CN111028692A - 一种显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种显示面板和显示装置。显示面板的显示区包括第一显示区、第一过渡区、第二显示区和第二过渡区，其中，第一过渡区位于第一显示区和第二显示区之间，第二过渡区位于第一过渡区和第一显示区之间；显示区包括多个子像素，子像素包括位于第一显示区的第一子像素，位于第一过渡区的第一过渡子像素、位于第二过渡区的第一虚拟子像素和位于第二显示区的第二子像素，第一虚拟子像素不用于发光显示；第一显示区内第一子像素的密度小于第一过渡区内第一过渡子像素的密度，第一过渡区内第一过渡子像素的密度小于第二显示区内第二子像素的密度。本发明解决显示面板显示不均的问题，提升显示效果。

Description

一种显示面板和显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术

对于电子产品来说，前置摄像头等光学模组的设置必然会占据一定的空间，从而影响屏占比。而为了实现真正的全面屏，研究人员考虑屏下光学模组的实现方案。将光学模组比如摄像头设置在显示面板的发光器件的下方，即将光学模组设置在显示区内，光学模组所在的位置能够正常显示，当需要使用光学模组时，光线穿透显示面板到达光学模组最终被光学模组利用。对于屏下光学模组的方案中，通常的设计是减小光学模组所在区域的像素密度，以提升光学模组所在区域的透光率，进而提高光学模组接收的光量。而上述方案中光学模组所在区域在显示时还存在显示不均的问题，影响显示效果。

发明内容

本发明实施例提供一种显示面板和显示装置，以解决显示面板显示不均的问题，提升显示效果。

第一方面，本发明实施例提供一种显示面板，显示面板的显示区包括第一显示区、第一过渡区、第二显示区和第二过渡区，其中，第一过渡区位于第一显示区和第二显示区之间，第二过渡区位于第一过渡区和第一显示区之间；

显示区包括多个子像素，子像素包括位于第一显示区的第一子像素，位于第一过渡区的第一过渡子像素、位于第二过渡区的第一虚拟子像素和位于第二显示区的第二子像素，其中，

第一虚拟子像素不用于发光显示；第一显示区内第一子像素的密度小于第一过渡区内第一过渡子像素的密度，第一过渡区内第一过渡子像素的密度小于第二显示区内第二子像素的密度。

基于同一发明构思，第二方面，本发明实施例还提供一种显示装置，包括本发明实施例提供的任意一种显示面板。

本发明实施例提供的显示面板和显示装置，具有如下有益效果：在第一显示区、第一过渡区和第二显示区中，第一显示区内第一子像素的密度最小，则第一显示区的透光率最大，本发明实施例提供能够应用于屏下光学模组方案中，将光学模组设置在第一显示区的下方，保证在光学模组启用时能够接收到足够多的光量。同时，第一过渡区内的子像素密度大小介于第一显示区和第二显示区之间，在显示面板显示时，第一过渡区能够起到视觉过渡的效果，减小第二显示区和第一显示区之间的子像素密度的差异造成的分辨率差异，提升了显示效果。另外，在第一显示区和第一过渡区之间由于子像素密度不同，则子像素的阳极刻蚀工艺以及像素定义层的刻蚀工艺中，在第一显示区和第二过渡区的边界附近存在刻蚀图案密度的突变。而且在像素电路制作过程中，在第一显示区和第二过渡区的边界附近存在刻蚀图案密度的突变。面板制作过程中在第一过渡区和第一显示区的边界附近，可能会由于刻蚀图案密度的突变导致曝光或者刻蚀不均，致使线宽线距不均，进而引起电性差异，尤其会影响像素电路中晶体管的宽长比，进而影响子像素的亮度。而本发明实施例通过在第一显示区和第一过渡区之间设置不用于显示的第一虚拟子像素，在显示面板制作过程中，由于刻蚀图案密度的突变导致的曝光或刻蚀不均问题会发生在第一虚拟子像素上，从而避免了曝光或者刻蚀不均问题对第一过渡区内靠近第一显示区一侧的第一过渡子像素的亮度产生影响，或者对第一显示区内的靠近第一过渡区一侧的第一子像素的亮度产生影响。本发明实施例能够进一步改善在第一显示区和第一过渡区边界附近，由于刻蚀图案突变导致的曝光或刻蚀不均问题导致子像素亮度异常，能够提升显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的显示面板的局部俯视示意图；

图2为本发明实施例提供的显示面板的一种可选实施方式局部俯视示意图；

图3为本发明实施例提供的显示面板的一种可选实施方式局部俯视示意图；

图4为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式俯视示意图；

图5为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式俯视示意图；

图6为图5中切线A-A＇位置处的一种可选实施方式截面示意图；

图7为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式中局部截面示意图；

图8为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式中阴极层的俯视示意图；

图9为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式俯视示意图；

图10为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式俯视示意图；

图11为本发明实施例提供的显示装置示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。

图1为本发明实施例提供的显示面板的局部俯视示意图。如图1所示，显示面板的显示区包括第一显示区AA1、第一过渡区G1、第二显示区AA2和第二过渡区G2，其中，第一过渡区G1位于第一显示区AA1和第二显示区AA2之间，第二过渡区G2位于第一过渡区G1和第一显示区AA1之间；图1中仅示意出局部示意图，本发明实施例中，第一显示区的形状可以根据具体需求进行设计，第一显示区可以为圆形、矩形、三角形等任意形状。在显示时，第一显示区可以用于显示电量图形、消息通知图形、网络状态图形等。

显示区包括多个子像素，子像素包括位于第一显示区AA1的第一子像素sp1，位于第一过渡区G1的第一过渡子像素spg、位于第二过渡区G2的第一虚拟子像素spx1和位于第二显示区AA2的第二子像素sp2，其中，

第一虚拟子像素spx1不用于发光显示。在一种实施例中，第一虚拟子像素spx1包括阳极、发光层和阴极，第二过渡区内还设置有与第一虚拟子像素相对应的第一虚拟像素电路，可选的，可以是一个第一虚拟子像素对应一个第一虚拟像素电路。可以是第一虚拟像素电路不与第一虚拟子像素的阳极相连，从而实现第一虚拟子像素不用于发光。在另一种实施例中，第一虚拟子像素spx1包括阳极、发光层、以及第一虚拟像素电路，将阳极上方对应的阴极刻蚀掉，以实现第一虚拟子像素不发光。在另一种实施例中，可以设置第一虚拟电路的晶体管中，源极金属和漏极金属不连接半导体层的源极区和漏极区，从而使第一虚拟子像素不发光。

如图中示意的，第一显示区AA1内第一子像素sp1的密度小于第一过渡区G1内第一过渡子像素spg的密度，第一过渡区G1内第一过渡子像素spg的密度小于第二显示区AA2内第二子像素sp2的密度。

在第一显示区、第一过渡区和第二显示区中，第一显示区内第一子像素的密度最小，则第一显示区的透光率最大，本发明实施例提供的显示面板能够应用于屏下光学模组方案中，将光学模组设置在第一显示区的下方，保证在光学模组启用时能够接收到足够多的光量。同时，第一过渡区内的子像素密度大小介于第一显示区和第二显示区之间，在显示面板显示时，第一过渡区能够起到视觉过渡的效果，减小第二显示区和第一显示区之间的子像素密度的差异造成的分辨率差异，提升了显示效果。另外，在第一显示区和第一过渡区之间由于子像素密度不同，则子像素的阳极刻蚀工艺以及像素定义层的刻蚀工艺中，在第一显示区和第二过渡区的边界附近存在刻蚀图案密度的突变。而且在像素电路制作过程中，在第一显示区和第二过渡区的边界附近存在刻蚀图案密度的突变。面板制作过程中在第一过渡区和第一显示区的边界附近，可能会由于刻蚀图案密度的突变导致曝光或者刻蚀不均，致使线宽线距不均，进而引起电性差异，尤其会影响像素电路中晶体管的宽长比，进而影响子像素的亮度。而本发明实施例通过在第一显示区和第一过渡区之间设置不用于显示的第一虚拟子像素，在显示面板制作过程中，由于刻蚀图案密度的突变导致的曝光或刻蚀不均问题会发生在第一虚拟子像素上，从而避免了曝光或者刻蚀不均问题对第一过渡区内靠近第一显示区一侧的第一过渡子像素的亮度产生影响，或者对第一显示区内的靠近第一过渡区一侧的第一子像素的亮度产生影响。本发明实施例能够进一步改善在第一显示区和第一过渡区之间，由于刻蚀图案突变导致的曝光或刻蚀不均问题导致子像素亮度异常，能够提升显示效果。

图1中仅为了示意各个部分显示区内的子像素密度的大小关系，对于子像素的排布方式仅作示意性表示。

在一种实施例中，如图2所示，图2为本发明实施例提供的显示面板的一种可选实施方式局部俯视示意图。子像素包括第一颜色子像素、第二颜色子像素和第三颜色子像素。如图中示意的，在第一显示区AA1内，包括第一颜色第一子像素1sp1、第二颜色第一子像素2sp1、第三颜色第一子像素3sp1，三种颜色子像素分散设置。第一过渡区G1内，包括第一颜色第一过渡子像素1spg、第二颜色第一过渡子像素2spg和第三颜色第一过渡子像素3spg。第一显示区AA1内和第一过渡区G1内子像素均分散设置。该实施方式能够应用于采用子像素渲染方式进行显示的显示面板，可以通过选择不同的子像素渲染算法，提高第一显示区AA1显示时的亮度，避免由于像素密度差别较大时造成不同显示区之间的显示亮度差异明显，改善显示效果。

在另一种实施例中，如图3所示，图3为本发明实施例提供的显示面板的一种可选实施方式局部俯视示意图。如图中示意的，三种颜色不同的子像素构成一个重复单元CC，在第一显示区AA1内和第一过渡区G1内重复单元CC均错位排列。该实施方式能够适用于采用real数据输出进行显示的显示面板。

可选的，可以根据第一显示区和第一过渡区的位置关系、以及第一显示区的形状，在第一过渡区和第一显示区之间的第二过渡区内，设置1～3行第一虚拟子像素，和/或设置1～3列第一虚拟子像素。具体的，参考图4中的示意，以第一显示区的形状大致为矩形进行示意。图4为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式俯视示意图。图中仅示意出了第一显示区AA1、部分第一过渡区G1以及第二过渡区G2。以显示区内子像素在第一方向x上排列成像素行，在第二方向y上排列成像素列为例。图中子像素排布方式仅做示意性表示。在第二过渡区G3内围绕第一显示区AA1设置有多个第一虚拟子像素spx1，其中，在第一方向x上，在第一显示区AA1和第一过渡区G1之间设置有3列第一虚拟子像素spx1；在第二方向y上，在第一显示区AA1和第一过渡区G1之间设置有3行第一虚拟子像素spx1。对于第一显示区为其他形状时，可参照图4的设置进行理解。通过第一虚拟子像素的设置，实现由于第一过渡区和第一显示区的子像素密度不同，制作工艺中刻蚀图案密度的突变导致曝光或者刻蚀不均，而引起的电性差异问题，会发生在第一虚拟子像素上，从而避免对显示区内需要正常显示的子像素产生影响。第一虚拟子像素的个数不需要设置的过多，以免在显示区内造成较大宽度的非显示区而影响显示效果。进一步的，图5为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式俯视示意图。如图5所示，显示面板包括多个像素电路，像素电路包括第一像素电路DL1、第一过渡像素电路DLg和第一虚拟像素电路DLx1；其中，第一像素电路DL1和第一过渡像素电路DLg位于第一过渡区G1，第一像素电路DL1与第一子像素sp1电连接，第一过渡像素电路DLg与第一过渡子像素spg电连接，第一虚拟像素电路DLx1位于第二过渡区G2。该实施方式中将驱动第一子像素的第一像素电路设置在第一过渡区，从而能够进一步增大第一显示区的透光率，应用在屏下光学模组方案中能够进一步提升光学模组接收的光量，从而进一步提升光学性能。另外，由于第一虚拟像素电路设置在第二过渡区，在像素电路制作过程中，由于图案密度突变导致的曝光或者刻蚀不均问题会发生在第一虚拟像素电路上，从而能够避免影响第一像素电路和第一过渡像素电路中晶体管的宽长比，避免第一过渡子像素和第一像素亮度异常。

在一种实施例中，图6为图5中切线A-A＇位置处的一种可选实施方式截面示意图。像素电路实际包括多个晶体管以及电路连线，是非常复杂的结构，图6中仅简化示意出像素电路中的一个晶体管，以说明像素电路与子像素的连接情况。如图6所示的，第一过渡子像素spg包括依次堆叠的阳极、发光层和阴极(图中并未标示)，第一过渡子像素spg的阳极和第一过渡像素电路DLg电连接。在第二过渡区G2内，第一虚拟子像素spx也包括与第一过渡子像素spg相同的结构，即第一虚拟子像素spx包括阳极、发光层和阴极这些结构，但是第一虚拟子像素spx的阳极不与第一虚拟像素电路DLx1电连接，从而实现第一虚拟子像素spx不用于发光显示。图6中示意出在第二过渡区G2内的第一虚拟像素电路DLx1中，晶体管的源漏极分别与半导体有源层中的源极区和漏极区连接。在像素电路中源漏极分别需要通过绝缘层上的过孔实现与源极区和漏极区连接，该实施方式在制作绝缘层过孔工艺中，也能够保证将刻蚀过孔密度突变引起曝光或刻蚀不均问题发生在第一虚拟像素电路中的过孔上，从而保证第一过渡区内的像素电路中的过孔大小制作准确。

在另一种实施例中，也可以是第二过渡区内的第一虚拟像素电路中，晶体管的源漏极不与半导体有源层中的源极区和漏极区连接，从而第一虚拟像素电路不能驱动第一虚拟子像素发光显示。

在一种实施例中，继续参考上述图5所示，第二过渡区G2内的多个第一虚拟像素电路DLx的排布方式与第一过渡区G1内多个像素电路(包括第一像素电路DL1和第一过渡像素电路DLg)的排布方式相同。将驱动第一子像素的第一像素电路设置在第一过渡区，则在第一显示区内不设置有像素电路，在像素电路制作中，第一过渡区内的像素电路中可能由于刻蚀图案密度的突变导致曝光或者刻蚀不均，致使线宽线距不均，进而影响子像素的亮度。该实施方式能够确保在像素电路制作的各个工艺制程中，曝光或者刻蚀不均致使线宽线距不均问题会发生在第一虚拟像素电路中，而第一虚拟像素电路不用于驱动子像素发光，所以不会对显示区内子像素的亮度产生影响。

在一种实施例中，继续参考上述图5所示，显示面板还包括连接线L(仅示意出一条)，连接线L的一端与第一子像素sp1电连接，连接线L的另一端与第一像素电路DL1电连接；连接线L包括第一分部L1和第二分部L2，其中，第一分部L1位于第一显示区AA1，第二分部L2为连接线中除第一分部之外的部分，第一分部L1的透光率大于第二分部L2的透光率，且第二分部L2的电阻率小于第一分部L1的电阻率。通过连接线的设置实现位于第一过渡区的第一像素电路对第一子像素的驱动显示，设置位于第一显示区的第一分部的透光率较大，保证光线穿透第一分部时具有足够大的透光率，避免连接线的设置影响第一显示区的透光率。同时设置第二分部的电阻率小于第一分部的电阻率，第二分部能够平衡连接线整体的电阻，避免连接线上电阻过大导致，电压信号传输时压降过大而影响子像素的发光亮度。

可选的，第一分部的制作材料包括铟锡氧化物，第二分部的制作材料包括金属钼、金属铝、金属钛中任意一种或多种。

在另一种实施例中，可以复用第一虚拟像素电路中的部分结构制作连接线，以实现第一子像素和第一像素电路之间的电连接。由于第一虚拟像素电路不用于驱动子像素进行显示，复用其中的部分结构(比如可以是第一虚拟像素电路中的源极、漏极或者栅极)，不会影响子像素的发光显示，也能够减少第二过渡区内的走线条数。

在一种实施例中，图7为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式中局部截面示意图。如图7所示，显示面板包括显示层，显示层包括阳极层a、发光层b和阴极层c，其中，阳极层a包括多个相互绝缘的阳极，阳极还包括第一阳极a1，一个第一子像素sp1包括一个第一阳极a1；阴极层c具有多个第一开口K1，第一开口K1位于第一显示区AA1，且在垂直于显示面板方向上，第一开口K1与第一阳极a1不交叠。该实施方式中阴极层的第一开口与第一阳极不交叠，保证第一开口的设计不影响第一子像素的发光显示，同时，应用在屏下光学模组方案中，光线由第一开口位置处穿透显示面板时，能够减少光损失，从而能够提升光线穿透率，也即能够增加光学模组接收的光量，进一步提升光学性能。

进一步的，图8为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式中阴极层的俯视示意图。如图8所示，仅示意出了部分区域的阴极层的情况，阴极层还具有多个第二开口K2，第二开口K2位于第二过渡区G2；在第二过渡区G2内第二开口K2的排布方式与第一显示区AA1内第一开口K1的排布方式相同。在阴极层刻蚀开口的工艺中，由于刻蚀图案密度的突变导致的曝光或者刻蚀不均问题会发生在第二开口上，从而能够保证第一显示区内第一开口刻蚀的精确度，避免第一开口与第一阳极交叠，而影响第一子像素的发光性能。

在一些可选的实施方式中，如图9所示，图9为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式俯视示意图。显示区还包括第三过渡区G3，第三过渡区G3位于第一过渡区G1和第二显示区AA2之间；多个子像素还包括位于第三过渡区G3的至少一个第二虚拟子像素spx2，第二虚拟子像素spx2不用于发光显示。进一步的在第一过渡区和第二显示区之间设置第三过渡区，第三过渡区内的第二虚拟子像素不用于发光显示，由于第一过渡区和第二显示区的子像素密度不同导致的刻蚀工艺中的曝光或者刻蚀不均问题会发生在第二虚拟子像素上，从而避免刻蚀不均对第二显示区的靠近第一过渡区的第二子像素的亮度产生影响，也能够避免刻蚀不均对第一过渡区内的靠近第二显示区的第一过渡子像素的亮度产生影响。

在一种实施例中，第二虚拟子像素包括阳极、发光层和阴极，第二虚拟子像素的阳极不与像素电路连接，从而实现第二虚拟子像素不用于发光显示。

在另一种实施例中，第二虚拟子像素对应的像素电路中晶体管的源漏极不与半导体有源层中的源极区和漏极区连接，从而实现第二虚拟子像素不用于发光显示。

继续参考上述图9中示意的，第三过渡区G3内多个第二虚拟子像素spx2的排布方式与第二显示区AA2内多个第二子像素sp2的排布方式相同。子像素包括依次堆叠的阳极、发光层和阴极，通常情况下，阳极以及间隔子像素的像素定义层都采用刻蚀工艺制作。第二显示区和第一过渡区的子像素密度不同，在第二显示区和第一过渡区的边界位置处，在刻蚀阳极或者像素定义层时存在图案密度的突变。该实施方式能够保证刻蚀工艺中图案密度的突变导致的曝光或刻蚀不均问题发生在第二虚拟子像素位置，避免对第二显示区内靠近第一过渡区的第二子像素或者第一过渡区内靠近第二显示区的第一过渡子像素产生不良影响。

可选的，可以根据第二显示区和第一过渡区的位置关系，在第一过渡区和第二显示区之间的第三过渡区内，设置1～3行第二虚拟子像素，和/或设置1～3列第二虚拟子像素。以通过第二虚拟子像素的设置，实现由于第一过渡区和第二显示区的子像素密度不同，制作工艺中刻蚀图案密度的突变导致曝光或者刻蚀不均，而引起的电性差异问题，会发生在第二虚拟子像素上，从而避免对显示区内需要正常显示的子像素产生影响。第二虚拟子像素的个数不需要设置的过多，以免在显示区内造成较大宽度的非显示区而影响显示效果。

进一步的，图10为本发明实施例提供的显示面板的另一种可选实施方式俯视示意图。如图10所示，多个像素电路还包括位于第二显示区AA2的第二像素电路DL2和位于第三过渡区G3的第二虚拟像素电路DLx2，第二像素电路DL2与第二子像素sp2电连接，第三过渡区G3内第二虚拟像素电路DLx2的排布方式与第二显示区AA2内第二像素电路DL2的排布方式相同。第二显示区和第一过渡区之间的子像素密度存在差异，则相应的用于驱动子像素发光显示的像素电路的密度也存在差异。通过在第二显示区和第一过渡区之间设置第二虚拟像素电路，而第二虚拟像素电路不用于驱动发光显示，则在像素电路制作过程中，由于刻蚀图案密度突变引起的曝光或刻蚀不均问题会发生在第二虚拟像素电路中，从而能够避免对第二像素电路或者第一过渡像素电路产生不良影响。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种显示装置，图11为本发明实施例提供的显示装置示意图。如图11所示，包括本发明任意实施例提供的显示面板100。其中，显示面板100的具体结构已经在上述实施例中进行了详细说明，此处不再赘述。当然，图11所示的显示装置仅仅为示意说明，该显示装置可以是例如手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书或电视机等任何具有显示功能的电子设备。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板的显示区包括第一显示区、第一过渡区、第二显示区和第二过渡区，其中，第一过渡区位于所述第一显示区和所述第二显示区之间，所述第二过渡区位于所述第一过渡区和所述第一显示区之间；

所述显示区包括多个子像素，所述子像素包括位于所述第一显示区的第一子像素，位于所述第一过渡区的第一过渡子像素、位于所述第二过渡区的第一虚拟子像素和位于所述第二显示区的第二子像素，其中，所述第一虚拟子像素不用于发光显示；所述第一显示区内所述第一子像素的密度小于所述第一过渡区内所述第一过渡子像素的密度，所述第一过渡区内所述第一过渡子像素的密度小于所述第二显示区内所述第二子像素的密度。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述显示面板包括多个像素电路，所述像素电路包括第一像素电路、第一过渡像素电路和第一虚拟像素电路；

其中，所述第一像素电路和所述第一过渡像素电路位于所述第一过渡区，所述第一像素电路与所述第一子像素电连接，所述第一过渡像素电路与所述第一过渡子像素电连接，所述第一虚拟像素电路位于所述第二过渡区。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述显示面板还包括连接线，所述连接线的一端与所述第一子像素电连接，所述连接线的另一端与所述第一像素电路电连接；

所述连接线包括第一分部和第二分部，其中，所述第一分部位于所述第一显示区，所述第二分部为所述连接线中除所述第一分部之外的部分，所述第一分部的透光率大于所述第二分部的透光率，且所述第二分部的电阻率小于所述第一分部的电阻率。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述第二过渡区内的多个所述第一虚拟像素电路的排布方式与所述第一过渡区内多个所述像素电路的排布方式相同。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述显示面板包括显示层，所述显示层包括阳极层、发光层和阴极层，其中，所述阳极层包括多个相互绝缘的阳极，所述阳极包括第一阳极，一个所述第一子像素包括一个所述第一阳极；

所述阴极层具有多个第一开口，所述第一开口位于所述第一显示区，且在垂直于所述显示面板方向上，所述第一开口与所述第一阳极不交叠。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，

所述阴极层还具有多个第二开口，所述第二开口位于所述第二过渡区；

在所述第二过渡区内所述第二开口的排布方式与所述第一显示区内所述第一开口的排布方式相同。

7.根据权利要求1至6任一项所述的显示面板，其特征在于，

所述显示区还包括第三过渡区，所述第三过渡区位于所述第一过渡区和所述第二显示区之间；

多个所述子像素还包括位于所述第三过渡区的至少一个第二虚拟子像素，所述第二虚拟子像素不用于发光显示。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，

所述第三过渡区内多个第二虚拟子像素的排布方式与所述第二显示区内多个所述第二子像素的排布方式相同。

9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，

多个所述像素电路还包括位于所述第二显示区的第二像素电路和位于所述第三过渡区的第二虚拟像素电路，所述第二像素电路与所述第二子像素电连接，所述第三过渡区内所述第二虚拟像素电路的排布方式与所述第二显示区内所述第二像素电路的排布方式相同。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的显示面板。

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