设置活性层，活性层部分覆盖缓冲层，且活性层的正投影在遮光层上方。在活性层上设置栅极绝缘层，栅极绝缘层部分覆盖活性层。在栅极绝缘层上设置栅极。
然后，在缓冲层、活性层、栅极绝缘层以及栅极上设置层间介质层，在层间介质层上设置第三通孔和第四通孔。在层间介质层上设置源极，源极部分覆盖层间介质层并通过第三通孔与活性层连接。在层间介质层上设置漏极，漏极部分覆盖层间介质层，并通过第四通孔与活性层连接。在层间介质层上设置辅助电极金属走线，辅助电极金属走线部分覆盖层间介质层，辅助电极金属走线与源极、漏极同层设置，且辅助电极金属走线、源极和漏极之间留有间隙。
最后，在层间介质层、源极、漏极及辅助电极金属走线覆盖钝化层，在钝化层上设置第五通孔和第六通孔，第一电极层通过第五通孔与漏极连接，辅助电极层通过第六通孔与辅助电极金属走线连接。
202、在第一面设置第一电极层。
203、在第一面设置辅助电极层，辅助电极层与第一电极层同层设置，且辅助电极层与第一电极层之间留有间隔。
204、在驱动电路层、第一电极层以及辅助电极层上覆盖像素定义层，像素定义层上设置有第一通孔。
205、在像素定义层远离驱动电路层的一侧设置电子传输层，电子传输层通过第一通孔与辅助电极层连接。
其中，电子传输层的最低空轨道与辅助电极层的功函的能级差为2.0eV以下。
其中，采用蒸镀的方法在像素定义层远离驱动电路层的一侧设置电子传输层。具体地，将电子传输层材料蒸发或升华为电子传输层气态粒子，将电子传输层气态粒子输送至像素定义层远离驱动电路层的一侧，电子传输层气态粒子附着在像素定义层远离驱动电路层的一侧表面形核，并长大成固体电子传输层薄膜，然后电子传输层薄膜原子重构或产生化学键合以形成电子传输层。采用蒸镀的方式设置电子传输层，成膜方法简单、电子传输层薄膜纯度和致密性高。
请参阅图8，图8是本申请实施例提供的显示面板制程方法的第二种流程示意图。
301、提供一驱动电路层，驱动电路层包括相对设置的第一面和第二面。
其中，驱动电路层的设置方法与上一实施例相同，在此不再赘述。
302、在第一面设置第一电极层。
303、在第一面设置辅助电极层，辅助电极层与第一电极层同层设置，且辅助电极层与第一电极层之间留有间隔。
304、在驱动电路层、第一电极层以及辅助电极层上覆盖像素定义层。
305、在像素定义层上设置第一通孔和第二通孔。
306、在第二通孔内设置空穴注入层、空穴传输层以及发光层。
其中，采用喷墨印刷的方法在第二通孔内设置空穴注入层、空穴传输层以及发光层。具体地，在第二通孔内喷墨印刷空穴注入层材料，对空穴注入层材料进行平坦化处理并干燥，对空穴注入层材料进行烘烤以得到空穴注入层。空穴注入层通过第二通孔与第一电极层连接。空穴传输层以及发光层的设置方法与空穴注入层相同，在此不再赘述。
采用喷墨印刷的方法设置空穴注入层、空穴传输层以及发光层，可以精确打印到像素电极的区域而不覆盖辅助电极层，因此辅助电极层和第二电极层之间仅含有蒸镀的电子传输层及电子注入层材料，进一步提高了辅助电极层与第二电极层的导通性
307、在像素定义层远离驱动电路层的一侧设置电子传输层，电子传输层通过第一通孔与辅助电极层连接。
其中，电子传输层通过第二通孔与发光层连接。电子传输层的最低空轨道与辅助电极层的功函的能级差为2.0eV以下。
其中，采用蒸镀的方法在像素定义层远离驱动电路层的一侧设置电子传输层。具体方法与上一实施例相同，在此不再赘述。
308、在电子传输层远离像素定义层的一侧设置电子注入层。
其中，采用蒸镀的方法在电子传输层远离像素定义层的一侧设置电子注入层。具体地，将电子注入层材料蒸发或升华为电子注入层气态粒子，将电子注入层气态粒子输送至电子传输层远离像素定义层的一侧，电子注入层气态粒子附着在电子传输层远离像素定义层的一侧表面形核，并长大成固体电子注入层薄膜，然后电子注入层薄膜原子重构或产生化学键合以形成电子注入层。采用蒸镀的方式设置电子注入层，成膜方法简单、电子注入层薄膜纯度和致密性高。
309、在电子注入层远离电子传输层的一侧设置第二电极层。
其中，采用蒸镀或溅射的方法在电子注入层远离电子传输层的一侧设置第二电极层。
具体地，采用蒸镀的方法在电子注入层远离电子传输层的一侧设置第二电极层。将第二电极层材料蒸发或升华为第二电极层气态粒子，将第二电极层气态粒子输送至电子注入层远离电子传输层的一侧，第二电极层气态粒子附着在电子注入层远离电子传输层的一侧表面形核，并长大成固体第二电极层薄膜，然后第二电极层薄膜原子重构或产生化学键合以形成第二电极层。采用蒸镀的方式设置第二电极层，成膜方法简单、第二电极层薄膜纯度和致密性高。
具体地，采用溅射的方法在电子注入层远离电子传输层的一侧设置第二电极层。采用等离子体在电场的作用下，对第二电极层材料进行轰击，把第二电极层材料的分子、原子、离子及电子等溅射出来，被溅射出来的第二电极层材料带有一定的动能，沿一定的方向射向电子注入层远离电子传输层的一侧表面，在电子注入层远离电子传输层的一侧表面形成第二电极层。采用溅射的方法速度快，膜层致密，附着性好，很适合于大批量，高效率工业生产。
310、在第二电极层远离电子注入层的一侧设置光学调节层。
其中，采用蒸镀或溅射的方法在第二电极层远离电子注入层的一侧设置光学调节层。
具体地，采用蒸镀的方法在第二电极层远离电子注入层的一侧设置光学调节层。将光学调节层材料蒸发或升华为光学调节层气态粒子，将光学调节层气态粒子输送至第二电极层远离电子注入层的一侧，光学调节层气态粒子附着在第二电极层远离电子注入层的一侧表面形核，并长大成固体光学调节层薄膜，然后光学调节层薄膜原子重构或产生化学键合以形成光学调节层。采用蒸镀的方式设置光学调节层，成膜方法简单、光学调节层薄膜纯度和致密性高。
具体地，采用溅射的方法在第二电极层远离电子注入层的一侧设置光学调节层。采用等离子体在电场的作用下，对光学调节层材料进行轰击，把光学调节层材料的分子、原子、离子及电子等溅射出来，被溅射出来的光学调节层材料带有一定的动能，沿一定的方向射向第二电极层远离电子注入层的一侧表面，在第二电极层远离电子注入层的一侧表面形成光学调节层。采用溅射的方法速度快，膜层致密，附着性好，很适合于大批量，高效率工业生产。
311、在光学调节层远离第二电极层的一侧设置封装层。
本申请实施例提供的显示面板制程方法，通过采用喷墨印刷的方法设置空穴注入层、空穴传输层以及发光层，可以精确打印到像素电极的区域而不覆盖辅助电极层，因此辅助电极层和第二电极层之间仅含有蒸镀的电子传输层及电子注入层材料，进一步提高了辅助电极层与第二电极层的导通性，从而能够更好的改善由于电压降(IR Drop)带来的显示面板发光不均匀的现象。
以上对本申请实施例提供的显示面板及显示面板制程方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
驱动电路层，所述驱动电路层包括相对设置的第一面和第二面；
第一电极层，所述第一电极层部分覆盖所述第一面；
辅助电极层，所述辅助电极层部分覆盖所述第一面，所述辅助电极层与所述第一电极层同层设置，且所述辅助电极层与所述第一电极层之间留有间隙；
像素定义层，所述像素定义层覆盖所述驱动电路层、所述第一电极层以及所述辅助电极层，所述像素定义层上设置有第一通孔；
电子传输层，所述电子传输层设置于所述像素定义层远离所述驱动电路层的一侧，并通过所述第一通孔与所述辅助电极层连接；
其中，所述电子传输层的最低空轨道与所述辅助电极层功函的能级差为2.0 eV以下。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述电子传输层采用的材料最低空轨道的能级范围为2.5 eV至3.5 eV，所述电子传输层采用的材料包括有机电子传输材料、碱金属、碱土金属或稀土金属中任一种或多种的组合。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助电极层包括层叠设置的第一透明金属氧化物、金属及第二透明金属氧化物，所述第二透明金属氧化物设置于所述第一面上，其中，第二透明金属氧化物的功函为4.6 eV以下。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括电子注入层及第二电极层，所述电子注入层设置在所述电子传输层远离所述像素定义层的一侧，所述第二电极层设置在所述电子注入层远离所述电子传输层的一侧。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极层的功函与所述电子传输层的最低空轨道能级差为2.0 eV以下。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述电子传输层厚度为50 nm以下，所述电子注入层厚度为10 nm以下，所述第二电极层厚度为10 nm至30 nm。
7.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，还包括：光学调节层和封装层，所述光学调节层设置于所述第二电极层远离所述电子注入层的一侧，所述封装层设置于所述光学调节层远离所述第二电极层的一侧。
8.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，还包括：空穴注入层、空穴传输层及发光层，所述像素定义层还设置有第二通孔，所述空穴注入层设置于所述第二通孔内并通过所述第二通孔与所述第一电极层连接，所述空穴传输层设置于所述第二通孔内，且设置于所述空穴注入层远离所述第一电极层的一侧，所述发光层设置于所述第二通孔内，且设置于所述空穴传输层远离所述空穴注入层的一侧。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，包括发光像素，所述发光像素包括所述第一电极层、所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述发光层及所述第二电极层，所述发光像素与所述发光像素之间设置有所述辅助电极层，其中，所述辅助电极层通过所述电子传输层及所述电子注入层与所述第二电极层导通。
10.一种显示面板制程方法，其特征在于，包括：
提供一驱动电路层，所述驱动电路层包括相对设置的第一面和第二面；
在所述第一面设置第一电极层；
在所述第一面设置辅助电极层，所述辅助电极层与所述第一电极层同层设置，且所述辅助电极层与所述第一电极层之间留有间隔；
在所述驱动电路层、所述第一电极层以及所述辅助电极层上覆盖像素定义层，所述像素定义层上设置有第一通孔；
在所述像素定义层远离所述驱动电路层的一侧设置电子传输层，所述电子传输层通过所述第一通孔与所述辅助电极层连接；
其中，电子传输层的最低空轨道与辅助电极层的功函的能级差为2.0 eV以下。
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