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CN111165073A - 显示器件、曝光装置、显示器件的制造方法 - Google Patents

显示器件、曝光装置、显示器件的制造方法 Download PDF

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CN111165073A
CN111165073A CN201780095348.5A CN201780095348A CN111165073A CN 111165073 A CN111165073 A CN 111165073A CN 201780095348 A CN201780095348 A CN 201780095348A CN 111165073 A CN111165073 A CN 111165073A
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CN
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light
layer
electrodes
film
photomask
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Application number
CN201780095348.5A
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市川伸治
谷山博己
斋田信介
郡司辽佑
冈部达
仲田芳浩
神村浩治
井上彬
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Abstract

本发明提供一种显示器件，具备多个图像元素，在多个图像元素中分别形成阳极(22)，以形成阳极(22)的开口的方式形成覆盖阳极(22)的外周的覆盖层(23A)，覆盖层(23A)与相邻的其他阳极(22)的覆盖层(23A)相互分离。

Description

显示器件、曝光装置、显示器件的制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示器件等。
背景技术
以往，已知有平板显示器等各种显示器件(例如，参照专利文献1)。通常，显示器件是叠层具有各种功能的层而形成的。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-22914号公报(2015年02月02日公开)
发明内容
本发明所要解决的技术问题
近年来，期望增大显示器件的画面尺寸，并且使图像高精细化。因此，显示器件的构成部件的微细化正在进步。
在显示器件的制造工序中，为了进行微细加工而使用光刻法。在光刻法中，使用光掩模来控制光对感光性树脂的照射。
在要制造的产品的画面尺寸大于光掩模的情况下，对尺寸比光掩模大的基板使用光刻法。在这种情况下，需要进行几次配置光掩模并照射光的工序。
但是，在数次进行上述工序时，在光掩模的边缘重叠的部分，有时会在结果物的表面产生凹凸，有可能会产生不良情况。
本发明的一个方式的目的在于，提供一种能够防止通过连接光掩模而产生的不良情况的发生的显示器件的制造方法以及显示器件。
解决问题的手段
本发明的一个方式所涉及的显示器件，具备多个图像元素，在所述多个图像元素中分别形成第一电极，以形成所述第一电极的开口的方式，形成覆盖所述第一电极的外周的覆盖层，所述覆盖层与相邻的其他所述第一电极的覆盖层相互分离。
本发明的一个方式所涉及的曝光装置，对覆盖形成于平坦化膜的表面的多个第一电极的感光性有机材料膜，利用光刻法进行图案形成，所述曝光装置具备：发出对所述感光性有机材料膜进行曝光的光的光源；以及阻断来自所述光源的光的一部分的光掩模，所述光掩模包括：阻断来自所述光源的光的一部分的半透光部；以及使所述光透过的透光部，所述半透光部以如下方式形成：通过透过该半透光部的光，对于所述多个第一电极，分别以形成所述第一电极的开口的方式形成覆盖所述第一电极的外周的覆盖层，所述透光部以如下方式形成：通过透过所述透光部的光，形成使多个所述覆盖层的至少一部分相互分离的分离区域。
本发明的一个方式所涉及的曝光装置，对覆盖形成于平坦化膜的表面的多个第一电极的感光性有机材料膜，利用光刻法进行图案形成，所述曝光装置具备：发出对所述感光性有机材料膜进行曝光的光的光源；以及阻断来自所述光源的光的一部分的光掩模，所述光掩模包括：阻断来自所述光源的光的一部分的半透光部；以及阻断所述光的遮光部，所述半透光部以如下方式形成：通过透过该半透光部的光，对于所述多个第一电极，分别以形成所述第一电极的开口的方式形成覆盖所述第一电极的外周的覆盖层，所述遮光部以如下方式形成：通过由所述遮光部阻断光，形成使多个所述覆盖层的至少一部分相互分离的分离区域。
根据本发明的一个方式所涉及的显示器件的制造方法，包括如下工序：用感光性有机材料覆盖形成于平坦化膜的表面的多个第一电极的感光层形成工序；以及使用阻断来自光源的光的一部分的光掩模对所述感光性有机材料进行曝光后，以进行显影而形成所述第一电极的开口的方式，形成覆盖所述第一电极的外周的覆盖层的覆盖层形成工序，所述光掩模包括：阻断来自所述光源的光的一部分的半透光部；以及使所述光透过的透光部，在所述覆盖层形成工序中，变更所述光掩模的位置并进行多次曝光，所述覆盖层以与相邻的其他所述第一电极的覆盖层相互分离的方式形成。
发明效果
根据本发明的一个方式，能够防止通过连接光掩模而产生的不良情况的发生。
附图说明
图1是表示显示器件的制造方法的一个例子的流程图。
图2是表示显示器件的显示部的结构例的截面图。
图3是表示显示器件的结构例的俯视图。
图4是表示覆盖层和隔离物的形成方法的截面图，(a)表示烧固前的状态，(b)表示烧固后的状态。
图5是表示显示器件中的子像素、覆盖层以及隔离物的配置的俯视图。
图6是表示成膜装置的结构的框图。
图7是表示曝光装置的结构的概念图。
图8是概念性地表示光掩模的结构的一个例子的俯视图。
图9是用于说明本实施方式的曝光方法的效果的图。
图10是表示比较例的显示器件的显示部的结构例的截面图。
图11是表示比较例的显示器件中的子像素、覆盖层以及隔离物的配置的俯视图。
图12是表示成膜装置中的处理的流程的一个例子的流程图。
图13是表示EL器件制造装置的结构的框图。
图14是表示负型的光掩模的结构的一个例子的俯视图。
图15是表示实施方式4中的显示器件的显示部的结构例的截面图。
图16是表示显示区域及其周围的结构的俯视图。
图17是图16的A-A线截面图。
具体实施方式
图1是表示显示器件(电子器件)的制造方法的一个例子的流程图。图2是表示显示器件的显示部的结构例的截面图。图3是表示显示器件的结构例的俯视图。以下，“同层”的含义是指在同一工序中由相同材料形成，“下层”的含义是指在比较对象的层之前的工序中形成，“上层”的含义是指在比较对象的层之后的工序中形成。
在制造柔性的显示器件的情况下，如图1～图3所示，首先，在透光性的支撑基板(例如，母玻璃基板)上形成树脂层12(步骤S1)。接着，形成阻挡层3(步骤S2)。接着，形成包括端子TM和端子布线TW的TFT层4(步骤S3)。接着，形成顶部发射型的发光元件层(例如，OLED元件层)5(步骤S4)。接着，形成密封层6(步骤S5)。接着，在密封层6上贴附上表面膜(步骤S6)。
接着，隔着支撑基板对树脂层12的下表面照射激光，使支撑基板和树脂层12之间的结合力降低，将支撑基板从树脂层12剥离(步骤S7)。接着，在树脂层12的下表面贴附下表面膜10(步骤S8)。接着，将包括下表面膜10、树脂层12、阻挡层3、TFT层4、发光元件层5、密封层6的叠层体切断，得到多个单片(步骤S9)。接着，在所得到的单片上贴附功能膜39(步骤S10)。接着，将电子电路基板安装于外部连接用的端子(例如IC芯片)(步骤S11)。接着，实施边缘折叠加工(将图3的折弯部CL折弯180度的加工)，成为显示器件2(步骤S12)。接着，进行断线检查，如果存在断线，则进行修正(步骤S13)。另外，上述各步骤由后述的显示器件制造装置进行。
作为树脂层12的材料，可以举出例如聚酰亚胺、环氧、聚酰胺等。作为下表面膜10的材料，可以举出例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
阻挡层3是防止在显示器件使用时水分或杂质到达TFT层4或发光元件层5的层，例如可以由通过CVD形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜、或者它们的叠层膜构成。
TFT层4包括半导体膜15、比半导体膜15靠上层的无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)、比无机绝缘膜16靠上层的栅极GE、比栅极GE靠上层的无机绝缘膜18、比无机绝缘膜18靠上层的电容布线CE、比电容布线CE靠上层的无机绝缘膜20、比无机绝缘膜20靠上层的源极布线SH和端子TM以及比源极布线SH和端子TM靠上层的平坦化膜21。
以包括半导体膜15、无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)以及栅极GE的方式构成薄层晶体管Tr(TFT)。
在TFT层4的非显示区域NA中，形成有在与IC芯片、FPC等电子电路基板的连接中使用的端子TM、连接端子TM和有源区域DA的布线等的端子布线TW(后面详细叙述)。
半导体膜15例如由低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体构成。另外，在图2中，以半导体膜15为沟道的TFT以顶栅结构表示，但也可以是底栅结构(例如，TFT的沟道为氧化物半导体的情况)。
栅极GE、电容电极CE、源极布线SH、端子布线TW以及端子TM，例如，由含有铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)中的至少一种的金属的单层膜或叠层膜构成。
无机绝缘膜16、18、20例如可以由通过CVD法形成的氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜、或者它们的叠层膜构成。
平坦化膜(层间绝缘膜)21例如可以由聚酰亚胺、丙烯酸等可涂布的感光性有机材料构成。
发光元件层5(例如，有机发光二极管层)包括比平坦化膜21靠上层的阳极22、作为覆盖阳极22(反射电极)的边缘的电极边缘罩的包括有机膜的覆盖层23A、后述的隔离物23B、比阳极22靠上层的EL(电致发光)层24以及比EL层24靠上层的阴极25，针对每个子像素29(图像元素)，设置有包括岛状的阳极22、EL层24以及阴极25的发光元件(例如，OLED：有机发光二极管)和驱动其的子像素电路。覆盖层23A和隔离物23B是由感光性有机材料构成的有机膜，通过后述的成膜装置30形成。
EL层24例如通过从下层侧依次叠层空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层而构成。发光层通过蒸镀法或喷墨法，按每个子像素29形成为岛状，但其他层也可以是全面状的共用层。另外，也可以是不形成空穴注入层、空穴输送层、电子输送层、电子注入层中的一个以上的层的结构。
阳极(anode)22由例如ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)和Ag(银)或含有Ag的合金的叠层构成，具有光反射性(后面详细叙述)。阴极25可以由ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium zinc Oxide：氧化铟锌)等透光性的导电材料构成。
在发光元件层5为OLED层的情况下，空穴和电子通过阳极22和阴极25之间的驱动电流，在EL层24内再结合，由此产生的激子降低到基底状态，从而放出光。由于阴极25为透光性，阳极22为光反射性，因此从EL层24发出的光朝向上方，成为顶部发光。
发光元件层5不限于构成OLED元件的情况，也可以构成无机发光二极管或量子点发光二极管。
密封层6为透光性，包括覆盖阴极25的第一无机密封膜26、形成在比第一无机密封膜26靠上侧的有机密封膜27、覆盖有机密封膜27的第二无机密封膜28。覆盖发光元件层5的密封层6防止水、氧等异物向发光元件层5渗透。
第一无机密封膜26和第二无机密封膜28分别例如可以由通过CVD形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜、或者它们的叠层膜构成。有机密封膜27是比第一无机密封膜26以及第二无机密封膜28厚的透光性有机膜，可以由聚酰亚胺、丙烯酸等可涂布的感光性有机材料构成。
下表面膜10是用于在剥离支撑基板后贴附在树脂层12的下表面，由此实现柔软性优异的显示器件的材料，作为其材料，可以举出PET等。功能膜39例如具有光学补偿功能、触摸传感器功能、保护功能等。
以上说明了制造柔性的显示器件的情况，但在制造非柔性的显示器件的情况下，由于不需要基板的更换等，因此例如从图1的步骤S5转移到步骤S9。
[实施方式1]
图4是表示本实施方式的显示器件2中的覆盖层23A以及隔离物23B的形成方法的截面图。图4(a)表示烧固前的状态，图4(b)表示烧固后的状态。如图4(a)所示，覆盖层23A和隔离物23B是在平坦化膜21的表面作为同一层而形成的有机膜，通过光刻法制作布线图案。覆盖层23A和隔离物23B例如可以由聚酰亚胺、丙烯酸等可涂布的感光性有机材料形成。
覆盖层23A分别覆盖多个阳极22(第一电极)的边缘的全周，形成阳极22的开口。在多个覆盖层23A之间，形成有隔离物23B。
覆盖层23A是覆盖作为反射电极的阳极22的边缘的有机膜，具有作为规定阳极22的露出表面的外缘形状的电极边缘罩的作用。更详细而言，覆盖层23A沿着多个阳极22的各自的边缘形成，覆盖该边缘的全周(图8的对照)。如图2所示，覆盖层23A形成在平坦化膜21与阴极25(第二电极)之间，位于作为发光元件的子像素29的外缘部。该覆盖层23A以阳极22与阴极25相互不短路的方式形成。
隔离物23B是起到作为配置蒸镀掩模50时的隔离物的作用的堤坝，形成于平坦化膜21的表面。如图4(b)所示，隔离物23B在烧固后的距平坦化膜21的表面的高度H2高于覆盖层23A的高度H1。高度H2例如为2～5μm，高度H1例如为1～3μm。
蒸镀掩模50是用于蒸镀形成EL层24中的发光层的蒸镀粒子(例如，有机发光材料)的掩模，具有与所期望的蒸镀图案对应的多个通孔。EL层24相对于各个阳极22叠层，在叠层的EL层24的上层形成与阳极22相对的阴极25。即，在阳极22和阴极25之间形成包含发光层的EL层24。另外，覆盖层23A和隔离物23B也可以表现为形成在平坦化膜21和阴极25之间。
隔离物23B形成于平坦化膜21的表面，与覆盖层23A分离地形成。另外，分别覆盖多个阳极22的多个覆盖层23A的至少一部分相互分离地形成。另外，覆盖层23A的全部不需要相互分离地形成。
将覆盖层23A与隔离物23B之间的区域、或者两个覆盖层23A之间的区域称为分离区域23C。覆盖层23A与隔离物23B之间的距离W1(即，分离区域23C的宽度)例如为10～20μm。覆盖层23A的外缘部与隔离物23B的外缘部只要隔开所使用的曝光装置33的分辨率以上(例如，2μm以上)的间隔而形成即可。隔离物23B本身的宽度W2没有特别限定，但例如为8～12μm。
如图4所示，在配置蒸镀掩模50时，当物理的负载直接施加在覆盖层23A上时，覆盖层23A有可能破损。当覆盖层23A破损时，由于阳极22与阴极25产生短路的可能性，因此优选防止覆盖层23A的破损。因此，通过设置高度比覆盖层23A高的隔离物23B，并由该隔离物23B承受该负载，能够防止覆盖层23A的破损。
在将覆盖层23A和隔离物23B形成为一体的情况下，通过烧固，隔离物23B热塌而被覆盖层23A吸收。因此，难以实现隔离物23B的期望的高度。通过在隔离物23B的周围形成分离区域23C，并使隔离物23B离开覆盖层23A，能够防止隔离物23B的热塌。表面张力是其中一个主要因素。当周围没有相同状态的物质时，该物质难以扩散。但是，只要不要求这样的效果，也可以将隔离物23B和覆盖层23A一体地形成。或者，也可以是设置盖层23A，另一方面不设置隔离物23B的结构。在这种情况下，可以在蒸镀掩模50上设置突出部。
图5是表示显示器件2中的子像素29、覆盖层23A以及隔离物23B的配置的俯视图。图5的A_A线截面图是图2所示的显示器件2的结构例的截面图。
如图5所示，以覆盖阳极22的外周的方式形成覆盖层23A。由此，形成阳极22的开口区域，在该开口区域形成EL层24。显示器件2作为子像素29，具备红图像元素29R、蓝图像元素29B和绿图像元素29G这三种颜色的子像素(图像元素)。通过这三个图像元素来表现一个像素。但是，显示器件2所具备的图像元素并不限定于R、G、B这三种颜色，而是加上白或黄色的四种颜色以上等，没有特别限定。
另外，如图5所示，覆盖层23A仅形成于子像素29的周围，在未形成覆盖层23A的区域的一部分形成有隔离物23B。覆盖层23A的外缘部与其他覆盖层23A的外缘部相互分离，覆盖层23A的外缘部与隔离物23B的外侧部相互分离。
图6是表示成膜装置30的结构的框图。成膜装置30是通过光刻法对覆盖层23A和隔离物23B制作布线图案的装置，如图6所示，具备涂布装置31、加热装置32、曝光装置33和显影装置34。
涂布装置31是在平坦化膜21的表面涂布用于形成覆盖层23A和隔离物23B的感光性有机材料的装置。作为涂布装置31，例如可以利用旋转涂胶、狭缝涂布方式的涂布装置。
加热装置32是用于进行预烧固的加热器。
曝光装置33是利用光刻法进行图案形成的装置。该曝光装置33通过向所涂布的感光性有机材料(感光性有机材料膜)经由光掩模40照射光，使该感光性有机材料的一部分增大对显影液的溶解性。
显影装置34是将感光性有机材料的光照射的部分在显影液中除去的装置。
图7是表示曝光装置33的结构的概念图。如图7所示，曝光装置33具备光源35、聚光光学系统36、光掩模40以及载置制造中途的显示器件2A的载物台38。
从光源35射出的光(以下，称为出射光)由聚光光学系统36进行配光控制，照射到光掩模40。作为光源35，可以使用高压水银灯等公知的光源，对于出射光的波长，只要选择适合于所使用的感光性有机材料的波长即可。作为波长，可以使用G射线、H射线、I射线或其混合波长等。
图8是概念性地表示光掩模40的结构的一个例子的俯视图。光掩模40是通过仅使出射光的一部分透过而实现与所期望的覆盖层23A和隔离物23B的形状对应的曝光图案的掩模。
如图8所示，在光掩模40上，形成有用于形成覆盖层23A的半透光区域41(半透光部)、用于形成隔离物23B的遮光区域42(遮光部)、以及透光区域43(透光部)。透光区域43是半透光区域41与遮光区域42之间的区域。
如上述的图4所示，在曝光处理时的半透光区域41的正下方形成覆盖层23A，在遮光区域42的正下方形成隔离物23B，在透光区域43的正下方形成分离区域23C。
半透光区域41是使出射光部分透过的区域。在半透光区域41中，在所使用的曝光装置中形成有多个无法分辨的微细的开口部或微细的狭缝。通过透过半透光区域41的光，覆盖层23A不会被显影工序完全除去，覆盖层23A的高度H1降低。因此，通过基于半透光区域41的微细的开口部或微细的狭缝的透过率，能够设定覆盖层23A的高度H1。半透光区域41的光透过率只要根据覆盖层23A的所期望的高度设定优选的值即可。
遮光区域42是大致100％阻断出射光的区域。因此，与遮光区域42对应的隔离物23B的膜表面不受出射光的影响，隔离物23B的高度H2不会因曝光而被削掉。图8所示的遮光区域42是四边形，但遮光区域42的形状可以是三角形等多边形，也可以是圆、半圆、椭圆等其他形状。关于遮光区域42的大小，也可以将隔离物23B设定为能够确保为了作为隔离物发挥功能所需要的宽度的大小。
另外，遮光区域42形成在与阳极22对应的区域(在图8中用虚线表示的区域)之间。阳极22的形状没有特别限定，也可以是菱形或圆形等图8所示的形状以外的形状。
遮光区域42的形成位置和形成间隔没有特别限定，可以形成在与阳极22对应的区域的左右或上下，也可以设置在该区域的左右上下。另外，遮光区域42可以相对于阳极22一个一个地形成，也可以相对于规定数量的阳极22一个一个地形成。换言之，隔离物23B和阳极22的数量和位置的关系可以任意设定。
透光区域43是使出射光透过的区域。因此，透光区域43的正下方的感光性有机材料通过曝光而其溶解性增大，在显影工序中被完全除去。其结果，形成分离区域23C。
另外，在光掩模40上，形成有用于划定阳极22的露出面的外缘的透光区域44(透光部)。通过透过透光区域44的光，覆盖阳极22的表面的感光性有机材料的一部分的溶解性增大，阳极22的表面的一部分露出。通过使用这样的光掩模40，能够通过一次的光刻法形成覆盖层23A、隔离物23B以及阳极22的露出面。
(本实施方式的效果)
图9是用于说明本实施方式的曝光方法的效果的图。在图9中，为了方便起见，对于一个光掩模40仅示出了四个半透光区域41和透光区域44。在大型的母玻璃基板上，在形成比光掩模大的画面尺寸的显示器件2的情况下，对在表面形成有阳极22的平坦化膜21涂布感光性有机材料后，一边使光掩模40的位置相对于该状态的母玻璃基板错开一边进行多次曝光。图9表示在曝光工序中，两张光掩模40重叠的假想状态。覆盖层23A和隔离物23B形成为岛状图案。由于两张光掩模40重叠的重复区域45是透光区域43，因此在重复区域45的正下方不会形成覆盖层23A。因此，在重复区域45的正下方的覆盖层23A的形状不会产生不良情况。
这样，在本实施方式中，能够将重复区域45设为透光区域43，能够在该重复区域45中连接光掩模40。因此，能够防止因连接光掩模40而产生的不良情况的发生。
另外，通过透光区域43对大范围的感光性有机材料进行光照射。因此，在使用显影装置34进行显影时，显影液容易进入分离区域23C，容易溶解感光性有机材料。另外，通过形成分离区域23C，覆盖层23A的量减少。因此，能够抑制来自感光性有机材料的水分或杂质混入发光元件层5。另外，也可以在分离区域23C配置具有优先吸附水分的功能的层。
另外，在本实施方式中，在设置隔离物23B的情况下，如上所述，抑制了隔离物23B热塌而被覆盖层23A吸收的情形。因此，为了产生所期望的高度，不需要增大隔离物23B的区域的面积，能够使隔离物23B的区域变窄。这在制造高精细的显示面板方面成为优点。
另外，关于覆盖层23A，通过以岛状图案形成，也能够抑制烧固时的热塌。因此，能够容易地使覆盖层23A成为期望的高度，以及使覆盖层23A的边缘明确。
(比较例)
图10是表示比较例的显示器件200的显示部的结构例的截面图。
图11是表示比较例的显示器件200中的子像素29、覆盖层23D以及隔离物23E的配置的俯视图。图10表示图11中的A-A线截面图。显示器件200与显示器件2的不同之处在于，具备覆盖层23D和隔离物23E。
如图10以及图11所示，在现有的显示器件200(例如专利文献1所记载的显示器件)中，不形成分离区域23C，在阳极22间的整个面上形成有覆盖层23D。即，例如使用透光区域43全部成为半透光区域41的光掩模进行曝光。在这样的现有的显示器件200中，在图8所示的重复区域45的正下方，在感光性有机材料的表面产生凹凸，可能产生不良情况。
(本实施方式的处理的流程)
图12是表示成膜装置30中的处理的流程(光刻工序)的一个例子的流程图。首先，涂布装置31在平坦化膜21的表面涂布感光性有机材料(S1)。
之后，显示器件2A被搬入加热装置32，例如在90～120℃下被预烧固(S2)。将S1和S2称为感光层形成工序。
加热后，曝光装置33进行曝光处理(S3)。首先，曝光装置33对曝光对象的感光性有机膜配置光掩模40。然后，曝光装置33使光源35点亮，对该有机膜经由光掩模40照射出射光。该工序一边使光掩模40相对于母玻璃基板的位置错开一边进行多次。
曝光的显示器件2A在显影装置34内被显影，形成与光掩模40的图案对应的形状的覆盖层23A和隔离物23B(S4)。
最后，显示器件2A被搬入加热装置(未图示)，例如在200～250℃下被烧固(S5)。将S3、S4以及S5称为覆盖层形成工序。
在形成覆盖层23A和隔离物23B之后，在真空下，通过使在蒸镀源气化或升华的有机发光材料隔着蒸镀掩模50蒸镀在阳极22上，从而形成EL层24(有机层)(蒸镀工序)。此时，在使蒸镀掩模50与隔离物23B抵接的状态下进行蒸镀。对于该蒸镀方法没有特别限定，只要使用公知的方法即可。这样的显示器件2的制造方法也包含在本发明的技术范围内。
(其他结构)
隔离物23B不限于在平坦化膜21的表面形成隔离物23B。例如，隔离物23B可以形成在绝缘的阳极22上，也可以形成在无机膜上。
[实施方式2]
图13是表示显示器件2的制造装置的结构的框图。如图13所示，制造显示器件2的EL器件制造装置70包括：成膜装置72、切断装置73、安装装置74、折弯装置75以及检查修正装置76、进而控制这些装置的控制器71。作为成膜装置72之一，成膜装置30包括在EL器件制造装置70中。
这样，关于包括成膜装置30的EL器件制造装置70，也包含在本发明的技术范围内。
[实施方式3]
在图8中，示出了用于进行正型的光刻法的光掩模40，但曝光装置33也可以具备负型的光掩模4OA。图14是表示负型的光掩模40A的结构的一个例子的俯视图。在光掩模40A中，与遮光区域42对应的区域成为透光区域42A(透光部)，与透光区域43对应的区域成为遮光区域43A(遮光部)。另外，与透光区域44对应的区域成为遮光区域44A(遮光部)。
在负型的光刻法中，在显影工序中除去未照射来自光源35的出射光的部位的感光性有机材料。
[实施方式4]
图15是表示本实施方式的显示器件2B的显示部的结构例的截面图。作为具体的结构的一个例子，显示器件2B可以是如图15所示的结构。显示器件2B在电容布线CE的下方形成栅极布线GL，在发光元件层5为具有凹凸的形状这一点上，与所述实施方式1的显示器件2不同。在图15中，示出了显示器件2B中的包括隔离物23B的截面。图15所示的各部分与在所述实施方式1中使用图2说明的部件相同，因此为了记载的简化而省略说明。
[实施方式5]
图16是表示显示区域及其周围的结构的俯视图。图17是图16的B-B线截面图。如图16所示，以包围包含多个子像素29的区域即显示区域61的方式形成有狭缝62。狭缝62是进行阴极25与TFT层4的布线64的导通的接触孔。以包围该狭缝62的周围的方式形成有具有框形状的框状隔离物63。在框状隔离物63的外侧，形成有端子部60。
本实施方式的显示器件2C可以是在显示区域61的内部与在实施方式4中使用图15说明的显示器件2B相同的结构。即，显示器件2C可以是在显示器件2B的端部设置有框状隔离物63的结构。
如图17所示，以覆盖显示区域61的方式形成的阴极25的外缘部通过狭缝62与TFT层4的布线64导通。狭缝62形成在平坦化膜21上，阴极25与TFT层4的布线64经由狭缝62电导通。
框状隔离物63的高度H3为与隔离物23B相同的高度。因此，框状隔离物63与隔离物23B同样地作为蒸镀掩模50的抵接面发挥功能。显示区域61的端部成为未形成有覆盖层23A的分离区域23C，阴极25形成于平坦化膜21的表面。
框状隔离物63形成为独立的岛状图案，与覆盖层23A分离。因此，与盖层23A和隔离物23B的关系同样地，容易将框状隔离物63的高度设为所期望的高度。框状隔离物63位于与覆盖层23A以及隔离物23B相同的层，在与覆盖层23A以及隔离物23B相同的光刻工序中由相同的有机感光性材料形成。
[总结]
方式1的显示器件具备多个图像元素，在所述多个图像元素中分别形成第一电极，以形成所述第一电极的开口的方式，形成覆盖所述第一电极的外周的覆盖层，所述覆盖层与相邻的其他所述第一电极的覆盖层相互分离。
方式2的显示器件，在多个所述第一电极之间设置有与所述覆盖层形成于相同层的隔离物，所述隔离物以比所述覆盖层高的高度形成，所述隔离物的外缘部与所述覆盖层的外缘部分离。
方式3的显示器件还具备与所述第一电极相对的第二电极，所述第一电极和所述覆盖层形成于平坦化膜的表面，以包围包含所述多个图像元素的显示区域的方式在所述平坦化膜上形成狭缝，所述第二电极与薄层晶体管层的布线经由该狭缝电导通，以包围所述显示区域和所述狭缝的方式形成与所述覆盖层相同层的框状隔离物，所述框状隔离物与所述隔离物的高度相同。
方式4的曝光装置，对覆盖形成于平坦化膜的表面的多个第一电极的感光性有机材料膜，利用光刻法进行图案形成，所述曝光装置具备：发出对所述感光性有机材料膜进行曝光的光的光源；以及阻断来自所述光源的光的一部分的光掩模，所述光掩模包括：阻断来自所述光源的光的一部分的半透光部；以及使所述光透过的透光部，所述半透光部以如下方式形成：通过透过该半透光部的光，对于所述多个第一电极，分别形成所述第一电极的开口和覆盖所述第一电极的外周的覆盖层，所述透光部以如下方式形成：通过透过所述透光部的光，形成使多个所述堤坝的至少一部分相互分离的分离区域。
方式5的曝光装置，所述光掩模还包括阻断所述光的遮光部，所述遮光部以如下方式形成：在所述平坦化膜的表面的所述多个第一电极之间的区域，形成具有比所述覆盖层高的高度的隔离物。
方式6的曝光装置，对覆盖形成于平坦化膜的表面的多个第一电极的感光性有机材料膜，利用光刻法进行图案形成，所述曝光装置具备：发出对所述感光性有机材料膜进行曝光的光的光源；以及阻断来自所述光源的光的一部分的光掩模，所述光掩模包括：阻断来自所述光源的光的一部分的半透光部；以及阻断所述光的遮光部，所述半透光部以如下方式形成：通过透过该半透光部的光，对于所述多个第一电极，分别形成所述第一电极和覆盖所述第一电极的外周的覆盖层，所述遮光部以如下方式形成：通过由所述遮光部阻断光，形成使多个所述覆盖层的至少一部分相互分离的分离区域。
方式7的曝光装置，所述光掩模还包括使所述光透过的透光部，所述透光部以如下方式形成：通过透过该透光部的光，在所述平坦化膜的表面的所述多个第一电极之间的区域形成具有比所述覆盖层高的高度的隔离物。
方式8的显示器件的制造方法，包括如下工序：用感光性有机材料覆盖形成于平坦化膜的表面的多个第一电极的感光层形成工序；以及使用阻断来自光源的光的一部分的光掩模对所述感光性有机材料进行曝光后，以进行显影而形成所述第一电极的开口的方式，形成覆盖所述第一电极的外周的覆盖层的覆盖层形成工序，所述光掩模包括：阻断来自所述光源的光的一部分的半透光部；以及使所述光透过的透光部，在所述覆盖层形成工序中，变更所述光掩模的位置并进行多次曝光，所述覆盖层以与相邻的其他所述第一电极的覆盖层相互分离的方式形成。
本实施方式所涉及的显示器件所具备的电光学元件(通过电流来控制亮度或透过率的电光学元件)没有特别限定。作为本实施方式所涉及的显示器件，可以举出例如作为电光学元件而具备OLED(Organic Light Emitting Diode：有机发光二极管)的有机EL(Electro Luminescence：电致发光二极管)显示器、作为电光学元件而具备无机发光二极管的无机EL显示器、作为光学元件而具备QLED(Quantum dot Light Emitting Diode：量子点发光二极管)的QLED显示器等。
附图标记说明
2 显示器件
21 平坦化膜
22 阳极(第一电极)
23A 覆盖层
23B 隔离物
23C 分离区域
25 阴极(第二电极)
29 子像素(图像元素)
33 曝光装置
40、40A 光掩膜
41 半透光区域(半透光部)
42、43A、44A 遮光区域(遮光部)
42A、43、44 透光区域(透光部)

Claims (8)

1.一种显示器件，其具备多个图像元素，所述显示器件的特征在于，
在所述多个图像元素中分别形成第一电极，
以形成所述第一电极的开口的方式，形成覆盖所述第一电极的外周的覆盖层，
所述覆盖层与相邻的其他所述第一电极的覆盖层相互分离。
2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，
在多个所述第一电极之间设置有与所述覆盖层形成于相同层的隔离物，
所述隔离物以比所述覆盖层高的高度形成，
所述隔离物的外缘部与所述覆盖层的外缘部分离。
3.根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，
还具备与所述第一电极相对的第二电极，
所述第一电极和所述覆盖层形成于平坦化膜的表面，
以包围包含所述多个图像元素的显示区域的方式在所述平坦化膜上形成狭缝，所述第二电极与薄层晶体管层的布线经由该狭缝电导通，
以包围所述显示区域和所述狭缝的方式形成与所述覆盖层相同层的框状隔离物，所述框状隔离物与所述隔离物的高度相同。
4.一种曝光装置，其对覆盖形成于平坦化膜的表面的多个第一电极的感光性有机材料膜，利用光刻法进行图案形成，所述曝光装置的特征在于，具备：
发出对所述感光性有机材料膜进行曝光的光的光源；以及
阻断来自所述光源的光的一部分的光掩模，
所述光掩模包括：阻断来自所述光源的光的一部分的半透光部；以及使所述光透过的透光部，
所述半透光部以如下方式形成：通过透过该半透光部的光，对于所述多个第一电极，分别形成所述第一电极的开口和覆盖所述第一电极的外周的覆盖层，
所述透光部以如下方式形成：通过透过所述透光部的光，形成使多个所述覆盖层的至少一部分相互分离的分离区域。
5.根据权利要求4所述的曝光装置，其特征在于，
所述光掩模还包括阻断所述光的遮光部，
所述遮光部以如下方式形成：在所述平坦化膜的表面的所述多个第一电极之间的区域，形成具有比所述覆盖层高的高度的隔离物。
6.一种曝光装置，其对覆盖形成于平坦化膜的表面的多个第一电极的感光性有机材料膜，利用光刻法进行图案形成，所述曝光装置的特征在于，具备：
发出对所述感光性有机材料膜进行曝光的光的光源；以及
阻断来自所述光源的光的一部分的光掩模，
所述光掩模包括：阻断来自所述光源的光的一部分的半透光部；以及阻断所述光的遮光部，
所述半透光部以如下方式形成：通过透过该半透光部的光，对于所述多个第一电极，分别形成所述第一电极和覆盖所述第一电极的外周的覆盖层，
所述遮光部以如下方式形成：通过由所述遮光部阻断光，形成使多个所述覆盖层的至少一部分相互分离的分离区域。
7.根据权利要求6所述的曝光装置，其特征在于，
所述光掩模还包括使所述光透过的透光部，
所述透光部以如下方式形成：通过透过该透光部的光，在所述平坦化膜的表面的所述多个第一电极之间的区域形成具有比所述覆盖层高的高度的隔离物。
8.一种显示器件的制造方法，其特征在于，包括如下工序：
用感光性有机材料覆盖形成于平坦化膜的表面的多个第一电极的感光层形成工序；以及
使用阻断来自光源的光的一部分的光掩模对所述感光性有机材料进行曝光后，以进行显影而形成所述第一电极的开口的方式，形成覆盖所述第一电极的外周的覆盖层的覆盖层形成工序，
所述光掩模包括：阻断来自所述光源的光的一部分的半透光部；以及使所述光透过的透光部，
在所述覆盖层形成工序中，变更所述光掩模的位置并进行多次曝光，所述覆盖层以与相邻的其他所述第一电极的覆盖层相互分离的方式形成。
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