CN110054401A - 一种提高电子玻璃尺寸稳定性的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种提高电子玻璃尺寸稳定性的制造方法，包括以下步骤，步骤1，检测电子玻璃退火温度T；步骤2，确定电子玻璃的目标尺寸变形量△L；步骤3，根据尺寸变形量△L与退火温度T、退火时间t的函数关系，确定电子玻璃在成型工艺过程中的退火时间tn；步骤4，按退火时间tn对电子玻璃进行退火处理，得到步骤2对应尺寸变形量的电子玻璃。本发明的制造方法简单、方便、高效，能达到基板玻璃后续加工过程中所需高尺寸稳定性的要求，克服了通过改善料方热稳定性来提高基板玻璃尺寸稳定性所引起的产线良率低和生产难度高的问题。
Description
技术领域
本发明属于电子玻璃制造技术领域，具体为一种提高电子玻璃尺寸稳定性的制造方法。
背景技术
随着显示技术的不断发展，人们日趋追求高分辨率和高品质画面，对薄膜晶体管显示屏的尺寸大小及响应时间有了更高的要求，其中薄膜晶体管简称为TFT。低温多晶硅技术由于其具有较高的电子迁移率，其中低温多晶硅简称为LTPS，电子迁移率比非晶硅技术高1千倍，且允许在玻璃基板上制造驱动电路和其它电子器件，降低器件成本，简化后期的模组工艺，提高良品率，从而成为目前主流的TFT制造技术。
LTPS工艺普遍采用激光退火技术使非晶硅层结晶，最高效的多晶硅处理法是在600℃以上的温度下操作，其中多晶硅简称为p-Si，这种方法可以在大面积上形成具有极高电子迁移率和极好TFT均匀性的p-Si膜，极高电子迁移率可用来快速转换。这种制造方法通常包括使用升高温度的方法依次沉积薄膜并形成图案，该方法使基材被加热到500℃或以上的温度，在这样的高温下，基板玻璃容易产生收缩而变形，阻碍了像素的提高；为防止玻璃基材在之后的热加工过程中收缩变形，基板玻璃需要有较高的尺寸稳定性。
目前，常用的提高玻璃尺寸稳定性的方法是通过改善玻璃料方的热稳定性来实现，但是具有高热稳定性的玻璃料方往往具有很大的粘度，生产工艺温度很高，对生产装备材料的耐高温和耐腐蚀性能提出了更高的要求，生产良品率低。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种提高电子玻璃尺寸稳定性的制造方法，简单、方便、高效，克服了通过改善料方的热稳定性来提高电子玻璃尺寸稳定性所引起的产线良率低和生产难度高的问题。
本发明是通过以下技术方案来实现：
一种提高电子玻璃尺寸稳定性的制造方法，包括以下步骤，
步骤1，检测电子玻璃退火温度T；
步骤2，确定电子玻璃的目标尺寸变形量△L；
步骤3，根据尺寸变形量△L与退火温度T、退火时间t的函数关系，确定电子玻璃在成型工艺过程中的退火时间tn；
步骤4，按退火时间tn对电子玻璃进行退火处理，得到步骤2对应尺寸变形量的电子玻璃。
优选的，步骤1所述的退火温度T为退火上限温度Ta或退火下限温度Ts，步骤3中对应根据尺寸变形量△L与退火上限温度Ta、退火时间t的函数关系，或尺寸变形量△L与退火下限温度Ts、退火时间t的函数关系确定电子玻璃在成型工艺过程的中退火时间tn。
进一步，步骤3所述尺寸变形量△L与退火上限温度Ta、退火时间t的函数关系用如下公式表述；
再进一步，步骤3所述尺寸变形量△L与退火下限温度Ts、退火时间t的函数关系用如下公式表述；
优选的，步骤1通过玻璃退火点应变点测试系统检测待电子玻璃退火温度T。
优选的，步骤1所述电子玻璃的料方，按摩尔百分比计，包含SiO2 64.5-76.8％，Al2O3 7-14％，B2O3 3-5％，MgO 1-4.71％，CaO 5.8-9％，SrO 1.1-4.3％，BaO 0-3.63％，SnO2 0.07-0.11％。
优选的，步骤2中所述的目标尺寸变形量△L≤40ppm。
优选的，步骤3所述的成型类型为溢流下拉成型、槽口下拉成型或浮法成型。
与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：
本发明的制造方法，在不改变现有电子玻璃料方的基础上，针对一个具体的电子玻璃料方，检测其对应的退火温度，在确定该电子玻璃的目标尺寸变形量后，通过尺寸变形量与退火温度、退火时间的函数关系，得到该电子玻璃成型工艺过程中的退火时间，按此退火时间进行退火处理，得到所需尺寸稳定性的电子玻璃，达到电子玻璃后续加工过程中所需高尺寸稳定性的要求；克服了通过改善料方热稳定性来提高电子玻璃高尺寸稳定性所引起的产线良率低和生产难度高的问题。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明做进一步的详细说明，所述是对本发明的解释而不是限定。
本发明提高电子玻璃尺寸稳定性的制造方法，在不改变现有玻璃料方的基础上，针对具体的玻璃料方，通过调整其成型工艺过程中的退火时间并进行尺寸变形量测试，得到尺寸变形量与退火温度、退火时间的函数关系，最终根据一个具体的电子玻璃料方和目标尺寸变形量得到该电子玻璃成型工艺过程中的退火时间，达到基板玻璃后续加工过程中所需的较高尺寸稳定性。
具体地，包括以下步骤：
步骤1，通过检测设备检测电子玻璃的退火温度T；
步骤2，确定电子玻璃的目标尺寸变形量△L；
步骤3，根据尺寸变形量△L与退火温度T、退火时间t的函数关系，确定电子玻璃成型工艺过程中的退火时间tn；
步骤4，按退火时间tn对电子玻璃进行退火处理，得到步骤2对应尺寸变形量的电子玻璃。
其中，步骤1中的退火温度T1为退火上限温度Ta或退火下限温度Ts，步骤3中对应根据尺寸变形量△L与退火上限温度Ta、退火时间t的函数关系，或尺寸变形量△L与退火下限温度Ts、退火时间t的函数关系确定待退火处理的电子玻璃成型过程的退火时间tn；步骤3中的成型类型为溢流下拉成型、槽口下拉成型或浮法成型。
在优选方案中，该方法的玻璃料方按摩尔百分比计，即mol％：包含SiO2 64.5-76.8％，Al2O3 7-14％，B2O3 3-5％，MgO 1-4.71％，CaO 5.8-9％，SrO 1.1-4.3％，BaO 0-3.63％，SnO2 0.07-0.11％。
实施例1
本发明一种提高电子玻璃尺寸稳定性的制造方法，包括以下步骤，
步骤1，通过型号为ANS800的玻璃退火点应变点测试系统，检测电子玻璃的退火上限温度Ta，其中该电子玻璃的料方，按摩尔百分比计，包含SiO2 68.82％，Al2O3 11.84％，B2O3 4％，MgO 4.71％，CaO 5.8％，SrO 1.1％，BaO 3.63％，SnO2 0.1％，Ta为772.1℃；
步骤2，确定该电子玻璃的目标尺寸变形量△L为40ppm，△L一般根据不同的用户需求制定，一般要求在550℃保温30min的尺寸变形量不超过40ppm；
步骤3，根据尺寸变形量△L与Ta、退火时间t的函数关系，确定步骤1所述电子玻璃在溢流下拉成型过程的退火时间t，t满足公式(1)：
在确定公式(1)时，第一步，选定一个具体的电子玻璃料方，由于该料方对应一个确定的退火上限温度，因此变换不同的退火时间，通过测试可得到该电子玻璃对应的尺寸变形量；第二步，选定若干个不同于第一步的电子玻璃料方，重复第一步的过程，得到不同退火上限温度下退火时间和尺寸变形量的数据；最后一步，将这些有三个变量的数据拟合，得到公式(1)，由于公式(1)只是反映了尺寸变形量△L与退火温度T、退火时间t的对应关系，因此公式(1)的单位统一问题不予考虑；
将Ta为772.1℃和△L为40ppm代入公式(1)中，得到t1为14.04s；
步骤4，按14.04s的退火时间对该电子玻璃进行退火处理，得到40ppm尺寸变形量对应的电子玻璃。
实施例2-5
由于实施例2-5中，仅与实施例1在料方组分及对应的退火上限温度Ta、目标尺寸变形量△L、成型类型和退火时间tn(n＝2-5)不同，故将这些数据列在表1中，并将实施例1对应的数据也一起列在表1中，方便与实施例1进行一一对比。
实施例6
本发明一种提高电子玻璃尺寸稳定性的制造方法，包括以下步骤：
步骤1，通过型号为ANS800的玻璃退火点应变点测试系统，检测电子玻璃的退火下限温度Ts，其中该电子玻璃的料方，按摩尔百分比计，包含SiO2 70.23％，Al2O3 12％，B2O35％，MgO 1％，CaO 7％，SrO 4.1％，BaO 0.6％，SnO2 0.07％，Ts为698.2℃；
步骤2，确定该电子玻璃的目标尺寸变形量△L为40ppm，△L一般根据不同的用户需求制定，一般要求在550℃保温30min的尺寸变形量不超过40ppm；
步骤3，根据尺寸变形量△L与Ts、退火时间t的函数关系，确定步骤1所述电子玻璃在槽口下拉成型过程的退火时间t，t满足公式(2)：
在得到公式(2)的过程中，除了获取的是该具体电子玻璃料方的退火下限温度外，其他的与公式(1)完全相同，因此公式(1)的单位统一问题也不予考虑；
将Ts为698.2℃和△L为40ppm代入公式(2)中，得到t6为10.76s；
步骤4，按10.76s的退火时间对该电子玻璃进行退火处理，得到40ppm尺寸变形量对应的电子玻璃。
实施例7-18
在实施例7-18中，仅与实施例6在料方组分及对应的退火温度、目标尺寸变形量△L、成型类型和退火时间tn(n＝7-18)不同，而其中实施例11、实施例12和实施例15-18中出现的是退火上限温度与实施例6不同，由于与退火上限温度对应的函数关系已经在实施例1中提及了，所以将实施例7-18与实施例2-5做类似处理，将这些数据列在表1中，方便将实施例1-18做一一对比。
表1本发明实施例1-18中的各个参数
| 组分(mol％) | 实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | 实施例4 | 实施例5 | 实施例6 |
| SiO<sub>2</sub> | 68.82％ | 76.80％ | 72.32％ | 71.41％ | 70.01％ | 70.23％ |
| Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> | 11.84％ | 7.00％ | 9.50％ | 10.00％ | 11.00％ | 12.00％ |
| B<sub>2</sub>O<sub>3</sub> | 4.00％ | 3.00％ | 4.20％ | 4.50％ | 4.80％ | 5.00％ |
| MgO | 4.71％ | 3.00％ | 1.70％ | 1.40％ | 1.20％ | 1.00％ |
| CaO | 5.80％ | 9.00％ | 7.70％ | 7.50％ | 7.20％ | 7.00％ |
| SrO | 1.10％ | 1.10％ | 3.10％ | 3.50％ | 3.80％ | 4.10％ |
| BaO | 3.63％ | 0.00％ | 1.40％ | 1.60％ | 1.90％ | 0.60％ |
| SnO<sub>2</sub> | 0.10％ | 0.10％ | 0.08％ | 0.09％ | 0.09％ | 0.07％ |
| 成型类型 | 溢流下拉 | 溢流下拉 | 溢流下拉 | 溢流下拉 | 溢流下拉 | 槽口下拉 |
| Ta/℃ | 772.1 | 710.2 | 721.4 | 726.8 | 740.3 | / |
| Ts/℃ | / | / | / | / | / | 698.2 |
| △L/ppm | 40 | 40 | 30 | 25 | 38 | 40 |
| 退火时间t/s | 14.04 | 49.03 | 48.29 | 48.94 | 30.97 | 10.76 |
| 组分(mol％) | 实施例7 | 实施例8 | 实施例9 | 实施例10 | 实施例11 | 实施例12 |
| SiO<sub>2</sub> | 66.62％ | 68.11％ | 68.11％ | 68.62％ | 68.62％ | 68.52％ |
| Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> | 14.00％ | 12.40％ | 12.40％ | 13.16％ | 12.96％ | 13.06％ |
| B<sub>2</sub>O<sub>3</sub> | 5.00％ | 4.12％ | 4.12％ | 4.57％ | 4.67％ | 4.97％ |
| MgO | 1.00％ | 2.46％ | 2.36％ | 2.08％ | 2.07％ | 2.88％ |
| CaO | 7.00％ | 8.32％ | 8.32％ | 7.99％ | 7.00％ | 7.59％ |
| SrO | 4.30％ | 3.63％ | 2.61％ | 2.12％ | 3.42％ | 2.52％ |
| BaO | 2.00％ | 0.88％ | 2.00％ | 1.35％ | 1.15％ | 0.35％ |
| SnO<sub>2</sub> | 0.08％ | 0.08％ | 0.08％ | 0.11％ | 0.11％ | 0.11％ |
| 成型类型 | 槽口下拉 | 槽口下拉 | 槽口下拉 | 槽口下拉 | 浮法 | 浮法 |
| Ta/℃ | / | / | / | / | 765.2 | 760.2 |
| Ts/℃ | 720.8 | 708.4 | 710.1 | 715.7 | / | / |
| △L/ppm | 35 | 33 | 25 | 33 | 10 | 10 |
| 退火时间t/s | 3.78 | 8.9 | 14.78 | 6.95 | 44.48 | 47.46 |
| 组分(mol％) | 实施例13 | 实施例14 | 实施例15 | 实施例16 | 实施例17 | 实施例18 |
| SiO<sub>2</sub> | 68.62％ | 69.90％ | 69.90％ | 70.90％ | 68.70％ | 64.50％ |
| Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> | 13.16％ | 12.06％ | 12.06％ | 11.06％ | 13.56％ | 13.99％ |
| B<sub>2</sub>O<sub>3</sub> | 4.57％ | 4.48％ | 4.48％ | 4.48％ | 4.48％ | 3.52％ |
| MgO | 1.67％ | 1.00％ | 1.00％ | 2.00％ | 1.50％ | 2.90％ |
| CaO | 7.00％ | 8.80％ | 8.80％ | 7.80％ | 7.50％ | 8.90％ |
| SrO | 3.52％ | 1.70％ | 2.60％ | 2.60％ | 4.10％ | 4.10％ |
| BaO | 1.35％ | 1.95％ | 1.05％ | 1.05％ | 0.07％ | 2.00％ |
| SnO<sub>2</sub> | 0.11％ | 0.11％ | 0.11％ | 0.11％ | 0.09％ | 0.09％ |
| 成型类型 | 槽口下拉 | 槽口下拉 | 溢流下拉 | 溢流下拉 | 槽口下拉 | 浮法 |
| Ta/℃ | / | / | 759.1 | 745.4 | 781.3 | 801.5 |
| Ts/℃ | 717.3 | 693.2 | / | / | / | / |
| △L/ppm | 20 | 20 | 36 | 36 | 36 | 36 |
| 退火时间t/s | 15.84 | 27.76 | 22.13 | 29.29 | 12.13 | 4.55 |
表1给出了本发明实施例1-18中的各个参数，由此可知，本发明的制造方法可以根据不同的玻璃料方确定与之相对应的退火时间，从而可制造出高尺寸稳定性的玻璃产品，避免了现有技术中通过一味地提高料方热稳定性的方法造成的生产工艺温度过高，良品率低的问题。
Claims (8)
1.一种提高电子玻璃尺寸稳定性的制造方法，其特征在于，包括以下步骤，
步骤1，检测电子玻璃退火温度T；
步骤2，确定电子玻璃的目标尺寸变形量△L；
步骤3，根据尺寸变形量△L与退火温度T、退火时间t的函数关系，确定电子玻璃在成型工艺过程中的退火时间tn；
步骤4，按退火时间tn对电子玻璃进行退火处理，得到步骤2对应尺寸变形量的电子玻璃。
2.根据权利要求1所述的一种提高电子玻璃尺寸稳定性的制造方法，其特征在于，步骤1所述的退火温度T为退火上限温度Ta或退火下限温度Ts，步骤3中对应根据尺寸变形量△L与退火上限温度Ta、退火时间t的函数关系，或尺寸变形量△L与退火下限温度Ts、退火时间t的函数关系确定电子玻璃在成型工艺过程中的退火时间tn。
3.根据权利要求2所述的一种提高电子玻璃尺寸稳定性的制造方法，其特征在于，步骤3所述尺寸变形量△L与退火上限温度Ta、退火时间t的函数关系用如下公式表述；
4.根据权利要求2所述的一种提高电子玻璃尺寸稳定性的制造方法，其特征在于，步骤3所述尺寸变形量△L与退火下限温度Ts、退火时间t的函数关系用如下公式表述；
5.根据权利要求1所述的一种提高电子玻璃尺寸稳定性的制造方法，其特征在于，步骤1通过玻璃退火点应变点测试系统检测电子玻璃退火温度T。
6.根据权利要求1所述的一种提高电子玻璃尺寸稳定性的制造方法，其特征在于，步骤1所述电子玻璃的料方，按摩尔百分比计，包含SiO2 64.5-76.8％，Al2O3 7-14％，B2O3 3-5％，MgO 1-4.71％，CaO 5.8-9％，SrO 1.1-4.3％，BaO 0-3.63％，SnO2 0.07-0.11％。
7.根据权利要求1所述的一种提高电子玻璃尺寸稳定性的制造方法，其特征在于，步骤2中所述的目标尺寸变形量△L≤40ppm。
8.根据权利要求1所述的一种提高电子玻璃尺寸稳定性的制造方法，其特征在于，步骤3所述的成型类型为溢流下拉成型、槽口下拉成型或浮法成型。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110862228A (zh) * | 2019-09-29 | 2020-03-06 | 彩虹显示器件股份有限公司 | 一种玻璃基板的制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09278465A (ja) * | 1996-04-17 | 1997-10-28 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 熱収縮率の小さいガラス基板の製造方法 |
| JP2011020864A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラス基板の製造方法 |
| CN102249536A (zh) * | 2010-04-29 | 2011-11-23 | 康宁股份有限公司 | 显示器玻璃中的快速弛豫的组成控制 |
| CN103121791A (zh) * | 2008-01-21 | 2013-05-29 | 日本电气硝子株式会社 | 玻璃基板的制造方法以及玻璃基板 |
| CN108675633A (zh) * | 2018-07-24 | 2018-10-19 | 彩虹显示器件股份有限公司 | 一种低收缩率的电子玻璃及其收缩率测试方法 |
-
2019
- 2019-03-06 CN CN201910169151.2A patent/CN110054401A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09278465A (ja) * | 1996-04-17 | 1997-10-28 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 熱収縮率の小さいガラス基板の製造方法 |
| CN103121791A (zh) * | 2008-01-21 | 2013-05-29 | 日本电气硝子株式会社 | 玻璃基板的制造方法以及玻璃基板 |
| JP2011020864A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラス基板の製造方法 |
| CN102249536A (zh) * | 2010-04-29 | 2011-11-23 | 康宁股份有限公司 | 显示器玻璃中的快速弛豫的组成控制 |
| CN108675633A (zh) * | 2018-07-24 | 2018-10-19 | 彩虹显示器件股份有限公司 | 一种低收缩率的电子玻璃及其收缩率测试方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110862228A (zh) * | 2019-09-29 | 2020-03-06 | 彩虹显示器件股份有限公司 | 一种玻璃基板的制备方法 |
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