CN119563238A - 功率半导体模块以及使用其的马达驱动系统 - Google Patents

Abstract

在具备缓冲电容器的功率半导体模块中，提供能够兼顾高电流密度化和防止缓冲电容器的加热的功率半导体模块。具有：正极端子；在俯视时至少一部分与上述正极端子重叠地配置的负极端子；从上述正极端子分支的第一配线；从上述负极端子分支的第二配线；以及配置在俯视时的上述正极端子与上述负极端子重叠的位置的外侧，且经由上述第一配线和上述第二配线而连接的缓冲电容器。

Description

功率半导体模块以及使用其的马达驱动系统

技术领域

本发明涉及功率半导体模块的构造，尤其是涉及应用于具备缓冲电容器的功率半导体模块而有效的技术。

背景技术

电力转换装置具备电力的交流－直流转换、直流－交流转换、或者交流电力的频率转换、直流电力的电压转换等功能。为了发挥这样的转换功能，电力转换装置具备电力转换电路，该电力转换电路通过具备开关功能的功率半导体模块的接通、断开动作来转换电力。

在功率半导体模块内部，在散热用的金属基座之上，利用焊锡等接合形成配线图案的绝缘基板。具有在该绝缘基板的配线图案上搭载有单一或者多个并联连接的开关元件(半导体元件)的1in1模块(一合一模块)、在模块内部串联连接两个开关元件而用一个模块构成半桥电路的2in1模块(二合一模块)等的形态。

近年来，通过提高开关元件的性能，促进了低接通电阻化或者低接通电压化引起的导通损失的降低、高速开关化引起的开关损失的降低。另外，伴随开关元件的低损失化，促进了功率半导体模块的额定电流增加引起的功率半导体模块内部的高电流密度化。若功率半导体模块的额定电流、开关速度增加，则关断开关时的di/dt增加，与di/dt和主电路的配线电感成比例的关断开关时的浪涌电压增加。

在此，所谓主电路的配线电感例如如果是半桥电路，则是从直流平滑电容器通过上支的开关元件和下支的开关元件，并返回至直流平滑电容器的电力转换主电路的循环的配线电感。若浪涌电压超过功率半导体模块的额定电压，则有可能发生过电压故障，因此需要将浪涌电压抑制为额定电压以下。

为了在保持di/dt的状态下降低浪涌电压，虽然只要降低主电路的配线电感即可，但基于电力转换电路、功率半导体模块内部的配线构造的变更的主电路的配线电感降低也有限度。

作为在模块内部的配线构造的变更以外降低浪涌电压的方法，例如只要是2in1模块，就有在功率半导体模块内部的正极端子与负极端子之间连接缓冲电容器的方法。通过将缓冲电容器搭载于功率半导体模块内部并配置在上下支的开关元件的近前，从而关于在关断开关时经由缓冲电容器而流动的电流量而言，主电路的配线电感变小，因此能够降低浪涌电压。

缓冲电容器也可以安装于功率半导体模块内部的金属基座上的绝缘基板，但该情况下，安装缓冲电容器的量、开关元件的安装空间减少，因此在要增加开关元件的搭载数、将功率半导体模块高电力密度化的情况下成为障碍。

作为本技术分野的背景技术，例如有专利文献1那样的技术。在专利文献1中提出了以下方法：通过做成在功率半导体模块内的正极端子与负极端子之间夹入缓冲电容器的构造，从而兼顾功率半导体模块的高电力密度化和内置缓冲电容器来抑制浪涌电压。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2020－120455号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，上述专利文献1是在正极端子与负极端子之间夹入缓冲电容器的构造，因此伴随近年的功率半导体模块的高电流密度化，正极端子以及负极端子的发热量增加，缓冲电容器成为过热状态，最终有可能导致故障。

因此，本发明的目的在于，在具备缓冲电容器的功率半导体模块中，提供一种能够兼顾高电流密度化和防止缓冲电容器的加热的功率半导体模块以及使用了它的马达驱动系统。

用于解决课题的方案

为了解决上述课题，本发明的特征在于，具有：正极端子；负极端子，其在俯视时至少一部分与上述正极端子重叠地配置；第一配线，其从上述正极端子分支；第二配线，其从上述负极端子分支；以及缓冲电容器，其配置在俯视时的上述正极端子与上述负极端子重叠的位置的外侧，且经由上述第一配线和上述第二配线而连接。

发明的效果

根据本发明，在具备缓冲电容器的功率半导体模块中，能够实现兼顾高电流密度化和防止缓冲电容器的加热的功率半导体模块以及使用了它的马达驱动系统。

由此，能够有助于功率半导体模块以及使用了它的马达驱动系统的低损失化和信赖性提高。

上述的以外的课题、结构以及效果根据以下的实施方式的说明将变得清楚。

附图说明

图1是表示本发明的实施例1的功率半导体模块的内部构造的剖视图。

图2是图1的缓冲电容器14的安装部分的放大图。

图3是概念性地表示图2中的电流的流动的图。

图4是图1的功率半导体模块的俯视图。

图5是使用图1的功率半导体模块而构成的半桥电路的等效电路图。

图6是表示图5的电路结构中的开关波形的模拟结果的图。(无缓冲电容器)

图7是表示图5的电路结构中的开关波形的模拟结果的图。(缓冲电容器的静电电容50nF)

图8是本发明的实施例2的功率半导体模块的俯视图。

图9是使用图8的功率半导体模块而构成的半桥电路的等效电路图。

图10是本发明的实施例3的功率半导体模块的俯视图。

图11是图10的功率半导体模块内部的第一缓冲电容器14和第二缓冲电容器32的安装部分的立体图。

图12是图10的功率半导体模块内部的等效电路图。

图13是本发明的实施例4的马达驱动系统的结构图。

具体实施方式

以下，使用附图对本发明的实施例进行说明。此外，在各附图中对相同的结构标注相同的符号，关于重复的部分，省略其详细的说明。

实施例1

参照图1至图7，对本发明的实施例1的功率半导体模块进行说明。在本实施例中，首先，使用图1至图4，对本实施例的功率半导体模块的构造进行说明。接着，使用图5，对使用本实施例的功率半导体模块来构成半桥电路的情况的等效电路图进行说明。最后，使用图6以及图7，对图5的电路结构中的根据本发明的关断时的浪涌电压降低效果进行说明。

图1是表示本实施例的功率半导体模块1的内部构造的剖视图。本实施例的功率半导体模块1是所谓的2in1模块。

如图1所示，本实施例的功率半导体模块1在散热用的金属基座2之上分别用焊锡7接合有上支的绝缘基板3、下支的绝缘基板4、上支的绝缘子基板5、以及下支的绝缘子基板6。绝缘基板3、4以及绝缘子基板5、6分别由金属层8、绝缘层9、以及配线图案10构成。

在上支的绝缘基板3的配线图案10上由焊锡7接合有开关元件SW11(在图1中未图示)、开关元件SW12、二极管D11(在图1中未图示)、以及二极管D12。接合材料除了焊锡以外，也可以使用烧结铜等材料。

开关元件SW11、SW12与二极管D11、D12的高电位侧电极间(在此为集电极电极与阳极电极间)由配线图案10电连接，低电位侧电极间(在此为发射极电极与阴极电极间)由接合引线11电连接(参照图4)。

在下支的绝缘基板4的配线图案10上由焊锡7接合有开关元件SW21(在图1中未图示)、开关元件SW22、二极管D21(在图1中未图示)、以及二极管D22。接合材料除了焊锡以外，也可以使用烧结铜等材料。

开关元件SW21、SW22与二极管D21、D22的高电位侧电极间(在此为集电极电极与阳极电极间)由配线图案10电连接，低电位侧电极间(在此为发射极电极与阴极电极间)由接合引线11电连接(参照图4)。

作为开关元件SW11、SW12、SW21、SW22，除了图示的IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor，绝缘栅双极晶体管)以外，还应用MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)等。另外，作为二极管D11、D12、D21、D22，除了pn接合二极管以外，还应用SBD(Schottky Barrier Diode，肖特基势垒二极管)等。

构成开关元件SW11、SW12、SW21、SW22以及二极管D11、D12、D21、D22的半导体材料既可以是Si、也可以是SiC等宽带隙半导体。

此外，在应用MOSFET作为开关元件SW11、SW12、SW21、SW22的情况下，也可以使用MOSFET的寄生二极管(主体二极管)作为二极管D11、D12、D21、D22。

另外，在上支的绝缘基板3，正极端子(第一正极端子)P1与配线图案10超声波接合，在下支的绝缘基板4，负极端子(第一负极端子)N1与配线图案10超声波接合，在上支的绝缘子基板5，上支的栅极辅助端子G1AUX和上支的发射极辅助端子E1AUX与配线图案10超声波接合，在下支的绝缘子基板6，下支的栅极辅助端子G2AUX和下支的发射极辅助端子E2AUX与配线图案10超声波接合。接合方法也可以是焊锡接合等其它方法。功率半导体模块1整体纳入树脂箱体(未图示)，内部由凝胶47封固。封固材料也可以是树脂等其它材料。

负极端子N1在俯视时至少其一部分与正极端子P1重叠地配置，而且两端子间的间隔在确保绝缘距离的基础上设计成尽量短。这是为了通过将相互反方向的电流流动的两端子对置且近接地配置，来抵消流在相互的端子中流动的电流产生的磁束，降低两端子的配线电感。

在本发明中，其特征在于，相对于如图1那样以俯视时与正极端子P1重叠的方式配置的负极端子N1，经由从负极端子N1分支的第一母线12和从正极端子P1分支的第二母线13，在俯视时正极端子P1与负极端子N1重叠的位置的外侧连接缓冲电容器(第一缓冲电容器)14。

这样，通过在因电流通流而发热的正极端子P1与负极端子N1不重叠的位置、即俯视功率半导体模块1时的正极端子P1与负极端子N1重叠的位置的外侧连接缓冲电容器14，从而能够防止因来自正极端子P1和负极端子N1的加热而缓冲电容器14的温度过度地增加。

第一母线12与负极端子N1之间、以及第二母线13与正极端子P1之间分别由螺钉15连接。母线与端子间的连接也可以是焊锡接合等能够电连接的其它方法，来代替螺钉15。

此外，缓冲电容器14的静电电容为数十nF至数百nF的数量级与功率半导体模块1在外部连接的直流平滑电容器(未图示)的千分之一以下程度，因此第一母线12与第二母线13的通流电流也比正极端子P1和负极端子N1足够小，从而就电流产生的发热量而言，第一母线12和第二母线13与正极端子P1和负极端子N1比较足够小，来自第一母线12和第二母线13的对缓冲电容器14的加热较小。

缓冲电容器14使用芯片型的陶瓷电容器、薄膜电容器、薄膜电容器等，为了抑制关断时的浪涌电压，为了承受高频特性良好、功率半导体模块1的高温动作，优选耐热性较高。

另外，第一母线12和第二母线13只要能够将正极端子P1和负极端子N1与缓冲电容器14电连接，则也可以不是母线。例如，也可以是以下结构等：在绝缘基板上设置第一配线图案和第二配线图案，并在第一配线图案的一方与第二配线图案的一方之间连接缓冲电容器14，并分别连接第一配线图案的另一方与正极端子P1、第二配线图案的另一方与负极端子N1。

图2是图1的缓冲电容器14的安装部分的放大图。

如图2所示，在本实施例中，缓冲电容器14与第一母线12的连接部、以及缓冲电容器14与第二母线13的连接部配置在与缓冲电容器14的相同主面(在图2中为下表面)上。

在本发明中，为了在正极端子P1与负极端子N1间连接缓冲电容器14，需要对第一母线12和第二母线13进行立体地配线。因此，与在印刷基板上平面地接合电容器的情况比较，有时在缓冲电容器14与母线间的焊锡接合部产生的热应力增加。例如，在图2中，在第二母线13沿垂直方向17热膨胀的情况下，在焊锡接合部产生热应力(压缩应力)18。

因此，为了降低该热应力18，在第二母线13设置屈曲部16。在第二母线13热膨胀的情况下，该屈曲部16沿水平方向19变形，由此降低该热应力18，能够防止焊锡接合部的裂缝。为了降低母线的水平方向的热应力，屈曲部16也可以沿母线的水平方向设置，另外，也可以根据母线的配线构造而设置在第一母线12。

图3是概念性地表示图2中的电流的流动的图。

想要降低关断时的浪涌电压，第一母线12、第二母线13、缓冲电容器14自身的配线电感小，效果高。

因此，如图3所示，通过使负极端子N1的电流方向21和流动于与负极端子N1平行配置的第一母线12以及缓冲电容器14的缓冲电流方向45、正极端子P1的电流方向20和流动于与正极端子P1平行配置的第二母线13的缓冲电流方向46分别为反方向，从而能够抵消相互流动的电流产生的磁束，降低第一母线12、第二母线13、缓冲电容器14自身的配线电感。

图4是图1的功率半导体模块1的俯视图。

如图4所示，第一母线12设为从负极端子N1分支，第二母线13设为从正极端子P1分支。

图5是使用图1的功率半导体模块1而构成的半桥电路的等效电路图。

如图5所示，在功率半导体模块1的正极端子P1与负极端子N1之间，在模块外部并联连接有直流平滑电容器26以及直流电源24。

另外，在正极端子P1与交流端子(第一交流端子)AC1之间连接有负荷电感28。缓冲电容器14在模块内部连接于正极端子P1与负极端子N1之间。

与直流平滑电容器26比较，通过将缓冲电容器14配置在靠近由上支的开关元件(SW11和SW12)和下支的开关元件(SW21和SW22)构成的腿部的位置，从而关于在关断开关时经由缓冲电容器14流动的电流量，主电路的配线电感25变小，因此能够降低关断开关时的浪涌电压。

图6是表示在图5的电路结构中没有缓冲电容器的情况的开关波形的模拟结果的图。

在81μs附近的关断开关中，伴随下支的栅极电压VgeL从接通时的+17V朝向断开时的－10V减少，流动于下支的开关元件(SW21和SW22)的电流的合计值即Ic1+Ic2被断开。根据电流断开时的di/dt，由配线电感25产生的浪涌电压除了直流电压Vcc以外，还施加于下支的开关元件(SW21和SW22)的两端。

其结果，下支的集电极－发射极间电压VceL除了直流电源电压Vcc的1200V以外，还施加550V的浪涌电压，跳到1750V附近。

图7是表示在图5的电路结构中，将缓冲电容器14的静电电容设为50nF的情况的开关波形的模拟结果的图。

在图81μs附近的关断开关中，关于开关时经由缓冲电容器14流动的电流量，主电路的配线电感25变小，能够降低浪涌电压，因此浪涌电压相对于图6的没有缓冲电容器的情况的550V而言，降低至300V。

根据图6与图7的比较能够确认，在能够安装于本发明的功率半导体模块1的从数十nF至数百nF的数量级的缓冲电容器14的静电电容中，也充分得到关断时的浪涌电压降低效果。

实施例2

参照图8以及图9，对本发明的实施例2的功率半导体模块进行说明。此外，以下，主要对与实施例1不同的方面进行说明。

图8是本实施例的功率半导体模块1的俯视图，相当于实施例1(图4)的变形例。

如图8所示，在本实施例的功率半导体模块1中，以正极端子P1和负极端子N1的假想的中心线23为边界，对称地配置两个缓冲电容器14。

若如图4那样在绝缘基板3、绝缘基板4上并联连接多个开关元件，则从缓冲电容器14至各开关元件的配线距离产生差异，在并联连接的各开关元件间存在从缓冲电容器14至各开关元件的配线电感25不同的情况。

该情况下，通过由缓冲电容器电流产生的配线电感25处的电压降下的影响在并联开关元件间不同，从而在并联开关元件间产生电位差，存在用于消除该电位差的循环电流流动的情况。

该循环电流能够通过在从并联连接的各开关元件成为均等的配线电感25的位置配置缓冲电容器14来抑制。例如，如图8所示，能够以正极端子P1与负极端子N1的假想的中心线23为边界对称配置多个缓冲电容器14来抑制。

图9是使用图8的功率半导体模块1而构成的半桥电路的等效电路图。

如图8所示，通过在功率半导体模块1内对称配置多个缓冲电容器14，从而如图9所示，作为等效电路，也能够使多个缓冲电容器14左右对称。

另外，通过对称配置多个缓冲电容器14，从而通过缓冲电容器14的多个并联连接，缓冲电容器14的合成静电电容增加，能够提高浪涌电压的抑制效果。

实施例3

参照图10至图12，对本发明的实施例3的功率半导体模块进行说明。此外，以下，主要对与实施例1不同的方面进行说明。

图10是本实施例的功率半导体模块1的俯视图，相当于实施例1(图4)的变形例。

如图10所示，在本实施例的功率半导体模块1中，正极端子具有第一正极端子P1和第二正极端子P2，负极端子具有第一负极端子N1和第二负极端子N2，在俯视功率半导体模块1时，第一正极端子P1与第一负极端子N1的至少一部分重叠地配置，第二正极端子P2与第二负极端子N2的至少一部分重叠地配置。

并且，缓冲电容器具有电连接于第一正极端子P1与第二负极端子N2之间的第一缓冲电容器14、以及电连接于第二正极端子P2与第一负极端子N1之间的第二缓冲电容器32。

第一正极端子P1与第二正极端子P2之间、以及第一负极端子N1与第二负极端子N2之间分别由未图示的模块外部的母线等电连接。也就是，第一正极端子P1与第二正极端子P2、以及第一负极端子N1与第二负极端子N2分别成为相同电位，因此第一缓冲电容器14与第二缓冲电容器32成为并联连接的关系。

图11是图10的功率半导体模块1内部的第一缓冲电容器14和第二缓冲电容器32的安装部分的立体图。

如图11所示，若在左右的端子间交叉连接缓冲电容器，则与实施例1比较，能够进一步远离发热的正极端子、负极端子，能够抑制缓冲电容器的温度上升。

然而，若如图11那样进行交叉连接，则第一母线12和第二母线13的配线长度延长，第一母线12的配线电感29和第二母线13的配线电感30增加。为了降低该配线电感，只要如图11所示从第一正极端子P1经由第一缓冲电容器14到达第二负极端子N2的电流路径与从第二正极端子P2经由第二缓冲电容器32到达第一负极端子N1的电流路径大致平行即可。

通过设为大致平行，从而流动于第一缓冲电容器14的电流Isnu1的方向与流动于第二缓冲电容器32的电流Isnu2的方向成为反方向，因此能够抵消相互流动的电流产生的磁束，降低第一母线12、第二母线13、第一缓冲电容器14、第二缓冲电容器32的配线电感。

图12是图10的功率半导体模块1内部的等效电路图。

第一正极端子P1与第二正极端子P2之间在模块外部经由母线34而电连接。第一负极端子N1与第二负极端子N2之间也同样，在模块外部经由母线35而电连接。因此，如上所述，第一缓冲电容器14与第二缓冲电容器32成为并联连接的关系。

若将缓冲电容器设为图12那样的交叉连接，则缓冲电容器和上下支的开关元件间的循环路径跨越左右的绝缘基板。例如，如果是第一缓冲电容器14，则成为通过第一缓冲电容器14、左侧的绝缘基板3的上支的开关元件SW11、SW12、左侧的绝缘基板4的下支的开关元件SW21、SW22并返回第一缓冲电容器14的循环路径。

因此，若追加将左右的绝缘基板间以低电感连接的配线，则能够降低该循环路径的配线电感，能够提高关断开关时的浪涌电压抑制效果。如图10所示，在本实施例中，通过设置连接左右的下支的绝缘基板4的发射极电极彼此、即第一负极端子N1和第二负极端子N2的接合引线33，利用接合引线33的配线电感36(参照图12)，将左右的下支的绝缘基板4的发射极电极间以低电感连接。

实施例4

参照图13，对本发明的实施例4的马达驱动系统进行说明。

图13是本实施例的马达驱动系统37的结构图。

如图13所示，本实施例的马达驱动系统37通过电力转换装置39输出的交流电力来驱动马达38。

电力转换装置39具备：由分别具有一组上下支的三台功率半导体模块1(2in1模块)构成的三相逆变器主电路；与三相逆变器主电路的直流侧连接的直流电源24；驱动功率半导体模块1的栅极驱动电路27；以及向栅极驱动电路27输出PWM信号的控制器40。

作为功率半导体模块1，应用了上述的实施例1至实施例3中任一项的功率半导体模块。此外，马达38是三相交流马达，马达38的各相与功率半导体模块1的交流端子(例如图1的“AC1”)连接。

控制器40基于由电流传感器(41、42、43)检测的马达38的三相电流(Iu、Iv、Iw)和由速度检测器44检测的马达38的旋转速度(ω)，对各相运算两个PWM信号(S1i～S2i：i＝u、v、w)，并向各相的栅极驱动电路27输出。功率半导体模块1根据PWM信号通过由栅极驱动电路27开关，将来自直流电源24的直流电力转换成三相交流电力。通过该三相交流电力来驱动马达38。

作为功率半导体模块1，通过应用上述的实施例1至实施例3中任一项的功率半导体模块，从而能够兼顾功率半导体模块1的高电力密度化和关断开关时的浪涌电压抑制引起的低损失化，使电力转换装置39小形化、低损失化。

此外，本发明并不限定于上述的实施例，包含各种变形例。例如，上述的实施例是为了容易理解地说明本发明而详细说明的，不必限定于具备说明的全部的结构。另外，能够将某实施例的结构的一部分置换成其它实施例的结构，另外，也能够在某实施例的结构中加入其它实施例的结构。另外，能够对各实施例的结构的一部分进行其它结构的追加、删除、置换。

符号的说明

1—功率半导体模块，2—金属基座，3—上支的绝缘基板，4—下支的绝缘基板，5—上支的绝缘子基板，6—下支的绝缘子基板，7—焊锡，8—金属层，9—绝缘层，10—配线图案，11—接合引线，12—第一母线，13—第二母线，14—(第一)缓冲电容器，15—螺钉，16—屈曲部，17—垂直方向，18—热应力(的方向)，19—水平方向，20—向正极端子P1通流的电流的方向，21—向负极端子N1通流的电流的方向，22—栅极电极，23—正极端子P1与负极端子N1的假想的中心线，24—直流电源，25—配线电感，26—直流平滑电容器，27—栅极驱动电路，28—负荷电感，29—第一母线12的配线电感，30—第二母线13的配线电感，31—正极端子P2与负极端子N2的假想的中心线，32—(第二)缓冲电容器，33—连接左右的下支的绝缘基板的发射极电极间彼此的接合引线，34—连接第一正极端子P1与第二正极端子P2之间的母线，35—连接第一负极端子N1与第二负极端子N2之间的母线，36—连接左右的下支的绝缘基板的发射极电极间彼此的接合引线的配线电感，37—马达驱动系统，38—马达，39—电力转换装置，40—控制器，41、42、43—电流传感器，44—速度检测器，45—缓冲电流方向，46—缓冲电流方向，47—凝胶，SW11、SW12、SW21、SW22、SW31、SW32、SW41、SW42—开关元件，D11、D12、D21、D22、D31、D32、D41、D42—二极管，P1—(第一)正极端子，P2—(第二)正极端子，N1—(第一)负极端子，N2—(第二)负极端子，AC1—(第一)交流端子，AC2—(第二)交流端子，G1AUX—上支的栅极辅助端子，G2AUX—下支的栅极辅助端子，E1AUX—上支的发射极辅助端子，E2AUX—下支的发射极辅助端子，Vcc—直流电源电压，Ic1—流动于SW21的电流，Ic2—流动于SW22的电流，VceL—下支的集电极－发射极间电压，VgeL—下支的栅极－发射极间电压，Isnu1—流动于第一缓冲电容器14的电流，Isnu2—流动于第二缓冲电容器32的电流。

Claims (13)

1.一种功率半导体模块，其特征在于，具有：

正极端子；

负极端子，其在俯视时至少一部分与上述正极端子重叠地配置；

第一配线，其从上述正极端子分支；

第二配线，其从上述负极端子分支；以及

缓冲电容器，其配置在俯视时的上述正极端子与上述负极端子重叠的位置的外侧，且经由上述第一配线和上述第二配线而连接。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，

上述第一配线和上述第二配线是设置在母线或者绝缘基板上的配线图案。

3.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，

上述正极端子与上述第一配线、以及上述负极端子与上述第二配线分别由螺钉连接。

4.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，

上述缓冲电容器与上述第一配线的连接部、以及上述缓冲电容器与上述第二配线的连接部配置在上述缓冲电容器的相同主面上。

5.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，

在上述第一配线和上述第二配线的至少任一方具有屈曲部。

6.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，

流动于上述正极端子和上述第一配线的电流的方向相互为反方向，

流动于上述负极端子和上述第二配线的电流的方向相互为反方向。

7.根据权利要求6所述的功率半导体模块，其特征在于，

上述第一配线具有与上述正极端子大致平行的部分，

上述第二配线具有与上述负极端子大致平行的部分。

8.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，

具有多个上述缓冲电容器，

多个上述缓冲电容器以上述正极端子或者上述负极端子的假想的中心线为边界而对称配置。

9.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，

上述正极端子具有第一正极端子和第二正极端子，

上述负极端子具有第一负极端子和第二负极端子，

俯视时，上述第一正极端子与上述第一负极端子的至少一部分重叠地配置，

上述第二正极端子与上述第二负极端子的至少一部分重叠地配置。

10.根据权利要求9所述的功率半导体模块，其特征在于，

上述缓冲电容器具有电连接于上述第一正极端子与上述第二负极端子之间的第一缓冲电容器、以及电连接于上述第二正极端子与上述第一负极端子之间的第二缓冲电容器。

11.根据权利要求10所述的功率半导体模块，其特征在于，

从上述第一正极端子经由上述第一缓冲电容器到达上述第二负极端子的电流路径与从上述第二正极端子经由上述第二缓冲电容器到达上述第一负极端子的电流路径具有大致平行的部分。

12.根据权利要求9所述的功率半导体模块，其特征在于，

具有在上述功率半导体模块内部将上述第一负极端子与上述第二负极端子间连接的配线。

13.一种马达驱动系统，其特征在于，

使用了权利要求1至12中任一项所述的功率半导体模块。