CN117693810A - 微型led缺陷管理 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用以管理正从供体基材转移到系统或临时基材的微型装置组中的缺陷的方法。各种方法可识别在该转移之前和之后的该缺陷，并且概述了矫正机制或步骤。关键点是基于关于缺陷的数据而调整下一组微型装置的该转移。

Description

微型LED缺陷管理

背景技术和技术领域

本发明涉及从供体基材到系统基材的微型装置转移。

发明内容

本发明涉及一种用以管理来自供体基材的微型装置转移过程中的缺陷的方法。该方法包括：使该供体基材与系统或临时基材对准；针对缺陷检验转移的微型装置，其中该检验是视觉、光致发光、或电致发光；以及识别缺陷类型，其中缺陷是缺失装置、永久地贮存到该供体基材的装置或功能失调或具有物理缺陷的装置；基于协议来矫正识别的缺陷；将微型装置转移到该系统基材或临时基材；以及使该供体基材偏移到下一转移位置。

本发明还涉及一种用以管理从供体基材到系统或临时基材的微型装置转移过程中的缺陷的方法，该方法包括：使该供体基材与系统或临时基材对准；将选定微型装置转移到该系统或临时基材；接合转移的微型装置；针对缺陷检验该供体基材，其中该检验是视觉、光致发光、或电致发光；识别缺陷类型，其中缺陷是缺失装置、永久地贮存到该供体基材的装置或功能失调或具有物理缺陷的装置；以及基于协议来矫正识别的缺陷。

本发明还涉及将微型装置从供体基材转移到系统基材。该方法包括：使该供体基材中的选定组微型装置对准到该系统基材；将该选定微型装置转移到该系统基材中；针对缺陷检验转移的微型装置；以及矫正干扰随后转移循环中的任一者的该缺陷，之后进行该转移循环。

本发明还涉及一种管理从供体基材的微型装置转移过程中的缺陷的方法，其包括下列步骤：将一组微型装置转移到系统基材或临时基材；针对缺陷检验所转移的该微型装置，其中该检验是视觉、光致发光、或电致发光；识别缺陷类型，其中缺陷是缺失装置、永久地贮存到该供体基材的装置或功能失调或具有物理缺陷的装置；基于协议来矫正识别的缺陷；以及基于该协议而调整下一组微型装置到该系统基材或临时基材的该转移。

附图说明

在阅读以下具体实施方式之后且在参考附图之后，本公开的前述和其它优势将变得显而易见。

图1(a)展示与系统基材对准的具有微型装置的供体基材。

图1(b)展示转移到系统基材的微型装置。

图2(a)展示具有微型装置的供体基材。

图2(b)展示缺陷移除。

图3展示管理不同缺陷类型的过程步骤的实施方案。

图4展示在转移之后的缺陷的主动管理的实施方案。

本公开容易具有各种修改和替代形式。特定实施方案或实施方式已在附图中通过实施例展示，并且将在本文中予以描述。然而，应理解，本公开并不意欲限制于所公开的特定形式。相反，本公开将涵盖属于如由随附权利要求书界定的本发明的实质和范围内的所有修改、等效物和替代例。

具体实施方式

术语“装置”与“微型装置”在本说明书中可互换地使用。然而，对于所属领域的一般技术人员来说显而易见的是，此处所描述的实施方案与装置大小无关。

描述了诸如“微型LED”的装置。微型LED也被称为微LED、mLED或μLED。这些装置由形成个别像素元件的微观LED阵列组成。这些LED可以是例如具视频能力的InGaN微型LED，其可用于以VGA格式产生微型显示。与常规LCD相比，微型LED提供显著降低的能量要求，同时提供像素级光控制和高对比率。微LED的无机材料与OLED相比允许更长的寿命。微型LED允许较亮图像，并且具有残像的最小风险。微型LED具有亚纳秒响应时间，其优于用于3D/AR/VR显示器的其它显示技术，这是因为这些装置需要更多图像、更多像素/图像、更多帧/秒和快速响应。

本说明书识别包括下文所识别的各种实施方案的方法以管理作为微型装置转移的部分的缺陷。

一种将微型装置转移到系统基材的方法包括临时固持微型装置的供体基材。

使选定组微型装置与该系统基材对准，并且将该选定组微型装置转移到该系统基材中。该系统基材具有使得能够驱动微型装置的电极和像素结构。

在一种情况下，该系统基材可形成显示器，并且微型装置是发光的。在另一情况下，该系统基材可形成发光装置的显示器和微型装置以及其它集成元件两者，诸如但不限于(1)存储器、(2)处理器、(3)其它类型的显示器、(4)熔丝、(5)传感器、(6)致动器等。在另一相关情况下，系统基材可包括感测像素，并且该微型装置可包括传感器。该微型装置也可以是小芯片、MEMS和其它光电子、电化学或电子装置。

可重复该过程以通过微型装置填充系统基材。在另一情况下，具有第二微型装置的第二供体基材用以填充第二像素或区域系统基材。在另一情况下，具有第三微型装置的第三供体基材用于填充系统基材上的第三微型装置区域，该第三微型装置区域可以是冗余微型装置以替换另一非工作微型装置。

图1(图1(a)和图1(b))展示此处所描述的转移过程。在图1(a)中，供体基材102包括微型装置104，其中该微型装置与系统基材或临时基材106对准。

在图1(b)中，微型装置108转移到系统基材106。供体基材102接着偏移到下一位置。重复该过程，直到系统基材或临时基材被完全填充，或供体基材中的微型装置完成。

供体基材中可能存在缺陷。图2(a)展示具有微型装置104的供体基材102。在装置中的一者中存在缺陷120。缺陷可包括非工作像素、不良工作微型装置、缺失微型装置、具有异物的微型装置等。可移除缺陷，如图2(b)中所展现。

图3展示管理不同缺陷类型的过程步骤206的实施方案。在第一步骤202期间，检验供体基材。此处，检验可以是视觉、光致发光、或电致发光。可通过其它手段进行检验，例如电激活和以电气方式读出结果，例如断路或短路等。使用检验数据来识别供体基材中的缺陷(步骤204)。

可在供体基材上识别缺陷，并且该缺陷可例如用以确定是否进行转移。即，如果存在多于百分之五的缺陷，则供体不用于进行转移。是否使用供体基材的缺陷百分比阈值是基于查看所允许的总客户缺陷密度并解决所有接下来的转移步骤和其之后步骤的过程缺陷平均值的标准过程。供体缺陷百分比是所测量且允许的缺陷密度的一部分。

缺陷可以是不同类型，诸如缺失装置、永久地粘附到供体基材的装置、或功能失调或具有物理缺陷的装置。缺陷可以是未对准微型装置、部分像素、或异形微型装置。

在204中识别该缺陷之后，在步骤206中对该缺陷相应地分类。如果缺陷是缺失微型装置208，则可标示位置。在处置缺失微型装置的一个相关实施方案214中标示装置的位置。此处，当将与微型装置相关联的组转移到系统基材时，在系统基材中将存在已知缺失缺陷。在另一情况下，标示与缺失微型装置相关联的组，并且在转移期间，并不移转并跳过此组。在一个相关情况下，预先移除标示的微型装置组，因此其不干扰系统底板。

若干手段中的任一者可进行标示。在一个示例中，存储供体缺陷微型装置地址(行地址和列地址)，以使得随后，系统可使用此缺陷数据来确定如何将相邻像素的冗余(求助于相邻微型装置来帮忙掩盖有缺陷的微型装置)添加到有缺陷的微型装置。

如果缺陷是贮存在微型装置中210，则在相关实施方案216中，可使用破坏性方法诸如激光、蚀刻、或其它方法在转移之前移除微型装置。此处，微型装置标示为缺失微型装置，并且可如上文所描述进行处置。移除微型装置的另一示例可以是以电气方式剥蚀微型装置。

如果缺陷是功能失调或物理缺陷212，则标示或移除微型装置218。且此后，可使用与上文所描述的缺失微型装置214相同的过程来处置这些缺陷。

在每次将微型装置从供体基材转移到系统基材之后，都可能在系统基材和供体基材上形成缺陷。为了避免系统基材和供体基材上的新缺陷之间的干扰，系统需要在第一微型装置的后续转移之前监测和管理一些缺陷以用于从第二供体基材的第二微型装置转移。因此，基于协议，在下一组微型装置到系统基材或临时基材的下一转移之前进行调整。

图4展示在转移之后的缺陷的主动管理的实施方案。在第一步骤250期间，将选定微型装置从供体基材转移到系统基材中。此处，转移可如上文所描述进行。该装置可永久或临时地接合到系统基材。

可通过使用热处理退火电接触件来进行永久接合。还可通过沉积光学涂膜来实现永久接合。还可经由最终封装步骤实现永久接合。

临时接合允许校正一些缺陷。在第二步骤252期间，检验转移到系统基材的微型装置。检验可以是视觉、电致发光、光致发光、或其它形式。在检验期间收集的数据用以识别缺陷和缺陷类型254。

如果缺陷是缺失微型装置256，则微型装置不存在于系统基材中的所期望地点中。该过程可描述于步骤262中。缺失微型装置可来自供体基材的缺失微型装置。在此情况下，供体基材可能不需要动作。系统基材中的微型装置可填入另一微型装置，或其可重导向到备用微型装置。或者，终止具有缺失微型装置的像素。如果缺失微型装置在供体基材上，则微型装置或微型装置组需要在其可能干扰系统基材或所转移微型装置的其它部分之前从供体基材移除。移除过程可通过备用底板或其它机械、激光等完成。

如果缺陷是额外微型装置258，则在系统基材的不需要的区域中存在额外微型装置。处置不同微型装置的过程描述于步骤264中。系统基材中的不同装置意指供体基材中的缺失微型装置。因此，可针对供体基材进行与图3和上文中所描述的原始缺失微型装置相同的过程。此外，不同微型装置可能干扰后续转移或底板后处理。因此，其可从系统基材移除。移除可通过激光、弹性体、或其它方法进行。此外，其可通过加压气体(空气)或液体(水)进行。由于不同装置未恰当地接合到系统基材，因此可用加压载体快速清除该装置。

如果缺陷是功能失调或物理损害260，则在步骤266中展示管理缺陷的过程。此处，有缺陷装置可移除且用工作装置替换。或者，可终止具有有缺陷装置的像素(在基材中通过激光或其它方法，或在驱动系统中通过停用驱动模式下的像素)。在另一相关方法中，像素可重导向到备用装置或用备用装置填充。

图3和图4潜在地概述一种用以管理来自供体基材的微型装置转移过程中的缺陷的方法，其包括下列步骤：将一组微型装置转移到系统基材或临时基材；针对缺陷检验转移的微型装置，其中该检验是视觉、光致发光、或电致发光；识别缺陷类型，其中缺陷是缺失装置、永久地贮存到该供体基材的装置或功能失调或具有物理缺陷的装置；基于协议来矫正识别的缺陷；以及基于该协议而调整下一组微型装置到该系统基材或临时基材的该转移。

该方法还涉及管理来自供体基材的微型装置转移过程中的缺陷，该方法包括：检验该供体基材以识别该供体基材中的缺陷，其中该缺陷是缺失装置、永久地贮存到该供体基材的装置、功能失调或物理上受损的装置；将一组微型装置从该供体基材转移到该系统基材或临时基材；针对缺陷检验第一组转移的微型装置；识别缺陷类型，其中缺陷是缺失装置、额外转移的微型装置或功能失调或具有物理缺陷的装置；以及使用来自供体基材和系统基材的检验数据来(i)矫正系统基材上的识别的缺陷；(ii)修复该供体基材；以及(iii)更新用于该供体基材的缺陷数据。

该方法进一步概述，其中该检验是视觉、光致发光、或电致发光，并且进一步其中基于在该转移之前的检验数据和缺陷类型来将供体基材中的该缺陷修改成缺失缺陷。

此处，修改缺陷类型包括如果缺陷类型是：(i)缺失装置，则将供体基材中的位置标记为缺失装置；(ii)永久贮存的装置，则通过力移除贮存的装置并且将该位置标记为缺失装置；以及(iii)功能失调或物理上受损，则移除该装置并且将位置标记为缺失装置。

另外，其中矫正系统基材中的缺陷包括如果缺陷类型是：(i)缺失装置，则将位置标记为缺失装置且在某一时刻用新装置填充；(ii)额外装置，则移除该额外装置；以及(iii)功能失调装置，则移除该装置，并且将位置标记为缺失装置且在某一时刻用新装置填充。

此外，基于系统基材检验来更新供体检验数据包括：如果系统基材缺陷类型是(i)缺失缺陷，则在缺陷不匹配供体基材中的现有缺失装置缺陷的情况下移除留在供体基材的那个位置中的装置；并且如果缺陷类型是(ii)额外装置，则用缺失缺陷标记供体基材中匹配额外装置的位置。

另一实施方案是一种用以管理来自供体基材的微型装置转移过程中的缺陷的方法。该方法针对缺陷检验转移的微型装置，其中该检验是视觉、光致发光、或电致发光，并且进行缺陷类型的识别，其中缺陷是(1)缺失装置、(2)永久地粘附到供体基材的装置或(3)功能失调或具有物理缺陷的装置；并且基于协议来矫正识别的缺陷。

在一个实施方案中，供体上的有缺陷微型装置存储于数据库中，并且有缺陷装置的模式通过例如(1)形状、(2)供体的区域、(3)随机性、(4)等等进行分类。在移除缺陷之后，分析最终显示器缺陷密度。对最终缺陷密度的结果与供体缺陷密度和模式进行比较。如果发现关于最终显示器的缺陷密度过高的一些供体缺陷模式或密度，则具有类似缺陷密度或模式的任何新供体基材将与不达成最终显示器缺陷密度相关，则具有这些相关缺陷密度的这些新供体基材被视为有缺陷，并且丢弃这些供体基材。

在一个实施方案中，可以自动方法通过扫描各微型装置的自动化高功率显微镜系统进行视觉检验。按地址(行和列)存储这些图像，并且将各微型装置图像与图像的标准库进行比较。微型装置图像库将具有符合或不符合所需质量的微型装置的质量等级。因此，自动化高功率显微镜系统将输出各像素的质量的报告。

在一个实施方案中，自动化高功率显微镜系统可与质量缺陷算法一起使用，该质量缺陷算法将确定(1)供体基材微型装置是否完好如初；(2)是否可修复有缺陷的供体基材微型装置；或(3)是否整个供体基材不可用。

在一个实施方案中，机器学习算法用于质量检验，并且自动化高功率显微镜系统通过使用历史数据到最终显示质量数据而随时间推移进行学习。

在一个实施方案中，光致发光可以是从暴露于各种光频率的微型装置的光发射。举例来说，蓝光可发射到供体基材上，并且自动化高功率显微镜系统可评估各微型装置的光学响应。蓝光可提供对来自微型装置的发射的详细响应。此外，可使用红光和绿光。此外，可使用白光。使用多个光源和自动化高功率显微镜系统来查看各微型装置的响应，确定各供体基材的高质量响应图。该质量响应图用以确定供体基材的最终质量。举例来说，如果数据库是由已知有缺陷微型装置产生，其中各已知有缺陷的和无缺陷的微型装置暴露于各种光源，并且对照各种光源响应收集良好和有缺陷的微型装置的图，则产生可用以确定微型装置的未来质量的数据库。

另一实施方案是一种方法，其中供体基材的转移包括使供体基材上的选定组微型装置与系统基材或临时基材对准，并且接着将该选定组微型装置转移到系统或临时基材；并且使该供体基材偏移到下一转移位置。

在一个实施方案中，分析各供体基材的有缺陷微型装置和后续标示或移除，并且将此信息存储于数据库中。优化放置算法基于总体视觉效果确定哪些供体基材可紧邻其它供体基材放置。举例来说，如果高密度有缺陷微型装置并不紧邻类似高密度有缺陷微型装置，则该高密度有缺陷微型装置对于用户来说可能不太明显。

在另一实施方案中，转移方法在下一转移之前使用微型元件供体基材检验。举例来说，以光学方式检验供体基材以确定标示或移除哪些微型装置。在转移之后，光学检验所转移的微型装置以与所得转移比较哪些微型装置已被标示或从供体基材移除。如果存在一对一匹配，则认为转移通过。然而，如果在供体基材上不存在有缺陷的新微型装置，则使用转移质量算法确定(1)是否可标示或移除或修复新的有缺陷微型装置，或(2)新的有缺陷微型装置是否足够不良以致需要返工过程。举例来说，转移质量算法将确定，如果新的有缺陷微型装置是否被发现邻近于原始有缺陷微型装置，则这些新的有缺陷微型装置被视为供体影响缺陷，而如果新的有缺陷微型装置并不靠近(例如，>五个微型装置)在供体基材上标示或移除的有缺陷微型装置，则这些有缺陷微型装置被确定为转移影响缺陷。可针对供体影响有缺陷装置与转移影响有缺陷微型装置采取不同动作。举例来说，供体影响有缺陷微型装置可确定可接受供体基材上的新缺陷极限。相比之下，转移影响有缺陷装置可能需要在转移过程上停止以检查过程参数。

另一实施方案是一种方法，其中重复转移过程直到系统基材、临时基材被完全填充或供体基材中的微型装置完成为止。

另一实施方案是一种经优化转移放置方法，其存储所有供体基材和其标示或移除的微型装置。经优化转移放置确定哪些供体基材可转移到哪些系统基材。举例来说，经优化转移放置确定可完成多少系统基材。此外，经优化转移放置确定哪些供体基材可转移到哪一系统基材以用于最高效(最快)和最高质量最终显示器(对于各最终显示器优化的缺陷模式密度)。

在另一实施方案中，该方法确定其中缺陷是缺失装置，并且标示缺失装置的位置。举例来说，标示微型装置可以是：(1)标示地址，其是存储于数据库中的行地址和列地址，或(2)诸如(多个)喷墨色点的物理标示，其表示可易于在光致发光扫描下发现但在注视显示器时可能看起来不可见(红色、绿色、蓝色矩阵)的颜色。

在另一实施方案中，该方法确定是否预先移除供体基材上的经标示微型装置。举例来说，供体基材移除算法用于确定是否将转移供体基材。举例来说，供体基材移除算法确定移除是否是因为以下各者：(1)供体基材上的总缺陷达到阈值；或(2)有缺陷微型装置的模式可能对观看最终显示器的用户敏感；或(3)供体基材在一系列有缺陷供体基材中有缺陷，借此一系列有缺陷供体基材可影响多个系统基材的总体缺陷密度。

在另一实施方案中，该方法确定缺陷是否是贮存的微型装置，使用破坏性方法诸如激光、蚀刻、或机械压力来在转移之前移除该微型装置。举例来说，激光可用以直接剥蚀微型装置。在另一示例中，移除材料沉积于供体基材上，并且激光剥蚀用于移除微观缺陷装置。碎屑分散于移除材料上，并且使用可移除式材料。举例来说，激光辅助化学蚀刻选择性地移除有缺陷的微型装置，同时影响周围的微型装置和任何相关碎屑。

在另一实施方案中，该方法确定缺陷是否是缺失装置。系统基材或临时基材中的微型装置用另一微型装置填充或重导向到备用微型装置。举例来说，在插入工具内的微型装置的线轴可被对准和激活以将新的可用微型装置放置于系统基材上以替换供体基材上的缺失的有缺陷微型装置。

在另一实施方案中，移除有缺陷微型装置的方法是通过激光剥蚀进行或通过瞄准供体基材上的有缺陷微型装置的定向高压喷嘴气体(空气)或液体(水)移除，或使用弹性体胶以粘着和移除供体基材上的有缺陷微型装置。

一种将微型装置从供体基材转移到系统基材中的方法，该方法包括：使供体基材中的选定组微型装置对准到该系统基材；以及将该选定组微型装置转移到该系统基材中；以及针对缺陷检验所转移的微型装置；以及矫正干扰随后转移循环中的任一者的缺陷，之后进行该转移循环。

已呈现了本发明的一个或多个实施方案的先前描述以用于说明和描述。其并不意欲为穷尽的或将本发明限于所公开的精确形式。鉴于上述教导，多个修改和变化是可能的。希望本发明的范围并不被此具体实施方式限制，而是被随附在此的权利要求书限制。

Claims (34)

1.一种用以管理来自供体基材的微型装置转移过程中的缺陷的方法，所述方法包括：

将一组微型装置转移到系统基材或临时基材；

针对缺陷检验所述转移的微型装置，其中所述检验是视觉、光致发光、或电致发光；

识别缺陷类型，其中缺陷是缺失装置、永久地贮存到所述供体基材的装置、或功能失调或具有物理缺陷的装置；

基于协议来矫正所述识别的缺陷；以及

基于所述协议来调整下一组微型装置到所述系统基材或临时基材的所述转移。

2.根据权利要求1所述的方法，其中使用机器学习来确定所述供体基材的质量。

3.根据权利要求1所述的方法，使用自动化高功率显微镜系统来确定所述缺陷。

4.根据权利要求3所述的方法，其中多个光源与所述自动化高功率显微镜系统和历史数据一起使用以确定所述供体基材的质量。

5.根据权利要求1所述的方法，其中使用高质量响应图来分析所述供体基材。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述转移包括使供体基材上的选定组微型装置与所述系统或临时基材对准；

将所述选定组微型装置转移到所述系统或临时基材；以及

使所述供体基材偏移到下一转移位置。

7.根据权利要求6所述的方法，其使用优化放置算法来偏移供体基材。

8.根据权利要求6所述的方法，其中使用转移质量算法在下一转移之前检验所述转移组微型装置或供体基材。

9.根据权利要求1所述的方法，其中重复所述转移过程，直到所述系统基材或所述临时基材被完全填充，或所述供体基材中的所述微型装置完成且使用优化转移放置。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述缺陷是缺失装置，并且所述缺失装置的位置被标示且是标示地址或物理标示。

11.根据权利要求1所述的方法，其中在转移期间标示与所述缺失微型装置相关联的组，并且并不转移并跳过所述组。

12.根据权利要求1所述的方法，其中基于供体基材移除算法而预先移除跳过的所述标示的微型装置组。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述缺陷是使用破坏性方法诸如激光、蚀刻、或机械压力而在转移之前移除的贮存的微型装置。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述激光方法是任何列表或激光剥蚀、使用移除材料的激光、或激光辅助化学蚀刻。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述移除的微型装置被标示为缺失微型装置，并且被处置为缺失微型装置缺陷。

16.根据权利要求1所述的方法，其中如果所述缺陷是功能失调或物理缺陷，则所述微型装置被标示或移除且随后处置为标示或移除的微型装置缺陷类型。

17.一种用以管理从供体基材到系统或临时基材的微型装置转移过程中的缺陷的方法，所述方法包括：

使所述供体基材与系统或临时基材对准；

将选定微型装置转移到所述系统或临时基材；

接合所述转移的微型装置；

针对缺陷检验所述供体基材，其中所述检验是视觉、光致发光、或电致发光；

识别缺陷类型，其中缺陷是缺失装置、永久地贮存到所述供体基材的装置、或功能失调或具有物理缺陷的装置；以及

基于协议来矫正所述识别的缺陷。

18.根据权利要求11所述的方法，其中所述缺陷是缺失，所述系统基材或临时基材中的所述微型装置用另一微型装置填充或重导向到备用微型装置。

19.根据权利要求18所述的方法，其使用具有插入工具的微型装置的线轴来替换所述系统基材上的缺失微型装置。

20.根据权利要求12所述的方法，其中所述缺陷是额外微型装置，接着用缺失微型装置标示供体基材位置，并且重复用于所述供体基材中的缺失微型装置的过程，并且从所述系统或临时基材移除所述额外微型装置。

21.根据权利要求13所述的方法，其中所述移除是通过激光、弹性体、加压气体(空气)、或液体(水)方法进行的。

22.一种将微型装置从供体基材转移到系统基材中的方法，所述方法包括：

i)使供体基材中的选定组微型装置对准到所述系统基材；

ii)将所述选定组微型装置转移到所述系统基材中；

iii)针对缺陷检验转移的微型装置，以及

iv)在所述转移循环之前矫正干扰随后转移循环中的任一者的所述缺陷。

23.根据权利要求22所述的方法，其中矫正所述缺陷是移除所述转移的微型装置或相关联微型装置组。

24.根据权利要求22所述的方法，其中所述缺陷是转移到所述系统基材中的不需要的额外微型装置。

25.根据权利要求22所述的方法，其中在所述转移过程期间或之后的任何时间矫正不干扰后续转移的缺陷。

26.根据权利要求23所述的方法，其中矫正缺陷是用功能正常的微型装置替换微型装置。

27.根据权利要求23所述的方法，其中矫正缺陷是用于所述有缺陷的微型装置的备用微型装置。

28.根据权利要求17所述的方法，其中所述接合是临时的。

29.一种用以管理来自供体基材的微型装置转移过程中的缺陷的方法，所述方法包括：

检验所述供体基材以识别所述供体基材中的缺陷，其中所述缺陷是缺失装置、永久地贮存到所述供体基材的装置、功能失调或物理上受损的装置；

将一组微型装置从所述供体基材转移到所述系统基材或临时基材；

针对缺陷检验第一组转移的微型装置；

识别缺陷类型，其中缺陷是缺失装置、额外转移的微型装置、或功能失调或具有物理缺陷的装置；以及

使用来自供体基材和系统基材的检验数据来

(i)矫正系统基材上的所述识别的缺陷；

(ii)修复所述供体基材；并且

(iii)更新用于所述供体基材的所述缺陷数据。

30.根据权利要求29所述的方法，其中所述检验是视觉、光致发光、或电致发光。

31.根据权利要求29所述的方法，其中在所述转移之前基于检验数据和缺陷类型来将供体基材中的所述缺陷修改成缺失缺陷。

32.根据权利要求31所述的方法，其中修改所述缺陷类型包括如果所述缺陷类型是：

(i)缺失装置，则将供体基材中的所述位置标记为缺失装置；

(ii)永久贮存的装置，则通过力移除所述贮存的装置并且将所述位置标记为缺失装置；和

(iii)功能失调或物理上受损，则移除所述装置并且将所述位置标记为缺失装置。

33.根据权利要求29所述的方法，其中矫正系统基材中的缺陷包括如果所述缺陷类型是：

(i)缺失装置，则将位置标记为缺失装置并且用新装置进行填充；

(ii)额外装置，则移除所述额外装置；和

(iii)功能失调装置，则移除所述装置并且将所述位置标记为缺失装置并且用新装置进行填充。

34.根据权利要求29所述的方法，其中基于系统基材检验来更新供体检验数据包括如果所述系统基材缺陷类型是：

(i)缺失缺陷，则在所述缺陷不匹配所述供体基材中的现有缺失装置缺陷的情况下，移除留在供体基材的所述位置中的所述装置；和

(ii)额外装置，则用缺失缺陷标记所述供体基材中匹配所述额外装置的所述位置。