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CN110431743A - 弹性波装置、弹性波装置封装件、高频前端电路及通信装置 - Google Patents

弹性波装置、弹性波装置封装件、高频前端电路及通信装置 Download PDF

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CN110431743A
CN110431743A CN201880016602.2A CN201880016602A CN110431743A CN 110431743 A CN110431743 A CN 110431743A CN 201880016602 A CN201880016602 A CN 201880016602A CN 110431743 A CN110431743 A CN 110431743A
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

提供一种能够抑制在压电体传播的第一高次模式的响应的弹性波装置。弹性波装置(1)在由硅构成的支承基板(2)上层叠有氧化硅膜(3)、压电体(4)及IDT电极(5)。当将由IDT电极(5)的电极指间距决定的波长设为λ时，支承基板(2)的厚度为3λ以上。在压电体(4)传播的第一高次模式的声速与由从下述的式(2)导出的x的解V1、V2、V3中的V1规定的、在支承基板内传播的体波的声速VSi＝(V1)1/2相同、或者与Vsi相比为高速。Ax3+Bx2+Cx+D＝0…式(2)。

Description

弹性波装置、弹性波装置封装件、高频前端电路及通信装置
技术领域
本发明涉及在由硅构成的支承基板上设置有压电体的弹性波装置。
背景技术
以往，提出了各种使用由硅构成的支承基板的弹性波装置。
在下述的专利文献1中，公开了在硅制的支承基板上层叠有机粘合层和压电基板而成的弹性波装置。而且，通过在硅的(111)面接合来提高耐热性
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平2010-187373号公报
发明内容
发明要解决的课题
在专利文献1所记载的弹性波装置中，根据由硅构成的支承基板的晶体取向，在支承基板传播的体波的声速有时高于在压电体传播的高次模式的声速。在该情况下，存在如下问题：应泄漏到支承基板侧的高次模式有时被封闭到比支承基板靠上层的位置，导致高次模式的响应变大。
而且，在上述高次模式是频率比在压电体传播的主模式高且频率最接近主模式的响应的第一高次模式的情况下，第一高次模式处于接近主模式的响应的位置，因此，可能对滤波器特性造成不良影响。
而且，这里所说的主模式是指如下的波的模式：在弹性波装置为带通型滤波器用的谐振器的情况下，在滤波器的通带内存在谐振频率及反谐振频率中的至少一方，并且，谐振频率下的阻抗与反谐振频率下的阻抗之差最大。另外，在弹性波装置为滤波器的情况下，是为了形成滤波器的通带而使用的波的模式。
本发明的目的在于，提供一种能够抑制在压电体传播的上述第一高次模式的响应的弹性波装置、弹性波装置封装件、高频前端电路及通信装置。
用于解决课题的手段
本发明是一种弹性波装置，具备：支承基板，其由硅构成；氧化硅膜，其设置在所述支承基板上；压电体，其设置在所述氧化硅膜上；以及IDT电极，其设置在所述压电体的一个主面上，当将由所述IDT电极的电极指间距决定的波长设为λ时，所述支承基板的厚度为3λ以上，在所述压电体传播的第一高次模式的声速与在所述支承基板内传播的体波的声速即下述的式(1)的声速VSi相同，或者与所述声速VSi相比为高速。
在本发明中，声速VSi由以下的式(1)表示。
VSi＝(V1)1/2(m/秒)...式(1)
式(1)中的所述V1是下述的式(2)的解。
Ax3+Bx2+Cx+D＝0...式(2)
在式(2)中，A、B、C及D分别是由下述的式(2A)～(2D)表示的值。
A＝-ρ3...式(2A)
B＝ρ2(L11+L22+L33)...式(2B)
C＝ρ(L21 2+L23 2+L31 2-L11·L33-L22·L33-L11·L22)...式(2C)
D＝2·L21·L23·L31+L11·L22·L33-L31 2·L22-L11·L23 2-L21 2·L33...式(2D)
其中，在式(2A)、式(2B)、式(2C)或式(2D)中，ρ＝2.331(g/cm3)，另外，L11、L22、L33、L21、L31及L23是由下述的式(3A)～(3F)表示的值。
L11＝c11·a1 2+c44·a2 2+c44·a3 2...式(3A)
L22＝c44·a1 2+c11·a2 2+c44·a3 2...式(3B)
L33＝c44·a1 2+c44·a2 2+c11·a3 2...式(3C)
L21＝(c12+c44)·a2·a1...式(3D)
L31＝(c12+c44)·a1·a3...式(3E)
L23＝(c44+c12)·a3·a2...式(3F)
其中，在式(3A)～(3F)中，c11、c12、c44分别是c11＝1.674E+11(N/m2)、c12＝6.523E+10(N/m2)、c44＝7.957E+10(N/m2)。另外，a1、a2及a3是由下述的式(4A)～(4C)表示的值。
a3＝sin(θ)·sin(ψ) ...式(4C)
而且，式(4A)～(4C)中的θ及ψ是所述支承基板的晶体取向中的
在本发明的弹性波装置的某一特定方案中，所述支承基板的厚度为20λ以上。在该情况下，通过支承基板的厚度为20λ以上，还能够进一步抑制频率高的第二高次模式的响应。
在本发明的弹性波装置的另一特定方案中，所述氧化硅膜的膜厚是下述的表1所示的范围内的任一范围。在该情况下，能够抑制第二高次模式。
[表1]
SiO<sub>2</sub>膜厚范围 硅的声速V<sub>Si</sub>
0.00λ＜SiO<sub>2</sub>≤0.40λ 5500m/s以下
0.40λ＜SiO<sub>2</sub>≤0.64λ 5300m/s以下
0.64λ＜SiO<sub>2</sub>≤0.84λ 5100m/s以下
0.84λ＜SiO<sub>2</sub>≤1.04λ 4900m/s以下
1.04λ＜SiO<sub>2</sub>≤1.20λ 4700m/s以下
在本发明的弹性波装置的又一特定方案中，所述氧化硅膜的膜厚是下述的表2所示的范围内的任一范围。在该情况下，能够更进一步抑制第一高次模式。
[表2]
SiO<sub>2</sub>膜厚范围 硅的声速V<sub>Si</sub>
0.00λ＜SiO<sub>2</sub>≤0.12λ 5300m/s以下
0.12λ＜SiO<sub>2</sub>≤0.34λ 5100m/s以下
0.34λ＜SiO<sub>2</sub>≤0.44λ 4900m/s以下
0.44λ＜SiO<sub>2</sub>≤0.54λ 4700m/s以下
在本发明的弹性波装置的另一特定方案中，所述式(1)中的所述V1是所述式(2)的解V1、V2、V3中的最小值。在该情况下，能够更进一步有效地抑制高次模式的响应。
在本发明的弹性波装置中，优选的是，所述支承基板的所述声速VSi为4700m/秒以下。在该情况下，在氧化硅膜的膜厚为1.20λ以下的范围内，能够减小高次模式的响应。
在本发明的弹性波装置的另一特定方案中，所述支承基板的厚度为180μm以下。在该情况下，能够提高散热性，并且能够实现低背化。
在本发明的弹性波装置的另一特定方案中，所述压电体的膜厚为3.5λ以下。在该情况下，能够提高弹性波的能量集中度，能够降低损失。
在本发明的弹性波装置的另一特定方案中，所述压电体的膜厚为2.5λ以下。在该情况下，能够减小设备的频率温度系数(TCF)的绝对值。
在本发明的弹性波装置的又一特定方案中，所述压电体的膜厚为1.5λ以下。在该情况下，能够容易地调整机电耦合系数。
在本发明的弹性波装置的另一特定方案中，所述压电体的膜厚为0.5λ以下。在该情况下，通过将压电体的膜厚设为0.5λ以下，能够在较宽的范围内容易地调整机电耦合系数。
在本发明的弹性波装置的另一特定方案中，所述压电体由LiTaO3构成。
在本发明的弹性波装置的又一特定方案中，在所述氧化硅膜传播的体波的声速比在所述压电体传播的弹性波的声速慢。在该情况下，能够更进一步有效地使高次模式泄漏到氧化硅膜侧。
在本发明的弹性波装置的又一特定方案中，在所述支承基板传播的体波的声速比在所述压电体传播的弹性波的声速快。
在本发明的弹性波装置的又一特定方案中，在所述氧化硅膜与所述支承基板之间还具备高声速材料层，在该高声速材料层传播的体波的声速比在所述压电体传播的弹性波的声速快。在该情况下，能够更进一步有效地抑制高次模式的响应。
在本发明的弹性波装置的又一特定方案中，所述弹性波装置还具备设置在所述压电体与所述IDT电极之间的电介质层。
在本发明的弹性波装置的又一特定方案中，所述电介质层由氧化硅或五氧化钽构成。尤其是在为氧化硅的情况下，具有正温度特性(当提高温度时频率提高的方向)，因此，能够改善频率温度特性。
在本发明的弹性波装置的另一特定方案中，所述弹性波装置还具备：支承层，其包围所述IDT电极；盖构件，其覆盖所述支承层，且构成包围所述IDT电极的中空空间；以及多个金属凸起，其设置在所述盖构件上，且与所述IDT电极电连接。在该情况下，能够提供具有WLP构造的本发明的弹性波装置。
在本发明的弹性波装置的又一特定方案中，所述弹性波装置还具备：支承层，其包围所述IDT电极；以及盖构件，其覆盖所述支承层，且构成包围所述IDT电极的中空空间，在所述支承基板上设置有贯通电极和端子电极，该贯通电极贯穿所述支承基板，该端子电极与所述贯通电极电连接，且设置在所述支承基板的与设置有所述IDT电极的一侧为相反侧的面，所述贯通电极与所述IDT电极及所述端子电极电连接。在该情况下，通过在支承基板中的与设置有IDT电极的一侧为相反侧的面设置端子电极，与在盖构件侧设置端子电极的情况相比，能够实现小型化。
本发明的弹性波装置封装件具备：壳体基板，其在一个面设置有多个电极连接盘；以及按照本发明而构成的弹性波装置，与所述IDT电极电连接的金属凸起设置于所述弹性波装置，所述弹性波装置搭载于所述壳体基板，使得所述弹性波装置的所述金属凸起与所述电极连接盘接合，所述弹性波装置封装件还具备设置在所述壳体基板上的密封树脂层，使得将所述弹性波装置密封。
在本发明的弹性波封装件的某一特定方案中，所述弹性波装置封装件具备：壳体基板，其在一个面设置有多个电极连接盘；以及按照本发明而构成的具有WLP构造的弹性波装置，所述弹性波装置搭载于所述壳体基板，使得所述多个金属凸起与所述壳体基板的所述多个电极连接盘接合，所述弹性波装置封装件还设置有密封树脂层，该密封树脂层设置为将所述弹性波装置密封。在该情况下，也可以在盖构件与壳体基板之间具有空隙。
本发明的高频前端电路具备按照本发明而构成的弹性波装置、以及功率放大器。
本发明的通信装置具备按照本发明而构成的高频前端电路、以及RF信号处理电路。
发明效果
根据本发明的弹性波装置、弹性波装置封装件、高频前端电路及通信装置，能够抑制频率比在压电体传播的主模式高且频率最接近主模式的响应的第一高次模式的响应。
附图说明
图1的(a)及(b)是示出本发明的一实施方式的弹性波装置的正面剖视图及一实施方式中的弹性波装置的电极构造的示意性俯视图。
图2是用于说明第一高次模式及第二高次模式的图。
图3是示出由硅构成的支承基板的厚度与第一高次模式及第二高次模式的位相最大值之间的关系的图。
图4是用于说明由硅构成的支承基板的晶体取向的定义的示意图。
图5是示出由硅构成的支承基板的晶体取向 时的由硅构成的支承基板的X轴与IDT电极的电极指的延伸方向之间的关系的示意性俯视图。
图6的(a)及(b)是示出声速VSi为5000m/秒时的弹性波装置及声速VSi为4500m/秒时的弹性波装置的阻抗特性的图。
图7是示出弹性波装置中的LiTaO3膜的膜厚与Q特性之间的关系的图。
图8是示出弹性波装置中的LiTaO3膜的膜厚与频率温度系数TCF之间的关系的图。
图9是示出弹性波装置中的LiTaO3膜的膜厚与声速之间的关系的图。
图10是示出由LiTaO3构成的压电膜的膜厚与分数带宽之间的关系的图。
图11是示出氧化硅膜的膜厚、声速以及高声速膜的材质之间的关系的图。
图12是示出氧化硅膜的膜厚、机电耦合系数以及高声速膜的材质之间的关系的图。
图13是示出氧化硅膜的膜厚与高次模式的声速之间的关系的图。
图14是本发明的第二实施方式的弹性波装置的正面剖视图。
图15是示出电介质层的膜厚与分数带宽之间的关系的图。
图16是本发明的第三实施方式的弹性波装置的正面剖视图。
图17是本发明的第四实施方式的弹性波装置封装件的正面剖视图。
图18是本发明的第五实施方式的弹性波装置封装件的正面剖视图。
图19是本发明的第六实施方式的弹性波装置的正面剖视图。
图20是本发明的第七实施方式的弹性波装置封装件的正面剖视图。
图21是具有高频前端电路的通信装置的结构图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的具体实施方式进行说明，由此使本发明变得清楚。
而且，本说明书所记载的各实施方式是示例性的内容，预先指出在不同的实施方式之间能够进行结构的部分的置换或组合。
图1的(a)是本发明的一实施方式的弹性波装置的正面剖视图。弹性波装置1具有由硅构成的支承基板2。支承基板2是具有晶体取向的单晶构造。而且，支承基板2只要具有晶体取向，则也可以不是完整的单晶构造。此外，作为支承基板2，在本实施方式中，使用了由硅构成的支承基板2，也包含含有一部分杂质的基板。这不仅在第一实施方式中，在以下的所有实施方式中都是同样的。
在支承基板2上层叠有氧化硅膜3。氧化硅膜3由SiO2等构成。
在氧化硅膜3上直接或间接地层叠有压电体4。这里，压电体4是LiTaO3。压电体4间接地设置在支承基板2上。在压电体4上设置有IDT电极5和反射器6、7。如图1的(b)所示，弹性波装置1的电极构造具有上述IDT电极5和反射器6、7。弹性波装置1是单端口型弹性波谐振器。
IDT电极5设置在压电体4的上表面，但也可以设置在下表面。也可以在IDT电极5上形成电介质膜。
而且，本申请发明人新发现了在将由IDT电极5的电极指间距决定的波长设为λ的情况下，通过将支承基板2的厚度设为3λ以上，能够抑制第一高次模式。本发明是基于该新见解而完成的。以下示出该见解。
在弹性波装置1中，通常出现多个高次模式。图2示出如下的弹性波装置的谐振特性，该弹性波装置在(0°、0°、0°)的晶体取向的由硅构成的支承基板2上设置有厚度为0.3λ的氧化硅膜3、厚度为0.2λ的压电体4、厚度为0.08λ的由Al构成的IDT电极5及反射器6、7。IDT电极5中的由电极指间距决定的波长λ为1μm。
在激励了弹性波装置1的情况下，在比主模式的响应高的频率范围内出现多个高次模式的响应。其中，将最接近主模式的响应的高次模式设为第一高次模式，将在第一高次模式之后接近主模式的响应的高次模式设为第二高次模式。
而且，在弹性波装置为带通型滤波器用的谐振器的情况下，主模式是指如下模式：在通带内存在谐振频率及反谐振频率中的至少一方，并且，反谐振频率中的阻抗相对于该谐振频率中的阻抗之比最大。
如图2所示，在5.25GHz附近，出现第一高次模式的响应。另外，在5.5GHz～5.6GHz中，出现第二高次模式的响应。
在弹性波装置1中，为了得到良好的特性，需要至少抑制最接近主模式的第一高次模式。
图3是示出由硅构成的支承基板的厚度与第一高次模式及第二高次模式的位相最大值之间的关系的图。
根据图3可清楚，关于第一高次模式，随着支承基板2的厚度增加，第一高次模式的位相最大值变大。但是，当支承基板2的厚度成为3λ以上时，第一高次模式的位相最大值大致成为固定。因此，为了抑制第一高次模式，需要使支承基板2的厚度为3λ以上。
另外，根据图3可清楚，若支承基板2的厚度为20λ以上，则能够减小第一高次模式及第二高次模式的位相最大值。此外，在支承基板2的厚度为20λ以上的情况下，第一高次模式及第二高次模式的位相最大值大致成为固定。因此，为了抑制第一高次模式及第二高次模式，支承基板2的厚度需要为20λ以上。
而且，当支承基板2的厚度变得过厚时，散热性下降，或者难以实现低背化。因此，期望支承基板2的厚度的上限为180μm以下。
因此，支承基板2的厚度优选为20λ以上且180μm以下。而且，在该情况下，λ小于9μm。
另外，本申请发明人首次发现当在支承基板内传播的体波的声速VSi高于在压电体传播的高次模式的声速时，在压电体传播的高次模式的响应变大，当声速VSi与在压电体传播的高次模式的声速相同或者比在压电体传播的高次模式的声速低时，在压电体传播的高次模式的响应变小。本发明是基于该新见解而完成的。而且，以下有时将声速VSi记载为支承基板的声速。
而且，在支承基板内传播的体波的声速VSi由下述的式(1)～(4C)表现，值根据由硅构成的支承基板的晶体取向的值而变化。
Vsi＝(V1)1/2(m/秒)...式(1)
上述式(1)中的V1是下述的式(2)的解。
Ax3+Bx2+Cx+D＝0...式(2)
在式(2)中，A、B、C及D分别是由下述的式(2A)～(2D)表示的值。
A＝-ρ3...式(2A)
B＝ρ2(L11+L22+L33)...式(2B)
C＝ρ(L21 2+L23 2+L31 2-L11·L33-L22·L33-L11·L22)...式(2C)
D＝2·L21·L23·L31+L11·L22·L33-L31 2·L22-L11·L23 2-L21 2·L33...式(2D)
其中，在式(2A)、式(2B)、式(2C)或式(2D)中，ρ是硅的密度(g/cm3)，ρ＝2.331(g/cm3)。另外，L11、L22、L33、L21、L31及L23是由下述的式(3A)～(3F)表示的值。
L11＝c11·a1 2+c44·a2 2+c44·a3 2...式(3A)
L22＝c44·a1 2+c11·a2 2+c44·a3 2...式(3B)
L33＝c44·a1 2+c44·a2 2+c11·a3 2...式(3C)
L21＝(c12+c44)·a2·a1...式(3D)
L31＝(c12+c44)·a1·a3...式(3E)
L23＝(c44+c12)·a3·a2...式(3F)
其中，在式(3A)～(3F)中，c11、c12、c44分别是硅的弹性常数(N/m2)，c11＝1.674E+11(N/m2)，c12＝6.523E+10(N/m2)，c44＝7.957E+10(N/m2)。另外，a1、a2及a3是由下述的式(4A)～(4C)表示的值。
a3＝sin(θ)·sin(ψ) ...式(4C)
而且，式(4A)～(4C)中的θ及ψ是由硅构成的支承基板的晶体取向中的
参照图4对由硅构成的支承基板的晶体取向进行说明。图4是用于说明支承基板的晶体取向的定义的示意图。在图4的支承基板的晶体构造中，在将右螺纹的旋转方向设为正的情况下，将Z-X-Z设为旋转轴。晶体取向成为如下取向：1)使(X、Y、Z)绕Z轴旋转设为(X1、Y1、Z1)，接下来，2)使(X1、Y1、Z1)绕X1轴旋转“θ”，设为(X2、Y2、Z2)，进一步，3)使(X2、Y2、Z2)绕Z2轴旋转“ψ”，设为(X3、Y3、Z3)。
如图5所示，在弹性波装置1中，当时，Si晶体的X轴与同IDT电极5的电极指的延伸方向正交的方向Xa成为同一方向。
这里，VSi作为沿Xa方向传播且在支承基板内传播的体波中的最慢的横波的声速来计算。
在所使用的硅的晶体取向例如为的情况下，通过式(1)求出声速VSi时，成为5843(m/秒)。
Si的弹性常数c11、C12及c44是如以下那样定义的值。
弹性体的形变S与应力T呈比例关系。该比例关系由以下的矩阵表示。
[数学式1]
该式的比例常数(cij)被称为弹性常数。弹性常数cij由固体所属的晶体系决定。例如，在硅中，由于晶体的对称性，因此能够如以下那样表现。
Si的弹性常数(N/m2)
[数学式2]
上述的弹性常数c11、c12及c44是如上述那样定义的Si的弹性常数。而且，Si的弹性常数c11＝1.674E+11(N/m2)，c12＝6.523E+10(N/m2)，c44＝7.957E+10(N/m2)(H.J.McSkimin、et al.、″Measurement of the ElasticConstants of Silicon Single Crystals andTheir Thermal Constants(硅单晶弹性常数的测量及其热常数)″、Phys.Rev.Vol.83、p.1080(L)(1951).)。另外，硅的密度ρ＝2.331(g/cm3)。
如上所述，声速VSi能够根据由硅构成的支承基板的晶体取向并通过式(1)来求出。
而且，以下示出如下情况：在压电体4传播的第一高次模式的声速与在支承基板2内传播的体波的声速即下述所示的声速VSi相同、或者与声速VSi相比为高速的情况下，能够抑制第一高次模式。
首先，针对第一高次模式的声速与在支承基板2内传播的体波的声速VSi之间的关系进行说明。图6的(a)是示出在氧化硅膜的膜厚为0.5λ且压电体的膜厚为0.3λ的情况下、声速VSi为5000m/秒时的弹性波装置的阻抗特性的图。另一方面，图6的(b)是示出除了声速VSi为4500m/秒之外、与上述同样地构成的弹性波装置的阻抗特性的图。
对比图6的(a)与(b)可清楚，在声速VSi比第一高次模式的声速快的情况下，如箭头C所示，较大地出现第一高次模式。这是因为，第一高次模式也封闭在氧化硅膜3及压电体4中。与此相对，在图6的(b)中，在4.5GHz～5.0GHz的范围内，未出现第一高次模式的较大的响应。这是由于声速VSi比第一高次模式的声速低，因此，有效地抑制了第一高次模式。另一方面，声速VSi能够以晶体取向进行控制。因此，可知通过使声速VSi低于第一高次模式的声速，能够有效地抑制第一高次模式。
即，在弹性波装置1中，第一高次模式的声速与声速VSi相同或者与声速VSi相比成为高速。因此，第一高次模式泄漏到支承基板2侧。由此，能够有效地抑制第一高次模式的响应。
根据以上，在弹性波装置1中，在支承基板2的厚度为3λ以上且在压电体4传播的第一高次模式的声速与在支承基板2内传播的体波的声速即声速VSi相同或者与声速VSi相比为高速的情况下，能够更加有效地抑制第一高次模式的响应。
另外，在支承基板2的厚度为20λ以上且在压电体4传播的第一高次模式的声速与在支承基板2内传播的体波的声速即声速VSi相同或者与声速VSi相比为高速的情况下，能够更加有效地抑制第一高次模式及第二高次模式的响应。而且，由于第二高次模式的声速比第一高次模式的声速快，因此，若第一高次模式的声速满足式(1)，则第二高次模式的声速也自动地满足式(1)。
弹性波装置1的另一特征在于，在压电体4传播的高次模式的声速与当将满足上述式(2)的x的解V1、V2、V3(V1≤V2＜V3)中的最小的解设为V1时由VSi＝(V1)1/2表示的、在支承基板2内传播的较慢的横波的声速VSi相同、或者与声速VSi相比为高速。
通过采用本实施方式的结构，能够更进一步有效地抑制高次模式的响应。
此外，在弹性波装置1中，关于上述压电体4的厚度，当将由IDT电极5的电极指间距决定的弹性波的波长设为λ时，由LiTaO3构成的压电体的膜厚优选处于3.5λ以下的范围。在该情况下，能够提高Q值。
更优选的是，由LiTaO3构成的压电体4的膜厚为2.5λ以下，在该情况下，能够减小频率温度系数TCF的绝对值。进一步优选的是，由LiTaO3构成的压电体4的膜厚为1.5λ以下。在该情况下，能够容易地调整机电耦合系数。更进一步优选的是，由LiTaO3构成的压电体4的膜厚为0.5λ以下。在该情况下，能够在较宽的范围内容易地调整机电耦合系数。
弹性波装置1的又一特征在于，当将由IDT电极5的电极指间距决定的波长设为λ时，声速VSi根据氧化硅膜3的膜厚，如下述的表3所示的范围那样变化。而且，在表3及后述的表4中，将在支承基板内传播的体波的声速VSi设为硅的声速VSi。
[表3]
SiO<sub>2</sub>膜厚范围 硅的声速V<sub>Si</sub>
0.00λ＜SiO<sub>2</sub>≤0.40λ 5500m/s以下
0.40λ＜SiO<sub>2</sub>≤0.64λ 5300m/s以下
0.64λ＜SiO<sub>2</sub>≤0.84λ 5100m/s以下
0.84λ＜SiO<sub>2</sub>≤1.04λ 4900m/s以下
1.04λ＜SiO<sub>2</sub>≤1.20λ 4700m/s以下
图7是示出在由硅构成的高声速支承基板上层叠了厚度0.35λ的由氧化硅膜构成的低声速膜及欧拉角(0°、140.0°、0°)的由钽酸锂构成的压电膜而得到的弹性波装置中的LiTaO3膜的膜厚与Q特性之间的关系的图。该图7中的纵轴是谐振器的Q特性与分数带宽(fractional band width)(Δf)之积。另外，图8是示出LiTaO3膜的膜厚与频率温度系数TCF之间的关系的图。图9是示出LiTaO3膜的膜厚与声速之间的关系的图。根据图7，LiTaO3膜的膜厚优选为3.5λ以下。在该情况下，与超过3.5λ的情况相比，Q值变高。更优选的是，为了进一步提高Q值，期望LiTaO3膜的膜厚为2.5λ以下。
另外，根据图8，在LiTaO3膜的膜厚为2.5λ以下的情况下，与上述膜厚超过2.5λ的情况相比，能够减小频率温度系数TCF的绝对值。更优选的是，期望LiTaO3膜的膜厚为2λ以下，在该情况下，频率温度系数TCF的绝对值能够为10ppm/℃以下。为了减小频率温度系数TCF的绝对值，进一步优选LiTaO3膜的膜厚为1.5λ以下。
根据图9，当LiTaO3膜的膜厚超过1.5λ时，声速的变化非常小。
但是，如图10所示，LiTaO3膜的膜厚在0.05λ以上且0.5λ以下的范围内，分数带宽变化得较大。因此，能够在更宽的范围内调整机电耦合系数。因此，为了扩宽机电耦合系数及分数带宽的调整范围，期望LiTaO3膜的膜厚在0.05λ以上且0.5λ以下的范围。
图11及图12是分别示出氧化硅膜厚(λ)与声速及机电耦合系数之间的关系的图。这里，弹性波装置具有作为低声速材料层的低声速膜及作为高声速材料层的高声速膜。在由SiO2构成的低声速膜的下方，分别使用了氮化硅膜、氧化铝膜及金刚石来作为高声速膜。高声速膜的膜厚为1.5λ。氮化硅的体波的声速为6000m/秒，氧化铝中的体波的声速为6000m/秒，金刚石中的体波的声速为12800m/秒。如图11及图12所示，即便变更了高声速膜的材质及氧化硅膜的膜厚，机电耦合系数及声速也几乎不变化。尤其是在氧化硅膜的膜厚为0.1λ以上且0.5λ以下时，无论高声速膜的材质如何，机电耦合系数几乎都不变化。另外，根据图11可知，若氧化硅膜的膜厚为0.3λ以上且2λ以下，则无论高声速膜的材质如何，声速都不变化。因此，由氧化硅构成的低声速膜的膜厚优选为2λ以下，更优选为0.5λ以下。
关于第一高次模式及第二高次模式的声速，能够利用氧化硅3膜来调整。图13是示出氧化硅膜3的膜厚与第一高次模式及第二高次模式的声速之间的关系的图。图13的计算条件是，压电体4的厚度为0.3λ，切割角为50°Y，由硅构成的支承基板2的晶体取向为(0°、0°、0°)，IDT电极5由Al形成为0.08λ，波长为1μm。另外，压电体4是LiTaO3膜。在图13中示出第一高次模式的声速和第二高次模式的声速。可知这两种高次模式的声速根据氧化硅膜的膜厚的变化而变化。
如图13所示，在氧化硅膜3的膜厚例如为0.40λ的情况下，第二高次模式的声速为5500m/秒。因此，可知若支承基板2的声速为5500m/秒以下，则能够抑制第二高次模式。因此，根据图13，在氧化硅膜3的膜厚为0.40λ以下的情况下，将支承基板2的声速设为5500m/秒以下即可。同样可知，在氧化硅膜3的膜厚超过0.40λ且为0.64λ以下的情况下，将支承基板2的声速设为5300m/秒以下即可。因此，为了抑制第二高次模式，采用与上述表3所示的氧化硅膜3的膜厚相应的支承基板的声速范围内的任一范围即可。由此，能够抑制第二高次模式。
另一方面，为了抑制第一高次模式及第二高次模式的双方，根据氧化硅膜3的膜厚范围，将支承基板2的声速设为下述的表4所示的任一范围即可。
例如，如图13所示，在氧化硅膜3的膜厚为0.12λ的情况下，第一高次模式的声速为5300m/秒。因此，在氧化硅膜3的膜厚为0.12λ以下的情况下，将支承基板2的声速设为5300m/秒以下即可。同样，在氧化硅膜3的膜厚为0.34λ的情况下，如图13所示，第一高次模式的声速为5100m/秒。因此，在氧化硅膜3的膜厚超过0.12λ且为0.34λ以下的情况下，若将支承基板2的声速设为5100m/秒以下，则能够抑制第一高次模式及第二高次模式的双方。
因此，如下述的表4所示，根据氧化硅膜3的膜厚来选择支承基板2的声速，由此能够有效地抑制第一高次模式及第二高次模式的双方。
[表4]
SiO<sub>2</sub>膜厚范围 硅的声速V<sub>Si</sub>
0.00λ＜SiO<sub>2</sub>≤0.12λ 5300m/s以下
0.12λ＜SiO<sub>2</sub>≤0.34λ 5100m/s以下
0.34λ＜SiO<sub>2</sub>≤0.44λ 4900m/s以下
0.44λ＜SiO<sub>2</sub>≤0.54λ 4700m/s以下
另外，根据表4，若将支承基板2的声速设为4700m/秒以下，则在氧化硅膜3的膜厚为0.54λ以下的情况下，无论氧化硅膜3的膜厚如何，都能够有效地抑制第一高次模式及第二高次模式。
如上所述，在本实施方式的弹性波装置1中，能够至少有效地抑制第一高次模式的响应。
而且，在上述实施方式中，作为弹性波装置1，对单端口型弹性波谐振器进行了说明，但本发明的弹性波装置不局限于单端口型弹性波谐振器，能够广泛地应用于纵向耦合谐振器型弹性波滤波器等的具有各种电极构造的弹性波装置。
参照图14～图20，对本发明的第二实施方式～第七实施方式的弹性波装置及弹性波装置的封装件的构造进行说明。
图14是本发明的第二实施方式的弹性波装置的正面剖视图。在本发明的弹性波装置111中，在压电体4与IDT电极5之间设置有电介质层112。关于其他方面，弹性波装置111与弹性波装置1是同样的。这样，也可以在IDT电极5与压电体4之间设置有电介质层112。作为该电介质层112，能够举出五氧化钽、氧化硅等。
图15是示出设置有由五氧化钽构成的电介质层时及设置有由氧化硅构成的电介质时的电介质膜的膜厚与分数带宽之间的关系的图。作为电介质膜，使用了五氧化钽时的结果由△示出，使用了氧化硅时的结果由◇示出。
根据图5清楚可知，通过使用五氧化钽、氧化硅，能够调整电介质层的膜厚，控制分数带宽。
而且，在本发明中，作为压电体，不局限于LiTaO3，也可以使用LiNbO3等其他压电单晶、ZnO、AlN等压电薄膜、PZT等压电陶瓷。
图16是本发明的第三实施方式的弹性波装置101的正面剖视图。
在弹性波装置101中，在支承基板2上依次层叠有低声速材料层102、高声速材料层103及氧化硅膜104。而且，在氧化硅膜104传播的体波的声速比在压电体4传播的弹性波的声速慢。因此，氧化硅膜104也是低声速材料层。在氧化硅膜104上层叠有压电体4。
如弹性波装置101那样，在支承基板2与压电体4之间除了层叠有氧化硅膜104以外，还可以层叠其他的低声速材料层102及高声速材料层103。这里，低声速材料层102由低声速材料构成。低声速材料是指，所传播的体波的声速比在压电体4这样的压电体传播的弹性波的声速慢的材料。另外，高声速材料层103由高声速材料构成。高声速材料是指，所传播的体波的声速比在压电体4这样的压电体传播的弹性波的声速快的材料。作为上述低声速材料，举出包含SiO2的氧化硅、五氧化钽等电介质、玻璃、氧氮化硅、氧化钽、以及向氧化硅添加了氟、碳、硼而得到的化合物等的以上述材料为主成分的媒介。另外，作为高声速材料，除了金属、硅之外，能够举出氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氧氮化硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、水晶、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石、氧化镁、DLC膜或金刚石、以该材料为主成分的媒介、以该材料的混合物为主成分的媒介等各种材料。优选的是，作为形成低声速材料层的电介质，使用氧化硅或五氧化钽，更优选使用氧化硅。在该情况下，也能够实现频率温度特性的提高。
而且，优选在至少一个高声速材料层103与压电体4等压电体之间配置有至少一个低声速材料层。由此，能够将弹性波有效地封闭到压电体内。另外，支承基板2由高声速材料构成。因此，如第一实施方式那样，在支承基板2上层叠有氧化硅膜3的构造成为低声速材料层位于高声速材料与压电体之间的结构。因此，在弹性波装置1中，也能够将弹性波的能量有效地封闭到压电体4内。
如图17所示，第四实施方式的弹性波装置封装件51具有支承基板52、层叠在支承基板52上的氧化硅膜52a、压电体53及IDT电极54。由树脂构成的支承层55被设置为包围IDT电极54。在支承层55上接合有盖构件56。由此，形成中空空间D。而且，在上述盖构件56上设置有端子电极57a、57b及金属凸起58a、58b。在上述支承基板52上，通过具有压电体53、IDT电极54、支承层55、盖构件56、端子电极57a、57b及金属凸起58a、58b的部分而构成具有WLP构造的元件部分。金属凸起58a、58b与壳体基板59的作为电极连接盘的端子电极60a、60b电连接。而且，具有上述WLP构造的元件部分的整体被密封树脂层61密封。
在图18所示的第五实施方式的弹性波装置封装件65中，密封树脂层61未到达由金属凸起58a和金属凸起58b夹着的空间E。关于其他方面，弹性波装置65与弹性波装置51是同样的。此时，当由Au形成金属凸起58a、58b时，热冲击耐性提高，仍然是优选的。
在图19所示的第六实施方式的弹性波装置71中，在支承基板72上依次层叠有氧化硅膜73及压电体74。在压电体74上设置有IDT电极75。另外，电介质层76被设置为覆盖IDT电极75。这样，也可以进一步将电介质层76设置为覆盖IDT电极75。构成这样的电介质层76的电介质材料没有特别限定。例如，能够使用氧化硅等。
支承层77被设置为包围IDT电极75。在支承层77上接合有盖构件78。由此，设置有中空空间D。作为贯通电极的过孔电极79a、79b被设置为贯穿支承基板72、氧化硅膜73及压电体74。过孔电极79a、79b与IDT电极75电连接。另外，在支承基板72的下表面设置有端子电极80a、80b。过孔电极79a、79b与端子电极80a、80b电连接。这样，也可以使用贯穿支承基板72的过孔电极79a、79b而与外部电连接。
如图20所示，在作为第七实施方式的弹性波装置封装件81中，在壳体基板82的一个面设置有端子电极83a、83b。在该壳体基板82上搭载有弹性波装置84。弹性波装置84具有在支承基板85上依次层叠有氧化硅膜86及压电体87、以及IDT电极88的构造。在压电体87上设置有端子电极89a、89b。在端子电极89a、89b上设置有金属凸起90a、90b。该金属凸起90a、90b与端子电极83a、83b接合。而且，密封树脂层91被设置为覆盖弹性波装置84。在该情况下，当由Au形成金属凸起90a、90b时，热冲击耐性提高，仍然是优选的。
(侵害证明方法)
在压电膜传播的第一高次模式能够通过有限元法的仿真来确定。具体而言，确定IDT电极的膜厚、IDT电极的材料、压电膜的膜厚、压电膜的材料、低声速膜、高声速膜等各中间层的膜厚、各中间层的材料、支承基板的厚度、支承基板的晶体取向的各参数。之后，使用各参数，并利用仿真软件(FEMTET)来进行谐波振动解析。
而且，通过谐波振动解析，能够得到各频率下的阻抗。
另外，通过利用网络分析仪来测定滤波器的插入损失，还能够确定滤波器的通带。因此，根据该谐波振动解析的结果，能够确定阻抗成为极小值的一个以上的谐振频率和阻抗成为极大值的一个以上的反谐振频率。而且，从其中确定谐振频率下的阻抗与反谐振频率下的阻抗之差为最大的波的模式。该波的模式成为在压电膜传播的主模式。而且，根据谐波振动解析结果还可知，在滤波器的通带内是否存在谐振频率及反谐振频率中的至少一方。
在弹性波装置为谐振器的情况下，是在滤波器的通带内存在谐振频率及反谐振频率中的至少一方、且谐振频率下的阻抗与反谐振频率下的阻抗之差为最大的波的模式。另外，在弹性波装置为滤波器的情况下，是为了形成滤波器的通带而使用的波的模式。
而且，根据上述主模式，能够确定在压电膜传播的第一高次模式(在比主模式靠高频率侧产生且最接近主模式的波的模式)。
另外，在压电膜传播的第一高次模式的声速是在压电膜传播的第一高次模式的反谐振频率下的声速。
而且，由于为V＝f×λ，因此，在压电膜传播的第一高次模式的声速V能够根据在压电膜传播的第一高次模式的反谐振频率f和IDT电极的电极指间距的两倍的值即λ来求出。
上述弹性波装置能够用作高频前端电路的双工器等。在下述对该例进行说明。
图21是具有高频前端电路的通信装置的结构图。而且，在该图中图示出高频前端电路230、以及与高频前端电路230连接的各构成要素。作为与高频前端电路230连接的各构成要素，例如图示出天线元件202、RF信号处理电路(RFIC)203。高频前端电路230及RF信号处理电路203构成通信装置240。而且，通信装置240也可以包括电源、CPU、显示器。
高频前端电路230具备开关225、双工器201A、201B、低噪声放大器电路214、224、滤波器231、232以及功率放大器电路234a、234b、244a、244b。而且，图21的高频前端电路230及通信装置240是高频前端电路及通信装置的一例，不局限于该结构。
双工器201A具有滤波器211、212。双工器201B具有滤波器221、222。双工器201A、201B经由开关225而与天线元件202连接。而且，上述弹性波装置也可以是双工器201A、201B，还可以是滤波器211、212、221、222。上述弹性波装置也可以是构成双工器201A、201B、滤波器211、212、221、222的弹性波谐振器。此外，上述弹性波装置例如也能够应用于三个滤波器的天线端子被共用化的三工器、六个滤波器的天线端子被共用化的六工器等的具备三个以上的滤波器的结构。
即，上述弹性波装置包括弹性波谐振器、滤波器、具备两个以上的滤波器的多工器。
开关225按照来自控制部(未图示)的控制信号而将天线元件202与对应于规定频段的信号路径连接，例如由SPDT(Single Pole Double Throw，单刀双掷)型的开关构成。而且，与天线元件202连接的信号路径不局限于一个，也可以是多个。即，高频前端电路230也可以与载波聚合对应。
低噪声放大器电路214是将经由天线元件202、开关225及双工器201A后的高频信号(这里为高频接收信号)放大并向RF信号处理电路203输出的接收放大电路。低噪声放大器电路224是将经由天线元件202、开关225及双工器201B后的高频信号(这里为高频接收信号)放大并向RF信号处理电路203输出的接收放大电路。
功率放大器电路234a、234b是将从RF信号处理电路203输出的高频信号(这里为高频发送信号)放大并经由双工器201A及开关225向天线元件202输出的发送放大电路。功率放大器电路244a、244b是将从RF信号处理电路203输出的高频信号(这里为高频发送信号)放大并经由双工器201B及开关225向天线元件202输出的发送放大电路。
而且，滤波器231、232不经由低噪声放大器电路及功率放大器电路而将RF信号处理电路203与开关225之间连接。滤波器231、232也与双工器201A、201B同样地经由开关225而与天线元件202连接。
RF信号处理电路203通过降频转换等对从天线元件202经由接收信号路径输入的高频接收信号进行信号处理，并输出通过该信号处理而生成的接收信号。另外，RF信号处理电路203通过升频转换等对输入的发送信号进行信号处理，将通过该信号处理而生成的高频发送信号向功率放大器电路244a、244b输出。RF信号处理电路203例如是RFIC。而且，通信装置也可以包括BB(基带)IC。在该情况下，BBIC对由RFIC处理后的接收信号进行信号处理。另外，BBIC对发送信号进行信号处理后向RFIC输出。由BBIC处理后的接收信号、BBIC进行信号处理之前的发送信号例如是图像信号、声音信号等。而且，高频前端电路230也可以在上述各构成要素之间具备其他电路元件。
而且，代替上述双工器201A、201B，高频前端电路230也可以具备双工器201A、201B的变形例的双工器。
以上，举出上述实施方式对本发明的实施方式的弹性波装置、高频前端电路及通信装置进行了说明，但将上述实施方式中的任意的构成要素组合而实现的其他实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述实施方式实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例、内置有本发明的高频前端电路及通信装置的各种设备也包含在本发明中。
本发明能够在弹性波谐振器、滤波器、具备两个以上的滤波器的多工器、高频前端电路及便携电话等通信装置中广泛利用。
附图标记说明：
1…弹性波装置；
2…支承基板；
3…氧化硅膜；
4…压电体；
5…IDT电极；
6、7…反射器；
51…弹性波装置封装件；
52…支承基板；
52a…氧化硅膜；
53…压电体；
54…IDT电极；
55…支承层；
56…盖构件；
57a、57b、60a、60b…端子电极；
58a、58b…金属凸起；
59…壳体基板；
61…密封树脂层；
65…弹性波装置封装件；
71…弹性波装置；
72…支承基板；
73…氧化硅膜；
74…压电体；
75…IDT电极；
76…电介质层；
77…支承层；
78…盖构件；
79a、79b…过孔电极；
80a、80b…端子电极；
81…弹性波装置封装件；
82…壳体基板；
83a、83b…端子电极；
84…弹性波装置；
85…支承基板；
86…氧化硅膜；
87…压电体；
88…IDT电极；
89a、89b…端子电极；
90a、90b…金属凸起；
91…密封树脂层；
101…弹性波装置；
102…低声速材料层；
103…高声速材料层；
104…氧化硅膜；
111…弹性波装置；
112…电介质层；
201A、201B…双工器；
202…天线元件；
203…RF信号处理电路；
211、212…滤波器；
214…低噪声放大器电路；
221、222…滤波器；
224…低噪声放大器电路；
225…开关；
230…高频前端电路；
231、232…滤波器；
234a、234b…功率放大器电路；
240…通信装置；
244a、244b…功率放大器电路。

Claims (24)

1.一种弹性波装置，具备：
支承基板，其由硅构成；
氧化硅膜，其设置在所述支承基板上；
压电体，其设置在所述氧化硅膜上；以及
IDT电极，其设置在所述压电体的一个主面上，
当将由所述IDT电极的电极指间距决定的波长设为λ时，所述支承基板的厚度为3λ以上，
在所述压电体传播的第一高次模式的声速与在所述支承基板内传播的体波的声速即下述的式(1)的声速VSi相同，或者与所述声速VSi相比为高速，
VSi＝(V1)1/2(m/秒)...式(1)
式(1)中的所述V1是下述的式(2)的解，
Ax3+Bx2+Cx+D＝0...式(2)
在式(2)中，A、B、C及D分别是由下述的式(2A)～(2D)表示的值，
A＝-ρ3...式(2A)
B＝ρ2(L11+L22+L33)...式(2B)
C＝ρ(L21 2+L23 2+L31 2-L11·L33-L22·L33-L11·L22)...式(2C)
D＝2·L21·L23·L31+L11·L22·L33-L31 2·L22-L11·L23 2-L21 2·L33...式(2D)
其中，在式(2A)、式(2B)、式(2C)或式(2D)中，ρ＝2.331(g/cm3)，另外，L11、L22、L33、L21、L31及L23是由下述的式(3A)～(3F)表示的值，
L11＝c11·a1 2+c44·a2 2+c44·a3 2...式(3A)
L22＝c44·a1 2+c11·a2 2+c44·a3 2...式(3B)
L33＝c44·a1 2+c44·a2 2+c11·a3 2...式(3C)
L21＝(c12+c44)·a2·a1...式(3D)
L31＝(c12+c44)·a1·a3...式(3E)
L23＝(c44+c12)·a3·a2...式(3F)
其中，在式(3A)～(3F)中，c11、c12、c44分别是c11＝1.674E+11(N/m2)、c12＝6.523E+10(N/m2)、c44＝7.957E+10(N/m2)，另外，a1、a2及a3是由下述的式(4A)～(4C)表示的值，
a3＝sin(θ)·sin(ψ)...式(4C)
而且，式(4A)～(4C)中的θ及ψ是所述支承基板的晶体取向中的θ、ψ。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述支承基板的厚度为20λ以上。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
所述氧化硅膜的膜厚是下述的表1所示的范围内的任一范围，
[表1]
SiO<sub>2</sub>膜厚范围 硅的声速V<sub>Si</sub> 0.00λ＜SiO<sub>2</sub>≤0.40λ 5500m/s以下 0.40λ＜SiO<sub>2</sub>≤0.64λ 5300m/s以下 0.64λ＜SiO<sub>2</sub>≤0.84λ 5100m/s以下 0.84λ＜SiO<sub>2</sub>≤1.04λ 4900m/s以下 1.04λ＜SiO<sub>2</sub>≤1.20λ 4700m/s以下
。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述氧化硅膜的膜厚是下述的表2所示的范围内的任一范围，
[表2]
SiO<sub>2</sub>膜厚范围 硅的声速V<sub>Si</sub> 0.00λ＜SiO<sub>2</sub>≤0.12λ 5300m/s以下 0.12λ＜SiO<sub>2</sub>≤0.34λ 5100m/s以下 0.34λ＜SiO<sub>2</sub>≤0.44λ 4900m/s以下 0.44λ＜SiO<sub>2</sub>≤0.54λ 4700m/s以下
。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述式(1)中的所述V1是所述式(2)的解V1、V2、V3中的最小值。
6.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述支承基板的所述声速VSi为4700m/秒以下。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述支承基板的厚度为180μm以下。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述压电体的膜厚为3.5λ以下。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述压电体的膜厚为2.5λ以下。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述压电体的膜厚为1.5λ以下。
11.根据权利要求1至7中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述压电体的膜厚为0.5λ以下。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述压电体由LiTaO3构成。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的弹性波装置，其中，
在所述氧化硅膜传播的体波的声速比在所述压电体传播的弹性波的声速慢。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的弹性波装置，其中，
在所述支承基板传播的体波的声速比在所述压电体传播的弹性波的声速快。
15.根据权利要求3至14中任一项所述的弹性波装置，其中，
在所述氧化硅膜与所述支承基板之间还具备高声速材料层，在该高声速材料层传播的体波的声速比在所述压电体传播的弹性波的声速快。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置还具备设置在所述压电体与所述IDT电极之间的电介质层。
17.根据权利要求16所述的弹性波装置，其中，
所述电介质层由氧化硅或五氧化钽构成。
18.根据权利要求1至17中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置还具备：
支承层，其包围所述IDT电极；
盖构件，其覆盖所述支承层，且构成包围所述IDT电极的中空空间；以及
多个金属凸起，其设置在所述盖构件上，且与所述IDT电极电连接。
19.根据权利要求1至17中任一项所述的弹性波装置，其中，
所述弹性波装置还具备：
支承层，其包围所述IDT电极；以及
盖构件，其覆盖所述支承层，且构成包围所述IDT电极的中空空间，
在所述支承基板设置有贯通电极和端子电极，该贯通电极贯穿所述支承基板，该端子电极与所述贯通电极电连接，且设置在所述支承基板的与设置有所述IDT电极的一侧为相反侧的面，
所述贯通电极与所述IDT电极及所述端子电极电连接。
20.一种弹性波装置封装件，具备：
壳体基板，其在一个面设置有多个电极连接盘；以及
权利要求1至17中任一项所述的弹性波装置，
与所述IDT电极电连接的金属凸起设置于所述弹性波装置，
所述弹性波装置搭载于所述壳体基板，使得所述弹性波装置的所述金属凸起与所述电极连接盘接合，
所述弹性波装置封装件还具备设置在所述壳体基板上的密封树脂层，使得将所述弹性波装置密封。
21.一种弹性波装置封装件，具备：
权利要求18所述的弹性波装置；以及
壳体基板，其在一个面设置有多个电极连接盘，
所述弹性波装置搭载于所述壳体基板，使得所述多个金属凸起与所述壳体基板的所述多个电极连接盘接合，
所述弹性波装置封装件还具备密封树脂层，该密封树脂层设置为将所述弹性波装置密封。
22.根据权利要求21所述的弹性波装置封装件，其中，
在所述盖构件与所述壳体基板之间具有空隙。
23.一种高频前端电路，具备：
权利要求1至19中任一项所述的弹性波装置；以及
功率放大器。
24.一种通信装置，具备：
权利要求23所述的高频前端电路；以及
RF信号处理电路。
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