CN119812024A - 半导体制造设施的污染监测系统及方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种半导体制造设施的污染监测系统及方法，所述方法包括：将至少一个区域的气体样本输送至第一污染物检测模块和第二污染物检测模块；所述第一污染物检测模块测量所述气体样本中与第一污染物的污染严重程度相关的参数，所述第二污染物检测模块测量所述气体样本中与第二污染物的污染严重程度相关的参数；所述第一污染物和所述第二污染物为不同种类的污染物；根据所述第一污染物检测模块和第二污染物检测模块的测量结果，在所述第一污染物超标时关停位于超标区域的机台，在所述第二污染物超标时关停位于超标区域的机台。本发明能够实现在污染物超标时对超标区域的机台自动停机，减少污染物超标导致的产品缺陷影响。

Description

半导体制造设施的污染监测系统及方法

技术领域

本申请涉及半导体制造，特别是涉及一种半导体制造设施的污染监测系统，还涉及一种半导体制造设施的污染监测方法。

背景技术

半导体器件在生产时极易受到各种污染物的影响，这些污染物包括颗粒、金属离子、化学物质、细菌等。

示例性地，可以通过空气颗粒监测系统监测晶圆工厂(Fab)车间的空气中的颗粒，通过空气离子监测系统监测Fab车间的空气中的离子浓度(如氟离子，氯离子，硫酸根离子，磷酸根离子，硝酸根离子，亚硝酸根离子，溴离子，铵根离子浓度等等)。

传统的空气颗粒监测系统和空气离子监测系统的自动化程度较低，因此当车间中出现环境参数异常时，容易出现位于该区域的机台应对不及时的情况。

发明内容

基于此，有必要提供一种在出现车间环境参数异常时，能够及时做出应对的半导体制造设施的污染监测系统及方法。

一种半导体制造设施的污染监测系统，包括：采样模块，用于采集得到半导体制造设施中至少一个区域的气体样本；第一污染物检测模块，与所述采样模块连接，用于对所述气体样本进行与第一污染物的污染严重程度相关的参数的测量；第二污染物检测模块，与所述采样模块连接，用于对所述气体样本进行与第二污染物的污染严重程度相关的参数的测量；控制模块，与所述第一污染物检测模块和第二污染物检测模块电性连接，用于在所述第一污染物超标时发送位于超标区域的机台的停机信号，以及在所述第二污染物超标时发送位于超标区域的机台的停机信号；其中，所述第一污染物和所述第二污染物为不同种类的污染物。

上述半导体制造设施的污染监测系统，在半导体制造设施的某个区域污染物超标时，发送该区域机台的停机信号，从而能够实现在污染物超标时对超标区域的机台自动停机，减少污染物超标导致的产品缺陷影响。

在其中一个实施例中，所述采样模块包括：多个采样口，每个采样口靠近对应的机台设置；采样管，与各所述采样口连接；所述第一污染物检测模块和第二污染物检测模块与所述采样管连接；所述控制模块用于在所述第一污染物超标时，发送超标的第一污染物来自的采样口对应的机台的停机信号，以及在所述第二污染物超标时，发送超标的第二污染物来自的采样口对应的机台的停机信号。

在其中一个实施例中，所述第一污染物检测模块是空气颗粒检测模块。

在其中一个实施例中，所述第二污染物检测模块是空气离子检测模块。

在其中一个实施例中，所述第一污染物检测模块包括激光粒子计数器。

在其中一个实施例中，所述第二污染物检测模块包括离子射谱仪。

在其中一个实施例中，所述采样管的材质包括可熔性聚四氟乙烯。

在其中一个实施例中，所述采样管的数量大于一，每根所述采样管至少连接一所述采样口，至少部分所述采样管既连接所述第一污染物检测模块、又连接所述第二污染物检测模块。

在其中一个实施例中，每个采样口的编号与邻近采样口的机台的编号绑定；所述控制模块用于在所述第一污染物超标时，根据超标的第一污染物来自的采样口的编号关停对应绑定的机台；以及在所述第二污染物超标时，根据超标的第二污染物来自的采样口的编号关停对应绑定的机台。

在其中一个实施例中，所述与第一污染物的污染严重程度相关的参数是颗粒数。

在其中一个实施例中，所述与第二污染物的污染严重程度相关的参数是污染离子浓度。

一种半导体制造设施的污染监测方法，包括：采集半导体制造设施中至少一个区域的气体样本；测量所述气体样本中与第一污染物的污染严重程度相关的参数；测量所述气体样本中与第二污染物的污染严重程度相关的参数；在所述第一污染物超标时发送位于超标区域的机台的停机信号，以及在所述第二污染物超标时发送位于超标区域的机台的停机信号；其中，所述第一污染物和所述第二污染物为不同种类的污染物。

上述半导体制造设施的污染监测方法，在半导体制造设施的某个区域污染物超标时，自动对该区域机台进行停机，减少污染物超标导致的产品缺陷影响。

在其中一个实施例中，所述采集半导体制造设施中至少一个区域的气体样本，包括：通过与多个采样口连接的采样管，采集各所述采样口进入的所述气体样本；所述在所述第一污染物超标时发送位于超标区域的机台的停机信号，以及在所述第二污染物超标时发送位于超标区域的机台的停机信号，包括：在所述第一污染物超标时，发送超标的第一污染物来自的采样口对应的机台的停机信号，以及在所述第二污染物超标时，发送超标的第二污染物来自的采样口对应的机台的停机信号。

在其中一个实施例中，所述方法还包括将每个采样口的编号与邻近采样口的机台的编号进行虚拟绑定的步骤；所述在所述第一污染物超标时关停位于所述超标区域的机台，和所述在所述第二污染物超标时关停位于所述超标区域的机台，是根据超标的气体样本来自的采样口的编号关停对应绑定的机台。

在其中一个实施例中，所述与第一污染物的污染严重程度相关的参数是颗粒数。

在其中一个实施例中，所述与第二污染物的污染严重程度相关的参数是污染离子浓度。

在其中一个实施例中，所述采样管的材质包括可熔性聚四氟乙烯。

附图说明

为了更好地描述和说明这里公开的那些发明的实施例和/或示例，可以参考一幅或多幅附图。用于描述附图的附加细节或示例不应当被认为是对所公开的发明、目前描述的实施例和/或示例以及目前理解的这些发明的最佳模式中的任何一者的范围的限制。

图1是示例性的相关技术中空气颗粒监测系统和空气离子监测系统的结构框图；

图2是本申请一实施例中半导体制造设施的污染监测系统的结构示意图；

图3是空气颗粒检测的测试数据图；

图4是空气离子检测的测试数据图；

图5是本申请一实施例中半导体制造设施的污染监测方法的流程图；

图6是本申请一实施例中PAMC系统的核心工作流程图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的首选实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

在相关技术中，示例性的空气颗粒监测系统10和空气离子监测系统20是各自独立的，如图1所示。空气颗粒监测系统10的采样管和空气离子监测系统20的采样管要在Fab的车间分别进行铺设。且颗粒监测模组/离子监测模组的数据输出后需要人工判断污染物数值是否超标，以及超标的数值所对应的机台，进一步地以人工的方式通知机台对应的制程组进行机台管控(如停机等)。自动化程度低，测试结果无法联动Fab的生产系统(例如制造执行系统MES)，反馈时效性差。

本申请提出一种半导体制造设施的污染监测系统，在出现车间环境参数异常时能够及时关停半导体制造设施中相应区域的生产机台。半导体制造设施的污染监测系统包括：采样模块，用于采集得到半导体制造设施中至少一个区域的气体样本；第一污染物检测模块，与采样模块连接，用于对气体样本进行与第一污染物的污染严重程度相关的参数的测量；第二污染物检测模块，与采样模块连接，用于对气体样本进行与第二污染物的污染严重程度相关的参数的测量；控制模块，与第一污染物检测模块和第二污染物检测模块电性连接，用于在第一污染物超标时发送位于超标区域的机台的停机信号，以及在第二污染物超标时发送位于超标区域的机台的停机信号；其中，第一污染物和第二污染物为不同种类的污染物。

半导体制造设施是指用于制造半导体的设施。示例性的，半导体制造设施是半导体制造车间，半导体制造设施中包括至少一个机台。这些机台可以例如是光刻机、蚀刻机台、沉积机台等。每个机台的制造工艺可以一样，也可以不一样，本申请实施例对此不作限定。

机台位于半导体制造设施中的前述各区域中。采集至少一个区域的气体样本，是为了监测机台周围的环境气体的污染情况，因此采集一个区域的气体样本，就是采集能够代表一个机台(或一个以上机台)所处的环境气体的污染情况的气体的样本。由此，采集的应为靠近相应机台的气体。采集的位置与机台的距离可以由技术人员根据实际需求进行设置。

第一污染物超标是指与第一污染物的污染严重程度相关的参数不满足第一正常指标，第二污染物超标是指与第二污染物的污染严重程度相关的参数不满足第二正常指标。第一正常指标和第二正常指标可以是业界通用的指标，也可以是技术人员自己人为确定的一个指标。

上述半导体制造设施的污染监测系统，在半导体制造设施的某个区域污染物超标时，发送该区域机台的停机信号，从而能够实现在污染物超标时对超标区域的机台自动停机，减少污染物超标导致的产品缺陷影响。

图2是本申请一实施例中半导体制造设施的污染监测系统的结构示意图。半导体制造设施的污染监测系统包括采样口112、采样管110、第一污染物检测模块122、第二污染物检测模块124及控制模块130。采样管110与采样口112连接。每个采样口112都靠近一个机台(即与该采样口112对应的机台)设置，以使得通过采样口112进入采样管110的气体样本能够代表对应的机台所在区域的污染物情况。第一污染物检测模块122与采样管110连接，用于进行与第一污染物的污染严重程度相关的参数的测量。第二污染物检测模块124同样与采样管110连接，用于进行与第二污染物的污染严重程度相关的参数的测量。第一污染物和第二污染物为不同种类的污染物，即第一污染物和第二污染物需要使用不同种类的测量设备进行测量。控制模块130与第一污染物检测模块122和第二污染物检测模块124电性连接，用于在第一污染物检测模块122测得的第一污染物超标时发送超标的第一污染物来自的采样口112对应的机台的停机信号，以及在第二污染物检测模块124测得的第二污染物超标时发送超标的第二污染物来自的采样口112对应的机台的停机信号。控制模块130可以接入车间的生产系统，从而将停机信号给至生产系统，进而由生产系统自动下停机指令至相应的生产机台，实现自动停机。

图2所示的半导体制造设施的污染监测系统，对应同一机台的第一污染物检测模块122和第二污染物检测模块124(即对同一机台处的空气进行检测的第一污染物检测模块122和第二污染物检测模块124)共用一根采样管110，因此能够减少采样管110铺设时施工的工程量。

在本申请的一个实施例中，控制模块130还用于将第一污染物检测模块122和第二污染物检测模块124的测量结果进行数据整合后推送给负责的工程师。示例性地，工程师对应有一个终端设备，该终端设备与控制模块130通过有线或无线的方式连接，控制模块130将第一污染物检测模块122和第二污染物检测模块124的测量结果通过有线或无线方式发给终端设备。

在本申请的一个实施例中，半导体制造设施的污染监测系统包括多个采样口112和多根采样管110，每根采样管110至少连接一采样口112。各采样口112被配置为与邻近的机台对应。控制模块130发送的停机信号是采样口112对应的机台的停机信号。部分或全部的采样管110既连接第一污染物检测模块122、又连接第二污染物检测模块124，即第一污染物检测模块122和第二污染物检测模块124共用采样管110进行空气采样。

图2示出了3个机台分别对应的采样口112、采样管110、第一污染物检测模块122及第二污染物检测模块124。在图2所示的实施例中，每个第一污染物检测模块122和第二污染物检测模块124对应连接一根采样管110；在其他实施例中，每个第一污染物检测模块122和第二污染物检测模块124也可以与一根以上的采样管110连接，并通过阀门或类似的机构控制当前与哪根采样管110连通。可以将采样口112的编号与邻近的机台的编号进行虚拟绑定，这样根据污染物超标的空气样本来自哪个编号的采样口112，就能够定位到需要进行停机的机台(的编号)，进而控制被定位的机台停机。

在本申请的一个实施例中，第一污染物检测模块122是空气颗粒检测模块，第二污染物检测模块124是空气离子检测模块。半导体制造设施的污染监测系统为PAMC(ParticleAirborne Modular Contamination)系统。第一污染物检测模块122用于测量空气样本中的颗粒数，第二污染物检测模块124用于测量空气样本中的污染离子浓度。

在本申请的一个实施例中，空气颗粒检测模块包括激光粒子计数器。进一步地，空气颗粒检测模块还可以包括泵和取样转换器等。泵用于将相应的采样口112附近的空气抽进采样管110中并输送至空气颗粒检测模块中的测量设备(例如激光粒子计数器)处。

在本申请的一个实施例中，空气离子检测模块包括离子射谱仪。进一步地，空气离子检测模块还可以包括泵和取样转换器等。泵用于将相应的采样口112附近的空气抽进采样管110中并输送至空气离子检测模块中的测量设备(例如离子射谱仪)处。第一污染物检测模块122和第二污染物检测模块124可以共用一个泵。

在本申请的一个实施例中，采样管110的材质为PFA(Perfluoroalkoxy，可熔性聚四氟乙烯)。由于空气颗粒检测模块与空气离子检测模块共用采样管110，因此空气颗粒检测模块连接的采样管110材质采用PFA塑料，不同于采样管采用抗静电材质的纤维管的示例性方案。

综上，在本申请的一个实施例中，PAMC系统采用PFA材质的采样管110，将空气颗粒及空气离子检测的取样模式整合，实现了空气颗粒及空气离子监测功能的无缝整合，可自动发送指令至生产系统，进而由生产系统自动下指令至预先虚拟绑定的生产机台，实现自动停机，减少颗粒/污染离子超标对产品良率的影响。

以图2所示的PAMC系统为例，假设靠近机台3的采样口112自动取样后，气体样品通过该采样口112连接的采样管110到达相应的第一污染物检测模块122和第二污染物检测模块124，并进行空气颗粒检测和空气离子检测后，空气颗粒检测结果超出控制线(SPEC)，则由控制模块130发送停机信号给生产系统，生产系统自动下发停机指令至机台3，实现自动停机。图3是空气颗粒检测的测试数据图，图4是空气离子检测的测试数据图。其中图3中有一个数据点超出了控制线(SPEC)，因此对相应的机台进行停机。PAMC系统的核心工作流程可参考图6：

S610，采样。

通过采样口112和采样管110，将半导体制造设施中需要监控的机台所在区域的气体样本输送至空气颗粒检测模块和空气离子检测模块。

S622，空气颗粒检测模块数据超标。

如果空气颗粒检测模块的空气颗粒检测结果超出控制线，则进入步骤S632。

S632，锁定采样对应的机台。

根据超标的空气样本是来自哪个采样口112，锁定该采样口112对应的机台。

S642，制造执行系统触发停机指令。

车间的生产系统——具体为制造执行系统(MES)——触发步骤S632锁定的机台的停机指令。

S652，整合数据推送至负责工程师。

在本申请的一个实施例中，工程师对应配备一个终端设备，该终端设备与控制模块130通过有线或无线的方式连接，控制模块130将第一污染物检测模块122(本实施例中为空气颗粒检测模块)的检测结果通过有线或无线方式发给终端设备。

S624，空气离子检测模块数据超标。

如果空气离子检测模块的空气离子检测结果超出控制线，则进入步骤S634。

S634，锁定采样对应的机台。

根据超标的空气样本是来自哪个采样口112，锁定该采样口112对应的机台。

S644，制造执行系统触发停机指令。

车间的生产系统——具体为制造执行系统——触发步骤S634锁定的机台的停机指令。

S654，整合数据推送至负责工程师。

在本申请的一个实施例中，工程师对应配备一个终端设备，该终端设备与控制模块130通过有线或无线的方式连接，控制模块130将第二污染物检测模块124(本实施例中为空气离子检测模块)的检测结果通过有线或无线方式发给终端设备。

本申请相应提出一种半导体制造设施的污染监测方法。图5是本申请一实施例中半导体制造设施的污染监测方法的流程图，包括下列步骤：

S510，采集半导体制造设施中至少一个区域的气体样本。

在本申请的一个实施例中，是通过与多个采样口连接的采样管，采集各采样口进入的气体样本。在图2所示的实施例中，通过与采样口112连接的采样管110，将从采样口112进入的气体样本输送至第一污染物检测模块122和第二污染物检测模块124。即第一污染物检测模块122和第二污染物检测模块124共用一根采样管110，将空气颗粒及空气离子检测的取样模式整合，实现空气颗粒及空气离子监测功能的无缝整合。每个采样口112都靠近一个机台(即与该采样口112对应的机台)设置，以使得通过采样口112进入采样管110的气体样本能够代表对应的机台所在区域的污染物情况。

S522，测量气体样本中与第一污染物的污染严重程度相关的参数。

在本申请的一个实施例中，是通过第一污染物检测模块122测量气体样本中与第一污染物的污染严重程度相关的参数。在本申请的一个实施例中，第一污染物检测模块122是空气颗粒检测模块，用于测量空气样本中的颗粒数。

在本申请的一个实施例中，空气颗粒检测模块包括激光粒子计数器。进一步地，空气颗粒检测模块还可以包括泵和取样转换器等。泵用于将相应的采样口112附近的空气抽进采样管110中并输送至空气颗粒检测模块中的测量设备(例如激光粒子计数器)处。

S524，测量气体样本中与第二污染物的污染严重程度相关的参数。

在本申请的一个实施例中，是通过第二污染物检测模块124测量气体样本中与第二污染物的污染严重程度相关的参数。在本申请的一个实施例中，第二污染物检测模块124是空气离子检测模块，用于测量空气样本中的污染离子浓度。

在本申请的一个实施例中，空气离子检测模块包括离子射谱仪。进一步地，空气离子检测模块还可以包括泵和取样转换器等。泵用于将相应的采样口112附近的空气抽进采样管110中并输送至空气离子检测模块中的测量设备(例如离子射谱仪)处。

S532，在第一污染物超标时发送位于超标区域的机台的停机信号。

在本申请的一个实施例中，步骤S532是发送超标的第一污染物来自的采样口对应的机台的停机信号。在本申请的一个实施例中，第一污染物超标是指气体样本中的颗粒数超过了控制线。

S534，在第二污染物超标时发送位于超标区域的机台的停机信号。

在本申请的一个实施例中，步骤S534是发送超标的第二污染物来自的采样口对应的机台的停机信号。在本申请的一个实施例中，第二污染物超标是指气体样本中的污染离子浓度是否超过了控制线。

上述半导体制造设施的污染监测方法，在半导体制造设施的某个区域污染物超标时，自动对该区域机台进行停机，减少污染物超标导致的产品缺陷影响。进一步地，对应同一个机台的第一污染物检测模块122和第二污染物检测模块124共用一根采样管110，因此能够减少采样管110铺设时施工的工程量。在车间某个区域污染物超标时，自动对该区域机台进行停机，减少污染物超标导致的产品缺陷影响。

在本申请的一个实施例中，步骤S532和步骤S534之后还包括将第一污染物检测模块122和第二污染物检测模块124的测量结果进行数据整合后推送给负责的工程师的步骤。

在本申请的一个实施例中，半导体制造设施的污染监测系统包括多个采样口112和多根采样管110，每根采样管110至少连接一采样口112。在本申请的一个实施例中，半导体制造设施的污染监测方法还包括将各采样口112的编号与该采样口112所在区域的机台的编号进行虚拟绑定的步骤。步骤S532和步骤S534是根据超标的气体样本来自的采样口112的编号来关停与其虚拟绑定的机台。即在第一污染物检测模块122和第二污染物检测模块124检测到相应的污染物超标时，首先定位出超标的气体样本来自的采样口112，再根据采样口112的编号锁定与其虚拟绑定的机台，进行停机处理。

在本申请的一个实施例中，采样管110的材质为可熔性聚四氟乙烯(Perfluoroalkoxy，PFA)。

半导体制造设施的污染监测系统和半导体制造设施的污染监测方法属于同一发明构思，有关半导体制造设施的污染监测方法中未具体介绍的内容可参见上述半导体制造设施的污染监测系统。

应该理解的是，虽然本申请的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，本申请流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、磁带、软盘、闪存或光存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)或外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)等。

本申请还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述任一实施例所述的方法中的步骤。

本申请还提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现如前述任一实施例所述的方法中的步骤。

本申请还提供一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如前述任一实施例所述的方法的步骤。

在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种半导体制造设施的污染监测系统，其特征在于，包括：

采样模块，用于采集得到半导体制造设施中至少一个区域的气体样本；

第一污染物检测模块，与所述采样模块连接，用于对所述气体样本进行与第一污染物的污染严重程度相关的参数的测量；

第二污染物检测模块，与所述采样模块连接，用于对所述气体样本进行与第二污染物的污染严重程度相关的参数的测量；

控制模块，与所述第一污染物检测模块和第二污染物检测模块电性连接，用于在所述第一污染物超标时发送位于超标区域的机台的停机信号，以及在所述第二污染物超标时发送位于超标区域的机台的停机信号；

其中，所述第一污染物和所述第二污染物为不同种类的污染物。

2.根据权利要求1所述的半导体制造设施的污染监测系统，其特征在于，

所述采样模块包括：

多个采样口，每个采样口靠近对应的机台设置；

采样管，与各所述采样口连接；

其中，所述第一污染物检测模块和第二污染物检测模块与所述采样管连接；

所述控制模块用于在所述第一污染物超标时，发送超标的第一污染物来自的采样口对应的机台的停机信号，以及在所述第二污染物超标时，发送超标的第二污染物来自的采样口对应的机台的停机信号。

3.根据权利要求2所述的半导体制造设施的污染监测系统，其特征在于，所述采样管的数量大于一，每根所述采样管至少连接一所述采样口，至少部分所述采样管既连接所述第一污染物检测模块、又连接所述第二污染物检测模块。

4.根据权利要求2所述的半导体制造设施的污染监测系统，其特征在于，每个采样口的编号与邻近采样口的机台的编号绑定；

所述控制模块用于在所述第一污染物超标时，根据超标的第一污染物来自的采样口的编号关停对应绑定的机台；

以及在所述第二污染物超标时，根据超标的第二污染物来自的采样口的编号关停对应绑定的机台。

5.根据权利要求2所述的半导体制造设施的污染监测系统，其特征在于，所述采样管的材质包括可熔性聚四氟乙烯。

6.根据权利要求1至5任一项所述的半导体制造设施的污染监测系统，其特征在于，所述第一污染物检测模块是空气颗粒检测模块，所述第二污染物检测模块是空气离子检测模块。

7.根据权利要求6所述的半导体制造设施的污染监测系统，其特征在于，所述第一污染物检测模块包括激光粒子计数器，所述第二污染物检测模块包括离子射谱仪。

8.根据权利要求6所述的半导体制造设施的污染监测系统，其特征在于，所述与第一污染物的污染严重程度相关的参数是颗粒数，所述与第二污染物的污染严重程度相关的参数是污染离子浓度。

9.一种半导体制造设施的污染监测方法，包括：

采集半导体制造设施中至少一个区域的气体样本；

测量所述气体样本中与第一污染物的污染严重程度相关的参数；

测量所述气体样本中与第二污染物的污染严重程度相关的参数；

在所述第一污染物超标时发送位于超标区域的机台的停机信号，以及在所述第二污染物超标时发送位于超标区域的机台的停机信号；

其中，所述第一污染物和所述第二污染物为不同种类的污染物。

10.根据权利要求9所述的半导体制造设施的污染监测方法，其特征在于，所述采集半导体制造设施中至少一个区域的气体样本，包括：

通过与多个采样口连接的采样管，采集各所述采样口进入的所述气体样本；

所述在所述第一污染物超标时发送位于超标区域的机台的停机信号，以及在所述第二污染物超标时发送位于超标区域的机台的停机信号，包括：

在所述第一污染物超标时，发送超标的第一污染物来自的采样口对应的机台的停机信号，以及在所述第二污染物超标时，发送超标的第二污染物来自的采样口对应的机台的停机信号。