CN111384200B - 一种太阳能电池的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种太阳能电池的制备方法，所述方法包括：在基板上制备光电转换层，并在所述基板上形成未被所述光电转换层覆盖的预留区；将位于所述预留区内的预设位置作为刻划起始点，对所述光电转换层进行第一刻划，形成第一刻划线。这样，可通过灵活调节第一刻划线的刻划起始点来改善刻划过程中的过刻、漏刻现象，降低过刻、漏刻概率。
Description
技术领域
本发明涉及电池刻划技术领域，尤其涉及一种太阳能电池的制备方法。
背景技术
铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池在制作过程中需要引入三次刻划。首先，在钠钙玻璃衬底上镀完钼(Mo)背电极层后，利用激光在Mo背电极层表面进行第一次划线将其均匀分割成一个个细长的小区，将第一次刻划记为P1，其次，继续镀完CIGS吸光层和硫化镉(CdS)或氧化锌(ZnO)缓冲层后，利用激光或机械的方式在P1右侧附近并且平行于P1进行第二次刻划，划穿CIGS吸光层和CdS/ZnO缓冲层，将第二次刻划记为P2；最后，镀上掺铝氧化锌(AZO)顶电极层，把每个相邻小区的AZO顶电极层和Mo背电极层连接起来，利用激光或机械的方式在P2右侧附近并且平行于P2进行第三次刻划，划穿AZO顶电极层，切断每个相邻小区的AZO顶电极层和Mo背电极层的连接，将第三次刻划记为P3。
目前，采用机械方式对CIGS薄膜太阳能电池进行刻划时，容易发生过刻时、漏刻，若通过调整针压的方式改善，效果并不明显，过刻、漏刻的概率仍旧过高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种太阳能电池的制备方法，以解决现有技术中在对CIGS薄膜太阳能电池进行刻划时，过刻、漏刻概率高的问题。
为了达到上述目的，本发明提供一种太阳能电池的制备方法，所述方法包括：
在基板上制备光电转换层，并在所述基板上形成未被所述光电转换层覆盖的预留区；
将位于所述预留区内的预设位置作为刻划起始点，对所述光电转换层进行第一刻划，形成第一刻划线。
进一步的，在形成第一刻划线之后，还包括：
对所述光电转换层进行第二刻划，形成第二刻划线，所述第二刻划线的起始点与所述第一刻划线的终点重合，且所述第二刻划线位于所述第一刻划线的延长线上。
进一步的，在形成第二刻划线之后，还包括：
制备电极层，所述电极层覆盖在所述预留区和所述光电转换层上；
将所述电极层上正对所述光电转换层的区域内的预设位置作为刻划起始点，对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线。
进一步的，在形成第三刻划线之后，还包括：
对所述电极层进行第四刻划，形成第四刻划线，所述第四刻划线的起始点与所述第三刻划线的终点重合，且所述第四刻划线位于所述第三刻划线的延长线上。
进一步的，所述对所述光电转换层进行第一刻划，形成第一刻划线，包括：
按照第一刻划参数对所述光电转换层进行第一刻划，形成第一刻划线；
所述第一刻划参数包括第一刻划速度和第一刻划针压，其中，第一刻划速度的取值范围为900mm/s至1100mm/s，第一刻划针压的取值范围为1.5N至1.9N。
进一步的，所述对所述光电转换层进行第二刻划，形成第二刻划线，包括：
按照第二刻划参数对所述光电转换层进行第二刻划，形成第二刻划线；
所述第二刻划参数包括第二刻划速度和第二刻划针压，其中，第二刻划速度的取值范围为800mm/s至1000mm/s，第二刻划针压的取值范围为0.8N至1.2N。
进一步的，所述对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线，包括：
按照第三刻划参数对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线；
所述第三刻划参数包括下针速度、第三刻划速度和第三刻划针压，其中，所述下针速度的取值范围为10mm/s至20mm/s，所述第三刻划速度的取值范围为180mm/s至220mm/s，所述第三刻划针压的取值范围为1.5N至1.9N。
进一步的，所述对所述电极层进行第四刻划，形成第四刻划线，包括：
所述第四刻划参数包括第四刻划速度和第四刻划针压，其中，第四刻划速度的取值范围为800mm/s至1000mm/s，第四刻划针压的取值范围为0.8N至1.2N。
进一步的，所述第一刻划线的长度的取值范围为3mm至8mm。
进一步的，所述第三刻划线的长度的取值范围为0.15mm至1mm。
本发明实施例还提供一种太阳能电池的制备方法，包括：
制备电极层，所述电极层覆盖在预留区和光电转换层上；所述预留区为在基板上制备光电转换层时，所述基板的未被所述光电转换层覆盖的区域；
将所述电极层上正对所述光电转换层的区域内的预设位置作为刻划起始点，对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线。
进一步的，在形成第三刻划线之后，还包括：
对所述电极层进行第四刻划，形成第四刻划线，所述第四刻划线的起始点与所述第三刻划线的终点重合，且所述第四刻划线位于所述第三刻划线的延长线上。
进一步的，所述对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线，包括：
按照第三刻划参数对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线；
所述第三刻划参数包括下针速度、第三刻划速度和第三刻划针压，其中，所述下针速度的取值范围为10mm/s至20mm/s，所述第三刻划速度的取值范围为180mm/s至220mm/s，所述第三刻划针压的取值范围为1.5N至1.9N。
进一步的，所述对所述电极层进行第四刻划，形成第四刻划线，包括：
所述第四刻划参数包括第四刻划速度和第四刻划针压，其中，第四刻划速度的取值范围为800mm/s至1000mm/s，第四刻划针压的取值范围为0.8N至1.2N。
进一步的，所述第三刻划线的长度的取值范围为0.15mm至1mm。
本发明实施例中，在基板上制备光电转换层，并在所述基板上形成未被所述光电转换层覆盖的预留区；将位于所述预留区内的预设位置作为刻划起始点，对所述光电转换层进行第一刻划，形成第一刻划线。这样，可通过灵活调节第一刻划线的刻划起始点来改善刻划过程中的过刻、漏刻现象，降低过刻、漏刻概率。
附图说明
图1是本发明实施例提供的太阳能电池的制备方法的流程图之一；
图2是本发明实施例提供的待刻划板的一种结构示意图；
图3是本发明实施例提供的太阳能电池的制备方法的流程图之二；
图4是本发明实施例提供的太阳能电池的制备方法的流程图之三；
图5是本发明实施例提供的待刻划板的又一种结构示意图；
图6是本发明实施例提供的太阳能电池的制备方法的流程图之四；
图7是本发明实施例提供的太阳能电池的制备方法的流程图之五；
图8是本发明实施例提供的太阳能电池的制备方法的流程图之六。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
实施例一
请参见图1，图1是本发明实施例提供的一种太阳能电池的制备方法的流程图，如图1所示，本实施例提供一种太阳能电池的制备方法，包括：
步骤101、在基板上制备光电转换层，并在所述基板上形成未被所述光电转换层覆盖的预留区。
具体的，基板包括玻璃基板，以及覆盖在玻璃基板上的背电极层，背电极层可为钼层。光电转换层包括至少包括铜铟镓硒层，另外，光电转换层还包括硫化镉层、本征氧化锌层中的一种或两种。
如图2所示，光电转换层1部分覆盖在基板2，所述光电转换层1的第一边缘3与所述基板2的第一边缘4之间具有第一距离L1。本实施方式中，光电转换层1的第一边缘3与基板2的第一边缘4位于同一侧。
在基板2上制备完成光电转换层1之后，获得第一待刻划板13，即第一待刻划板13包括基板2和部分覆盖所述基板2的光电转换层1。
步骤102、将位于所述预留区内的预设位置作为刻划起始点，对所述光电转换层进行第一刻划，形成第一刻划线。
进一步的，所述对所述光电转换层进行第一刻划，形成第一刻划线，包括：
按照第一刻划参数对所述光电转换层进行第一刻划，形成第一刻划线；所述第一刻划参数包括第一刻划速度和第一刻划针压，其中，第一刻划速度的取值范围为900mm/s至1100mm/s，第一刻划针压的取值范围为1.5N至1.9N。
在刻划第一刻划线的过程中，第一刻划参数保持不变。
如图2所示，对第一待刻划板13进行刻划。第一刻划线的起始点位于预留区内的预设位置，即所述预设位置与所述基板2的第一边缘4之间具有第二距离L2，第二距离L2小于第一距离L1。进一步的，第一刻划线的终点与所述基板2的第一边缘4之间具有第三距离L3，所述第二距离L2小于所述第一距离L1，所述第三距离L3大于所述第一距离L1。所述第一刻划线的长度的取值范围为3mm至8mm。优选的，所述第一刻划线的长度为5mm。
需要说明的是，在刻划第一刻划线时，并不对预留区上的背电极层进行刻划，即第一刻划不会破坏预留区上的背电极层。在对光电转换层进行刻划时，刻划深度与光电转换层的膜层厚度相同。
现有技术中，太阳能电池的制备方法包括三个制程。P1：在玻璃基板上制备好背电极钼层之后，对其进行刻划，即将玻璃基板上面的钼电极进行分割，刻蚀掉钼层，但不损坏衬底，使其后续作为子电池，便于串联。
P2：制备好铜铟镓硒层后，对该部分进行刻划，将铜铟镓硒层完全刻蚀掉，但不损坏背电极钼层和衬底，便于实现后续的串联。
P3：制备前电极层，并对该层进行刻划，将前电极层和铜铟镓硒层全部去除，但不损坏背电极钼层和衬底，以实现电池的分离。
本实施例中的太阳能电池的制备方法，在P2制程阶段，对光电转换层1进行刻划时，形成第一刻划线，所述第一刻划线的起始点8与所述基板2的第一边缘4之间具有第二距离L2，第一刻划线的终点9与所述基板2的第一边缘4之间具有第三距离L3，所述第二距离L2小于所述第一距离L1，所述第三距离L3大于所述第一距离L1。第一刻划线为线段，即第一刻划线为第一刻划线的起始点8与第一刻划线的终点9之间的直线距离，即M1为第一刻划线。
如图2所示，光电转换层1较为松软，且膜层较厚(2.2μm)，光电转换层1的第一边缘3距离基板2的第一边缘4约5mm至10mm，下针位置为距离光电转换层1的第一边缘3为5mm的位置处，此位置可减少刻针5下压时针尖对光电转换层1的沾染。
进行第一刻划时采用较快的刻划速度，例如1000mm/s，较大的针压，例如1.5N至1.9N，较短的刻划距离(即第一刻划线的长度)，例如5mm，可减少刻针5下压时针尖对光电转换层1的沾染，能够起到自清洁作用，防止漏刻，同时还能破坏光电转换层1。
在本实施例中，在基板上制备光电转换层，并在所述基板上形成未被所述光电转换层覆盖的预留区，将位于所述预留区内的预设位置作为刻划起始点，对所述光电转换层进行第一刻划，形成第一刻划线。这样，可通过灵活调节第一刻划线的刻划起始点改善刻划过程中的过刻、漏刻现象，降低过刻、漏刻概率。
进一步的，如图3所示，在形成第一刻划线之后，还包括：
步骤103、对所述光电转换层进行第二刻划，形成第二刻划线，所述第二刻划线的起始点与所述第一刻划线的终点重合，且所述第二刻划线位于所述第一刻划线的延长线上，即由所述第一刻划线的终点处继续朝远离第一刻划线的起始点的方向移动。
在刻划完第一刻划线后，继续刻划第二刻划线。第二刻划线的起始点与所述第一刻划线的终点重合，且所述第二刻划线位于所述第一刻划线的延长线上。进一步的，第一刻划参数与第二刻划参数的参数值不相同。第二刻划线为线段。
进一步的，所述对所述光电转换层进行第二刻划，形成第二刻划线，包括：
按照第二刻划参数对所述光电转换层进行第二刻划，形成第二刻划线。例如，所述第二刻划参数包括第二刻划速度和第二刻划针压，其中，第二刻划速度的取值范围为800mm/s至1000mm/s，第二刻划针压的取值范围为0.8N至1.2N。优选的，第一刻划速度的取值为1000mm/s。
在刻划第二刻划线的过程中，第二刻划参数保持不变。
如图2所示，当光电转换层1被划开之后，进行第二刻划时以较小的刻划针压进行刻划，例如0.8N至1.2N，可防止过刻，同时，采用正常的刻划速度，例如800mm/s至1000mm/s，以保证产量。标号M2所示为第二刻划线。
本实施例中，通过采用不同的刻划参数分别对第一待刻划板进行刻划。这样，可通过调节刻划参数的参数值来改善刻划过程中的过刻、漏刻现象，有效减少了机械刻划过刻、漏刻的发生，同时，由于过刻现象减少，可在一定程度上延长刻针的使用寿命。
进一步的，如图4所示，在形成第二刻划线之后，还包括：
步骤104、制备电极层，所述电极层覆盖在所述预留区和所述光电转换层上；
步骤105、将所述电极层上正对所述光电转换层的区域内的预设位置作为刻划起始点，对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线。
如图5所示，所述第三刻划线M3的起始点10为电极层上正对所述光电转换层1的区域内的预设位置，即第三刻划线M3的起始点10与所述基板2的第一边缘4之间具有第四距离L4，所述第四距离L4大于所述第一距离L1。第三刻划线M3的长度的取值范围为0.15mm至1mm。优选为1mm。刻划距离(即第三刻划线M3的长度)尽量越短。第三刻划线M3为线段，即第三刻划线M3为第三刻划线的起始点10与第三刻划线的终点12之间的直线距离。
本步骤可应用在P3制程阶段，制备完电极层后形成第二待刻划板11，所述第二待刻划板11包括基板2、光电转换层1和电极层6。对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线。电极层包括掺铝氧化锌层。第三刻划线的刻划深度与电极层的膜层厚度相同。
进一步的，所述对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线，包括：
按照第三刻划参数对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线；所述第三刻划参数包括下针速度、第三刻划速度和第三刻划针压，其中，所述下针速度的取值范围为10mm/s至20mm/s，所述第三刻划速度的取值范围为180mm/s至220mm/s，所述第三刻划针压的取值范围为1.5N至1.9N。
在刻划第三刻划线的过程中，第三刻划参数保持不变。
如图5所示，电极层6比较硬，且第二待刻划板11边缘处为电极层6、钼层(即Mo层)和玻璃，中间无光电转换层1，导致第二待刻划板边缘处硬度很大。如果在此处下针，不容易破坏电极层6；在距离第二待刻划板边缘(第二待刻划板边缘与基板的第一边缘4齐平)处11mm(即为与所述电极层6的第一边缘之间的距离大于所述第一距离的位置处下针，如图5所示，所述第三刻划线的起始点与所述基板的第一边缘之间具有第四距离L4，此处电极层6正下方还有一层较为松软的光电转换层1，此位置处，刻针5容易破坏电极层6。
由于电极层6硬度比较大，进行第三刻划时使用较大刻划针压，例如1.5N至1.9N，和较快下针速度，例如10mm/s至20mm/s，以破坏硬度较大的电极层6，同时设置较短的刻划距离(即第三刻划线M3的长度)，例如1mm，避免划伤Mo层。
为了防止跳针，进行第三刻划时，使用较低的刻划速度，例如200mm/s，给刻针5留出足够的时间去破坏电极层6，同时，防止刻针5在破坏电极层6瞬间产生的大压力造成过刻。
进一步的，如图6所示，在形成第三刻划线之后，还包括：
步骤106、对所述电极层进行第四刻划，形成第四刻划线，所述第四刻划线的起始点与所述第三刻划线的终点重合，且所述第四刻划线位于所述第三刻划线的延长线上，即由所述第三刻划线的终点处继续朝远离第三刻划线的起始点的方向移动。第四刻划线为线段。如图5所示，标号M4所示为第四刻划线。
进一步的，所述对所述电极层进行第四刻划，形成第四刻划线，包括：
所述第四刻划参数包括第四刻划速度和第四刻划针压，其中，第四刻划速度的取值范围为800mm/s至1000mm/s，第四刻划针压的取值范围为0.8N至1.2N。
在刻划第四刻划线的过程中，第四刻划参数保持不变。第四刻划线的刻划深度与电极层的膜层厚度相同。
在P3制程阶段，对电极层进行刻划时，同样采用分段式刻划，即将刻划过程分为两个部分，先形成第三刻划线，再形成第四刻划线。进一步的，第三刻划参数与第四刻划参数的参数值不相同。
例如，所述第三刻划参数包括下针速度、第三刻划速度和第三刻划针压，其中，所述下针速度的取值范围为10mm/s至20mm/s，所述第三刻划速度的取值范围为180mm/s至220mm/s，所述第三刻划针压的取值范围为1.5N至1.9N。所述第四刻划参数包括第四刻划速度和第四刻划针压，其中，第四刻划速度的取值范围为800mm/s至1000mm/s，第二刻划针压的取值范围为0.8N至1.2N。
进行第四刻划时，使用较小的针压，例如0.8N至1.2N，防止过刻和划伤，同时，使用正常的刻划速度，例如800mm/s至1000mm/s，以保证产量。
本实施例中，根据刻划时，被刻划膜层(例如光电转换层和电极层)差异，通过采用不同的刻划参数进行刻划，例如刻划参数可包括下针位置、下针速度、刻划距离、针压、刻划速度等参数。这样，通过设置合适的下针位置、下针速度、刻划距离、针压、刻划速度等参数。可有效减少了机械刻划过刻、漏刻的发生，同时，由于过刻现象减少，可在一定程度上延长刻针的使用寿命。
如图7所示，本发明实施例还提供一种太阳能电池的制备方法，包括：
步骤201、制备电极层，所述电极层覆盖在预留区和光电转换层上；所述预留区为在基板上制备光电转换层时，所述基板的未被所述光电转换层覆盖的区域。
步骤202、将所述电极层上正对所述光电转换层的区域内的预设位置作为刻划起始点，对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线。
如图5所示，所述第三刻划线M3的起始点10为电极层上正对所述光电转换层1的区域内的预设位置，即第三刻划线M3的起始点10与所述基板2的第一边缘4之间具有第四距离L4，所述第四距离L4大于所述第一距离L1。第三刻划线M3的长度的取值范围为0.15mm至1mm。优选为1mm。刻划距离(即第三刻划线M3的长度)尽量越短。第三刻划线M3为线段，即第三刻划线M3为第三刻划线的起始点10与第三刻划线的终点12之间的直线距离。
本步骤可应用在P3制程阶段，制备完电极层后形成第二待刻划板11，所述第二待刻划板11包括基板2、光电转换层1和电极层6。对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线。电极层包括掺铝氧化锌层。第三刻划线的刻划深度与电极层的膜层厚度相同。
进一步的，所述对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线，包括：
按照第三刻划参数对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线；所述第三刻划参数包括下针速度、第三刻划速度和第三刻划针压，其中，所述下针速度的取值范围为10mm/s至20mm/s，所述第三刻划速度的取值范围为180mm/s至220mm/s，所述第三刻划针压的取值范围为1.5N至1.9N。
在刻划第三刻划线的过程中，第三刻划参数保持不变。
如图5所示，电极层6比较硬，且第二待刻划板11边缘处为电极层6、钼层(即Mo层)和玻璃，中间无光电转换层1，导致第二待刻划板边缘处硬度很大。如果在此处下针，不容易破坏电极层6；在距离第二待刻划板边缘(第二待刻划板边缘与基板的第一边缘4齐平)处11mm(即为与所述电极层6的第一边缘之间的距离大于所述第一距离的位置处下针，如图5所示，所述第三刻划线的起始点与所述基板的第一边缘之间具有第四距离L4，此处电极层6正下方还有一层较为松软的光电转换层1，此位置处，刻针5容易破坏电极层6。
由于电极层6硬度比较大，进行第三刻划时使用较大刻划针压，例如1.5N至1.9N，和较快下针速度，例如10mm/s至20mm/s，以破坏硬度较大的电极层6，同时设置较短的刻划距离(即第三刻划线的长度)，例如1mm，避免划伤Mo层。
为了防止跳针，进行第三刻划时，使用较低的刻划速度，例如200mm/s，给刻针5留出足够的时间去破坏电极层6，同时，防止刻针5在破坏电极层6瞬间产生的大压力造成过刻。
进一步的，如图8所示，在形成第三刻划线之后，还包括：
步骤203、对所述电极层进行第四刻划，形成第四刻划线，所述第四刻划线的起始点与所述第三刻划线的终点重合，且所述第四刻划线位于所述第三刻划线的延长线上。即由所述第三刻划线的终点处继续朝远离第三刻划线的起始点的方向移动。第四刻划线为线段。如图5所示，标号M4所示为第四刻划线。
进一步的，所述对所述电极层进行第四刻划，形成第四刻划线，包括：
所述第四刻划参数包括第四刻划速度和第四刻划针压，其中，第四刻划速度的取值范围为800mm/s至1000mm/s，第四刻划针压的取值范围为0.8N至1.2N。
在刻划第四刻划线的过程中，第四刻划参数保持不变。第四刻划线的刻划深度与电极层的膜层厚度相同。
在P3制程阶段，对电极层进行刻划时，同样采用分段式刻划，即将刻划过程分为两个部分，先形成第三刻划线，再形成第四刻划线。进一步的，第三刻划参数与第四刻划参数的参数值不相同。
例如，所述第三刻划参数包括下针速度、第三刻划速度和第三刻划针压，其中，所述下针速度的取值范围为10mm/s至20mm/s，所述第三刻划速度的取值范围为180mm/s至220mm/s，所述第三刻划针压的取值范围为1.5N至1.9N。所述第四刻划参数包括第四刻划速度和第四刻划针压，其中，第四刻划速度的取值范围为800mm/s至1000mm/s，第二刻划针压的取值范围为0.8N至1.2N。
进行第四刻划时，使用较小的针压，例如0.8N至1.2N，防止过刻和划伤，同时，使用正常的刻划速度，例如800mm/s至1000mm/s，以保证产量。
本实施例中，根据刻划时，被刻划膜层(例如光电转换层和电极层)差异，通过采用不同的刻划参数进行刻划，例如刻划参数可包括下针位置、下针速度、刻划距离、针压、刻划速度等参数。这样，通过设置合适的下针位置、下针速度、刻划距离、针压、刻划速度等参数。可有效减少了机械刻划过刻、漏刻的发生，同时，由于过刻现象减少，可在一定程度上延长刻针的使用寿命。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在基板上制备光电转换层，所述基板上形成未被所述光电转换层覆盖的预留区；
将位于所述预留区内的预设位置作为刻划起始点，对所述光电转换层进行第一刻划，形成第一刻划线。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成第一刻划线之后，还包括：
对所述光电转换层进行第二刻划，形成第二刻划线，所述第二刻划线的起始点与所述第一刻划线的终点重合，且所述第二刻划线位于所述第一刻划线的延长线上。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成第二刻划线之后，还包括：
制备电极层，所述电极层覆盖在所述预留区和所述光电转换层上；
将所述电极层上正对所述光电转换层的区域内的预设位置作为刻划起始点，对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在形成第三刻划线之后，还包括：
对所述电极层进行第四刻划，形成第四刻划线，所述第四刻划线的起始点与所述第三刻划线的终点重合，且所述第四刻划线位于所述第三刻划线的延长线上。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述光电转换层进行第一刻划，形成第一刻划线，包括：
按照第一刻划参数对所述光电转换层进行第一刻划，形成第一刻划线；
所述第一刻划参数包括第一刻划速度和第一刻划针压，其中，第一刻划速度的取值范围为900mm/s至1100mm/s，第一刻划针压的取值范围为1.5N至1.9N。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述光电转换层进行第二刻划，形成第二刻划线，包括：
按照第二刻划参数对所述光电转换层进行第二刻划，形成第二刻划线；
所述第二刻划参数包括第二刻划速度和第二刻划针压，其中，第二刻划速度的取值范围为800mm/s至1000mm/s，第二刻划针压的取值范围为0.8N至1.2N。
7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线，包括：
按照第三刻划参数对所述电极层进行第三刻划，形成第三刻划线；
所述第三刻划参数包括下针速度、第三刻划速度和第三刻划针压，其中，所述下针速度的取值范围为10mm/s至20mm/s，所述第三刻划速度的取值范围为180mm/s至220mm/s，所述第三刻划针压的取值范围为1.5N至1.9N。
8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述电极层进行第四刻划，形成第四刻划线，包括：
所述第四刻划参数包括第四刻划速度和第四刻划针压，其中，第四刻划速度的取值范围为800mm/s至1000mm/s，第四刻划针压的取值范围为0.8N至1.2N。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一刻划线的长度的取值范围为3mm至8mm。
10.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第三刻划线的长度的取值范围为0.15mm至1mm。
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