CN110376813A - 一种像素结构及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种像素结构及显示面板,所述像素结构包括多个呈阵列排列的子像素;每个子像素的两侧设有纵向延伸的数据线和电极线,且所述电极线重叠设置在部分所述数据线的上方;纵向相邻的两个子像素的所述数据线电性连接,且连接处的数据线位于同一直线上,从而提高像素结构的穿透率。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域,尤其涉及一种像素结构及显示面板。
背景技术
随着大尺寸显示器的全面推广,具有8domain画素设计的HVA技术凭借其优异的视角表现而得到广泛应用,但由于其像素(pixel)设计相较于其他像素设计引入了中心纵向的电极线(trunk),而纵向电极线会产生暗纹,因此像素的穿透率被显著降低。
为改善像素的穿透率,现有技术将子像素10中的纵向电极线11侧移至数据线12上方,如图1所示,以实现纵向电极线11暗纹与数据线12暗线的重合,从而降低光穿透损失的设计方案,有效提高了像素的穿透率。
尽管现有8domain画素的纵向电极线的侧移设计显著提高了其穿透率,但为保障视角表现采用了错排设计结构,而错排设计同时引入了相邻画素间数据线12的错位,如图1所示,从而导致在施加信号时数据线间产生耦合电场,进而导致在相应位置的液晶倒向混乱,产生新的暗纹,如图2所示,严重降低了显示面板的穿透率。
发明内容
本发明实施例提供一种像素结构及显示面板,以解决现有显示面板中数据线产生暗纹导致显示面板穿透率低下的问题。
本发明实施例提供了一种像素结构,包括多个呈阵列排列的子像素;每个子像素的两侧设有纵向延伸的数据线和电极线,且所述电极线重叠设置在部分所述数据线的上方;
纵向相邻的两个子像素的所述数据线电性连接,且连接处的数据线位于同一直线上。
进一步地,任意相邻的两个子像素的所述电极线重叠设置在其对应的数据线的不同位置。
进一步地,每个子像素包括纵向排列的主区域和子区域,所述数据线穿过所述主区域和所述子区域;所述电极线包括分别位于所述子像素两侧的第一子电极线和第二子电极线;
所述第一子电极线与所述主区域上的部分数据线重叠设置,所述第二子电极线与所述子区域上的部分数据线重叠设置。
进一步地,所述数据线包括分别位于所述子像素两侧的第一子数据线以及第二子数据线;
所述第一子电极线与所述第二子电极线分别与不同的子数据线重叠设置。
进一步地,任意相邻的两个子像素的第一子电极线分别与其主区域上的不同子数据线重叠设置,任意相邻的两个子像素的第二子电极线分别与其子区域上的不同子数据线重叠设置。
进一步地,相邻的两个子像素包括第一子像素和第二子像素;
所述第一子像素的第一子电极线与其主区域上的第一子数据线重叠设置,所述第一子像素的第二子电极线与其子区域上的第二子数据线重叠设置;所述第二子像素的第一子电极线与其主区域上的第二子数据线重叠设置,所述第二子像素的第二子电极线与其子区域上的第一子数据线重叠设置。
进一步地,每个子像素的子区域上的第一子数据线与纵向相邻的子像素的主区域上的第一子数据线位于同一直线上,且电性连接;每个子像素的子区域上的第二子数据线与纵向相邻的子像素的主区域上的第二子数据线位于同一直线上,且电性连接。
进一步地,所述子像素的子区域上的第一子数据线与第二子数据线平行设置,所述子像素的主区域上的第一子数据线与第二子数据线平行设置。
本发明实施例还提供了一种显示面板,包括上述像素结构。
进一步地,所述显示面板还包括与多个子像素一一对应设置的薄膜晶体管;
每个子像素的数据线和电极线分别与其对应的薄膜晶体管电性连接。
本发明的有益效果为:每个子像素纵向延伸的的电极线重叠设置在部分数据线的上方,实现纵向电极线与数据线暗线的合并,有效提升像素结构的穿透率,纵向相邻的两个子像素相连接的数据线位于同一直线上,即数据线的连接不再是错位状态,有效消除连接处的暗纹,在保障视角表现的同时有效提升面板穿透率。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中的像素结构的结构示意图;
图2为现有技术中的像素结构的暗纹图;
图3为本发明实施例提供的像素结构的结构示意图;
图4为本发明实施例提供的像素结构的暗纹图;
图5为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
参见图3,是本发明实施例提供的像素结构的结构示意图。
本发明实施例提供的像素结构包括多个呈阵列排列的子像素20;每个子像素20的两侧设有纵向延伸的数据线30和电极线40,且所述电极线40重叠设置在部分所述数据线30的上方。纵向相邻的两个子像素20的所述数据线30电性连接,且连接处的数据线30位于同一直线上。
进一步地,任意相邻的两个子像素20的所述电极线40重叠设置在其对应的数据线30的不同位置。
需要说明的是,如图3所示,像素结构包括多行多列的子像素20,每个子像素20上均设有数据线30和电极线40,且数据线30以暗线的形式设于子像素的两侧,电极线40与部分数据线暗线重合。而且,每个子像素20上数据线30设置的位置相同,但行和列中相邻子像素20的电极线40设置的位置不同,例如,一个子像素中的电极线重叠设置在第一位置的数据线的上方,与该子像素相邻的子像素中的电极线重叠设置在第二位置的数据线的上方,而第一位置与第二位置的位置不对应。另外,每列子像素20的数据线30电性连接,且连接处的数据线30呈直线型,以消除连接处的暗纹,如图4所示,从而在保障视角表现的同时提高显示面板的穿透率。
进一步地,如图3所示,每个子像素20包括纵向排列的主区域21和子区域22,所述数据线30穿过所述主区域21和所述子区域22;所述电极线40包括分别位于所述子像素20两侧的第一子电极线41和第二子电极线42。
所述第一子电极线41与所述主区域21上的部分数据线重叠设置,所述第二子电极线42与所述子区域22上的部分数据线重叠设置。
需要说明的是,主区域21的两侧分别设有部分数据线,子区域22的两侧分别设有部分数据线,且主区域21的部分数据线与子区域22的部分数据线构成所述数据线30。具体的,第一子电极线41与主区域21一侧的部分数据线重叠设置,第二子电极线42与子区域22另一侧的部分数据线重叠设置。
进一步地,所述数据线30包括分别位于所述子像素20两侧的第一子数据线31以及第二子数据线32,所述第一子数据线31与所述第二子数据线32均穿过所述主区域21和所述子区域22。
所述第一子电极线41与所述第二子电极线42分别与不同的子数据线重叠设置。具体的,若第一子电极线41与第一子数据线31重叠设置,则第二子电极线42与第二子数据线32重叠设置;若第一子电极线41与第二子数据线32重叠设置,则第二子电极线42与第一子数据线31重叠设置。
进一步地,任意相邻的两个子像素20的第一子电极线41分别与其主区域21上的不同子数据线重叠设置,任意相邻的两个子像素20的第二子电极线42分别与其子区域22上的不同子数据线重叠设置。具体的,若一个子像素的第一子电极线与其主区域上的第一数据线重叠设置,则与该子像素相邻的子像素的第一子电极线与其主区域上的第二数据线重叠设置;若一个子像素的第一子电极线与其主区域上的第二数据线重叠设置,则与该子像素相邻的子像素的第一电极线与其主区域上的第一数据线重叠设置。相邻的两个子像素的第二子电极线设置的位置类似,在此不再详细赘述。
在一个具体的实施方式中,如图3所示,相邻的两个子像素20包括第一子像素20a和第二子像素20b;
所述第一子像素20a的第一子电极线41与其主区域21上的第一子数据线31重叠设置,所述第一子像素20a的第二子电极线42与其子区域22上的第二子数据线32重叠设置;所述第二子像素20b的第一子电极线41与其主区域21上的第二子数据线32重叠设置,所述第二子像素20b的第二子电极线42与其子区域22上的第一子数据线31重叠设置。
进一步地,每个子像素20中,子区域22上的第一子数据线31与第二子数据线32平行设置,主区域21上的第一子数据线31与第二子数据线32平行设置。
进一步地,每个子像素20的子区域22上的第一子数据线31与纵向相邻的子像素20的主区域21上的第一子数据线31位于同一直线上,且电性连接;每个子像素20的子区域22上的第二子数据线32与纵向相邻的子像素20的主区域21上的第二子数据线32位于同一直线上,且电性连接。
需要说明的是,每行子像素中,相邻的两个子像素的主区域相邻,且子区域相邻,每列子像素中,一个子像素的主区域与其相邻的子像素的子区域相邻。
在一个具体的实施方式中,纵向相邻的两个子像素20包括第三子像素20c和第四子像素20d。第三子像素20c的子区域22与第四子像素20d的主区域21相邻,第三子像素20c的子区域22上的第一子数据线31与第四子像素20d的主区域21上的第一子数据线32位于同一直线,且电性连接,第三子像素20c的子区域22上的第二子数据线31与第四子像素20d的主区域21上的第二子数据线32位于同一直线,且电性连接。
在本实施例的像素结构制作过程中,可先获取现有技术中的像素结构,再结合反向平移设计,将现有像素结构中的数据线和电极线进行平移,使电极线暗纹与数据线暗线合并,且纵向相邻子像素间的数据线连接不再呈错位状态,以获得本实施例中的像素结构。
在一个具体的实施方式中,将一个子像素的第一子电极线向左平移25um,并将主区域的第一子数据线向第一子电极线方向平移9um,实现第一子电极线与主区域的第一子数据线的基本重合;将该子像素的第二子电极线向右平移25um,并将子区域的第二子数据线向第二子电极线平移9um,实现第二子数据线与第二子电极线的基本重合。同时,将该子像素相邻子像素的第一子电极线向右平移25um,并将主区域的第一子数据线向第一子电极线方向平移9um,实现第一子电极线与主区域的第一子数据线的基本重合;将该子像素相邻子像素的第二子电极线向左平移25um,并将子区域的第二子数据线向第二子电极线平移9um,实现第二子数据线与第二子电极线的基本重合。相邻同类型子像素以正反设计做周期性排列,有效提升像素的穿透率,而且由于采用反向平移设置,纵向相邻子像素间的数据线不再错呈位状态,从光学表现中可以看出连接处暗纹消失,如图4所示。通过实验可知,本实施例提供的像素结构使显示面板的穿透率增幅达4.24%,从而在保障视角表现的同时有效提升显示面板的穿透率。
由上述可知,本实施例提供的像素结构,使每个子像素纵向延伸的的电极线重叠设置在部分数据线的上方,实现纵向电极线与数据线暗线的合并,有效提升像素结构的穿透率,纵向相邻的两个子像素相连接的数据线位于同一直线上,即数据线的连接不再是错位状态,有效消除连接处的暗纹,在保障视角表现的同时有效提升面板穿透率。
参见图5,是本发明实施例提供的显示面板的结构示意图。
本实施例提供的显示面板包括像素结构51和多个薄膜晶体管52。其中,像素结构51为上述实施例中的像素结构,多个薄膜晶体管52与像素结构51中的多个子像素20一一对应设置,且每个子像素20的数据线30和电极线40分别与其对应的薄膜晶体管52电性连接(图中未示出)。
由上述可知,本实施例提供的显示面板,使每个子像素纵向延伸的的电极线重叠设置在部分数据线的上方,实现纵向电极线与数据线暗线的合并,有效提升像素结构的穿透率,纵向相邻的两个子像素相连接的数据线位于同一直线上,即数据线的连接不再是错位状态,有效消除连接处的暗纹,在保障视角表现的同时有效提升面板穿透率。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种像素结构,其特征在于,包括多个呈阵列排列的子像素;每个子像素的两侧设有纵向延伸的数据线和电极线,且所述电极线重叠设置在部分所述数据线的上方;
纵向相邻的两个子像素的所述数据线电性连接,且连接处的数据线位于同一直线上。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,任意相邻的两个子像素的所述电极线重叠设置在其对应的数据线的不同位置。
3.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于,每个子像素包括纵向排列的主区域和子区域,所述数据线穿过所述主区域和所述子区域;所述电极线包括分别位于所述子像素两侧的第一子电极线和第二子电极线;
所述第一子电极线与所述主区域上的部分数据线重叠设置,所述第二子电极线与所述子区域上的部分数据线重叠设置。
4.根据权利要求3所述的像素结构,其特征在于,所述数据线包括分别位于所述子像素两侧的第一子数据线以及第二子数据线;
所述第一子电极线与所述第二子电极线分别与不同的子数据线重叠设置。
5.根据权利要求4所述的像素结构,其特征在于,任意相邻的两个子像素的第一子电极线分别与其主区域上的不同子数据线重叠设置,任意相邻的两个子像素的第二子电极线分别与其子区域上的不同子数据线重叠设置。
6.根据权利要求5所述的像素结构,其特征在于,相邻的两个子像素包括第一子像素和第二子像素;
所述第一子像素的第一子电极线与其主区域上的第一子数据线重叠设置,所述第一子像素的第二子电极线与其子区域上的第二子数据线重叠设置;所述第二子像素的第一子电极线与其主区域上的第二子数据线重叠设置,所述第二子像素的第二子电极线与其子区域上的第一子数据线重叠设置。
7.根据权利要求4所述的像素结构,其特征在于,每个子像素的子区域上的第一子数据线与纵向相邻的子像素的主区域上的第一子数据线位于同一直线上,且电性连接;每个子像素的子区域上的第二子数据线与纵向相邻的子像素的主区域上的第二子数据线位于同一直线上,且电性连接。
8.根据权利要求4所述的像素结构,其特征在于,所述子像素的子区域上的第一子数据线与第二子数据线平行设置,所述子像素的主区域上的第一子数据线与第二子数据线平行设置。
9.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1至8任一项所述的像素结构。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括与多个子像素一一对应设置的薄膜晶体管;
每个子像素的数据线和电极线分别与其对应的薄膜晶体管电性连接。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
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Application publication date: 20191025 |