CN111327292A - At切割晶体片、晶体振荡子以及晶体振荡子中间体 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种AT切割晶体片、晶体振荡子以及晶体振荡子中间体。AT切割晶体片是：支撑部(10b)的厚度比振动部(10a)的厚度厚的晶体片(10)，且在振荡频率为76MHz附近显示良好的特性。晶体片(10)包括第一凸状部(10c)，所述第一凸状部(10c)的振动部的作为与支撑部相反侧的端部的前端部，朝向前端侧为凸形状。进而，包括第二凸状部(10d)，所述第二凸状部(10d)的振动部的沿着短边的两端部，朝向沿着短边的外部方向为凸形状。而且，作为振动部的长边尺寸(L)与短边尺寸(W)的比的W/L为0.74～0.79的范围、或0.81～0.93的范围。

Description

AT切割晶体片、晶体振荡子以及晶体振荡子中间体

技术领域

本发明涉及一种支撑部的厚度比振动部的厚度厚的晶体片、使用所述晶体片的晶体振荡子以及所述晶体振荡子用的晶体振荡子中间体。

背景技术

作为晶体振荡子的一种，有使用支撑部的厚度比振动部的厚度厚的晶体片的晶体振荡子。例如在专利文献1或专利文献2中公开有其具体例。

专利文献1中公开的晶体振荡子是使用如下的晶体片，所述晶体片包括振动部、及与所述振动部的一端连接且比振动部厚的支撑部。所述支撑部通过导电性构件而连接固定在晶体振荡子的容器，构成晶体振荡子。在此晶体振荡子中，即便振动部薄，支撑部也对抗来自晶体振荡子的容器的应力，其结果，可防止振动部的频率变动(专利文献1的段落33等)。

专利文献2中公开的晶体振荡子是使用如下的晶体片，所述晶体片在振动部的一端设置有比振动部厚的固定部(相当于支撑部)，且在振动部与固定部之间设置有缓冲部。所述缓冲部是厚度随着从振动部朝向固定部侧而变厚的倾斜部(专利文献2的权利要求1等)。在此晶体振荡子中，由于设置有缓冲部，因此可使振动部的振动衰减，并且可抑制固定部对于振动部的影响(专利文献2的段落8等)。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2001-144578号公报

[专利文献2]日本专利特开2016-34061号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

在专利文献2中，对于晶体片的具体的尺寸有以下的记载。振动部的长边尺寸为0.98mm，短边尺寸为0.78mm，厚度为13μm。支撑部的长边尺寸为0.79mm，短边尺寸为0.35mm，厚度为50μm。而且，当俯视晶体元件的上表面时，从振动部至固定部为止的长度为0.05mm(专利文献2的例如段落26)。在使用所述晶体片的情况下，由于厚度为13μm，因此可获得振荡频率为128Mhz左右的晶体振荡子。在此晶体振荡子中，不具有壁厚的固定部的现有结构的晶体振荡子的晶体阻抗(以下，也称为CI(Crystal Impedance))为50Ω～100Ω，与此相对，可将CI改善成20Ω～50Ω(专利文献2的例如段落26)。

但是，在专利文献2中，既未记载、也未教导适合用于振荡频率为76Mhz附近的晶体振荡子的晶体片的构成。

本申请是鉴于此点而成，因此，本发明的目的在于提供一种支撑部的厚度比振动部的厚度厚、且在振荡频率为76MHz附近显示良好的特性的晶体片，及使用所述晶体片的晶体振荡子以及晶体振荡子中间体。

[解决问题的技术手段]

为了谋求所述目的的达成，本发明的晶体片是振荡频率大约等于(≒)76Mhz的AT切割的晶体片，其包括：振动部，平面形状为大致长方形状；以及支撑部，与所述振动部的一个短边侧连接且厚度比所述振动部的厚度厚。

而且，在本发明的晶体片中，所述振动部的作为与所述支撑部相反侧的端部的前端部朝向前端侧为凸形状，所述振动部的沿着短边的两端部朝向沿着短边的外部方向为凸形状，且作为所述振动部的长边尺寸L与短边尺寸W的比的W/L为0.74～0.79的范围、或0.81～0.93的范围。

另外，本发明的晶体振荡子是如下的晶体振荡子，其包括：本发明的晶体片、设置在所述晶体片的表面与背面的激励用电极、以及被从所述激励用电极中引出的引出电极。

另外，本发明的晶体振荡子是如下的晶体振荡子，其包括：本发明的晶体片、设置在所述晶体片的表面与背面的激励用电极、被从所述激励用电极中引出的引出电极；以及容器，收容所述晶体片、所述激励用电极与所述引出电极。

另外，本发明的晶体振荡子中间体是如下的晶体振荡子中间体，其包括：晶片，呈矩阵状地具有多个晶体振荡子；所述晶体振荡子包含：本发明的晶体片、设置在所述晶体片的表面与背面的激励用电极、以及被从所述激励用电极中引出的引出电极。

此处，在所述发明中，所述大致长方形状是：包含四角为直角的正长方形、及相对于正长方形在本发明的目的的范围内略微变形的长方形状的含义。例如是，也包含振动部的前端侧的角部略微变成R形状等的大致长方形状的含义。

另外，振荡频率为约76Mhz是包含76.8Mhz，在其附近的振荡频率，例如74Mhz～78Mhz的含义。

[发明的效果]

根据本发明的晶体片，在支撑部的厚度比振动部厚、且悬臂支撑结构的晶体片中，由于具有所述规定的端面形状及边比，因此，除了由支撑部所产生的效果以外，可通过规定的端面形状及规定的边比，来使不需要的振动进一步衰减。因此，可实现振荡频率为约76Mhz且特性优异的晶体片。

附图说明

图1A～图1C是实施方式的晶体片10的说明图。

图2是使用晶体片10的晶体振荡子20的平面图。

图3A、图3B是说明实验及其结果的图。

图4A、图4B、图4C是紧接在说明实验及其结果的图3A、图3B之后的说明图。

图5A、图5B是晶体片10的制造方法的例子的说明图。

图6A、图6B是紧接在晶体片10的制造方法的例子的图4A、图4B、图4C之后的说明图。

图7A、图7B是紧接在晶体片10的制造方法的例子的图5A、图5B之后的说明图。

[符号的说明]

10：实施方式的晶体片

10a：振动部

10b：支撑部

10ba：台地状的部分

10c：第一凸状部

10d：第二凸状部

10w：晶体晶片

10x：框架部分

10y：折取起点部

10z：检查用电极垫

11：激励用电极

13：引出电极

15：容器(陶瓷封装体)

17：导电性粘接剂

20：晶体振荡子

40：耐湿式蚀刻性掩模

42：振动部形成用掩模

42a：开口

100：中间体

L：长边尺寸

Lb、Lb1、Lc、Le、Wd、We：尺寸

M：晶体晶片10w的一部分

t、T：厚度

W：短边尺寸

X、Y'、Z'：轴

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的晶体片、及晶体振荡子、以及晶体振荡子中间体的实施方式进行说明。另外，用于说明的各图只不过是概略性地表示出了可以理解这些发明的程度。另外，在用于说明的各图中，对相同的构成成分赋予相同的编号来表示，也存在省略其说明的情况。另外，以下的说明中所述的形状、尺寸、材质等，只不过是本发明的范围内的适宜例。因此，本发明并不仅限定于以下的实施方式。

1.晶体振荡子的结构

图1A～图1C是实施方式的晶体振荡子中包括的晶体片10的说明图。尤其，图1A是晶体片10的平面图，图1B是沿着图1A中的IB-IB线的剖面图，图1C是沿着图1A中的IC-IC线的剖面图。另外，此处表示在晶体片10设置有激励用电极11及引出电极13的构成，即晶体振荡子的一形态的状态。

另外，图1A中所示的坐标轴X、Y'、Z'分别表示AT切割的晶体片10中的晶体的晶轴。另外，关于AT切割晶体片自身的详细情况，例如已记载在文献：《晶体元件的解说与应用》、日本晶体元件工业会2002年3月第4版第7页等中，因此，此处省略其说明。

本实施方式的晶体片10包括：振动部10a、与振动部10a的一个短边侧连接的支撑部10b、以及规定的凸形状10c及凸形状10d。进而，包括：设置在振动部10a的表面与背面的主面的激励用电极11、及引出电极13。以下，对各构成成分的详细情况、及各构成成分间的关系进行说明。

振动部10a的平面形状为大致长方形状，且作为与支撑部10b相反侧的端部的前端部10c，朝向前端侧变成凸形状10c(参照图1B)。以下，将所述凸形状10c的部分，也称为第一凸状部10c。

进而，振动部10a的沿着振动部10a的短边的两端部10d，朝向沿着短边的外部方向变成凸形状10d(参照图1C)。以下，将所述凸形状10d的部分，也称为第二凸状部10d。

而且，当将振动部10a的长边尺寸设为L，将短边尺寸设为W时，作为长边尺寸L与短边尺寸W的比的W/L成为0.74～0.79的范围或0.81～0.93的范围。关于此点，在后述的“2.实验及其结果”一项中进行说明。

此处，作为凸形状10c的第一凸状部10c具体是如下的形状：振动部10a的厚度随着朝向前端，从t起逐渐地变薄。即，当观察沿着晶体的X轴切割振动部10a的剖面时，第一凸状部10c是包含多个面，朝向-X侧为凸状的形状。

另外，所述第一凸状部10c的构成沿着晶体的X轴切割的剖面的面的数量，可设为对应于晶体片10的设计的任意的数量。具体而言，可通过制造晶体片10时的湿式蚀刻的条件，来控制面的数量。但是，典型的是，所述面的数量以二面～六面为宜，更优选的是以二面或三面为宜。其原因在于：对于抑制不需要的振动有用。

另外，作为凸形状10d的第二凸状部10d具体是如下的形状：振动部10a的厚度在沿着晶体的Z'轴的两端，朝向沿着Z'轴的外侧，从t起逐渐地变薄。即，当观察沿着晶体的Z'轴切割振动部10a的剖面时，第二凸状部10d是包含多个面，朝向沿着Z'轴的外侧为凸状的形状。

另外，所述第二凸状部10d的构成沿着晶体的Z'轴切割的剖面的面的数量，可设为对应于晶体片10的设计的任意的数量。具体而言，例如可通过制造晶体片10时的湿式蚀刻的条件来控制面的数量。但是，典型的是，所述面的数量以二面～六面为宜，优选的是以二面或三面为宜，更优选的是以三面为宜。其原因在于：对于抑制不需要的振动有用。

另外，支撑部10b是与振动部10a的一个短边侧连接，具有比振动部10a的厚度t厚的厚度T。另外，在本例的情况下，支撑部10b的一侧的面与振动部10a的一侧的面变成同一面(参照图1B)。而且，支撑部10b的与所述一侧的面相向的另一侧的面，成为沿着Y'轴朝外部突出的台地状的部分10ba。因此，所述台地状的部分10ba的厚度为(T－t)。

另外，在本实施方式的情况下，台地状的部分10ba朝向振动部10a侧厚度逐渐地变薄，且与振动部10a连接。即，设为具有倾斜部的结构。将所述台地状的部分10ba的沿着晶体的X轴的尺寸设为Lb1(详细情况将后述)。

另外，激励用电极11分别设置在振动部10a的两主面。而且，将设置在振动部10a的两主面的这些激励用电极11，设为相互相向的配置。

另外，引出电极13从各激励用电极11朝支撑部10b侧引出。

这些激励用电极11及引出电极13分别可包含：例如，铬与形成于铬上的金的层叠膜。

所述晶体片10实际上安装在规定的容器，并被密封。图2是表示其典型例的平面图。即，例如在众所周知的陶瓷封装体15内，在引出电极13的位置上，通过例如硅酮系的导电性粘接剂17来粘接固定晶体片10，进而，利用规定的盖构件(未图示)以真空密封或惰性气体环境等的密封状态对所述陶瓷封装体15进行密封，由此变成晶体振荡子20。

另外，将陶瓷封装体15设为具有收容晶体片10的凹部的结构，可以是在所述凹部周边的堤部分接合盖构件、或者也可以是包含平板的陶瓷基板与盖状的盖构件的容器。容器的构成可各种各样。

2.实验及其结果

2-1.关于振动部的边比的实验

首先，对获得本发明中所主张的振动部的边比的实验及其结果进行说明。作为试制的晶体振荡子，试制各种以下所说明的条件的晶体振荡子。

作为根据过去的设计经验等而被认为重要的设计事项，试制将振动部10a的长边尺寸L、振动部10a的短边尺寸W变成各种尺寸的多个水平的晶体振荡子。

另外，这些多个水平的晶体振荡子各自的所述以外的设计值，如以下所示进行共同化。

首先，将振动部10a的第一凸状部10c的尺寸Lc设为0.04mm，将第二凸状部10d的尺寸Wd设为0.18mm。

另外，将激励用电极11的沿着晶体的X轴的尺寸Le设为0.5mm，将沿着晶体的Z'轴的尺寸We设为0.4mm。但是，激励用电极11以如下的状态来形成：其中心点相对于晶体片10的中心点，沿着晶体的X轴朝晶体的前端侧偏离20μm。

另外，关于振动部10a的厚度t，作为基准，大概设为0.018mm。但是，所述厚度t实际是包含激励用电极11的质量，所述晶体片10的振荡频率成为约76.8Mhz的厚度。

因此，所述Lc、Wd、Le、We、电极的偏离量例如是如下的条件：相对于振动部10a的长边尺寸L或短边尺寸W，例如可如Lc/L、Lc/W、Wd/L、Wd/W、Le/L、Le/W、We/L、We/W等来表示。另外，如所述那样进行标准化时的分母并不限定于长边尺寸，也可以是其他尺寸，例如也可以是振动部10a的厚度t等。

另外，将支撑部10b的短边尺寸，即在此情况下沿着晶体的X轴的尺寸Lb设为0.13mm，将支撑部10b的朝振动部10a侧倾斜的部分的尺寸Lb1(参照图1B)设为0.04mm。而且，将支撑部10b的厚度T设为0.05mm。

因此，关于Lb、Lb1、T，例如也变成如下的规定的条件：相对于振动部10a的长边尺寸L或短边尺寸W，例如可如Lb/L、Lb/W、Lb1/L、Lb1/W、T/L、T/W等，以将任意的尺寸作为分母的比率来表示。

另外，将振动部10a的长边尺寸L、振动部10a的短边尺寸W变成各种尺寸来试制的多个试制品的着眼于长边尺寸L及短边尺寸W的分布，如图3A所示。即，在图3A中绘制的各点是长边尺寸L及短边尺寸W的组合不同的晶体振荡子。具体而言，位于沿着图3A的横轴的例如最左侧的绘制点的晶体振荡子是长边尺寸L为0.69mm、短边尺寸W为0.642mm的振荡子，即，其是边比W/L为0.642/0.69＝0.930的振荡子。

另外，已试制的多个晶体振荡子的振动部的实际的长边尺寸L为0.693mm～0.859mm的范围的尺寸，振动部的实际的短边尺寸W为0.585mm～0.677mm的范围的尺寸。

将以所述条件试制的晶体振荡子安装在使用图2所说明的容器15，并进行真空密封，而制作试制的晶体振荡子。

然后，使各种大小的电流流入这些晶体振荡子，测定各种电流时的晶体振荡子的频率及晶体阻抗(CI)。即，测定激励电平(drive level)特性。

然后，算出各个晶体振荡子的激励电平特性的10μW时的频率与400μW时的频率的差并将所述差除以振荡频率，来算出频率变化率ΔF(单位：ppm)。

继而，为了研究振动部的边比W/L与所述ΔF的关系，将横轴设为边比W/L，将纵轴设为ΔF，来绘制试制晶体振荡子的数据。

图3B是所述绘制图。根据图3B，在振动部的边比W/L为0.80附近，ΔF的值变大。相对于此，可知若振动部的边比W/L为0.74～0.79的范围、或振动部的边比W/L为0.81～0.93的范围，则ΔF变小为2ppm以内，可获得所谓的激励电平依存性小的良好的晶体振荡子。因此，可知在支撑部10b比振动部10a厚、且振动部10a包括规定的第一凸状部10c及第二凸状部10d的晶体片的情况下，以将振动部的边比W/L设为0.74～0.79的范围、或将振动部的边比W/L设为0.81～0.93的范围为宜。

2-2.关于激励用电极的X尺寸与振动部的X尺寸的比的实验

继而，通过实验来调查激励用电极11的沿着晶体的X轴的尺寸Le的适宜的范围。其原因在于：在AT切割晶体振荡子的情况下，晶体振荡子的特性根据相对于振动部的沿着晶体的X轴的尺寸(此处为图1A中所示的振动部的X尺寸L)的激励用电极的X尺寸Le的尺寸而变动，因此求出激励用电极的X尺寸Le的适宜的尺寸。

因此，关于晶体片，将所述振动部的边比的适宜范围中的X尺寸L固定成0.690mm，将Z'尺寸W固定成0.630mm，将激励用电极的Z'尺寸We固定成0.4mm，将激励用电极的X尺寸Le在0.43mm～0.54mm的范围内变更成多个水平，而试制多种晶体片。而且，使用这些晶体片来试制多种晶体振荡子。

继而，利用与所述关于振动部的边比的实验相同的测定法等，测定使激励用电极的X尺寸Le不同的多种晶体振荡子的CI及激励电平特性，进而算出频率变化率。

图4A是将横轴设为激励用电极的X尺寸(mm)，将纵轴设为频率变化率ΔF(ppm)来绘制所述实验结果的图。另外，图4B是将图4A中的X尺寸为0.46～0.52的区域放大的图。其原因在于：在X尺寸为0.46～0.52的范围内特性变动显著，因此容易看见此区域。另外，图4C是将横轴设为激励用电极的X尺寸(mm)，将纵轴设为CI(Ω)来绘制所述实验结果的图。但是，与图4B同样地，图4C着眼于激励用电极的X尺寸为0.46～0.52的绘制区域来表示。另外，CI是各试制品各自的室温下的CI值。

在图4A、图4B中，ΔF越接近零越佳，在图4C中，CI越小越佳。因此，根据图4A、图4B，可使ΔF变成例如作为晶体振荡子的ΔF规格的±3ppm的激励用电极的X尺寸Le为0.450mm～0.540mm，可使ΔF变成±1.5ppm的激励用电极的X尺寸Le为0.470mm～0.520mm，可使ΔF变成±1ppm的激励用电极的X尺寸Le为0.490mm～0.500mm。可知若利用本实验中的振动部的X尺寸L＝0.69mm将这些范围加以规格化，则可使ΔF变成±3ppm的Le/L为0.45/0.69～0.54/0.69≒0.652～0.782，可使ΔF变成±1.5ppm的Le/L为0.681～0.754，可使ΔF变成±1ppm的Le/L为0.710～0.725。

另外，若对使CI优化这一点进行考察，则根据图4C，可知可使CI变成例如作为晶体振荡子的CI规格的例如30Ω以下的激励用电极的X尺寸Le为0.480mm～0.510mm，可使CI变成25Ω以下的激励用电极的X尺寸Le为0.490mm～0.510mm，可使CI变成20Ω以下的激励用电极的X尺寸Le为0.495mm～0.510mm。可知若利用本实验中的振动部的X尺寸L＝0.69mm将这些范围加以规格化，则可使CI变成30Ω以下的Le/L为0.48/0.69～0.51/0.69≒0.696～0.739，可使CI变成25Ω以下的Le/L为0.710～0.739，可使CI变成20Ω以下的Le/L为0.717～0.739。

而且，作为可同时满足ΔF及CI这两者的Le/L，若在可优先改善CI这一点上进行考察，则Le/L优选的是可使CI变成30Ω以下的Le/L＝0.696～0.739，另外，更优选的是可使CI变成25Ω以下的Le/L＝0.710～0.739，另外，进而更优选的是可使CI变成20Ω以下的Le/L＝0.717～0.739。

因此，当实施本发明时，激励用电极以激励用电极的X尺寸Le与振动部的X尺寸L的比变成所述优选的范围的方式设计为宜。

另外，在晶体振荡子的情况下，即便频率变化、或即便晶体片的大小变化，振动部的边比的良好的范围、或激励用电极的X尺寸与振动部的X尺寸的比的各自的良好的范围也可以用于各个晶体片或激励用电极的设计的情况多，因此可认为本发明的所述适宜的范围也可以应用于所述实施方式的晶体振荡子以外。

4.制造方法的例子的说明

为了加深本发明的理解，参照图5A～图7B对晶体片10的制造方法的例子进行说明。

可通过光刻技术及湿式蚀刻技术而从晶体晶片制造多个所述晶体片10。因此，在以下的制造方法的例子的说明中所使用的图的一部分中，表示晶体晶片10w的平面图与将其一部分M放大的平面图。

首先，准备晶体晶片10w(图5A)。AT切割晶体片10的振荡频率如众所周知的那样，大致取决于晶体片10的主面(X-Z'面)部分的厚度，但在本发明的情况下，由于设置厚度比振动部厚的支撑部的关系，因此将所准备的晶体晶片10w设为比最终的振动部的厚度厚的晶片。

其次，利用众所周知的成膜技术及光刻技术，在所述晶体晶片10w的表面与背面的两面，形成用于形成晶体片的外形的耐湿式蚀刻性掩模40(图5B)。将本实施方式的情况下的耐湿式蚀刻性掩模40设为具有如下的形状：覆盖与晶体片的外形对应的部分及保持各晶体片的框架部分10x的形状。

继而，将形成有耐湿式蚀刻性掩模40的晶体晶片10w，在湿式蚀刻液中浸渍规定时间。由此，可形成晶体片的外形。

继而，在已形成所述外形的晶片的表面与背面，形成：使成为振动部的部分露出的振动部形成用掩模42(图6A)。但是，将振动部形成用掩模42设为具有开口42a，所述开口42a是：虽然蚀刻剂可侵入框架部分10x与支撑部(参照图1A～图1C中的10b)之间，但不到达贯穿晶体晶片10w为止的程度的细长的开口。理由是为了形成成为将晶体片从框架部分10x单片化时的折取起点的凹部。

继而，将形成有振动部形成用掩模42的晶体晶片10w，在湿式蚀刻液中浸渍规定时间。其后，将振动部形成用掩模42去除。由此，可形成振动部10a、支撑部10b、以及折取起点部10y(图6B)。

继而，利用现有的成膜技术及光刻技术来形成激励用电极11、引出电极13(图7A)。由此，可获得具有多个本发明的晶体片的晶体振荡子中间体100。另外，此时为了可在晶片状态下进行晶体振荡子的特性检查，而在框架部分10x形成检查用电极垫10z。

其后，视需要实施晶片状态下的电特性检查等，继而，为了折取而对晶体片10的适当的部位施加适度的力，且利用折取起点部10y，从框架部分10x折取晶体片10(图7B)。另外，当然也可以在中间体100的状态下进行商业交易。

Claims (11)

1.一种晶体片，是振荡频率为约76Mhz的AT切割的晶体片，其特征在于，包括：

振动部，平面形状为大致长方形状；以及

支撑部，与所述振动部的一个短边侧连接且厚度比所述振动部的厚度厚，

其中，所述振动部的作为与所述支撑部相反侧的端部的前端部朝向前端侧为凸形状，

所述振动部的沿着短边的两端部朝向沿着短边的外部方向为凸形状，且

作为所述振动部的长边尺寸L与短边尺寸W的比的W/L为0.74～0.79的范围、或0.81～0.93的范围。

2.根据权利要求1所述的晶体片，其特征在于，

所述振荡频率为76.8Mhz。

3.一种晶体振荡子，其特征在于，包括：

如权利要求1或2所述的晶体片；

激励用电极，设置在所述晶体片的表面与背面；以及

引出电极，被从所述激励用电极中引出。

4.一种晶体振荡子，其特征在于，包括：

如权利要求1或2所述的晶体片；

激励用电极，设置在所述晶体片的表面与背面；

引出电极，被从所述激励用电极中引出；以及

容器，收容所述晶体片、所述激励用电极与所述引出电极。

5.根据权利要求3或4所述的晶体振荡子，其特征在于，

所述激励用电极的平面形状为长方形状，且

作为所述激励用电极的长边尺寸Le与所述振动部的长边尺寸L的比的Le/L为0.696～0.739的范围的值。

6.根据权利要求3或4所述的晶体振荡子，其特征在于，

所述激励用电极的平面形状为长方形状，且

作为所述激励用电极的长边尺寸Le与所述振动部的长边尺寸L的比的Le/L为0.710～0.739的范围的值。

7.根据权利要求3或4所述的晶体振荡子，其特征在于，

所述激励用电极的平面形状为长方形状，且

作为所述激励用电极的长边尺寸Le与所述振动部的长边尺寸L的比的Le/L为0.717～0.739的范围的值。

8.一种晶体振荡子中间体，其特征在于，包括：

晶片，呈矩阵状地具有多个晶体振荡子，

所述晶体振荡子包含：

如权利要求1或2所述的晶体片；

激励用电极，设置在所述晶体片的表面与背面；以及

引出电极，被从所述激励用电极中引出。

9.根据权利要求8所述的晶体振荡子中间体，其特征在于，

所述激励用电极的平面形状为长方形状，且

作为所述激励用电极的长边尺寸Le与所述振动部的长边尺寸L的比的Le/L为0.696～0.739的范围的值。

10.根据权利要求8所述的晶体振荡子中间体，其特征在于，

所述激励用电极的平面形状为长方形状，且

作为所述激励用电极的长边尺寸Le与所述振动部的长边尺寸L的比的Le/L为0.710～0.739的范围的值。

11.根据权利要求8所述的晶体振荡子中间体，其特征在于，

所述激励用电极的平面形状为长方形状，且

作为所述激励用电极的长边尺寸Le与所述振动部的长边尺寸L的比的Le/L为0.717～0.739的范围的值。

Images