CN116206996A - 一种硅片方阻测量装置及测量方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及硅片加工自动化设备技术领域，尤其涉及一种硅片方阻测量装置及测量方法，包括存放机构、方阻测量机构和移转机构，存放机构用于存放装载有硅片的花篮，硅片多层间隔放置于花篮内；方阻测量机构位于存放机构上方，包括放置硅片的测量平台和方阻测量器；移转机构位于存放机构一侧，包括抓取组件、水平行程组件和竖直行程组件，抓取组件用于从花篮中抓取硅片放置在测量平台上，并在测量完成后从测量平台抓取硅片放置回花篮中，抓取组件在水平行程组件的驱动下进行水平移动，抓取组件在竖直行程组件的驱动下进行竖直移动；本发明整体结构紧凑，占地面积小，测量效率高，有利于提高整体硅片加工工序的流畅性和工作效率。

Description

一种硅片方阻测量装置及测量方法

技术领域

本发明涉及硅片加工自动化设备技术领域，尤其涉及一种硅片方阻测量装置及测量方法。

背景技术

太阳能电池是一个巨大的半导体二极管，以半导体材料为基础进行能量转换。目前，光伏行业中硅太阳能电池占主导位置。太阳能电池普遍使用硅晶体做基体，通常是将圆柱形的单晶硅棒切割成片，所以硅片的质量在很大程度上决定了太阳能电池的性能。

人们从石英砂中用碳还原的方法制得工业硅，再通过提纯工艺去除铁、铝、钙、镁等金属杂质后，还原沉积得到高纯的多晶硅；而多晶硅的纯度并没有达到太阳能电池所要求的硅片的纯度，所以还需进一步提纯制得单晶硅。目前大多使用直拉法制造的单晶硅，在石英坩埚中将多晶硅加热熔化，加入掺杂剂，用一小块籽晶从熔融硅拉出圆柱形的单晶硅。由于掺杂的浓度不同，单晶硅的电阻率也会不同。

硅片的电阻率的范围相当宽泛，可针对于太阳能电池来说，电阻率较低的硅片能得到较高的开路电压和光电转换效率，高电阻率硅片制成的太阳能电池的开路电压较低，进而导致填充因子下降，所以转换效率很低。因此，在硅片生产过程中需要精确地控制硅片的电阻率值，并且在生产过程中需要通过方阻测量装置对硅片进行检测，以确保硅片的电阻率控制在一定范围内。

现有的硅片方阻测量装置，一般设置在整个硅片生产工序中的装卸片工序区域内，容易影响用于盛放硅片的花篮的流转节拍，并且仅适用于花篮卧式放置的场合，而且在检测过程中，取片检测后，硅片无法放回原取片时的花篮，导致方阻测量工序时间较长，进而导致对整个硅片生产过程的工序流畅性、工作效率造成影响，同时现有的方阻测量装置还存在占地面积大的问题。如中国专利公开号为CN107591342B的专利申请所公开的一种自动测方阻设备，就存在上述问题。

发明内容

针对上述问题，本发明提供一种可设置在硅片生产工序的花篮搬运工序区域内，能够原花篮取片、还片，以及结构紧凑、占地面积小的硅片方阻测量装置。

为实现以上目的，本发明的技术方案是：

一种硅片方阻测量装置，包括存放机构、方阻测量机构和移转机构，所述存放机构用于存放装载有硅片的花篮，所述硅片多层间隔放置于花篮内；所述方阻测量机构位于存放机构上方，包括放置硅片的测量平台和测量硅片方阻的方阻测量器；所述移转机构位于存放机构一侧，包括抓取组件、水平行程组件和竖直行程组件；所述抓取组件在水平行程组件和竖直行程组件的驱动下，用于在测量时从花篮中抓取硅片放置在测量平台上，并在测量完成后从测量平台抓取硅片放置回花篮中；当抓取组件位于花篮所在高度时，所述水平行程组件驱动抓取组件在花篮一侧和花篮内部之间进行水平移动；当抓取组件位于测量平台所在高度时，所述水平行程组件驱动抓取组件在测量平台一侧和测量平台上方之间进行水平移动；当抓取组件位于花篮和测量平台的一侧时，所述竖直行程组件驱动抓取组件在花篮和测量平台的一侧进行竖直移动；当抓取组件位于测量平台上方时，所述竖直行程组件驱动抓取组件在测量平台上方和测量平台之间进行竖直移动；当抓取组件位于花篮内部时，所述竖直行程组件驱动抓取组件在硅片层与层之间的空隙内进行竖直移动。

具体地，所述测量平台包括安装板、放置板和升降气缸，所述安装板竖直设置，所述放置板朝向花篮水平设置且侧边固定于安装板的壁面上，所述方阻测量器位于放置板上方且与放置板平行，探针朝向放置板，所述升降气缸缸体固定于安装板的壁面上，输出轴向下与方阻测量器的顶面连接。

进一步地，还包括设置于测量平台上的规整机构，所述规整机构包括对称设置于放置板相对的两个侧边上的规整板，所述两个规整板分别由规整气缸驱动移动。

进一步地，所述测量平台还包括压板气缸和平行设于放置板下方的花篮压板，所述压板气缸设置于放置板底面上，输出轴向下与花篮压板顶部连接。

具体地，所述存放机构包括花篮和存放平台，所述存放平台包括水平设置的底板和设置于底板上表面的用于限制花篮位置的限位框。

进一步地，所述限位框形状与花篮底部相匹配，且由竖直设置的四个挡板四面合围而成，每个挡板均包括两个间隔设置的挡板块。

进一步地，还包括限位板和限位气缸，所述限位板设置于一个挡板的两个挡板块之间，所述限位气缸设置于底板上，驱动限位板沿底板表面向限位框内部移动。

具体地，所述抓取组件包括安装臂和用于吸附硅片的吸盘，所述水平行程组件包括相匹配的水平导轨和水平滑块，所述竖直行程组件包括相匹配的竖直导轨和竖直滑块，所述吸盘通过安装臂与水平滑块连接，所述水平导轨安装于竖直滑块上。

具体地，所述吸盘包括吸板，所述吸板上设置有连接孔和吸孔，所述连接孔和所述吸孔通过吸板内部的流道进行连通，所述连接孔与设置于水平行程组件上的真空发生器连接，所述吸孔产生吸力对硅片进行吸附。

基于上述硅片方阻测量装置，本发明提供一种硅片方阻测量方法，步骤包括：

S1，准备待测硅片：将花篮竖直放置于存放机构中，硅片呈多层间隔放置；

S2，第一次测量：

抓取组件在水平行程组件和竖直行程组件的驱动下从花篮的第一层抓取硅片放置在测量平台上；

方阻测量器对放置在测量平台上的硅片进行方阻测量；

测量完毕后，抓取组件在水平行程组件和竖直行程组件的驱动下从测量平台上抓取硅片并将其放置回花篮的第一层；

S3，第二次测量：抓取组件在水平行程组件和竖直行程组件的驱动下从花篮的第二层抓取硅片放置在测量平台上；

方阻测量器对放置在测量平台上的硅片进行方阻测量；

测量完毕后，抓取组件在水平行程组件和竖直行程组件的驱动下从测量平台上抓取硅片并将其放置回花篮的第二层；

S4，以此类推，直至完成花篮中所有硅片的方阻测量；

S5，从存放机构中移走已完成测量的花篮，将载有待测硅片的新花篮放置入存放机构中，准备新花篮中的待测硅片的测量，重复步骤S2-S4，直至完成所有待测硅片的方阻测量。

从上述描述可以看出，本发明具备以下优点：

1、本发明的硅片方阻测量装置中，硅片存放机构的花篮竖直放置，方阻测量机构位于花篮上方，移转机构位于花篮的一侧，整体结构紧凑，占地面积小；

2、本发明的硅片方阻测量装置中，移转机构能够实现硅片的原位吸取和放回，测量效率高，不会影响整个硅片加工工序中花篮的流转节拍，有利于提高整体工序的流畅性和工作效率。

附图说明

图1是本发明的结构示意图；

图2是本发明方阻测量机构的结构示意图；

图3是本发明方阻测量机构的局部结构示意图；

图4是本发明存放机构的结构示意图；

图5是本发明吸盘底面的结构示意图；

附图标记：

1.存放机构：

11.花篮、111.上顶板、112.下底板、113.支撑杆；

12.存放平台、121.底板、122.限位框、123挡板、1231挡板块、124.限位板、125.限位气缸；

13.硅片；

2.方阻测量机构;

21.测量平台、211.安装板、212.放置板、213.升降气缸、214.支撑板、215.花篮压板；

22.方阻测量器、221.探针；

23.规整机构、231.规整板、232.规整气缸；

3.移转机构：

31.抓取组件、311.安装臂、3111三角形支撑板、312.吸盘、3121.吸板、3122.连接孔、3123.吸孔；

32.水平行程组件、321水平导轨、322水平滑块；

33.竖直行程组件、331竖直导轨；

34.真空发生器。

具体实施方式

结合图1至图5，详细说明本发明的实施例，但不对本发明的权利要求做任何限定。

如图1所示，一种硅片方阻测量装置，包括存放机构1、方阻测量机构2和移转机构3，其中：

（1）如图1、图4所示，存放机构1用于存放装载有硅片的花篮11，硅片13多层间隔放置于花篮11内；存放机构包括花篮11和存放平台12，存放平台12包括水平设置的底板121和设置于底板上表面的用于限制花篮位置的限位框122，限位框122形状与花篮11底部相匹配，且由竖直设置的四个挡板123四面合围而成，每个挡板123均包括两个间隔设置的挡板块1231。本发明中提到的花篮11为行业中常用的花篮结构，包括上顶板111、下底板112以及用于连接上顶板111和下底板112的多个支撑杆113，支撑杆113上等间距开设多个插槽，通过上顶板、下底板和多个支撑杆围成存放硅片的空间，每张硅片13通过插槽固定放置在花篮内，即多张硅片多层间隔放置于花篮内；

（2）如图1至3所示，方阻测量机构2位于存放机构上方，包括放置硅片的测量平台21和测量硅片方阻的方阻测量器22；具体地，测量平台21包括安装板211、放置板212和升降气缸213，安装板211竖直设置，放置板212朝向花篮水平设置且侧边固定于安装板的壁面上，方阻测量器22位于放置板212上方且与放置板212平行，探针221朝向放置板，升降气缸213缸体固定于安装板211的壁面上，输出轴向下与方阻测量器22的顶面连接；方阻测量器22可以采用DF-100__德仪NAPSON方阻测试仪，也可以采用其他型号符合本发明的安装结构的方阻测试仪；

（3）如图1所示，移转机构3位于存放机构一侧，包括抓取组件31、水平行程组件32和竖直行程组件33，抓取组件31用于从花篮11中抓取硅片13放置在测量平台21上，并在测量完成后从测量平台21抓取硅片13放置回花篮11中，抓取组件31在水平行程组件32的驱动下进行水平方向的移动，抓取组件31在竖直行程组件33的驱动下进行竖直方向的移动，具体包括：

当抓取组件31位于花篮11所在高度时，水平行程组件32驱动抓取组件31在花篮11一侧和花篮11内部之间进行水平移动；

当抓取组件31位于测量平台21所在高度时，水平行程组件32驱动抓取组件31在测量平台21一侧和测量平台21上方之间进行水平移动；

当抓取组件31位于花篮11和测量平台21的一侧时，竖直行程组件33驱动抓取组件31在花篮11和测量平台21的一侧进行竖直移动；

当抓取组件31位于测量平台21上方时，所述竖直行程组件33驱动抓取组件31在测量平台21上方和测量平台21之间进行竖直移动；

当抓取组件31位于花篮11内部时，所述竖直行程组件33驱动抓取组件31在硅片13层与层之间的空隙内进行竖直移动；

抓取组件31包括安装臂311和用于吸附硅片的吸盘312，水平行程组件32包括相匹配的水平导轨321和水平滑块322，竖直行程组件33包括相匹配的竖直导轨331和竖直滑块，吸盘312通过安装臂311与水平滑块322连接，水平导轨321安装于竖直滑块上，吸盘312包括吸板3121，吸板上设置有连接孔3122和吸孔3123，连接孔3122和吸孔3123通过吸板3121内部的流道进行连通，连接孔3122与设置于水平行程组件32上的真空发生器34连接，吸孔3123产生吸力对硅片进行吸附。本实施例中水平滑块的驱动机构和竖直滑块的驱动机构未在图中示出，本领域技术人员能够理解并采用常规的电机、气缸等驱动源对水平滑块、竖直滑块进行驱动，使水平滑块沿水平导轨移动，竖直滑块沿竖直导轨移动，本申请在此不再赘述。

本实施例的工作原理是：

首先，将花篮放入存放机构的限位框中，抓取组件的吸盘在水平滑块的带动下沿水平导轨进行水平方向的移动，水平导轨又在竖直滑块的带动下沿竖直导轨进行竖直方向的移动，进而使得吸盘能够伸入到花篮内第一层的硅片上方进行吸取硅片；

待吸取完成后，同样利用水平滑块和竖直滑块的移动，使得吸盘从花蓝中移出并移动到放置板上方，此时控制真空发生器，使得吸盘失去吸力，硅片在重力作用下落在放置板上，将吸盘从放置板上方移开；

启动升降气缸，在升降气缸的带动下方阻测量器向下移动，探针接触硅片上表面，进而测得硅片的方阻，测量完成后，升降气缸上升，方阻测量器从硅片表面移开；

重新将吸盘移入测量完成的硅片上方，吸取硅片后，同样利用水平滑块和竖直滑块的移动使得吸盘将硅片重新插入原来吸取硅片的花篮第一层的插槽内并放下硅片，然后吸盘从第一层移出；

吸盘重新定位，进入花篮的第二层吸取硅片，如此循环，以完成所有硅片的方阻测量。

实际工作时，可以将花篮的最下层或者最上层作为第一层开始逐层吸取硅片，当花篮未满载时，也可以设定从某一层开始逐层吸取硅片。

为了进一步提高上述方案的技术效果，对上述方案进行进一步地改进，具体包括：

（1）考虑到测量平台21中，升降气缸213会频繁带动方阻测量器22压在放置板212上，放置板212需具备稳定的承载能力，而放置板212仅有侧边与安装板211连接固定，因此在原有方案基础上增加支撑结构设计，以提高放置板的安装稳定性，具体采用的技术方案是：在放置板下方对称设置两个支撑板214，支撑板214为直角三角形，且两个直角边分别固定于安装板211的壁面和放置板212的底面上，通过支撑板214提高放置板212的承载能力和安装稳定性。

（2）本发明实施时，当花篮放入存放机构的限位框122时，基于放置的匹配适合度和便利性，限位框122尺寸会稍大于花篮11，但是因为抓取组件31需要从花篮11中频繁取放硅片13，抓取组件必然容易使花篮在限位框122中偶有出现轻微位移问题，因此在存放平台12上增设限位机构，以确保工作过程中，花篮不会移位，限位机构的具体设计为：包括限位板124和限位气缸125，限位板设置于任意一个挡板123的两个挡板块1231之间，限位气缸124设置于底板121上，驱动限位板125沿底板121表面向限位框122内部移动，进而实现花篮13在限位框122区域内的进一步限位定位。具体应用时，也可以根据限位需求，增设不止一个限位机构（例如相对的两个挡板上，都增设限位机构），以提高花篮位置的稳定性。

（3）为了进一步保证测量过程中花篮位置的稳定性，在测量平台21与花篮11顶部之间平行设置花篮压板215，通过压板气缸驱动花篮压板向下运动压在花篮上顶板上，实现花篮的顶部定位，压板气缸设置于放置板212底面上，输出轴向下与花篮压板215顶部连接。

（4）本发明进行检测时，通过方阻测量器22对硅片13的方阻进行检测，由于通过抓取组件31的吸盘312进行硅片的抓取和放下，当硅片13被放置在放置板212上的过程中，硅片13有可能会产生的位移或者放置位置不准确，因此在测量平台上增设规整机构23，规整机构23包括对称设置于放置板相对的两个侧边上的规整板231，两个规整板231分别由规整气缸232驱动移动。当硅片13放置于放置板212上时，先通过规整气缸232带动规整板231移动，进而将硅片13限位在放置板212的固定区域内。

（5）为了进一步避免硅片在放置板212上移位，在放置板212上表面设置吸附孔，吸附孔通过放置板内部的流道与气源（如真空发生器）连接，当硅片13放置在放置板212表面时，可以通过吸附孔吸附硅片13，并且当硅片13被吸盘312移转到放置板122上方时，放置板212的吸附孔也可以反向吹气，对硅片13的下表面进行吹扫，以提高硅片13表面的洁净度，同时当放置板212空置时，也可以控制放置板212的吸附孔反向吹气，用以吹扫放置板212上表面本身。具体应用时，放置板212面积应大于硅片面积，硅片13放置在放置板212的固定区域内，吸附孔设置在固定区域内，该固定区域与方阻测量器22的检测区域匹配，或者也可以将该固定区域设计为下沉结构，即固定区域的上表面稍稍低于放置板其他位置的上表面，使得硅片13可以限制在固定区域内，即使放置板212没有吸附功能，也可以避免检测时硅片发生位移。

（6）为了方便吸盘312与水平行程组件32进行连接，将抓取组件31的安装臂311设置为L型连接板，L型连接板的一边与水平导轨321平行设置，另一边与吸盘312正交连接，L型结构的转角处还可增设三角形支撑板3111，用以加强L型连接板的结构强度。

（7）还可通过控制真空发生器34，使得吸盘312的吸孔反向吹气，实现对硅片13表面的异物吹扫，以提高检测时硅片的洁净度。

本发明实际应用时，可以将方阻测量机构的安装板和移转机构的竖直导轨安装于硅片加工流水线的机架上，并最好将其置于花篮搬运工序区域内，不仅能够节省设备占地面积，而且不会影响花篮流转节拍，有利于提高整体工序的流畅性和工作效率。方阻测量器的测量结果可以通过控制系统实时反馈回检测人员处，对硅片进行实时人工筛选，也可进一步在实时检测结果的基础上，增设硅片不合格放置花篮，通过控制抓取组件的路径，实时将不合格硅片放置到硅片不合格放置花篮内，实现合格品和不合格品的自动筛选收集。

基于本发明公开的硅片方阻测量装置，提供一种硅片方阻测量装置的硅片方阻测量方法，步骤包括：

S1，准备待测硅片：将装载有待测硅片的花篮竖直放置于存放机构中，硅片呈多层间隔放置；

S2，第一次测量：

抓取组件在水平行程组件和竖直行程组件的驱动下从花篮的第一层抓取硅片放置在测量平台上；

方阻测量器对放置在测量平台上的硅片进行方阻测量；

测量完毕后，抓取组件在水平行程组件和竖直行程组件的驱动下从测量平台上抓取硅片并将其放置回花篮的第一层；

S3，第二次测量：抓取组件在水平行程组件和竖直行程组件的驱动下从花篮的第二层抓取硅片放置在测量平台上；

方阻测量器对放置在测量平台上的硅片进行方阻测量；

测量完毕后，抓取组件在水平行程组件和竖直行程组件的驱动下从测量平台上抓取硅片并将其放置回花篮的第二层；

S4，以此类推，直至完成花篮中所有硅片的方阻测量；

S5，从存放机构中移走已完成测量的花篮，将载有待测硅片的新花篮放置入存放机构中，准备新花篮中的待测硅片的测量，重复步骤S2-S4，直至完成所有待测硅片的方阻测量。

综上所述，本发明具有以下优点：

1、本发明的硅片方阻测量装置中，硅片存放机构的花篮竖直放置，方阻测量机构位于花篮上方，移转机构位于花篮的一侧，整体结构紧凑，占地面积小；

2、本发明的硅片方阻测量装置中，移转机构能够实现硅片的原位吸取和放回，方阻测量工序节奏紧凑，不会影响整个硅片加工工序中花篮的流转节拍，有利于提高整体工序的流畅性和工作效率。

可以理解的是，以上关于本发明的具体描述，仅用于说明本发明而并非受限于本发明实施例所描述的技术方案。本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本发明进行修改或等同替换，以达到相同的技术效果；只要满足使用需要，都在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种硅片方阻测量装置，包括存放机构（1）、方阻测量机构（2）和移转机构（3），其特征在于，

所述存放机构（1）用于存放装载有待测硅片（13）的花篮（11），所述硅片（13）多层间隔放置于花篮（11）内；

所述方阻测量机构（2）位于存放机构（1）上方，包括放置硅片（13）的测量平台（21）和测量硅片方阻的方阻测量器（22）；

所述移转机构（3）位于存放机构（1）一侧，包括抓取组件（31）、水平行程组件（32）和竖直行程组件（33），所述抓取组件（31）在水平行程组件（32）和竖直行程组件（33）的驱动下，用于在测量时从花篮（11）抓取硅片（13）放置在测量平台（21）上，并在测量完成后从测量平台（21）抓取硅片（13）放置回花篮（11）中；

当抓取组件（31）位于花篮（11）所在高度时，所述水平行程组件（32）驱动抓取组件（31）在花篮（11）一侧和花篮（11）内部之间进行水平移动；当抓取组件（31）位于测量平台（21）所在高度时，所述水平行程组件（32）驱动抓取组件（31）在测量平台（21）一侧和测量平台（21）上方之间进行水平移动；

当抓取组件（31）位于花篮（11）和测量平台（21）的一侧时，所述竖直行程组件（33）驱动抓取组件（31）在花篮（11）和测量平台（21）的一侧进行竖直移动；当抓取组件（31）位于测量平台（21）上方时，所述竖直行程组件（33）驱动抓取组件（31）在测量平台（21）上方和测量平台（21）之间进行竖直移动；当抓取组件（31）位于花篮（11）内部时，所述竖直行程组件（33）驱动抓取组件（31）在硅片（13）层与层之间的空隙内进行竖直移动。

2.根据权利要求1所述的硅片方阻测量装置，其特征在于，所述测量平台（21）包括安装板（211）、放置板（212）和升降气缸（213），所述安装板（211）竖直设置，所述放置板（212）朝向花篮（11）水平设置且侧边固定于安装板（211）的壁面上，所述方阻测量器（22）位于放置板（212）上方且与放置板（212）平行，探针（221）朝向放置板（212），所述升降气缸（213）缸体固定于安装板（211）的壁面上，输出轴向下与方阻测量器（22）的顶面连接。

3.根据权利要求2所述的硅片方阻测量装置，其特征在于，还包括设置于测量平台（21）上的规整机构（23），所述规整机构（23）包括对称设置于放置板（212）相对的两个侧边上的规整板（231），所述两个规整板（231）分别由规整气缸（232）驱动移动。

4.根据权利要求2所述的硅片方阻测量装置，其特征在于，所述测量平台（21）还包括压板气缸和平行设于放置板（212）下方的花篮压板（215），所述压板气缸设置于放置板（212）底面上，输出轴向下与花篮压板（215）顶部连接。

5.根据权利要求1所述的硅片方阻测量装置，其特征在于，所述存放机构（1）包括花篮（11）和存放平台（12），所述存放平台（12）包括水平设置的底板（121）和设置于底板（121）上表面的用于限制花篮（11）位置的限位框（122）。

6.根据权利要求5所述的硅片方阻测量装置，其特征在于，所述限位框（122）形状与花篮（11）底部相匹配，且由竖直设置的四个挡板（123）四面合围而成，每个挡板（123）均包括两个间隔设置的挡板块（1231）。

7.根据权利要求6所述的硅片方阻测量装置，其特征在于，还包括限位板（124）和限位气缸（125），所述限位板（124）设置于一个挡板（123）的两个挡板块（1231）之间，所述限位气缸（123）设置于底板（121）上，驱动限位板（124）沿底板（121）表面向限位框（122）内部移动。

8.根据权利要求1所述的硅片方阻测量装置，其特征在于，所述抓取组件（31）包括安装臂（311）和用于吸附硅片的吸盘（312），所述水平行程组件（32）包括相匹配的水平导轨（321）和水平滑块（322），所述竖直行程组件（33）包括相匹配的竖直导轨（331）和竖直滑块，所述吸盘（312）通过安装臂（311）与水平滑块（322）连接，所述水平导轨（321）安装于竖直滑块上。

9.根据权利要求8所述的硅片方阻测量装置，其特征在于，所述吸盘（312）包括吸板（3121），所述吸板（3121）上设置有连接孔（3122）和吸孔（3123），所述连接孔（3122）和吸孔（3123）通过吸板（3121）内部的流道进行连通，所述连接孔（3122）与设置于水平行程组件（32）上的真空发生器（34）连接，所述吸孔（3123）产生吸力对硅片进行吸附。

10.一种硅片方阻测量方法，应用于权利要求1至9任意一项所述的硅片方阻测量装置，步骤包括：

S1，准备待测硅片：将装载有待测硅片（13）的花篮（11）竖直放置于存放机构（1）中，硅片（13）呈多层间隔放置；

S2，第一次测量：

抓取组件（31）在水平行程组件（32）和竖直行程组件（33）的驱动下从花篮（11）的第一层抓取硅片（13）放置在测量平台（21）上；

方阻测量器（22）对放置在测量平台上（21）的硅片（13）进行方阻测量；

测量完毕后，抓取组件（31）在水平行程组件（32）和竖直行程组件（33）的驱动下从测量平台（21）上抓取硅片（13）并将其放置回花篮（11）的第一层；

S3，第二次测量：抓取组件（31）在水平行程组件（32）和竖直行程组件（33）的驱动下从花篮（11）的第二层抓取硅片（13）放置在测量平台上；

方阻测量器（22）对放置在测量平台（21）上的硅片（13）进行方阻测量；

测量完毕后，抓取组件（31）在水平行程组件（32）和竖直行程组件（33）的驱动下从测量平台（21）上抓取硅片（13）并将其放置回花篮（11）的第二层；

S4，以此类推，直至完成花篮（11）中所有硅片（13）的方阻测量；

S5，从存放机构（1）中移走已完成测量的花篮（11），将载有待测硅片的新花篮放置入存放机构（1）中，准备新花篮中的待测硅片（13）的测量，重复步骤S2-S4，直至完成所有待测硅片（13）的方阻测量。

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