CN118160069A - 激光照射装置、激光照射方法以及显示器的制造方法 - Google Patents

Abstract

根据本实施方式的激光照射装置(1)具备：激光光源(35)；光学系统单元(30)，其将激光(15)向基板引导；浮起单元(10)，其具有设置于激光(15)的照射位置的正下方的贯通孔，使所述基板浮起；输送单元(11)，在第一方向上输送在浮起单元(10)上浮起的基板；以及工作台(40)，配置在浮起单元(10)上，将光学系统单元(30)保持为能够在俯视视角中在与第一方向不同的第二方向上移动。

Description

激光照射装置、激光照射方法以及显示器的制造方法

技术领域

本发明涉及激光照射装置、激光照射方法以及显示器的制造方法。

背景技术

在专利文献1中公开了一种使用准分子激光器的激光退火装置。在专利文献1中，在浮起单元使基板浮起的状态下，输送单元输送基板。并且，线状的激光向输送中的基板照射。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-64048号

发明内容

发明所要解决的课题

这样的准分子激光光源昂贵，因此难以降低装置的部件成本。因此，期望使用准分子激光光源以外的光源。半导体激光器廉价，但为连续振荡(CW：Continuous Wave)激光器。当利用调制器对CW激光进行脉冲化时，输出会降低。因此，需要较多的光源，难以实现低成本化。

其他的课题和新的特征从本说明书的记述及附图中变得明确。

根据一个实施方式，激光照射装置是向设置于基板的膜照射激光的激光照射装置，具备：激光光源，所述激光光源产生激光，所述激光为其中至少一部分从所述膜中透射的波长的激光；光学系统单元，所述光学系统单元将所述激光向所述基板引导；以及浮起单元，所述浮起单元具有设置于所述激光的照射位置的正下方的贯通孔，并使所述基板浮起。

根据一个实施方式，激光照射装置具备：半导体激光光源，所述半导体激光光源产生波长为500nm以下的激光；输送单元，所述输送单元在第一方向上输送基板；光学系统单元，所述光学系统单元将为脉冲光的所述激光向所述基板引导；以及驱动机构，所述驱动机构驱动所述光学系统单元，以便在俯视视角中的与所述第一方向不同的第二方向上改变所述激光相对于所述基板的照射位置。

根据一个实施方式，激光照射装置是对设置于基板的膜进行脱氢化处理的激光照射装置，具备：半导体激光光源，所述半导体激光光源产生波长为500nm以下的激光；光学系统单元，所述光学系统单元将所述激光向基板引导；以及驱动机构，所述驱动机构使所述激光相对于所述基板的照射位置变化。

根据一个实施方式，激光照射装置具备：输送单元，所述输送单元在第一方向上输送形成有膜的基板；半导体激光光源，所述半导体激光光源产生波长为500nm以下的激光；光学系统单元，所述光学系统单元将所述激光向基板引导；驱动机构，所述驱动机构在俯视视角中在从所述第一方向倾斜的第二方向上改变所述激光相对于所述基板的照射位置；准分子激光光源，所述准分子激光光源产生用于使所述膜结晶化的准分子激光；以及结晶化用光学系统，所述结晶化用光学系统在俯视视角中使所述准分子激光为以从所述第一方向倾斜的方向为长边方向的线状的线光束而向输送中的所述基板引导。

根据一个实施方式，激光照射方法是向设置于基板的膜照射激光的激光照射方法，具备：(A1)通过具有设置于所述激光的照射位置的正下方的贯通孔的浮起单元使所述基板浮起的步骤；(A2)产生激光的步骤，所述激光为其中至少一部分从所述膜中透射的波长的激光；以及(A3)通过光学系统单元将所述激光向浮起中的所述基板引导的步骤。

根据一个实施方式，激光照射方法具备：(B1)通过半导体激光光源产生波长为500nm以下的激光的步骤；(B2)通过输送单元在第一方向上输送基板的步骤；(B3)通过光学系统单元将为脉冲光的所述激光向所述基板引导的步骤；以及(B4)驱动所述光学系统单元以便在俯视视角中的与所述第一方向不同的第二方向上改变所述激光相对于所述基板的照射位置的步骤。

根据一个实施方式，激光照射方法是对设置于基板的膜进行脱氢化处理的激光照射方法，具备：(C1)通过半导体激光光源产生波长为500nm以下的激光的步骤；(C2)通过光学系统单元将所述激光向基板引导的步骤；以及(C3)使所述激光相对于所述基板的照射位置变化的步骤。

根据一个实施方式，激光照射方法具备：(D1)通过输送单元在第一方向上输送形成有膜的基板的步骤；(D2)通过半导体激光光源产生波长为500nm以下的激光的步骤；(D3)通过光学系统单元将所述激光向基板引导的步骤；(D4)在俯视视角中的与所述第一方向不同的第二方向上改变所述激光相对于所述基板的照射位置的步骤；(D5)通过准分子激光光源产生用于使所述膜结晶化的准分子激光的步骤；以及(D6)在俯视视角中使所述准分子激光为以从所述第一方向倾斜的方向为长边方向的线状的线光束而向输送中的所述基板引导的步骤。

根据一个实施方式，显示器的制造方法具备向形成于基板上的膜照射激光的(S1)照射步骤，所述(S1)照射步骤具备：(SA1)通过具有设置于所述激光的照射位置的正下方的贯通孔的浮起单元使所述基板浮起的步骤；(SA2)产生激光的步骤，所述激光为其中至少一部分从所述膜中透射的波长的激光；以及(SA3)通过光学系统单元将所述激光向浮起中的所述基板引导的步骤。

根据一个实施方式，显示器的制造方法具备向形成于基板上的膜照射激光的(S1)照射步骤，所述(S1)照射步骤具备：(SB1)通过半导体激光光源产生波长为500nm以下的激光的步骤；(SB2)通过输送单元在第一方向上输送基板的步骤；(SB3)通过光学系统单元将为脉冲光的所述激光向所述基板引导的步骤；以及(SB4)驱动所述光学系统单元以便在俯视视角中的与所述第一方向不同的第二方向上改变所述激光相对于所述基板的照射位置的步骤。

根据一个实施方式，显示器的制造方法具备为了对形成于基板上的膜进行脱氢化处理而向所述膜照射激光的(T1)照射步骤，所述(T1)照射步骤具备：(TC1)通过半导体激光光源产生波长为500nm以下的激光的步骤；(TC2)通过光学系统单元将所述激光向基板引导的步骤；以及(TC3)使所述激光相对于所述基板的照射位置变化的步骤。

根据一个实施方式，显示器的制造方法具备向形成于基板上的膜照射激光的(S1)照射步骤，所述(S1)照射步骤具备：(SD1)通过输送单元在第一方向上输送形成有膜的基板的步骤；(SD2)通过半导体激光光源产生波长为500nm以下的激光的步骤；(SD3)通过光学系统单元将所述激光向基板引导的步骤；(SD4)在俯视视角中的与所述第一方向不同的第二方向上改变所述激光相对于所述基板的照射位置的步骤；(SD5)通过准分子激光光源产生用于使所述膜结晶化的准分子激光的步骤；以及(SD6)在俯视视角中使所述准分子激光为以从所述第一方向倾斜的方向为长边方向的线状的线光束而向输送中的所述基板引导的步骤。

根据上述一个实施方式，能够提供一种生产率高的激光照射装置、激光照射方法以及显示器的制造方法。

附图说明

图1是示意性地表示根据实施方式的激光照射装置的俯视图。

图2是示意性地表示根据实施方式的激光照射装置的XZ剖视图。

图3是示意性地表示根据实施方式的激光照射装置的YZ剖视图。

图4是表示硅膜的渗透深度的表。

图5是示意性地表示根据变形例的激光照射装置的XZ剖视图。

图6是示意性地表示根据实施方式2的激光照射装置的侧视图。

图7是示意性地表示激光的光斑形状的俯视图。

图8是示意性地表示根据实施方式3的激光照射装置的俯视图。

图9是示意性地表示根据实施方式3的激光照射装置的侧视图。

图10是表示退火处理后的硅膜的照片。

图11是表示退火处理后的硅膜中的氢浓度的SIMS曲线图。

图12是简化表示有机EL显示器的结构的剖视图。

图13是表示根据本实施方式的显示器的制造方法的工艺剖视图。

图14是表示根据本实施方式的显示器的制造方法的工艺剖视图。

具体实施方式

实施方式1.

根据本实施方式的激光照射装置通过向被处理体(也称为工件)照射激光来进行退火处理。激光照射装置通过利用激光加热基板，从而对设置于基板的膜进行脱氢化退火处理。例如，被处理体是形成有硅膜的带膜基板。激光照射装置使用蓝色半导体激光光源作为激光光源。激光照射装置通过向被处理体照射来自半导体激光光源的蓝色激光，从而对硅膜进行脱氢处理。需要说明的是，激光不限于蓝色激光，其可以为波长为500nm以下的激光。

例如，在显示器面板的制造工艺中，成膜装置在基板形成膜。然后，激光照射装置向膜照射激光。基板例如是玻璃基板、树脂基板等透明基板，膜例如是非晶硅膜。带非晶硅膜的基板为被处理体。激光照射装置通过向非晶硅膜照射激光，从而使非晶硅膜脱氢化。当然，被处理体也可以是形成有硅膜以外的膜的带膜基板。以下，将激光照射装置作为使用激光的脱氢化退火处理装置来进行说明，但激光照射装置也可以是通过激光照射使非晶硅膜结晶化的结晶化退火处理装置。

使用图1至图3对根据本实施方式的激光照射装置的结构进行说明。图1是示意性地表示激光照射装置1的结构的俯视图。图2是示意性地表示激光照射装置1的结构的XZ剖视图。图3是示意性地表示激光照射装置1的结构的YZ剖视图。

如图1至图3所示，激光照射装置1具备浮起单元10、输送单元11、光学系统单元30、Y驱动机构32以及工作台40。浮起单元10和输送单元11构成输送装置。

需要说明的是，在以下所示的图中，为了简化说明，适当地表示XYZ三维正交坐标系。Z方向是铅垂上下方向，是与被处理体16的主表面正交的方向。X方向是被处理体16的输送方向。Y方向是光学系统单元30的移动方向。向在X方向上输送的被处理体16照射激光15。而且，光学系统单元30在Y方向上移动。因此，能够使激光相对于被处理体16的照射位置在X方向以及Y方向上变化。由此，能够向被处理体16的大致整个面照射激光。

如图2所示，浮起单元10构成为从浮起单元10的表面喷出气体。浮起单元10在其上表面使被处理体16浮起。通过从浮起单元10的表面喷出的气体吹向被处理体16的下表面，被处理体16浮起。在输送被处理体16时，浮起单元10调整浮起量以使被处理体16不与配置于被处理体16的上侧的其他机构(未图示)接触。

浮起单元10由多孔质材料形成。例如，浮起单元10由多孔质氧化铝、多孔质SiC等陶瓷材料形成。在此，浮起单元10为厚度为10mm的多孔质材料板。浮起单元10与未图示的供气端口连接。因此，来自气瓶等气体供给机构(未图示)的气体从浮起单元10的上表面喷出。

输送单元11在输送方向上输送浮起的被处理体16。如图1所示，输送单元11具备保持机构12和移动机构13。保持机构12保持被处理体16。例如，保持机构12能够使用真空吸附机构来构成。真空吸附机构由铝合金等金属材料形成。或者，保持机构12也可以由PEEK(聚醚醚酮)材料等树脂系材料形成。在保持机构12的上表面形成有吸附槽、吸附孔等。保持机构12也可以由多孔质材料形成。

保持机构12(真空吸附机构)与排气端口(未图示)连接，排气端口与喷射器、真空泵等连接。因此，用于吸引气体的负压作用于保持机构12，因此能够使用保持机构12保持被处理体16。

保持机构12通过吸引被处理体16的与被照射激光15的面(上表面)相反的一侧的面(下表面)、即被处理体16的与浮起单元10相向的一侧的面，来保持被处理体16。另外，保持机构12保持被处理体16的+Y方向上的端部。

输送单元11所具备的移动机构13与保持机构12连结。移动机构13构成为能够使保持机构12在输送方向上移动。输送单元11(保持机构12及移动机构13)设置于浮起单元10的+Y方向的端部侧，一边利用保持机构12保持被处理体16，一边通过移动机构13在输送方向上移动来输送被处理体16。

如图1所示，例如，移动机构13构成为使浮起单元10的+Y方向的端部沿着输送方向滑动。通过移动机构13使浮起单元10的端部沿着输送方向滑动，被处理体16沿着输送方向被输送。

通过控制移动机构13的移动速度，能够控制被处理体16的输送速度。移动机构13例如具备未图示的马达等致动器、线性引导机构、空气轴承等。

被处理体16为具有与X方向及Y方向平行的端边的矩形基板。被处理体16具备基板16a和形成于基板16a上的膜16b。基板16a是玻璃基板等透明基板。膜16b是非晶硅膜等硅膜。通过向膜16b照射激光15来进行退火处理，能够去除膜16b中所含的氢。也就是说，激光照射装置1为脱氢化处理装置。需要说明的是，示出了为硅膜的膜16b，但也可以形成其他膜。例如，作为硅膜的基底膜，也可以形成成为配线等的铜、铝的薄膜。而且，也可以在基板16a形成氧化硅膜等绝缘膜作为基底膜。

在浮起单元10的上方配置有工作台40。工作台40将光学系统单元30保持为能够移动。光学系统单元30将来自激光光源35的激光向被处理体16引导。光学系统单元30配置于比工作台40靠-X侧的位置。由此，光学系统单元30配置于被处理体16的正上方。因此，来自光学系统单元30的激光15从上侧向被处理体16照射。

工作台40为对光学系统单元30的Y方向的移动进行引导的引导机构。例如，在工作台40设置有导轨、引导槽等。另外，在工作台40设置有Y驱动机构32。工作台40是在浮起单元10的上方的空间中沿着Y方向设置的架台。Y驱动机构32在Y方向上驱动光学系统单元30。

光学系统单元30沿着工作台40移动。由于光学系统单元30在Y方向上移动，因此激光15的照射位置在Y方向上变化。在+Y侧及-Y侧，工作台40配置成从浮起单元10超出。因此，在Y方向上，光学系统单元30能够向被处理体16的任意位置照射激光。

接着，对激光光源及其光学系统的一例进行说明。激光光源35产生用于对被处理体16进行退火的激光。激光光源35是产生中心波长为450nm的蓝色激光的BLD(Blue LaserDiode：蓝色激光二极管)。也就是说，激光光源35是蓝色半导体激光光源。在此，激光为连续振荡的CW(Continuous Wave：连续波)激光。当然，激光照射装置1也可以使用调制器等将激光调制成脉冲激光。

激光光源35与光纤36结合。来自激光光源35的激光经由光纤36向光学系统单元30入射。如图2所示，光学系统单元30具备透镜301、反射镜302以及透镜303。当然，也可以在光学系统单元30设置有透镜301、反射镜302、透镜303以外的光学元件。另外，在被处理体16中，激光15的光斑形状成为10mm×0.3mm的线状。激光15为CW光，被处理体16的一点处的照射时间为10μsec至1sec。

来自光纤36的激光向透镜301入射。由透镜301聚光后的激光向反射镜302入射。反射镜302将激光朝向被处理体16反射。具体而言，反射镜302将激光向下方反射。被反射镜302反射的激光向透镜303入射。

来自透镜303的激光15向被处理体16照射。透镜303将激光15向被处理体16聚光。因此，来自光学系统单元30的激光15成为聚焦光束，照射到被处理体16。光学系统单元30从上方向被处理体16照射激光15。被处理体16的膜16b被退火，能够对膜16b进行脱氢化处理。需要说明的是，透镜303的光轴与Z方向平行，但也可以从Z方向倾斜。

在此，激光光源35是蓝色的半导体激光光源，因此激光15为蓝色激光。例如，激光15的中心波长为450nm。蓝色光对硅膜的渗透深度深。因此，激光15未被被处理体16全部吸收，激光15的一部分透过被处理体16。

在此，当透过被处理体16的激光被浮起单元10吸收时，浮起单元10被加热。因此，在工艺中，浮起单元10的温度发生变动。而且，激光在浮起单元10的表面反射或散射，因此来自照射部位的正下方的激光再次入射到被处理体16。因此，脱氢化的退火工艺有可能变得不稳定。

因此，在本实施方式中，如图1、图2所示，在激光15的照射部位的正下方，在浮起单元10设置有贯通孔10a。在俯视时，贯通孔10a形成于以Y方向为长边方向的带状的区域。激光15通过贯通孔10a，因此不向浮起单元10入射。能够防止激光15在浮起单元10中被吸收、反射或散射。在X方向上，贯通孔10a的宽度为10mm左右。在Y方向上，贯通孔10a的长度与光学系统单元30的可动范围为相同程度。

由此，能够使浮起单元10的温度稳定化。而且，能够防止来自浮起单元10的反射光或散射光再次入射到被处理体16。能够减少来自浮起单元10的表面的反射光及散射光。由此，能够实现稳定的脱氢化工艺，能够提高生产率。

另外，在本实施方式中，在输送单元11输送被处理体16的过程中，Y驱动机构32驱动光学系统单元30。也就是说，利用Y驱动机构32使激光的照射位置在Y方向上移动，并且利用输送单元11使被处理体16在X方向上移动。因此，激光相对于被处理体16的照射位置在X方向以及Y方向上变化。由此，能够向被处理体16的大致整个面照射激光。因此，能够对膜16b的大致整体进行退火，能够适当地进行脱氢化处理。

另外，光学系统单元30在Y方向上的移动速度也可以比X方向上的输送速度快。由此，能够在Y方向上使激光照射位置高速地变化。因此，能够防止局部加热，因此能够防止对基底膜等的影响。

需要说明的是，在本实施方式中，作为激光光源35，设置有蓝色激光二极管，但激光光源35不限于此。具体而言，在基板16a上设置有预定厚度的膜16b的情况下，激光光源35只要产生这样的激光、该激光为其中至少一部分从膜16b中透射的波长的激光即可。

根据膜的材质、厚度决定是否为从膜16b中透射的波长。例如，在膜16b为非晶硅膜的情况下，相对于波长为450nm的光的渗透深度(进入深度)为0.02μm。渗透深度是入射到物质的入射光的光量成为1/e时的物质的厚度。e为纳皮尔数。渗透深度由物质的消光系数决定。另外，消光系数具有波长依赖性。渗透深度由膜的材质及光的波长决定。

图4是表示非晶硅(a-Si)膜和单晶硅(c-Si)膜的渗透深度的表。在图4中，示出了相对于波长为308nm、355nm、450nm、532nm、808nm的光的渗透深度。渗透深度为吸收率为1/e(63％)时的膜厚。当膜16b为非晶硅膜、激光波长为450nm时，渗透深度为0.02μm。换言之，当波长为450nm的激光入射膜厚为0.02μm的非晶硅膜时，36.8％透过非晶硅膜，1/e＝63％被非晶硅膜吸收。

在膜16b具有为渗透深度的4倍的膜厚的情况下，激光的1.8％(＝1/e⁴)从膜16b中透射。另外，在用于脱氢化的退火工艺中，当激光的1.8％向浮起单元10入射时，会对退火工艺产生影响。因此，根据本实施方式的激光照射装置1适合于具有渗透深度的4倍以下的膜厚的膜16b的退火。换言之，在对具有渗透深度的4倍以上的膜厚的膜进行退火的情况下，对浮起单元10的影响轻微。如果决定了膜16b的膜厚，则可决定适合于本实施方式的激光波长的范围。

在此，膜16b设为厚度为40nm的非晶硅膜。如图4的表所示，激光波长为355nm时的渗透深度为10nm。在激光波长为355nm以上时，激光的2％以上从膜16b中透射，对工艺产生影响。例如，在使用355nm以上且808nm以下的激光波长的激光的情况下，2％以上的激光从膜16b中透射。浮起单元10中的吸收、反射或散射有可能成为工艺偏差的原因。因此，根据本实施方式的激光照射装置适合于使用355nm以上且808nm以下的波长的激光的情况。也就是说，适合于具有激光波长的光的渗透深度的4倍以下的膜厚的膜的退火。

需要说明的是，在本实施方式中，光学系统单元30也可以具有用于扫描激光的光扫描仪。例如，反射镜302可以是电流镜。光扫描仪通过使激光偏转，激光的照射位置发生变化。在此，光扫描仪为使激光的照射位置在X方向上变化的单轴的光扫描仪。也就是说，通过光扫描仪在X方向上使照射位置变化，能够缩短向被处理体16的一点连续照射激光的照射时间。由此，能够防止基底膜等的局部加热。因此，能够实现稳定的退火工艺。在使用光扫描仪的情况下，透镜303也可以是fθ透镜。由此，即使在光扫描仪使激光偏转的情况下，也能够使激光的照射方向与Z方向平行。

根据本实施方式的激光照射方法是向设置于基板的膜照射激光的激光照射方法。激光照射方法包括：通过具有设置于激光的照射位置的正下方的贯通孔的浮起单元使所述基板浮起的步骤；在第一方向上输送在所述浮起单元上浮起的所述基板的步骤；产生激光的步骤，所述激光为其中至少一部分从所述膜中透射的波长的激光；通过光学系统单元将所述激光向输送中的所述基板引导的步骤；以及使所述光学系统单元在第二方向上移动以便在俯视视角中的与所述第一方向不同的第二方向上改变激光的照射位置的步骤。由此，能够提高生产率。

(变形例1)

使用图5对根据变形例1的激光照射装置1进行说明。图5是示意性地表示激光照射装置1的结构的侧面剖视图。在变形例1中，相对于实施方式1的结构，追加了缓冲件19。

缓冲件19配置于贯通孔10a的正下方。缓冲件19吸收通过贯通孔10a后的激光15。缓冲件19是以Y方向为长边方向的金属块。能够设为与贯通孔10a相同程度的长度。例如，缓冲件19由着色成黑色的金属材料等形成。通过设置吸收激光15的缓冲件19，从而在贯通孔10a的周边被反射或散射的激光能够入射到被处理体16。由此，能够实现更稳定的工艺。

需要说明的是，在图5中，缓冲件19配置于贯通孔10a的正下方，但缓冲件19的配置部位并不限定于贯通孔10a的正下方。例如，也可以在贯通孔10a的正下方配置反射蓝色激光的反射镜等。缓冲件19配置于能够吸收被反射镜反射的激光的位置即可。也就是说，缓冲件19吸收被反射镜反射的蓝色激光。

缓冲件19也可以被冷却。例如，也可以在缓冲件19设置空冷机构、水冷机构这样的冷却机构。或者，也可以在缓冲件19设置散热机构。由此，能够抑制缓冲件19及其周边的温度上升，因此能够稳定地执行退火工艺。

实施方式2.

使用图6对实施方式2的激光照射装置进行说明。图6是示意性地表示激光照射装置1的结构的剖视图。在实施方式2中，激光照射装置1为用于使非晶硅膜结晶化的激光结晶化装置。在此，激光照射前的膜16b为非晶硅膜。激光照射后的膜16b成为多晶硅膜。激光光源35是蓝色半导体激光光源。通过照射蓝色激光，膜16b成为多晶硅膜。

激光照射装置1具备调制器306及光束成形部307。调制器306及光束成形部307搭载于光学系统单元30。调制器306、光束成形部307以外的结构与实施方式1相同，因此省略说明。

调制器306对激光进行调制。由此，CW激光被调制成脉冲激光。在此，脉冲激光的重复频率R为10kHz至200kHz。激光连续照射到被处理体16的一个部位的照射时间优选为1μsec以下。

来自调制器306的脉冲激光向光束成形部307入射。光束成形部307成形脉冲激光的光斑形状。例如，光束成形部307具有狭缝等光束成形机构。或者，在使用多根光纤36的情况下，也可以通过光纤36的出射端的配置来成形光束。光束成形部307以使得与光轴正交的方向的光束截面形状(光斑形状)成为矩形形状的方式来成形光束。例如，光斑形状为长边方向的尺寸为10mm且短边方向的尺寸为0.03mm的矩形形状。另外，关于被处理体16中的光束的光斑形状将在后面叙述。

与实施方式1同样地，由光束成形部307成形的脉冲激光经由透镜301、反射镜302以及透镜303向被处理体16入射。在此，图7中示出被处理体16中的光束的光斑形状。

图7是示意性地表示被处理体16中的脉冲激光的光斑形状的XY俯视图。需要说明的是，在以下的说明中，说明的是其中基于输送单元11的被处理体16的输送速度比基于Y驱动机构32的光学系统单元30的移动速度足够慢的情况。需要说明的是，以下所示的尺寸等是本实施方式的一例，本实施方式并不限于以下的尺寸。

被处理体16中的激光15的光斑形状为具有长边方向的矩形形状。例如，光斑形状的长边方向的尺寸L为900μm，短边方向的尺寸为15μm。短边方向和长边方向是正交的方向。并且，长边方向从X方向及Y方向倾斜。具体而言，短边方向与Y方向所成的角度θ为45°。也就是说，光斑形状的长边方向为从光学系统单元30的移动方向倾斜45°的方向。

另外，光学系统单元30的Y方向上的移动速度V为70.7mm/s。脉冲激光的重复频率R＝10kHz。因此，在Y方向上，每1脉冲的照射位置的偏移量P为7.07μm/脉冲。也就是说，连续的2个脉冲激光15a和脉冲激光15b的照射位置(发射位置)在Y方向上偏移7.07μm。

脉冲激光15a、15b的照射位置在光斑形状的长边方向上的偏移量D(＝P×sinθ)为5μm。脉冲激光15a、15b的照射位置在光斑形状的短边方向上的偏移量H(＝P×cosθ)为5μm。另外，S(＝L×sinθ)为318μm。

由此，能够减小在被处理体16的相同部位处反复照射光束端部的次数。因此，能够提高结晶化膜的均匀性。

例如，在光束截面轮廓中，光束端部的光强度比光束中央部的光强度低。也就是说，在光束中心，光强度最高，从光束中心越朝向光束端部，光强度越低。在该情况下，当被光强度低的光束端部多次反复照射时，膜16b的表面粗糙度与其他部位不同。因此，在显示器中产生显示不均匀的情况。

因此，在本实施方式中，光束截面中的长边方向从Y方向倾斜。也就是说，光束成形部307以将从Y方向倾斜的倾斜方向作为长边方向的方式成形光束。由此，能够使表面粗糙度均匀，因此能够抑制显示不均匀的情况。也就是说，通过Y驱动机构32使光学系统单元30在Y方向上移动，使激光相对于被处理体16的照射位置在长边方向及短边方向上变化。

另一方面，在长边方向与Y方向平行的情况下，照射位置不会由于光学系统单元的移动方向而在长边方向上变化。因此，光束端部多次照射到相同的位置。

这样，在本实施方式中，光束成形部307以光斑形状将从X方向及Y方向倾斜的方向作为长边方向的方式成形光束的截面形状。能够防止激光的光束端部反复照射到被处理体16的相同位置。因此，可以实现均匀的结晶化。

根据本实施方式的激光照射方法具备：通过半导体激光光源产生蓝色的激光的步骤；通过输送单元在第一方向上输送基板的步骤；通过光学系统单元将为脉冲光的所述激光向所述基板引导的步骤；驱动所述光学系统单元以便在俯视视角中的与所述第一方向不同的第二方向上改变所述激光相对于所述基板的照射位置的步骤；以及成形激光，以使在俯视视角中，所述基板中的所述激光的光斑形状的长边方向为从所述第一方向以及第二方向倾斜的方向的步骤。由此，能够提高生产率。

实施方式3.

在本实施方式中，激光照射装置1是形成低温多晶硅(LTPS：Low TemperaturePoly-Silicon)膜的准分子激光退火(ELA：Excimer laser Anneal)装置。使用图8及图9对根据本实施方式的激光照射装置1进行说明。图8是示意性地表示激光照射装置1的俯视图。图9是示意性地表示激光照射装置1的结构的XZ剖视图。

在本实施方式中，激光照射装置1具备激光光源35、光学系统单元30、结晶化用激光光源51以及结晶化用光学系统52。而且，激光照射装置1具有多个光学系统单元30。在图8中，将四个光学系统单元作为光学系统单元30a至30d而示出。需要说明的是，对于与实施方式1、2共通的内容，适当省略说明。

激光光源35与实施方式1同样地为蓝色半导体激光光源。并且，利用来自激光光源35的蓝色激光对膜16b进行脱氢化处理。需要说明的是，光学系统单元30、工作台40等的基本结构与实施方式1相同，因此省略说明。

结晶化用激光光源51是脉冲激光光源，产生脉冲激光。结晶化用激光光源51例如是放出中心波长为308nm的准分子激光的准分子激光光源。

来自结晶化用激光光源51的准分子激光向结晶化用光学系统52入射。结晶化用光学系统52将激光向被处理体16引导。将从结晶化用光学系统52向被处理体16照射的激光设为激光55。例如，结晶化用光学系统52具备用于将激光55向被处理体16聚光的投射透镜等。结晶化用光学系统52能够使用与公知的ELA装置相同的装置，因此省略详细的说明。

结晶化用光学系统52使激光55成为线状的线光束而向被处理体16照射。如图9所示，在被处理体16中，激光55将Y方向作为长边方向。激光55在被处理体16中形成线状的照明区域。也就是说，聚光于被处理体16上的激光55形成以Y方向为长边方向(长轴方向)且以X方向为短边方向(短轴方向)的线状的照射区域。另外，在输送单元11在输送方向输送被处理体16的同时，激光55被照射至膜16b。在此，输送方向为X方向。由此，能够向以Y方向上的照射区域的长度为宽度的带状的区域照射激光55。

在此，输送单元11的输送方向为-X方向。在向通过输送单元11输送中的被处理体16照射激光15之后，照射激光55。也就是说，向通过激光15实施了脱氢化处理的部位照射用于结晶化的激光55。因此，能够在刚利用蓝色激光进行脱氢化退火处理之后立即进行结晶化退火处理。

由此，能够扩大ELA工艺中的能量密度(ED：Energy Density)的界限。也就是说，即使在能量密度发生了变动的情况下，也能够实现稳定的结晶化工艺。因此，能够提高结晶化膜的均匀性。

在激光55的照射区域的正下方，在浮起单元10设置有贯通孔10a。因此，激光55透过贯通孔10a。而且，与变形例1同样地，在贯通孔10a的下方配置有缓冲件19。因此，透过贯通孔10a后的激光55被缓冲件19吸收。因此，能够抑制浮起单元10对激光55的吸收、反射、扩散。由此，能够实现稳定的工艺。

在本实施方式中，向由输送单元11输送中的被处理体16连续地照射激光15和激光55。另外，向输送中的被处理体16的其他部位同时照射激光15和激光55。由此，能够缩短脱氢化退火处理与结晶化退火处理的时间间隔，因此能够扩大工艺的界限。

另外，在本实施方式中，在光学系统单元30中设置有光扫描仪305。光扫描仪305例如是电流镜，在X方向上扫描激光。由此，能够缩短向被处理体16的特定部位连续地照射激光的照射时间。因此，能够防止基底膜等的加热，能够实现稳定的工艺。

而且，激光照射装置1具有多个光学系统单元30a至30d。由此，能够减小一个光学系统单元30照射的范围。由此，能够提高在X方向上的输送速度，因此能够缩短工艺时间(节拍时间)。因此，能够提高生产率。需要说明的是，在图8中，在光学系统单元30a至30d分别独立地设置有Y驱动机构32a至32d，但光学系统单元30a至30d的Y驱动机构32也可以共用。

本实施方式的方法包括：通过输送单元在第一方向上输送形成有膜的基板的步骤；通过半导体激光光源产生蓝色的激光的步骤；通过设置成在俯视视角中能够在与所述第一方向不同的第二方向上移动的光学系统单元，将所述激光向基板引导的步骤；驱动所述光学系统单元以使所述激光相对于所述基板的照射位置在所述第二方向上变化的步骤；通过准分子激光光源产生用于使所述膜结晶化的准分子激光的步骤；以及使所述准分子激光为在俯视视角中以从所述第一方向倾斜的第二方向为长边方向的线状的线光束而向输送中的所述基板引导的步骤。由此，能够提高生产率。另外，作为结晶化用激光光源51，也可以使用准分子激光光源以外的光源。例如，也可以代替准分子激光光源，而使用半导体激光光源作为结晶化用激光光源51。

实施例

以下，使用图10及图11对实施例进行说明。图10是表示由根据本实施方式的激光照射装置处理后的硅膜的SEM(Scanning Electron Microscope：扫描电子显微镜)照片。如图10所示，进行了均匀地处理。

图11是表示氢浓度的SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry：二次离子质谱)曲线图。在图11中，BLD表示由根据本实施方式的激光照射装置进行了退火处理的硅膜的氢浓度。RTA表示由RTA(Rapid Thermal Anneal：快速热退火)装置退火至500℃的硅膜的氢浓度。而且，图11示出了未进行退火处理的硅膜的氢浓度。

在利用RTA装置进行了退火的情况下，硅膜的氢浓度约为0.5atom％。另一方面，在利用根据本实施方式的激光照射装置进行了退火的情况下，硅膜的氢浓度为0.2atom％。因此，通过根据本实施方式的激光照射装置1，能够更有效地进行脱氢化处理。

上述的使用激光照射装置1的激光照射方法适合于显示器的制造方法。例如，显示器的制造方法具备在基板上形成膜的步骤和通过上述的照射方法向所述膜照射激光的步骤。需要说明的是，实施方式3的结构能够与实施方式1、2的结构适当地组合。

(有机EL显示器)

具有上述的多晶硅膜的半导体装置适合于有机EL(ElectroLuminescence：电致发光)显示器用的TFT(Thin Film transistor：薄膜晶体管)阵列基板。也就是说，多晶硅膜用作具有TFT的源极区域、沟道区域、漏极区域的半导体层。

以下，对将根据本实施方式的半导体装置应用于有机EL显示器的结构进行说明。图12是简化表示有机EL显示器的像素电路的剖视图。图12所示的有机EL显示器300是在各像素PX配置有TFT的有源矩阵型的显示装置。

有机EL显示器300具备基板310、TFT层311、有机层312、滤色层313以及密封基板314。在图12中，示出了密封基板314侧为可视侧的顶部发光方式的有机EL显示器。需要说明的是，以下的说明表示有机EL显示器的一个结构例，本实施方式不限于以下说明的结构。例如，根据本实施方式的半导体装置也可以用于底部发光方式的有机EL显示器。

基板310是玻璃基板或金属基板。在基板310之上设置有TFT层311。TFT层311具有配置于各像素PX的TFT311a。而且，TFT层311具有与TFT311a连接的配线(省略图示)等。TFT311a及配线等构成像素电路。

在TFT层311之上设置有有机层312。有机层312具有按每个像素PX配置的有机EL发光元件312a。而且，在有机层312处，在像素PX之间设置有用于将有机EL发光元件312a分离的分隔壁312b。

在有机层312之上设置有滤色层313。滤色层313设置有用于进行彩色显示的滤色器313a。即，在各像素PX设置有被着色为R(红色)、G(绿色)或B(蓝色)的树脂层作为滤色器313a。

在滤色层313之上设置有密封基板314。密封基板314是玻璃基板等透明基板，为了防止有机层312的有机EL发光元件的劣化而被设置。

向有机层312的有机EL发光元件312a流动的电流根据提供给像素电路的显示信号而变化。因此，通过向各像素PX供给与显示图像相应的显示信号，能够控制各像素PX中的发光量。由此，能够显示期望的图像。

在有机EL显示器等有源矩阵型显示装置中，在一个像素PX设置有一个以上的TFT(例如，开关用TFT或驱动用TFT)。并且，在各像素PX的TFT设置有具有源极区域、沟道区域及漏极区域的半导体层。根据本实施方式的多晶硅膜适合于TFT的半导体层。即，通过将通过上述制造方法制造的多晶硅膜用于TFT阵列基板的半导体层，能够抑制TFT特性的面内偏差。因此，能够以高生产率制造显示特性优异的显示装置。

(半导体装置的制造方法)

使用根据本实施方式的激光照射装置的半导体装置的制造方法适合于TFT阵列基板的制造。使用图13、图14对具有TFT的半导体装置的制造方法进行说明。图13、图14是表示半导体装置的制造工艺的工艺剖视图。在以下的说明中，对具有逆交错(invertedstaggered)型的TFT的半导体装置的制造方法进行说明。在图13、图14中，示出了在半导体制造方法中，多晶硅膜的形成工艺。需要说明的是，关于其他制造工艺，能够使用公知的方法，因此省略说明。

如图13所示，在玻璃基板401上形成有栅极电极402。在栅极电极402之上形成有栅极绝缘膜403。在栅极绝缘膜403之上形成非晶硅膜404。非晶硅膜404配置成隔着栅极绝缘膜403与栅极电极402重叠。例如，通过CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法，将栅极绝缘膜403和非晶硅膜404连续成膜。

并且，如图14所示，通过向非晶硅膜404照射激光L1，形成多晶硅膜405。即，通过上述的激光照射装置1进行非晶硅膜404的脱氢化。而且，通过实施方式2、3的激光照射装置1使非晶硅膜404结晶化。由此，在栅极绝缘膜403上形成硅结晶化后的多晶硅膜405。非晶硅膜404或多晶硅膜405相当于上述的膜16b。

而且，在上述的说明中，说明了根据本实施方式的激光退火装置向非晶硅膜照射激光而形成多晶硅膜的情况，但也可以向非晶硅膜照射激光而形成微晶硅膜。而且，进行退火的激光并不限定于蓝色激光二极管、Nd：YAG激光。

另外，根据本实施方式的方法也能够应用于向硅膜以外的薄膜照射激光的激光照射装置。即，只要是向非晶质膜照射激光而形成结晶化膜的激光照射装置，就能够应用根据本实施方式的方法。另外，激光照射装置1也能够应用于针对硅膜以外的薄膜的进行脱氢化的激光退火处理。根据本实施方式的激光照射装置，能够适当地对带结晶膜的基板进行改性。

根据本实施方式的激光照射方法是对设置于基板的膜进行脱氢化处理的激光照射方法。激光照射方法包括：通过半导体激光光源产生蓝色的激光的步骤；通过光学系统单元将所述激光向基板引导的步骤；以及使所述激光相对于所述基板的照射位置变化的步骤。

实施方式1至3的一部分或全部可以适当组合使用。需要说明的是，本发明不限于上述实施方式，而是能够在不脱离主旨的范围内适当变更。

附图标记说明

1 激光照射装置

10 浮起单元

11 输送单元

12 保持机构

13 移动机构

15 激光

16 被处理体

16a 基板

16b 膜

19 缓冲件

30 光学系统单元

32 Y驱动机构

301 透镜

302 反射镜

303 透镜

40 工作台

Claims (39)

1.一种激光照射装置，所述激光照射装置向设置于基板的膜照射激光，其中，所述激光照射装置具备：

激光光源，所述激光光源产生激光，所述激光为其中至少一部分从所述膜中透射的波长的激光；

光学系统单元，所述光学系统单元将所述激光向所述基板引导；以及

浮起单元，所述浮起单元具有设置于所述激光的照射位置的正下方的贯通孔，并使所述基板浮起。

2.根据权利要求1所述的激光照射装置，其中，所述激光照射装置还具备：

输送单元，所述输送单元在第一方向上输送在所述浮起单元上浮起的所述基板；以及

驱动工作台，所述驱动工作台配置在所述浮起单元上，将所述光学系统单元保持为能够在俯视视角中的与所述第一方向不同的第二方向上移动。

3.根据权利要求2所述的激光照射装置，其中，

所述激光为脉冲激光。

4.根据权利要求3所述的激光照射装置，其中，

在俯视视角中，所述基板中的所述激光的光斑形状的长边方向为从所述第一方向以及第二方向倾斜的方向。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的激光照射装置，其中，所述激光照射装置还具备：

准分子激光光源，所述准分子激光光源产生用于使所述膜结晶化的准分子激光；以及

结晶化用光学系统，所述结晶化用光学系统在俯视视角中使所述准分子激光作为以所述第二方向为长边方向的线状的线光束而向输送中的所述基板引导。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的激光照射装置，其中，

所述激光照射装置还具备吸收通过所述贯通孔后的激光的缓冲件。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的激光照射装置，其中，

所述激光光源是产生波长为500nm以下的激光的半导体激光光源。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的激光照射装置，其中，

通过照射所述激光，对所述膜进行脱氢化处理。

9.一种激光照射装置，其中，所述激光照射装置具备：

半导体激光光源，所述半导体激光光源产生波长为500nm以下的激光；

输送单元，所述输送单元在第一方向上输送基板；

光学系统单元，所述光学系统单元将为脉冲光的所述激光向所述基板引导；以及

驱动机构，所述驱动机构驱动所述光学系统单元，以便在俯视视角中的与所述第一方向不同的第二方向上改变所述激光相对于所述基板的照射位置。

10.根据权利要求9所述的激光照射装置，其中，

所述激光照射装置具备光束成形部，所述光束成形部成形激光，以使在俯视视角中，所述基板中的所述激光的光斑形状的长边方向为从所述第一方向以及第二方向倾斜的方向。

11.一种激光照射装置，所述激光照射装置对设置于基板的膜进行脱氢化处理，其中，所述激光照射装置具备：

半导体激光光源，所述半导体激光光源产生波长为500nm以下的激光；

光学系统单元，所述光学系统单元将所述激光向基板引导；以及

驱动机构，所述驱动机构使所述激光相对于所述基板的照射位置变化。

12.一种激光照射装置，其中，所述激光照射装置具备：

输送单元，所述输送单元在第一方向上输送形成有膜的基板；

半导体激光光源，所述半导体激光光源产生波长为500nm以下的激光；

光学系统单元，在俯视视角中，所述光学系统单元将所述激光向基板引导；

驱动机构，所述驱动机构在俯视视角中的从所述第一方向倾斜的第二方向上改变所述激光相对于所述基板的照射位置；

准分子激光光源，所述准分子激光光源产生用于使所述膜结晶化的准分子激光；以及

结晶化用光学系统，所述结晶化用光学系统使所述准分子激光为在俯视视角中以从所述第一方向倾斜的方向为长边方向的线状的线光束而向输送中的所述基板引导。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的激光照射装置，其中，

在所述光学系统单元设置有扫描所述激光的光扫描仪。

14.一种激光照射方法，所述激光照射方法向设置于基板的膜照射激光，其中，所述激光照射方法具备：

(A1)通过具有设置于所述激光的照射位置的正下方的贯通孔的浮起单元使所述基板浮起的步骤；

(A2)产生激光的步骤，所述激光为其中至少一部分从所述膜中透射的波长的激光；以及

(A3)通过光学系统单元将所述激光向浮起中的所述基板引导的步骤。

15.根据权利要求14所述的激光照射方法，其中，所述激光照射方法还具备：

在第一方向上输送在所述浮起单元上浮起的所述基板的步骤；以及

使所述光学系统单元相对于所述基板的相对位置在与所述第一方向不同的第二方向上移动，以便在俯视视角中在第二方向上改变激光的照射位置的步骤。

16.根据权利要求15所述的激光照射方法，其中，

所述激光为脉冲激光。

17.根据权利要求16所述的激光照射方法，其中，

在俯视视角中，所述基板中的所述激光的光斑形状的长边方向为从所述第一方向以及第二方向倾斜的方向。

18.根据权利要求15至17中任一项所述的激光照射方法，其中，所述激光照射方法还具备：

通过准分子激光光源产生用于使所述膜结晶化的准分子激光的步骤；以及

通过结晶化用光学系统，使所述准分子激光为在俯视视角中以所述第二方向为长边方向的线状的线光束而向输送中的所述基板引导的步骤。

19.根据权利要求14至18中任一项所述的激光照射方法，其中，

通过所述贯通孔后的激光被缓冲件吸收。

20.根据权利要求14至19中任一项所述的激光照射方法，其中，

所述激光是由半导体激光光源产生的波长为500nm以下的激光。

21.根据权利要求14至20中任一项所述的激光照射方法，其中，

通过照射所述激光，对所述膜进行脱氢化处理。

22.一种激光照射方法，其中，所述激光照射方法具备：

(B1)通过半导体激光光源产生波长为500nm以下的激光的步骤；

(B2)通过输送单元在第一方向上输送基板的步骤；

(B3)通过光学系统单元将为脉冲光的所述激光向所述基板引导的步骤；以及

(B4)驱动所述光学系统单元以便在俯视视角中的与所述第一方向不同的第二方向上改变所述激光相对于所述基板的照射位置的步骤。

23.根据权利要求22所述的激光照射方法，其中，

所述激光照射方法还具备：成形激光，以使在俯视视角中，所述基板中的所述激光的光斑形状的长边方向为从所述第一方向以及第二方向倾斜的方向的步骤。

24.一种激光照射方法，所述激光照射方法对设置于基板的膜进行脱氢化处理，其中，所述激光照射方法具备：

(C1)通过半导体激光光源产生波长为500nm以下的激光的步骤；

(C2)通过光学系统单元将所述激光向基板引导的步骤；以及

(C3)使所述激光相对于所述基板的照射位置变化的步骤。

25.一种激光照射方法，其中，所述激光照射方法具备：

(D1)通过输送单元在第一方向上输送形成有膜的基板的步骤；

(D2)通过半导体激光光源产生波长为500nm以下的激光的步骤；

(D3)通过光学系统单元将所述激光向基板引导的步骤；

(D4)在俯视视角中的与所述第一方向不同的第二方向上改变所述激光相对于所述基板的照射位置的步骤；

(D5)通过准分子激光光源产生用于使所述膜结晶化的准分子激光的步骤；以及

(D6)在俯视视角中使所述准分子激光为以从所述第一方向倾斜的方向为长边方向的线状的线光束而向输送中的所述基板引导的步骤。

26.根据权利要求14至25中任一项所述的激光照射方法，其中，

通过设置于所述光学系统单元的光扫描仪来扫描所述激光。

27.一种显示器的制造方法，其中，

所述显示器的制造方法具备向形成于基板上的膜照射激光的(S1)照射步骤，

所述(S1)照射步骤具备：

(SA1)通过具有设置于所述激光的照射位置的正下方的贯通孔的浮起单元使所述基板浮起的步骤；

(SA2)产生激光的步骤，所述激光为其中至少一部分从所述膜中透射的波长的激光；以及

(SA3)通过光学系统单元将所述激光向浮起中的所述基板引导的步骤。

28.根据权利要求27所述的显示器的制造方法，其中，所述显示器的制造方法还具备：

在第一方向上输送在所述浮起单元上浮起的所述基板的步骤；以及

使所述光学系统单元相对于所述基板的相对位置在与所述第一方向不同的第二方向上移动，以便在俯视视角中在第二方向上改变激光的照射位置的步骤。

29.根据权利要求28所述的显示器的制造方法，其中，

所述激光为脉冲激光。

30.根据权利要求28或29所述的显示器的制造方法，其中，

在俯视视角中，所述基板中的所述激光的光斑形状的长边方向为从所述第一方向以及第二方向倾斜的方向。

31.根据权利要求28至30中任一项所述的显示器的制造方法，其中，所述显示器的制造方法还具备：

通过准分子激光光源产生用于使所述膜结晶化的准分子激光的步骤；以及

通过结晶化用光学系统，使所述准分子激光为在俯视视角中以所述第二方向为长边方向的线状的线光束而向输送中的所述基板引导的步骤。

32.根据权利要求27至31中任一项所述的显示器的制造方法，其中，

通过所述贯通孔后的激光被缓冲件吸收。

33.根据权利要求27至32中任一项所述的显示器的制造方法，其中，

所述激光是由半导体激光光源产生的波长为500nm以下的激光。

34.根据权利要求27至33中任一项所述的显示器的制造方法，其中，

通过照射所述激光，对所述膜进行脱氢化处理。

35.一种显示器的制造方法，其中，

所述显示器的制造方法具备向形成于基板上的膜照射激光的(S1)照射步骤，

所述(S1)照射步骤具备：

(SB1)通过半导体激光光源产生波长为500nm以下的激光的步骤；

(SB2)通过输送单元在第一方向上输送基板的步骤；

(SB3)通过光学系统单元将为脉冲光的所述激光向所述基板引导的步骤；以及

(SB4)驱动所述光学系统单元以便在俯视视角中的与所述第一方向不同的第二方向上改变所述激光相对于所述基板的照射位置的步骤。

36.根据权利要求35所述的显示器的制造方法，其中，

所述显示器的制造方法具备：(SB5)成形激光，以使在俯视视角中，所述基板中的所述激光的光斑形状的长边方向为从所述第一方向以及第二方向倾斜的方向的步骤。

37.一种显示器的制造方法，其中，

所述显示器的制造方法具备为了对形成于基板上的膜进行脱氢化处理而向所述膜照射激光的(T1)照射步骤，

所述(T1)照射步骤具备：

(TC1)通过半导体激光光源产生波长为500nm以下的激光的步骤；

(TC2)通过光学系统单元将所述激光向基板引导的步骤；以及

(TC3)使所述激光相对于所述基板的照射位置变化的步骤。

38.一种显示器的制造方法，其中，

所述显示器的制造方法具备向形成于基板上的膜照射激光的(S1)照射步骤，

所述(S1)照射步骤具备：

(SD1)通过输送单元在第一方向上输送形成有膜的基板的步骤；

(SD2)通过半导体激光光源产生波长为500nm以下的激光的步骤；

(SD3)通过光学系统单元将所述激光向基板引导的步骤；

(SD4)在俯视视角中的与所述第一方向不同的第二方向上改变所述激光相对于所述基板的照射位置的步骤；

(SD5)通过准分子激光光源产生用于使所述膜结晶化的准分子激光的步骤；以及

(SD6)使所述准分子激光为在俯视视角中以从所述第一方向倾斜的方向为长边方向的线状的线光束而向输送中的所述基板引导的步骤。

39.根据权利要求27至38中任一项所述的显示器的制造方法，其中，

通过设置于所述光学系统单元的光扫描仪来扫描所述激光。