CN116057050A - 有机发光化合物和包含其的有机发光器件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及:具有特定结构的蒽衍生物化合物;和包含其的具有低电压驱动特性的有机发光器件,并且还涉及以下有机发光器件:其同时在发光层中采用具有特定结构的多环芳族衍生物化合物作为掺杂剂化合物,并因此具有优异的发光特性例如进一步改善的低电压驱动。
Description
技术领域
本发明涉及有机发光化合物和包含其的有机发光器件。更具体地,本发明涉及以下有机发光器件:其通过在发光层中同时使用具有独特结构的蒽衍生物作为主体化合物和多环芳族衍生物化合物作为掺杂剂化合物而能够表现出优异的发光特性例如显著改善的低电压驱动。
背景技术
有机发光器件是在从通过由电子注入电极(阴极)注入的电子与由空穴注入电极(阳极)注入的空穴在发光层中复合而形成的激子释放能量时发光的自发光器件。这样的有机发光器件由于基于诸如其低驱动电压、高亮度、宽视角和快速响应速度的优点而适用于全色平板发光显示器,因此作为下一代光源受到了大量的关注。
为了使有机发光器件表现出所述特性,应优化有机发光器件中的有机层的结构,并且构成各有机层的材料(即,空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料或者电子阻挡材料)应基于稳定且有效的成分。然而,持续需要开发用于稳定且有效的有机发光器件的有机层结构及其相应材料。
特别地,为了实现发光层的最大效率,必需适当地结合主体和掺杂剂的能带隙,使得各空穴和电子通过稳定的电化学路径移动至掺杂剂以形成激子。
发明内容
技术问题
因此,本发明的一个目的是提供以下有机发光器件:其通过在其中的发光层中使用独特的主体材料和掺杂剂材料而能够表现出优异的发光特性例如改善的低电压驱动。
技术方案
根据本发明的一个方面,以上目的和其他目的可以通过提供用作有机发光器件中的有机层优选发光层的主体化合物的由以下[式I]表示的化合物而实现。
[式I]
稍后将描述[式I]的独特结构、其取代基、及其具体化合物。
根据本发明的另一个方面,提供了有机发光器件,其包括第一电极、面对第一电极的第二电极、以及介于第一电极与第二电极之间的发光层,其中发光层包含由[式I]表示的化合物。
根据本发明的有机发光器件在发光层中还包含由以下[式A-1]或[式A-2]表示的化合物作为掺杂剂化合物以及由[式I]表示的化合物。
稍后将描述[式A-1]和[式A-2]的独特结构、其取代基、及其具体化合物。
根据本发明的有机发光器件在发光层中还包含由以下[式B]表示的化合物作为掺杂剂化合物以及由[式I]表示的化合物。
[式B]
稍后将描述[式B]的独特结构、其取代基、及其具体化合物。
根据本发明的有机发光器件在发光层中还包含由以下[式C]表示的化合物作为掺杂剂化合物以及由[式I]表示的化合物。
[式C]
稍后将描述[式C]的独特结构、其取代基、及其具体化合物。
有益效果
根据本发明的有机发光器件在发光层中使用具有独特结构的蒽衍生物作为主体化合物和多环芳族衍生物化合物作为掺杂剂化合物而能够实现改善的低电压驱动,因此可用于各种显示装置例如平板显示器、柔性显示器和可穿戴显示器以及照明装置。
具体实施方式
下文中,将参照附图详细地描述本发明。
在一个方面中,本发明涉及以下化合物:其由以下[式I]表示,具有包含至少一个二苯并呋喃或二苯并噻吩的结构,并且基于该结构,被用作有机发光器件的发光层中的主体化合物以赋予有机发光器件改善的低电压驱动特性。
[式I]
其中
A1至A4、B1和B2彼此相同或不同,并且各自独立地为经取代或未经取代的二苯并呋喃、经取代或未经取代的二苯并噻吩、或者经取代或未经取代的C6至C30芳族烃,
m、n、o和p各自独立地为0至1的整数,条件是m+n+o+p为1至3的整数,以及
R彼此相同或不同,并且各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳氧基、经取代或未经取代的C1至C30烷基硫基、经取代或未经取代的C5至C30芳基硫基、经取代或未经取代的C1至C30烷基甲硅烷基和经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基。
根据本发明的一个实施方案,[式I]的化合物可以为由以下[式I-1]表示的化合物并且可以具有包含至少一个二苯并呋喃或二苯并噻吩的结构。
[式I-1]
其中
A1至A3、B1和B2彼此相同或不同,并且各自独立地为经取代或未经取代的二苯并呋喃、经取代或未经取代的二苯并噻吩、或者经取代或未经取代的C6至C30芳族烃,以及
m和n各自独立地为0至1的整数,并且m+n优选为1的整数。
在另一个方面中,本发明涉及在发光层中包含由[式I]表示的蒽衍生物化合物的有机发光器件。根据本发明的一个实施方案,有机发光器件还可以在发光层中包含由以下[式A-1]、[式A-2]、[式B]或[式C]表示的掺杂剂化合物。
其中
Q1至Q3彼此相同或不同,并且各自独立地为经取代或未经取代的C6至C50芳族烃环或者经取代或未经取代的C2至C50芳族杂环,以及
X选自B、P和P=O,Y选自N-R1、CR2R3、O、S、Se和SiR4R5,并且Y彼此相同或不同,
其中R1至R5彼此相同或不同,并且各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C6至C50芳基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C2至C50杂芳基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳氧基、经取代或未经取代的C1至C30烷基硫基、经取代或未经取代的C5至C30芳基硫基、经取代或未经取代的C1至C30烷基胺基、经取代或未经取代的C5至C30芳基胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C5至C30芳基甲硅烷基、硝基、氰基和卤素基团,
其中R1至R5各自与环Q1至Q3键合以进一步形成脂环族或芳族单环或多环,R2和R3以及R4和R5彼此键合以进一步形成脂环族或芳族单环或多环。
根据本发明的一个实施方案,[式A-1]或[式A-2]可以由以下[式A-3]至[式A-6]中的任一者表示。
其中
Z为CR或N,条件是R选自氢、氘、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C6至C50芳基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C2至C50杂芳基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳氧基、经取代或未经取代的C1至C30烷基硫基、经取代或未经取代的C5至C30芳基硫基、经取代或未经取代的C1至C30烷基胺基、经取代或未经取代的C5至C30芳基胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C5至C30芳基甲硅烷基、硝基、氰基、卤素基团,以及Z和R彼此相同或不同,
其中R彼此键合或者R各自与相邻取代基键合以形成至少一个脂环族或芳族单环或多环,并且所形成的脂环族或芳族单环或多环的碳原子经选自(N)、硫原子(S)和氧原子(O)中的至少一个杂原子替代,
X和Y各自与[式A-1]和[式A-2]中所限定的相同。
[式B]
其中
Q1至Q3彼此相同或不同,并且各自独立地为经取代或未经取代的C6至C50芳族烃环或者经取代或未经取代的C2至C50芳族杂环,以及
X选自B、P和P=O,以及Y选自N-R6、CR7R8、O、S和Se,
其中R6至R8彼此相同或不同,并且各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C6至C50芳基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C2至C50杂芳基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳氧基、经取代或未经取代的C1至C30烷基硫基、经取代或未经取代的C5至C30芳基硫基、经取代或未经取代的C1至C30烷基胺基、经取代或未经取代的C5至C30芳基胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C5至C30芳基甲硅烷基、硝基、氰基和卤素基团,
其中R6至R8各自与环Q2至Q3键合以进一步形成脂环族或芳族单环或多环,以及R7和R8彼此键合以进一步形成脂环族或芳族单环或多环,
Cy1与氮(N)原子和Q1环中的芳族碳原子连接以形成稠环并且所形成的Cy1环在所述氮(N)原子、Q1环中的与所述氮(N)原子键合的芳族碳原子、以及Q1环中的与Cy1环键合的芳族碳原子被排除的条件下为经取代或未经取代的C1至C10亚烷基,优选地经取代或未经取代的C2至C5亚烷基,
Cy2加至Cy1以形成饱和烃环并且所形成的Cy2环在Cy1中包含的碳原子被排除的条件下为经取代或未经取代的C1至C10亚烷基。
根据本发明的[式B]中的Q1至Q3中的至少一者在环中与由以下[结构式1]表示的芳基氨基键合。
[结构式1]
其中
“*”是指与Q1至Q3中的至少一个环键合的位点,Ar11和Ar12彼此相同或不同,并且各自独立地为经取代或未经取代的C6至C50芳基或者经取代或未经取代的C2至C50杂芳基,优选地经取代或未经取代的C6至C18芳基。
此外,根据本发明的一个实施方案,[式B]中的Q2环包含经萘基取代的胺基,即,Q2环包含[结构式1],并且Ar11和Ar12中的至少一者包含萘基。
根据本发明的一个实施方案,[式B]可以为由以下[式B-1]表示的化合物。
[式B-1]
其中
Q1至Q3、Cy1和Cy2如[式B]中所限定,
Ar1和R各自独立地选自氢;氘;经取代或未经取代的C1至C30线性、支化或环状烷基;经取代或未经取代的C1至C30卤代的线性、支化或环状烷基;经取代或未经取代的C6至C50芳基;经取代或未经取代的C3至C30环烷基;经取代或未经取代的C2至C50杂芳基;经取代或未经取代的C1至C30烷氧基;经取代或未经取代的C6至C30芳氧基;经取代或未经取代的C1至C30烷基硫基;经取代或未经取代的C5至C30芳基硫基;经取代或未经取代的C1至C30烷基胺基;经取代或未经取代的C5至C30芳基胺基;经取代或未经取代的C1至C30烷基甲硅烷基;经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基;硝基;氰基;和卤素基团,以及
Ar2彼此相同或不同,并且各自独立地为经取代或未经取代的C6至C50芳基或者经取代或未经取代的C2至C50杂芳基,
其中Ar1分别与Q2或Q3键合以进一步形成脂环族或芳族单环或多环,
n为1至7的整数,以及R彼此相同或不同,条件是n为2或更大,以及
L为单键或者选自经取代或未经取代的C6至C30亚芳基、和经取代或未经取代的C1至C30亚杂芳基。
[式C]
其中
Q1至Q3彼此相同或不同,并且各自独立地为经取代或未经取代的C6至C50芳族烃环或者经取代或未经取代的C2至C50芳族杂环,以及
Y选自N-R9、CR10R11、O、S和Se,其中Y彼此相同或不同,
其中R9至R11彼此相同或不同,并且各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C6至C50芳基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C2至C50杂芳基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳氧基、经取代或未经取代的C1至C30烷基硫基、经取代或未经取代的C5至C30芳基硫基、经取代或未经取代的C1至C30烷基胺基、经取代或未经取代的C5至C30芳基胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C5至C30芳基甲硅烷基、硝基、氰基和卤素基团,
其中R9至R11各自与环Q2至Q3键合以进一步形成脂环族或芳族单环或多环,以及
R10和R11彼此键合以进一步形成脂环族或芳族单环或多环。
同时,如本文所使用的,术语“经取代的”表示[式I]、[式A-1]或[式A-2]、[式B]和[式C]中所限定的各种取代基经选自以下中的一个或更多个取代基取代:氘;氰基;卤素基团;羟基;硝基;C1至C24线性、支化或环状烷基;C3至C24环烷基;C1至C24卤代的线性、支化或环状烷基;C1至C24烯基;C1至C24炔基;C1至C24杂烷基;C1至C24杂环烷基;C6至C24芳基;C6至C24芳基烷基;C2至C24杂芳基;C2至C24杂芳基烷基;C1至C24烷氧基;C1至C24烷基氨基;C1至C24芳基氨基;C1至C24杂芳基氨基;C1至C24烷基甲硅烷基;C1至C24芳基甲硅烷基;和C1至C24芳氧基,或者经包含彼此连接的两个或更多个取代基的取代基取代。相同限定中的术语“未经取代的”表示没有取代基。
此外,术语“经取代或未经取代的C1至C30烷基”、“经取代或未经取代的C6至C50芳基”等中的烷基或芳基的碳原子数的范围是指在不考虑取代基中的碳原子数的情况下,当相应的基团未被取代时,构成烷基或芳基部分的总的碳原子数。例如,在对位处经丁基取代的苯基对应于经具有4个碳原子的丁基取代的具有6个碳原子的芳基。
此外,如本文所使用的,表述“取代基与相邻取代基键合以形成环”意指相应的取代基与相邻取代基键合以形成经取代或未经取代的脂环族或芳族环,以及术语“相邻取代基”可以意指对与取代有相应取代基的原子直接连接的原子进行取代的取代基、空间上设置在与相应取代基最近的位置处的取代基、或者对取代有相应取代基的原子进行取代的另外的取代基。例如,在苯环中的邻位取代的两个取代基和在脂族环中的同一个碳上取代的两个取代基可以被认为彼此“相邻”。
如本文所使用的,烷基可以为线性或支化烷基。其碳数没有具体限制并且优选为1至20。烷基的实例包括但不限于甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1-甲基丁基、1-乙基丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、环戊基甲基、环己基甲基、辛基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基-丙基、1,1-二甲基-丙基、异己基、2-甲基戊基、4-甲基己基、5-甲基己基等。
如本文所使用的,烯基可以包括线性或支化烯基并且还可以经另外的取代基取代。具体地,烯基的实例包括但不限于乙烯基、1-丙烯基、异丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、3-甲基-1-丁烯基、1,3-丁二烯基、烯丙基、1-苯基乙烯基-1-基、2-苯基乙烯基-1-基、2,2-二苯基乙烯基-1-基、2-苯基-2-(萘基-1-基)乙烯基-1-基、2,2-双(二苯基-1-基)乙烯基-1-基、茋基、苯乙烯基等。
如本文所使用的,炔基也可以包括线性或支化炔基,并且还可以经另外的取代基取代,并且取代基的实例可以包括但不限于乙炔基、2-丙炔基等。
如本文所使用的,环烷基可以包括单环或多环基团并且还可以经另外的取代基取代。多环基团意指与另外的环状基团直接键合或稠合的环烷基并且其他环状基团可以为环烷基或其他类型的环状基团例如杂环烷基、芳基或杂芳基。具体地,其实例包括但不限于环丙基、环丁基、环戊基、3-甲基环戊基、2,3-二甲基环戊基、环己基、3-甲基环己基、4-甲基环己基、2,3-二甲基环己基、3,4,5-三甲基环己基、4-叔丁基环己基、环庚基和环辛基。
如本文所使用的,术语“杂环烷基”是指包含至少一个杂原子例如O、S、Se、N或Si的环状基团,包括单环或多环基团并且还可以经另外的取代基取代。多环基团意指与另外的环状基团直接键合或稠合的杂环烷基并且其他环状基团可以为杂环烷基或其他类型的环状基团例如环烷基、芳基或杂芳基。
如本文所使用的,芳基可以为单环或多环的,单环芳基的实例包括苯基、联苯基、三联苯基和茋基等,多环芳基的实例包括但不限于萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、并四苯基、基、芴基、苊基、三亚苯基、荧蒽基等,但本发明的范围不限于此。
如本文所使用的,杂芳基为包含至少一个杂原子的杂环并且其实例包括但不限于噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、三唑基、唑基、二唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、三唑基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、菲咯啉基、噻唑基、异唑基、二唑基、噻二唑基、苯并噻唑基和吩噻嗪基等。
如本文所使用的,具体地,烷氧基可以为甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丁氧基、仲丁氧基、戊氧基、异戊氧基、己氧基等,但不限于此。
如本文所使用的,甲硅烷基意指烷基取代的甲硅烷基或芳基取代的甲硅烷基。甲硅烷基的具体实例包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、三甲氧基甲硅烷基、二甲氧基苯基甲硅烷基、二苯基甲基甲硅烷基、二苯基乙烯基甲硅烷基、甲基环丁基甲硅烷基、二甲基呋喃基甲硅烷基等。
如本文所使用的,胺基可以为-NH2、烷基胺基、芳基胺基等。芳基胺基是指经芳基取代的胺,以及烷基胺基是指经烷基取代的胺。例如,芳基胺基包括经取代或未经取代的单芳基胺基、经取代或未经取代的二芳基胺基、或者经取代或未经取代的三芳基胺基。芳基胺基中的芳基可以为单环芳基或多环芳基。包含两个或更多个芳基的芳基胺基可以包括单环芳基、多环芳基、或者单环芳基和多环芳基二者。此外,芳基胺基中的芳基可以选自上述芳基的实例。
如本文所使用的,芳氧基和芳基硫基中的芳基的实例与上述芳基的实例相同并且具体地,芳氧基的实例包括苯氧基、对甲苯氧基、间甲苯氧基、3,5-二甲基苯氧基、2,4,6-三甲基苯氧基、对叔丁基苯氧基、3-联苯氧基、4-联苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基、4-甲基-1-萘氧基、5-甲基-2-萘氧基、1-蒽氧基、2-蒽氧基、9-蒽氧基、1-菲氧基、3-菲氧基、9-菲氧基等,以及芳基硫基的实例包括但不限于苯基硫基、2-甲基苯基硫基、4-叔丁基苯基硫基等。
在本发明中,卤素基团的实例包括氟、氯、溴和碘。
在本发明的一个实施方案中,由[式I]表示的化合物选自由以下[式1]至[式123]表示的化合物,但是这些化合物不应被解释为限制[式I]的范围。
在本发明的一个实施方案中,由[式A-1]或[式A-2]表示的化合物选自由以下[式A1]至[式A212]表示的化合物,但是这些化合物不应被解释为限制[式A-1]或[式A-2]的范围。
在本发明的一个实施方案中,由[式B]表示的化合物选自由以下[式B1]至[式B135]表示的化合物,但是这些化合物不应被解释为限制[式B]的范围。
在本发明的一个实施方案中,由[式C]表示的化合物选自由以下[式C1]至[式C30]表示的化合物,但是这些化合物不应被解释为限制[式C]的范围。
此外,在另一个方面中,本发明涉及有机发光器件,其包括第一电极、第二电极、以及介于第一电极与第二电极之间的至少一个有机层,其中有机层优选地发光层包含由[式I]表示的蒽衍生物化合物。
此外,根据本发明的有机发光器件在所述器件中的发光层中还包含由[式A-1]、[式A-2]、[式B]或[式C]表示的掺杂剂化合物。
根据本发明的有机发光器件的有机层可以具有单层结构或者其中堆叠有两个或更多个有机层的多层结构。例如,有机层可以具有包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层等的结构。然而,有机层的结构不限于此并且可以包括更少或更多数量的有机层,并且将参照将稍后描述的实施例更详细地描述根据本发明的有机发光器件的优选的有机材料层结构。
此外,根据本发明的一个实施方案的有机发光器件包括基底、第一电极(阳极)、有机材料层、第二电极(阴极)和覆盖层,其中所述覆盖层形成在第一电极下方(底部发射)或第二电极上(顶部发射)。
在覆盖层形成在第二电极上(顶部发射)的配置中,发光层中形成的光朝着阴极发射,并且朝着阴极发射的光穿过包含根据本发明的具有相对高的折射率的化合物的覆盖层(CPL)。因此,光的波长被放大,并因此发光效能得到提高。此外,覆盖层形成在第一电极的下面(底部发射)的配置也以与顶部发射相同的机理改善在覆盖层中使用根据本发明的化合物的有机发光器件的光效能。
下文中,将更详细地描述根据本发明的有机发光器件的一个实施方案。
根据本发明的有机发光器件包括阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极,并且如有必要,还可以包括阳极与空穴传输层之间的空穴注入层,还可以包括电子传输层与阴极之间的电子注入层,还可以包括一个或两个中间层,以及还可以包括空穴阻挡层或电子阻挡层。如上所述,根据有机发光器件的特性,其还可以包括具有各种功能的有机层例如覆盖层。
同时,将如下描述根据本发明的一个实施方案的有机发光器件的具体结构、其制造方法、以及各有机层材料。
首先,使基底涂覆有阳极用材料以形成阳极。本文所使用的基底为通常用于有机发光器件的基底并且优选为具有优异的透明度、表面均匀性、可操作性和防水性的有机基底或透明塑料基底。此外,阳极用材料为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等,所述阳极用材料为透明的并且具有优异的导电性。
使用空穴注入层用材料通过真空热蒸镀或旋涂来在阳极上形成空穴注入层,然后使用空穴传输层用材料通过真空热蒸镀或旋涂来在空穴注入层上形成空穴传输层。
空穴注入层用材料可以没有特别限制地使用,只要其为本领域通常使用的即可,并且其具体实例包括2-TNATA[4,4',4”-三(2-萘基苯基-苯基氨基)-三苯胺]、NPD[N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺)]、TPD[N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺]、DNTPD[N,N'-二苯基-N,N'-双-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯-4,4'-二胺]等。
此外,空穴传输层用材料也没有特别限制地使用,只要其为本领域通常使用的即可,并且为例如N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-(1,1-联苯)-4,4'-二胺(TPD)或N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(α-NPD)。
随后,在空穴传输层上顺序地堆叠空穴辅助层和发光层,以及通过真空沉积或旋涂在发光层上选择性地沉积空穴阻挡层以形成薄膜。由于在通过有机发光层将空穴引入到阴极中时器件的寿命和效率降低,因此空穴阻挡层使用具有非常低的HOMO(最高占据分子轨道)能级的材料形成以防止该问题。本文所使用的空穴阻挡材料没有特别限制,并且典型地为具有电子传输能力并且具有比发光化合物的电离电势更高的电离电势的BAlq、BCP和TPBI。
用于空穴阻挡层的材料可以为BAlq、BCP、Bphen、TPBI、NTAZ、BeBq2、OXD-7、Liq等,但不限于此。
通过真空沉积或旋涂在空穴阻挡层上沉积电子传输层,以及通过真空热蒸镀在电子注入层上形成用于形成阴极的金属以形成阴极。因此,完成了根据一个实施方案的有机发光器件。
在此,用于形成阴极的金属可以为锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)等。可以使用利用ITO或IZO的透射阴极以获得顶部发射型发光器件。
用于电子传输层的材料起到稳定地传输从阴极注入的电子的作用并且可以为公知的电子传输材料。公知的电子传输材料的实例包括喹啉衍生物,特别地,三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、TAZ、BAlq、双(苯并喹啉-10-羟基)铍:Bebq2;和二唑衍生物(PBD、BMD、BND等)。
此外,各有机层可以通过单分子沉积或溶液法形成。所述沉积为通过在真空或低压的存在下经由加热将用于形成各层的材料蒸发来形成薄膜的方法,以及所述溶液法为通过以下来形成薄膜的方法:将用于形成各层的材料与溶剂混合,并且经由诸如喷墨印刷、辊对辊涂覆、丝网印刷、喷涂、浸涂或旋涂的方法由所述混合物形成薄膜。
此外,有机发光器件用于选自以下的显示器或照明系统:平板显示器、柔性显示器、单色或白色平板照明系统和单色或白色柔性照明系统。
下文中,将参照优选的实施例更详细地描述本发明。然而,对本领域技术人员明显的是,这些实施例仅用于本发明的举例说明而提供,并且不应被解释为限制本发明的范围。
发明实施方式
<式1的合成>
合成例1:式1的合成
合成例1-(1):1-a的合成
在氮气气氛下向容纳150mL四氢呋喃的圆底烧瓶中添加15.6g(0.1mol)溴苯,将混合物冷却至-78℃,然后缓慢地逐滴向其中添加58.3mL(93mmol)1.6M正丁基锂。将混合物在-78℃下搅拌2小时,并缓慢地逐滴向其中添加10g(31mmol)2-溴-6-氯-蒽醌在100mL四氢呋喃中的稀释液。在逐滴添加完成之后,使混合物温热至室温,然后搅拌3小时。在反应完成之后,用2N HCl水溶液使反应产物经受酸处理,将其用水和乙酸乙酯萃取,然后浓缩以获得[1-a](产率105%)。
合成例1-(2):1-b的合成
在氮气气氛下将18.3g[1-a]溶解在乙酸中,并向其中添加5.49g(93mmol)碘化钾和19.78g(0.18mol)次磷酸钠,然后回流2小时。在反应完成之后,将反应产物过滤,用水和甲醇彻底洗涤,用二氯甲烷和水萃取,并浓缩。在浓缩之后,将残余物通过柱色谱法分离以获得[1-b](产率50%)。
合成例1-(3):1-c的合成
向圆底烧瓶中添加6.9g(116mmol)[1-b]、3.1g(15mmol)4-二苯并呋喃硼酸、2.6g(19mmol)碳酸钾和0.36g(0mmol)四(三苯基膦)钯,并向其中添加50mL甲苯和15mL水,然后回流5小时。在反应完成之后,将反应产物冷却至室温并向其中添加50mL甲醇,然后搅拌并在减压下过滤。将固体由甲苯重结晶以获得[1-c](产率65%)。
合成例1-(4):式1的合成
向圆底烧瓶中添加5.8g(11mmol)[1-c]、1.6g(13mmol)苯基硼酸、3.01g(22mmol)碳酸钾、0.5g四(三苯基膦)钯和50mL甲苯,并向其中添加50mL 1,4-二烷和15mL水,然后回流12小时。在反应完成之后,将反应产物冷却至室温并向其中添加50mL甲醇,然后搅拌并在减压下过滤。将固体由甲苯和丙酮重结晶以获得[式1](产率30%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 572.21[M+]
合成例2:式3的合成
合成例2-(1):2-a的合成
通过以与合成例1-3中相同的方式合成来获得[2-a],不同之处在于使用1-二苯并呋喃硼酸代替4-二苯并呋喃硼酸(产率60%)。
合成例2-(2):式3的合成
通过以与合成例1-4中相同的方式合成来获得[式3],不同之处在于使用9-菲硼酸代替苯基硼酸并使用[2-a]代替[1-c](产率38%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 672.25[M+]
合成例3:式4的合成
通过以与合成例1-4中相同的方式合成来获得[式4],不同之处在于使用苯基-(d5)-硼酸代替苯基硼酸(产率27%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 577.25[M+]
合成例4:式9的合成
合成例4-(1):4-a的合成
在氮气气氛下将50g(230mmol)2-溴-1,3-二甲氧基苯溶解在400mL四氢呋喃中。将溶液冷却至-78℃,然后缓慢地逐滴向其中添加167mL(280mmol)1.6M正丁基锂。将混合物在相同温度下搅拌2小时,向其中添加36mL(320mmol)硼酸三甲脂,并将混合物在室温下搅拌5小时。在反应完成之后,缓慢地逐滴添加2N盐酸以使反应产物酸化。在用水和乙酸乙酯萃取之后,将萃取物浓缩并由庚烷和甲苯重结晶以获得[4-a](产率50%)。
合成例4-(2):4-b的合成
通过以与合成例1-4中相同的方式合成来获得[4-b],不同之处在于使用[4-a]代替苯基硼酸并使用1-溴-2-氟-3-碘苯代替[1-c](产率63%)。
合成例4-(3):4-c的合成
通过以与合成例1-4中相同的方式合成来获得[4-c],不同之处在于使用苯基-d5-硼酸代替苯基硼酸并使用[4-b]代替[1-c](产率72%)。
合成例4-(4):4-d的合成
向圆底烧瓶中添加16.6g(53mmol)[4-d]、48mL(280mmol)氢溴酸和100mL乙酸,然后搅拌12小时。在反应完成之后,将反应产物冷却至室温并向其中倒入水,然后搅拌。将反应产物用水和乙酸乙酯萃取,并将有机层分离。将有机层在减压下浓缩并由庚烷重结晶以获得[4-d](产率95%)。
合成例4-(5):4-e的合成
向圆底烧瓶中添加14.3g(50mmol)[4-d]、20.7g(150mmol)碳酸钙和112mL N-甲基-2-吡咯烷酮,然后搅拌12小时。在反应完成之后,将反应产物冷却至室温,并通过用水和乙酸乙酯萃取来将有机层分离。将有机层在减压下浓缩,然后由庚烷重结晶以获得[4-e](产率80%)。
合成例4-(6):4-f的合成
在氮气气氛下添加10g(38mmol)[4-e]、3.9mL(49mmol)吡啶和300mL二氯甲烷,并将所得溶液冷却至0℃。然后,缓慢地逐滴向其中添加11.7g(41mmol)三氟甲烷磺酸酐,然后搅拌1小时。在反应完成之后,将反应产物用5℃蒸馏水萃取,然后由二氯甲烷和己烷重结晶以获得[4-f](产率70%)。
合成例4-(7):4-g的合成
将10.5g(27mmol)[4-f]、10.1g(40mmol)双(频哪醇合)二硼、0.7g(1mmol)氯化钯(II)-1,1'--双(二苯基膦基)二茂铁、7.8g(80mmol)乙酸钾和100mL甲苯在回流下搅拌10小时。在反应完成之后,将反应产物在减压下过滤,并且将滤液浓缩并通过柱色谱法进行纯化以获得[4-f](产率64%)。
合成例4-(8):4-h的合成
通过以与合成例1-3中相同的方式合成来获得[4-h],不同之处在于使用[4-g]代替4-二苯并呋喃硼酸(产率61%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 611.21[M+]
合成例4-(9):式9的合成
通过以与合成例1-4中相同的方式合成来获得[式9],不同之处在于使用[4-h]代替[1-c](产率33%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 653.28[M+]
合成例5:式10的合成
通过以与合成例1-1至1-4中相同的方式合成来获得[式10],不同之处在于使用2-溴-7-氯-蒽醌代替合成例1-1中的2-溴-6-氯-蒽醌并使用2-萘基硼酸代替合成例1-4中的苯基硼酸(产率36%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 622.23[M+]
合成例6:式12的合成
通过以与合成例1-1至1-4中相同的方式合成来获得[式12],不同之处在于使用2-溴-7-氯-蒽醌代替合成例1-1中的2-溴-6-氯-蒽醌,使用3-二苯并呋喃硼酸代替合成例1-3中的4-二苯并呋喃硼酸,并使用2-菲硼酸代替合成例1-4中的苯基硼酸(产率34%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 672.25[M+]
合成例7:式24的合成
通过以与合成例1-1至1-4和4-1至4-7中相同的方式合成来获得[式24],不同之处在于使用2-溴-蒽醌代替合成例1-1中的2-溴-6-氯-蒽醌,并使用苯基硼酸代替合成例4-3中的苯基-(d5)-硼酸(产率43%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 572.21[M+]
合成例8:式30的合成
通过以与合成例1-1至1-4和4-1至4-7中相同的方式合成来获得[式30],不同之处在于在合成例1-1中使用2-溴-蒽醌代替2-溴-6-氯-蒽醌并使用1-溴萘代替溴苯,以及使用苯基硼酸代替合成例4-3中的苯基-(d5)-硼酸(产率41%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 672.25[M+]
合成例9:式31的合成
合成例9-(1):9-a的合成
通过以相同的方式合成来获得[9-a],不同之处在于在合成例1-4中使用溴苄基溴代替[1-c]并使用4-联苯硼酸代替苯基硼酸(产率81%)。
合成例9-(2):9-b的合成
通过以相同的方式合成来获得[9-b],不同之处在于使用[9-a]代替用于合成例4-1的2-溴-1,3-二甲氧基苯(产率75%)。
合成例9-(3):9-c的合成
通过以与合成例1-4中相同的方式合成来获得[9-c],不同之处在于使用苯甲酰氯代替[1-c]并使用[9-b]代替苯基硼酸(产率52%)。
合成例9-(4):9-d的合成
将38g(0.109mol)[9-d]、6g(11mmol)三氟甲烷磺酸铟(III)和190mL 1,2-二氯乙烷在圆底烧瓶中回流12小时。将反应溶液用二氯甲烷和水萃取,并且将有机层浓缩并通过柱色谱法进行纯化以获得[9-d](产率82%)。
合成例9-(5):9-e的合成
将30g(91mmol)[9-d]和300mL二氯甲烷冷却至0℃并在圆底烧瓶中搅拌。向其中缓慢地添加15mL溴在60mL二氯甲烷中的稀释液。在反应完成之后,将反应溶液在硫代硫酸钠水溶液中再沉淀并用二氯甲烷和水萃取。将有机层浓缩并由甲苯重结晶以获得[9-e](产率86%)。
合成例9-(6):式31的合成
通过以与合成例1-4中相同的方式合成来获得[式31],不同之处在于使用[9-e]代替[1-c]并使用1-二苯并呋喃硼酸代替苯基硼酸(产率55%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 496.18[M+]
合成例10:式34的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式34],不同之处在于使用1-苯基-4-二苯并呋喃硼酸代替合成例9-1中的4-联苯硼酸,并使用4-联苯硼酸代替合成例9-6中的1-二苯并呋喃硼酸(产率53%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 572.21[M+]
合成例11:式40的合成
通过以与合成例1-1至1-4中相同的方式合成来获得[式40],不同之处在于在合成例1-1中使用2,7-二溴-蒽醌代替2-溴-6-氯-蒽醌并使用1-溴二苯并呋喃代替溴苯(产率48%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 662.22[M+]
合成例12:式41的合成
通过以与合成例1-1至1-4中相同的方式合成来获得[式41],不同之处在于在合成例1-1中使用2,7-二溴-蒽醌代替2-溴-6-氯-蒽醌并使用2-溴二苯并呋喃代替溴苯,并使用1-萘基硼酸代替合成例1-4中的苯基硼酸(产率42%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 762.26[M+]
合成例13:式45的合成
通过以与合成例1-1至1-4中相同的方式合成来获得[式45],不同之处在于使用3-溴二苯并呋喃代替合成例1-1中的溴苯,使用1-萘基硼酸代替合成例1-3中的4-二苯并呋喃硼酸,并使用苯基-(d5)-硼酸代替合成例1-4中的苯基硼酸(产率33%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 717.27[M+]
合成例14:式47的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式47],不同之处在于使用4-苯基-1-二苯并呋喃硼酸代替合成例9-1中的4-联苯硼酸(产率41%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 586.19[M+]
合成例15:式50的合成
合成例15-(1):15-a的合成
通过以相同的方式合成来获得[15-a],不同之处在于使用4-溴-1,2-二碘苯代替合成例1-4中的[1-c](产率73%)。
合成例15-(2):15-b的合成
通过以与合成例4-1中相同的方式合成来获得[15-b],不同之处在于使用[15-a]代替2-溴-1,3-二甲氧基苯(产率70%)。
合成例15-(3):式50的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式50],不同之处在于使用[15-b]代替合成例9-1中的4-联苯硼酸(产率47%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 572.21[M+]
合成例16:式58的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式58],不同之处在于使用苯甲酰(d5)氯代替合成例9-3中的苯甲酰氯(产率42%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 501.21[M+]
合成例17:式64的合成
通过以与合成例1-1至1-4中相同的方式合成来获得[式64],不同之处在于在合成例1-1中使用2-溴-蒽醌代替2-溴-6-氯-蒽醌并使用1-二苯并呋喃硼酸代替溴苯,并使用苯基-(d5)-硼酸代替合成例1-4中的苯基硼酸(产率38%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 591.22[M+]
合成例18:式70的合成
以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成[式70],不同之处在于使用4-三苯基硼酸代替合成例9-1中的4-联苯硼酸,并使用苯甲酰(d5)氯代替合成例9-3中的苯甲酰氯(产率41%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 577.25[M+]
合成例19:式73的合成
以与合成例9-1至9-6和4-1至4-6中相同的方式合成[式73],不同之处在于使用3-联苯硼酸代替合成例9-1中的4-联苯硼酸,使用苯甲酰(d5)氯代替合成例9-3中的苯甲酰氯,并使用苯基硼酸代替合成例4-3中的苯基-(d5)-硼酸(产率38%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 577.25[M+]
合成例20:式79的合成
合成例20-(1):79-a的合成
通过以相同的方式合成来获得[79-a],不同之处在于使用1,4-碘溴苯代替[1-c]并使用1-二苯并呋喃硼酸代替合成例1-4中的苯基硼酸(产率65%)。
合成例20-(2):79-b的合成
通过以与合成例4-1中相同的方式合成来获得[79-b],不同之处在于使用[79-a]代替2-溴-1,3-二甲氧基苯(产率59%)。
合成例20-(3):化合物79的合成
通过以相同的方式合成来获得[式79],不同之处在于使用[9-e]代替[1-c]并使用2-二苯并呋喃硼酸代替合成例1-4中的苯基硼酸(产率49%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 572.21[M+]
合成例21:化合物81的合成
通过以与合成例9-1至9-6和4-1至4-6中相同的方式合成来获得[式81],不同之处在于在合成例1-4中使用[9-e]代替[1-c]并使用1-溴-3-氟-4-碘苯代替1-溴-2-氟-3-碘苯(产率45%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 577.25[M+]
合成例22:式82的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式82],不同之处在于在合成例1-4中使用[9-e]代替[1-c]并使用2-二苯并呋喃硼酸代替苯基硼酸(产率57%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 496.18[M+]
合成例23:式83的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式83],不同之处在于使用(4-(1-萘基)苯基)硼酸代替合成例9-1中的4-联苯硼酸,并使用[79-b]代替合成例9-6中的1-二苯并呋喃硼酸(产率57%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 622.23[M+]
合成例24:式84的合成
合成例24-(1):84-a的合成
通过以与合成例20-1至20-2中相同的方式合成来获得[84-a],不同之处在于使用1,3-溴碘苯代替合成例20-1中的1,4-溴碘苯(产率59%)。
合成例24-(2):式84的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式84],不同之处在于使用(4-(1-萘基)苯基)硼酸代替合成例9-1中的4-联苯硼酸并使用[84-a]代替合成例9-6中的1-二苯并呋喃硼酸(产率64%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 622.23[M+]
合成例25:式85的合成
合成例25-(1):85-a的合成
通过以与合成例20-1至20-2中相同的方式合成来获得[85-a],不同之处在于使用2-二苯并硼酸代替合成例20-1中的1-二苯并呋喃硼酸(产率65%)。
合成例25-(2):式85的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式85],不同之处在于使用(4-(1-萘基)苯基)硼酸代替合成例9-1中的4-联苯硼酸,并使用[85-a]代替合成例9-6中的1-二苯并呋喃硼酸(产率49%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 622.23[M+]
合成例26:式86的合成
合成例26-(1):86-a的合成
通过以与合成例25-1至25-2中相同的方式合成来获得[86-a],不同之处在于使用1,3-溴碘苯代替合成例25-1中的1-1,4-溴碘苯(产率71%)。
合成例26-(2):式86的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式86],不同之处在于使用(4-(1-萘基)苯基)硼酸代替合成例9-1中的4-联苯硼酸并使用[86-a]代替合成例9-6中的1-二苯并呋喃硼酸(产率38%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 622.23[M+]
合成例27:式87的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式87],不同之处在于在合成例1-4中使用[9-e]代替[1-c]并使用[86-a]代替苯基硼酸(产率43%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 572.21[M+]
合成例28:式88的合成
以与合成例9-1至9-6中相同的方式获得[式88],不同之处在于使用(4-(1-萘基)苯基)硼酸代替合成例9-1中的4-联苯硼酸(产率62%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 546.20[M+]
合成例29:式89的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式89],不同之处在于使用(4-(1-萘基)苯基)硼酸代替合成例9-1中的4-联苯硼酸,并使用2-二苯并呋喃硼酸代替合成例9-6中的1-二苯并呋喃硼酸(产率51%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 546.20[M+]
合成例30:式90的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式90],不同之处在于使用4-苯基-1-二苯并呋喃硼酸代替合成例9-1中的4-联苯硼酸,并使用1-芘硼酸代替合成例9-6中的1-二苯并呋喃硼酸(产率38%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 622.23[M+]
合成例31:式91的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式91],不同之处在于使用(4-(1-萘基)苯基)硼酸代替合成例9-1中的4-联苯硼酸,并使用[4-g]代替合成例9-6中的1-二苯并呋喃硼酸(产率51%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 627.26[M+]
合成例32:式92的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式92],不同之处在于在合成例1-4中使用[9-e]代替[1-c]并使用[84-a]代替苯基硼酸(产率44%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 572.21[M+]
合成例33:式93的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式93],不同之处在于使用3-联苯硼酸代替合成例9-1中的4-联苯硼酸,并使用苯基硼酸代替合成例4-3中的苯基-(d5)-硼酸(产率43%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 496.18[M+]
合成例34:式94的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式94],不同之处在于使用3-联苯硼酸代替合成例9-1中的4-联苯硼酸,并使用苯基硼酸代替合成例4-3中的苯基-(d5)-硼酸(产率40%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 496.18[M+]
合成例35:式95的合成
合成例35-(1):95-a的合成
通过以与合成例4-1至4-7中相同的方式合成来获得[95-a],不同之处在于使用2-溴-1,4-二甲氧基苯代替合成例4-1中的2-溴-1,3-二甲氧基苯,并使用苯基硼酸代替合成例4-3中的苯基-(d5)-硼酸(产率71%)。
合成例35-(2):式95的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式95],不同之处在于在合成例1-4中使用[9-e]代替[1-c]并使用[95-a]代替苯基硼酸(产率52%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 572.21[M+]
合成例36:式96的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式96],不同之处在于使用(3-(1-萘基)苯基)硼酸代替合成例9-1中的4-联苯硼酸,并使用2-二苯并呋喃硼酸代替合成例4-3中的苯基-(d5)-硼酸(产率39%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 546.20[M+]
合成例37:式97的合成
通过以与合成例1-1至1-4中相同的方式合成来获得[式97],不同之处在于使用2-溴-蒽醌代替合成例1-1中的2-溴-6-氯-蒽醌,并使用1-二苯并呋喃硼酸代替合成例1-4中的苯基硼酸(产率68%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 496.18[M+]
合成例38:式98的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式98],不同之处在于使用4-苯基-2-二苯并呋喃硼酸代替合成例9-1中的4-联苯硼酸(产率51%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 586.19[M+]
合成例39:式99的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式99],不同之处在于使用4-苯基-2-二苯并呋喃硼酸代替合成例9-1中的4-联苯硼酸并使用2-二苯并呋喃二苯甲酸代替合成例9-6中的1-二苯并呋喃硼酸(产率56%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 586.19[M+]
合成例40:式100的合成
通过以与合成例1-1至1-4中相同的方式合成来获得[式100],不同之处在于使用2-溴-蒽醌代替合成例1-1中的2-溴-6-氯-蒽醌,并使用2-二苯并呋喃硼酸代替合成例1-4中的苯基硼酸(产率63%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 496.18[M+]
合成例41:式101的合成
通过以与合成例1-1至1-4中相同的方式合成来获得[式101],不同之处在于使用2-溴-蒽醌代替合成例1-1中的2-溴-6-氯-蒽醌,并使用3-二苯并呋喃硼酸代替合成例1-4中的苯基硼酸(产率53%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 496.18[M+]
合成例42:式104的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式104],不同之处在于使用4-苯基-1-二苯并呋喃硼酸代替合成例9-1中的4-联苯硼酸,并使用1-萘基硼酸代替合成例9-6中的1-二苯并呋喃硼酸(产率60%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 546.20[M+]
合成例43:式105的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式105],不同之处在于使用4-苯基-9-菲硼酸代替合成例9-1中的4-联苯硼酸,并使用2-二苯并呋喃代替合成例9-6中的1-二苯并呋喃硼酸(产率58%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 596.21[M+]
合成例44:式107的合成
通过以与合成例1-1至1-4中相同的方式合成来获得[式107],不同之处在于使用2-溴-蒽醌代替合成例1-1中的2-溴-6-氯-蒽醌,并使用4-二苯并呋喃硼酸代替合成例1-4中的苯基硼酸(产率52%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 496.18[M+]
合成例45:式108的合成
通过以与合成例9-1至9-6中相同的方式合成来获得[式108],不同之处在于使用4-苯基-1-二苯并呋喃硼酸代替合成例9-1中的4-联苯硼酸,并使用3-苯基-1-二苯甲酸代替合成例9-6中的1-二苯并呋喃硼酸(产率48%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 622.23[M+]
合成例46:式110的合成
通过以与合成例1-1至1-4中相同的方式合成来获得[式110],不同之处在于使用2-溴-蒽醌代替合成例1-1中的2-溴-6-氯-蒽醌,并使用[4-g]代替合成例1-4中的苯基硼酸(产率52%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 577.25[M+]
合成例47:式111的合成
通过以与合成例1-1至1-4和4-1至4-6中相同的方式合成来获得[式111],不同之处在于使用2-溴-蒽醌代替合成例1-1中的2-溴-6-氯-蒽醌,并使用1-溴-2-氟-3-碘苯代替1-溴-3-氟-4-碘苯(产率52%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 577.25[M+]
<式A-1的合成>
合成例A1.A1的合成
合成例A1-1.A1-a的合成
向1L反应器中添加50g(423mmol)苯并呋喃和500mL二氯甲烷,然后搅拌。将反应产物冷却至-10℃,并向其中逐滴添加67.7g(423mmol)溴在100mL二氯甲烷中的稀释液,然后在0℃下搅拌2小时。在反应完成之后,向其中添加硫代硫酸钠水溶液,并将混合物搅拌,用乙酸乙酯和H2O萃取,并由乙醇重结晶以获得100g[A1-a](产率93%)。
合成例A1-2.A1-b的合成
在1L反应器中将48.6g(866mmol)氢氧化钾溶解在400mL乙醇中,在0℃下逐滴添加120g(433mmol)[A1-a]在乙醇中的溶液,然后在回流下搅拌2小时。在反应完成之后,将反应产物在减压下浓缩并用乙酸乙酯和水萃取,并且将有机层浓缩并通过柱色谱法分离以获得42g[A1-b](产率50%)。
合成例A1-3.A1-c的合成
向100mL反应器中添加4.5g(16mmol)1-溴-3-氯苯、5.8g(16mmol)苯胺、0.1g(1mmol)乙酸钯、3g(32mmol)叔丁醇钠、0.2g(1mmol)双(二苯基膦基)-1,1'-联萘和45mL甲苯并将混合物在回流下搅拌24小时。在反应完成之后,将混合物过滤,浓缩,并通过柱色谱法分离以获得5.2g[A1-c](产率82%)。
合成例A1-4.A1-d的合成
向250mL反应器中添加20g(98mmol)[A1-c]、18.4g(98mmol)[A1-b]、0.5g(2mmol)乙酸钯、18.9g(196mmol)叔丁醇钠、0.8g(4mmol)三叔丁基膦和200mL甲苯,然后在回流下搅拌。在反应完成之后,将反应产物过滤,浓缩,并通过柱色谱法分离以获得22g[A1-d](产率75%)。
合成例A1-5.A1-e的合成
以与合成例A1-3中相同的方式获得18.5g[A1-e],不同之处在于使用[A1-d]代替1-溴-3-氯苯(产率74.1%)。
合成例A1-6.A1-f的合成
以与合成例A1-4中相同的方式获得12g[A1-f],不同之处在于分别使用[A1-e]和1-溴-2-碘苯代替[A1-c]和[A1-b](产率84.1%)。
合成例A1-7.式A1的合成
向300mL反应器中添加12g(23mmol)[A1-f]和120mL叔丁基苯,在-78℃下向其中逐滴添加42.5mL(68mmol)正丁基锂,将混合物在60℃下搅拌3小时,并吹扫氮气以除去庚烷。在-78℃下向其中逐滴添加11.3g(45mmol)三溴化硼,然后在室温下搅拌1小时,在0℃下逐滴添加5.9g(45mmol)N,N-二异丙基乙胺,并在120℃下搅拌2小时。在反应完成之后,在室温下向其中添加乙酸钠水溶液,将混合物搅拌并用乙酸乙酯萃取,并且将有机层浓缩并通过柱色谱法分离以获得0.8g[式A1](产率13%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 460.17[M+]
合成例A2.式A2的合成
合成例A2-1.A2-a的合成
向1L反应器中添加50g(373mmol)苯并噻吩和500mL氯仿,然后搅拌。在0℃下向其中逐滴添加59.5g(373mmol)溴在100mL氯仿中的稀释液,然后在室温下搅拌4小时。在反应完成之后,向反应产物中添加硫代硫酸钠水溶液,将所得混合物搅拌并萃取,并且将有机层在减压下浓缩并通过柱色谱法分离以获得70g[A2-a](产率91%)。
合成例A2-2.A2-b的合成
以与合成例A1-4中相同的方式获得32g[A2-b],不同之处在于使用[A2-a]代替[A1-b](产率75.4%)。
合成例A2-3.A2-c的合成
以与合成例A1-3中相同的方式获得24.5g[A2-c],不同之处在于使用[A2-b]代替1-溴-4-碘苯(产率73.1%)。
合成例A2-4.A2-d的合成
以与合成例A1-4中相同的方式获得21g[A2-d],不同之处在于使用[A2-c]和1-溴-2-碘苯代替[A1-c]和[A1-b](产率77.5%)。
合成例A2-5.式A2的合成
以与合成例A1-7中相同的方式获得1.5g[式A2],不同之处在于使用[A2-d]代替[A1-f](产率10.1%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 467.15[M+]
合成例A3.式A13的合成
合成例A3-1.A3-a的合成
向1L反应器中添加50g(177mmol)1-溴-3-(叔丁基)-5-碘苯、36.2g(389mmol)苯胺、1.6g(7mmol)乙酸钯、51g(530mmol)叔丁醇钠、4.4g(7mmol)双(二苯基膦基)-1,1'-联萘和500mL甲苯,然后在回流下搅拌24小时。在反应完成之后,将反应产物过滤,浓缩,并通过柱色谱法分离以获得42.5g[A3-a](产率50%)。
合成例A3-2.A3-b的合成
向250mL反应器中添加11g(42mmol)[A3-a]、20g(101mmol)[A1-b]、1g(2mmol)乙酸钯、12.2g(127mmol)叔丁醇钠、0.7g(3mmol)三叔丁基膦和150mL甲苯,然后在回流下搅拌。在反应完成之后,将反应产物过滤,浓缩,并通过柱色谱法分离以获得11g[A3-b](产率65%)。
合成例A3-3.式A13的合成
以与合成例A1-7中相同的方式获得0.5g[式A13],不同之处在于使用[A3-b]代替[A1-f](产率8%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 556.23[M+]
合成例A4.式A65的合成
合成例A4-1.A4-a的合成
以与合成例A1-3中相同的方式获得35.6g[A4-a],不同之处在于使用1-溴-2,3-二氯苯代替1-溴-4-碘苯(产率71.2%)。
合成例A4-2.A4-b的合成
向2L反应器中添加60.0g(355mmol)二苯胺、100.3g(355mmol)1-溴-3-碘苯、0.8g(4mmol)乙酸钯、2g(4mmol)xantphos、68.2g(709mmol)叔丁醇钠和700mL甲苯,然后在回流下搅拌2小时。在反应完成之后,将反应产物过滤,在减压下浓缩,并通过柱色谱法分离以获得97g[A4-b](产率91.2%)。
合成例A4-3.A4-c的合成
以与合成例A1-4中相同的方式获得31g[A4-c],不同之处在于使用[A4-a]和[A4-b]代替[A1-c]和[A1-b](产率77.7%)。
合成例A4-4.A4-d的合成
向1L反应器中添加30g(174mmol)3-溴苯胺、25.5g(209mmol)苯基硼酸、4g(3mmol)四(三苯基膦)钯、48.2g(349mmol)碳酸钾、150mL 1,4-二烷、150mL甲苯和90mL蒸馏水,然后在回流下搅拌。在反应完成之后,将层分离,并将有机层在减压下浓缩,然后通过柱色谱法分离以获得24g[A4-d](产率80%)。
合成例A4-5.A4-e的合成
以与合成例A1-3中相同的方式获得31.6g[A4-e],不同之处在于使用[A4-d]和[A1-b]代替1-溴-4-碘苯和苯胺(产率68.2%)。
合成例A4-6.A4-f的合成
以与合成例A1-4中相同的方式获得21g[A4-f],不同之处在于使用[A4-c]和[A4-e]代替[A1-c]和[A1-b](产率67.7%)。
合成例A4-7.式A65的合成
向250mL反应器中添加21g(37mmol)[A4-f]和叔丁基苯。在-78℃下逐滴添加42.4mL(74mmol)叔丁基锂,然后在60℃下搅拌3小时。然后,吹扫氮气以除去戊烷。在-78℃下逐滴添加7.1mL(74mmol)三溴化硼,然后在室温下搅拌1小时。在0℃下逐滴添加6g(74mmol)N,N-二异丙基乙胺,然后在120℃下搅拌2小时。在反应完成之后,向其中添加乙酸钠水溶液,然后搅拌。将反应产物用乙酸乙酯萃取,并且将有机层浓缩并通过柱色谱法分离以获得2.0g[式A65](产率17.4%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 703.28[M+]
合成例A5.式A73的合成
合成例A5-1.A5-a的合成
在1L反应器中将40g(236mmol)4-叔丁基苯胺溶解在400mL二氯甲烷中,然后在0℃下搅拌。然后,向其中添加42g(236mmol)N-溴代琥珀酰亚胺,然后在室温下搅拌4小时。在反应完成之后,向反应产物中逐滴添加H2O,然后用二氯甲烷萃取。将有机层浓缩并通过柱色谱法分离以获得48g[A5-a](产率80%)。
合成例A5-2.A5-b的合成
向2L反应器中添加80g(351mmol)[A5-a]和450mL水,然后搅拌并向其中添加104mL硫酸。在0℃下逐滴添加31.5g(456mmol)亚硝酸钠在240mL水中的溶液,然后在0℃下搅拌2小时。逐滴添加116.4g(701mmol)亚硝酸钠在450mL水中的溶液,然后在室温下搅拌6小时。在反应完成之后,在室温下添加硫代硫酸钠水溶液,然后搅拌。将反应产物用乙酸乙酯萃取,并将有机层通过柱色谱法分离以获得58g[A5-b](产率51%)。
合成例A5-3.A5-c的合成
以与合成例中相同的方式获得95g[A5-c],不同之处在于使用4-叔丁基苯胺代替苯胺A3-1(产率80.4%)。
合成例A5-4.A5-d的合成
以与合成例A1-4中相同的方式获得31g[A5-d],不同之处在于使用[A5-c]代替[A1-c](产率71.5%)。
合成例A5-5.A5-e的合成
以与合成例A1-4中相同的方式获得24g[A5-e],不同之处在于使用[A5-d]和[A5-b]代替[A1-c]和[A1-b](产率67.1%)。
合成例A5-6.式A73的合成
以与合成例A1-7中相同的方式获得2.4g[式A73],不同之处在于使用[A5-e]代替[A1-f](产率15%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 628.36[M+]
合成例A6.式A109的合成
合成例A6-1.A6-a的合成
向1L反应器中添加40.0g(123mmol)1,5-二氯-2,4-二硝基苯、44.9g(368mmol)苯基硼酸、2.8g(2.5mmol)四(三苯基膦)钯、50.9g(368mmol)碳酸钾、120mL 1,4-二烷、200mL甲苯和120mL水,然后在回流下搅拌。在反应完成之后,将反应产物萃取并将有机层通过柱色谱法分离以获得27.5g[A6-a](产率70%)。
合成例A6-2.A6-b的合成
向1L反应器中添加27.5g(86mmol)[A6-a]、57.8g(348mmol)三苯基膦和300mL二氯苯,然后在回流下搅拌3天。在反应完成之后,将二氯苯除去并将残余物通过柱色谱法分离以获得10.8g[A6-b](产率49.0%)。
合成例A6-3.A6-c的合成
向250mL反应器中添加10.8g(42mmol)[A6-b]、11.0g(10.8mmol)[A2-a]、10.7g(1mmol)铜粉和4.5g(17mmol)18-冠-6-醚,向其中添加34.9g(253mmol)碳酸钾,并向其中添加110mL二氯苯,然后在180℃下的回流下搅拌24小时。在反应完成之后,将二氯苯除去并将残余物通过柱色谱法分离以获得9.5g[A6-c](产率52%)。
合成例A6-4.A6-d的合成
以与合成例A6-3中相同的方式获得14g[A6-d],不同之处在于使用[A6-c]和1-溴-2-碘苯代替[A1-c]和[A2-a](产率67.1%)。
合成例A6-5.式A109的合成
以与合成例A1-7中相同的方式获得2.1g[式A109],不同之处在于使用[A6-d]代替[A1-f](产率14%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 472.12[M+]
合成例A7.式A126的合成
合成例A7-1.A7-a的合成
向500mL反应器中添加30.0g(150mmol)[A2-b]、31.2g(160mmol)苯酚、45.7g(300mmol)碳酸钾和250mL NMP,然后在160℃下的回流下搅拌12小时。在反应完成之后,将反应产物冷却至室温,将NMP在减压下蒸馏出,并将残余物用水和乙酸乙酯萃取。将溶剂在减压下浓缩并通过柱色谱法分离以获得22g[A7-a](产率68%)。
合成例A7-2.式A126的合成
以与合成例A1-7中相同的方式获得1.2g[式A126],不同之处在于使用[A7-a]代替[A1-f](产率13.4%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 401.10[M+]
合成例A8.式A145的合成
合成例A8-1.A8-a的合成
以与合成例A1-3中相同的方式获得41.6g[A8-a],不同之处在于使用2-溴-5-叔丁基-1,3-二甲基苯和4-叔丁基苯胺代替1-溴-3-碘苯和苯胺(产率88.2%)。
合成例A8-2.A8-b的合成
以与合成例A4-2中相同的方式获得37.6g[A8-b],不同之处在于使用[A8-a]代替二苯胺(产率78.4%)。
合成例A8-3.A8-c的合成
以与合成例A1-3中相同的方式获得31.2g[A8-c],不同之处在于使用[A8-b]和4-叔丁基苯胺代替1-溴-3-碘苯和苯胺(产率74.2%)。
合成例A8-4.A8-d的合成
以与合成例A1-3中相同的方式获得30.3g[A8-d],不同之处在于使用1-溴-2,3-二氯-5-甲基苯和4-叔丁基苯胺代替1-溴-3-碘苯和苯胺(产率89.8%)。
合成例A8-5.A8-e的合成
以与合成例A1-4 g中相同的方式获得27.4g[A8-e],不同之处在于使用[A8-d]和3-溴-5-(叔丁基)苯并噻吩代替[A1-c]和[A1-b](产率77.1%)。
合成例A8-6.A8-f的合成
以与合成例A1-4中相同的方式获得21g[A8-f],不同之处在于使用[A8-e]和[A8-c]代替[A1-c]和[A1-b](产率74.1%)。
合成例A8-7.式A145的合成
以与合成例A1-7中相同的方式获得3.4g[式A145],不同之处在于使用[A8-f]代替[A1-f](产率19.4%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 979.60[M]+
合成例A9.式A150的合成
合成例A9-1.A9-a的合成
以与合成例A1-3中相同的方式获得32.7g[A9-a],不同之处在于使用1-溴苯(D取代的)和4-叔丁基苯胺代替1-溴-3-碘苯和苯胺(产率78.2%)。
合成例A9-2.A9-b的合成
以与合成例A1-4中相同的方式获得34.2g[A9-b],不同之处在于使用[A8-e]和[A9-a]代替[A1-c]和[A1-b](产率84.1%)。
合成例A9-3.式A150的合成
以与合成例A1-7中相同的方式获得2.7g[式A150],不同之处在于使用[A9-b]代替[A1-f](产率11.4%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 663.39[M]+
合成例A10.式A153的合成
合成例A10-1.A10-a的合成
以与合成例A1-3中相同的方式获得25.6g[A10-a],不同之处在于使用1-溴-二苯并呋喃和4-叔丁基苯胺代替1-溴-3-碘苯和苯胺(产率79.2%)。
合成例A10-2.A10-b的合成
以与合成例A1-4中相同的方式获得18.6g[A10-b],不同之处在于使用[A8-e]和[A10-a]代替[A1-c]和[A1-b](产率74.1%)。
合成例A10-3.式A153的合成
以与合成例A1-7中相同的方式获得3.4g[式A153],不同之处在于使用[A10-b]代替[A1-f](产率15.4%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 748.37[M]+
合成例A11.式A185的合成
以与合成例A3-1至A3-3中相同的方式获得2.1g[式A185],不同之处在于在合成例A3中,使用1-溴-3-碘苯代替1-溴-3-(叔丁基)-5-碘苯并使用4-叔丁基苯胺代替合成例A3-1中的苯胺,以及使用3-溴-5-甲基苯并呋喃代替合成例3-2中的3-溴苯并呋喃[A1-b](产率12%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 640.33[M]+
<式B的合成>
合成例B1:式B4的合成
合成例B1-1:B1-a的合成
在圆底烧瓶中搅拌100g(0.924mol)苯肼和500mL乙酸,然后加热至60℃。缓慢地逐滴添加103.6g(0.924mol)2-甲基环己酮,然后回流8小时。在反应完成之后,将混合物用水和乙酸乙酯萃取,浓缩,并通过柱色谱法分离以获得130g[B1-a](产率76%)。
合成例B1-2:B1-b的合成
在氮气气氛下向容纳750mL甲苯的圆底烧瓶中添加75g(405mmol)[B1-a],将混合物冷却至10℃,并缓慢地逐滴添加380mL(608mmol)1.6M甲基锂,然后在-10℃下搅拌约3小时。在反应完成之后,将混合物用水和乙酸乙酯萃取,浓缩,并通过柱色谱法分离以获得50.5g[B1-b](产率62%)。
合成例B1-3.B1-c的合成
在氮气气氛下向圆底烧瓶中添加50g(251mmol)[B1-b]、56.7g(251mmol)1-溴-2,3-二氯苯、4.5g(5mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯、2g(10mmol)三叔丁基膦、35.8g(373mmol)叔丁醇钠和500mL甲苯,然后回流24小时。在反应完成之后,将有机层在减压下浓缩并将残余物通过柱色谱法分离以获得35.6g[B1-c](产率41%)。
合成例B1-4.B1-d的合成
通过以相同的方式合成来获得[B1-d],不同之处在于使用二苯胺代替[B1-b]并使用[B1-c]代替合成例B1-3中的1-溴-2,3-二氯苯(产率73%)。
合成例B1-5.式B4的合成
在氮气气氛下向容纳200mL叔丁基苯的圆底烧瓶中添加20g(42mmol)[中间体B1-d],将混合物冷却至-30℃,并缓慢地逐滴添加49.1mmL(84mmol)1.7M叔丁基锂戊烷溶液。在逐滴添加完成之后,将反应产物加热至60℃并搅拌3小时,然后将戊烷蒸馏出。将残余物冷却至-50℃,向其中逐滴添加20.8g(84mmol)三溴化硼,并将混合物温热至室温,然后搅拌1小时。将反应产物再次冷却至0℃,并向其中添加10.7g(84mmol)N,N-二异丙基乙胺,然后在120℃下搅拌3小时。在反应完成之后,将叔丁基苯在减压下蒸馏出,并将残余物使用水和乙酸乙酯萃取,浓缩并通过柱色谱法分离以获得5.3g[式B4](产率28%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 452.24[M+]
合成例B2:式B106的合成
通过以相同的方式合成来获得[式B106],不同之处在于使用1-溴-2,3-二氯-5-叔丁基苯代替合成例B1-3中的1-溴-2,3-二氯苯,并使用N1,N2,N3-三苯基-1,3-苯二胺代替合成例B1-4中的二苯胺(产率21%)。
MS(MALDI-TOF):m/z 675.38[M+]
合成例B3:化合物B91的合成
合成例B3-1:B3-a的合成
将100g(0.924mol)苯肼和500mL乙酸在圆底烧瓶中搅拌,然后加热至60℃。缓慢地逐滴添加103.6g(0.924mol)2-甲基环己酮,然后回流8小时。在反应完成之后,将混合物使用水和乙酸乙酯萃取,浓缩,并通过柱色谱法分离以获得130g[B3-a](产率76%)。
合成例B3-2.B3-b的合成
在氮气气氛下向容纳750mL甲苯的圆底烧瓶中添加75g(405mmol)[B3-a],将混合物冷却至-10℃,并缓慢地逐滴添加80mL(608mmol)1.6M甲基锂,然后在-10℃下搅拌约3小时。在反应完成之后,将混合物用水和乙酸乙酯萃取,浓缩,并通过柱色谱法分离以获得50.5g[B3-b](产率62%)。
合成例B3-3.B3-c的合成
在氮气气氛下向圆底烧瓶中添加40g(199mmol)[B3-b]、47.7g(251mmol)1-溴-2,3-二氯-5-甲基苯、7.3g(7.9mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯、3.2g(15.9mmol)三叔丁基膦、38.2g(397mmol)叔丁醇钠和400mL甲苯,然后回流12小时。在反应完成之后,将有机层在减压下浓缩,然后通过柱色谱法分离以获得23g[B3-c](产率32%)。
合成例B3-4.B3-d的合成
在氮气气氛下向圆底烧瓶中添加30g(106mmol)1-溴-3-碘苯、16.4g(95mmol)1-萘硼酸、1.8g(1.6mmol)四(三苯基膦)钯、17.6g(127mmol)碳酸钾、300mL四氢呋喃、300mL甲苯和120mL水,然后回流24小时。在反应完成之后,将反应产物冷却至室温并萃取。将有机层在减压下浓缩并通过柱色谱法分离以获得19g[B3-d](产率70.3%)。
合成例B3-5.B3-e的合成
向圆底烧瓶中添加19g(67mmol)[B3-d]、6.2g(67mmol)苯胺、1.2g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯、7.7g(81mmol)叔丁醇钠、0.8g(1mmol)双(二苯基膦基)-1,1'-联萘和200mL甲苯,然后在回流下搅拌24小时。在反应完成之后,将反应产物萃取并将有机层在减压下浓缩并通过柱色谱法分离以获得15.2g[B3-e](产率77%)。
合成例B3-6.B3-f的合成
向圆底烧瓶中添加15.2g(51mmol)[B3-e]、18.9g(67mmol)1-溴-3-碘苯、0.9g(1mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯、6.4g(67mmol)叔丁醇钠、0.6g(1mmol)双(二苯基膦基)-1,1'-联萘和150mL甲苯,然后在回流下搅拌24小时。在反应完成之后,将反应产物萃取并将有机层在减压下浓缩并通过柱色谱法分离以获得14.9g[B3-f](产率64%)。
合成例B3-7.B3-g的合成
向圆底烧瓶中添加14.9g(33mmol)[B3-f]、3.1g(33mmol)苯胺、0.6g(0.7mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯、3.8g(40mmol)叔丁醇钠、0.4g(0.7mmol)双(二苯基膦基)-1,1'-联萘和150mL甲苯,然后在回流下搅拌20小时。在反应完成之后,将反应产物萃取并将有机层在减压下浓缩并通过柱色谱法分离以获得11.4g[B3-g](产率75%)。
合成例B3-8.B3-h的合成
向圆底烧瓶中添加8.9g(25mmol)[中间体B3-c]、11.4g(25mmol)[中间体B3-g]、0.5g(0.5mmol)三(二亚苄基丙酮)二钯、3.6g(37mmol)叔丁醇钠、0.1g(0.5mmol)三叔丁基膦和120mL甲苯,然后在回流下搅拌6小时。在反应完成之后,将反应产物萃取并将有机层在减压下浓缩并通过柱色谱法分离。将所得物由二氯甲烷和甲醇重结晶以获得12.7g[中间体B3-h](产率65%)。
合成例B3-9.式B91的合成
在氮气气氛下向反应器中添加12.7g(16mmol)[B3-h]和89mL叔丁基苯。在-78℃下逐滴添加20.2mL(32mmol)1.6M叔丁基锂。在逐滴添加之后,将混合物在60℃下搅拌2小时。在-78℃下逐滴添加8.1mL(32mmol)三溴化硼。在逐滴添加之后,将混合物在室温下搅拌1小时,并在0℃下逐滴添加4.2g(32mmol)N,N-二异丙基乙胺。在逐滴添加之后,将混合物在120℃下搅拌3小时。在反应完成之后,在室温下添加乙酸钠水溶液,然后搅拌。将反应产物用乙酸乙酯萃取,并且将有机层浓缩并通过柱色谱法分离以获得1.3g[式B91](产率10.6%)。
合成例B4:式B92的合成
通过以相同的方式合成来获得[式B92],不同之处在于使用4-叔丁基苯胺代替合成例B3-5中的苯胺(产率13%)。
合成例B5:式B112的合成
通过以相同的方式合成来获得[式B112],不同之处在于使用1-溴-2,3-二氯-5-叔丁基苯代替合成例B3-3中的1-溴-2,3-二氯-5-甲基苯并使用1-溴萘代替合成例B3-5中的[中间体B3-d](产率14.5%)。
实施例1至54:有机发光器件的制造
对ITO玻璃进行图案化使得将ITO玻璃的发光面积调节为2mm×2mm,然后将其洗涤。将ITO玻璃安装在真空室中,将基础压力设定为1×10-7托,并在ITO上顺序地沉积DNTPD和α-NPD然后,将[表1]至[表4]中示出的根据本发明的主体化合物和根据本发明的掺杂剂化合物(3重量%)的混合物沉积为的厚度以形成发光层。然后,在发光层上将比率为1:1的[式E-1]和[式E-2]的混合物沉积至的厚度以形成电子传输层,在电子传输层上将[式E-1]沉积至的厚度以形成电子注入层,并在电子注入层上将A1沉积至的厚度以形成阳极。因此,制造了有机发光器件。在0.4mA下测量有机发光器件的发光效能。
比较例1至38
以与以上实施例中相同的方式制造比较例的有机发光器件,不同之处在于使用[表1]至[表4]中示出的主体化合物和掺杂剂化合物的组合代替用于实施例的器件结构的化合物。在0.4mA下测量有机发光器件的发光效能。BH1至BH9和BD1至BD3的结构如下。
测量根据实施例和比较例制造的有机发光器件的电压、外量子效率和寿命并将结果示于[表1]至[表4]中。
[表1]
[表2]
[表3]
[表4]
| 项目 | 主体 | 掺杂剂 | 电压(V) | 外量子效率(EQE) | T95 |
| 实施例52 | 化合物82 | A145 | 3.60 | 8.9 | 252 |
| 实施例53 | 化合物94 | A150 | 3.67 | 9.1 | 282 |
| 实施例54 | 化合物97 | A145 | 3.68 | 9.3 | 225 |
| 比较例33 | 化合物82 | BD3 | 3.77 | 8.3 | 153 |
| 比较例34 | 化合物82 | BD1 | 3.75 | 8.0 | 159 |
| 比较例35 | 化合物94 | BD3 | 3.86 | 8.5 | 175 |
| 比较例36 | 化合物94 | BD1 | 3.83 | 8.1 | 169 |
| 比较例37 | 化合物97 | BD3 | 3.89 | 8.7 | 138 |
| 比较例38 | 化合物97 | BD1 | 3.85 | 8.3 | 141 |
如可以从以上[表1]至[表4]中看出的,与包含具有与根据本发明的蒽衍生物不同的独特结构的常规基于蒽的主体化合物的有机发光器件相比,根据本发明的在发光层中包含具有由[式I]表示的独特结构的蒽衍生物作为主体化合物的有机发光器件具有优异的外量子效率和改善的低电压驱动特性。
此外,在发光层中包含根据本发明的具有由[式I]表示的独特结构的蒽衍生物作为主体化合物和根据本发明的由[式A-1]、[式A-2]、[式B]或[式C]表示的化合物作为掺杂剂的有机发光器件具有好得多的外量子效率和改善的低电压驱动特性。
此外,在发光层中同时包含根据本发明的具有由[式I]表示的独特结构的蒽衍生物作为主体化合物和根据本发明的由[式A-1]或[式A-2]表示的化合物作为掺杂剂的有机发光器件具有改善的低电压驱动特性、优异的外量子效率和显著延长的寿命。
工业适用性
根据本发明的有机发光器件在发光层中使用具有独特结构的蒽衍生物作为主体和多环芳族衍生物化合物作为掺杂剂而能够实现改善的低电压驱动,因此可用于各种显示装置例如平板显示器、柔性显示器和可穿戴显示器以及照明装置。
Claims (14)
1.一种由以下[式I]表示的化合物:
[式I]
其中
A1至A4、B1和B2彼此相同或不同,并且各自独立地为经取代或未经取代的二苯并呋喃、经取代或未经取代的二苯并噻吩、或者经取代或未经取代的C6至C30芳族烃;
m、n、o和p各自独立地为0至1的整数,条件是m+n+o+p为1至3的整数;以及
R彼此相同或不同,并且各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳氧基、经取代或未经取代的C1至C30烷基硫基、经取代或未经取代的C5至C30芳基硫基、经取代或未经取代的C1至C30烷基甲硅烷基和经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基,
其中[式I]的化合物包含二苯并呋喃或二苯并噻吩的至少之一。
3.一种有机发光器件,包括:
第一电极;
面对所述第一电极的第二电极;以及
介于所述第一电极与所述第二电极之间的发光层,
其中所述发光层包含根据权利要求1所述的由[式I]表示的化合物。
4.根据权利要求3所述的有机发光器件,其中所述发光层还包含由以下[式A-1]或[式A-2]表示的化合物:
其中
Q1至Q3彼此相同或不同,并且各自独立地为经取代或未经取代的C6至C50芳族烃环或者经取代或未经取代的C2至C50芳族杂环;
Y选自N-R1、CR2R3、O、S、Se和SiR4R5,其中Y彼此相同或不同;以及
X选自B、P和P=O,
其中R1至R5彼此相同或不同,并且各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C6至C50芳基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C2至C50杂芳基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳氧基、经取代或未经取代的C1至C30烷基硫基、经取代或未经取代的C5至C30芳基硫基、经取代或未经取代的C1至C30烷基胺基、经取代或未经取代的C5至C30芳基胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C5至C30芳基甲硅烷基、硝基、氰基和卤素基团,
其中R1至R5各自与环Q1至Q3键合以进一步形成脂环族或芳族单环或多环,以及
R2和R3以及R4和R5彼此键合以进一步形成脂环族或芳族单环或多环。
5.根据权利要求3所述的有机发光器件,其中[式A-1]或[式A-2]的化合物由以下[式A-3]至[式A-4]中的任一者表示:
其中
Z为CR或N;
其中R选自氢、氘、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C6至C50芳基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C2至C50杂芳基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳氧基、经取代或未经取代的C1至C30烷基硫基、经取代或未经取代的C5至C30芳基硫基、经取代或未经取代的C1至C30烷基胺基、经取代或未经取代的C5至C30芳基胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C5至C30芳基甲硅烷基、硝基、氰基、卤素基团,条件是Z和R彼此相同或不同,以及
R彼此键合或者R各自与相邻取代基键合以形成至少一个脂环族或芳族单环或多环,并且所形成的脂环族、芳族单环或多环的碳原子经选自(N)、硫原子(S)和氧原子(O)中的至少一个杂原子替代;以及
X和Y各自与[式A-1]和[式A-2]中所限定的相同。
6.根据权利要求3所述的有机发光器件,其中[式A-1]或[式A-2]的化合物由以下[式A-5]至[式A-6]中的任一者表示:
其中
Z为CR或N;
其中R选自氢、氘、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C6至C50芳基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C2至C50杂芳基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳氧基、经取代或未经取代的C1至C30烷基硫基、经取代或未经取代的C5至C30芳基硫基、经取代或未经取代的C1至C30烷基胺基、经取代或未经取代的C5至C30芳基胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C5至C30芳基甲硅烷基、硝基、氰基、卤素基团,条件是Z和R彼此相同或不同,以及
R彼此键合或者R各自与相邻取代基键合以形成至少一个脂环族或芳族单环或多环,并且所形成的脂环族、芳族单环或多环的碳原子经选自(N)、硫原子(S)和氧原子(O)中的至少一个杂原子替代;以及
X和Y各自与[式A-1]和[式A-2]中所限定的相同。
7.根据权利要求3所述的有机发光器件,其中所述发光层还包含由以下[式B]表示的化合物:
[式B]
其中
Q1至Q3彼此相同或不同,并且各自独立地为经取代或未经取代的C6至C50芳族烃环或者经取代或未经取代的C2至C50芳族杂环;
Y选自N-R6、CR7R8、O、S和Se;以及
X选自B、P和P=O,
其中R6至R8彼此相同或不同,并且各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C6至C50芳基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C2至C50杂芳基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳氧基、经取代或未经取代的C1至C30烷基硫基、经取代或未经取代的C5至C30芳基硫基、经取代或未经取代的C1至C30烷基胺基、经取代或未经取代的C5至C30芳基胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C5至C30芳基甲硅烷基、硝基、氰基和卤素基团,
其中R6至R8各自与环Q2至Q3键合以进一步形成脂环族或芳族单环或多环,以及R7和R8彼此键合以进一步形成脂环族或芳族单环或多环,
Cy1与氮(N)原子和Q1环中的芳族碳原子连接以形成稠环并且所形成的Cy1环在所述氮(N)原子、Q1环中的与所述氮(N)原子键合的芳族碳原子、和Q1环中的与所述Cy1环键合的芳族碳原子被排除的条件下为经取代或未经取代的C1至C10亚烷基,以及
Cy2加至Cy1以形成饱和烃环并且所形成的Cy2环在Cy1中包含的碳原子被排除的条件下为经取代或未经取代的C1至C10亚烷基。
9.根据权利要求7所述的有机发光器件,其中[式B]的化合物由以下[式B-1]表示:
[式B-1]
其中
Q1至Q3、Cy1和Cy2如[式B]中所限定;
Ar1和R各自独立地选自氢;氘;经取代或未经取代的C1至C30线性、支化或环状烷基;经取代或未经取代的C1至C30卤代的线性、支化或环状烷基;经取代或未经取代的C6至C50芳基;经取代或未经取代的C3至C30环烷基;经取代或未经取代的C2至C50杂芳基;经取代或未经取代的C1至C30烷氧基;经取代或未经取代的C6至C30芳氧基;经取代或未经取代的C1至C30烷基硫基;经取代或未经取代的C5至C30芳基硫基;经取代或未经取代的C1至C30烷基胺基;经取代或未经取代的C5至C30芳基胺基;经取代或未经取代的C1至C30烷基甲硅烷基;经取代或未经取代的C6至C30芳基甲硅烷基;硝基;氰基;和卤素基团;以及
Ar2彼此相同或不同,并且各自独立地为经取代或未经取代的C6至C50芳基或者经取代或未经取代的C2至C50杂芳基,
其中Ar1分别与Q2或Q3键合以进一步形成脂环族或芳族单环或多环,
n为1至7的整数,其中R彼此相同或不同,条件是n为2或更大;以及
L为单键或者选自经取代或未经取代的C6至C30亚芳基或者经取代或未经取代的C1至C30亚杂芳基。
10.根据权利要求3所述的有机发光器件,其中所述发光层还包含由以下[式C]表示的化合物:
[式C]
其中
Q1至Q3彼此相同或不同,并且各自独立地为经取代或未经取代的C6至C50芳族烃环或者经取代或未经取代的C2至C50芳族杂环;以及
Y选自N-R9、CR10R11、O、S和Se,其中Y彼此相同或不同,
其中R9至R11彼此相同或不同,并且各自独立地选自氢、氘、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C6至C50芳基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C2至C50杂芳基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳氧基、经取代或未经取代的C1至C30烷基硫基、经取代或未经取代的C5至C30芳基硫基、经取代或未经取代的C1至C30烷基胺基、经取代或未经取代的C5至C30芳基胺基、经取代或未经取代的C1至C30烷基甲硅烷基、经取代或未经取代的C5至C30芳基甲硅烷基、硝基、氰基和卤素基团,
其中R9至R11各自与环Q2至Q3键合以进一步形成脂环族或芳族单环或多环,以及
R10和R11彼此键合以进一步形成脂环族或芳族单环或多环。
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