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CN111155172B - 螺旋选晶器在制备电偶丝材料中的用途和电偶丝及其应用 - Google Patents

螺旋选晶器在制备电偶丝材料中的用途和电偶丝及其应用 Download PDF

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CN111155172B CN202010036890.7A CN202010036890A CN111155172B CN 111155172 B CN111155172 B CN 111155172B CN 202010036890 A CN202010036890 A CN 202010036890A CN 111155172 B CN111155172 B CN 111155172B
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Abstract

本发明公开了螺旋选晶器在制备电偶丝材料中的用途和电偶丝及其应用。其中，该用途中螺旋选晶器用于制备热电偶丝的步骤包括：向螺旋选晶器中加入籽晶并置于启晶器上，调节启晶器保温温度，以便使籽晶部分熔化；对电偶丝原料进行熔融处理，并将得到的熔融液注入螺旋选晶器中与籽晶熔化部分形成整体，静置；将螺旋选晶器垂直浸入冷却液中，以便使熔融液由下至上冷却结晶，得到单晶锭状材料；对单晶锭状材料进行拉伸成型处理，以便得到单晶丝；对单晶丝进行去应力退火，以便得到正极和/或负极电偶丝。通过将螺旋选晶器转用于制备测温热电偶丝材料可以显著提高热电偶丝的整体均匀性并降低内阻，从而显著提高热电偶的测温精度。

Description

螺旋选晶器在制备电偶丝材料中的用途和电偶丝及其应用
技术领域
本发明属于材料领域，具体而言，涉及螺旋选晶器在制备电偶丝材料中的用途和电偶丝及其应用。
背景技术
温度是工业生产和科学实验中非常重要的参数，很多物理现象和化学性质都和温度有关，许多生产过程只有在特定的温度范围内才能进行，因而在现代生活中，准确的温度是不可缺少的信息内容。随着科技的不断发展以及温度传感器的应用深入，人们对温度传感器的物理结构和测量准确性也提出了越来越高的要求。热电式温度传感器是日常生活、工业生产和科学研究中最常用的温度探测装置。它利用测温敏感元件的电参数随温度变化的特性，通过测量电参数的变化来检测温度，主要可分为接触式的热电偶、热敏电阻和半导体集成温度传感器以及非接触式的热释电传感器。
在各种热电式传感器中，把温度转化为电势和电阻最为普遍，其分别对应热电偶传感器和热电阻传感器。相对而言，热电阻传感器结构简单，体积小，灵敏度高，而热电偶传感器的测温范围大，响应时间短，在工业生产、钻探和特殊高性能材料的制造成型中通常需要涉及到1000℃左右的高温环境，在这个温度条件下，热电偶传感器是唯一能够商业化应用的接触式热电温度传感器，其测温精度直接关系到了生产控制过程的精确性和产品的质量。然而，热电偶丝材料的不均匀性会导致自身测量精度误差，这是由于正负极处于一个温度梯度场中，因而这种不均匀性会在热电偶丝上产生一个附加热电势，从而干扰测量精度。因此，需要进一步提高热电偶丝材料的均匀性。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出螺旋选晶器在制备电偶丝材料中的用途和电偶丝及其应用。通过将用于制备单晶合金的螺旋选晶器用于制备测温热电偶丝材料，不仅可以显著提高热电偶丝的整体均匀性，还可以进一步降低热电偶丝的内阻，从而能够显著提高热电偶的测温精度。
本发明主要是基于以下问题提出的：
热电偶丝材料的不均匀性会导致自身测量精度误差。热电偶丝材料不可能是一个完美的单晶结构，其内部存在着一定数量的不均匀的非单晶结构和结构缺陷；同时，未释放的内部应力、合金成分的偏析、热电偶丝局部表面的金属元素挥发或氧化、高温下的热扩散、热电偶丝表面的沾污和腐蚀、内部杂质的存在也会造成一定的不均匀性。由于正负极处于一个温度梯度场中，因而这种不均匀性会在热电偶丝上产生一个附加热电势，从而干扰测量精度。
为此，根据本发明的第一个方面，本发明提出了用于制备单晶合金的螺旋选晶器在制备测温热电偶丝材料中的用途。根据本发明的实施例，该用途中，所述螺旋选晶器用于制备热电偶丝的步骤包括：
(1)向螺旋选晶器中加入籽晶并置于启晶器上，调节所述启晶器保温温度，以便使所述籽晶部分熔化；
(2)对电偶丝原料进行熔融处理，并将得到的熔融液注入所述螺旋选晶器中与所述籽晶熔化部分形成整体，静置；
(3)将步骤(2)得到的所述螺旋选晶器垂直浸入冷却液中，以便使所述熔融液由下至上冷却结晶，得到单晶锭状材料；
(4)对所述单晶锭状材料进行拉伸成型处理，以便得到单晶丝；
(5)对所述单晶丝进行去应力退火，以便得到正极和/或负极电偶丝。
根据本发明上述实施例的用于制备单晶合金的螺旋选晶器在制备测温热电偶丝材料中的用途，通过将用于制备单晶合金的螺旋选晶器转用于制备测温热电偶丝材料，同时采用上述制备方法，可以在热电偶丝成形过程中减少金属合金成形过程中产生的不均匀的杂晶、小角晶界、取向偏离、再结晶、型壳反应及微观晶格缺陷结构的数量，具体可使单晶取向一致性不低于90％，杂晶概率不大于10％。由此不仅可以显著提高热电偶丝的整体均匀性，还可以进一步降低热电偶丝的内阻，从而能够显著提高热电偶的测温精度。
另外，根据本发明上述实施例的用于制备单晶合金的螺旋选晶器在制备测温热电偶丝材料中的用途还可以具有如下附加的技术特征：
在本发明的一些实施例中，所述电偶丝原料为电偶丝正极原料和/或负极原料，所述正极原料为选自纯铜、纯镍、纯铬、纯铁、纯铂、纯铑、纯钨和纯铼中的至少一种，所述负极原料为选自纯铜、纯镍、纯硅、纯铂、纯钨和纯铼中的至少一种。
在本发明的一些实施例中，步骤(3)中，将所述螺旋选晶器浸入所述冷却液中的抽拉速率不大于6毫米/分钟。
在本发明的一些实施例中，步骤(5)中，采用复绕机在400～550摄氏度和30～70转/分钟的绕线速度下对所述单晶丝进行所述去应力退火。
在本发明的一些实施例中，所述螺旋选晶器螺旋段的螺旋角为30～75度、螺距为所述螺旋角的正切值与所述螺旋段内径乘积的0.1～3倍、螺旋段螺旋圈数不大于2圈。
在本发明的一些实施例中，所述启晶器的高度与所述启晶器的内径的比值为0.5～2，所述启晶器的内径与所述螺旋选晶器螺旋段内径的比值为3～6。
根据本发明的第二个方面，本发明提出了一种电偶丝。根据本发明的实施例，该电偶丝的制备方法包括：
(1)向螺旋选晶器中加入籽晶并置于启晶器上，调节所述启晶器保温温度，以便使所述籽晶部分熔化；
(2)对电偶丝原料进行熔融处理，并将得到的熔融液注入所述螺旋选晶器中与所述籽晶熔化部分形成整体，静置；
(3)将步骤(2)得到的所述螺旋选晶器垂直浸入冷却液中，以便使所述熔融液由下至上冷却结晶，得到单晶锭状材料；
(4)对所述单晶锭状材料进行拉伸成型处理，以便得到单晶丝；
(5)对所述单晶丝进行去应力退火，以便得到正极和/或负极电偶丝。
根据本发明上述实施例的电偶丝，通过将用于制备单晶合金的螺旋选晶器转用于制备测温热电偶丝材料同时采用上述制备方法，可以在热电偶丝成形过程中减少金属合金成形过程中产生的不均匀的杂晶、小角晶界、取向偏离、再结晶、型壳反应及微观晶格缺陷结构的数量，具体可使单晶取向一致性不低于90％，杂晶概率不大于10％。与现有热电偶丝相比，该电偶丝不仅整体均匀度高，而且内阻较小，可以显著提高热电偶的测温精度。
在本发明的一些实施例中，所述电偶丝原料为电偶丝正极原料和/或负极原料，所述正极原料为选自纯铜、纯镍、纯铬、纯铁、纯铂、纯铑、纯钨和纯铼中的至少一种，所述负极原料为选自纯铜、纯镍、纯硅、纯铂、纯钨和纯铼中的至少一种。
在本发明的一些实施例中，步骤(3)中，将所述螺旋选晶器浸入所述冷却液中的抽拉速率不大于6毫米/分钟，
在本发明的一些实施例中，步骤(5)中，采用复绕机在400～550摄氏度和30～70转/分钟的绕线速度下对所述单晶丝进行所述去应力退火。
在本发明的一些实施例中，所述螺旋选晶器螺旋段的螺旋角为30～75度、螺距为所述螺旋角的正切值与所述螺旋段内径乘积的0.1～3倍、螺旋段螺旋圈数不大于2圈。
在本发明的一些实施例中，所述启晶器的高度与所述启晶器的内径的比值为0.5～2，所述启晶器的内径与所述螺旋选晶器螺旋段内径的比值为3～6。
根据本发明的第三个方面，本发明提出了一种热电偶传感器。根据本发明的实施例，该热电偶传感器上述电偶丝。该热电偶传感器的测温精度较高，全范围测温精度可达到0.001|t|。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是根据本发明一个实施例的螺旋选晶器用于制备热电偶丝的方法流程图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
根据本发明的第一个方面，本发明提出了用于制备单晶合金的螺旋选晶器在制备测温热电偶丝材料中的用途。根据本发明的实施例，参考图1，该用途中，螺旋选晶器用于制备热电偶丝的步骤包括：(1)向螺旋选晶器中加入籽晶并置于启晶器上，调节启晶器保温温度，以便使籽晶部分熔化；(2)对电偶丝原料进行熔融处理，并将得到的熔融液注入螺旋选晶器中与籽晶熔化部分形成整体，静置；(3)将步骤(2)得到的螺旋选晶器垂直浸入冷却液中，以便使熔融液由下至上冷却结晶，得到单晶锭状材料；(4)对单晶锭状材料进行拉伸成型处理，以便得到单晶丝；(5)对单晶丝进行去应力退火，以便得到正极和/或负极电偶丝。该用途中，通过结合上述制备热电偶丝的方法不仅可以显著提高热电偶丝的整体均匀性，还可以进一步降低热电偶丝的内阻，从而能够显著提高热电偶的测温精度。
下面主要从两个部分对上述用于制备单晶合金的螺旋选晶器在制备测温热电偶丝材料中的用途进行详细描述。
制备单晶锭状材料
根据本发明的实施例，向螺旋选晶器中加入籽晶并置于启晶器上，调节启晶器保温温度，以便使籽晶部分熔化；对电偶丝原料进行熔融处理，并将得到的熔融液注入螺旋选晶器中与籽晶熔化部分形成整体，静置；然后将螺旋选晶器垂直浸入冷却液中，以便使熔融液由下至上冷却结晶，得到单晶锭状材料。由此可以显著减少热电偶金属合金在成型过程中产生的不均匀的杂晶、小角晶界、取向偏离、再结晶、型壳反应及微观晶格缺陷结构的数量，使单晶取向一致性不低于90％，杂晶概率不大于10％，从而能够显著提高热电偶丝的整体均匀性，进而提高热电偶的测温精度。需要说明的是，本发明中对籽晶的制备方法并无特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。
根据本发明的一个具体实施例，电偶丝原料可以为电偶丝正极原料和/或负极原料，其中本发明中正极原料和负极原料的种类并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，例如，正极原料可以为选自纯铜、纯镍、纯铬、纯铁、纯铂、纯铑、纯钨和纯铼中的至少一种，负极原料可以为选自纯铜、纯镍、纯硅、纯铂、纯钨和纯铼中的至少一种。
根据本发明的再一个具体实施例，正极原料和负极原料的粒径可以分别独立地为20～80μm，由此不仅可以显著提高熔融处理的效率及效果，还有利于降低金属合金成型过程中可能产生的结构缺陷。
根据本发明的又一个具体实施例，将螺旋选晶器浸入冷却液中的抽拉速率可以不大于6mm/min，例如可以为4.5～6mm/min、1mm/min、2mm/min、3mm/min、4mm/min、5mm/min或6mm/min等，发明人发现，若抽拉速度过大不利于杂晶控制，但有利于控制枝晶横向二次臂的间距；反之，若抽拉速度过小不利于控制枝晶横向二次臂的间距，但有利于抑制杂晶生成，本发明中通过控制抽拉速率为上述范围，不仅可以有效抑制杂晶的生成，还可以显著降低枝晶横向二次臂间距，从而不仅能够保证单晶锭状材料晶体组织及形貌的均匀度，还能避免由于枝晶横向二次臂间距过大而减弱后期退火的效果。
根据本发明的又一个具体实施例，可以将籽晶装入螺旋选晶器中启晶器上，调节启晶器保温温度使籽晶部分熔化，形成固液糊状区，保温30min；将电偶丝负极原料/正极原料在坩埚中熔炼，获得熔融合金熔液；待启晶器保温结束后将熔融高温合金熔液浇注到螺旋选晶器内与籽晶熔化部分形成整体，静置10min；然后将螺旋选晶器缓慢垂直以100μm/s的速度放入冷却液中，使熔融的负极原料由下至上逐渐冷却结晶，获得负极原料的单晶锭状材料。其中，本发明中籽晶的制备方法并没有特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。
根据本发明的又一个具体实施例，螺旋选晶器螺旋段的螺旋角可以为30～75度，例如可以为35度、40度、45度、50度、55度、60度、65度或70度等；螺距可以为螺旋角的正切值与螺旋段内径乘积的0.1～3倍，例如可以为0.2倍、0.6倍、1.2倍、1.8倍、2.4倍或3倍等；螺旋段螺旋圈数可以不大于2圈，其中，螺旋段的螺旋圈数可以为非整数圈，例如可以为0.5圈、0.8圈、1.2圈、1.5圈、1.8圈等，本发明中通过控制上述结构参数，不仅可以显著降低单晶取向偏差，还可以进一步降低晶粒数量，从而能够显著提高单晶锭状材料单晶取向的一致性，确保其晶体组织及形貌具有更好的均匀度。
根据本发明的又一个具体实施例，启晶器的高度与启晶器的内径的比值可以为0.5～2，例如可以为0.5、0.8、1.1、1.4、1.6、1.7或2等；启晶器的内径与螺旋选晶器螺旋段内径的比值可以为3～6，例如可以为3.4、3.8、4.2、4.6、5、5.4或5.8等。本发明中通过调节启晶器的高度与启晶器的内径的比值为上述范围，可以进一步有利于降低晶粒数量，提高单晶取向的一致性，使单晶锭状材料的晶体组织及形貌具有更好的均匀度。此外，发明人还发现，若启晶器的直径过大，容易导致籽晶直径过大，进而不仅会导致熔体凝固过快而不能使籽晶起到结晶核心的作用，还会增加单晶合金的制备难度；而若启晶器的直径过小，又容易导致螺旋选晶器螺旋段抑制杂晶的效果减弱。本发明中通过控制上述结构参数，可以进一步减少热电偶金属合金在成型过程中产生的不均匀的杂晶、小角晶界、取向偏离、再结晶、型壳反应及微观晶格缺陷结构的数量，确保单晶取向一致性不低于90％，杂晶概率不大于10％，从而能够显著提高热电偶丝的整体均匀性。
拉伸成型与去应力退火
根据本发明的实施例，对单晶锭状材料进行拉伸成型处理，以便得到单晶丝；对单晶丝进行去应力退火，以便得到正极和/或负极电偶丝。本发明中通过对单晶丝进行去应力退火，不仅可以进一步细化晶粒，改善热电偶丝的晶相组织，消除组织缺陷，提高机械性能，恢复单丝塑性，还可以能释放热电偶丝的内部应力，并对表面进行一定的清洁，由此可以进一步提高热电偶丝的整体均匀性，从而能够进一步提高热电偶的测温精度。
根据本发明的一个具体实施例，可以采用复绕机在400～550摄氏度和30～70转/分钟的绕线速度下对单晶丝进行去应力退火，由此可以进一步有利于改善热电偶丝的晶相组织，消除组织缺陷，提高其机械性能，恢复单丝塑性，同时释放热电偶丝的内部应力，从而能够进一步提高热电偶丝的整体均匀性。
根据本发明的再一个具体实施例，可以选用电刷退火设备，例如接触式电刷传输大电流退火设备对单晶丝进行去应力退火，发明人发现，若退火不当可能导致过烧、反常组织、硬度过高、变形开裂等问题，本发明中通过选用接触式电刷传输大电流退火设备不仅能够实现超长热电偶丝各部位的均匀退火，而且退火速度可控易跟踪，可以有效避免因退火不当对电偶丝产生的负面影响。
综上所述，本发明上述实施例的用于制备单晶合金的螺旋选晶器在制备测温热电偶丝材料中的用途，通过将用于制备单晶合金的螺旋选晶器转用于制备测温热电偶丝材料，同时采用上述制备方法，可以在热电偶丝成形过程中减少金属合金成形过程中产生的不均匀的杂晶、小角晶界、取向偏离、再结晶、型壳反应及微观晶格缺陷结构的数量，具体可使单晶取向一致性不低于90％，杂晶概率不大于10％。由此不仅可以显著提高热电偶丝的整体均匀性，还可以进一步降低热电偶丝的内阻，从而能够显著提高热电偶的测温精度。
根据本发明的第二个方面，本发明提出了一种电偶丝。根据本发明的实施例，如图1所示，该电偶丝的制备方法包括：(1)向螺旋选晶器中加入籽晶并置于启晶器上，调节启晶器保温温度，以便使籽晶部分熔化；(2)对电偶丝原料进行熔融处理，并将得到的熔融液注入螺旋选晶器中与籽晶熔化部分形成整体，静置；(3)将步骤(2)得到的螺旋选晶器垂直浸入冷却液中，以便使熔融液由下至上冷却结晶，得到单晶锭状材料；(4)对单晶锭状材料进行拉伸成型处理，以便得到单晶丝；(5)对单晶丝进行去应力退火，以便得到正极和/或负极电偶丝。与现有热电偶丝相比，该电偶丝不仅整体均匀度高，而且内阻较小，可以显著提高热电偶的测温精度，使热电偶传感器的全范围测温精度可达到0.001|t|。下面主要从两个部分对上述电偶丝进行详细描述。
制备单晶锭状材料
根据本发明的实施例，向螺旋选晶器中加入籽晶并置于启晶器上，调节启晶器保温温度，以便使籽晶部分熔化；对电偶丝原料进行熔融处理，并将得到的熔融液注入螺旋选晶器中与籽晶熔化部分形成整体，静置；然后将螺旋选晶器垂直浸入冷却液中，以便使熔融液由下至上冷却结晶，得到单晶锭状材料。由此可以显著减少热电偶金属合金在成型过程中产生的不均匀的杂晶、小角晶界、取向偏离、再结晶、型壳反应及微观晶格缺陷结构的数量，使单晶取向一致性不低于90％，杂晶概率不大于10％，从而能够显著提高热电偶丝的整体均匀性，进而提高热电偶的测温精度。需要说明的是，本发明中对籽晶的制备方法并无特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。
根据本发明的一个具体实施例，电偶丝原料可以为电偶丝正极原料和/或负极原料，其中本发明中正极原料和负极原料的种类并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，例如，正极原料可以为选自纯铜、纯镍、纯铬、纯铁、纯铂、纯铑、纯钨和纯铼中的至少一种，负极原料可以为选自纯铜、纯镍、纯硅、纯铂、纯钨和纯铼中的至少一种。
根据本发明的再一个具体实施例，正极原料和负极原料的粒径可以分别独立地为20～80μm，由此不仅可以显著提高熔融处理的效率及效果，还有利于降低金属合金成型过程中可能产生的结构缺陷。
根据本发明的又一个具体实施例，将螺旋选晶器浸入冷却液中的抽拉速率可以不大于6mm/min，例如可以为4.5～6mm/min、1mm/min、2mm/min、3mm/min、4mm/min、5mm/min或6mm/min等，发明人发现，若抽拉速度过大不利于杂晶控制，但有利于控制枝晶横向二次臂的间距；反之，若抽拉速度过小不利于控制枝晶横向二次臂的间距，但有利于抑制杂晶生成，本发明中通过控制抽拉速率为上述范围，不仅可以有效抑制杂晶的生成，还可以显著降低枝晶横向二次臂间距，从而不仅能够保证单晶锭状材料晶体组织及形貌的均匀度，还能避免由于枝晶横向二次臂间距过大而减弱后期退火的效果。
根据本发明的又一个具体实施例，可以将籽晶装入螺旋选晶器中启晶器上，调节启晶器保温温度使籽晶部分熔化，形成固液糊状区，保温30min；将电偶丝负极原料/正极原料在坩埚中熔炼，获得熔融合金熔液；待启晶器保温结束后将熔融高温合金熔液浇注到螺旋选晶器内与籽晶熔化部分形成整体，静置10min；然后将螺旋选晶器缓慢垂直以100μm/s的速度放入冷却液中，使熔融的负极原料由下至上逐渐冷却结晶，获得负极原料的单晶锭状材料。其中，本发明中籽晶的制备方法并没有特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。
根据本发明的又一个具体实施例，螺旋选晶器螺旋段的螺旋角可以为30～75度，例如可以为35度、40度、45度、50度、55度、60度、65度或70度等；螺距可以为螺旋角的正切值与螺旋段内径乘积的0.1～3倍，例如可以为0.2倍、0.6倍、1.2倍、1.8倍、2.4倍或3倍等；螺旋段螺旋圈数可以不大于2圈，其中，螺旋段的螺旋圈数可以为非整数圈，例如可以为0.5圈、0.8圈、1.2圈、1.5圈、1.8圈等，不仅可以显著降低单晶取向偏差，还可以进一步降低晶粒数量，从而能够显著提高单晶锭状材料单晶取向的一致性，确保其晶体组织及形貌具有更好的均匀度。
根据本发明的又一个具体实施例，启晶器的高度与启晶器的内径的比值可以为0.5～2，例如可以为0.5、0.8、1.1、1.4、1.6、1.7或2等；启晶器的内径与螺旋选晶器螺旋段内径的比值可以为3～6，例如可以为3.4、3.8、4.2、4.6、5、5.4或5.8等。本发明中通过调节启晶器的高度与启晶器的内径的比值为上述范围，可以进一步有利于降低晶粒数量，提高单晶取向的一致性，使单晶锭状材料的晶体组织及形貌具有更好的均匀度。此外，发明人还发现，若启晶器的直径过大，容易导致籽晶直径过大，进而不仅会导致熔体凝固过快而不能使籽晶起到结晶核心的作用，还会增加单晶合金的制备难度；而若启晶器的直径过小，又容易导致螺旋选晶器螺旋段抑制杂晶的效果减弱。本发明中通过控制上述结构参数，可以进一步减少热电偶金属合金在成型过程中产生的不均匀的杂晶、小角晶界、取向偏离、再结晶、型壳反应及微观晶格缺陷结构的数量，确保单晶取向一致性不低于90％，杂晶概率不大于10％，从而能够显著提高热电偶丝的整体均匀性。
拉伸成型与去应力退火
根据本发明的实施例，对单晶锭状材料进行拉伸成型处理，以便得到单晶丝；对单晶丝进行去应力退火，以便得到正极和/或负极电偶丝。本发明中通过对单晶丝进行去应力退火，不仅可以进一步细化晶粒，改善热电偶丝的晶相组织，消除组织缺陷，提高机械性能，恢复单丝塑性，还可以能释放热电偶丝的内部应力，并对表面进行一定的清洁，由此可以进一步提高热电偶丝的整体均匀性，从而能够进一步提高热电偶的测温精度。
根据本发明的一个具体实施例，可以采用复绕机在400～550摄氏度和30～70转/分钟的绕线速度下对单晶丝进行去应力退火，由此可以进一步有利于改善热电偶丝的晶相组织，消除组织缺陷，提高其机械性能，恢复单丝塑性，同时释放热电偶丝的内部应力，从而能够进一步提高热电偶丝的整体均匀性。
根据本发明的再一个具体实施例，可以选用电刷退火设备，例如接触式电刷传输大电流退火设备对单晶丝进行去应力退火，发明人发现，若退火不当可能导致过烧、反常组织、硬度过高、变形开裂等问题，本发明中通过选用接触式电刷传输大电流退火设备不仅能够实现超长热电偶丝各部位的均匀退火，而且退火速度可控易跟踪，可以有效避免因退火不当对电偶丝产生的负面影响。
综上所述，根据本发明上述实施例的电偶丝，通过将用于制备单晶合金的螺旋选晶器转用于制备测温热电偶丝材料同时采用上述制备方法，可以在热电偶丝成形过程中减少金属合金成形过程中产生的不均匀的杂晶、小角晶界、取向偏离、再结晶、型壳反应及微观晶格缺陷结构的数量，具体可使单晶取向一致性不低于90％，杂晶概率不大于10％。与现有热电偶丝相比，该电偶丝不仅整体均匀度高，而且内阻较小，可以显著提高热电偶的测温精度。
根据本发明的第三个方面，本发明提出了一种热电偶传感器。根据本发明的实施例，该热电偶传感器上述电偶丝。发明人发现，具有上述电偶丝的热电偶传感器测温精度较高，全范围测温精度可达到0.001|t|，其中t代表实时温度。需要说明的是，上述针对电偶丝所描述是特征及效果同样适用于该热电偶传感器，此处不再一一赘述。
下面将结合实施例对本发明的方案进行解释。本领域技术人员将会理解，下面的实施例仅用于说明本发明，而不应视为限定本发明的范围。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
实施例1
一种超长T型单晶偶丝，其制备方法包括以下步骤：
1)正、负极单晶锭状材料的制备：
将2.75Kg纯铜粉，2.25Kg纯镍粉均匀混合作为负极材料；将5Kg纯铜粉作为正极材料。
分别制备正极、负极材料的籽晶，将籽晶分别装入螺旋选晶器中的启晶器上。调节启晶器温度使所述籽晶部分熔化，形成固液糊状区，保温30min。
将负极原料在坩埚中1300℃熔炼，获得熔融合金熔液；待启晶器保温结束后将熔融高温合金熔液浇注到螺旋选晶器内与负极材料籽晶熔化部分形成整体，静置10min；然后将螺旋选晶器缓慢垂直100μm/s的速度放入冷却液中，使熔融的负极原料由下至上逐渐冷却结晶，获得负极原料的单晶锭状材料。
将正极原料在坩埚中1100℃熔炼，获得熔融合金熔液；待启晶器保温结束后将熔融高温合金熔液浇注到螺旋选晶器内与正极材料籽晶熔化部分形成整体，静置10min；然后将螺旋选晶器缓慢垂直100μm/s的速度放入冷却液中，使熔融的正极原料由下至上逐渐冷却结晶，获得正极原料的单晶锭状材料。
2)拉伸成型：对螺旋选晶后的高单晶性正、负极锭状材料进行锻造轧制，并反复拉拔处理，拉制成所需尺寸丝材。
3)去应力退火：使用电刷退火设备，将所述的热电偶正极丝材在复绕机上进行细丝退火，温度为400℃，绕线速度为30转/分钟，负极丝材在复绕机上进行细丝退火，温度为400℃，绕线速度为30转/分钟。
实施例2
一种超长J型单晶偶丝，其制备方法包括以下步骤：
1)正、负极单晶锭状材料的制备：
将2.75Kg纯铜粉，2.25Kg纯镍粉均匀混合作为负极材料；将5Kg纯铁粉作为正极材料。
分别制备正极、负极材料的籽晶，将籽晶分别装入螺旋选晶器中的启晶器上。调节启晶器温度使所述籽晶部分熔化，形成固液糊状区，保温30min。
将负极原料在坩埚中1300℃熔炼，获得熔融合金熔液；待启晶器保温结束后将熔融高温合金熔液浇注到螺旋选晶器内与负极材料籽晶熔化部分形成整体，静置10min；然后将螺旋选晶器缓慢垂直100μm/s的速度放入冷却液中，使熔融的负极原料由下至上逐渐冷却结晶，获得负极原料的单晶锭状材料。
将正极原料在坩埚中1600℃熔炼，获得熔融合金熔液；待启晶器保温结束后将熔融高温合金熔液浇注到螺旋选晶器内与正极材料籽晶熔化部分形成整体，静置10min；然后将螺旋选晶器缓慢垂直100μm/s的速度放入冷却液中，使熔融的正极原料由下至上逐渐冷却结晶，获得正极原料的单晶锭状材料。
2)拉伸成型：对螺旋选晶后的高单晶性正、负极锭状材料进行锻造轧制，并反复拉拔处理，拉制成所需尺寸丝材。
3)去应力退火：使用电刷退火设备，将所述的热电偶正极丝材在复绕机上进行细丝退火，温度为450℃，绕线速度为50转/分钟，负极丝材在复绕机上进行细丝退火，温度为400℃，绕线速度为30转/分钟。
实施例3
一种超长K型单晶偶丝，其制备方法包括以下步骤：
1)正、负极单晶锭状材料的制备：
将4.85Kg纯镍粉，0.15Kg纯硅粉均匀混合作为负极材料；将4.5Kg纯镍粉，0.5Kg纯铬粉粉作为正极材料。
分别制备正极、负极材料的籽晶，将籽晶分别装入螺旋选晶器中的启晶器上。调节启晶器温度使所述籽晶部分熔化，形成固液糊状区，保温30min。
将负极原料在坩埚中1500℃熔炼，获得熔融合金熔液；待启晶器保温结束后将熔融高温合金熔液浇注到螺旋选晶器内与负极材料籽晶熔化部分形成整体，静置10min；然后将螺旋选晶器缓慢垂直100μm/s的速度放入冷却液中，使熔融的负极原料由下至上逐渐冷却结晶，获得负极原料的单晶锭状材料。
将正极原料在坩埚中1400℃熔炼，获得熔融合金熔液；待启晶器保温结束后将熔融高温合金熔液浇注到螺旋选晶器内与正极材料籽晶熔化部分形成整体，静置10min；然后将螺旋选晶器缓慢垂直100μm/s的速度放入冷却液中，使熔融的正极原料由下至上逐渐冷却结晶，获得正极原料的单晶锭状材料。
2)拉伸成型：对螺旋选晶后的高单晶性正、负极锭状材料进行锻造轧制，并反复拉拔处理，拉制成所需尺寸丝材。
3)去应力退火：使用电刷退火设备，将所述热电偶正极丝材在复绕机上进行细丝退火，温度为400℃，绕线速度为40转/分钟，负极丝材在复绕机上进行细丝退火，温度为400℃，绕线速度为40转/分钟。
实施例4
一种超长S型单晶偶丝，其制备方法包括以下步骤：
1)正、负极单晶锭状材料的制备：
将5g铂粉作为负极材料；将4.5g铂粉、0.5g铑粉均匀混合作为正极材料。
分别制备正极、负极材料的籽晶，将籽晶分别装入螺旋选晶器中的启晶器上。调节启晶器温度使所述籽晶部分熔化，形成固液糊状区，保温30min。
将负极原料在坩埚中1800℃熔炼，获得熔融合金熔液；待启晶器保温结束后将熔融高温合金熔液浇注到螺旋选晶器内与负极材料籽晶熔化部分形成整体，静置10min；然后将螺旋选晶器缓慢垂直100μm/s的速度放入冷却液中，使熔融的负极原料由下至上逐渐冷却结晶，获得负极原料的单晶锭状材料。
将正极原料在坩埚中1900℃熔炼，获得熔融合金熔液；待启晶器保温结束后将熔融高温合金熔液浇注到螺旋选晶器内与正极材料籽晶熔化部分形成整体，静置10min；然后将螺旋选晶器缓慢垂直100μm/s的速度放入冷却液中，使熔融的正极原料由下至上逐渐冷却结晶，获得正极原料的单晶锭状材料。
2)拉伸成型：对螺旋选晶后的高单晶性正、负极锭状材料进行锻造轧制，并反复拉拔处理，拉制成所需尺寸丝材。
3)去应力退火：使用电刷退火设备，将所述的热电偶正极丝材在复绕机上进行细丝退火，温度为450℃，绕线速度为50转/分钟，负极丝材在复绕机上进行细丝退火，温度为450℃，绕线速度为50转/分钟。
评价方法：
对实施例1～4中制备得到的热电偶丝的单晶取向和杂晶概率进行测试，并将实施例1～4中制备得到的热电偶丝替换铠装热电偶中的同种偶丝进行测温测试。
结果与结论：
(1)实施例1～4中制备得到的热电偶丝的单晶取向一致性均不低于90％，杂晶概率均不大于10％。
(2)将实施例1制备得到的热电偶丝替换铠装热电偶中的同种偶丝进行测温测试，全范围测温精度提高到0.0015|t|；将实施例2制备得到的热电偶丝替换铠装热电偶中的同种偶丝进行测温测试，全范围测温精度提高到0.001|t|；将实施例3制备得到的热电偶丝替换铠装热电偶中的同种偶丝进行测温测试，全范围测温精度提高到0.0015|t|；将实施例4制备得到的热电偶丝替换铠装热电偶中的同种偶丝进行测温测试，全范围测温精度提高到0.001|t|。
综上所述，将利用螺旋选晶器制备得到的热电偶丝用于热电偶中，可以显著提高热电偶的测温精度，使全范围测温精度提高至0.001|t|～0.002|t|。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (9)

1.一种用于制备单晶合金的螺旋选晶器在制备测温热电偶丝材料中的用途，其特征在于，所述螺旋选晶器用于制备热电偶丝的步骤包括：
(1)向螺旋选晶器中加入籽晶并置于启晶器上，调节所述启晶器保温温度，以便使所述籽晶部分熔化；
(2)对电偶丝原料进行熔融处理，并将得到的熔融液注入所述螺旋选晶器中与所述籽晶熔化部分形成整体，静置；
(3)将步骤(2)得到的所述螺旋选晶器垂直浸入冷却液中，以便使所述熔融液由下至上冷却结晶，得到单晶锭状材料；
(4)对所述单晶锭状材料进行拉伸成型处理，以便得到单晶丝；
(5)对所述单晶丝进行去应力退火，以便得到正极和/或负极电偶丝，
所述螺旋选晶器螺旋段的螺旋角为30～75度、螺距为所述螺旋角的正切值与所述螺旋段内径乘积的0.1～3倍、螺旋段螺旋圈数不大于2圈，
所述启晶器的高度与所述启晶器的内径的比值为0.5～2，所述启晶器的内径与所述螺旋选晶器螺旋段内径的比值为3～6。
2.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，所述电偶丝原料为电偶丝正极原料和/或负极原料，所述正极原料为选自纯铜、纯镍、纯铬、纯铁、纯铂、纯铑、纯钨和纯铼中的至少一种，所述负极原料为选自纯铜、纯镍、纯硅、纯铂、纯钨和纯铼中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，步骤(3)中，将所述螺旋选晶器浸入所述冷却液中的抽拉速率不大于6毫米/分钟。
4.根据权利要求1所述的用途，其特征在于，步骤(5)中，采用复绕机在400～550摄氏度和30～70转/分钟的绕线速度下对所述单晶丝进行所述去应力退火。
5.一种电偶丝，其特征在于，其制备方法包括：
(1)向螺旋选晶器中加入籽晶并置于启晶器上，调节所述启晶器保温温度，以便使所述籽晶部分熔化；
(2)对电偶丝原料进行熔融处理，并将得到的熔融液注入所述螺旋选晶器中与所述籽晶熔化部分形成整体，静置；
(3)将步骤(2)得到的所述螺旋选晶器垂直浸入冷却液中，以便使所述熔融液由下至上冷却结晶，得到单晶锭状材料；
(4)对所述单晶锭状材料进行拉伸成型处理，以便得到单晶丝；
(5)对所述单晶丝进行去应力退火，以便得到正极和/或负极电偶丝，
所述螺旋选晶器螺旋段的螺旋角为30～75度、螺距为所述螺旋角的正切值与所述螺旋段内径乘积的0.1～3倍、螺旋段螺旋圈数不大于2圈；
所述启晶器的高度与所述启晶器的内径的比值为0.5～2，所述启晶器的内径与所述螺旋选晶器螺旋段内径的比值为3～6；
所述电偶丝的单晶取向一致性不低于90％，杂晶概率不大于10％。
6.根据权利要求5所述的电偶丝，其特征在于，所述电偶丝原料为电偶丝正极原料和/或负极原料，所述正极原料为选自纯铜、纯镍、纯铬、纯铁、纯铂、纯铑、纯钨和纯铼中的至少一种，所述负极原料为选自纯铜、纯镍、纯硅、纯铂、纯钨和纯铼中的至少一种。
7.根据权利要求5所述的电偶丝，其特征在于，步骤(3)中，将所述螺旋选晶器浸入所述冷却液中的抽拉速率不大于6毫米/分钟。
8.根据权利要求5所述的电偶丝，其特征在于，步骤(5)中，采用复绕机在400～550摄氏度和30～70转/分钟的绕线速度下对所述单晶丝进行所述去应力退火。
9.一种热电偶传感器，其特征在于，所述热电偶传感器包括权利要求5-8中任一所述的电偶丝。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102312280A (zh) * 2010-07-05 2012-01-11 赵钧永 使用选晶器的晶体材料铸造方法及装置
CN103143690A (zh) * 2013-04-02 2013-06-12 安泰科技股份有限公司 一种直接制备金属棒材或线材的连铸装置及方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1428115A (fr) * 1965-02-13 1966-02-11 Degussa Procédé de préparation de fils de thermocouple en métaux nobles, notamment de fils en platine, ainsi que les produits conformes à ceux obtenus par le présent procédé ou procédé similaire
JPH0625400B2 (ja) * 1985-04-12 1994-04-06 古河電気工業株式会社 一方向組織材の焼鈍法
JP5722515B1 (ja) * 2014-04-04 2015-05-20 株式会社フルヤ金属 白金熱電対素線

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102312280A (zh) * 2010-07-05 2012-01-11 赵钧永 使用选晶器的晶体材料铸造方法及装置
CN103143690A (zh) * 2013-04-02 2013-06-12 安泰科技股份有限公司 一种直接制备金属棒材或线材的连铸装置及方法

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