CN111162172B - 钙钛矿薄膜和钙钛矿太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
钙钛矿薄膜和钙钛矿太阳能电池及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111162172B CN111162172B CN201811323274.9A CN201811323274A CN111162172B CN 111162172 B CN111162172 B CN 111162172B CN 201811323274 A CN201811323274 A CN 201811323274A CN 111162172 B CN111162172 B CN 111162172B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- perovskite
- layer
- transport layer
- solar cell
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 39
- LLNQWPTUJJYTTE-UHFFFAOYSA-N 4-iodopyrazole Chemical compound IC=1C=NNC=1 LLNQWPTUJJYTTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 26
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 24
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 21
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 21
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 13
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 12
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000001923 cyclic compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L dibromolead Chemical compound Br[Pb]Br ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 9
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 207739-72-8 Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920001167 Poly(triaryl amine) Polymers 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QHJPGANWSLEMTI-UHFFFAOYSA-N aminomethylideneazanium;iodide Chemical compound I.NC=N QHJPGANWSLEMTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 6
- 238000000861 blow drying Methods 0.000 claims description 6
- GZUXJHMPEANEGY-UHFFFAOYSA-N bromomethane Chemical compound BrC GZUXJHMPEANEGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- LLWRXQXPJMPHLR-UHFFFAOYSA-N methylazanium;iodide Chemical compound [I-].[NH3+]C LLWRXQXPJMPHLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 4
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 4
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GMOLSADXSCUUQJ-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)O.[Sn]=O Chemical compound C(C)(C)O.[Sn]=O GMOLSADXSCUUQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003184 C60 fullerene group Chemical group 0.000 claims description 3
- -1 C70 Chemical compound 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910016510 CuCrO2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000003739 carbamimidoyl group Chemical group C(N)(=N)* 0.000 claims description 3
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M copper(1+);thiocyanate Chemical compound [Cu+].[S-]C#N PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 claims description 3
- 125000000031 ethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N([H])[*] 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 125000002795 guanidino group Chemical group C(N)(=N)N* 0.000 claims description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000000250 methylamino group Chemical group [H]N(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 claims description 3
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 3
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000013082 photovoltaic technology Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种钙钛矿薄膜，其包含有钙钛矿半导体化合物，所述钙钛矿半导体化合物的化学式为ABX3，在所述钙钛矿薄膜中添加有改性化合物，所述改性化合物与钙钛矿半导体化合物结合形成络合物结构，可以调节钙钛矿晶体的生长过程，获得均匀、致密的钙钛矿薄膜，从而提高钙钛矿太阳能电池的光电转换性能和长期稳定性。所述改性化合物为4‑碘吡唑。本发明还公开了包含有该钙钛矿薄膜的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明有效的调控钙钛矿的结晶行为，得到均匀致密、结晶度高的钙钛矿薄膜，方法简单，成本低。
Description
技术领域
本发明属于钙钛矿太阳能电池制备技术领域，特别涉及一种钙钛矿薄膜和钙钛矿太阳能电池及其制备方法。
背景技术
钙钛矿太阳能电池是一种新型、高效的光伏技术。目前，实验室报道的小面积钙钛矿太阳能电池，通过溶液法快速制备钙钛矿晶体，已经取得了超过20％的光电转换效率。然而，钙钛矿从溶液中结晶的过程，充满了极大的无序性，导致制备的薄膜容易出现孔洞，且晶体大小不一。
有效的调控钙钛矿晶体的结晶过程，对于制备高质量的薄膜具有重要的意义。在公开号为CN107394045A的专利中，介绍了向钙钛矿前驱体溶液里添加极性低沸点溶剂与双端基取代烷烃类高沸点溶剂，从而改善了溶液的界面能，达到调节钙钛矿薄膜成核结晶速率的目的，制备出均匀致密、低表面粗糙度的钙钛矿薄膜，提升钙钛矿太阳能电池的性能。在公开号为CN105702864A的专利中，介绍了将钙钛矿前驱体薄膜浸泡入溶剂中辅助结晶，再置于溶剂氛围退火，利用溶剂对钙钛矿前驱体材料的部分溶解，调控钙钛矿的结晶过程，制备结晶性好、平整均匀、致密无孔洞的高质量薄膜。上述两种方法在调控钙钛矿结晶过程中需要精确的控制，不适合制备大面积均匀的钙钛矿薄膜。如何更加简单有效的实现调控钙钛矿结晶过程变得非常重要。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种钙钛矿薄膜和钙钛矿太阳能电池及其制备方法，有效的调控钙钛矿的结晶行为，得到均匀致密、结晶度高的钙钛矿薄膜，方法简单，成本低。
本发明是这样实现的，提供一种钙钛矿薄膜，其包含有钙钛矿半导体化合物，所述钙钛矿半导体化合物的化学式为ABX3，在所述钙钛矿薄膜中添加有改性化合物，所述改性化合物与钙钛矿半导体化合物结合形成络合物结构，所述改性化合物具有以下特征：
1).含大π键的环状化合物，
2).并且该环状化合物的化学键环上的组成原子包括N、P、S、O中的至少一种，这些原子中含有未成键的孤对电子，或者，
3).该环状化合物内还含有卤素原子；
其中，A为CH3NH3 +(甲胺基)、CH3CH2NH3 +(乙胺基)、CH(NH2)2 +(甲脒基)、C(NH2)3 +(胍基)、Li+、Na+、K+、Rb+、Ag+、Cu+、Cs+中至少一种一价阳离子，B为Ge2+、Sn2+、Pb2+、Be2+、Mg2+、Ca2 +、Sr2+、Ba2+、Cu2+、Fe2+、Mn2+、Zn2+中至少一种二价金属离子，X为F-、Cl-、Br-、I-、SCN-中至少一种一价阴离子，所述钙钛矿半导体化合物的禁带宽度值大于等于1.0eV，且小于等于2.0eV。
进一步地，所述改性化合物在钙钛矿半导体化合物的质量分数为0.01～10％。
进一步地，所述改性化合物为4-碘吡唑。
进一步地，所述4-碘吡唑以任意的方式、任意的状态加入到钙钛矿半导体化合物中，参与并调控钙钛矿的结晶过程。
本发明是这样实现的，还提供一种钙钛矿太阳能电池，所述钙钛矿太阳能电池包括上电极层、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层、下电极层，所述钙钛矿层含有如前所述的钙钛矿薄膜。
进一步地，所述上电极层和下电极层包括金、银、铜、铝、铬、氧化铟锡(ITO)、掺氟氧化锡(FTO)、掺铝氧化锌(AZO)、碳材料以及它们的复合物中任意一种；在所述上电极层和下电极层至少有一个透明电极层，其在波长为350nm～800nm范围光透过率不低于80％。
进一步地，所述电子传输层包括二氧化钛、氧化锌、硫化镉、二氧化锡、三氧化二铟、氧化钨、氧化铈、C60、C70、PCBM以及它们的衍生物和掺杂物中的至少一种，该层厚度为5nm～300nm。
进一步地，所述空穴传输层包括氧化镍、氧化钒、氧化钼、硫化铜、硫氰酸亚铜、氧化铜、氧化亚铜、氧化钴、CuGaO2、CuCrO2、PTAA、PEDOT、Spiro-OMeTAD和它们的掺杂物中的至少一种，该层厚度为5nm～200nm；所述钙钛矿层厚度不低于50nm，所述钙钛矿层通过溶液结晶、气相结晶、固体结晶、固体-液相结晶以及固体-气相结晶中任意一种加工方式制备。
本发明是这样实现的，还提供一种如前所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
R1.配制钙钛矿前驱体溶液：将0.159g甲基碘化铵，0.461g碘化铅溶解在二甲基亚砜与N,N-二甲基甲酰胺的混合溶剂中，二者的体积比为1:9，溶质的质量分数为45wt％；
R2.配制4-碘吡唑混合溶液：称取一定量的4-碘吡唑粉末，将其加入到充分溶解的钙钛矿前驱体溶液，4-碘吡唑的质量分数为1wt％；
R3.清洗基片：分别使用清洗剂，去离子水，丙酮，异丙醇超声清洗FTO导电玻璃，氮气吹干，然后紫外-臭氧处理半小时；
R4.制备电子传输层：将颗粒直径为2纳米～10纳米，质量分数为2.5％的氧化锡-异丙醇溶液旋涂在基片上，180℃烘烤一小时，得到膜厚为30纳米的电子传输层；
R5.制备钙钛矿层：将4-碘吡唑混合溶液旋涂到电子传输层上，转速为4000转/秒，在溶剂完全挥发前，快速滴入氯苯溶液，辅助钙钛矿的成核结晶，然后置于100℃热台，烘烤半小时至钙钛矿完全结晶，钙钛矿层膜厚为500纳米；
R6.制备空穴传输层：将Spiro-OMeTAD溶解在氯苯中，浓度为2wt％，旋涂在钙钛矿层表面，转速为4000转/秒，膜厚为50纳米，在干燥空气里放置24小时；
R7.制备电极：真空热蒸发80纳米的金属银在空穴传输层上，完成钙钛矿太阳能电池的制备。
本发明是这样实现的，还提供一种如前所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
S1.清洗基片：分别使用清洗剂，去离子水，丙酮，异丙醇超声清洗ITO导电玻璃，氮气吹干，然后紫外-臭氧处理半小时；
S2.制备空穴传输层：将浓度为10mg/mL的PTAA氯苯溶液旋涂在基片上，150℃烘烤10min，得到膜厚为30纳米的空穴传输层；
S3.将沉积有空穴传输层的基片置于薄膜成型腔体中，薄膜成型腔体内的真空度控制在10-8Pa～105Pa之间，同时给基片加热，基片的加热温度控制在30℃～150℃；
S4.将前驱物碘化铅、溴化铅、甲基氢溴酸盐、甲脒氢碘酸盐、4-碘吡唑分别置于薄膜成型腔体内的不同的蒸发源中进行蒸发，碘化铅的蒸发速率为
溴化铅的蒸发速率是碘化铅的0.15～0.2倍，甲脒氢碘酸盐的蒸发速率与碘化铅相同，甲基氢溴酸盐的蒸发速率与溴化铅相同，4-碘吡唑的蒸发速率是碘化铅的0.01～0.2倍，反应时间控制在10min～120min，各组分充分反应形成钙钛矿层；
S5.制备电子传输层：将PCBM溶解在氯苯中，浓度为10wt％，旋涂在钙钛矿层表面，转速为4000转/秒，膜厚为30纳米；
S6.制备电极：真空热蒸发80纳米的金属铝在电子传输层上，完成钙钛矿太阳能电池的制备。
与现有技术相比，本发明的钙钛矿薄膜和钙钛矿太阳能电池及其制备方法，在所述钙钛矿薄膜中添加有改性化合物，所述改性化合物与钙钛矿半导体化合物结合形成络合物结构，可以调节钙钛矿晶体的生长过程，获得均匀、致密的钙钛矿薄膜，从而提高钙钛矿太阳能电池的光电转换性能和长期稳定性。本发明有效的调控钙钛矿的结晶行为，得到均匀致密、结晶度高的钙钛矿薄膜，方法简单，成本低。
附图说明
图1为本发明的钙钛矿太阳能电池结构一较佳实施例的示意图；
图2为本发明的钙钛矿太阳能电池各实施例的电池测试的J-V曲线示意图。
具体实施方式
为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明钙钛矿薄膜的较佳实施例，其包含有钙钛矿半导体化合物，所述钙钛矿半导体化合物的化学式为ABX3，在所述钙钛矿薄膜中添加有改性化合物，所述改性化合物与钙钛矿半导体化合物结合形成络合物结构，所述改性化合物具有以下特征：
1).含大π键的环状化合物，
2).并且该环状化合物的化学键环上的组成原子包括N、P、S、O中的至少一种，这些原子含有未成键的孤对电子，或者，
3).该环状化合物内还含有卤素原子。
其中，A为CH3NH3 +(甲胺基)、CH3CH2NH3 +(乙胺基)、CH(NH2)2 +(甲脒基)、C(NH2)3 +(胍基)、Li+、Na+、K+、Rb+、Ag+、Cu+、Cs+中至少一种一价阳离子，B为Ge2+、Sn2+、Pb2+、Be2+、Mg2+、Ca2 +、Sr2+、Ba2+、Cu2+、Fe2+、Mn2+、Zn2+中至少一种二价金属离子，X为F-、Cl-、Br-、I-、SCN-中至少一种一价阴离子，所述钙钛矿半导体化合物的禁带宽度值大于等于1.0eV，且小于等于2.0eV。
所述改性化合物在钙钛矿半导体化合物的质量分数为0.01～10％。
具体地，所述改性化合物为4-碘吡唑。所述4-碘吡唑以任意的方式、任意的状态加入到钙钛矿半导体化合物中，参与并调控钙钛矿的结晶过程。比如，4-碘吡唑可以与钙钛矿前驱体材料混合，或者在钙钛矿晶体的生长过程中引入4-碘吡唑，4-碘吡唑可以是均匀或非均匀的存在。
请参照图1所示，本发明钙钛矿太阳能电池的较佳实施例，在本发明的钙钛矿太阳能电池内，从上至下依次含有上电极层1、电子传输层2、钙钛矿层3、空穴传输层4、下电极层5。所述钙钛矿层含有如前所述的钙钛矿薄膜。
所述4-碘吡唑结构中的碘、氮含有孤对电子，可以与钙钛矿中含有空轨道的金属络合。此外，其结构中的亚氨基上的氢，可以与卤素形成氢键络合。这些络合物结构可以调节钙钛矿晶体的生长过程，获得均匀、致密的钙钛矿薄膜，从而提高钙钛矿太阳能电池的光电转换性能和长期稳定性。
具体地，所述上电极层和下电极层包括金、银、铜、铝、铬、氧化铟锡(ITO)、掺氟氧化锡(FTO)、掺铝氧化锌(AZO)、碳材料以及它们的复合物中任意一种。在所述上电极层和下电极层至少有一个透明电极层，其在波长为350nm～800nm范围光透过率不低于80％。
具体地，所述电子传输层包括二氧化钛、氧化锌、硫化镉、二氧化锡、三氧化二铟、氧化钨、氧化铈、C60、C70、PCBM以及它们的衍生物和掺杂物中的至少一种，该层厚度为5nm～300nm。
具体地，所述空穴传输层包括氧化镍、氧化钒、氧化钼、硫化铜、硫氰酸亚铜、氧化铜、氧化亚铜、氧化钴、CuGaO2、CuCrO2、PTAA、PEDOT、Spiro-OMeTAD和它们的掺杂物中的至少一种，该层厚度为5nm～200nm。
具体地，所述钙钛矿层厚度不低于50nm，所述钙钛矿层通过溶液结晶、气相结晶、固体结晶、固体-液相结晶以及固体-气相结晶中任意一种加工方式制备。
下面结合具体实施例来说明本发明构思。
实施例1：
提供一种如前所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
R1.配制钙钛矿前驱体溶液：将0.159g甲基碘化铵，0.461g碘化铅溶解在二甲基亚砜与N,N-二甲基甲酰胺的混合溶剂中，二者的体积比为1:9，溶质的质量分数为45wt％。
R2.配制4-碘吡唑混合溶液：称取一定量的4-碘吡唑粉末，将其加入到充分溶解的钙钛矿前驱体溶液，4-碘吡唑的质量分数为1wt％。
R3.清洗基片：分别使用清洗剂，去离子水，丙酮，异丙醇超声清洗FTO导电玻璃，氮气吹干，然后紫外-臭氧处理半小时。
R4.制备电子传输层：将颗粒直径为2纳米～10纳米，质量分数为2.5％的氧化锡-异丙醇溶液旋涂在基片上，180℃烘烤一小时，得到膜厚为30纳米的电子传输层。
R5.制备钙钛矿层：将4-碘吡唑混合溶液旋涂到电子传输层上，转速为4000转/秒，在溶剂完全挥发前，快速滴入氯苯溶液，辅助钙钛矿的成核结晶，然后置于100℃热台，烘烤半小时至钙钛矿完全结晶，钙钛矿层膜厚为500纳米。
R6.制备空穴传输层：将Spiro-OMeTAD溶解在氯苯中，浓度为2wt％，旋涂在钙钛矿层表面，转速为4000转/秒，膜厚为50纳米，在干燥空气里放置24小时。
R7.制备电极：真空热蒸发80纳米的金属银在空穴传输层上，完成钙钛矿太阳能电池的制备。
实施例1制备的钙钛矿太阳能电池测试的J-V曲线如图2所示，各参数列于表1。
实施例2：
提供另一种如前所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
S1.清洗基片：分别使用清洗剂，去离子水，丙酮，异丙醇超声清洗ITO导电玻璃，氮气吹干，然后紫外-臭氧处理半小时。
S2.制备空穴传输层：将浓度为10mg/mL的PTAA氯苯溶液旋涂在基片上，150℃烘烤10min，得到膜厚为30纳米的空穴传输层。
S3.将沉积有空穴传输层的基片置于薄膜成型腔体中，薄膜成型腔体内的真空度控制在10-8Pa～105Pa之间，同时给基片加热，基片的加热温度控制在30℃～150℃。
S4.将前驱物碘化铅、溴化铅、甲基氢溴酸盐、甲脒氢碘酸盐、4-碘吡唑分别置于薄膜成型腔体内的不同的蒸发源中进行蒸发，碘化铅的蒸发速率为
溴化铅的蒸发速率是碘化铅的0.15～0.2倍，甲脒氢碘酸盐的蒸发速率与碘化铅相同，甲基氢溴酸盐的蒸发速率与溴化铅相同，4-碘吡唑的蒸发速率是碘化铅的0.01～0.2倍，反应时间控制在10min～120min，各组分充分反应形成钙钛矿层。
S5.制备电子传输层：将PCBM溶解在氯苯中，浓度为10wt％，旋涂在钙钛矿层表面，转速为4000转/秒，膜厚为30纳米。
S6.制备电极：真空热蒸发80纳米的金属铝在电子传输层上，完成钙钛矿太阳能电池的制备。
实施例2制备的钙钛矿太阳能电池测试的J-V曲线如图2所示，各参数列于表1。
对比例1：
采用与实施例1中步骤R1，R3～R7相同的方法制备钙钛矿太阳能电池。
对比例1制备的钙钛矿太阳能电池测试的J-V曲线如图2所示，各参数列于表1。
表一、各实施例的钙钛矿太阳能电池的J-V参数对照表
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种钙钛矿薄膜，其包含有钙钛矿半导体化合物，所述钙钛矿半导体化合物的化学式为ABX3，其特征在于，在所述钙钛矿薄膜中添加有改性化合物，所述改性化合物与钙钛矿半导体化合物结合形成络合物结构，所述改性化合物具有以下特征：
1）.含大π键的环状化合物，
2）.并且该环状化合物的化学键环上的组成原子包括N、P、S、O中的至少一种，这些原子中含有未成键的孤对电子，或者，
3）.该环状化合物内还含有卤素原子；
其中，A为CH3NH3 +（甲胺基）、CH3CH2NH3 +（乙胺基）、CH(NH2)2 +（甲脒基）、C(NH2)3 +（胍基）、Li+、Na+、K+、Rb+、Ag+、Cu+、Cs+中至少一种一价阳离子，B为Ge2+、Sn2+、Pb2+、Be2+、Mg2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+、Cu2+、Fe2+、Mn2+、Zn2+中至少一种二价金属离子，X为F-、Cl-、Br-、I-、SCN-中至少一种一价阴离子，所述钙钛矿半导体化合物的禁带宽度值大于等于1.0 eV，且小于等于2.0 eV；所述改性化合物为4-碘吡唑。
2.如权利要求1所述的钙钛矿薄膜，其特征在于，所述改性化合物在钙钛矿半导体化合物的质量分数为0.01~10%。
3.如权利要求1所述的钙钛矿薄膜，其特征在于，所述4-碘吡唑以任意的方式、任意的状态加入到钙钛矿半导体化合物中，参与并调控钙钛矿的结晶过程。
4.一种钙钛矿太阳能电池，所述钙钛矿太阳能电池包括上电极层、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层、下电极层，其特征在于，所述钙钛矿层含有如权利要求1至3中任意一项所述的钙钛矿薄膜。
5.如权利要求4所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述上电极层和下电极层包括金、银、铜、铝、铬、氧化铟锡（ITO）、掺氟氧化锡（FTO）、掺铝氧化锌（AZO）、碳材料以及它们的复合物中任意一种；在所述上电极层和下电极层至少有一个透明电极层，其在波长为350nm～800nm范围光透过率不低于80%。
6.如权利要求4所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述电子传输层包括二氧化钛、氧化锌、硫化镉、二氧化锡、三氧化二铟、氧化钨、氧化铈、C60、C70、PCBM以及它们的衍生物和掺杂物中的至少一种，该层厚度为5nm~300nm。
7.如权利要求4所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述空穴传输层包括氧化镍、氧化钒、氧化钼、硫化铜、硫氰酸亚铜、氧化铜、氧化亚铜、氧化钴、CuGaO2、CuCrO2、PTAA、PEDOT、Spiro-OMeTAD和它们的掺杂物中的至少一种，该层厚度为5nm~200nm；所述钙钛矿层厚度不低于50nm，所述钙钛矿层通过溶液结晶、气相结晶、固体结晶、固体-液相结晶以及固体-气相结晶中任意一种加工方式制备。
8.一种如权利要求4至7中任意一项所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
R1. 配制钙钛矿前驱体溶液：将0.159g甲基碘化铵，0.461g碘化铅溶解在二甲基亚砜与N,N-二甲基甲酰胺的混合溶剂中，二者的体积比为1:9，溶质的质量分数为45wt %；
R2. 配制4-碘吡唑混合溶液：称取一定量的4-碘吡唑粉末，将其加入到充分溶解的钙钛矿前驱体溶液，4-碘吡唑的质量分数为1wt %；
R3. 清洗基片：分别使用清洗剂，去离子水，丙酮，异丙醇超声清洗FTO导电玻璃，氮气吹干，然后紫外-臭氧处理半小时；
R4. 制备电子传输层：将颗粒直径为2纳米~10纳米，质量分数为2.5%的氧化锡-异丙醇溶液旋涂在基片上，180℃烘烤一小时，得到膜厚为30纳米的电子传输层；
R5. 制备钙钛矿层：将4-碘吡唑混合溶液旋涂到电子传输层上，转速为4000转/秒，在溶剂完全挥发前，快速滴入氯苯溶液，辅助钙钛矿的成核结晶，然后置于100℃热台，烘烤半小时至钙钛矿完全结晶，钙钛矿层膜厚为500纳米；
R6. 制备空穴传输层：将Spiro-OMeTAD溶解在氯苯中，浓度为2wt %，旋涂在钙钛矿层表面，转速为4000转/秒，膜厚为50纳米，在干燥空气里放置24小时；
R7. 制备电极：真空热蒸发80纳米的金属银在空穴传输层上，完成钙钛矿太阳能电池的制备。
9.一种如权利要求4至7中任意一项所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1. 清洗基片：分别使用清洗剂，去离子水，丙酮，异丙醇超声清洗ITO导电玻璃，氮气吹干，然后紫外-臭氧处理半小时；
S2. 制备空穴传输层：将浓度为10mg/mL的PTAA氯苯溶液旋涂在基片上，150℃烘烤10min，得到膜厚为30纳米的空穴传输层；
S3. 将沉积有空穴传输层的基片置于薄膜成型腔体中，薄膜成型腔体内的真空度控制在10-8 Pa~105 Pa之间，同时给基片加热，基片的加热温度控制在30℃~150℃；
S4. 将前驱物碘化铅、溴化铅、甲基氢溴酸盐、甲脒氢碘酸盐、4-碘吡唑分别置于薄膜成型腔体内的不同的蒸发源中进行蒸发，碘化铅的蒸发速率为0.1~10Å/s，溴化铅的蒸发速率是碘化铅的0.15~0.2倍，甲脒氢碘酸盐的蒸发速率与碘化铅相同，甲基氢溴酸盐的蒸发速率与溴化铅相同，4-碘吡唑的蒸发速率是碘化铅的0.01~0.2倍，反应时间控制在10min~120min，各组分充分反应形成钙钛矿层；
S5. 制备电子传输层：将PCBM溶解在氯苯中，浓度为10wt %，旋涂在钙钛矿层表面，转速为4000转/秒，膜厚为30纳米；
S6. 制备电极：真空热蒸发80纳米的金属铝在电子传输层上，完成钙钛矿太阳能电池的制备。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811323274.9A CN111162172B (zh) | 2018-11-08 | 2018-11-08 | 钙钛矿薄膜和钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811323274.9A CN111162172B (zh) | 2018-11-08 | 2018-11-08 | 钙钛矿薄膜和钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111162172A CN111162172A (zh) | 2020-05-15 |
| CN111162172B true CN111162172B (zh) | 2022-05-03 |
Family
ID=70554766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811323274.9A Active CN111162172B (zh) | 2018-11-08 | 2018-11-08 | 钙钛矿薄膜和钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111162172B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114122259B (zh) * | 2020-08-29 | 2024-10-18 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 一种钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法 |
| TWI825487B (zh) * | 2021-09-30 | 2023-12-11 | 財團法人工業技術研究院 | 碘化鉛及鈣鈦礦薄膜之製備方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106062983A (zh) * | 2013-12-17 | 2016-10-26 | 埃西斯创新有限公司 | 包含金属卤化物钙钛矿和钝化剂的光伏装置 |
| CN106816535A (zh) * | 2016-12-13 | 2017-06-09 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 利用离子液体添加剂提高钙钛矿太阳能电池效率的方法 |
| CN107075657A (zh) * | 2014-07-09 | 2017-08-18 | 牛津大学科技创新有限公司 | 两步沉积法 |
| WO2018070791A1 (ko) * | 2016-10-12 | 2018-04-19 | 성균관대학교산학협력단 | 페로브스카이트 나노결정 박막, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 발광 소자 |
| CN108270034A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-07-10 | 苏州润禾化学材料有限公司 | 一种锂离子电池电解液 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9865821B2 (en) * | 2012-02-17 | 2018-01-09 | Next Energy Technologies, Inc. | Organic semiconducting compounds for use in organic electronic devices |
| EP3319136A4 (en) * | 2015-06-30 | 2018-06-20 | FUJI-FILM Corporation | Photoelectric conversion element, and solar cell using same |
-
2018
- 2018-11-08 CN CN201811323274.9A patent/CN111162172B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106062983A (zh) * | 2013-12-17 | 2016-10-26 | 埃西斯创新有限公司 | 包含金属卤化物钙钛矿和钝化剂的光伏装置 |
| CN107075657A (zh) * | 2014-07-09 | 2017-08-18 | 牛津大学科技创新有限公司 | 两步沉积法 |
| WO2018070791A1 (ko) * | 2016-10-12 | 2018-04-19 | 성균관대학교산학협력단 | 페로브스카이트 나노결정 박막, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 발광 소자 |
| CN106816535A (zh) * | 2016-12-13 | 2017-06-09 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 利用离子液体添加剂提高钙钛矿太阳能电池效率的方法 |
| CN108270034A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-07-10 | 苏州润禾化学材料有限公司 | 一种锂离子电池电解液 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Triple cation additive NH3+C2H4NH2+C2H4NH3+-induced phase-stable inorganic α-CsPbI3 perovskite films for use in solar cells;Ding X , Chen H , Y Wu, et al.;《Journal of Materials Chemistry A》;20180913;第6卷(第37期);1-10 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111162172A (zh) | 2020-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Myagmarsereejid et al. | Doping strategies in Sb2S3 thin films for solar cells | |
| Yang et al. | Ink engineering in blade‐coating large‐area perovskite solar cells | |
| Chen et al. | A review: crystal growth for high-performance all-inorganic perovskite solar cells | |
| Miyasaka et al. | Perovskite solar cells: can we go organic‐free, lead‐free, and dopant‐free? | |
| Maiti et al. | Sulfur-vacancy passivation in solution-processed Sb2S3 thin films: influence on photovoltaic interfaces | |
| Li et al. | Critical review on crystal orientation engineering of antimony chalcogenide thin film for solar cell applications | |
| Ma et al. | Negligible hysteresis planar perovskite solar cells using Ga-doped SnO2 nanocrystal as electron transport layers | |
| CN111463349A (zh) | 一种提高钙钛矿太阳能电池稳定性的方法 | |
| CN106159088B (zh) | 一种大晶粒有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法 | |
| CN107887511A (zh) | 一种基于二维材料石墨烯相氮化碳制备钙钛矿太阳能电池的方法 | |
| Khadka et al. | Pseudohalide functional additives in tin halide perovskite for efficient and stable Pb-free perovskite solar cells | |
| CN110993798A (zh) | 基于多种铵盐协同后处理的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法 | |
| Jiang et al. | Doping strategies for inorganic lead-free halide perovskite solar cells: progress and challenges | |
| CN114163990B (zh) | 高结晶质量的金属卤素钙钛矿薄膜，其制备方法及由其制备的光电探测器 | |
| CN105810831B (zh) | 一种铅锡混合钙钛矿薄膜、其制备方法及应用 | |
| Azam et al. | Organic chloride salt interfacial modified crystallization for efficient antimony selenosulfide solar cells | |
| Zhao et al. | Kesterite Cu 2 Zn (Sn, Ge)(S, Se) 4 thin film with controlled Ge-doping for photovoltaic application | |
| CN110808335A (zh) | 一种择优取向生长的锡铅二元钙钛矿薄膜的制备方法及应用 | |
| Fu et al. | A critical review of solution-process engineering for kesterite thin-film solar cells: current strategies and prospects | |
| CN106848061B (zh) | 一种碘化银量子点：钙钛矿共混层、原位制备方法及无空穴传输层太阳能电池器件 | |
| CN108461556A (zh) | 制备高效czts太阳能电池的前驱体溶液及其电池制备与应用 | |
| Wang et al. | Progress of inverted inorganic cesium lead halide perovskite solar cells | |
| Zhang et al. | Recent progress of low‐toxicity poor‐lead all‐inorganic perovskite solar cells | |
| CN111162172B (zh) | 钙钛矿薄膜和钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
| CN115172609A (zh) | 钙钛矿光敏层及其制备用组合物、制备方法和应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |