[go: up one dir, main page]

CN118979236A - 用于清洁在制造oled装置中使用的真空系统的方法、用于在基板上真空沉积来制造oled装置的方法及设备 - Google Patents

用于清洁在制造oled装置中使用的真空系统的方法、用于在基板上真空沉积来制造oled装置的方法及设备 Download PDF

Info

Publication number
CN118979236A
CN118979236A CN202410956716.2A CN202410956716A CN118979236A CN 118979236 A CN118979236 A CN 118979236A CN 202410956716 A CN202410956716 A CN 202410956716A CN 118979236 A CN118979236 A CN 118979236A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cleaning
vacuum
plasma
chamber
plasma cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202410956716.2A
Other languages
English (en)
Inventor
乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波
斯特凡·凯勒
李宰源
安治高志
戴特尔·哈斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Priority to CN202410956716.2A priority Critical patent/CN118979236A/zh
Publication of CN118979236A publication Critical patent/CN118979236A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/04—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by a combination of operations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto
    • B08B9/08—Cleaning containers, e.g. tanks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4407—Cleaning of reactor or reactor parts by using wet or mechanical methods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2209/00—Details of machines or methods for cleaning hollow articles
    • B08B2209/08—Details of machines or methods for cleaning containers, e.g. tanks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本公开内容提供用于清洁在制造OLED装置中使用的的真空系统的方法(100)。此方法(100)包括执行预清洁以清洁真空系统的至少一部分，和使用远程等离子体源执行等离子体清洁。

Description

用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法、用于在 基板上真空沉积来制造OLED装置的方法及设备
本申请是申请日为2017年4月28日、申请号为201780008895.5、发明名称为“用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法、用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的方法及用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的设备”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本公开内容的实施方式涉及一种用于清洁真空系统的方法、用于在基板上真空沉积的方法、用于在基板上真空沉积的设备。本公开内容的实施方式特别涉及一种在有机发光二极管装置(organic light-emitting diode,OLED)的制造中使用的方法与设备。
背景技术
用于在基板上层沉积的技术包括(例如)热蒸发、物理气相沉积(physical vapordeposition,PVD)和化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)。经涂布的基板可用于多种应用和多种技术领域。例如，经涂布的基板可以用于有机发光二极管(OLED)装置的领域。OLED可以用于制造电视屏幕、计算机监视器、移动电话、其它手持装置、及用于显示信息的类似装置。例如OLED显示器的OLED装置可以包括一层或多层有机材料位于都沉积在基板上的两个电极之间。
OLED装置可以包括多个有机材料的堆叠，所述堆叠例如在工艺设备的真空腔室中蒸发。有机材料使用蒸发源通过荫罩掩模(shadow mask)以顺序的方式被沉积在基板上。真空腔室内部的真空条件对于沉积材料层和使用这些材料层制造的OLED装置的质量是相当重要的。
因此，需要一种方法和设备，所述方法和设备能够改善真空腔室内的真空条件。本公开内容特别旨在改善真空条件，以使沉积在基板上的有机材料层的质量可获得改善。
发明内容
鉴于上文，提供一种用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法、用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的方法、以及用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的设备。本公开内容的其它方面、益处和特征从权利要求书、说明书和所附附图是显而易见的。
根据本公开内容的一个方面，提供一种用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法。此方法包括执行预清洁以清洁真空系统的至少一部分，及使用远程等离子体源执行等离子体清洁。
根据本公开内容的另一方面，提供一种用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法。此方法包括使用远程等离子体源来执行真空系统的至少一部分的等离子体清洁以作为最终清洁程序。
根据本公开内容的又一方面，提供一种用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的方法。此方法包括执行预清洁以用于清洁真空系统的至少一部分、使用远程等离子体源执行等离子体清洁以清洁真空系统的所述至少一部分、以及在基板上沉积一层或多层有机材料。
根据本公开内容的另一方面，提供一种用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的设备。此设备包括真空腔室、连接到真空腔室的远程等离子体源、以及连接到远程等离子体源的控制器，以执行等离子体清洁作为最终清洁程序。
实施方式还涉及用于执行所公开的方法的设备，并且包括用于进行每个方法方面的设备部件。这些方法方面可以通过硬件元件、由适当软件编程的计算机、上述两者的任何组合、或以任何其它方式来执行。再者，根据本公开内容的实施方式还涉及用于操作所描述设备的方法。用于操作所描述设备的方法包括用于执行设备的每个功能的多个方法方面。
附图说明
以可以详细理解本公开内容的上述特征的方式，可以通过参考实施方式来获得上文简要总结的本公开内容的更具体的描述。所附附图涉及本公开内容的实施方式并且说明于下：
图1绘示依照本文所述实施方式的用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法的流程图。
图2绘示依照本文所述实施方式的用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的方法的流程图。
图3绘示依照本文所述实施方式的用于在基板上真空沉积的设备来制造OLED装置的示意图。
图4绘示依照本文所述实施方式的用于具有有机材料的装置的制造的系统的示意图。
具体实施方式
现在将参考本公开内容的各种实施方式进行详细说明，这些实施方式中的一个或多个示例在附图中示出。在以下对附图的描述中，相同的附图标记指示相同的元件。通常，仅描述关于各个实施方式的差异。每个示例以解释本公开内容的方式而被提供，而不意味着对本公开内容的限制。再者，作为一个实施方式的一部分所示出或所描述的特征，可以用在其它实施方式上或与其它实施方式结合使用，以产生又一个实施方式。本说明书旨在包括这样的修改和变化。
真空腔室内的真空条件对于沉积在基板上的材料层的质量可能是很重要的。特别地，就OLED的大规模生产而言，所有真空元件的清洁是很重要的。即使是电子抛光表面对于OLED装置制造来说可能仍然是太脏的。本公开内容在预清洁程序之后使用远程等离子体源，例如作为真空系统的最终清洁程序。等离子体清洁可用于处置真空腔室及/或真空系统的部件或元件。作为示例，等离子体清洁可以在工艺开始或开始生产之前在真空中执行，以改善清洁水平。处置可以使用例如纯氧或含氮或氩的氧混合物的远程等离子体来执行一定时间。清洁水平可以显著提高，并且可以改善沉积在基板上的层的质量。
图1绘示出依照本文所述实施方式的用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法100的流程图。
方法100包括执行预清洁以用于清洁真空系统的至少一部分(方块110)，及使用远程等离子体源执行等离子体清洁(方块120)。等离子体清洁可以是在操作真空系统之前的最终清洁程序，所述操作真空系统例如是在基板上沉积一种或多种有机材料的层。术语“最终”应理解为在等离子体清洁之后不再执行进一步的清洁程序。
在远程等离子体源中，气体通常在远程腔室内被激发，此远程腔室远离将要在其中执行清洁工艺的真空腔室。这种激发可以例如在远程等离子体源之中进行。在本公开内容实施方式中所使用的远程等离子体的示例，包括但不限于纯氧或具有氮或氩的氧混合物的远程等离子体。
作为最终清洁程序的等离子体清洁可以显著改善真空系统的清洁水平。发明人已经发现，当使用标准气相色谱质谱联用(gas chromatography-mass spectrometry,GCMS)程序测量时，作为最终清洁程序的等离子体清洁可以提供在小于10-9克/平方厘米的范围内的清洁物品的清洁水平。如此，真空条件以及由此的沉积在基板上的有机材料层的质量可以得到改善。
根据可与本文描述的其它实施方式组合的一些实施方式，等离子体清洁可执行长达预定的一段时间。预定的一段时间可以经选择以使得10-8克/平方厘米或更小、具体地10-9克/平方厘米或更小、及更具体地10-10克/平方厘米或更小的清洁水平(使用标准GCMS程序)可被提供。清洁水平可以被定义为待被清洁的真空系统的部分的表面区域(例如真空系统的真空腔室的内部腔室壁的表面)每平方厘米中的一个或多个选定污染物的克数。
用于清洁真空系统的至少此部分的预清洁、和使用远程等离子体源以清洁真空系统的至少此部分的等离子体清洁，可用于真空系统的各种元件。在一些实施方式中，预清洁和等离子体清洁分别包括真空腔室的清洁。作为示例，预清洁和等离子体清洁分别包括真空腔室的一个或多个内壁的清洁。一个或多个内壁可以使用例如湿式化学清洁工艺进行预清洁，并且然后可以进行等离子体清洁以改善清洁水平。
另外地或替代地，预清洁和等离子体清洁分别包括真空系统的真空腔室内的一个或多个元件的清洁。一个或多个元件可从由以下元件所组成的群组中选择：机械元件、可移动元件、驱动器、阀及上述的任何组合。作为示例，机械元件可以是提供在真空腔室内的任何元件，例如用于操作真空系统的可移动元件。示例性可移动元件包括但不限于阀(例如闸阀)。驱动器可以包括用于传送真空系统中的基板及/或载体的驱动器、用于基板及/或掩模对准的驱动器或致动器、用于分离相邻的真空区域或腔室的阀(例如闸阀)的驱动器、及类似驱动器。
根据可与本文所述的其它实施方式组合的一些实施方式，预清洁和等离子体清洁分别包括在沉积工艺期间所使用的一个或多个掩模装置(例如荫罩掩模)的清洁。特别是，掩模可以在掩模被用于生产工艺之前使用远程等离子体进行处置。在一些实施方式中，一个或多个掩模装置可以在负载锁定腔室或专用于等离子体清洁目的的腔室(例如清洁腔室)中被等离子体清洁一段时间。预清洁和等离子体清洁可以在一个或多个掩模装置处于相同位置的情况下执行，例如负载锁定腔室或清洁腔室。在另一个例子中，预清洁和等离子体清洁可以在不同的位置执行。作为示例，预清洁可以在真空系统之外执行。在预清洁之后，一个或多个掩模装置可被移动到例如负载锁定腔室或清洁腔室中，并且使用远程等离子体源的等离子体清洁可被执行。
根据可与本文描述的其它实施方式组合的一些实施方式，方法100在真空系统或真空系统的一部分的维护程序之后被执行。特别地，维护后的湿式清洁可能不足以实现用于OLED大规模生产的合适洁净水平。在第一清洁程序(即预清洁)之后，第二清洁程序(即等离子体清洁)可以确保清洁水平，该清洁水平可以改善在沉积工艺(例如热蒸发工艺)期间所沉积的有机材料层的质量。
术语“维护程序”可以理解为，真空系统未被操作为能够执行各种任务，例如真空系统或真空系统的部分的保养及/或初始安装。维护程序可以在例如是预定的保养区间内循环执行。方法100可以是在完成维护程序之后，用于真空系统或真空系统的部分的基本清洁的方法。
在一些实施方式中，等离子体清洁在真空系统的一个或多个(真空)腔室中进行，所述一个或多个(真空)腔室是从由以下腔室所组成的群组中选择的：负载锁定腔室、清洁腔室、真空沉积腔室、真空处理腔室、传送腔室、路由(routing)模块、及上述的任何组合。预清洁可以在执行等离子体清洁的相同腔室中执行。替代地，预清洁可以在不同的位置进行，例如不同的腔室或真空系统外部。根据一些实施方式，预清洁在大气下执行，而等离子体清洁在真空下执行。
根据可与本文描述的其它实施方式组合的一些实施方式，真空腔室中的压力可被降低至10毫巴(bar)或更低、具体地降至10-1毫巴或更低、且更具体地降至10-2毫巴或更低，以用于等离子体清洁工艺。压力可预清洁之后被降低以建立技术真空。作为示例，真空腔室中的压力可以在10-2毫巴和10毫巴之间的范围内、具体地在10-1毫巴和2毫巴之间的范围内、且更具体地在10-1毫巴和1.5毫巴之间的范围内。可提供连接到真空腔室的一个或多个真空泵(例如涡轮泵和/或低温(cryo)泵)，以用于在真空腔室内部产生技术真空。
方法100包括预清洁，预清洁可以包括一个或多个预清洁程序。预清洁可以在真空腔室中的压力被降低以执行等离子体清洁之前被执行。一个或多个预清洁程序可以包括例如湿化学清洁工艺。
在下文中，将说明根据本公开内容使用远程等离子体源的方法。首先，真空系统或真空系统的(多个)部分可以使用例如湿式化学清洁进行预清洁。然后，通过泵在真空腔室内建立例如约0.1至约5毫巴的真空压力。之后，启动远程等离子体源并执行等离子体清洁以提供改善的清洁水平。
图2绘示出用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的方法200的流程图。方法200可以包括根据本公开内容用于清洁在OLED设备的制造中所使用的真空系统的方法的方面。
方法200包括执行用于清洁真空系统的至少一部分的预清洁(方块110)、使用远程等离子体源执行等离子体清洁以清洁真空系统的至少此部分(方块120)、以及在基板上沉积一层或多层有机材料(方块230)。
作为最终清洁程序的等离子体清洁可以显著改善真空系统的清洁水平。当使用标准GCMS程序测量时，作为最终清洁程序的等离子体清洁可以提供在小于10-9克/平方厘米的范围内的清洁物品的清洁水平。因此，真空条件以及由此的沉积在基板上的有机材料层的质量可以得到改善。
图3绘示出根据本文所述实施方式的用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的设备300。
设备300包括真空腔室310、连接到真空腔室310的远程等离子体源320、以及连接到远程等离子体源320以执行等离子体清洁来作为最终清洁程序的控制器330。特别地，控制器330可以经构造为实施本公开内容的用于清洁OLED装置的制造中所使用的真空系统的方法。
真空腔室310可以从由以下腔室所组成的群组中选择：负载锁定腔室、清洁腔室、真空沉积腔室、真空处理腔室、传送腔室、路由模块、及上述的任何组合。作为示例，真空腔室310可以是用于在基板上沉积有机材料的真空处理腔室。
一个或多个真空泵340(例如涡轮泵及/或低温泵)可(例如经由一个或多个管(例如波纹管))而被连接到真空腔室310，以在真空腔室310内产生技术真空。控制器330还可以经构造以例如在等离子体清洁程序之前控制一个或多个真空泵340以降低真空腔室310内的压力。
本公开内容通篇所使用的术语“真空”可被理解为具有小于例如10毫巴的真空压力的技术真空。真空腔室内的压力可以在10-5毫巴与约10-8毫巴之间、具体地在10-5毫巴与10-7毫巴之间、且更具体地在约10-6毫巴与约10-7毫巴之间。
远程等离子体源320在气体注入点322处连接到真空腔室310。作为示例，远程等离子体源320可以使用例如凸缘(flange)而真空紧密地连接到真空腔室310。在一些实施方式中，气体入口歧管(manifold)(例如喷淋头)可被提供在气体注入点322处，例如真空腔室310内部。气体入口歧管可以经构造以将气体(反应性气体)均匀分布在真空腔室310内。气体入口歧管可以在真空腔室310内提供均匀的清洁工艺。
根据一些实施方式，设备300可被包括在真空处理系统中，所述真空处理系统用于在真空处理系统中的具有有机材料的装置(例如OLED装置)的制造。作为示例，设备300可以包括在真空腔室中的一个或多个材料沉积源，例如蒸发源，真空腔室经构造以用于在基板上沉积一种或多种有机材料。
真空处理系统，且特别是此设备，可以包括传送布置350，传送布置350经构造以在真空腔室310中进行载体(例如基板载体及/或掩模载体360)的非接触式传送。作为示例，掩模20的等离子体清洁可以在掩模20在真空腔室310中被承载在掩模载体360的情况下被执行，真空腔室310可以是真空处理腔室或单独的清洁腔室。
在一些实施方式中，真空处理系统包括真空腔室310中的一个或多个材料沉积源(未示出)，例如一个或多个蒸发源。真空处理系统可以经构造以用于(例如用于制造OLED装置的有机材料的)蒸发。在一些实施方式中，所述一个或多个材料沉积源可以是蒸发源，且特别是用于在基板上沉积一种或多种有机材料以形成OLED装置的层的蒸发源。可以被进一步构造以用于(例如在层沉积工艺期间)支撑基板10的掩模载体360可以沿着传送路径(例如线性传送路径)被传送进入并通过真空腔室310，且具体地是通过沉积区域。
如图3所示，另外的腔室可被提供在真空腔室310附近。真空腔室310可以通过阀而与相邻的腔室分离，所述阀具有阀壳体304和阀单元306。如箭头所示，当具有掩模20及/或基板于其上的载体被插入真空腔室310内之后，阀单元306可被关闭。例如在等离子体清洁之前，真空腔室310中的大气可通过例如利用连接到真空腔室310的真空泵产生技术真空而被单独控制。
在一些实施方式中，真空处理系统可以包括延伸通过真空腔室310的一个或多个传送路径。载体可以经构造以用于沿着一个或多个传送路径(例如经过一个或多个材料沉积源)进行传送。尽管一个传送路径示例性地由箭头表示，但是应该理解，本公开内容不限于此，并且可以提供两个或更多个传送路径。作为示例，至少两个输送路径可被实质上彼此平行地布置，以用于对应的载体的传送。一个或多个材料沉积源可以布置在两个传送路径之间。
传送布置350可经构造以用于例如沿着传送方向上的一个或多个传送路径的在真空腔室310中的载体(例如掩模载体360)的非接触式悬浮及/或非接触式传送。载体的非接触悬浮及/或传送是有益的，因为在传送期间不会例如因与导轨的机械接触而产生颗粒。可提供沉积在基板上的层的改善的纯度和均匀性，因为当使用非接触式悬浮和/或传送时，粒子产生被最小化。
图4绘示出根据本文所述实施方式的用于具有有机材料的装置的制造的系统400的示意图。系统400可以使用根据本文所述实施方式的方法和设备而被清洁。
系统400包括两个或更多个处理区域和传送布置460，传送布置460经构造以用于将支撑基板10和选择性地支撑掩模的载体401依序地传送到两个或更多个处理区域。作为示例，传送布置460可以经构造以用于沿着传送方向2传送载体401通过两个或更多个处理区域以用于基板处理。换句话说，相同的载体被用于传送基板10通过多个处理区域。特别地，在处理区域中的基板处理和后续处理区域中的基板处理之间，基板10不从载体410移除，即，基板停留在相同载体上以用于两个或更多基板处理程序。
如在图4中示例性地示出，两个或更多个处理区域可以包括第一沉积区域408和第二沉积区域412。选择性地，可以在第一沉积区域408和第二沉积区域412之间提供传送区域410。多个区域，例如两个或多个处理区域及传送区域，可被提供在一个真空腔室中。替代地，可以将多个区域提供在彼此连接的不同真空腔室中。作为示例，每个真空腔室可以提供一个区域。具体地，第一真空腔室可以提供第一沉积区域408，第二真空腔室可以提供传送区域410，第三真空腔室可以提供第二沉积区域412。在一些实施方式中，第一真空腔室和第三真空腔室可以被称为“沉积腔室”。第二真空腔室可以被称为“处理腔室”。另外的真空腔室或区域可以被提供在图4的示例中所示的区域附近。
真空腔室或区域可以通过具有阀壳体404和阀单元405的阀而与相邻区域分开。在具有基板10于其上的载体401被插入到区域内(例如第二沉积区域412)之后，阀单元405可被关闭。区域中的大气，可通过例如利用连接到区域的真空泵产生技术真空、及/通过将一种或多种工艺气体导入例如第一沉积区域408及/或第二沉积区域412内，而被单独控制。传送路径(例如线性传送路径)可被提供，以便将具有基板10于其上的载体401传送到区域中、传送通过区域、和传送离开区域。传送路径可以至少部分地延伸通过两个或更多个处理区域，例如第一沉积区域408和第二沉积区域412，并且选择性地通过传送区域410。
系统400可以包括传送区域410。在一些实施方式中，传送区域410可以被省略。传送区域410可以由旋转模块、传送模块、或上述组合而被提供。图4示出旋转模块和传送模块的组合。在旋转模块中，轨道布置及设置在轨道布置上的(多个)载体可以围绕旋转轴线(例如垂直旋转轴线)进行旋转。作为示例，(多个)载体可以从系统400的左侧传送到系统400的右侧，反之亦然。传送模块可以包括交叉轨道，使得(多个)载体可以沿不同的方向(例如彼此垂直的方向)而被传送通过传送模块。
在沉积区域内，例如第一沉积区域408和第二沉积区域412内，可以提供一个或多个沉积源。作为示例，可以在第一沉积区域408中提供第一沉积源430。可以在第二沉积区域412中提供第二沉积源450。所述一个或多个沉积源可以是蒸发源，经构造以在基板10上沉积一层或多层有积层，以形成用于OLED装置的有机层堆叠。
本文所述的系统可用于大面积基板上的蒸发，例如用于OLED显示器制造。具体而言，根据本文所述实施方式的系统所提供的基板是大面积基板。例如，大面积基板或载体可以是4.5代，其对应于约0.67m2(0.73×0.92m)的表面面积；5代，其对应于约1.4m2(1.1m×1.3m)的表面面积；7.5代，其对应于约4.29m2(1.95m×2.2m)的表面面积；8.5代，其对应于约5.7m2(2.2m×2.5m)的表面面积；或甚至10代，其对应于约8.7m2(2.85m×3.05m)的表面面积。甚至更大的一代，例如11代和12代以及相应的表面面积可以被类似地实施。各代的一半尺寸也可以被提供在OLED显示器制造中。
本公开内容在预清洁程序之后使用远程等离子体源，例如作为真空系统的最终清洁程序。等离子体清洁可用于处置真空腔室及/或真空系统的部件或元件。作为示例，等离子体清洁可以在工艺开始或开始生产之前在真空中执行，以改善清洁水平。处置可以利用例如纯氧或含氮或氩的氧混合物的远程等离子体执行一段时间。清洁水平可被显著提高，并且可以改善沉积在基板上的层的质量。
虽然上述内容针对本公开内容的实施方式，但在不脱离本公开内容的基本保护范围的情况下，可设计其它或进一步的实施方式，且本公开内容的保护范围由所附的权利要求书所确定。

Claims (42)

1.一种用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法，包括：
执行预清洁，以清洁所述真空系统的至少一部分；和
使用远程等离子体源执行等离子体清洁，
其中所述预清洁是在大气下执行的，并且所述等离子体清洁是在真空下执行的，并且
其中所述等离子体清洁是在操作所述真空系统之前的最终清洁程序。
2.一种用于清洁真空系统的方法，包括：
执行预清洁，以清洁所述真空系统的至少一部分；和
使用远程等离子体源执行等离子体清洁，
其中所述预清洁是在执行所述等离子体清洁的相同腔室中执行的。
3.一种用于清洁真空系统的方法，包括：
执行预清洁，以清洁所述真空系统的至少一部分；和
使用远程等离子体源执行等离子体清洁，
其中所述等离子体清洁是在10-5毫巴至10-8毫巴之间的真空压力下执行的。
4.一种用于清洁真空系统的方法，包括：
执行预清洁，以清洁所述真空系统的至少一部分；和
使用远程等离子体源执行等离子体清洁，
其中所述等离子体清洁使用具有氩的氧混合物的等离子体，并且
其中所述预清洁是在大气下执行的，并且所述等离子体清洁是在真空下执行的。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述等离子体清洁包含真空腔室的清洁。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述等离子体清洁包含在沉积工艺期间使用的一个或多个掩模装置的清洁。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述方法是在所述真空系统或所述真空系统的部分的维护程序之后执行的。
8.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述等离子体清洁使用纯氧或具有氮或氩的氧混合物的等离子。
9.根据权利要求1、2和4中任一项所述的方法，其中所述预清洁包含湿式化学清洁工艺。
10.根据权利要求2、3和4中任一项所述的方法，其中所述等离子体清洁是在操作所述真空系统之前的最终清洁程序。
11.根据权利要求1、3和4中任一项所述的方法，其中所述预清洁是通过在大气和真空之间的所述压力的切换而在执行所述等离子体清洁的相同腔室中执行的。
12.根据权利要求1、2和4中任一项所述的方法，其中所述等离子体清洁是在10-5毫巴至10-8毫巴之间的真空压力下执行的。
13.根据权利要求2所述的方法，其中所述预清洁是在大气下执行的，并且所述等离子体清洁是在真空下执行的，并且其中所述预清洁是通过在大气和真空之间的所述压力的切换而在执行所述等离子体清洁的相同腔室中执行的。
14.一种用于在基板上进行真空沉积的方法，包括：
执行权利要求1-4中任一项所述的方法，和
在基板上沉积材料的一层或多层。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述方法用于在基板上进行真空沉积以制造OLED装置，并且所述材料是有机材料。
16.一种用于在基板上进行真空沉积的设备，包括：
真空腔室；
远程等离子体源，所述远程等离子体源连接至所述真空腔室；和
控制器，所述控制器连接至所述远程等离子体源以执行等离子体清洁，
其中所述预清洁是在大气下执行的，并且所述等离子体清洁是在真空下执行的，并且
其中所述等离子体清洁是最终清洁程序。
17.一种用于在基板上进行真空沉积的设备，包括：
真空腔室；
远程等离子体源，所述远程等离子体源连接至所述真空腔室；和
控制器，所述控制器连接至所述远程等离子体源以执行等离子体清洁，
其中所述预清洁是在执行所述等离子体清洁的相同腔室中执行的。
18.一种用于在基板上进行真空沉积的设备，包括：
真空腔室；
远程等离子体源，所述远程等离子体源连接至所述真空腔室；和
控制器，所述控制器连接至所述远程等离子体源以执行等离子体清洁，
其中所述等离子体清洁是在10-5毫巴至10-8毫巴之间的真空压力下执行的。
19.一种用于在基板上进行真空沉积的设备，包括：
真空腔室；
远程等离子体源，所述远程等离子体源连接至所述真空腔室；和
控制器，所述控制器连接至所述远程等离子体源以执行等离子体清洁，
其中所述等离子体清洁使用具有氩的氧混合物的等离子体，并且
其中所述预清洁是在所述真空腔室中在大气下执行的，并且所述等离子体清洁是在所述真空腔室中在真空下执行的。
20.根据权利要求16-19中任一项所述的设备，其中所述设备用于在基板上进行真空沉积以制造OLED装置。
21.根据权利要求16、17和18中任一项所述的设备，其中所述等离子体清洁使用纯氧或具有氮或氩的氧混合物的等离子。
22.根据权利要求17、18和19中任一项所述的设备，其中所述等离子体清洁是在操作所述真空系统之前的最终清洁程序。
23.根据权利要求16、18和19中任一项所述的设备，其中所述预清洁和所述等离子体清洁是通过在大气和真空之间的所述压力的切换而执行的。
24.根据权利要求16、17和19中任一项所述的设备，其中所述等离子体清洁是在10-5毫巴至10-8毫巴之间的真空压力下执行的。
25.根据权利要求17所述的设备，进一步包括连接至所述真空腔室的真空泵，
其中所述预清洁是在所述真空腔室中在大气下执行的，并且所述等离子体清洁是在所述真空腔室中在真空下执行的，并且
其中所述控制器经构造以控制所述真空泵，以在执行所述等离子体清洁之前降低所述真空腔室中的所述压力。
26.根据权利要求1-4中所述的方法，其中所述预清洁和所述等离子体清洁分别包含真空腔室的清洁。
27.根据权利要求1-4中所述的方法，其中所述预清洁和所述等离子体清洁分别包含在沉积工艺期间使用的一个或多个掩模装置的清洁。
28.根据权利要求1-4中所述的方法，其中所述预清洁和所述等离子体清洁分别包含所述真空系统的真空腔室内的多个元件的清洁。
29.根据权利要求28所述的方法，其中所述元件是从由以下项所组成的群组中选择的：机械元件、可移动元件、驱动器、阀、及上述的任何组合。
30.根据权利要求1-4中所述的方法，其中所述等离子体清洁提供10-9克/平方厘米或更小的范围中的清洁水平。
31.一种用于在基板上进行真空沉积以制造OLED装置的设备，包括：
真空，所述真空提供第一沉积区域、第二沉积区域和在所述第一沉积区域与所述第二沉积区域之间的传送区域；
传送布置，所述传送布置经构造以用于将支撑基板的载体依序地传送到所述第一沉积区域和所述第二沉积区域，其中
所述传送布置提供延伸通过所述第一沉积区域、所述第二沉积区域和所述传送区域的传送路径。
32.一种用于产生等离子体的设备，所述等离子体用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统，所述设备包括：
远程腔室，所述远程腔室与所述真空系统的真空腔室分离；
连接单元，所述连接单元用于将所述远程腔室连接到所述真空系统中的所述真空腔室；
气体激发单元，所述气体激发单元用于通过激发所述远程腔室中的反应气体来产生等离子体；和
供应单元，所述供应单元用于向所述真空腔室供应所述等离子体，以用于所述真空系统的至少一部分的等离子体清洁；
其中所述等离子体清洁是在操作所述真空系统之前的最终清洁程序。
33.根据权利要求32所述的设备，其中所述设备是远程等离子体源。
34.根据权利要求32或33中的任一项所述的设备，其中所述连接单元是凸缘。
35.根据权利要求32或33中的任一项所述的设备，其中所述反应气体是纯氧或具有氩的氧混合物。
36.根据权利要求32或33中的任一项所述的设备，其中所述等离子体清洁是在10-5毫巴至10-8毫巴之间的真空压力下执行的。
37.根据权利要求32或33中的任一项所述的设备，其中所述等离子体清洁包含真空腔室的清洁。
38.根据权利要求32或33中的任一项所述的设备，其中所述等离子体清洁包含在沉积工艺期间使用的一个或多个掩模装置的清洁。
39.一种用于控制远程等离子体源的控制器，所述远程等离子体源用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统，所述控制器包括执行步骤的计算机程序，所述步骤包括：
确认所述真空系统的至少一部分的预清洁的完成；
控制真空泵的至少一者以降低所述真空系统中的真空腔室的压力，
指示所述远程等离子体源产生远程等离子体；
指示所述真空系统的供应单元以将所述远程等离子体供应至所述真空系统中的所述真空腔室，以用于所述真空系统的所述部分的等离子体清洁；和
确认所述等离子体清洁的完成，
其中所述等离子体清洁是在操作所述真空系统之前的最终清洁程序。
40.根据权利要求39所述的控制器，其中所述预清洁是在大气下执行的，并且所述等离子体清洁是在真空下执行的。
41.根据权利要求39或40中任一项所述的控制器，其中所述等离子体清洁使用具有氩的氧混合物的等离子。
42.根据权利要求39或40中任一项所述的控制器，其中所述等离子体清洁是在10-5毫巴至10-8毫巴之间的真空压力下执行的。
CN202410956716.2A 2017-04-28 2017-04-28 用于清洁在制造oled装置中使用的真空系统的方法、用于在基板上真空沉积来制造oled装置的方法及设备 Pending CN118979236A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202410956716.2A CN118979236A (zh) 2017-04-28 2017-04-28 用于清洁在制造oled装置中使用的真空系统的方法、用于在基板上真空沉积来制造oled装置的方法及设备

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2017/060239 WO2018197008A1 (en) 2017-04-28 2017-04-28 Method for cleaning a vacuum system used in the manufacture of oled devices, method for vacuum deposition on a substrate to manufacture oled devices, and apparatus for vacuum deposition on a substrate to manufacture oled devices
CN202410956716.2A CN118979236A (zh) 2017-04-28 2017-04-28 用于清洁在制造oled装置中使用的真空系统的方法、用于在基板上真空沉积来制造oled装置的方法及设备
CN201780008895.5A CN109154077A (zh) 2017-04-28 2017-04-28 用于清洁在制造oled装置中使用的真空系统的方法、用于在基板上真空沉积来制造oled装置的方法及用于在基板上真空沉积来制造oled装置的设备

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780008895.5A Division CN109154077A (zh) 2017-04-28 2017-04-28 用于清洁在制造oled装置中使用的真空系统的方法、用于在基板上真空沉积来制造oled装置的方法及用于在基板上真空沉积来制造oled装置的设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN118979236A true CN118979236A (zh) 2024-11-19

Family

ID=58638864

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202410957162.8A Pending CN118979237A (zh) 2017-04-28 2017-04-28 用于清洁在制造oled装置中使用的真空系统的方法、用于在基板上真空沉积来制造oled装置的方法及设备
CN202410956716.2A Pending CN118979236A (zh) 2017-04-28 2017-04-28 用于清洁在制造oled装置中使用的真空系统的方法、用于在基板上真空沉积来制造oled装置的方法及设备
CN202011062624.8A Active CN112575309B (zh) 2017-04-28 2017-04-28 清洁制造oled使用的真空系统的方法及制造oled的方法和设备
CN201780008895.5A Pending CN109154077A (zh) 2017-04-28 2017-04-28 用于清洁在制造oled装置中使用的真空系统的方法、用于在基板上真空沉积来制造oled装置的方法及用于在基板上真空沉积来制造oled装置的设备

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202410957162.8A Pending CN118979237A (zh) 2017-04-28 2017-04-28 用于清洁在制造oled装置中使用的真空系统的方法、用于在基板上真空沉积来制造oled装置的方法及设备

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011062624.8A Active CN112575309B (zh) 2017-04-28 2017-04-28 清洁制造oled使用的真空系统的方法及制造oled的方法和设备
CN201780008895.5A Pending CN109154077A (zh) 2017-04-28 2017-04-28 用于清洁在制造oled装置中使用的真空系统的方法、用于在基板上真空沉积来制造oled装置的方法及用于在基板上真空沉积来制造oled装置的设备

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11673170B2 (zh)
JP (1) JP6799601B2 (zh)
KR (5) KR20220028180A (zh)
CN (4) CN118979237A (zh)
TW (1) TWI685888B (zh)
WO (1) WO2018197008A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018220677A1 (de) * 2018-11-30 2020-06-04 Siemens Aktiengesellschaft Vorrichtung zum Beschichten eines Bauelements sowie Reinigungseinrichtung und Verfahren zum Reinigen einer Beschichtungseinrichtung zum Beschichten wenigstens eines Bauelements
KR102759821B1 (ko) * 2019-01-30 2025-01-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진공 시스템을 세정하기 위한 방법, 기판의 진공 프로세싱을 위한 방법, 및 기판을 진공 프로세싱하기 위한 장치
US12522915B2 (en) 2019-01-30 2026-01-13 Applied Materials, Inc. Method for cleaning a vacuum system, method for vacuum processing of a substrate, and apparatus for vacuum processing a substrate
KR102809588B1 (ko) * 2019-02-12 2025-05-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진공 시스템을 세정하기 위한 방법, 기판의 진공 프로세싱을 위한 방법, 및 기판을 진공 프로세싱하기 위한 장치
CN110184571A (zh) * 2019-05-07 2019-08-30 天津君盛天成科技发展有限公司 高功率脉冲涂装方法
WO2021096115A1 (ko) * 2019-11-11 2021-05-20 (주)더숨 Oled 제조용 마스크 및 oled 제조 방법
US11854773B2 (en) 2020-03-31 2023-12-26 Applied Materials, Inc. Remote plasma cleaning of chambers for electronics manufacturing systems
CN116058107A (zh) * 2020-05-26 2023-05-02 应用材料公司 用于清洁真空腔室的方法、用于真空处理基板的方法和用于真空处理基板的设备

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02308534A (ja) 1989-05-24 1990-12-21 Toshiba Corp 半導体基板の薄膜形成装置
JP2644912B2 (ja) * 1990-08-29 1997-08-25 株式会社日立製作所 真空処理装置及びその運転方法
EP1081751A3 (en) 1999-09-02 2003-03-19 Applied Materials, Inc. Methods of pre-cleaning dielectric layers of substrates
US6329297B1 (en) 2000-04-21 2001-12-11 Applied Materials, Inc. Dilute remote plasma clean
US6835278B2 (en) * 2000-07-07 2004-12-28 Mattson Technology Inc. Systems and methods for remote plasma clean
JP2003197605A (ja) 2001-12-28 2003-07-11 Shibaura Mechatronics Corp ドライエッチング装置およびそのドライクリーニング方法
US8900366B2 (en) 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
JP2004146184A (ja) 2002-10-24 2004-05-20 Konica Minolta Holdings Inc 有機ｅｌ素子の製造装置
KR20040073777A (ko) 2003-02-14 2004-08-21 주식회사 세실플라즈마 플라즈마 세정장치 및 이를 이용한 연속적 플라즈마세정방법
CN100403556C (zh) 2003-04-01 2008-07-16 友达光电股份有限公司 有机发光二极管面板的制作方法
JP2005043052A (ja) 2003-07-22 2005-02-17 Hitachi High-Technologies Corp 異物検出方法、処理装置および異物管理システム
US20060105114A1 (en) 2004-11-16 2006-05-18 White John M Multi-layer high quality gate dielectric for low-temperature poly-silicon TFTs
US20060289397A1 (en) 2005-05-16 2006-12-28 Imad Mahawili Arc plasma jet and method of use for chemical scrubbing system
JP2009543355A (ja) * 2006-07-03 2009-12-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 進歩型フロントエンド処理のためのクラスターツール
JP5043394B2 (ja) * 2006-09-29 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置およびその運転方法
EP1998389B1 (en) * 2007-05-31 2018-01-31 Applied Materials, Inc. Method of cleaning a patterning device, method of depositing a layer system on a substrate, system for cleaning a patterning device, and coating system for depositing a layer system on a substrate
KR101440282B1 (ko) 2007-07-11 2014-09-17 주성엔지니어링(주) 플라즈마 세정 방법
US20090056743A1 (en) * 2007-08-31 2009-03-05 Soo Young Choi Method of cleaning plasma enhanced chemical vapor deposition chamber
US7678715B2 (en) 2007-12-21 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Low wet etch rate silicon nitride film
KR101230997B1 (ko) 2008-11-14 2013-02-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 시스템
JP2010153088A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Hitachi High-Technologies Corp 有機ｅｌ用マスククリーニング装置、有機ｅｌディスプレイの製造装置、有機ｅｌディスプレイおよび有機ｅｌ用マスククリーニング方法
CN102414801A (zh) 2009-08-27 2012-04-11 应用材料公司 在原位腔室清洁后的处理腔室去污方法
US20110220148A1 (en) 2010-03-12 2011-09-15 Tokyo Electron Limited Method for performing preventative maintenance in a substrate processing system
KR20130057794A (ko) * 2011-11-24 2013-06-03 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크 및 증착용 마스크의 제조 방법
US9331311B2 (en) 2013-03-04 2016-05-03 Applied Materials, Inc. Fluorine-containing plasma polymerized HMDSO for OLED thin film encapsulation
US9142393B2 (en) * 2013-05-23 2015-09-22 Asm Ip Holding B.V. Method for cleaning reaction chamber using pre-cleaning process
KR20160006073A (ko) * 2014-07-08 2016-01-18 주식회사 코디에스 마스크 세정 장치 및 마스크 세정 방법
US9920844B2 (en) * 2014-11-26 2018-03-20 Lam Research Corporation Valve manifold deadleg elimination via reentrant flow path
JP6062413B2 (ja) * 2014-11-28 2017-01-18 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
KR20160123575A (ko) * 2015-04-16 2016-10-26 삼성전자주식회사 전자 소자 제조 장치와 세정 방법 및 이를 이용한 전자 소자의 제조 방법
KR20170022310A (ko) * 2015-08-20 2017-03-02 (주) 주원테크 Ｌｅｄ 패키지 공정용 보이드 제거 및 플라즈마 세정 복합 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR102366749B1 (ko) 2022-02-23
WO2018197008A1 (en) 2018-11-01
KR20210038724A (ko) 2021-04-07
JP2019516856A (ja) 2019-06-20
CN118979237A (zh) 2024-11-19
KR20220028180A (ko) 2022-03-08
CN112575309B (zh) 2023-03-07
US11673170B2 (en) 2023-06-13
US20210308725A1 (en) 2021-10-07
KR20240001722A (ko) 2024-01-03
KR102369163B1 (ko) 2022-02-28
KR102238745B1 (ko) 2021-04-08
CN109154077A (zh) 2019-01-04
US20230256483A1 (en) 2023-08-17
KR20210038725A (ko) 2021-04-07
CN112575309A (zh) 2021-03-30
TWI685888B (zh) 2020-02-21
JP6799601B2 (ja) 2020-12-16
KR20180135873A (ko) 2018-12-21
TW201839825A (zh) 2018-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230256483A1 (en) Method for cleaning a vacuum system used in the manufacture of oled devices, method for vacuum deposition on a substrate to manufacture oled devices, and apparatus for vacuum deposition on a substrate to manufacture oled devices
JP3123767U (ja) 遠隔プラズマ洗浄のための高いプラズマ用途
JP5989682B2 (ja) 原子層堆積のための装置及びプロセス
CN109997241A (zh) 具有多个源喷射方向的蒸发源
US20170294292A1 (en) Plasma-enhanced anneal chamber for wafer outgassing
JP7174100B2 (ja) Ｏｌｅｄデバイスの製造に使用される真空システムを洗浄するための方法、ｏｌｅｄデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための方法、及びｏｌｅｄデバイスを製造するための基板の上での真空堆積のための装置
TWI759183B (zh) 用以清洗一真空腔室之方法、用以清洗一真空系統之方法、用於一基板之真空處理之方法、及用於一基板之真空處理的設備
CN109154065B (zh) 用于清洁真空腔室的方法、用于真空处理基板的设备和用于制造具有有机材料的装置的系统
KR102809588B1 (ko) 진공 시스템을 세정하기 위한 방법, 기판의 진공 프로세싱을 위한 방법, 및 기판을 진공 프로세싱하기 위한 장치
JP5478324B2 (ja) クリーニング装置、成膜装置、成膜方法
KR102707521B1 (ko) 진공 시스템을 세정하기 위한 방법, 기판의 진공 프로세싱을 위한 방법, 및 기판을 진공 프로세싱하기 위한 장치
KR20150130670A (ko) 평판 디스플레이 장치용 증착장치
KR101539095B1 (ko) 박막증착장치 및 그에 사용되는 리니어소스
CN212084969U (zh) 用于在基板装载模块中支撑基板载体的设备、基板载体以及基板装载模块
KR101972210B1 (ko) 사분할 챔버 기반의 증착 장치, 다중분할 챔버 기반의 증착 시스템, 그리고 이를 이용한 증착 방법
KR20230009500A (ko) 진공 챔버를 세정하기 위한 방법, 기판의 진공 프로세싱을 위한 방법 및 기판을 진공 프로세싱하기 위한 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination