CN111560586A - 一种电容触摸屏镀膜工艺及触摸屏 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种电容触摸屏镀膜工艺及触摸屏，涉及显示元件加工技术领域；触摸屏包括基层和通过靶材溅射依次敷设在所述基层上的ZrOx层、二氧化硅层和ITO层。本发明采用在线表面活性增强处理方式，创建结晶诱导层，采用ZrOx作为折射率匹配层的第一层，采用在线后离子源处理，激活与金属层接触的表面活性，有效改善传统ITO膜对于金属层的附着力，保证了屏幕性能。
Description
技术领域
本发明涉及显示元件加工技术领域，具体涉及一种电容触摸屏镀膜工艺 及触摸屏。
背景技术
现有电容式触摸屏的ITO膜的边框一般为银浆线条，通过丝网印刷的方 式加工出线条，但受限于丝网印刷的精度，其线条的线宽/线距(L/S)为80/80 微米；此种结构的触摸屏边框比较大，屏占比小。为了扩大屏占比，缩窄触 摸屏的边框，需要实现L/S为40/40微米或30/30微米甚至是20/20微米。
因而，不能采用银浆丝网印刷的方式，需要在镀膜时，在ITO的表面加 上一层金属导电层，如Cu或含Cu的复合层或含Al的复合层。然而，现行 的ITO膜(未镀金属导电层的)在加镀金属层之后，容易出现膜层附着力不 良现象，降低屏幕性能。
发明内容
本发明的第一目的在于提供一种电容触摸屏镀膜工艺，以解决现有的镀 膜工艺加镀金属层出现的膜层附着力不佳，影响屏幕性能的问题。
为实现上述目的，本发明提出的技术方案如下：
一种电容触摸屏镀膜工艺，包括：
基层除水，去除基层表面水汽分量；
表面增强，通过辉光放电增强所述基层表面活性；
第一层靶材溅射，采用ZrOx在所述基层上溅射ZrOx靶材；
第二层靶材溅射，采用硅和氧在所述基层上溅射二氧化硅靶材；
第三层靶材溅射，采用ITO在所述基层上溅射ITO靶材；
离子源轰击处理，在真空内通过在线线性离子源轰击所述ITO靶材；
加热处理，对离子源轰击处理后所述基层和各靶材进行离线加热。
根据本发明提供的电容触摸屏镀膜工艺，采用在线表面活性增强处理方 式，创建结晶诱导层，采用ZrOx作为折射率匹配层的第一层，采用在线后 离子源处理，激活与金属层接触的表面活性，有效改善传统ITO膜对于金属 层的附着力，保证屏幕性能。
另外，根据本发明上述实施例的电容触摸屏镀膜工艺，还可以具有如下 附加的技术特征：
根据本发明的一个示例，所述基层除水过程处于零下120℃度到零下 152℃之间。
根据本发明的一个示例，所述辉光放电的电压区间为1.0-2.5kV，电流 区间为0.7-1.5A。
根据本发明的一个示例，所述ZrOx中的x为0.8-0.99。
根据本发明的一个示例，所述第二层靶材溅射在保护气体中进行；和/ 或，所述离子源轰击处理在保护气体中进行。
根据本发明的一个示例，所述ITO包括氧化铟和氧化锡，所述氧化铟与 所述氧化锡的重量比区间为0.10-0.97。
根据本发明的一个示例，所述氧化铟与所述氧化锡的重量比为0.9。
根据本发明的一个示例，所述加热处理温度区间为140℃-160℃，加热 时间区间为40min-70min。
本发明的第二目的在于提供一种镀膜屏，其由如上述技术方案所述的电 容触摸屏镀膜工艺加工而成，其包括基层和通过靶材溅射依次敷设在所述基 层上的ZrOx层、二氧化硅层和ITO层。
根据本发明的一个示例，所述ZrOx层厚度为5-18nm；所述二氧化硅层 厚度为30-50nm；所述ITO层厚度为15-25nm。
以上附加方面的优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述 中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
图1为本发明实施例的电容触摸屏镀膜工艺的流程图；
图2为本发明实施例的触摸屏的结构示意图。
附图中，各标号所代表的部件列表如下：
100、基层；200、ZrOx层；300、二氧化硅层；400、ITO层。
实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本 发明，并非用于限定本发明的范围。
结合附图1所示，本实施了提供了一种电容触摸屏镀膜工艺，包括以下 步骤：
基层除水，去除基层表面水汽分量，具体的，本实施例的基层为PET(聚 对苯二甲酸类塑料)基层。
表面增强，通过辉光放电增强基层表面活性；
第一层靶材溅射，采用ZrOx在基层上溅射ZrOx靶材；
第二层靶材溅射，采用硅和氧在基层上溅射二氧化硅靶材；
第三层靶材溅射，采用ITO在基层上溅射ITO靶材；
离子源轰击处理，在真空内通过在线线性离子源轰击ITO靶材；
加热处理，对离子源轰击处理后基层和各靶材进行离线加热。
作为本发明实施例的一个优选实施方式，本实施例的基层除水过程整个 基层处于零下120℃度到零下152℃之间，并且采用非接触方式进行除水处 理，具体通过低温水气泵(polycold)制冷，在真空室内，离基材100mm以 上的位置布置制冷管道，工作时，制冷管道的温度为-120℃～-150℃之间。 提高除水效率，保证后续膜层敷设的连接可靠性。
作为本发明实施例的一个优选实施方式，本实施例的辉光放电的电压区 间为1.0-2.5kV，电流区间为0.7-1.5A，辉光放电(glow discharge)是指低 压气体中显示辉光的气体放电，即是稀薄气体中的自持放电(自激导电)，利 用辉光放电的正柱区产生激光的特性增强PET基层的表面活性，以提高后续 膜层连接的稳定性。
作为本发明实施例的一个优选实施方式，本实施例的ZrOx(旋转氧化锆 靶)中的x为1.8-1.99。ZrOx作为ZrO2的优化结构，这个材料更适用于磁 控溅射，一方面利用Zr金属的特性，增加靶材的导电性，可使用直流或中 频的方式进行(可增加镀膜的沉积效率)，避免使用射频(镀膜的沉积效率 较低)；另一方面利用其氧化特性，透明的特性，参与到产品的光学层。
作为本发明实施例的一个优选实施方式，本实施例的第二层靶材溅射在 保护气体中进行；且离子源轰击处理在保护气体中进行，保护气体优选为Ar (氩)，由于Ar自身的稳定化学性能，能够保证溅射和离子源轰击处理的效 果。
作为本发明实施例的一个优选实施方式，ITO包括氧化铟和氧化锡，且 氧化铟与氧化锡的重量比区间为0.10-0.97。
更优选的，本实施例的氧化铟与氧化锡的重量比为0.9：0.1，靶材溅射 效果和材料的附着力最佳。
作为本发明实施例的一个优选实施方式，本实施例的加热处理温度区间 为140℃-160℃，加热时间区间为40min-70min，且采用离线加热，离线加 热即为产品离开了真空环境，在大气状态下进行烘烤加热，对膜层的结构进 行热状态下的重组，提升产品的可见光透过率。
结合附图2所示，基于上述方法，本实施例还提供了一种镀膜屏，其由 如上述技术方案的电容触摸屏镀膜工艺加工而成，其包括基层100和通过靶 材溅射依次敷设在基层上的ZrOx层200、二氧化硅层300和ITO层400。
作为本发明实施例的一个优选实施方式，ZrOx层200厚度为5-18nm； 二氧化硅层300厚度为30-50nm；ITO层400厚度为15-25nm，通过此组合， 能得到可见光透过率较高的产品，通过该膜层组合，能实现产品的表面电阻 在100-150欧姆/方块(Ohm/Sqr)。
综上所述，根据本实施例提供的电容触摸屏镀膜工艺和镀膜屏，采用在 线表面活性增强处理方式，创建结晶诱导层，采用ZrOx作为折射率匹配层 的第一层，采用在线后离子源处理，激活与金属层接触的表面活性，有效改 善传统ITO膜对于金属层的附着力，保证屏幕性能。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”等指示的方位 或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和 简化描述，而不是指示或暗示所指的装置必须具有特定的方位、以特定的方 位构造和操作，不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或 暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第 一”、“第二”的特征可以明示或者隐含包括一个或者更多个该特征。在本 发明的描述中，“多个”的含义是两个以上，除非另有明确具体的限定。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施 例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发 明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (10)
1.一种电容触摸屏镀膜工艺，其特征在于，包括：
基层除水，去除基层表面水汽分量；
表面增强，通过辉光放电增强所述基层表面活性；
第一层靶材溅射，采用ZrOx在所述基层上溅射ZrOx靶材；
第二层靶材溅射，采用硅和氧在所述基层上溅射二氧化硅靶材；
第三层靶材溅射，采用ITO在所述基层上溅射ITO靶材；
离子源轰击处理，在真空内通过在线线性离子源轰击所述ITO靶材；
加热处理，对离子源轰击处理后所述基层和各靶材进行离线加热。
2.根据权利要求1所述的电容触摸屏镀膜工艺，其特征在于，所述基层除水过程处于零下120℃度到零下152℃之间。
3.根据权利要求1所述的电容触摸屏镀膜工艺，其特征在于，所述辉光放电的电压区间为1.0-2.5kV，电流区间为0.7-1.5A。
4.根据权利要求1所述的电容触摸屏镀膜工艺，其特征在于，所述ZrOx中的x为1.8-1.99。
5.根据权利要求1所述的电容触摸屏镀膜工艺，其特征在于，所述第二层靶材溅射在保护气体中进行；和/或，所述离子源轰击处理在保护气体中进行。
6.根据权利要求1所述的电容触摸屏镀膜工艺，其特征在于，所述ITO包括氧化铟和氧化锡，所述氧化铟与所述氧化锡的重量比区间为0.10-0.97。
7.根据权利要求6所述的电容触摸屏镀膜工艺，其特征在于，所述氧化铟与所述氧化锡的重量比为0.9。
8.根据权利要求1所述的电容触摸屏镀膜工艺，其特征在于，所述加热处理温度区间为140℃-160℃，加热时间区间为40min-70min。
9.一种镀膜屏，其特征在于，由如权利要求1-8任一项所述的电容触摸屏镀膜工艺加工而成，其包括基层和通过靶材溅射依次敷设在所述基层上的ZrOx层、二氧化硅层和ITO层。
10.根据权利要求9所述的镀膜屏，其特征在于，所述ZrOx层厚度为5-18nm；所述二氧化硅层厚度为30-50nm；所述ITO层厚度为15-25nm。
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