CN111289803A - 介电常数的测试方法及其测试装置、相关设备 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了介电常数的测试方法及其测试装置、相关设备。其中，测试方法包括提供待测量工件，包括基体与待测量部，待测量部设于基体的一侧，待测量部包括第一待测量层与第二待测量层。获取第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度。获取待测量部的第二光学厚度与第二等效氧化层厚度。获取第一待测量层的第一介电常数。根据第一光学厚度、第一等效氧化层厚度、第二光学厚度、第二等效氧化层厚度、以及第一介电常数建立第二待测量层的介电常数模型并计算第二待测量层的第二介电常数。通过增设第一待测量层可避免不可控制的因素干扰，并通过第一待测量层第二待测量层与第二待测量层的配合来准确地计算出第二待测量层的第二介电常数。
Description
技术领域
本申请属于工件测量技术领域，具体涉及介电常数的测试方法及其测试装置、相关设备。
背景技术
目前，通常将氧化铝层沉积在硅基体表面上测量氧化铝层的介电常数。但在氧化铝层沉积在硅基体表面的过程中，通常会在氧化铝层与硅基体表面之间生成不可控制的氧化硅层，从而影响氧化铝层的介电常数的测试，导致氧化铝层的介电常数的测试结果出现误差。
发明内容
鉴于此，本申请第一方面提供了一种介电常数的测试方法，所述测试方法包括：
提供待测量工件，所述待测量工件包括基体与待测量部，所述待测量部设于所述基体的一侧，所述待测量部包括第一待测量层与第二待测量层，所述第一待测量层设于所述基体与所述第二待测量层之间；获取所述第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度；
获取所述待测量部的第二光学厚度与第二等效氧化层厚度；
获取所述第一待测量层的第一介电常数；
根据所述第一光学厚度、所述第一等效氧化层厚度、所述第二光学厚度、所述第二等效氧化层厚度、以及所述第一介电常数建立所述第二待测量层的介电常数模型；以及
根据所述第二待测量层的介电常数模型计算所述第二待测量层的第二介电常数。
本申请第一方面提供的测试方法，通过在第二待测量层与基体之间增设第一待测量层，首先可利用第一待测量层来防止在制备第二待测量层时在基体表面额外形成不可控制的层结构。其次可利用第一待测量层与第二待测量层之间的相互配合来精确计算出第二待测量层的第二介电常数。具体地，可先获取所述第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度，再获取待测量部的第二光学厚度与第二等效氧化层厚度，此时便可精确得知第二待测量层的光学膜厚与等效氧化层厚度。随后再获取第一待测量层的第一介电常数，最后便可根据上述获取到的各个参数来建立第二待测量层的介电常数模型并根据第二待测量层的介电常数模型计算所述第二待测量层的第二介电常数。本申请提供的测试方法可精确计算出第二待测量层的第二介电常数。
其中，所述第二待测量层的第二介电常数模型包括：
其中，K为所述第二介电常数，ε1为所述第一介电常数，t2为所述第二光学厚度，t1为所述第一光学厚度，EOT2为所述第二等效氧化层厚度，EOT1为所述第一等效氧化层厚度。
其中，在“提供待测量工件，获取所述第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度”之后，还包括：
根据所述第一光学厚度建立转换模型；
根据所述转换模型计算所述第一待测量层相对于所述第二待测量层的第三光学厚度；
“根据所述第一光学厚度、所述第一等效氧化层厚度、所述第二光学厚度、所述第二等效氧化层厚度、以及所述第一待测量层的第一介电常数建立所述第二待测量层的介电常数模型”包括：
根据所述第一光学厚度、所述第一等效氧化层厚度、所述第三光学厚度、所述第二等效氧化层厚度、以及所述第一待测量层的第一介电常数建立所述第二待测量层的介电常数模型。
其中，所述第二待测量层的第二介电常数模型包括：
其中，K为所述第二介电常数，ε1为所述第一介电常数，t2为所述第二光学厚度，t3为所述第三光学厚度，EOT2为所述第二等效氧化层厚度，EOT1为所述第一等效氧化层厚度。
其中，“提供待测量工件，获取所述第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度”包括：
提供基体；
在所述基体的一侧沉积第一待测量层；
获取所述第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度；以及
在所述第一待测量层背离所述基体的一侧沉积第二待测量层。
其中，所述基体包括硅基体，所述第一待测量层包括氧化硅层，且所述第一待测量层的所述第一介电常数为3.9。
其中，所述第二待测量层包括氧化铝层，“在所述第一待测量层背离所述基体的一侧沉积第二待测量层”包括：
采用原子层沉积法在所述第一待测量层背离所述基体的一侧沉积第二待测量层；在沉积的过程中，向所述第一待测量层背离所述基体的一侧通入混合气体，其中，所述混合气体包括三甲胺或氯化铝中的任意一种与臭氧。
本申请第二方面提供了一种介电常数的测试装置，所述测试装置用于测试待测量工件的介电常数，其中所述待测量工件包括基体与待测量部，所述待测量部设于所述基体的一侧，所述待测量部包括第一待测量层与第二待测量层，所述第一待测量层设于所述基体与所述第二待测量层之间；所述测试装置包括：
第一获取单元，用于获取所述第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度；
第二获取单元，用于获取所述待测量部的第二光学厚度与第二等效氧化层厚度；
第三获取单元，用于获取所述第一待测量层的第一介电常数；
第一建立单元，用于根据所述第一光学厚度、所述第一等效氧化层厚度、所述第二光学厚度、所述第二等效氧化层厚度、以及所述第一介电常数建立所述第二待测量层的介电常数模型；以及
第一计算单元，用于根据所述第二待测量层的介电常数模型计算所述第二待测量层的第二介电常数。
本申请第二方面提供的测试装置，通过利用第一获取单元、第二获取单元、以及第三获取单元来获取各个参数。在通过第一建立单元根据上述获取到的参数来建立所述第二待测量层的介电常数模型。最后通过第一计算单元根据所述第二待测量层的介电常数模型计算所述第二待测量层的第二介电常数。本申请通过上述各个单元之间的相互配合，可精确、快速地计算出第二待测量侧的第二介电常数。
其中，所述测试装置还包括：
第二建立单元，用于根据所述第一光学厚度建立转换模型；
第二计算单元，用于根据所述转换模型计算所述第一待测量层相对于所述第二待测量层的第三光学厚度；
所述第一建立单元，还用于根据所述第一光学厚度、所述第一等效氧化层厚度、所述第三光学厚度、所述第二等效氧化层厚度、以及所述第一待测量层的第一介电常数建立所述第二待测量层的介电常数模型。
本申请第三方面提供了一种介电常数的测试设备，所述测试设备包括检测设备，处理器，输入设备，输出设备，存储器，以及总线，所述检测设备，所述处理器，所述输入设备，所述输出设备，所述存储器，以及所述总线相互电连接，所述存储器用于存储应用程序代码，所述处理器用于调用所述程序代码，以执行本申请第一方面提供的测试方法。
本申请第三方面提供的测试设备，通过处理器调用程序代码来执行如本申请第一方面提供的测试方法，来精确地计算出第二待测量层的第二介电常数。
本申请第四方面提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，所述程序指令当被处理器执行时使所述处理器执行如本申请第一方面提供的测试方法。
本申请第四方面提供的计算机可读存储介质，程序指令当被处理器执行时使所述处理器执行如本申请第一方面提供的测试方法时，可精确地计算出第二待测量层的第二介电常数。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施方式中的技术方案，下面将对本申请实施方式中所需要使用的附图进行说明。
图1为本申请第一实施方式提供的测试方法的工艺流程图。
图2为本申请第二实施方式提供的测试方法的工艺流程图。
图3为本申请第三实施方式提供的测试方法的工艺流程图。
图4为本申请第四实施方式提供的测试方法的工艺流程图。
图5为本申请第一实施方式提供的测试装置的电子结构示意图。
图6为本申请第二实施方式提供的测试装置的电子结构示意图。
图7为本申请第一实施方式提供的测试设备的电子结构示意图。
标号说明：
测试装置-1，测试设备-2，检测设备-3，处理器-4，输入设备-5，输出设备-6，存储器-7，总线-8，第一获取单元-10，第二获取单元-20，第三获取单元-30，第一建立单元-40，第一计算单元-50，第二建立单元-60，第二计算单元-70。
具体实施方式
以下是本申请的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。
请参考图1，图1为本申请第一实施方式提供的测试方法的工艺流程图。本实施方式中，所述测试方法包括S100，S200，S300，S400，S500。其中，S100，S200，S300，S400，S500的详细介绍如下。
S100，提供待测量工件，所述待测量工件包括基体与待测量部，所述待测量部设于所述基体的一侧，所述待测量部包括第一待测量层与第二待测量层，所述第一待测量层设于所述基体与所述第二待测量层之间；获取所述第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度。
待测量工件即本申请需要测量的工件，具体地，待测量工件包括用于承载待测量部的基体，而待测量部包括第一待测量层与第二待测量层。其中第二待测量层的第二介电常数是本申请最终需要测试的参数。首先在第二待测量层与基体之间增设第一待测量层可使得在制备第二待测量层时是在第一待测量层表面进行制备的，而不是在基体表面上进行制备的，这样可防止在制备第二待测量层时在基体表面上额外生成不可控制的层结构。
例如，当基体为硅，第二待测量层为氧化铝时，在制备氧化铝层时，不可避免地会在硅基体表面形成不可控制的氧化硅层，但关于这层氧化硅层的相关参数却无法进行测量。此时第一待测量层可以为氧化硅层，或者氮化硅层等其他层结构。通过增设第一待测量层来防止不可控制的层结构的生成，避免该层结构对测试结果的影响。
另外，本申请需要先获取所述第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度。关于获取可以理解为通过各种测量装置来测量第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度，随后自动获取上述参数，或者用户用户手动输入以获取上述参数。
S200，获取所述待测量部的第二光学厚度与第二等效氧化层厚度。
随后再获取所述待测量部的第二光学厚度与第二等效氧化层厚度。根据上述获取到的参数，便可得知第二待测量层的光学厚度与等效氧化层厚度。即第二光学厚度与第一光学厚度的差值便是第二待测量层的光学厚度，第二等效氧化层厚度与第一等效氧化层厚度的差值便是第二待测量层的等效氧化层厚度。
S300，获取所述第一待测量层的第一介电常数。
随后在获取第一待测量层的第一介电常数。可选地，当第一待测量层为氧化硅层时，此时第一介电常数为3.9。
S400，根据所述第一光学厚度、所述第一等效氧化层厚度、所述第二光学厚度、所述第二等效氧化层厚度、以及所述第一介电常数建立所述第二待测量层的介电常数模型。
S500，根据所述第二待测量层的介电常数模型计算所述第二待测量层的第二介电常数。
最后便可根据上述获取到的各个参数来建立第二待测量层的介电常数模型并根据第二待测量层的介电常数模型计算所述第二待测量层的第二介电常数。
综上所述，本申请提供的测试方法通过增设第一待测量层可避免不可控制的因素干扰，并通过第一待测量层第二待测量层与第二待测量层的配合来准确地计算出第二待测量层的第二介电常数。
请一并参考图2，图2为本申请第二实施方式提供的测试方法的工艺流程图。本实施方式中，S100“提供待测量工件，获取所述第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度”包括S110，S120，S130，S140。其中，S110，S120，S130，S140的详细介绍如下。
S110，提供基体。
S120，在所述基体的一侧沉积第一待测量层。
S130，获取所述第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度。
S140，在所述第一待测量层背离所述基体的一侧沉积第二待测量层。
本申请可先在基体的一侧沉积第一待测量层，此时由于基体上只有第一待测量层，因此此时可直接对第一待测量层进行测试，从而获取第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度，有效地降低了获取第一光学厚度与第一等效氧化层厚度的难度，提高了获取到的参数的准确性。当获取到参数之后，再在所述第一待测量层背离所述基体的一侧沉积第二待测量层。
可选地，本申请可采用上述测试方法得到的参数可建立第二介电常数模型，具体地，所述第二待测量层的第二介电常数模型包括：
其中，K为所述第二介电常数，ε1为所述第一介电常数，t2为所述第二光学厚度，t1为所述第一光学厚度，EOT2为所述第二等效氧化层厚度，EOT1为所述第一等效氧化层厚度。最后只需把上述获取到的参数代入第二介电常数模型中便可计算出K值。
请一并参考图3，图3为本申请第三实施方式提供的测试方法的工艺流程图。本实施方式中，在S100“提供待测量工件，获取所述第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度”之后，还包括S150，S160。其中，S150，S160的详细介绍如下。
S150，根据所述第一光学厚度建立转换模型。
S160，根据所述转换模型计算所述第一待测量层相对于所述第二待测量层的第三光学厚度。
随后，根据上述内容提供的测试方式,S400“根据所述第一光学厚度、所述第一等效氧化层厚度、所述第二光学厚度、所述第二等效氧化层厚度、以及所述第一待测量层的第一介电常数建立所述第二待测量层的介电常数模型”包括S410。其中，S410的详细介绍如下。
S410，根据所述第一光学厚度、所述第一等效氧化层厚度、所述第三光学厚度、所述第二等效氧化层厚度、以及所述第一待测量层的第一介电常数建立所述第二待测量层的介电常数模型。
从上述内容可知，第二光学膜厚与第一光学膜厚的差值便可得到第二待测量层的光学膜厚。但由于光学膜厚与折射率有关，而第一待测量层与第二待测量层的材质不同，因此第一待测量层与第二待测量层的折射率不同，所以若直接采用第二光学膜厚减第一光学膜厚，此时可能会产生误差。本申请可根据第一光学膜厚建立转换模型，转换模型可对第一光学膜厚进行转换，将第一光学膜厚转换成第一待测量层相对于所述第二待测量层的第三光学厚度，此时再用第二光学膜厚减去第三光学膜厚，便可得到更准确第二待测量层的光学膜厚。
可选地，本申请还可采用上述通过转换模型得到的第三光学膜厚来建立第二介电常数模型。具体地，所述第二待测量层的第二介电常数模型包括：
其中，K为所述第二介电常数，ε1为所述第一介电常数，t2为所述第二光学厚度，t3为所述第三光学厚度，EOT2为所述第二等效氧化层厚度，EOT1为所述第一等效氧化层厚度。最后只需把上述获取到的参数代入第二介电常数模型中便可计算出更准确的K值。
可选地，所述基体包括硅基体，所述第一待测量层包括氧化硅层，且所述第一待测量层的所述第一介电常数为3.9。本申请可采用硅基体，并在硅基体上制备氧化硅层，降低制备难度。另外，在测量介电常数时，通常均采用二氧化硅的各个参数为标准。因此本申请在硅基体上沉积氧化硅层，还可降低计算难度，提高计算的准确性。
请一并参考图4，图4为本申请第四实施方式提供的测试方法的工艺流程图。本实施方式中，所述第二待测量层包括氧化铝层，S140“在所述第一待测量层背离所述基体的一侧沉积第二待测量层”包括S141。其中，S141的详细介绍如下。
S141，采用原子层沉积法在所述第一待测量层背离所述基体的一侧沉积第二待测量层；在沉积的过程中，向所述第一待测量层背离所述基体的一侧通入混合气体，其中，所述混合气体包括三甲胺或氯化铝中的任意一种与臭氧。
当第二待测量层为氧化铝层时，本申请可采用原子层沉积法进行制备，并且通入混合气体，其中，混合气体包括三甲胺或氯化铝中的任意一种与臭氧。由于已经有第一待测量层的存在，因此臭氧便不会与硅基体发生反应从而在硅基体与氧化铝层之间生成不可控制的氧化硅层。
除了上述提供的介电常数的测试方法，本申请还提供了一种介电常数的测试装置。本申请实施方式提供的测试方法及测试装置都可以达到本申请的技术效果，二者可以一起使用，当然也可以单独使用，本申请对此没有特别的限制。例如，作为一种实施方式，可以使用下文提供的测试装置来实现上文提供的测试方法。
请参考图5，图5为本申请第一实施方式提供的测试装置的电子结构示意图。本实施方式中，所述测试装置1用于测试待测量工件的介电常数，其中所述待测量工件包括基体与待测量部，所述待测量部设于所述基体的一侧，所述待测量部包括第一待测量层与第二待测量层，所述第一待测量层设于所述基体与所述第二待测量层之间；所述测试装置1包括第一获取单元10，第二获取单元20，第三获取单元30，第一建立单元40，以及第一计算单元50。其中，第一获取单元10用于获取所述第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度。第二获取单元20用于获取所述待测量部的第二光学厚度与第二等效氧化层厚度。第三获取单元30用于获取所述第一待测量层的第一介电常数。第一建立单元40用于根据所述第一光学厚度、所述第一等效氧化层厚度、所述第二光学厚度、所述第二等效氧化层厚度、以及所述第一介电常数建立所述第二待测量层的介电常数模型。第一计算单元50用于根据所述第二待测量层的介电常数模型计算所述第二待测量层的第二介电常数。
请一并参考图6，图6为本申请第二实施方式提供的测试装置的电子结构示意图。本实施方式中，所述测试装置1还包括第二建立单元60，以及第二计算单元70。其中，第二建立单元60用于根据所述第一光学厚度建立转换模型。第二计算单元70用于根据所述转换模型计算所述第一待测量层相对于所述第二待测量层的第三光学厚度。所述第一建立单元40，还用于根据所述第一光学厚度、所述第一等效氧化层厚度、所述第三光学厚度、所述第二等效氧化层厚度、以及所述第一待测量层的第一介电常数建立所述第二待测量层的介电常数模型。
由于光学膜厚与折射率有关，而第一待测量层与第二待测量层的材质不同，因此第一待测量层与第二待测量层的折射率不同，所以若直接采用第二光学膜厚减第一光学膜厚，此时可能会产生误差。本申请可通过第二建立单元60与第二计算单元70的配合来将第一光学膜厚转换成第一待测量层相对于所述第二待测量层的第三光学厚度，此时再用第二光学膜厚减去第三光学膜厚，便可得到更准确第二待测量层的光学膜厚。
可选地，所述第二待测量层的第二介电常数模型包括：
其中，K为所述第二介电常数，ε1为所述第一介电常数，t2为所述第二光学厚度，t3为所述第三光学厚度，EOT2为所述第二等效氧化层厚度，EOT1为所述第一等效氧化层厚度。
请参考图7，图7为本申请第一实施方式提供的测试设备的电子结构示意图。所述测试设备2包括检测设备3，处理器4，输入设备5，输出设备6，存储器7，以及总线8。所述检测设备3，所述处理器4，所述输入设备5，所述输出设备6，所述存储器7，以及所述总线8相互电连接。所述存储器7用于存储应用程序代码，所述处理器4用于调用所述程序代码，以执行本申请上述实施方式提供的测试方法。
本申请提供的测试设备2，通过处理器4调用程序代码来执行如本申请上述实施方式提供的测试方法，可精确地计算出第二待测量层的第二介电常数。
本申请还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，所述程序指令当被处理器4执行时使所述处理器4执行如本申请上述实施方式提供的测试方法。
本申请提供的计算机可读存储介质，程序指令当被处理器4执行时使所述处理器4执行如本申请上述实施方式提供的测试方法时，可精确地计算出第二待测量层的第二介电常数。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施方式中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，所述的存储介质可为U盘、磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-OnlyMemory，ROM)或随机存储记忆体(RandomAccess Memory，RAM)等。
本申请可以是系统、方法和/或计算机程序产品。计算机程序产品可以包括计算机可读存储介质，其上载有用于使处理器4实现本申请的各个方面的计算机可读程序指令。
计算机可读存储介质可以是可以保持和存储由指令执行设备使用的指令的有形设备。可选地，计算机可读存储介质包括但不限于电存储设备、磁存储设备、光存储设备、电磁存储设备、半导体存储设备或者上述的任意合适的组合。进一步可选地，计算机可读存储介质(非穷举的列表)包括：便携式计算机盘、硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM或闪存)、静态随机存取存储器(SRAM)、便携式压缩盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能盘(DVD)、记忆棒、软盘、机械编码设备、例如其上存储有指令的打孔卡或凹槽内凸起结构、以及上述的任意合适的组合。这里所使用的计算机可读存储介质不被解释为瞬时信号本身，诸如无线电波或者其他自由传播的电磁波、通过波导或其他传输媒介传播的电磁波(例如，通过光纤电缆的光脉冲)、或者通过电线传输的电信号。
这里所描述的计算机可读程序指令可以从计算机可读存储介质下载到各个计算/处理装置，或者通过网络、例如因特网、局域网、广域网和/或无线网下载到外部计算机或外部存储设备。网络可以包括铜传输电缆、光纤传输、无线传输、路由器、防火墙、交换机、网关计算机和/或边缘服务器。每个计算/处理装置中的网络适配卡或者网络接口从网络接收计算机可读程序指令，并转发该计算机可读程序指令，以供存储在各个计算/处理装置中的计算机可读存储介质中。
用于执行本申请操作的计算机程序指令可以是汇编指令、指令集架构(ISA)指令、机器指令、机器相关指令、微代码、固件指令、状态设置数据、或者以一种或多种编程语言的任意组合编写的源代码或目标代码，所述编程语言包括面向对象的编程语言—诸如Smalltalk、C++等，以及常规的过程式编程语言—诸如“C”语言或类似的编程语言。计算机可读程序指令可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或服务器上执行。在涉及远程计算机的情形中，远程计算机可以通过任意种类的网络—包括局域网(LAN)或广域网(WAN)—连接到用户计算机，或者，可以连接到外部计算机(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。在一些实施例中，通过利用计算机可读程序指令的状态信息来个性化定制电子电路，例如可编程逻辑电路、现场可编程门阵列(FPGA)或可编程逻辑阵列(PLA)，该电子电路可以执行计算机可读程序指令，从而实现本申请的各个方面。
这里参照根据本申请实施方式中的方法、装置和计算机程序产品的流程图和/或框图描述了本申请的各个方面。应当理解，流程图和/或框图的每个方框以及流程图和/或框图中各方框的组合，都可以由计算机可读程序指令实现。
这些计算机可读程序指令可以提供给通用计算机、专用计算机或其它可编程数据处理装置的处理器4，从而生产出一种机器，使得这些指令在通过计算机或其它可编程数据处理装置的处理器4执行时，产生了实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的装置。也可以把这些计算机可读程序指令存储在计算机可读存储介质中，这些指令使得计算机、可编程数据处理装置和/或其他设备以特定方式工作，从而，存储有指令的计算机可读介质则包括一个制造品，其包括实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的各个方面的指令。
也可以把计算机可读程序指令加载到计算机、其它可编程数据处理装置、或其它设备上，使得在计算机、其它可编程数据处理装置或其它设备上执行一系列操作步骤，以产生计算机实现的过程，从而使得在计算机、其它可编程数据处理装置、或其它设备上执行的指令实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作。
附图中的流程图和框图显示了根据本申请的多个实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或指令的一部分，所述模块、程序段或指令的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
以上对本申请实施方式所提供的内容进行了详细介绍，本文对本申请的原理及实施方式进行了阐述与说明，以上说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (11)
1.一种介电常数的测试方法，其特征在于，所述测试方法包括：
提供待测量工件，所述待测量工件包括基体与待测量部，所述待测量部设于所述基体的一侧，所述待测量部包括第一待测量层与第二待测量层，所述第一待测量层设于所述基体与所述第二待测量层之间；获取所述第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度；
获取所述待测量部的第二光学厚度与第二等效氧化层厚度；
获取所述第一待测量层的第一介电常数；
根据所述第一光学厚度、所述第一等效氧化层厚度、所述第二光学厚度、所述第二等效氧化层厚度、以及所述第一介电常数建立所述第二待测量层的介电常数模型；以及
根据所述第二待测量层的介电常数模型计算所述第二待测量层的第二介电常数。
2.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，“提供待测量工件，获取所述第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度”包括：
提供基体；
在所述基体的一侧沉积第一待测量层；
获取所述第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度；以及
在所述第一待测量层背离所述基体的一侧沉积第二待测量层。
3.如权利要求2所述的测试方法，其特征在于，所述第二待测量层的第二介电常数模型包括：
其中，K为所述第二介电常数，ε1为所述第一介电常数，t2为所述第二光学厚度，t1为所述第一光学厚度，EOT2为所述第二等效氧化层厚度，EOT1为所述第一等效氧化层厚度。
4.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，在“提供待测量工件，获取所述第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度”之后，还包括：
根据所述第一光学厚度建立转换模型；
根据所述转换模型计算所述第一待测量层相对于所述第二待测量层的第三光学厚度；
“根据所述第一光学厚度、所述第一等效氧化层厚度、所述第二光学厚度、所述第二等效氧化层厚度、以及所述第一待测量层的第一介电常数建立所述第二待测量层的介电常数模型”包括：
根据所述第一光学厚度、所述第一等效氧化层厚度、所述第三光学厚度、所述第二等效氧化层厚度、以及所述第一待测量层的第一介电常数建立所述第二待测量层的介电常数模型。
5.如权利要求4所述的测试方法，其特征在于，所述第二待测量层的第二介电常数模型包括：
其中，K为所述第二介电常数，ε1为所述第一介电常数，t2为所述第二光学厚度，t3为所述第三光学厚度，EOT2为所述第二等效氧化层厚度，EOT1为所述第一等效氧化层厚度。
6.如权利要求2所述的测试方法，其特征在于，所述基体包括硅基体，所述第一待测量层包括氧化硅层，且所述第一待测量层的所述第一介电常数为3.9。
7.如权利要求6所述的测试方法，其特征在于，所述第二待测量层包括氧化铝层，“在所述第一待测量层背离所述基体的一侧沉积第二待测量层”包括：
采用原子层沉积法在所述第一待测量层背离所述基体的一侧沉积第二待测量层；在沉积的过程中，向所述第一待测量层背离所述基体的一侧通入混合气体，其中，所述混合气体包括三甲胺或氯化铝中的任意一种与臭氧。
8.一种介电常数的测试装置，其特征在于，所述测试装置用于测试待测量工件的介电常数，其中所述待测量工件包括基体与待测量部，所述待测量部设于所述基体的一侧，所述待测量部包括第一待测量层与第二待测量层，所述第一待测量层设于所述基体与所述第二待测量层之间；所述测试装置包括：
第一获取单元，用于获取所述第一待测量层的第一光学厚度与第一等效氧化层厚度；
第二获取单元，用于获取所述待测量部的第二光学厚度与第二等效氧化层厚度；
第三获取单元，用于获取所述第一待测量层的第一介电常数；
第一建立单元，用于根据所述第一光学厚度、所述第一等效氧化层厚度、所述第二光学厚度、所述第二等效氧化层厚度、以及所述第一介电常数建立所述第二待测量层的介电常数模型；以及
第一计算单元，用于根据所述第二待测量层的介电常数模型计算所述第二待测量层的第二介电常数。
9.如权利要求8所述的测试装置，其特征在于，所述测试装置还包括：
第二建立单元，用于根据所述第一光学厚度建立转换模型；
第二计算单元，用于根据所述转换模型计算所述第一待测量层相对于所述第二待测量层的第三光学厚度；
所述第一建立单元，还用于根据所述第一光学厚度、所述第一等效氧化层厚度、所述第三光学厚度、所述第二等效氧化层厚度、以及所述第一待测量层的第一介电常数建立所述第二待测量层的介电常数模型。
10.一种介电常数的测试设备，其特征在于，所述测试设备包括检测设备，处理器，输入设备，输出设备，存储器，以及总线，所述检测设备，所述处理器，所述输入设备，所述输出设备，所述存储器，以及所述总线相互电连接，所述存储器用于存储应用程序代码，所述处理器用于调用所述程序代码，以执行如权利要求1-7任一项所述的测试方法。
11.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，所述程序指令当被处理器执行时使所述处理器执行如权利要求1-7任一项所述的测试方法。
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| Title |
|---|
| 费晨曦: "新型高ｋ栅介质ＬaxAlyO薄膜的制备与性能研究", 《中国博士学位论文全文数据库 基础科学辑》 * |
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