CN111192733A - 一种耐冲击晶片电阻器及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种耐冲击晶片电阻器及其制作方法，所述制作方法首先要烧结一片试验电阻器，再将所述试验电阻器划分为九份，用阻值测量仪分别测量该九份中每一份的阻值，得到电阻器阻值与电极跨距的数值关系；再根据数值关系计算目标电阻所需的电极跨距，得到电极跨距L；再根据电极跨距L，制作获得对应的印刷网版；再使用印刷网版在基板上印刷电极，将电阻层贴敷在所述电极上，获得初步成型的电阻器；将保护层涂覆在所述初步成型的电阻器的外表面，获得成型的晶片电阻器。本发明所述制作方法不需激光修整精度，且只需印一层电阻层，其提高了电阻器的耐冲击性和生产效率。

Description

一种耐冲击晶片电阻器及其制作方法

技术领域

本发明涉及电阻器领域，尤其涉及一种耐冲击晶片电阻器及其制作方法。

背景技术

随着工业和消费类电子产品市场对电子设备小型化、高性能、高可靠性、安全性和电磁兼容性的需求，对电子电路性能不断地提出新的要求，片式元件进一步向小型化、多层化、大容量化、耐高压、集成化和高性能化方向发展。

现有技术制作的电阻器因需要经过激光的切割来修整阻值精度，因此其耐冲击的能力较为不足，在脉冲较大的电路中其风险相对较高；同时，因晶片电阻器在加工的过程中需要经过激光修整阻值精度，所以坯料的生产周期加长，加工效率不高；进一步的，因加工电阻器的电阻层时会加印一层电阻料，其坯料的加工时间又进一步的拉长。

因此，亟需提出一种新的技术方案来解决上述问题，给市场提供一种既能高效生产又具有较优良的耐冲击性能的晶片电阻器。

发明内容

本发明的目的是解决现有技术中存在的问题，给市场提供一种耐冲击晶片电阻器的制作方法。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种耐冲击晶片电阻器的制作方法，包括如下步骤：

S1：烧结一片试验电阻器，将所述试验电阻器划分为九个区域，用阻值测量仪分别测量每个区域的阻值，获得九个阻值，根据该九个阻值得到电阻器阻值与电极跨距的数值关系；

S2：根据步骤S1得到的数值关系，计算目标电阻所需的电极跨距，得到电极跨距L；

S3：根据步骤S2获得的电极跨距L，制作获得对应的印刷网版；

S4：使用步骤S3获得的印刷网版在基板上印刷电极，将电阻层贴敷在所述电极上，获得初步成型的电阻器；

S5：将保护层涂覆在所述初步成型的电阻器的外表面，获得成型的晶片电阻器。

上述技术方案进一步的，对于步骤S1，所述试验电阻器包括基板、电极和电阻层，

进一步的，所述基板具有上表面，该上表面为长方形，所述电极贴覆在该上表面上，所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极分别沿所述上表面的长边方向分布；

进一步的，所述电阻层为片状长条，该片状长条沿其长边方向的两端分别搭接在所述第一电极和第二电极上。

进一步的，所述第一电极和第二电极相对设置，且第一电极和第二电极之间具有间隙，

进一步的，所述第一电极和第二电极分别靠近所述上表面的短边；

进一步的，所述电阻层覆盖在所述第一电极、间隙和第二电极的上方。

进一步的，对于步骤S1，所述试验电阻器被划分为九宫格，根据电阻阻值与电阻长度成正比的原理计算电阻器阻值与电极跨距的数值关系；

进一步的，所述电极跨距是所述第一电极与第二电极之间的间隙的长度。

进一步的，对于步骤S3，若将电极跨距自L减小或增大至L1，则第一电极和第二电极分别增大或减小|L-L1|/2。

进一步的，对于步骤S4，所述印刷网版上具有电极模块，所述电极模块上涂覆有电极材料，所述印刷网版将电极材料拓印在所述基板上形成电极。

进一步的，对于步骤S4，所述初步成型的电阻器包括一层电阻层。

本发明还提供一种根据上述制作方法制得的一种耐冲击晶片电阻器，包括基板和设置在所述基板上的电阻层，

进一步的，所述基板具有上表面，该上表面上具有第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极均与所述电阻层搭接；

进一步的，所述基板为片状长条，所述第一电极和第二电极均为导电片，所述第一电极和第二电极对称设置在所述基板的上表面，且所述第一电极和第二电极均以所述基板上表面的长边方向的中心线为轴。

进一步的，所述第一电极和第二电极相对设置，且第一电极和第二电极之间具有间隙，所述电阻层横跨间隙上方并贴覆在所述第一电极和第二电极上；

进一步的，所述第一电极和第二电极对称连接于所述电阻层的相对短边处。

进一步的，所述电阻层的长边长度小于所述基板的长边长度。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

1.本发明所述晶片电阻器的精度调整是通过前期的试验进行数据推算得到的，不需经过激光修整精度，相比现有技术制得的电阻器，其耐冲击能力更强，对脉冲的适应性也会提升，相应的，加工过程中也可以不用或者减少使用激光修整设备，如此便节省了加工工序保证了电阻器的阻值精度；

2.本发明所述晶片电阻器的制作方法是通过预制电阻器进行的，将预制的试验电阻器作为样本，对其阻值分布进行测量，在根据电阻阻值与电阻长度成正比的基本原理，推算出电阻阻值与电阻器内的电极跨距的关系，在根据目标阻值进行推算，得到目标阻值所需的电极跨度，然后根据电极跨度有目的的进行加工，如此制得的电阻器有数据支撑，不论是后期改良还是重新制作都有理论依据，且一旦制作成功，后期加工产品的一次合格率会大幅提高，如此便有利于节约材料成本、时间成本和人工成本；

3.本发明所述晶片电阻器的制作方法因不需激光修整精度，因此相比现有技术其加工周期缩短，节省了加工时间，提高了生产效率；

4.本发明制得的晶片电阻器只须印一层电阻层，相比现有技术加工所用的电阻层材料会大大缩减，节约了材料成本；

5.本发明制得的晶片电阻器相比现有技术无须加印一层电阻层，因此机器不用待机等待加印第二层电阻层，如此机器的运转时间整体缩减，以机器的整体寿命来看，相当于延长了机器的使用寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。

图1是本发明所述晶片电阻器内部结构的俯视效果示意图，其中L1为电极跨距；

图2是图1中电极跨距缩小后的效果示意图，其中L2为电极跨距。

其中，1-电阻层；2-基板；21-上表面；3-电极；31-第一电极；32-第二电极。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清查、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

现有技术制作的电阻器因需要经过激光的切割来修整阻值精度，因此其耐冲击的能力较为不足，在脉冲较大的电路中其风险相对较高；同时，因晶片电阻器在加工的过程中需要经过激光修整阻值精度，所以坯料的生产周期加长，加工效率不高；进一步的，因加工电阻器的电阻层时会加印一层电阻料，其坯料的加工时间又进一步的拉长。本发明提供一种耐冲击晶片电阻器的制作方法，以解决上述问题。

下面结合实施例进一步说明本发明要旨：

实施例：

图1是本发明所述晶片电阻器内部结构的俯视效果示意图，其中L1为电极跨距；图2是图1中电极跨距缩小后的效果示意图，其中L2为电极跨距。

为了解决以上的问题，本发明提出了一种新的技术方案:

请参见图1、2，一种耐冲击晶片电阻器的制作方法，包括如下步骤：

S1：烧结一片试验电阻器，将所述试验电阻器划分为九个区域，用阻值测量仪分别测量每个区域的阻值，获得九个阻值，根据该九个阻值得到电阻器阻值与电极跨距的数值关系；

S2：根据步骤S1得到的数值关系，计算目标电阻所需的电极跨距，得到电极跨距L；

S3：根据步骤S2获得的电极跨距L，制作获得对应的印刷网版；

S4：使用步骤S3获得的印刷网版在基板上印刷电极3，将电阻层1贴敷在所述电极3上，获得初步成型的电阻器；

S5：将保护层涂覆在所述初步成型的电阻器的外表面，获得成型的晶片电阻器。

进一步的，对于步骤S1，所述试验电阻器包括基板2、电极3和电阻层1，

所述基板2具有上表面21，该上表面21为长方形，所述电极3贴覆在该上表面21上，所述电极包括第一电极31和第二电极32，所述第一电极31和第二电极32分别沿所述上表面21的长边方向分布；

所述电阻层1为片状长条，该片状长条沿其长边方向的两端分别搭接在所述第一电极31和第二电极32上。

进一步的，所述第一电极31和第二电极32相对设置，且第一电极31和第二电极32之间具有间隙，

所述第一电极31和第二电极32分别靠近所述上表面21的短边；

所述电阻层1覆盖在所述第一电极31、间隙和第二电极32的上方。

进一步的，对于步骤S1，所述试验电阻器被划分为九宫格，根据电阻阻值与电阻长度成正比的原理计算电阻器阻值与电极跨距的数值关系；

所述电极跨距是所述第一电极31与第二电极32之间的间隙的长度。

进一步的，对于步骤S3，若将电极跨距自L减小或增大至L1，则第一电极31和第二电极32分别增大或减小|L-L1|/2。

进一步的，对于步骤S4，所述印刷网版上具有电极模块，所述电极模块上涂覆有电极材料，所述印刷网版将电极材料拓印在所述基板上形成电极3。

进一步的，对于步骤S4，所述初步成型的电阻器包括一层电阻层1。

请继续参见图1、2，本发明还提供一种由上述制作方法制得的一种耐冲击晶片电阻器，包括基板2和设置在所述基板2上的电阻层1，

进一步的，所述基板2具有上表面21，该上表面21上具有第一电极31和第二电极32，所述第一电极31和第二电极32均与所述电阻层1搭接；

进一步的，所述基板2为片状长条，所述第一电极31和第二电极32均为导电片，所述第一电极31和第二电极32对称设置在所述基板2的上表面21，且所述第一电极31和第二电极32均以所述基板2上表面21的长边方向的中心线为轴。

进一步的，所述第一电极31和第二电极32相对设置，且第一电极31和第二电极32之间具有间隙，所述电阻层1横跨间隙上方并贴覆在所述第一电极31和第二电极32上；

进一步的，所述第一电极31和第二电极32对称连接于所述电阻层1的相对短边处。

进一步的，所述电阻层1的长边长度小于所述基板2的长边长度。

本发明所述晶片电阻器的精度调整是通过前期的试验进行数据推算得到的，不需经过激光修整精度，相比现有技术制得的电阻器，其耐冲击能力更强，对脉冲的适应性也会提升，相应的，加工过程中也可以不用或者减少使用激光修整设备，如此便节省了加工工序保证了电阻器的阻值精度。

本发明所述晶片电阻器的制作方法是通过预制电阻器进行的，将预制的试验电阻器作为样本，对其阻值分布进行测量，在根据电阻阻值与电阻长度成正比的基本原理，推算出电阻阻值与电阻器内的电极跨距的关系，在根据目标阻值进行推算，得到目标阻值所需的电极跨度，然后根据电极跨度有目的的进行加工，如图1、2所示，当所述电极跨距由L1变为L2时，制得的电阻器的阻值也会发生改变，如此制得的电阻器有数据支撑，不论是后期改良还是重新制作都有理论依据，且一旦制作成功，后期加工产品的一次合格率会大幅提高，如此便有利于节约材料成本、时间成本和人工成本。

本发明所述晶片电阻器的制作方法因不需激光修整精度，因此相比现有技术其加工周期缩短，节省了加工时间，提高了生产效率；本发明制得的晶片电阻器只须印一层电阻层，相比现有技术加工所用的电阻层材料会大大缩减，节约了材料成本。

本发明制得的晶片电阻器相比现有技术无须加印一层电阻层，因此机器不用待机等待加印第二层电阻层，如此机器的运转时间整体缩减，以机器的整体寿命来看，相当于延长了机器的使用寿命。

综上所述，本发明提供的一种耐冲击晶片电阻器及其制作方法相比享有技术制得的电阻器确实提高了产品的耐冲击性能，节约了成本，提高了生产效率。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，本领域人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行接合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改和变型。

Claims (10)

1.一种耐冲击晶片电阻器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：烧结一片试验电阻器，将所述试验电阻器划分为九个区域，用阻值测量仪分别测量每个区域的阻值，获得九个阻值，根据该九个阻值得到电阻器阻值与电极跨距的数值关系；

S2：根据步骤S1得到的数值关系，计算目标电阻所需的电极跨距，得到电极跨距L；

S3：根据步骤S2获得的电极跨距L，制作获得对应的印刷网版；

S4：使用步骤S3获得的印刷网版在基板上印刷电极(3)，将电阻层(1)贴敷在所述电极(3)上，获得初步成型的电阻器；

S5：将保护层涂覆在所述初步成型的电阻器的外表面，获得成型的晶片电阻器。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对于步骤S1，所述试验电阻器包括基板(2)、电极(3)和电阻层(1)，

所述基板(2)具有上表面(21)，该上表面(21)为长方形，所述电极(3)贴覆在该上表面(21)上，所述电极包括第一电极(31)和第二电极(32)，所述第一电极(31)和第二电极(32)分别沿所述上表面(21)的长边方向分布；

所述电阻层(1)为片状长条，该片状长条沿其长边方向的两端分别搭接在所述第一电极(31)和第二电极(32)上。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一电极(31)和第二电极(32)相对设置，且第一电极(31)和第二电极(32)之间具有间隙，

所述第一电极(31)和第二电极(32)分别靠近所述上表面(21)的短边；

所述电阻层(1)覆盖在所述第一电极(31)、间隙和第二电极(32)的上方。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对于步骤S1，所述试验电阻器被划分为九宫格，根据电阻阻值与电阻长度成正比的原理计算电阻器阻值与电极跨距的数值关系；

所述电极跨距是所述第一电极(31)与第二电极(32)之间的间隙的长度。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对于步骤S3，若将电极跨距自L减小或增大至L1，则第一电极(31)和第二电极(32)分别增大或减小|L-L1|/2。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对于步骤S4，所述印刷网版上具有电极模块，所述电极模块上涂覆有电极材料，所述印刷网版将电极材料拓印在所述基板上形成电极(3)。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对于步骤S4，所述初步成型的电阻器包括一层电阻层(1)。

8.根据权利要求1-7任一所述的制作方法制得的一种耐冲击晶片电阻器，其特征在于，包括基板(2)和设置在所述基板(2)上的电阻层(1)，

所述基板(2)具有上表面(21)，该上表面(21)上具有第一电极(31)和第二电极(32)，所述第一电极(31)和第二电极(32)均与所述电阻层(1)搭接；

所述基板(2)为片状长条，所述第一电极(31)和第二电极(32)均为导电片，所述第一电极(31)和第二电极(32)对称设置在所述基板(2)的上表面(21)，且所述第一电极(31)和第二电极(32)均以所述基板(2)上表面(21)的长边方向的中心线为轴。

9.根据权利要求8所述的晶片电阻器，其特征在于，所述第一电极(31)和第二电极(32)相对设置，且第一电极(31)和第二电极(32)之间具有间隙，所述电阻层(1)横跨间隙上方并贴覆在所述第一电极(31)和第二电极(32)上；

所述第一电极(31)和第二电极(32)对称连接于所述电阻层(1)的相对短边处。

10.根据权利要求8所述的晶片电阻器，其特征在于，所述电阻层(1)的长边长度小于所述基板(2)的长边长度。

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