CN116511154A - 一种智能半导体洗净工艺及其装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种智能半导体洗净装置，包括箱体与机座，机座的上方设置有清洗座，清洗座的侧壁上平行设置有向清洗座内注入纯水与酸液的纯水入口与溶液入口，所述清洗座内安装有基板载具，所述基板载具的边缘设有清洗槽，清洗槽的底部设置有排水管与酸液回流管，所述清洗座的底部设置有超声波振子。有益效果：具备小型化，操作便捷的的优点，进而解决了清洗质量不高，清洗效率低下，增大成本的问题。

Description

一种智能半导体洗净工艺及其装置

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，具体来说，涉及一种智能半导体洗净工艺及其装置。

背景技术

现有的石英产品清洗工艺通常利用酸碱有机物等液体化学品等进行浸泡或冲洗，用以达到清洗表面颗粒、去除反应聚合物、刻蚀表面膜层等目的，在化学液体清洗半导体材料表面颗粒后，通常使用去离子水将化学液体冲洗去除。

但是目前的清洗容器，清洗质量不高，清洗效率低下，增大成本。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种智能半导体洗净工艺及其装置，具备小型化，操作便捷的的优点，进而解决了清洗质量不高，清洗效率低下，增大成本的问题。

为实现上述具备小型化，操作便捷的的优点，本发明采用的具体技术方案如下：

一种智能半导体洗净装置，包括箱体与机座，机座的上方设置有清洗座，清洗座的侧壁上平行设置有向清洗座内注入纯水与酸液的纯水入口与溶液入口，所述清洗座内安装有基板载具，所述基板载具的边缘设有清洗槽，清洗槽的底部设置有排水管与酸液回流管，所述清洗座的底部设置有超声波振子。

进一步的，所述箱体上设有箱门、观察窗、排气管、控制面板，所述箱门开合在箱体上，所述观察窗设置在箱门的表面，所述排气管连接在箱体的后侧，并排出箱体内清洗半导体时形成的负压，所述控制面板设置在箱门的一端，并控制本装置的启动、停止、设置参数，从而控制酸洗时长，及时报警。

进一步的，所述箱体还设置有收集清洗时产生的废液的废液箱，所述废液箱连接有溢水管。

一种智能半导体洗净工艺，其方法步骤如下：

第一步，将待清洗的石英基板放置在基板载具上，关闭箱门，加入纯水，开启超声波清洗5-10分钟后，排出纯水，清除大部分杂质；

第二步，加入酸液，酸洗溶液是由盐酸：双氧水：纯水配比组成，盐酸：双氧水：纯水为1:1:3~6，浸泡10分钟；打开酸液回流管34，将酸液回收；

第三步，加入纯水，开启超声波，5分钟后排出，重复2次后，洗净完成。

与现有技术相比，本发明提供了一种智能半导体洗净工艺及其装置，具备以下有益效果：

本发明为智能化，小型化洗净设备，且操作便捷，降低操作人员的劳动强度，使半导体材料冲洗的更加干净，清洗更加更加彻底，提高清洗效率和效果。通过在机座的上方了清洗座，清洗座的侧壁上平行设置有向清洗座内注入纯水与酸液的纯水入口与溶液入口，纯水入口与溶液入口均通过管道与相应的容器相连接，并配有电磁阀，清洗座内安装有固定石英基板的基板载具，基板载具的边缘设有清洗槽，纯水与酸液在清洗槽内，并通过超声波振子配合清洗，将待清洗的石英基板放置在基板载具上，加入纯水，开启超声波振子清洗后，排出纯水。清除杂质。通过控制器连接的控制按键、显示器，设置排水管、酸液回流管、纯水入口、溶液入口上的电磁阀开启停止，控制本装置的启动、停止、设置参数，从而控制酸洗时长，及时报警。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明的结构示意图之一；

图2是本发明的结构示意图之二；

图3是本发明中清洗座32的结构示意图之一；

图4是本发明中清洗座32的结构示意图之二。

图中：箱体1、机座2、清洗槽31、清洗座32、排水管33、酸液回流管34、纯水入口35、溶液入口36、超声波振子37、基板载具38、箱门11、观察窗12、排气管13、控制面板14、废液箱15、溢水管151。

实施方式

为进一步说明各实施例，本发明提供有附图，这些附图为本发明揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理，配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本发明的优点，图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。

根据本发明的实施例，提供了一种智能半导体洗净工艺及其装置。

现结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明，如图1-4所示，根据本发明实施例的一种智能半导体洗净装置，一种智能半导体洗净装置，包括箱体1与机座2，箱体1采用耐腐蚀性材料，机座2的上方设置有清洗座32，清洗座32的侧壁上平行设置有向清洗座32内注入纯水与酸液的纯水入口35与溶液入口36，纯水入口35与溶液入口36均通过管道与相应的容器相连接，并配有电磁阀，清洗座32内安装有固定石英基板的基板载具38，所述基板载具38的边缘设有清洗槽31，纯水与酸液在清洗槽31内，并通过超声波振子37配合清洗，清洗槽31清洗槽31的底部设置有排水管33与酸液回流管34，所述清洗座32的底部设置有超声波振子37。将待清洗的石英基板放置在基板载具38上，加入纯水，开启超声波振子37清洗5-10分钟后，排出纯水。清除大部分杂质；

所述箱体1上设有密封效果好的箱门11、观察窗12、排气管13、控制面板14，所述箱门11开合在箱体1上，并配有锁扣，所述观察窗12设置在箱门11的表面，观察窗12可以对箱体1内部清洗实时观察，所述排气管13连接在箱体1的后侧，并排出箱体1内清洗半导体时形成的负压，所述控制面板14设置在箱门11的一端，并控制本装置的启动、停止、设置参数，从而控制酸洗时长，及时报警。

所述箱体1还设置有收集清洗时产生的废液的废液箱15，所述废液箱15连接有溢水管151。打开酸液回流管34与排水管33，将废液回收至废液箱15内。

所述控制面板14设置有控制按键、显示器、控制器、报警器，通过有线或无线终端与各个功能装置互相连接后实现协调控制功能，控制器与各个功能装置采取有线连接的方式。通过控制器连接的控制按键、显示器，设置排水管33、酸液回流管34、纯水入口35、溶液入口36上的电磁阀开启停止，控制本装置的启动、停止、设置参数，从而控制酸洗时长，及时报警。

一种智能半导体洗净工艺，其方法步骤如下：

第一步，将待清洗的石英基板放置在基板载具38上，关闭箱门11，加入纯水，开启超声波清洗5-10分钟后，排出纯水，清除大部分杂质；

第二步，加入酸液，酸洗溶液是由盐酸：双氧水：纯水配比组成，盐酸：双氧水：纯水为1:1:3-6，浸泡10分钟；打开酸液回流管34，将酸液回收；

第三步，加入纯水，开启超声波，5分钟后排出，重复2次后，洗净完成。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置”、“连接”、“固定”、“旋接”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种智能半导体洗净装置，包括箱体(1)与机座(2)，其特征在于：所述机座(2)上设有清洗座(32)，清洗座(32)上设有向清洗座(32)内注入纯水与酸液的纯水入口(35)与溶液入口(36)，所述清洗座(32)内安装有基板载具(38)，所述基板载具(38)的边缘设有清洗槽(31)，清洗槽(31)的底部设置有排水管(33)与酸液回流管(34)，所述清洗座(32)的底部设置有超声波振子(37)。

2.根据权利要求1所述一种智能半导体洗净装置，其特征在于：所述箱体(1)上设有箱门(11)、排气管(13)、控制面板(14)，所述箱门(11)和箱体(1)铰接，所述箱门(11)上设有观察窗(12)，所述排气管(13)连接在箱体(1)的后侧，并排出箱体(1)内清洗半导体时形成的负压，所述控制面板(14)设置在箱门(11)的一端。

3.根据权利要求1所述一种智能半导体洗净装置，其特征在于：所述箱体(1)还设置有收集清洗时产生的废液的废液箱(15)，所述废液箱(15)连接有溢水管(151)。

4.根据权利要求2所述一种智能半导体洗净装置，其特征在于：所述控制面板(14)设置有控制按键、显示器、控制器、报警器，通过有线或无线终端与各个功能装置互相连接后实现协调控制功能，控制器与各个功能装置采取有线连接的方式。

5.一种智能半导体洗净工艺，其方法步骤如下：

第一步，将待清洗的石英基板固定在基板载具(38)上，关闭箱门(11)，加入纯水，开启超声波清洗5-10分钟后，排出纯水，清除大部分杂质；

第二步，加入酸液，酸洗溶液是由盐酸：双氧水：纯水配比组成，盐酸：双氧水：纯水为1:1:3-6，浸泡10分钟；打开酸液回流管(34)，将酸液回收；

第三步，加入纯水，开启超声波，5分钟后排出，重复2次后，洗净完成。