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CN104835919A - 一种电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置 - Google Patents

一种电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置 Download PDF

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CN104835919A
CN104835919A CN201510276606.2A CN201510276606A CN104835919A CN 104835919 A CN104835919 A CN 104835919A CN 201510276606 A CN201510276606 A CN 201510276606A CN 104835919 A CN104835919 A CN 104835919A
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electrode layer
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吴海东
玄明花
赖韦霖
马群
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BOE Technology Group Co Ltd
Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
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Abstract

本发明实施例提供一种电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置，涉及显示技术领域，可显著降低阴极的面电阻，减小器件驱动电压和能耗。该电致发光器件包括：位于衬底基板上的阴极层；其中，所述阴极层位于所述电致发光器件的出光侧，所述阴极层包括透明电极层和金属电极层。用于电致发光器件及包括该电致发光器件的显示基板的制备。

Description

一种电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置。
背景技术
AM-OLED显示器中的OLED器件的发光方式主要为阴极出光，即，如图1所示，阳极040、阴极020分别位于功能层030的两侧，当在阳极040与阴极020上施加大于某一阈值的外加电场后，空穴、电子分别从阳极040、阴极020注入到功能层030中的发光层后发生辐射复合而导致发光，光线从阴极020一侧射出，从而实现显示。
为了增加阴极中的电子向功能层注入的效率，以提高OLED器件的发光效率，阴极通常采用低功函数的金属单质和/或合金材料。然而，由于金属单质和/或合金材料的光透过率较低，为了减小阴极对OLED器件整体出光率的影响，需要将阴极的厚度制作地较薄。但是当阴极厚度较小时，其面电阻Rs(Rs＝ρ/t，ρ为电阻率，t为厚度)会显著增加，导致OLED器件的驱动电压升高，能耗变大。
发明内容
本发明的实施例提供一种电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置，可在有效降低阴极整体的面电阻，减小器件驱动电压和能耗。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面、本发明实施例提供了一种电致发光器件，所述电致发光器件包括：位于衬底基板上的阴极层；其中，所述阴极层位于所述电致发光器件的出光侧，所述阴极层包括透明电极层和金属电极层。
优选的，所述电致发光器件还包括：功能层；其中，所述金属电极层位于所述透明电极层与所述功能层之间；所述功能层包括：依次远离所述阴极层的电子传输层、发光层、以及空穴传输层。
进一步优选的，相对于所述衬底基板，所述阴极层位于所述功能层的上方。
进一步优选的，所述电致发光器件还包括：位于所述功能层下方的阳极层。
进一步优选的，所述功能层还包括：空穴注入层、电子阻挡层以及电子注入层中的至少一种；其中，所述空穴注入层位于所述阳极层与所述空穴传输层之间；所述电子阻挡层位于所述空穴传输层与所述发光层之间；所述电子注入层位于所述电子传输层与所述阴极层之间。
进一步优选的，所述电致发光器件还包括：位于所述阳极层下方的反射金属层。
在上述基础上优选的，所述金属电极层采用Mg、Ag、Li、Al中的至少一种金属材料构成。
在上述基础上优选的，所述透明电极层采用ITO、IZO、FTO中的至少一种材料构成。
在上述基础上优选的，所述金属电极层的厚度为2～15nm；所述透明电极层的厚度为5～40nm。
本发明实施例还提供了一种电致发光器件的制备方法，所述制备方法包括：在衬底基板上形成阴极层的步骤；其中，形成的所述阴极层位于所述电致发光器件的出光侧，所述阴极层包括透明电极层和金属电极层。
优选的，所述在衬底基板上形成阴极层的步骤之前，所述制备方法还包括：在衬底基板上形成功能层的步骤；其中，形成的所述功能层包括：依次远离所述阴极层的电子传输层、发光层、以及空穴传输层；所述在衬底基板上形成阴极层的步骤具体包括：在形成的所述功能层上形成金属电极层；采用低温成膜工艺，在形成的所述金属电极层上形成透明电极层；其中，所述低温成膜工艺的成膜温度小于等于100℃。
进一步优选的，所述低温成膜工艺包括：负离子束溅镀法、低温化学气相沉积法中的至少一种。
进一步优选的，所述在衬底基板上形成功能层的步骤之前，所述制备方法还包括：在所述衬底基板上形成阳极层。
进一步优选的，形成的所述功能层还包括：空穴注入层、电子阻挡层以及电子注入层中的至少一种；其中，在形成所述阳极层之后，且形成所述空穴传输层之前，所述制备方法还包括：形成所述空穴注入层；在形成所述空穴传输层之后，且形成所述发光层之前，所述制备方法还包括：形成所述电子阻挡层；在形成所述电子传输层之后，且形成所述阴极层之前，所述制备方法还包括：形成所述电子注入层。
进一步优选的，所述在衬底基板上形成阳极层之前，所述制备方法还包括：在所述衬底基板上形成反射金属层。
在上述基础上优选的，形成的所述金属电极层的厚度为2～15nm；形成的所述透明电极层的厚度为5～40nm。
另一方面、本发明实施例还提供了一种显示基板，所述显示基板包括位于衬底基板上的如上述任一项所述的电致发光器件。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制备方法，所述制备方法包括：在衬底基板上形成电致发光器件的步骤；其中，所述电致发光器件采用上述任一项所述的制备方法。
再一方面、本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的所述的显示基板。
基于此，通过本发明实施例提供的上述电致发光器件，由于阴极层由透明电极层与金属电极层构成，即二者相接触，当该器件工作时，两个电极层的电路关系相当于电阻的并联，从而减小了由二者构成的阴极层的整体面电阻，降低了器件驱动电压和能耗。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的一种OLED器件的剖面结构示意图；
图2为通过本发明实施例提供的一种电致发光器件的剖面结构示意图一；
图3为通过本发明实施例提供的一种电致发光器件的剖面结构示意图二；
图4为通过本发明实施例提供的一种电致发光器件的剖面结构示意图三；
图5为图4所示的电致发光器件的光路原理图；
图6为本发明具体实施例提供的一种电致发光器件的制备流程示意图。
附图标记：
01-电致发光器件；10-衬底基板；20-阴极层；22-金属电极层；21-透明电极层；30-功能层；31-电子传输层；32-发光层；33-空穴传输层；34-空穴注入层；35-电子阻挡层；36-电子注入层；40-阳极层；50-反射金属层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要指出的是，除非另有定义，本发明实施例中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员共同理解的相同含义。还应当理解，诸如在通常字典里定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。
并且，本发明专利申请说明书以及权利要求书中所使用的术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
本发明实施例提供了一种电致发光器件01，如图2所示，该电致发光器件01包括：位于衬底基板10上的阴极层20；其中，阴极层20位于电致发光器件01的出光侧，阴极层20包括透明电极层21和金属电极层22。
需要说明的是，第一、上述的衬底基板10可以为玻璃等衬底基板、或形成有TFT阵列的衬底基板，具体不作限定。
该电致发光器件01例如可以为OLED器件。
第二、透明电极层21可以采用ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)、IZO(Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)、FTO(Fluorine-DopedTin Oxide，氟掺杂二氧化锡)中的至少一种材料构成。
金属电极层22可以采用Mg、Ag、Li、Al中的至少一种金属材料构成。即，可以为上述金属元素的单质，也可为由两种或两种以上的上述金属元素构成的金属合金。
第三、阴极层20位于电致发光器件01的出光侧，是指参考图2所示，当该电致发光器件01的发光方式为顶发光时，相对于衬底基板10，如图中箭头方向所示，光从位于上方的阴极层20一侧向上发出；当该电致发光器件01的发光方式为底发光时，相对于衬底基板10，光从位于下方的阴极层20一侧发出。
这里，考虑到上述的电致发光器件01应用于显示装置，如AM-OLED中时，各个器件与阵列基板中的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)相连，通过对应的TFT寻址独立控制，从而对各像素独立进行选择性调节，易于OLED彩色化的实现；而由于阵列基板上呈阵列排布的TFT以及与TFT相连的栅线、数据线等信号线不透光，因此，本发明实施例优选的，以参考图2所示的发光方式为例，即该电致发光器件01的发光方式为顶发光，从而使电子-空穴复合发出的光尽量有效地发射出以实现显示。当然，本发明实施例提供的上述电致发光器件01的结构也可以用于底发射，从而可提高现有技术中底发射型器件的出光率，其与顶发射型器件的区别在于相对于阵列基板的设置位置，在此不再赘述。
基于此，在本发明实施例提供的上述电致发光器件01中，由于阴极层20由透明电极层21与金属电极层22构成，即二者相接触，当该电致发光器件01工作时，两个电极层的电路关系相当于电阻的并联，从而减小了由二者构成的阴极层20的整体面电阻，降低了器件驱动电压和能耗；因此，相比于现有技术中的独立的金属阴极，金属电极层22的厚度可以制作的较小。
示例的，透明电极层21的厚度可以为5～40nm；金属电极层22的厚度可以为2～15nm；即，由金属电极层22、透明电极层21构成的阴极层20的整体厚度可以为7～55nm。
上述厚度配比可以使得由透明电极层21和金属电极层22构成的阴极层20整体具有较高的光透过率，同时，其整体面电阻也较小。
在上述基础上，参考图2所示，该电致发光器件01还包括：功能层30；其中，金属电极层22位于透明电极层21与功能层30之间；该功能层30具体包括：依次远离阴极层20的电子传输层31、发光层32、以及空穴传输层33。
需要说明的是，第一、相对于衬底基板10，功能层30可以参考图2所示的位于阴极层20的下方，即该电致发光器件01的发光方式为顶发光；在此发光方式下，电子-空穴发生辐射复合而产生的光依次穿过金属电极层22、透明电极层21向上射出，从而实现显示。
当然，相对于衬底基板10，该功能层30也可以位于阴极层20的上方，即该电致发光器件01的发光方式为底发光；在此发光方式下，电子-空穴发生辐射复合而产生的光依次穿过金属电极层22、透明电极层21、以及衬底基板10射出，从而实现显示。
第二、电子传输层(electron transport layer，简称ETL)31可由寡聚噻吩衍生物、三唑衍生物、喹喔啉衍生物、全氟代的芳香化合物等构成；发光层(emitting layer，简称EL)32可由Alq3(8-羟基喹啉铝)及其衍生物构成；空穴传输层(hole transport layer，简称HTL)33可由三苯胺衍生物和一些高分子聚合物构成。
由于金属电极层22位于透明电极层21与功能层30之间，即光透过率较高的透明电极层21位于金属电极层22的出光侧，即当该器件工作时，电子不需要先通过透明电极层才能注入进功能层30中，从金属阴极层21激发出的电子可直接注入到功能层30中进而与空穴发生辐射复合而发光，从而对电子-空穴的复合率不会造成影响。
在上述基础上，优选的，参考图2所示，相对于衬底基板10，阴极层20位于功能层30的上方。由于阴极层20位于该电致发光器件01的出光侧，因此该电致发光器件01的发光方式为顶发光。
进一步的，参考图2所示，该电致发光器件01还包括：位于功能层30下方的阳极层40。这里，阳极层40优选地采用功函数高的ITO、IZO以及FTO等材料构成，以提高空穴的激发率。
在上述基础上，为了进一步提高电子、空穴分别向功能层30注入的效率，如图3所示，该功能层30还包括：空穴注入层(hole injectionlayer，简称HIL)34、电子阻挡层(electron blocking layer，简称EBL)35以及电子注入层(electron injection layer，简称EIL)36中的至少一种。
其中，空穴注入层34位于阳极层40与空穴传输层33之间，其作用是提高从阳极层40激发出的空穴向空穴传输层33注入的效率；示例的，空穴注入层34可以由CuPc(酞菁铜，Copper(II)phthalocyanine)构成。
电子注入层36位于阴极层20与电子传输层31之间，其作用是提高从阴极层20激发出的电子向电子传输层31注入的效率；示例的，电子注入层36可以由Liq(8-羟基喹啉锂)构成。
电子阻挡层35位于空穴传输层33与发光层32之间，其作用是阻挡电子越过发光层32与空穴传输层33中的空穴发生辐射复合，从而导致发光效率降低；示例的，电子阻挡层35可以由TFB(聚(9，9-邻苯二甲酸二辛-芴-co-N-(4-苯基)苯胺)、TAPC(1，1-双[(二-4-甲苯氨基)苯基]环己烷)、NPB(N，N′-联苯-N，N′-(2-萘)-(1，1′-苯基)-4，4′-二胺)等有机材料构成。
需要说明的是，为了清楚起见，图3仅以功能层30包括有上述的HTL、EL、ETL、HIL、EBL以及EIL这6种结构层为例进行说明。
其中，HTL、EL以及ETL这三层为实现电致发光所必须的结构层；HIL、EBL以及EIL这三层为实现进一步提高发光效率所需的结构层，除上述HTL、EL以及ETL这三层外，功能层30可仅包括HIL、EBL以及EIL这三层中的至少一层，具体不作限定。
进一步的，如图4所示，该电致发光器件01还包括：位于阳极层40下方的反射金属层50。
这里，由于该电致发光器件01的发光方式为顶发光，电子-空穴辐射复合而发出的光一部分会从顶部的阴极层20射出，另一部分会从底部的阳极层40射出，由于从底部的阳极层40射出的光不能有效地应用于显示，从而造成出光效率的降低。因此，为了提高器件的出光效率，将反射金属层50设置在衬底基板10与阳极层40之间，其光路原理如图5所示，可以将从阳极层40射出的光经反射金属层50的反射后，再次向上从阴极层20射出，从而提高了电致发光器件01的出光效率。
本发明实施例还提供了一种上述的电致发光器件01的制备方法，该制备方法包括：
在衬底基板10上形成阴极层20的步骤；其中，形成的阴极层20位于电致发光器件01的出光侧，阴极层20包括透明电极层21和金属电极层22。
由于形成的阴极层20由透明电极层21与金属电极层22构成，即二者相接触，当该电致发光器件01工作时，两个电极层的电路关系相当于电阻的并联，从而减小了由二者构成的阴极层20的整体面电阻，降低了器件驱动电压和能耗；因此，相比于现有技术中的独立的金属阴极，金属电极层22的厚度可以制作的较小。
示例的，形成的透明电极层21的厚度可以为5～40nm；形成的金属电极层22的厚度可以为2～15nm；即，由金属电极层22、透明电极层21构成的阴极层20的整体厚度可以为7～55nm。
进一步的，在衬底基板10上形成阴极层20的步骤之前，上述的制备方法还包括：
在衬底基板10上形成功能层30的步骤；其中，形成的功能层30包括：依次远离阴极层20的电子传输层31、发光层32、以及空穴传输层33。
这里，考虑到包括有上述阴极层20结构的电致发光器件01应用于显示装置，如AM-OLED中时，各个器件与阵列基板中的TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶体管)相连，通过对应的TFT寻址独立控制，从而对各像素独立进行选择性调节，易于OLED彩色化的实现；而由于阵列基板上呈阵列排布的TFT以及与TFT相连的栅线、数据线等信号线不透光，因此，本发明实施例优选的，以参考图2所示的发光方式为例，采用上述制备方法形成的电致发光器件01的发光方式为顶发光，即在衬底基板10上先形成功能层30，之后再形成上述的阴极层20，从而使电子-空穴复合发出的光尽量有效地向上发射出以实现显示。当然，本发明实施例提供的上述电致发光器件01的结构也可以用于底发射，从而可提高现有技术中底发射型器件的出光率，其与顶发射型器件的区别在于相对于阵列基板的设置位置，在此不再赘述。
在此基础上，上述的在衬底基板上形成阴极层20的步骤具体包括如下子步骤：
在形成的功能层30上形成金属电极层22；采用低温成膜工艺，在形成的金属电极层22上形成透明电极层21；其中，低温成膜工艺的成膜温度小于等于100℃。
需要说明的是，第一、由于在形成的功能层30上先形成金属电极层22，之后形成透明电极层21，因此金属电极层22位于形成的功能层30与透明电极层21之间，即光透过率较高的透明电极层21位于金属电极层22的出光侧，当该器件工作时，电子不需要先通过透明电极层才能注入进功能层30中，从金属阴极层21激发出的电子可直接注入到功能层30中进而与空穴发生辐射复合而发光，从而对电子-空穴的复合率不会造成影响。
第二、由于构成功能层30的材料通常为有机材料或无机半导体材料等，耐高温的性能较差，如果采用传统的蒸镀法、溅射法等高温成膜工艺在金属电极层22上形成透明电极层21，高温会对金属电极层22造成影响；同时，由于金属电极层22通常由金属单质和/或合金构成，其导热性很高，成膜时的高温还会通过金属电极层22传达至下方的功能层30中，从而对功能层30中的各层性能造成破坏，从而影响电致发光器件01的发光性能。
因此，本发明实施例进一步优选的，采用小于等于100℃的低温成膜工艺在形成的金属电极层22上形成透明电极层21，可避免成膜工艺中的高温对已沉积形成的功能层30以及金属电极层22造成影响，保证了器件的性能稳定性。
进一步的，上述的低温成膜工艺包括：负离子束溅镀法、低温化学气相沉积法中的至少一种。
其中，负离子束溅镀法是一种在真空蒸镀技术与电离技术基础上发展而来的新型镀膜技术。
这里，以待镀的透明电极层21由ITO材料构成为例，负离子束溅镀法的最大优点是待镀的材料粒子(即上述的ITO材料)以负离子的形成在电场作用下高速射向衬底(即上述的金属电极层22)表面，由于负离子束受到电场的加速作用，其携带的动能很高、且化学活性高，ITO成膜致密性好、与衬底表面的结合力强，不需要过高的成膜温度，因此可以在小于等于100℃(通常仅需50℃即可)的低温下成膜。
低温化学气相沉积法是一种薄膜材料的气相生长方法，是将一种或几种含有构成薄膜元素(即上述的ITO)的化合物、单质气体通入放置有衬底(即上述的金属电极层22)的反应室，在较低温度下借助空间气相化学反应在衬底表面上沉积固态薄膜的工艺技术。
进一步的，参考图2所示，在衬底基板10上形成功能层30的步骤之前，该制备方法还包括：在衬底基板10上形成阳极层40，即形成的电致发光器件01的发光方式为顶发光。
这里，阳极层40优选地采用功函数高的ITO、IZO以及FTO等材料构成，以提高空穴的激发率；成膜工艺可沿用现有技术的溅射等方法，具体不作限定。
在上述基础上，为了进一步提高电子、空穴分别向功能层30注入的效率，参考图3所示，形成的功能层30还包括：
空穴注入层(hole injection layer，简称HIL)34、电子阻挡层(electron blocking layer，简称EBL)35以及电子注入层(electroninjection layer，简称EIL)36中的至少一种。
其中，上述各层的具体制备步骤为：
在形成阳极层40之后，且形成空穴传输层33之前，上述制备方法还包括：形成空穴注入层34；其作用是提高从阳极层40激发出的空穴向空穴传输层33注入的效率；示例的，空穴注入层34可以由CuPc(酞菁铜，Copper(II)phthalocyanine)构成，以蒸镀的工艺形成。
在形成空穴传输层33之后，且形成发光层32之前，上述制备方法还包括：形成电子阻挡层35；其作用是阻挡电子越过发光层32与空穴传输层33中的空穴发生辐射复合，从而导致发光效率降低；示例的，电子阻挡层35可以由TFB(聚(9，9-邻苯二甲酸二辛-芴-co-N-(4-苯基)苯胺)、TAPC(1，1-双[(二-4-甲苯氨基)苯基]环己烷)、NPB(N，N′-联苯-N，N′-(2-萘)-(1，1′-苯基)-4，4′-二胺)等有机材料构成，以蒸镀的工艺形成。
在形成电子传输层31之后，且形成阴极层20之前，上述制备方法还包括：形成电子注入层36其作用是提高从阴极层20激发出的电子向电子传输层31注入的效率；示例的，电子注入层36可以由Liq(8-羟基喹啉锂)构成，以蒸镀的工艺形成。
进一步的，参考图4所示，在衬底基板10上形成阳极层40之前，上述制备方法还包括：在衬底基板10上形成反射金属层50。
这里，由于该电致发光器件01的发光方式为顶发光，电子-空穴辐射复合而发出的光一部分会从顶部的阴极层20射出，另一部分会从底部的阳极层40射出，由于从底部的阳极层40射出的光不能有效地应用于显示，从而造成出光效率的降低。因此，为了提高器件的出光效率，将反射金属层50设置在衬底基板10与阳极层40之间，其光路原理可参考图5所示，可以将从阳极层40射出的光经反射金属层50的反射后，再次向上从阴极层20射出，从而提高了电致发光器件01的出光效率。
如图6所示，下面提供一个具体实施例，用于详细描述上述的制备方法：
S01、采用蒸镀法，在衬底基板10上形成由金属单质Ag构成的反射金属层50；
S02、采用负离子束溅镀法，在形成的反射金属层50上形成由ITO材料构成的阳极层40；
S03、采用蒸镀法，在形成的阳极层40上依次形成由CuPc构成的空穴注入层34；由三苯胺衍生物构成的空穴传输层33；由TFB构成的电子阻挡层35；由Alq3构成的发光层32；由寡聚噻吩衍生物构成的电子传输层31以及由Liq构成的电子注入层36，以形成功能层30；
S04、采用蒸镀法，在形成的功能层30上形成金属电极层22；之后采用负离子束溅镀法，在形成的金属电极层22上形成透明电极层21，以形成阴极层20；
通过上述步骤S01～S04从而形成电致发光器件01。
其中，上述S04可采用以下6种实施例中的任一种进行：
实施例1
采用蒸镀法，在形成的功能层30上形成由Mg-Ag合金构成的金属电极层22，其厚度为5nm；
采用负离子束溅镀法，在形成的金属电极层22上形成由ITO构成的透明电极层21，其厚度为30nm。
实施例2
采用蒸镀法，在形成的功能层30上形成由Mg-Ag合金构成的金属电极层22，其厚度为10nm；
采用负离子束溅镀法，在形成的金属电极层22上形成由ITO构成的透明电极层21，其厚度为25nm。
实施例3
采用蒸镀法，在形成的功能层30上形成由Li-Al合金构成的金属电极层22，其厚度为5nm；
采用负离子束溅镀法，在形成的金属电极层22上形成由ITO构成的透明电极层21，其厚度为40nm。
实施例4
采用蒸镀法，在形成的功能层30上形成由Li-Al合金构成的金属电极层22，其厚度为10nm；
采用负离子束溅镀法，在形成的金属电极层22上形成由ITO构成的透明电极层21，其厚度为35nm。
实施例5
采用蒸镀法，在形成的功能层30上形成由Mg-Ag合金构成的金属电极层22，其厚度为2nm；
采用负离子束溅镀法，在形成的金属电极层22上形成由IZO构成的透明电极层21，其厚度为30nm。
实施例6
采用蒸镀法，在形成的功能层30上形成由Li-Al合金构成的金属电极层22，其厚度为2nm；
采用负离子束溅镀法，在形成的金属电极层22上形成由IZO构成的透明电极层21，其厚度为30nm。
本发明实施例还提供了一种显示基板，该显示基板包括位于衬底基板10上的上述电致发光器件01。
这里，该衬底基板10例如可以为形成有TFT阵列的阵列基板。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制备方法，该制备方法包括：
在衬底基板10上形成上述电致发光器件01的步骤，该衬底基板10例如可以为形成有TFT阵列的阵列基板。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示基板。
上述显示装置具体可以是OLED面板、OLED显示器、OLED电视或电子纸、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或者部件。
需要说明的是，本发明所有附图是上述电致发光器件及其制备方法的简略的示意图，只为清楚描述本方案体现了与发明点相关的结构，对于其他的与发明点无关的结构是现有结构，在附图中并未体现或只体现部分。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (19)

1.一种电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件包括：
位于衬底基板上的阴极层；其中，所述阴极层位于所述电致发光器件的出光侧，所述阴极层包括透明电极层和金属电极层。
2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件还包括：功能层；其中，
所述金属电极层位于所述透明电极层与所述功能层之间；
所述功能层包括：依次远离所述阴极层的电子传输层、发光层、以及空穴传输层。
3.根据权利要求2所述的电致发光器件，其特征在于，
相对于所述衬底基板，所述阴极层位于所述功能层的上方。
4.根据权利要求3所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件还包括：位于所述功能层下方的阳极层。
5.根据权利要求4所述的电致发光器件，其特征在于，所述功能层还包括：
空穴注入层、电子阻挡层以及电子注入层中的至少一种；其中，
所述空穴注入层位于所述阳极层与所述空穴传输层之间；
所述电子阻挡层位于所述空穴传输层与所述发光层之间；
所述电子注入层位于所述电子传输层与所述阴极层之间。
6.根据权利要求4所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件还包括：位于所述阳极层下方的反射金属层。
7.根据权利要求1至6任一项所述的电致发光器件，其特征在于，所述金属电极层采用Mg、Ag、Li、Al中的至少一种金属材料构成。
8.根据权利要求1至6任一项所述的电致发光器件，其特征在于，所述透明电极层采用ITO、IZO、FTO中的至少一种材料构成。
9.根据权利要求1至6任一项所述的电致发光器件，其特征在于，
所述金属电极层的厚度为2～15nm；
所述透明电极层的厚度为5～40nm。
10.一种电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
在衬底基板上形成阴极层的步骤；其中，
形成的所述阴极层位于所述电致发光器件的出光侧，所述阴极层包括透明电极层和金属电极层。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成阴极层的步骤之前，所述制备方法还包括：
在衬底基板上形成功能层的步骤；其中，形成的所述功能层包括：依次远离所述阴极层的电子传输层、发光层、以及空穴传输层；
所述在衬底基板上形成阴极层的步骤具体包括：
在形成的所述功能层上形成金属电极层；
采用低温成膜工艺，在形成的所述金属电极层上形成透明电极层；其中，所述低温成膜工艺的成膜温度小于等于100℃。
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述低温成膜工艺包括：负离子束溅镀法、低温化学气相沉积法中的至少一种。
13.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成功能层的步骤之前，所述制备方法还包括：
在所述衬底基板上形成阳极层。
14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，形成的所述功能层还包括：
空穴注入层、电子阻挡层以及电子注入层中的至少一种；其中，
在形成所述阳极层之后，且形成所述空穴传输层之前，所述制备方法还包括：形成所述空穴注入层；
在形成所述空穴传输层之后，且形成所述发光层之前，所述制备方法还包括：形成所述电子阻挡层；
在形成所述电子传输层之后，且形成所述阴极层之前，所述制备方法还包括：形成所述电子注入层。
15.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成阳极层之前，所述制备方法还包括：
在所述衬底基板上形成反射金属层。
16.根据权利要求10至15任一项所述的制备方法，其特征在于，
形成的所述金属电极层的厚度为2～15nm；
形成的所述透明电极层的厚度为5～40nm。
17.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括位于衬底基板上的如权利要求1至9任一项所述的电致发光器件。
18.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底基板上形成电致发光器件的步骤；其中，所述电致发光器件采用上述权利要求10至16任一项所述的制备方法。
19.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求17所述的显示基板。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016188042A1 (zh) * 2015-05-26 2016-12-01 京东方科技集团股份有限公司 电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置
CN106206984A (zh) * 2016-08-18 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 顶发射型有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
CN107086228A (zh) * 2016-02-16 2017-08-22 上海和辉光电有限公司 一种oled显示装置
CN110323358A (zh) * 2019-07-11 2019-10-11 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管及其制造方法和发光装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018106101A (ja) * 2016-12-28 2018-07-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6284393B1 (en) * 1996-11-29 2001-09-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US20030171060A1 (en) * 1999-07-29 2003-09-11 Takashi Hirano Organic electroluminescence device and display device
EP1414081A2 (en) * 2002-10-24 2004-04-28 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Organic electroluminescent device
GB2475246A (en) * 2009-11-10 2011-05-18 Cambridge Display Tech Ltd Organic opto-electronic devices

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7002293B2 (en) * 2004-01-27 2006-02-21 Eastman Kodak Company Organic light emitting diode with improved light emission through the cathode
US7902374B2 (en) * 2005-05-06 2011-03-08 Universal Display Corporation Stability OLED materials and devices
CL2008002189A1 (es) * 2008-07-25 2008-10-24 Univ Mayor Metodo para producir extracto de saponinas de quillaja saponaria molina que comprende tratar producto comercial de saponinas de quillaja saponaria molina con pool enzimatico de pectinasa, proteasa, glicosidasa y enzimas hemiceluliticas, filtrar y mez
CN101783395A (zh) * 2009-01-20 2010-07-21 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制造方法
TWI405498B (zh) * 2009-03-27 2013-08-11 Ritdisplay Corp 有機發光顯示面板
WO2012017488A1 (ja) * 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 発光素子とその製造方法、および発光装置
KR101978670B1 (ko) * 2011-12-28 2019-05-15 오지 홀딩스 가부시키가이샤 유기발광다이오드, 유기발광다이오드의 제조방법, 화상표시장치 및 조명장치
JP2014189815A (ja) * 2013-03-26 2014-10-06 Sumitomo Heavy Ind Ltd 成膜装置、及び成膜方法
CN105981476B (zh) * 2014-02-18 2018-01-12 夏普株式会社 有机电致发光元件和有机电致发光面板
CN104835919A (zh) * 2015-05-26 2015-08-12 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6284393B1 (en) * 1996-11-29 2001-09-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device
US20030171060A1 (en) * 1999-07-29 2003-09-11 Takashi Hirano Organic electroluminescence device and display device
EP1414081A2 (en) * 2002-10-24 2004-04-28 Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki Organic electroluminescent device
GB2475246A (en) * 2009-11-10 2011-05-18 Cambridge Display Tech Ltd Organic opto-electronic devices

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016188042A1 (zh) * 2015-05-26 2016-12-01 京东方科技集团股份有限公司 电致发光器件及其制备方法、显示基板、显示装置
CN107086228A (zh) * 2016-02-16 2017-08-22 上海和辉光电有限公司 一种oled显示装置
CN107086228B (zh) * 2016-02-16 2019-11-22 上海和辉光电有限公司 一种oled显示装置
CN106206984A (zh) * 2016-08-18 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 顶发射型有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
WO2018033040A1 (zh) * 2016-08-18 2018-02-22 京东方科技集团股份有限公司 顶发射型有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
EP3503235A4 (en) * 2016-08-18 2020-03-11 Boe Technology Group Co. Ltd. MAXIMUM EMISSION ORGANIC LIGHT EMITTING COMPONENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE
US10818869B2 (en) 2016-08-18 2020-10-27 Boe Technology Group Co., Ltd. Top-emitting type organic electroluminescent device, manufacturing method thereof and display apparatus
CN110323358A (zh) * 2019-07-11 2019-10-11 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管及其制造方法和发光装置
WO2021004469A1 (zh) * 2019-07-11 2021-01-14 京东方科技集团股份有限公司 发光二极管及其制造方法和发光装置
US12238952B2 (en) 2019-07-11 2025-02-25 Boe Technology Group Co., Ltd. Light emitting diode, method of manufacturing the same, and light emitting device

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