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CN117976675A - 反射式显示装置以及其制造方法 - Google Patents

反射式显示装置以及其制造方法 Download PDF

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CN117976675A
CN117976675A CN202211328280.XA CN202211328280A CN117976675A CN 117976675 A CN117976675 A CN 117976675A CN 202211328280 A CN202211328280 A CN 202211328280A CN 117976675 A CN117976675 A CN 117976675A
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CN
China
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conductive layer
electrode
layer
island
structures
Prior art date
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CN202211328280.XA
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English (en)
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许正隆
庄峪凯
林冠佑
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Hannstar Display Corp
Original Assignee
Hannstar Display Corp
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Publication date
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Abstract

本发明公开了一种反射式显示装置，其包括基板、第一导电层、第二导电层、第三导电层以及电容。第一导电层设置在基板上，其中第一导电层包括第一电极，第一电极在剖面上包括多个第一岛状结构，第一岛状结构彼此电连接。第二导电层设置在第一导电层上，其中第二导电层包括第二电极，第二电极在剖面上包括多个第二岛状结构，第二岛状结构彼此电连接。第三导电层设置在第二导电层上，其中第三导电层包括第三电极，第三电极在剖面上包括多个第三岛状结构，第三岛状结构彼此电连接。电容包括第二电极与第三电极。第一岛状结构的其中一个、第二岛状结构的其中一个与第三岛状结构的其中一个在基板的法线方向上重叠。

Description

反射式显示装置以及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种反射式显示装置以及其制造方法，特别是涉及一种改善了驱动能力与显示质量的反射式显示装置以及其制造方法。
背景技术
电子装置为现今不可或缺的产品，其中具有显示功能的显示装置，例如荧幕、笔记本电脑(notebook)、智能手机(smart phone)、穿戴装置、智能手表以及车用显示屏等，也已被广泛地使用在许多地方。
显示装置中的电路往往会大幅影响显示装置的显示质量，因此，显示装置中的电路设计会需要适当且优良的设计。在电路设计中，除了设计各电子元件的配置之外以及电子元件之间的连接之外，各电子元件还需具有适当且足以符合电路设计的物理量(如，电容的电容值、电阻的电阻值等)，才能使得显示装置具有良好的显示质量。为了在相同的设置空间的条件下提升显示装置中电容的电容值，以期改善驱动能力及/或提升显示质量，业界致力于对电容进行设计。
发明内容
本发明的目的在于提供一种反射式显示装置以及其制造方法，其通过使电容的电极具有岛状结构，以提升电极的表面积而增加电容的电容值，进而改善了反射式显示装置的驱动能力及/或显示质量。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种反射式显示装置，其包括基板、第一导电层、第二导电层、第三导电层以及电容。第一导电层设置在基板上，其中第一导电层包括第一电极，第一电极在剖面上包括多个第一岛状结构，第一岛状结构彼此电连接。第二导电层设置在第一导电层上，其中第二导电层包括第二电极，第二电极在剖面上包括多个第二岛状结构，第二岛状结构彼此电连接。第三导电层设置在第二导电层上，其中第三导电层包括第三电极，第三电极在剖面上包括多个第三岛状结构，第三岛状结构彼此电连接。电容包括第二电极与第三电极。第一岛状结构的其中一个、第二岛状结构的其中一个与第三岛状结构的其中一个在基板的法线方向上重叠。
为解决上述技术问题，本发明还提供了一种反射式显示装置的制造方法，其包括：形成第一导电层在基板上；图案化第一导电层，以在第一导电层中形成包括多个第一岛状结构的第一电极，其中第一岛状结构彼此电连接；形成第一绝缘层在第一导电层上；形成第二导电层在第一绝缘层上；图案化第二导电层，以在第二导电层中形成包括多个第二岛状结构的第二电极，其中第二岛状结构彼此电连接；形成第二绝缘层在第二导电层上；形成第三导电层在第二绝缘层上；以及图案化第三导电层，以在第三导电层中形成包括多个第三岛状结构的第三电极，其中第三岛状结构彼此电连接。反射式显示装置包括电容，电容包括第二电极与第三电极。第一岛状结构的其中一个、第二岛状结构的其中一个与第三岛状结构的其中一个在基板的法线方向上重叠。
由于本发明的电容的电极具有岛状结构，因此，电极中接触绝缘层的表面积可被提升，以提高电容的电容值，进而改善了反射式显示装置的驱动能力及/或显示质量。
附图说明
图1所示为本发明一实施例的反射式显示装置的剖面示意图。
图2所示为本发明具有岛状结构的电极的两种设计的俯视示意图。
图3所示为本发明第一实施例的反射式显示装置的俯视示意图。
图4所示为本发明第一实施例的反射式显示装置的剖面示意图。
图5所示为本发明第一实施例的反射式显示装置的制造方法的流程图。
图6所示为本发明第一实施例中图案化第一导电层的流程图。
图7所示为本发明第二实施例的反射式显示装置的剖面示意图。
图8所示为本发明第三实施例的反射式显示装置的剖面示意图。
图9所示为本发明第四实施例的反射式显示装置的剖面示意图。
图10所示为本发明第五实施例的反射式显示装置的剖面示意图。
图11所示为本发明第五实施例中关于第二绝缘层的制作的流程图。
附图标记说明：100、200、300、400、500-反射式显示装置；110-第一基板；120-电路元件层；CL1-第一导电层；CL2-第二导电层；CL3-第三导电层；CL4-第四导电层；CL5-第五导电层；CN-通道层；Cst-电容；DE-漏极；DSN1-第一设计；DSN2-第二设计；E1-第一电极；E2-第二电极；E3-第三电极；EC-电极；GE-栅极；H-连接孔；IL1-第一绝缘层；IL2-第二绝缘层；IL3-第三绝缘层；IL4-第四绝缘层；IS-岛状结构；IS1-第一岛状结构；IS2-第二岛状结构；IS3-第三岛状结构；ISna、ISnb、ISnc-绝缘岛状结构；LS-连接部；LS1-第一连接部；LS2-第二连接部；LS3-第三连接部；LSna、LSnb、LSnc-绝缘连接部；SE-源极；SM-半导体层；SS-光阻挡结构；ST1、ST2、ST2a、ST2b、ST2c、ST2d、ST2e、ST2f、ST3、ST4、ST5、ST6、ST6a、ST6b、ST6c、ST6d、ST6e、ST6f、ST7、ST8-步骤；SW-薄膜电晶体；X、Y、Z-方向。
具体实施方式
为使本领域技术人员能更进一步了解本发明，以下特列举本发明的优选实施例，并配合附图详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。须注意的是，附图均为简化的示意图，因此，仅显示与本发明有关的元件与组合关系，以对本发明的基本架构或实施方法提供更清楚的描述，而实际的元件与布局可能更为复杂。另外，为了方便说明，本发明的各附图中所示的元件并非以实际实施的数目、形状、尺寸做等比例绘制，其详细的比例可依照设计的需求进行调整。
在下文说明书与权利要求书中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。因此，当本发明的描述中使用术语“包括”、“含有”及/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在。
在下文说明书与权利要求书中，当“A1构件由B1所形成”，则表示A1构件的形成存在有B1或使用B1，且A1构件的形成不排除一个或多个其他的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在或使用。
在下文说明书与权利要求书中，术语“水平方向”表示为平行于水平面的方向，术语“水平面”表示为平行于附图中方向X与方向Y的表面(即，方向X与方向Y为不同的水平方向)，术语“铅直方向”表示为平行于附图中方向Z的方向，且方向X、方向Y与方向Z彼此垂直。在说明书与权利要求书中，术语“俯视”表示沿着铅直方向的观看结果，术语“剖面”表示结构沿着铅直方向切开并由水平方向观看的观看结果。
在说明书与权利要求书中，术语“平行”表示两个构件之间的夹角可小于或等于特定角度，例如5度、3度或1度。
在下文说明书与权利要求书中，术语“重叠”表示两个构件在方向Z上的重叠，且在未指明的情况下，术语“重叠”包括部分重叠或完全重叠，其中两个构件可彼此直接接触或两个构件之间存在有间隔件。
说明书与权利要求书中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词用以修饰元件，其本身并不意含及代表该(或该些)元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求书与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
本发明的反射式显示装置可为非自发光的反射式显示器，其中非自发光的反射式显示器举例可包括液晶(Liquid Crystal)分子、用来进行电泳的胶体材料或其他适合的显示介质材料，但不以此为限。反射式显示装置的形状可为多边形(如，矩形)、具有曲线边缘的形状(如，圆形、椭圆形)或其他适合的形状，但不以此为限。
反射式显示装置可具有显示区以及设置在显示区的至少一外侧的周边区，其中显示区用以进行画面显示，而用以辅助显示区的电子元件(例如，驱动电路、晶片、导电粒子等)可设置在周边区内。举例而言，周边区可环绕主动区，但不以此为限。
反射式显示装置的显示区可包括多个像素(Pixel)，用以作为显示画面的单元，其中像素可包括至少一个子像素(Sub-pixel)。在一些实施例中，若反射式显示装置为彩色显示器，一个像素举例可包括多个子像素，例如绿色子像素、红色子像素与蓝色子像素，但不限于此，像素所包括的子像素数量与颜色可依据需求而改变。在一些实施例中，若反射式显示装置为单色显示器，一个像素举例可仅包括一个子像素，但不以此为限。举例而言，子像素的颜色可通过反射式显示装置中的色彩转换层及/或显示介质的排列来设计，但不以此为限。
请参考图1，图1所示为本发明一实施例的反射式显示装置的剖面示意图。如图1所示，反射式显示装置100包括第一基板110，并可选择性地包括与第一基板110相对的第二基板(图未示)，其中第一基板110与第二基板可为硬质基板或可挠式基板，并可依据其类型而对应包含例如玻璃、塑料、石英、蓝宝石、聚酰亚胺(Polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate,PET)、其他适合的材料或其组合，但不以此为限。另外，第一基板110与第二基板的形状与尺寸可依据需求而设计，其中第一基板110与第二基板的形状可为多边形(如，矩形)、具有曲线边缘的形状(如，圆形、椭圆形)或其他适合的形状，但不以此为限。须说明的是，在图1中，第一基板110的法线方向平行于方向Z。
如图1所示，反射式显示装置100可包括电路元件层120，设置在第一基板110上(设置在第一基板110与第二基板之间)，其中电路元件层120可包括至少一导电层、至少一绝缘层、至少一半导体层、其他适合的膜层或其组合。在本发明中，导电层的材料举例可包括金属、透明导电材料(例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等)、其他适合的导电材料或其组合，绝缘层的材料举例可包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNy)、氮氧化硅(SiOxNy)、有机绝缘材料(如，感光树脂)、其他适合的绝缘材料或其组合，半导体层的材料举例可包括多晶硅(poly-silicon)、非晶硅(amorphous silicon)、金属氧化物(metal-oxidesemiconductor,IGZO)半导体、其他适合的半导体材料或其组合，但不以此为限。
在本实施例中，电路元件层120可包括任何适合的电子元件，而此些电子元件可由电路元件层120中的膜层形成。举例而言，电路元件层120可包括薄膜电晶体SW、数据线(导电走线)、扫描线(导电走线)、电容、电极及/或其他适合的电子元件。
如图1所示，电路元件层120可包括第一导电层CL1，设置在第一基板110上，其中第一导电层CL1可依据需求而包括任何适合的结构。如图1所示，本实施例的第一导电层CL1可包括薄膜电晶体SW的栅极GE、扫描线(导电走线)与第一电极E1，其中扫描线可连接薄膜电晶体SW的栅极GE以电连接薄膜电晶体SW，而第一电极E1可用以接收共同信号(commonsignal)且绝缘于扫描线，但不以此为限。举例而言，第一导电层CL1可为不透明的金属层而包括金属，但不以此为限。
如图1所示，电路元件层120可包括第一绝缘层IL1，设置在第一导电层CL1上。如图1所示，本实施例的第一绝缘层IL1的一部分可作为薄膜电晶体SW的栅极绝缘层，但不以此为限。
如图1所示，电路元件层120可包括半导体层SM，设置在第一绝缘层IL1上。如图1所示，本实施例的半导体层SM可包括薄膜电晶体SW的通道层CN，但不以此为限。
如图1所示，电路元件层120可包括第二导电层CL2，设置在第一绝缘层IL1与第一导电层CL1上(即，第一绝缘层IL1设置在第一导电层CL1与第二导电层CL2之间)，其中第一绝缘层IL1的至少一部分可用以分隔第一导电层CL1的至少一部分与第二导电层CL2的至少一部分。在本发明中，第二导电层CL2可依据需求而包括任何适合的结构。如图1所示，本实施例的第二导电层CL2可包括薄膜电晶体SW的源极SE、薄膜电晶体SW的漏极DE、数据线与第二电极E2，其中数据线可连接薄膜电晶体SW的源极SE以电连接薄膜电晶体SW，但不以此为限。在本实施例中，薄膜电晶体SW的漏极DE举例可连接第二电极E2，因此，当薄膜电晶体SW开启时，灰阶信号可通过数据线、源极SE、半导体层SM、漏极DE而传送到第二电极E2，但不以此为限。举例而言，第二导电层CL2可为不透明的金属层而包括金属，但不以此为限。
如图1所示，电路元件层120可包括第二绝缘层IL2，设置在第二导电层CL2上。
如图1所示，电路元件层120可包括第三导电层CL3，设置在第二绝缘层IL2与第二导电层CL2上(即，第二绝缘层IL2设置在第二导电层CL2与第三导电层CL3之间)，其中第二绝缘层IL2的至少一部分可用以分隔第二导电层CL2的至少一部分与第三导电层CL3的至少一部分。在本发明中，第三导电层CL3可依据需求而包括任何适合的结构。如图1所示，本实施例的第三导电层CL3可包括第三电极E3，其中第三电极E3举例可用以接收共同信号，但不以此为限。可选择地，第三导电层CL3可包括光阻挡结构SS，设置在薄膜电晶体SW的通道层CN(半导体层SM)上，以减少光线照射到半导体层SM的几率，以使薄膜电晶体SW可正常运作，其中光阻挡结构SS举例可浮接(floating)。举例而言，第三导电层CL3可为不透明的金属层而包括金属，但不以此为限。
在图1中，第二导电层CL2的第二电极E2、第三导电层CL3的第三电极E3以及夹设于第二电极E2与第三电极E3间的第二绝缘层IL2可形成一电容Cst(即，电容Cst包括第二电极E2、第三电极E3与第二绝缘层IL2的一部分)，其中电容Cst可电连接于薄膜电晶体SW。
如图1所示，电路元件层120可包括第三绝缘层IL3，设置在第三导电层CL3上。可选择地，电路元件层120可包括第四绝缘层IL4，设置在第三绝缘层IL3上。举例而言，第四绝缘层IL4可具有平坦化的效果，但不以此为限。在本实施例中，各绝缘层的材料可依据需求而设计，且各绝缘层的材料可相同或不同。举例而言，第一绝缘层IL1的材料(如，氧化硅)可不同于第二绝缘层IL2的材料(如，氮化硅)，第二绝缘层IL2的材料可相同于第三绝缘层IL3的材料，第三绝缘层IL3的材料可不同于第四绝缘层IL4的材料(如，有机绝缘材料)，但不以此为限。
如图1所示，电路元件层120可包括第四导电层CL4，设置在第三导电层CL3、第三绝缘层IL3与第四绝缘层IL4上(即，第三绝缘层IL3与第四绝缘层IL4设置在第三导电层CL3与第四导电层CL4之间)，其中第四导电层CL4用以反射外界光线以产生反射光，而此反射光用以显示画面。在图1中，第四导电层CL4举例可通过穿过第二绝缘层IL2、第三绝缘层IL3与第四绝缘层IL4的连接孔H而电连接第二导电层CL2的第二电极E2，但不以此为限。举例而言，第四导电层CL4可为不透明的金属层而包括金属，并具有良好的光反射效果，但不以此为限。
可选择地，电路元件层120可包括第五导电层CL5，设置在第四导电层CL4与第四绝缘层IL4之间(即，第五导电层CL5设置在第四导电层CL4与第三绝缘层IL3之间)，其中第五导电层CL5可包括透明导电材料(如，氧化铟锡)。在图1中，第五导电层CL5可通过穿过第二绝缘层IL2、第三绝缘层IL3与第四绝缘层IL4的连接孔H而电连接第二导电层CL2的第二电极E2。举例而言，在图1中，第五导电层CL5可直接接触第二导电层CL2的第二电极E2，第四导电层CL4可通过第五导电层CL5而电连接第二导电层CL2的第二电极E2，但不以此为限。
在本实施例中，反射式显示装置100可包括显示介质层(图未示)，设置在反射式显示装置100中适合的位置。举例而言，显示介质层可设置在第一基板110的电路元件层120与第二基板之间，但不以此为限。举例而言，显示介质层可设置在第四导电层CL4与第二基板之间，但不以此为限。
显示介质层可依据反射式显示装置100的种类而对应包括适合的材料，例如液晶分子、用来进行电泳的胶体材料、或其他适合的显示介质材料，但不以此为限。显示介质层所包含的显示介质材料可通过任何适合的方式来调整，以调整显示介质层中对应各子像素的部分的状态(如，光穿透率)。举例而言，在一些实施例中，可通过电场及/或电信号控制显示介质层的光穿透率。
在本发明中，用以控制显示介质层的状态的电极可依据需求而设计。举例而言，用以控制显示介质层的多个电极可设置在显示介质层的相对侧(即，显示介质层设置在电极之间)，但不以此为限。举例而言，用以控制显示介质层的多个电极可设置在显示介质层的同一侧，但不以此为限。举例而言，图1所示的第四导电层CL4可包括用以控制显示介质层的电极，但不以此为限。须说明的是，各子像素可包括至少两个用以控制显示介质层的电极，以使显示介质层中对应子像素的部分的光穿透率可根据电极所接收到的电信号(如，灰阶信号)而调整，但不以此为限。
反射式显示装置100还可依据需求包括任何适合的膜层及/或结构。在一些实施例中，反射式显示装置100可包括对向导电层，设置在第二基板上，使得显示介质层设置在电路元件层120的第四导电层CL4与对向导电层之间，但不以此为限。举例而言，可通过第四导电层CL4中的电极与对向导电层中的电极来控制显示介质层的光穿透率，但不以此为限。举例而言，第四导电层CL4中的电极可接收灰阶信号，对向导电层的电极可接收共同信号，以控制显示介质层的光穿透率，但不以此为限。举例而言，对向导电层可包括透明导电材料，但不以此为限。
在一些实施例中，反射式显示装置100还可包括色彩转换层，设置在第二基板上，以将光线转换或过滤为不同颜色的光。色彩转换层举例可包括色阻(color filter)、量子点(Quantum Dot,QD)材料、荧光(fluorescence)材料、磷光(Phosphorescence)材料、其他适合的材料或其任意组合。当反射式显示装置100为彩色显示器时，色彩转换层可包括多种色彩转换部(如，三种色彩转换部)，分别位于不同颜色的子像素中，以转换出对应颜色的光线，但不以此为限。
在一些实施例中，反射式显示装置100还可包括光学膜层，例如抗反射膜、增亮膜、光散射层、波片(wave plate)、偏光片(polarizer)或其他适合的光学膜层，而此些光学膜层可依据各自的需求而设置在适合的位置。
在本发明中，外界光线作为反射式显示装置100的光源，其中外界光线可经由第四导电层CL4反射而形成用以显示画面的光线(在下文中，第四导电层CL4所反射的用以显示画面的光线简称为画面显示光线)。详细而言，在图1中，外界光线可从图1所示的上侧(如，第二基板相反于第一基板110的一侧、第四导电层CL4相反于第一基板110的一侧)由上而下射入反射式显示装置100，接着，射入反射式显示装置100的光线举例依序通过第二基板与显示介质层后由第四导电层CL4反射而形成画面显示光线，然后，画面显示光线则在图1中由下而上(例如，依序通过显示介质层与第二基板)而射出反射式显示装置100，以进行画面显示。须说明的是，由于显示介质层的光穿透率会依据所对应的子像素中的电极所接收到的电信号(如，灰阶信号)而调整，因此，射出反射式显示装置100的画面显示光线则会因为对应子像素中的显示介质层的光穿透率的影响而具有与对应子像素中的电极所接收到的电信号(如，灰阶信号)对应的辉度，以进行画面显示。
为了使电容Cst的电容值提升，以提升驱动能力(如，低频驱动能力)及/或显示质量，本发明对电路元件层120的导电层中的电极进行设计。如图1所示，第一电极E1在剖面上包括彼此电连接的多个第一岛状结构IS1，第二电极E2在剖面上包括彼此电连接的多个第二岛状结构IS2，第三电极E3在剖面上包括彼此电连接的多个第三岛状结构IS3，其中第一岛状结构IS1的其中一个、第二岛状结构IS2的其中一个与第三岛状结构IS3的其中一个在方向Z(第一基板110的法线方向)上重叠。换句话说，第一岛状结构IS1与第二岛状结构IS2在方向Z上彼此一对一对应重叠，第一岛状结构IS1与第三岛状结构IS3在方向Z上彼此一对一对应重叠，第二岛状结构IS2与第三岛状结构IS3在方向Z上彼此一对一对应重叠。
为了使电极中的岛状结构可以彼此电连接，本发明提供了两种电极设计，但本发明的电极设计不以此为限。如图2所示，其绘示了具有岛状结构的电极EC的两种设计，而此两种设计可适用于第一电极E1、第二电极E2与第三电极E3。在图2的第一设计DSN1中，电极EC可包括多个岛状结构IS以及多个连接部LS，各连接部LS在俯视上连接在两个相邻的岛状结构IS之间，多个岛状结构IS通过多个连接部LS而彼此连接，且连接部LS的上表面在岛状结构IS的上表面与第一基板110之间(可参考图4、图7与图8)。在图2的第二设计DSN2中，电极EC可包括多个岛状结构IS以及一个连接部LS，连接部LS在俯视上设置在多个岛状结构IS的一侧，而连接部LS连接多个岛状结构IS。须说明的是，岛状结构IS的宽度以及岛状结构IS之间的间距可依据需求而设计，岛状结构IS的宽度可彼此相同或不同，岛状结构IS之间的间距可彼此相同或不同。在一些实施例中，在岛状结构IS的剖面上，岛状结构IS的侧壁与第一基板110的表面(由方向X与方向Y形成的水平面)之间的夹角可为20度至50度(可参考图4、图7至图10)，但不以此为限。
请参考图3与图4，图3所示为本发明第一实施例的反射式显示装置的剖面示意图，图4所示为本发明第一实施例的反射式显示装置的俯视示意图，其中图3与图4绘示了图1中设置有第一电极E1、第二电极E2与第三电极E3的区域的一种实施例。在图3与图4中，第一电极E1、第二电极E2与第三电极E3可都使用了图2所示的第一设计DSN1。因此，第一电极E1可包括多个第一连接部LS1，各第一连接部LS1在俯视上连接在两个相邻的第一岛状结构IS1之间，多个第一岛状结构IS1通过多个第一连接部LS1而彼此连接，第一连接部LS1的上表面在第一岛状结构IS1的上表面与第一基板110之间；第二电极E2可包括多个第二连接部LS2，各第二连接部LS2在俯视上连接在两个相邻的第二岛状结构IS2之间，多个第二岛状结构IS2通过多个第二连接部LS2而彼此连接，第二连接部LS2的上表面在第二岛状结构IS2的上表面与第一基板110之间；第三电极E3可包括多个第三连接部LS3，各第三连接部LS3在俯视上连接在两个相邻的第三岛状结构IS3之间，多个第三岛状结构IS3通过多个第三连接部LS3而彼此连接，第三连接部LS3的上表面在第三岛状结构IS3的上表面与第一基板110之间。举例而言，在图4中，第一电极E1的第一连接部LS1的厚度小于第一电极E1的第一岛状结构IS1的厚度，但不以此为限。
由于第二电极E2具有第二岛状结构IS2且第三电极E3具有第三岛状结构IS3，因此，第二电极E2与第二绝缘层IL2之间的接触面积以及第三电极E3与第二绝缘层IL2之间的接触面积都提高，使得包括第二电极E2与第三电极E3的电容Cst的电容值提高。在一些实施例中，在相同的设置空间(相同的俯视面积)下，相对于包括不具有岛状结构的电极的传统平行板电容，本发明所设计的电容Cst的电极与绝缘层之间的接触面积可提升1％至5％，使得电容值可提升至少1％至5％。举例而言，在相同的设置空间(相同的俯视面积)下，本实施例的电容Cst的电容值比传统平行板电容的电容值高2.59％，但不以此为限。
另外，在图4中，第一绝缘层IL1中位于第一电极E1与第二电极E2之间的部分也具有绝缘岛状结构ISna与绝缘连接部LSna，第二绝缘层IL2中位于第二电极E2与第三电极E3之间的部分也具有绝缘岛状结构ISnb与绝缘连接部LSnb，第三绝缘层IL3中位于第三电极E3与第四绝缘层IL4之间的部分也具有绝缘岛状结构ISnc与绝缘连接部LSnc，但不以此为限。
请参考图5与图6，并同时参考图1与图4，图5所示为本发明第一实施例的反射式显示装置的制造方法的流程图，图6所示为本发明第一实施例中图案化第一导电层的流程图，而图1与图4为制造方法完成后的本发明第一实施例的反射式显示装置100的第一基板110与电路元件层120。须说明的是，本发明的制造方法不以下文与附图为限。在一些实施例中，可在制造方法的现有步骤之一的之前或之后加入任何其他适合的步骤，及/或部分步骤可同时进行或分开进行。
在下述制造方法中，形成膜层及/或结构的工艺可包括原子层沉积(atomic layerdeposition,ALD)、化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)、涂布工艺、其他适合的工艺或其组合。图案化工艺可例如包括光刻(photolithography)工艺、任何其他适合的工艺或其组合。蚀刻工艺(etching process)可为湿蚀刻工艺、干蚀刻工艺、任何其他适合的蚀刻工艺或其组合。
如图5所示，在步骤ST1中，形成第一导电层CL1在第一基板110上，其中步骤ST1可通过形成工艺来进行。如图5所示，在步骤ST2中，图案化第一导电层CL1，以在第一导电层CL1中形成包括多个第一岛状结构IS1的第一电极E1，其中第一岛状结构IS1彼此电连接。在本实施例中，步骤ST2可通过图案化工艺来进行。
在本实施例中，图6绘示了步骤ST2所述的图案化第一导电层CL1的详细步骤。如图6所示，在步骤ST2a中，形成光阻层在第一导电层CL1上，其中步骤ST2a可通过形成工艺来进行。然后，根据图6的步骤ST2b，以半色调掩模对光阻层进行曝光，使得光阻层可依据曝光的情况而区分为第一部分、第二部分与第三部分。举例而言，若光阻层包括正光阻材料，则第一部分会照射到具有较高光强度的光线，第二部分会照射到具有较低光强度的光线，而第三部分不会照射到光线，但不以此为限。举例而言，若光阻层包括负光阻材料，则第一部分不会照射到光线，第二部分会照射到具有较低光强度的光线，而第三部分会照射到具有较高光强度的光线，但不以此为限。举例而言，光阻层的第二部分在方向Z上对应且重叠于第一电极E1中用以作为第一连接部LS1的部分，光阻层的第三部分在方向Z上对应且重叠于第一电极E1中用以作为第一岛状结构IS1的部分，但不以此为限。
如图6所示，在步骤ST2c中，进行第一显影工艺，以移除光阻层的第一部分，并留下光阻层的第二部分与第三部分。举例而言，在一些实施例中，在进行第一显影工艺之后，光阻层的第二部分的厚度可小于光阻层的第三部分的厚度，但不以此为限。
如图6所示，在步骤ST2d中，进行第一蚀刻工艺，以移除第一导电层CL1中对应于第一部分的部分。举例而言，在第一蚀刻工艺之后，可定义出第一电极E1的外围轮廓，并可形成与第一电极E1分离的栅极GE与扫描线(导电走线)，但不以此为限。
如图6所示，在步骤ST2e中，进行第二显影工艺，以移除光阻层的第二部分，并留下光阻层的第三部分。举例而言，在第二显影工艺之后，第一电极E1中用以作为第一连接部LS1的部分被暴露。
如图6所示，在步骤ST2f中，进行第二蚀刻工艺，以减薄第一导电层CL1中对应于第二部分的部分，使得在第一导电层CL1中形成多个第一岛状结构IS1与多个第一连接部LS1。第二蚀刻工艺对第一电极E1中用以作为第一连接部LS1的部分进行蚀刻而减薄其厚度，使得第一连接部LS1由第二蚀刻工艺形成。第二蚀刻工艺可未蚀刻到第一电极E1中用以作为第一岛状结构IS1的部分，使得第一岛状结构IS1的厚度大于第一连接部LS1的厚度。之后，移除光阻层(即，移除光阻层的第三部分)，以完成第一导电层CL1的图案化工艺。
如图5所示，在步骤ST3中，形成第一绝缘层IL1在第一导电层CL1上，其中步骤ST3可通过形成工艺来进行。可选择地，在形成第一绝缘层IL1的步骤之后，还可包括对第一绝缘层IL1的蚀刻工艺，但不以此为限。由于第一绝缘层IL1设置在第一导电层CL1上，因此，第一绝缘层IL1中在方向Z上对应且重叠于第一电极E1的第一岛状结构IS1的部分可成为凸出的绝缘岛状结构ISna，而第一绝缘层IL1中在方向Z上对应且重叠于第一电极E1的第一连接部LS1的部分可成为下凹的绝缘连接部LSna。
如图5所示，在步骤ST4中，形成第二导电层CL2在第一绝缘层IL1上，其中步骤ST4可通过形成工艺来进行。如图5所示，在步骤ST5中，图案化第二导电层CL2，以在第二导电层CL2中形成包括多个第二岛状结构IS2的第二电极E2，其中第二岛状结构IS2彼此电连接。在本实施例中，步骤ST5可通过图案化工艺来进行。由于第二导电层CL2设置在第一导电层CL1上，因此，第二导电层CL2的第二电极E2中在方向Z上对应且重叠于第一电极E1的第一岛状结构IS1的部分可成为凸出的第二岛状结构IS2，而第二导电层CL2的第二电极E2中在方向Z上对应且重叠于第一电极E1的第一连接部LS1的部分可成为下凹的第二连接部LS2。举例而言，第二岛状结构IS2的厚度可相同于第二连接部LS2的厚度，但不以此为限。举例而言，在第二导电层CL2的图案化工艺中，可只对第二导电层CL2进行一次蚀刻工艺，但不以此为限。
如图5所示，在步骤ST6中，形成第二绝缘层IL2在第二导电层CL2上，其中步骤ST6可通过形成工艺来进行。可选择地，在形成第二绝缘层IL2的步骤之后，还可包括对第二绝缘层IL2的蚀刻工艺，但不以此为限。由于第二绝缘层IL2设置在第二导电层CL2上，因此，第二绝缘层IL2中在方向Z上对应且重叠于第二电极E2的第二岛状结构IS2的部分可成为凸出的绝缘岛状结构ISnb，而第二绝缘层IL2中在方向Z上对应且重叠于第二电极E2的第二连接部LS2的部分可成为下凹的绝缘连接部LSnb。
如图5所示，在步骤ST7中，形成第三导电层CL3在第二绝缘层IL2上，其中步骤ST7可通过形成工艺来进行。如图5所示，在步骤ST8中，图案化第三导电层CL3，以在第三导电层CL3中形成包括多个第三岛状结构IS3的第三电极E3，其中第三岛状结构IS3彼此电连接。在本实施例中，步骤ST8可通过图案化工艺来进行。由于第三导电层CL3设置在第二导电层CL2上，因此，第三导电层CL3的第三电极E3中在方向Z上对应且重叠于第二电极E2的第二岛状结构IS2的部分可成为凸出的第三岛状结构IS3，而第三导电层CL3的第三电极E3中在方向Z上对应且重叠于第二电极E2的第二连接部LS2的部分可成为下凹的第三连接部LS3。举例而言，第三岛状结构IS3的厚度可相同于第三连接部LS3的厚度，但不以此为限。举例而言，在第三导电层CL3的图案化工艺中，可只对第三导电层CL3进行一次蚀刻工艺，但不以此为限。
之后，如图1与图4所示，在第三导电层CL3上依序形成第三绝缘层IL3(包含绝缘岛状结构ISnc与绝缘连接部LSnc)、第四绝缘层IL4、第五导电层CL5(或图案化的第五导电层CL5)与第四导电层CL4(或图案化的第四导电层CL4)，以完成本实施例的反射式显示装置100的电路元件层120。可选择地，在形成第三绝缘层IL3的步骤之后还可包括对第三绝缘层IL3的蚀刻工艺，在形成第四绝缘层IL4的步骤之后还可包括对第四绝缘层IL4的蚀刻工艺，在形成第五导电层CL5的步骤之后还可包括对第五导电层CL5的蚀刻工艺，在形成第四导电层CL4的步骤之后还可包括对第四导电层CL4的蚀刻工艺，但不以此为限。
本发明的反射式显示装置以及其制造方法不以上述实施例为限，下文将继续揭示其它实施例，然而为了简化说明并突显各实施例与上述实施例之间的差异，下文中使用相同标号标注相同元件，并不再对重复部分作赘述。
请参考图7，图7所示为本发明第二实施例的反射式显示装置的剖面示意图。如图7所示，本实施例与第一实施例的差异在于反射式显示装置200的第三电极E3的设计。在图7中，第一电极E1与第二电极E2使用了图2所示的第一设计DSN1，而第三电极E3使用了图2所示的第二设计DSN2，因此，第三电极E3可包括一个第三连接部LS3，第三连接部LS3在俯视上设置在多个第三岛状结构IS3的一侧，第三连接部LS3连接多个第三岛状结构IS3。
在制造方法中，第三电极E3的形成可通过图5所示的步骤ST7(形成第三导电层CL3在第二绝缘层IL2上)与步骤ST8(图案化第三导电层CL3，以在第三导电层CL3中形成包括多个第三岛状结构IS3的第三电极E3，其中第三岛状结构IS3彼此电连接)来形成。举例而言，在第三导电层CL3的图案化工艺中，可只对第三导电层CL3进行一次蚀刻工艺，但不以此为限。
请参考图8，图8所示为本发明第三实施例的反射式显示装置的剖面示意图。如图8所示，本实施例与第一实施例的差异在于反射式显示装置300的第一电极E1的设计。在图8中，第二电极E2与第三电极E3使用了图2所示的第一设计DSN1，而第一电极E1使用了图2所示的第二设计DSN2，因此，第一电极E1可包括一个第一连接部LS1，第一连接部LS1在俯视上设置在多个第一岛状结构IS1的一侧，第一连接部LS1连接多个第一岛状结构IS1。
在制造方法中，第一电极E1的形成可通过图5所示的步骤ST1(形成第一导电层CL1在第一基板110上)与步骤ST2(图案化第一导电层CL1，以在第一导电层CL1中形成包括多个第一岛状结构IS1的第一电极E1，其中第一岛状结构IS1彼此电连接)来形成。在本实施例中，图案化第一导电层CL1的步骤可不同于第一实施例的图案化第一导电层CL1的步骤(即，不同于图6所示的步骤)。举例而言，本实施例的图案化第一导电层CL1的步骤可使用一般的掩模而非半色调掩模，且在第一导电层CL1的图案化工艺中，可只对第一导电层CL1进行一次蚀刻工艺(即，第一导电层CL1可经一次的蚀刻工艺而图案化第一电极E1的外围轮廓，并形成第一岛状结构IS1与第一连接部LS1)，但不以此为限。
在图8中，第一绝缘层IL1的绝缘连接部LSna、第二导电层CL2的第二电极E2的第二连接部LS2、第二绝缘层IL2的绝缘连接部LSnb、第三导电层CL3的第三电极E3的第三连接部LS3、第三绝缘层IL3的绝缘连接部LSnc都在方向Z上对应且重叠于第一电极E1的第一岛状结构IS1之间的间隙。
请参考图9，图9所示为本发明第四实施例的反射式显示装置的剖面示意图。如图9所示，本实施例与第三实施例的差异在于反射式显示装置400的第三电极E3的设计。在图9中，第二电极E2使用了图2所示的第一设计DSN1，而第一电极E1与第三电极E3使用了图2所示的第二设计DSN2，因此，第三电极E3可包括一个第三连接部LS3，第三连接部LS3在俯视上设置在多个第三岛状结构IS3的一侧，第三连接部LS3连接多个第三岛状结构IS3。
在制造方法中，第三电极E3的形成可通过图5所示的步骤ST7(形成第三导电层CL3在第二绝缘层IL2上)与步骤ST8(图案化第三导电层CL3，以在第三导电层CL3中形成包括多个第三岛状结构IS3的第三电极E3，其中第三岛状结构IS3彼此电连接)来形成。举例而言，在第三导电层CL3的图案化工艺中，可只对第三导电层CL3进行一次蚀刻工艺，但不以此为限。
需说明的是，在一些变化实施例中，可将上述实施例的第二电极E2依据需求而修改成使用图2所示的第二设计DSN2，但不以此为限。
请参考图10，图10所示为本发明第五实施例的反射式显示装置的剖面示意图。如图10所示，本实施例与第一实施例的差异在于反射式显示装置500的第一电极E1、第一绝缘层IL1、第二电极E2与第二绝缘层IL2的设计。在图10中，第一电极E1可为平板电极而不具有第一岛状结构IS1与第一连接部LS1，第二电极E2可为平板电极而不具有第二岛状结构IS2与第二连接部LS2。在图10中，第一绝缘层IL1可不具有绝缘岛状结构与绝缘连接部。在图10中，第二绝缘层IL2可具有绝缘岛状结构ISnb，并可依据需求而具有厚度小于绝缘岛状结构ISnb且位于两个绝缘岛状结构ISnb之间的多个绝缘连接部LSnb，其中绝缘连接部LSnb连接两个相邻的绝缘岛状结构ISnb。
在图10中，由于第三导电层CL3设置在第二绝缘层IL2上，因此，第三导电层CL3的第三电极E3中在方向Z上对应且重叠于第二绝缘层IL2的绝缘岛状结构ISnb的部分可成为凸出的第三岛状结构IS3，而第三导电层CL3的第三电极E3中在方向Z上对应且重叠于第二绝缘层IL2的绝缘连接部LSnb的部分可成为下凹的第三连接部LS3。
据此，在本实施例中，如图10所示，电容Cst包括为平板电极的第二电极E2以及具有第三岛状结构IS3的第三电极E3，但不以此为限。
在制造方法中，第一电极E1的形成可通过图5所示的步骤ST1(形成第一导电层CL1在第一基板110上)与步骤ST2(图案化第一导电层CL1，以在第一导电层CL1中形成包括多个第一岛状结构IS1的第一电极E1，其中第一岛状结构IS1彼此电连接)来形成。在本实施例中，图案化第一导电层CL1的步骤可不同于第一实施例的图案化第一导电层CL1的步骤(即，不同于图6所示的步骤)。举例而言，本实施例的图案化第一导电层CL1的步骤可使用一般的掩模而非半色调掩模，且在第一导电层CL1的图案化工艺中，可只对第一导电层CL1进行一次蚀刻工艺(即，第一导电层CL1可经一次的蚀刻工艺而图案化第一电极E1的外围轮廓)，但不以此为限。
在本实施例中，在形成第二绝缘层IL2之后且在形成第三导电层CL3之前(即，图5的步骤ST6与步骤ST7之间)，可额外包括制作绝缘岛状结构ISnb与绝缘连接部LSnb的步骤。举例而言，在本实施例中，反射式显示装置500的制造方法可在形成第二绝缘层IL2之后且在形成第三导电层CL3之前还包括图11所示的步骤，其中图11所示为本发明第五实施例中关于第二绝缘层IL2的制作的流程图。
如图11所示，在步骤ST6a中，形成光阻层在第二绝缘层IL2上，其中步骤ST6a可通过形成工艺来进行。然后，根据图11的步骤ST6b，以半色调掩模对光阻层进行曝光，使得光阻层可依据曝光的情况而区分为第四部分、第五部分与第六部分。举例而言，光阻层的第五部分在方向Z上对应且重叠于第二绝缘层IL2中用以作为绝缘连接部LSnb的部分，光阻层的第六部分在方向Z上对应且重叠于第二绝缘层IL2中用以作为绝缘岛状结构ISnb的部分，但不以此为限。
如图11所示，在步骤ST6c中，进行第三显影工艺，以移除光阻层的第四部分，并留下光阻层的第五部分与第六部分。举例而言，在一些实施例中，在进行第三显影工艺之后，光阻层的第五部分的厚度可小于光阻层的第六部分的厚度，但不以此为限。然后，如图11所示，在步骤ST6d中，进行第三蚀刻工艺，以移除第二绝缘层IL2中对应于第四部分的部分。
如图11所示，在步骤ST6e中，进行第四显影工艺，以移除光阻层的第五部分，并留下光阻层的第六部分。举例而言，在第四显影工艺之后，第二绝缘层IL2中用以作为绝缘连接部LSnb的部分被暴露。
如图11所示，在步骤ST6f中，进行第四蚀刻工艺，以减薄第二绝缘层IL2中对应于第五部分的部分，使得在第二绝缘层IL2中形成多个绝缘岛状结构ISnb与多个绝缘连接部LSnb。第四蚀刻工艺对第二绝缘层IL2中用以作为绝缘连接部LSnb的部分进行蚀刻而减薄其厚度，使得绝缘连接部LSnb由第四蚀刻工艺形成。第四蚀刻工艺可未蚀刻到第二绝缘层IL2中用以作为绝缘岛状结构ISnb的部分，使得绝缘岛状结构ISnb的厚度大于绝缘连接部LSnb的厚度。之后，移除光阻层(即，移除光阻层的第六部分)，以完成第二绝缘层IL2的制造。
综上所述，由于本发明的电容的电极具有岛状结构，因此，电极中接触绝缘层的表面积可被提升，以提高电容的电容值，进而改善了反射式显示装置的驱动能力及/或显示质量。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种反射式显示装置，其特征在于，包括：
一基板；
一第一导电层，设置在所述基板上，其中所述第一导电层包括一第一电极，所述第一电极在剖面上包括多个第一岛状结构，所述多个第一岛状结构彼此电连接；
一第二导电层，设置在所述第一导电层上，其中所述第二导电层包括一第二电极，所述第二电极在剖面上包括多个第二岛状结构，所述多个第二岛状结构彼此电连接；
一第三导电层，设置在所述第二导电层上，其中所述第三导电层包括一第三电极，所述第三电极在剖面上包括多个第三岛状结构，所述多个第三岛状结构彼此电连接；以及
一电容，包括所述第二电极与所述第三电极；
其中所述多个第一岛状结构的其中一个、所述多个第二岛状结构的其中一个与所述多个第三岛状结构的其中一个在所述基板的法线方向上重叠。
2.如权利要求1所述的反射式显示装置，其特征在于，所述第一电极包括一第一连接部，所述第一连接部在俯视上设置在所述多个第一岛状结构的一侧，所述第一连接部连接所述多个第一岛状结构。
3.如权利要求1所述的反射式显示装置，其特征在于，所述第一电极包括多个第一连接部，各所述第一连接部在俯视上连接在所述多个第一岛状结构的相邻两个之间，所述多个第一岛状结构通过所述多个第一连接部而彼此连接，所述多个第一连接部的上表面在所述多个第一岛状结构的上表面与所述基板之间。
4.如权利要求1所述的反射式显示装置，其特征在于，所述第一导电层包括多条导电走线，各所述导电走线电连接于一开关元件，所述第一电极绝缘于所述多条导电走线。
5.如权利要求1所述的反射式显示装置，其特征在于，所述第一电极用以接收一共同信号。
6.如权利要求1所述的反射式显示装置，其特征在于，还包括一第一绝缘层、一第二绝缘层、一第三绝缘层、一第四导电层、一第五导电层与一连接孔，其中所述第一绝缘层设置在所述第一导电层与所述第二导电层之间，所述第二绝缘层设置在所述第二导电层与所述第三导电层之间，所述第三绝缘层设置在所述第三导电层上，所述第四导电层设置在所述第三绝缘层上，所述第五导电层设置在所述第三绝缘层与所述第四导电层之间，所述连接孔穿过所述第二绝缘层与所述第三绝缘层，所述第五导电层通过所述连接孔电连接所述第二导电层的所述第二电极，所述第四导电层通过所述第五导电层电连接所述第二导电层的所述第二电极。
7.一种反射式显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
形成一第一导电层在一基板上；
图案化所述第一导电层，以在所述第一导电层中形成包括多个第一岛状结构的一第一电极，其中所述多个第一岛状结构彼此电连接；
形成一第一绝缘层在所述第一导电层上；
形成一第二导电层在所述第一绝缘层上；
图案化所述第二导电层，以在所述第二导电层中形成包括多个第二岛状结构的一第二电极，其中所述多个第二岛状结构彼此电连接；
形成一第二绝缘层在所述第二导电层上；
形成一第三导电层在所述第二绝缘层上；以及
图案化所述第三导电层，以在所述第三导电层中形成包括多个第三岛状结构的一第三电极，其中所述多个第三岛状结构彼此电连接；
其中所述反射式显示装置包括一电容，所述电容包括所述第二电极与所述第三电极；
其中所述多个第一岛状结构的其中一个、所述多个第二岛状结构的其中一个与所述多个第三岛状结构的其中一个在所述基板的法线方向上重叠。
8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，图案化所述第一导电层的步骤包括：
形成一光阻层在所述第一导电层上；
以一半色调掩模对所述光阻层进行曝光；
进行一第一显影工艺，以移除所述光阻层的一第一部分；
进行一第一蚀刻工艺，以移除所述第一导电层中对应于所述第一部分的部分；
进行一第二显影工艺，以移除所述光阻层的一第二部分；以及
进行一第二蚀刻工艺，以减薄所述第一导电层中对应于所述第二部分的部分，使得在所述第一导电层中形成所述多个第一岛状结构。
9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第一电极包括多个第一连接部，各所述第一连接部在俯视上连接在所述多个第一岛状结构的相邻两个之间，所述多个第一岛状结构通过所述多个第一连接部而彼此连接，所述多个第一连接部的上表面在所述多个第一岛状结构的上表面与所述基板之间，所述多个第一连接部由所述第二蚀刻工艺形成。
10.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述光阻层还包括一第三部分，在进行所述第一显影工艺之后，所述第二部分的厚度小于所述第三部分的厚度。
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