CN111081518A - 滤波器单元的调整方法和等离子体处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供滤波器单元的调整方法和等离子体处理装置。减小针对电性构件设置的滤波器单元的频率特性的偏差。等离子体处理装置中的滤波器单元的调整方法包括第一测定工序和调整工序。在第一测定工序中，测定多个滤波器单元中的作为基准的滤波器单元的频率特性。在调整工序中，调整除作为基准的滤波器单元以外的滤波器单元的频率特性。在调整工序中包括安装工序、第二测定工序以及单独调整工序。在安装工序中，安装用于调整滤波器单元内的配线的电容的电容构件。在第二测定工序中，测定安装有电容构件的滤波器单元的频率特性。在单独调整工序中，调整电容构件的电容，使得安装有电容构件的滤波器单元的频率特性接近作为基准的滤波器单元的频率特性。

Description

滤波器单元的调整方法和等离子体处理装置

技术领域

本公开的各种方面和实施方式涉及一种滤波器单元的调整方法和等离子体处理装置。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，有时进行利用等离子体的处理(以下记载为“等离子体处理”)。用于进行等离子体处理的等离子体处理装置例如具备腔室、载置台以及高频电源等。在等离子体处理中，通过经由载置台供给至腔室内的高频电力，来激励被供给至腔室内的处理气体，从而生成等离子体。而且，利用所生成的等离子体，来对被载置于载置台上的被处理体实施蚀刻、成膜等等离子体处理。

另外，等离子体处理装置有时为了调整被处理体的温度而在载置台内内置加热器。加热器与加热器控制器连接，所述加热器控制器通过控制向加热器供给的电源来控制加热器产生的加热量。在这样的等离子体处理装置中，供给至载置台的高频电力经由加热器流入加热器控制器，因此有时引起加热器控制器的故障、误动作。为了防止该问题，在加热器与加热器控制器之间的线路上设置用于去除高频电力的分量的滤波器。作为这样的滤波器，例如有时使用包括线圈等无源部件的分布常数型的滤波器。

另外，为了提高被处理体的温度分布的控制精度，有时将载置台分割为多个区域，来独立地控制设置于各个区域中的加热器。

专利文献1：日本特开2011-135052号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够减小针对各个电性构件设置的滤波器单元的频率特性的偏差的滤波器单元的调整方法和等离子体处理装置。

用于解决问题的方案

本公开的一个方面是一种等离子体处理装置中的滤波器单元的调整方法，所述等离子体处理装置具备：多个电性构件，所述多个电性构件设置于利用所生成的等离子体对被处理体进行处理的腔室内；以及外部电路，其设置于腔室的外部，所述外部电路经由包括线圈的滤波器单元来与各个电性构件连接，其中，各个滤波器单元被金属壳体覆盖，所述滤波器单元的调整方法包括第一测定工序和调整工序。在第一测定工序中，测定多个滤波器单元中的作为基准的滤波器单元的频率特性。在调整工序中，针对多个滤波器单元中的除作为基准的滤波器单元以外的各个滤波器单元，调整滤波器单元的频率特性。另外，调整工序中包括安装工序、第二测定工序以及单独调整工序。在安装工序中，安装用于调整滤波器单元内的配线的电容的电容构件。在第二测定工序中，测定安装有电容构件的滤波器单元的频率特性。在单独调整工序中，调整电容构件的电容，使得安装有电容构件的滤波器单元的频率特性接近作为基准的滤波器单元的频率特性。

发明的效果

根据本公开的各种方面和实施方式，能够减小针对各个电性构件设置的滤波器单元的频率特性的偏差。

附图说明

图1是表示本公开的第一实施方式中的等离子体蚀刻装置的一例的概要截面图。

图2是表示静电卡盘的区域的分割方式的一例的俯视图。

图3A是表示本公开的第一实施方式中的滤波器单元的一例的框图。

图3B是表示本公开的第一实施方式中的滤波器单元的一例的框图。

图4是表示滤波器单元的阻抗的频率特性的一例的图。

图5是表示设置有电容构件的滤波器单元的一例的框图。

图6是表示金属壳体、电容构件以及配线的一例的分解立体图。

图7是表示安装有电容构件的滤波器单元一例的立体图。

图8是表示本公开的第一实施方式中的滤波器单元的调整方法的一例的流程图。

图9是表示本公开的第二实施方式中的等离子体蚀刻装置的一例的概要截面图。

图10是表示本公开的第二实施方式中的滤波器单元的一例的框图。

图11是表示设置有电容构件的滤波器单元的一例的框图。

图12是表示本公开的第二实施方式中的滤波器单元的调整方法的一例的流程图。

具体实施方式

下面基于附图来详细地说明所公开的滤波器单元的调整方法和等离子体处理装置的实施方式。此外，所公开的滤波器单元的调整方法和等离子体处理装置不受下面的实施方式限定。

另外，在针对加热器等电性构件设置的分布常数型的滤波器中包括线圈等无源构件，但在这样的无源构件与覆盖滤波器的金属壳体之间的间隙中还存在寄生电容。因此，不仅无源构件的常数影响滤波器的频率特性，这种寄生电容的值也对滤波器的频率特性产生影响。

另外，当通过与各个加热器连接的滤波器而衰减的高频电力不同时，可能对等离子体的分布的均匀性产生影响。因此，优选针对各个加热器设置的滤波器的频率特性相同。

但是，由于伴随等离子体处理装置的小型化而产生的配置的限制，有时难以针对各个滤波器使滤波器与金属壳体之间的距离相同。因此，难以使各个滤波器中的寄生电容为相同的值。因此，有时针对各个加热器设置的滤波器的频率特性不同，从而有时使等离子体的分布的均匀性下降。

因此，本公开提供一种能够减小针对各个电性构件设置的滤波器单元的频率特性的偏差的技术。

(第一实施方式)

[等离子体蚀刻装置1的结构]

图1是表示本公开的第一实施方式中的等离子体蚀刻装置1的一例的概要截面图。本实施方式中的等离子体蚀刻装置1为电容耦合型的等离子体处理装置。等离子体蚀刻装置1具备装置主体2和控制装置3。

装置主体2具有例如由铝或不锈钢等形成的大致圆筒形状的腔室10。腔室10安全接地。在腔室10内配置有大致圆板形状的基座12。基座12例如由铝等形成，还作为下部电极发挥功能。基座12被从腔室10的底部向垂直上方延伸的筒状的支承部14支承。支承部14由陶瓷等绝缘构件形成。因此，支承部14与腔室10电绝缘。

在支承部14的外周设置有沿着支承部14的外周从腔室10的底部向垂直上方延伸的导电性的筒状支承部16。在筒状支承部16与腔室10的内壁之间形成有环状的排气路径18。在排气路径18的底部设置有排气口20。排气口20经由排气管22来与具有涡轮分子泵等的排气装置24连接。通过排气装置24，将腔室10内的处理空间减压至期望的真空度。在腔室10的侧壁形成有用于搬入和搬出作为被处理体的一例的半导体晶圆W的开口，该开口通过闸阀26而开闭。

基座12经由匹配单元32和供电棒34来与高频电源28电连接。高频电源28将主要对等离子体的生成做贡献的第一频率(例如27MHz以上、优选为60MHz以上)的高频电力经由匹配单元32和供电棒34供给至基座12。匹配单元32用于在高频电源28与等离子体负载之间取得阻抗的匹配。

供电棒34为大致圆筒形的导体。供电棒34的上端与基座12的下表面的中心部连接，供电棒34的下端与匹配单元32连接。另外，在供电棒34的周围配置有具有比供电棒34的外径大的内径的大致圆筒形状的外罩35。外罩35的上端与形成于腔室10的底面的开口部连接，外罩35的下端与匹配单元32的壳体连接。

在基座12上配置有边缘环36和静电卡盘38。在静电卡盘38的上表面载置半导体晶圆W。静电卡盘38为载置台的一例。边缘环36有时被称作聚焦环。边缘环36具有大致圆环状的外形，静电卡盘38具有大致圆板状的外形。边缘环36以包围静电卡盘38的方式配置于静电卡盘38的周围。边缘环36例如由硅(Si)、碳化硅(SiC)、碳(C)、二氧化硅(SiO₂)等形成。

静电卡盘38具有多个加热器40、电介质42以及电极44。加热器40为电性构件的一例。多个加热器40和电极44被封入电介质42内。电极44经由开关46、电阻体48以及配线50来与配置于腔室10的外部的直流电源45电连接。电极44通过利用从直流电源45施加的直流电压而产生的库伦力来将半导体晶圆W吸附保持于静电卡盘38的上表面。此外，配线50被绝缘体覆盖，在供电棒34中穿过并从下方贯通基座12而与静电卡盘38的电极44连接。

各个加热器40例如为螺旋状的电阻发热线。静电卡盘38的上表面例如图2所示被分割为多个区域380。图2是表示静电卡盘38的区域的分割方式的一例的俯视图。各个加热器40在各个区域380中各配置有一个。各个加热器40经由被绝缘体覆盖的配线52来与滤波器单元54连接。各个滤波器单元54经由被绝缘体覆盖的配线56来与加热器电源58连接。加热器电源58为外部电路的一例。

在图1所例示的等离子体蚀刻装置1中，关于配线52、滤波器单元54、配线56以及加热器电源58，各图示出两个。但是，实际上，配线52、滤波器单元54、配线56以及加热器电源58设置有同与图2所例示的区域380对应的加热器40相同的数量。此外，也可以形成为，一个加热器电源58经由各个配线56、滤波器单元54以及配线52来向各个加热器40供给电力。在后文详细地叙述各个滤波器单元54。

在基座12的内部设置有环状的流路60，向流路60循环供给来自未图示的冷却装置的制冷剂。利用在流路60内循环的制冷剂来冷却基座12，由此冷却设置于基座12上的静电卡盘38。另外，在基座12和静电卡盘38中形成有用于向静电卡盘38与半导体晶圆W之间供给He气体等导热气体的配管62。通过控制经由配管62向静电卡盘38与半导体晶圆W之间供给的导热气体的压力，能够控制静电卡盘38与半导体晶圆W之间的热的传递率。

在腔室10的顶部，在与基座12相向的位置设置有喷淋头64。喷淋头64与作为下部电极发挥功能的基座12对应地作为上部电极发挥功能。喷淋头64与基座12之间的空间S为等离子体生成空间。喷淋头64具有与基座12相向的电极板66、从电极板66的上方可拆装地支承所述电极板66的支承体68。电极板66例如由Si、SiC、或C等形成。支承体68例如由被进行过铝阳极化处理的铝等形成。

在支承体68的内部形成有扩散室70。在电极板66和支承体68中形成有从扩散室70贯通至基座12侧的多个气体喷出口72。在支承体68的上部设置有与扩散室70连通的气体导入口70a。气体导入口70a经由配管76来与处理气体供给部74连接。在处理气体供给部74中按每个不同种类的气体设置有供给该气体的气体供给源。各个气体供给源与流量控制器、阀等连接。而且，通过流量控制器而流量得到控制的各个种类的气体经由配管76供给至空间S内。

装置主体2的各部例如由具备存储器、处理器以及输入输出接口的控制装置3控制。在存储器中保存控制程序、处理制程等。处理器从存储器中读取控制程序并执行该控制程序，基于存储器中保存的制程等来经由输入输出接口控制装置主体2的各部。由此，等离子体蚀刻装置1使用等离子体来对半导体晶圆W进行蚀刻。

例如，打开闸阀26，通过未图示的搬送装置将作为处理对象的半导体晶圆W搬入腔室10内，并且载置于静电卡盘38上。然后，通过将开关46控制为接通，半导体晶圆W吸附保持于静电卡盘38的上表面。另外，从未图示的冷却装置向流路60内循环供给制冷剂，并且经由配管62来向静电卡盘38与半导体晶圆W之间供给导热气体。然后，针对各个加热器40，从对应的加热器电源58供给电力。向各个加热器40供给的电力由控制装置3独立地进行控制。由此，能够控制半导体晶圆W的温度分布。

然后，从处理气体供给部74以规定的流量向腔室10内供给处理气体，通过排气装置24将腔室10内的压力控制为规定值。另外，从高频电源28经由匹配单元32和供电棒34来向基座12供给规定大小的高频电力，由此在空间S中生成处理气体的等离子体。然后，利用等离子体中含有的离子、自由基来对半导体晶圆W进行蚀刻。

[滤波器单元54的详细内容]

图3A和图3B是表示本公开的第一实施方式中的滤波器单元54的一例的框图。在图3A中例示多个滤波器单元54中的一个滤波器单元54-1，在图3B中例示其它的一个滤波器单元54-2。滤波器单元54-1经由配线52-1来与加热器40-1连接，并经由配线56-1来与加热器电源58-1连接。滤波器单元54-2经由配线52-2来与加热器40-2连接，并经由配线56-2来与加热器电源58-2连接。

滤波器单元54-1和滤波器单元54-2例如图3A和图3B所示那样具有金属壳体540、线圈541a、线圈541b、线圈541c、线圈541d、电容器542a以及电容器542b。此外，以下，在将线圈541a、线圈541b、线圈541c以及线圈541d的各线圈不加以区别地进行统称的情况下，记载为线圈541。另外，在将电容器542a和电容器542b的各电容器不加以区别地进行统称的情况下，记载为电容器542。多个线圈541和多个电容器542收容于金属壳体540内，金属壳体540接地。

在图3A和图3B的例子中，在金属壳体540内收容四个线圈541和两个电容器542。线圈541a和线圈541b串联连接于金属壳体540内的一方的配线，线圈541c和线圈541d串联连接于金属壳体540内的另一方的配线。在本实施方式中，串联连接的线圈541a和线圈541b构成不等间距的(间距不均匀的)线圈。此外，串联连接的线圈541a和线圈541b也可以由等间距的一个线圈构成。另外，电容器542a连接于金属壳体540内的一方的配线与金属壳体540之间，电容器542b连接于金属壳体540内的另一方的配线与金属壳体540之间。此外，串联连接于金属壳体540内的各个配线的线圈的数量也可以为三个以上。另外，连接于金属壳体540内的各个配线与金属壳体540之间的电容器的数量也可以为两个以上。

在金属壳体540内的一方的配线上串联连接的线圈541a和线圈541b以及电容器542a构成LC滤波器。另外，在金属壳体540内的另一方的配线上串联连接的线圈541c和线圈541d以及电容器542b构成LC滤波器。这些LC滤波器使经由加热器40流入的规定频率的电力衰减。此外，在金属壳体540的配线间、以及金属壳体540内的各个配线与金属壳体540之间分别存在寄生电容543。因而，滤波器单元54的频率特性为由多个线圈541、多个电容器542以及寄生电容543构成的电路的频率特性。

例如，当将两个线圈541的合成电感设为L_t、将电容器542与寄生电容543的合成电容设为C_t时，金属壳体540内的各个配线上的LC滤波器的谐振频率f例如表示为下述的式(1)。

【数式1】

另外，一般来说，当将电极间的距离设为d、将电极的面积设为S、将电极间的介质的介电常数设为ε时，电容器的电容C例如表示为下述的式(2)。

【数式2】

在此，伴随等离子体蚀刻装置1的小型化，有时配置各个滤波器单元54的部位的形状、大小受到限制。由此，有时难以使多个金属壳体540的大小相同。因此，例如图3A和图3B所示，根据配置的部位而存在能够使用如滤波器单元54-1那样比较大的金属壳体540的情况、不得不使用如滤波器单元54-2那样比较小的金属壳体540的情况。

当改变金属壳体540的形状、大小时，配线、线圈541与金属壳体540之间的距离发生变化。在将配线、线圈541和金属壳体540视作电极的情况下，根据上述的式(2)，配线、线圈541与金属壳体540之间的寄生电容543的电容C_s取决于配线、线圈541与金属壳体540之间的距离d_s。因此，在金属壳体540的形状、大小发生了变化的情况下，即使使多个滤波器单元54中的线圈541的常数与电容器542的常数一致，在寄生电容543的电容C_s的值不同的情况下，LC滤波器的频率特性也不同。

具体地说，由于寄生电容543的电容C_s不同，因此滤波器单元54的合计的电容C_t的值不同。当滤波器单元54的合计的电容C_t的值不同时，在上述的式(1)中，谐振频率f不同。图4是表示滤波器单元54-1和滤波器单元54-2的阻抗的频率特性的一例的图。例如图4所示，配线、线圈541与金属壳体540之间的距离d_s长的滤波器单元54-1的谐振频率f₁高于距离d_s短的滤波器单元54-2的谐振频率f₂。

由此，谐振频率f偏离由高频电源28施加于基座12的高频电力的频率f₀，从而难以使流入加热器电源58的高频电力充分地衰减。另外，在多个滤波器单元54中，由于金属壳体540的形状、大小不同而使谐振频率f偏离，因此各个滤波器单元54中的高频电力的衰减量之差变大。由此，等离子体的分布的均匀性变低，等离子体处理的精度下降。

因此，在本实施方式中，通过调整各个滤波器单元54的电容，来减小多个滤波器单元54的频率特性之差。例如，针对寄生电容543的值低的滤波器单元54，使配线、线圈541与金属壳体540之间的电容增加。由此，能够使等离子体的分布的均匀性提高，从而能够使等离子体处理的精度提高。

例如图5所示，通过在滤波器单元54中安装电容构件545，来使配线、线圈541与金属壳体540之间的电容增加。图5是表示安装有电容构件545的滤波器单元54的一例的框图。此外，在图5的例子中，在金属壳体540内的配线52上安装电容构件545，但公开的技术不限于此，也可以在金属壳体540的外部的配线52上安装电容构件545。

图6是表示金属壳体540、电容构件545以及配线52的一例的分解立体图。金属壳体540被分割为分割壳体5400和分割壳体5401。另外，电容构件545为块状的电介质，被分割为分割构件5450和分割构件5451。在分割构件5450和分割构件5451中分别形成有用于配置配线52的槽5452。

在各个槽5452中配置配线52，分割构件5450与分割构件5451以将配线52夹在中间的方式重合。而且，分割壳体5400与分割壳体5401以将夹着配线52的电容构件545夹在中间的方式重合。由此，例如图7所示，电容构件545收容于滤波器单元54的内部。像这样，通过以覆盖配线52的方式安装电容构件545，能够容易地进行电容构件545的安装和拆卸。此外，也可以通过在电容构件545中设置贯通口，并在该贯通口中贯穿配线52，来将电容构件545安装在配线52上。

电容构件545例如由PCTFE(Poly Chloro Tri Furuoro Ethylene：聚三氟氯乙烯)、PEEK(Poly Ether Ether Ketone：聚醚醚酮)、或PPS(Poly Phenylene Sulfide：聚苯硫醚)等形成。

任意的电介质的介电常数ε使用真空中的介电常数ε₀和以真空中的介电常数ε₀为基准的相对介电常数ε_r来表示为ε＝ε₀ε_r。空气的相对介电常数ε_r约为1。PCTFE的相对介电常数ε_r约为2.6。PEEK的相对介电常数ε_r约为3.2。PPS的相对介电常数ε_r约为3.6。如上述的式(2)所示，如果在电极间存在介电常数ε不同的介质，则能够变更电容C的值。

在金属壳体540比较小的滤波器单元54中，配线、线圈541与金属壳体540之间的距离短，因此寄生电容543的电容C_s大，谐振频率f低。另一方面，在金属壳体540比较大的滤波器单元54中，配线、线圈541与金属壳体540之间的距离长，因此寄生电容543的电容C_s小，谐振频率f高。因此，在金属壳体540比较大的滤波器单元54中，通过安装介电常数ε大于空气的介电常数的材质的电容构件545，能够增大配线、线圈541与金属壳体540之间的电容C。由此，能够降低谐振频率f。因而，能够减小多个滤波器单元54间的谐振频率f之差。

另外，通过调整电容构件545的形状、大小，能够调整电容构件545与金属壳体540之间的间隙的大小。当变更电容构件545与金属壳体540之间的间隙时，上述的式(2)所示的距离d变更，从而配线、线圈541与金属壳体540之间的电容C变化。由此，能够变更滤波器单元54的谐振频率f。

例如，在金属壳体540比较大的滤波器单元54中，当在滤波器单元54中安装电容构件545时，电容构件545与金属壳体540之间的间隙变小。当电容构件545与金属壳体540之间的间隙变小时，上述的式(2)所示的距离d变小。当距离d变小时，配线、线圈541与金属壳体540之间的电容C变大，能够降低谐振频率f。像这样，通过调整电容构件545的形状、大小，也能够减小多个滤波器单元54间的谐振频率f之差。

[滤波器单元54的调整方法]

图8是表示本公开的第一实施方式中的滤波器单元54的调整方法的一例的流程图。关于本流程图所示的调整方法，例如在组装等离子体蚀刻装置1时进行，但也可以在组装等离子体蚀刻装置1之后也定期地进行。

首先，在多个滤波器单元54中，指定作为基准的滤波器单元54(S10)。例如，将线圈541与金属壳体540之间的间隙最窄的滤波器单元54指定为作为基准的滤波器单元54。而且，例如使用网络分析器等来在第一频率附近测定作为基准的滤波器单元54的频率特性(S11)。步骤S11为第一测定工序的一例。

接着，在除作为基准的滤波器单元54以外的多个滤波器单元54中，选择一个未选择的滤波器单元54(S12)。在步骤S12中选择出的滤波器单元54相比于作为基准的滤波器单元54而言，线圈541与金属壳体540之间的间隙大。而且，例如使用网络分析器等来在第一频率附近测定在步骤S12中选择出的滤波器单元54的频率特性(S13)。

接着，判定在步骤S12中选择出的滤波器单元54的频率特性是否满足容许条件(S14)。例如，在作为基准的滤波器单元54的谐振频率f与在步骤S12中选择出的滤波器单元54的谐振频率f之差小于规定值的情况下，判定为满足容许条件。规定值例如为数十kHz。

此外，根据线圈541的构造，有时在谐振频率附近阻抗剧烈地变化。在这种构造的线圈541中，即使在谐振频率的偏离少的情况下，阻抗的变化也大。因此，在这种构造的线圈541中，规定值例如为数kHz等，优选为更小的值。另外，在谐振频率附近阻抗的变化平缓的构造的线圈541中，即使谐振频率稍微偏离，阻抗也不那么大幅度地变化。因此，在这种构造的线圈541中，规定值例如为数百kHz等，也可以为更大的值。另外，多个滤波器单元54的高频电力的衰减量之差小即可，因此多个滤波器单元54的谐振频率f可以未必一致。

在步骤S12中选择出的滤波器单元54的频率特性满足容许条件的情况下(S14：“是”)，判定是否选择了除作为基准的滤波器单元54的多个滤波器单元54中的全部的滤波器单元54(S19)。在存在未选择的滤波器单元54的情况下(S19：“否”)，再次执行步骤S12所示的处理。另一方面，在选择了全部的滤波器单元54的情况下(S19：“是”)，结束本流程图所示的滤波器单元54的调整方法。

另一方面，在步骤S12中选择出的滤波器单元54的频率特性不满足容许条件的情况下(S14：“否”)，在滤波器单元54中安装用于调整滤波器单元54内的配线的电容的电容构件545(S15)。步骤S15为安装工序的一例。而且，例如使用网络分析器等来在第一频率附近测定安装有电容构件545的滤波器单元54的频率特性(S16)。步骤S16为第二测定工序的一例。

接着，判定安装有电容构件545的滤波器单元54的频率特性是否满足容许条件(S17)。在安装有电容构件545的滤波器单元54的频率特性满足容许条件的情况下(S17：“是”)，执行步骤S19所示的处理。

另一方面，在安装有电容构件545的滤波器单元54的频率特性不满足容许条件的情况下(S17：“否”)，调整利用电容构件545附加的电容(S18)。步骤S11为单独调整工序的一例。关于附加的电容的调整，例如通过将电容构件545更换为介电常数ε不同的电容构件545或者变更电容构件545的形状、大小来进行。然后，再次执行步骤S13所示的处理。步骤S13～S18为调整工序的一例。

以上对第一实施方式进行了说明。本实施方式中的滤波器单元54的调整方法为等离子体蚀刻装置1中的滤波器单元54的调整方法，包括第一测定工序和调整工序。等离子体蚀刻装置1具备：多个加热器40，所述多个加热器40设置于利用所生成的等离子体对被处理体进行处理的腔室10内；以及加热器电源58，其设置于腔室10的外部，经由包括线圈541的滤波器单元54来与各个加热器40连接。各个滤波器单元54被金属壳体540覆盖。在第一测定工序中，测定多个滤波器单元54中的作为基准的滤波器单元54的频率特性。在调整工序中，针对多个滤波器单元54中的除作为基准的滤波器单元54以外的各个滤波器单元54，调整滤波器单元54的频率特性。另外，在调整工序中包括安装工序、第二测定工序以及单独调整工序。在安装工序中，安装用于调整滤波器单元54内的配线的电容的电容构件545。在第二测定工序中，测定安装有电容构件545的滤波器单元54的频率特性。在单独调整工序中，调整电容构件545的电容，使得安装有电容构件545的滤波器单元54的频率特性接近作为基准的滤波器单元54的频率特性。由此，能够减小针对各个加热器40设置的滤波器单元54的频率特性的偏差。

另外，在上述的实施方式中，作为基准的滤波器单元54为多个滤波器单元54中的、线圈541与金属壳体540之间的间隙最窄的滤波器单元54。通过在除作为基准的滤波器单元54以外的滤波器单元54中安装介电常数ε高于空气的介电常数的电容构件545，能够使该滤波器单元54的频率特性接近作为基准的滤波器单元54的频率特性。

另外，在上述的实施方式中，电容构件545为覆盖滤波器单元54内的配线的电介质。由此，能够容易地对滤波器单元54进行电容构件545的安装和拆卸。

另外，在上述的实施方式中的单独调整工序中，通过变更电容构件545的材质、形状以及大小中的至少任一者，能够调整电容构件545的电容。由此，能够使安装有电容构件545的滤波器单元54的频率特性接近作为基准的滤波器单元54的频率特性。

另外，在上述的实施方式中，电性构件为设置于用于载置半导体晶圆W的静电卡盘38内的加热器40。由此，滤波器单元54能够减少经由加热器40流入加热器电源58的高频电力。

(第二实施方式)

[等离子体蚀刻装置1的结构]

图9是表示本公开的第二实施方式中的等离子体蚀刻装置1的一例的概要截面图。此外，除了以下说明的点以外，在图9中标注有与图1相同的标记的结构具有与图1中的结构相同或同样的功能，因此省略说明。在本实施方式中的等离子体蚀刻装置1中，基座12经由供电棒34和匹配单元32来与高频电源28和高频电源30连接。

高频电源30将主要对针对基座12上的半导体晶圆W的离子的吸引做贡献的第二频率(例如13MHz以下)的高频电力经由匹配单元32和供电棒34供给至基座12。匹配单元32还用于在高频电源30与等离子体负载之间取得阻抗的匹配。

[滤波器单元54的详细内容]

图10是表示本公开的第二实施方式中的滤波器单元54的一例的框图。本实施方式中的滤波器单元54具有第一单元54A和第二单元54B。在本实施方式中，第一单元54A使经由加热器40流入加热器电源58的高频电力中的第一频率的分量衰减。另外，第二单元54B使经由加热器40流入加热器电源58的高频电力中的第二频率的分量衰减。由此，本实施方式中的滤波器单元54能够使经由加热器40流入加热器电源58的高频电力中的第一频率及第二频率的分量衰减。此外，作为其它方式，也可以是，第一单元54A使高频电力中的第二频率的分量衰减，第二单元54B使高频电力中的第一频率的分量衰减。

第一单元54A经由配线52来与加热器40连接，并经由被绝缘体覆盖的配线53来与第二单元54B连接。另外，第二单元54B经由配线53来与第一单元54A连接，并经由配线56来与加热器电源58连接。

第一单元54A具有金属壳体540A、线圈541a-1、线圈541b-1、线圈541c-1、线圈541d-1、电容器542a-1以及电容器542b-1。此外，以下，在将线圈541a-1、线圈541b-1、线圈541c-1以及线圈541d-1的各线圈不加以区别地进行统称的情况下，记载为线圈541-1。另外，在将电容器542a-1和电容器542b-1的各电容器不加以区别地进行统称的情况下，记载为电容器542-1。多个线圈541-1和多个电容器542-1收容于金属壳体540A内，金属壳体540A接地。在金属壳体540A内的各个配线间、以及金属壳体540A内的各个配线与金属壳体540A之间存在寄生电容543-1。

第二单元54B具有金属壳体540B、线圈541b-2、线圈541b-2、线圈541c-2、线圈541d-2、电容器542a-2以及电容器542b-2。此外，以下，在将线圈541a-2、线圈541b-2、线圈541c-2以及线圈541d-2的各线圈不加以区别地进行统称的情况下，记载为线圈541-2。另外，在将电容器542a-2和电容器542b-2的各电容器不加以区别地进行统称的情况下，记载为电容器542-2。多个线圈541-2和多个电容器542-2收容于金属壳体540B内，金属壳体540B接地。在金属壳体540B内的各个配线间、以及金属壳体540B内的各个配线与金属壳体540B之间存在寄生电容543-2。

在此，伴随等离子体蚀刻装置1的小型化，有时难以使多个滤波器单元54的第一单元54A中的金属壳体540A的大小一致。在多个滤波器单元54的第一单元54A中，当寄生电容543-1不同时，有时第一单元54A的频率特性不同。因此，在本实施方式中，例如图11所示，在除作为基准的滤波器单元54以外的滤波器单元54的第一单元54A中安装电容构件545a。由此，能够在第一频率附近使安装有电容构件545a的滤波器单元54的频率特性接近作为基准的滤波器单元54的频率特性。

此外，在图11的例子中，在金属壳体540A内的配线52上安装电容构件545a，但公开的技术不限于此，也可以在金属壳体540A的外部的配线52上安装电容构件545a。

多个滤波器单元54的第二单元54B也同样地，当第二单元54B中的寄生电容543-2不同时，关于多个滤波器单元54的第二单元54B，有时第二单元54B的频率特性不同。因此，在本实施方式中，例如图11所示，在与除作为基准的滤波器单元54以外的滤波器单元54的第二单元54B连接的第一单元54A内的配线53上安装电容构件545b。由此，能够在第二频率附近使安装有电容构件545b的滤波单元54的频率特性接近作为基准的滤波器单元54的频率特性。

此外，在图11的例子中，在金属壳体540A内的配线53上安装电容构件545b，但公开的技术不限于此。电容构件545b例如也可以安装于金属壳体540A与金属壳体540B之间的配线53上，还可以安装于金属壳体540B内的配线53上。

[滤波器单元54的调整方法]

图12是表示本公开的第二实施方式中的滤波器单元54的调整方法的一例的流程图。关于本流程图所示的调整方法，例如在组装等离子体蚀刻装置1时进行，也可以在组装等离子体蚀刻装置1之后也定期地进行。

首先，调整第一频率附近的多个滤波器单元54的第一单元54A的频率特性(S20)。在步骤S20中，针对多个滤波器单元54的第一单元54A，进行与图8所示的滤波器单元54的调整方法同样的处理。以下，参照图8来说明步骤S20的处理的详细内容。

首先，在多个滤波器单元54的第一单元54A中，指定作为基准的第一单元54A(S10)。例如，将线圈541与金属壳体540A之间的间隙最窄的第一单元54A指定为作为基准的第一单元54A。而且，例如使用网络分析器等来在第一频率附近测定包括作为基准的第一单元54A的滤波器单元54的频率特性(S11)。

接着，在除作为基准的第一单元54A以外的多个第一单元54A中，选择一个未选择的第一单元54A(S12)。在步骤S12中选择出的第一单元54A相比于作为基准的第一单元54A而言，线圈541-1与金属壳体540A之间的间隙大。而且，例如使用网络分析器等来在第一频率附近测定包括在步骤S12中选择出的第一单元54A的滤波器单元54的频率特性(S13)。

接着，判定包括在步骤S12中选择出的第一单元54A的滤波器单元54的频率特性是否满足容许条件(S14)。例如，在包括作为基准的第一单元54A的滤波器单元54的谐振频率f与包括在步骤S12中选择出的第一单元54A的滤波器单元54的谐振频率f之差小于规定值的情况下，判定为满足容许条件。规定值例如为数十kHz。

在包括在步骤S12中选择出的第一单元54A的滤波器单元54的频率特性满足容许条件的情况下(S14：“是”)，判定是否选择了全部的第一单元54A(S19)。在存在未选择的第一单元54A的情况下(S19：“否”)，再次执行步骤S12所示的处理。另一方面，在选择了全部的第一单元54A的情况下(S19：“是”)，结束步骤S20所示的第一单元54A的调整方法。

另一方面，在包括在步骤S12中选择出的第一单元54A的滤波器单元54的频率特性不满足容许条件的情况下(S14：“否”)，在第一单元54A中安装电容构件545a(S15)。然后，例如使用网络分析器等来在第一频率附近测定包括安装有电容构件545a的第一单元54A的滤波器单元54的频率特性(S16)。

接着，判定包括安装有电容构件545a的第一单元54A的滤波器单元54的频率特性是否满足容许条件(S17)。在包括安装有电容构件545a的第一单元54A的滤波器单元54的频率特性满足容许条件的情况下(S17：“是”)，执行步骤S19所示的处理。

另一方面，在包括安装有电容构件545a的第一单元54A的滤波器单元54的频率特性不满足容许条件的情况下(S17：“否”)，调整利用电容构件545a附加的电容(S18)。关于附加的电容的调整，例如通过将电容构件545a更换为介电常数ε不同的电容构件545a或者变更电容构件545a的形状、大小来进行。然后，再次执行步骤S13所示的处理。

接着，调整第二频率附近的多个滤波器单元54的第二单元54B的频率特性(S30)。在步骤S30中，针对多个滤波器单元54的第二单元54B，进行与图8所示的滤波器单元54的调整方法同样的处理。以下，参照图8来说明步骤S30的处理的详细内容。

首先，在多个滤波器单元54的第二单元54B中，决定作为基准的第二单元54B(S10)。例如，将线圈541-2与金属壳体540B之间的间隙最窄的第二单元54B指定为作为基准的第二单元54B。而且，例如使用网络分析器等来在第二频率附近测定包括作为基准的第二单元54B的滤波器单元54的频率特性(S11)。

接着，在除作为基准的第二单元54B以外的多个第二单元54B中，选择一个未选择的第二单元54B(S12)。在步骤S12中选择出的第二单元54B相比于作为基准的第二单元54B而言，线圈541-2与金属壳体540B之间的间隙大。而且，例如使用网络分析器等来在第二频率附近测定包括在步骤S12中选择出的第二单元54B的滤波器单元54的频率特性(S13)。

接着，判定包括在步骤S12中选择出的第二单元54B的滤波器单元54的频率特性是否满足容许条件(S14)。例如，在包括作为基准的第二单元54B的滤波器单元54的谐振频率f与包括在步骤S12中选择出的第二单元54B的滤波器单元54的谐振频率f之差小于规定值的情况下，判定为满足容许条件。规定值例如为数十kHz。

在包括在步骤S12中选择出的第二单元54B的滤波器单元54的频率特性满足容许条件的情况下(S14：“是”)，判定是否选择了全部的第二单元54B(S19)。在存在未选择的第二单元54B的情况下(S19：“否”)，再次执行步骤S12所示的处理。另一方面，在选择了全部的第二单元54B的情况下(S19：“是”)，结束本流程图所示的滤波器单元54的调整方法。

另一方面，在包括在步骤S12中选择出的第二单元54B的滤波器单元54的频率特性不满足容许条件的情况下(S14：“否”)，在与第二单元54B连接的第一单元54A中安装电容构件545b(S15)。然后，例如使用网络分析器等来在第二频率附近测定包括安装有电容构件545b的第一单元54A的滤波器单元54的频率特性(S16)。

接着，判定包括安装有电容构件545b的第一单元54A的滤波器单元54的频率特性是否满足容许条件(S17)。在包括安装有电容构件545b的第一单元54A的滤波器单元54的频率特性满足容许条件的情况下(S17：“是”)，执行步骤S19所示的处理。

另一方面，在包括安装有电容构件545b的第一单元54A的滤波器单元54的频率特性不满足容许条件的情况下(S17：“否”)，调整利用电容构件545b附加的电容(S18)。关于附加的电容的调整，例如通过将电容构件545b更换为介电常数ε不同的电容构件545b或者变更电容构件545b的形状、大小来进行。然后，再次执行步骤S13所示的处理。

以上对第二实施方式进行了说明。本实施方式中的滤波器单元54具有第一单元54A和第二单元54B。第一单元54A连接于加热器40，用于使从加热器40流向加热器电源58的高频电力中的第一频率分量衰减。第二单元54B连接于第一单元54a与加热器电源58之间，用于使高频电力中的与第一频率分量不同的第二频率分量衰减。由此，能够抑制包括第一频率分量和第二频率分量的高频电力从加热器40流入加热器电源58。

[其它]

此外，本申请所公开的技术不限定为上述的实施方式，在其主旨的范围内能够进行各种变形。

例如，在上述的第一实施方式中，通过变更以覆盖配线52的方式安装的电容构件545的材质等，能够将除作为基准的滤波器单元54以外的滤波器单元54的频率特性调整成接近作为基准的滤波器单元54的频率特性。但是，公开的技术不限于此。例如，作为其它方式，也可以在金属壳体540内的各个配线间、以及金属壳体540内的各个配线与金属壳体540之间连接其电容能够连续地变更的可变电容电容器。而且，连续地变更可变电容电容器的电容，使得在第一高频电力的频率附近除作为基准的滤波器单元54以外的滤波器单元54的频率特性接近作为基准的滤波器单元54的频率特性。

另外，在上述的第二实施方式中也同样地，可以在金属壳体540内的各个配线间、以及金属壳体540内的各个配线与金属壳体540之间连接可变电容电容器。而且，连续地变更可变电容电容器的电容，使得在第二高频电力的频率附近除作为基准的滤波器单元54以外的滤波器单元54的频率特性接近作为基准的滤波器单元54的频率特性。这样也能够减小针对各个加热器40设置的滤波器单元54的频率特性的偏差。

在上述的各实施方式中，作为电性构件的一例，说明了加热器40，但公开的技术不限于此。电性构件只要是设置于腔室10内并且经由滤波器单元54来与设置于腔室10的外部的外部电路连接的构件，则也可以为加热器40以外的构件。作为加热器40以外的构件，例如举出设置于静电卡盘38内的电极44、设置于腔室10内的各种传感器(温度传感器、压力传感器等)等。

另外，在上述的各实施方式中，作为等离子体处理装置，以等离子体蚀刻装置1为例进行了说明，但公开的技术不限于此。只要是使用等离子体来进行处理的装置，则针对例如成膜装置、清洗装置、或改性装置等，也能够应用公开的技术。

另外，在上述的各实施方式的等离子体蚀刻装置1中，作为等离子体源的一例，使用了电容耦合型等离子体(CCP)，但公开的技术不限于此。作为等离子体源，例如也可以使用电感耦合等离子体(ICP)、微波激励表面波等离子体(SWP)、电子回旋共振等离子体(ECP)以及螺旋波激励等离子体(HWP)等。

此外，应认为本次公开的实施方式在所有方面是例示，而非限制性的。实际上，上述的实施方式能够以多种多样的方式来实现。另外，上述的实施方式可以在不脱离权利要求书及其主旨的情况下以各种各样的方式进行省略、置换、变更。

Claims (7)

1.一种滤波器单元的调整方法，是等离子体处理装置中的滤波器单元的调整方法，所述等离子体处理装置具备：多个电性构件，所述多个电性构件设置于利用所生成的等离子体对被处理体进行处理的腔室内；以及外部电路，其设置于所述腔室的外部，所述外部电路经由包括线圈的滤波器单元来与各个所述电性构件连接，其中，各个所述滤波器单元被金属壳体覆盖，

所述滤波器单元的调整方法包括：

第一测定工序，测定多个所述滤波器单元中的作为基准的滤波器单元的频率特性；以及

调整工序，针对多个所述滤波器单元中的除所述作为基准的滤波器单元以外的各个所述滤波器单元，调整所述滤波器单元的频率特性，

其中，所述调整工序包括：

安装工序，安装用于调整所述滤波器单元内的配线的电容的电容构件；

第二测定工序，测定安装有所述电容构件的所述滤波器单元的频率特性；以及

单独调整工序，调整所述电容构件的电容，使得安装有所述电容构件的所述滤波器单元的频率特性接近所述作为基准的滤波器单元的频率特性。

2.根据权利要求1所述的滤波器单元的调整方法，其特征在于，

所述作为基准的滤波器单元为多个所述滤波器单元中的、所述线圈与所述金属壳体之间的间隙最窄的滤波器单元。

3.根据权利要求1或2所述的滤波器单元的调整方法，其特征在于，

所述电容构件为覆盖所述滤波器单元内的配线的电介质。

4.根据权利要求3所述的滤波器单元的调整方法，其特征在于，

在所述单独调整工序中，通过变更所述电容构件的材质、形状以及大小中的至少任一者，来调整所述电容构件的电容。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的滤波器单元的调整方法，其特征在于，

所述滤波器单元具有：

第一单元，其与所述电性构件连接，用于使从所述电性构件流向所述外部电路的高频电力中的第一频率分量衰减；以及

第二单元，其连接于所述第一单元与所述外部电路之间，用于使所述高频电力中的与所述第一频率分量不同的第二频率分量衰减，

所述电容构件安装于所述电性构件与所述第一单元之间的位置、以及所述第一单元与所述第二单元之间的位置中的至少任一方的位置。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的滤波器单元的调整方法，其特征在于，

所述电性构件为设置于用于载置所述被处理体的载置台内的加热器。

7.一种等离子体处理装置，具备：

腔室，在该腔室内生成等离子体，并利用等离子体对被处理体进行处理；

多个电性构件，所述多个电性构件设置于所述腔室内；

外部电路，其设置于所述腔室的外部，并与各个所述电性构件连接；

多个滤波器单元，各个所述滤波器单元设置于将各个所述电性构件与所述外部电路连接的线路上，各个所述滤波器单元包括线圈；

金属壳体，其覆盖各个所述滤波器单元；以及

多个电容构件，所述多个电容构件安装于所述多个滤波器单元中的除作为基准的滤波器单元以外的其它所述滤波器单元，所述多个电容构件用于调整其它所述滤波器单元的电容，使得相应滤波器单元的频率特性接近所述作为基准的滤波器单元的频率特性。

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