CN115485812A - 基片处理装置的杯状体的清洗方法和基片处理装置 - Google Patents

Abstract

清洗方法包括下述的步骤(A)～步骤(B)。步骤(A)，在杯状体的内部水平地保持基片，并且使所述基片以铅垂的旋转轴为中心在第一方向上旋转的状态下，从第一喷嘴向所述基片的上表面的中心部供给第一处理液，并且从第二喷嘴向所述基片的上表面的周缘部供给第二处理液。步骤(B)，在所述第二喷嘴排出所述第二处理液的过程中，使所述第二喷嘴在所述第二喷嘴的喷射线到达所述基片的上表面的周缘部的第一位置与所述第二喷嘴的喷射线偏离所述基片的第二位置之间，在所述基片的径向上移动。

Description

基片处理装置的杯状体的清洗方法和基片处理装置

技术领域

本发明涉及基片处理装置的杯状体的清洗方法和基片处理装置。

背景技术

专利文献1中记载的基片处理装置包括：水平地保持基片并使旋转轴以中心旋转的旋转吸盘；向旋转吸盘所保持的基片的上表面供给处理液的喷嘴；和包围旋转吸盘的周围并承接从基片飞散的处理液的杯状体。杯状体具有随着沿着旋转轴去往下方而在径向上扩展的倾斜面。基片处理装置对旋转的旋转吸盘供给清洗液而使之飞散，对杯状体的倾斜面供给清洗液。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本国特开2015-176996号公报。

发明内容

发明要解决的问题

本发明的一方式提供能够扩大基片处理装置的杯状体的清洗范围的技术。

用于解决问题的技术手段

本发明的一方式的清洗方法是基片处理装置的杯状体的清洗方法。基片处理装置包括保持部、旋转部、液供给单元和杯状体。所述保持部水平地保持基片。旋转部使所述保持部以铅垂的旋转轴为中心旋转。所述液供给单元向所述保持部所保持的所述基片的上表面供给液体。所述杯状体包围所述保持部所保持的所述基片的周缘，承接从所述基片的周缘飞散的所述液体。清洗方法包括下述的步骤(A)～步骤(B)。步骤(A)，在杯状体的内部水平地保持基片，并且使所述基片以铅垂的旋转轴为中心在第一方向上旋转的状态下，从第一喷嘴向所述基片的上表面的中心部供给第一处理液，并且从第二喷嘴向所述基片的上表面的周缘部供给第二处理液。步骤(B)，在所述第二喷嘴排出所述第二处理液的过程中，使所述第二喷嘴在所述第二喷嘴的喷射线到达所述基片的上表面的周缘部的第一位置与所述第二喷嘴的喷射线偏离所述基片的第二位置之间，在所述基片的径向上移动。

发明效果

依照本发明的一方式，能够扩大基片处理装置的杯状体的清洗范围。

附图说明

图1是表示一实施方式的基片处理装置的剖视图。

图2是表示液供给单元的喷嘴的配置例的俯视图。

图3是表示第一药液喷嘴的喷射线的一例的俯视图。

图4是表示对在第一方向旋转中的基片供给第一药液的供给例的图。

图5是表示对在第二方向旋转中的基片供给第一药液的供给例的图。

图6是将一实施方式的基片处理装置的一部分放大地表示的剖视图。

图7是表示基片的下方的喷嘴的配置例的俯视图。

图8表示一实施方式的基片处理方法的流程图。

图9是表示一实施方式的清洗方法的工序表。

图10是表示图9的S201的一例的图。

图11是表示图9的S203的一例的图。

图12是接着图11，表示图9的S203的一例的图。

图13是接着图12，表示图9的S203的一例的图。

图14是表示第一变形例的清洗方法的工序表。

图15是表示第二变形例的清洗方法的工序表。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。此外，有时在各附图中对相同或者对应的结构标注相同的附图标记，并省略说明。在本说明书中，X轴方向、Y轴方向、Z轴方向彼此垂直的方向。X轴方向和Y轴方向是水平方向，Z轴方向是铅垂方向。此外，在本说明书中，r轴方向是基片W的径向，θ轴方向是基片W的周向。在本说明书中，喷射线是从喷嘴排出的处理液所通过的线，换言之，是喷嘴的排出口的延长线。

首先，参照图1，对基片处理装置1进行说明。基片处理装置1处理基片W。基片W在本实施方式中可以是硅晶片、化合物半导体晶片或者玻璃基片。在基片W之上，形成未图示的膜。膜例如是氮化钛(TiN)膜、铝膜、钨膜、氮化硅(SiN)膜、氧化硅(SiO₂)膜、多晶硅膜或者热氧化膜等。也可以形成多个膜。

基片处理装置1对基片W的周缘部供给药液，除去预先形成于基片W的周缘部之上的膜。基片W的周缘部包含基片W的倾斜部，即经过了倒角加工的面。基片W的周缘部例如是从基片W的周缘起向基片W的径向内侧50mm以内的部分。另一方面，基片W的中心部例如是从基片W的中心起向基片W的径向外侧50mm以内的部分。

基片处理装置1例如包括：将基片W水平地保持的保持部2；使保持部2以铅垂的旋转轴31为中心旋转的旋转部3；和向保持于保持部2的基片W的上表面Wa供给液体的液供给单元4。

保持部2以基片W的中心与旋转轴31的旋转中心线一致的方式将基片W水平地保持。保持部2保持基片W的下表面Wb的中心部，不保持基片W的下表面Wb的周缘部。保持部2在本实施方式中是真空吸盘，但也可以是机械卡盘或者静电吸盘等。保持部2只要是可旋转的旋转吸盘即可。

旋转部3例如包含铅垂的旋转轴31和使旋转轴31旋转的旋转电机32。旋转电机32的旋转驱动力经由旋转轴31被传递到保持部2。保持部2在第一方向RD1和作为与第一方向RD1相反方向的第二方向RD2这两个方向旋转。

在从上方观察时，第一方向RD1是顺时针方向，第二方向RD2是逆时针方向。此外，在从上方观察时，第一方向RD1与第二方向RD2相反即可，也可以为第一方向RD1是逆时针方向，第二方向RD2是顺时针方向。

液供给单元4包括：向基片W的上表面Wa的周缘部供给处理液的第一处理单元40；和向基片W的上表面Wa的周缘部供给处理液的第二处理单元50。第一处理单元40和第二处理单元50如图2所示，在基片W的周向上隔开间隔地配置。

首先，对第一处理单元40进行说明。第一处理单元40如图3所示，具有第一药液喷嘴41。第一药液喷嘴41向基片W的上表面Wa的周缘部供给第一药液。第一药液没有特别限定，在本实施方式中是碱性溶液。碱性溶液例如是SC1(包含氢氧化铵和过氧化氢的水溶液)或者过氧化氢的水溶液。第一药液喷嘴41例如朝向斜下方向排出第一药液。第一药液喷嘴41的喷射线R1包含朝向基片W的径向外侧的成分和朝向第一方向RD1的成分。

在旋转部3使基片W在第一方向RD1旋转的期间，第一药液喷嘴41排出第一药液。其结果是，第一药液被供给到基片W的上表面Wa的整个周缘。在供给第一药液时，当如图4所示基片W的旋转方向是第一方向RD1时，与如图5所示基片W的旋转方向是第二方向RD2的情况相比，基片W与第一药液L1的相对速度的大小较小，撞击时的冲击小，因此能够抑制第一药液L1的溅液。

第一处理单元40如图3所示具有第一纯水喷嘴42。第一纯水喷嘴42配置在第一药液喷嘴41的侧旁。第一纯水喷嘴42向基片W的上表面Wa的周缘部供给纯水，除去残留在基片W的上表面Wa的周缘部的第一药液。第一纯水喷嘴42例如朝向斜下方向排出纯水。第一纯水喷嘴42的喷射线R2与第一药液喷嘴41的喷射线R1同样地包含朝向基片W的径向外侧的成分和朝向第一方向RD1的成分。

在旋转部3使基片W在第一方向RD1旋转的期间，第一药液喷嘴41排出了第一药液后，第一纯水喷嘴42排出纯水。其结果是，纯水被供给到基片W的上表面Wa的整个周缘，第一药液被除去。在供给纯水时，当基片W的旋转方向为第一方向RD1时，与为第二方向RD2的情况相比，基片W与纯水的相对速度的大小较小，撞击时的冲击小，因此能够抑制纯水的溅液。

第一处理单元40如图2所示，具有移动机构43。移动机构43使第一药液喷嘴41和第一纯水喷嘴42在基片W的径向上移动。此外，移动机构43可以使第一药液喷嘴41和第一纯水喷嘴42还在铅垂方向上移动。

第一处理单元40如图1所示，具有第一药液供给部45。第一药液供给部45包含与第一药液喷嘴41连接的供给管线45a。在供给管线45a的中途，设置有对第一药液的流路进行开闭的开闭阀45b和控制第一药液的流量的流量控制器45c。在供给管线45a的中途，还可以设置有对第一药液进行加热的加热器45d。

第一处理单元40具有第一纯水供给部46。第一纯水供给部46包含与第一纯水喷嘴42连接的供给管线46a。在供给管线46a的中途，设置有对纯水的流路进行开闭的开闭阀46b和对纯水的流量进行控制的流量控制器46c。在供给管线46a的中途，还可以设置有对纯水进行加热的加热器46d。

下面，对第二处理单元50进行说明。第二处理单元50如图3所示，具有第二药液喷嘴51。第二药液喷嘴51向基片W的上表面Wa的周缘部供给第二药液。第二药液没有特别限定，在本实施方式中是酸性溶液。酸性溶液例如是DHF(稀氢氟酸)、HF(氢氟酸)、SC2(包含氯化氢和过氧化氢的水溶液)、或者硝酸与氢氟酸的混合液。第二药液喷嘴51例如朝向斜下方向排出第二药液。第二药液喷嘴51的喷射线R3包含朝向基片W的径向外侧的成分和朝向第二方向RD2的成分。

在旋转部3使基片W在第二方向RD2旋转的期间，第二药液喷嘴51排出第二药液。其结果是，第二药液被供给到基片W的上表面Wa的整个周缘。在供给第二药液时，当基片W的旋转方向为第二方向RD2时，与为第一方向RD1的情况相比，基片W与第二药液的相对速度的大小较小，撞击时的冲击小，因此能够抑制第二药液的溅液。

第二处理单元50具有第二纯水喷嘴52。第二纯水喷嘴52配置在第二药液喷嘴51的侧旁。第二纯水喷嘴52向基片W的上表面Wa的周缘部供给纯水，除去残留在基片W的上表面Wa的周缘部的第二药液。第二纯水喷嘴52例如朝向斜下方向排出纯水。第二纯水喷嘴52的喷射线R4与第二药液喷嘴51的喷射线R3同样地包含朝向基片W的径向外侧的成分和朝向第二方向RD2的成分。

在旋转部3使基片W在第二方向RD2旋转的期间，第二药液喷嘴51排出了第二药液后，第二纯水喷嘴52排出纯水。其结果是，纯水被供给到基片W的上表面Wa的整个周缘，第二药液被除去。在供给纯水时，当基片W的旋转方向为第二方向RD2时，与为第一方向RD1的情况相比，基片W与纯水的相对速度的大小较小，撞击时的冲击小，因此能够抑制纯水的溅液。

第二处理单元50如图2所示，具有移动机构53。移动机构53使第二药液喷嘴51和第二纯水喷嘴52在基片W的径向上移动。此外，移动机构53可以使第二药液喷嘴51和第二纯水喷嘴52还在铅垂方向上移动。

第二处理单元50如图1所示，具有第二药液供给部55。第二药液供给部55包含与第二药液喷嘴51连接的供给管线55a。在供给管线55a的中途，设置有对第二药液的流路进行开闭的开闭阀55b和控制第二药液的流量的流量控制器55c。在供给管线55a的中途，还可以设置有对第二药液进行加热的加热器55d。

第二处理单元50具有第二纯水供给部56。第二纯水供给部56包含与第二纯水喷嘴52连接的供给管线56a。在供给管线56a的中途，设置有对纯水的流路进行开闭的开闭阀56b和控制纯水的流量的流量控制器56c。在供给管线56a的中途，还可以设置有对纯水进行加热的加热器56d。

另外，在基片W的下方，如图7所示，还可以配置有第三药液喷嘴47和第三纯水喷嘴48。第三药液喷嘴47向基片W的下表面Wb的周缘部供给第一药液。第三药液喷嘴47例如朝向斜上方向排出第一药液。第三药液喷嘴47的喷射线R5包含朝向基片W的径向外侧的成分和朝向第一方向RD1的成分。第三纯水喷嘴48向基片W的下表面Wb的周缘部供给纯水。第三纯水喷嘴48例如朝向斜上方向排出纯水。第三纯水喷嘴48的喷射线R6包含朝向基片W的径向外侧的成分和朝向第一方向RD1的成分。

另外，在基片W的下方，也可以配置有第四药液喷嘴57和第四纯水喷嘴58。第四药液喷嘴57向基片W的下表面Wb的周缘部供给第二药液。第四药液喷嘴57例如朝向斜上方向排出第二药液。第四药液喷嘴57的喷射线R7包含朝向基片W的径向外侧的成分和朝向第二方向RD2的成分。第四纯水喷嘴58向基片W的下表面Wb的周缘部供给纯水。第四纯水喷嘴58例如朝向斜上方向排出纯水。第四纯水喷嘴58的喷射线R8包含朝向基片W的径向外侧的成分和朝向第二方向RD2的成分。

液供给单元4如图1所示，还具有向基片W的上表面Wa的中心部供给处理液的第三处理单元60。第三处理单元60例如包含配置在旋转轴31的正上方的中央喷嘴61、使中央喷嘴61移动的移动机构63(参照图2)和向中央喷嘴61供给处理液的供给部65。

中央喷嘴61向基片W的上表面Wa的中心部供给DIW(去离子水)等纯水。中央喷嘴61例如朝向正下方排出纯水。纯水被供给到旋转的基片W的上表面Wa的中心部，在离心力的作用下在基片W的整个上表面润湿扩散，并从基片W的上表面Wa的周缘被甩掉。

移动机构63包括保持中央喷嘴61的转动臂63a和使转动臂63a转动的未图示的转动机构。转动机构也可以兼做使转动臂63a升降的机构。转动臂63a水平地配置，在其长度方向一端部保持中央喷嘴61，以从其长度方向另一端部向下方延伸的转动轴为中心转动。此外，移动机构63也可以具有导轨和直线移动机构来代替转动臂63a和转动机构。

供给部65包含与中央喷嘴61连接的供给管线65a。在供给管线65a的中途，设置有对纯水的流路进行开闭的开闭阀65b和控制纯水的流量的流量控制器65c。在供给管线65a的中途，还可以设置有对纯水进行加热的加热器65d。

基片处理装置1如图6所示，还包括杯状体7。杯状体7包围保持于保持部2的基片W的周缘，承接从基片W的周缘飞散的液体。杯状体7在本实施方式不与旋转轴31一起旋转，但也可以与旋转轴31一起旋转。杯状体7具有水平的底壁70、从底壁70的周缘向上方延伸的外周壁71、配置在外周壁71的内侧的分离壁72和配置在分离壁72的内侧的内周壁73。外周壁71、分离壁72和内周壁73呈同心圆状配置。在外周壁71与分离壁72之间，形成有回收液体的凹部74。被回收到该凹部74的液体，通过底壁70的排液通路70a被排出到基片处理装置1的外部。此外，在分离壁72与内周壁73之间，形成有回收气体的凹部75。被回收到该凹部75的气体，通过底壁70的排气通路70b被排出到基片处理装置1的外部。分离壁72将外侧的凹部74与内侧的凹部75分离，来将液体与气体分离。

杯状体7的外周壁71具有承接从基片W的周缘飞散的液体的倾斜面71a。倾斜面71a随着去往基片W的径向外侧而向下方倾斜。在外周壁71的倾斜面71a与引导壁76的上表面76a之间，形成有液体和气体这两者的通路77。此外，在引导壁76的下面76b与分离壁72的上表面72a之间，形成有气体的通路78。引导壁76随着从内周壁73的上端去往径向外侧而向下方倾斜。液体通过通路77被回收到外侧的凹部74。气体通过通路77、78被回收到内侧的凹部75。

基片处理装置1还包括覆盖件8。覆盖件8可升降地配置在保持于保持部2的基片W的上方。覆盖件8是与基片W的上表面Wa的周缘部相对的环状的部件。在覆盖件8与基片W之间形成有圆环状的间隙，在该间隙形成较强的气流。气流沿基片W的上表面Wa形成，流向基片W的径向外侧。由于形成气流，能够抑制雾附着到基片W的上表面Wa。

覆盖件8包含：与基片W的上表面Wa的周缘部相对的内筒部81；配置在内筒部81的外侧的外筒部82；和将外筒部82与杯状体7的外周壁71之间密封的密封部83。外周壁71包含被插入到外筒部82的凹部82a中的凸部71b。由凸部71b和凹部82a形成迷宫结构。密封部83配置在迷宫结构的外侧。

内筒部81具有在从上方观察时圆形的开口部。该开口部的直径比基片W的直径小。内筒部81在其与基片W的上表面Wa的周缘部之间，形成有间隙。内筒部81以该间隙变小的方式，甚至以在该间隙形成较强的气流的方式，比外筒部82向下方突出。

覆盖件8如图2所示，在其内缘包含第一缺口81a和第二缺口81b。第一药液喷嘴41和第一纯水喷嘴42以能够在基片W的径向上移动的方式配置在第一缺口81a。另一方面，第二药液喷嘴51和第二纯水喷嘴52以能够在基片W的径向上移动的方式配置在第二缺口81b。

基片处理装置1还包括控制部9。控制部9例如控制旋转部3和液供给单元4。控制部9例如包括计算机、CPU(Central Processing Unit)91和存储器等存储介质92。在存储介质92保存有控制在基片处理装置1中执行的各种处理的程序。控制部9通过使CPU91执行存储于存储介质92的程序，来控制基片处理装置1的工作。

下面，参照图8等，对基片处理方法进行说明。图8所示的各步骤S101～S111在控制部9的控制下被实施。此外，图8所示的各步骤S101～S111的顺序没有特别限定，例如也可以调换S102～S104和S106～S108。

首先，在S101中，未图示的输送装置将基片W送入处理容器11的内部。处理容器11在其内部收纳保持部2等。输送装置将基片W载置在保持部2，保持部2保持基片W之后，输送装置退出到处理容器11的外部。之后，使覆盖件8下降，并载置在杯状体7的外周壁71。在处理容器11的顶部配置有风机单元12，风机单元12在基片W的上方形成下降流。其结果是，在基片W与覆盖件8之间，形成从基片W的径向内侧去往径向外侧的气流。气流沿杯状体7的外周壁71的倾斜面71a流动，被回收到内侧的凹部75。

接着，在S102中，旋转部3使基片W与保持部2一起在第一方向RD1旋转。

接着，在S103中，第一药液喷嘴41向基片W的上表面Wa的周缘部供给第一药液。此时，第三药液喷嘴47向基片W的下表面Wb的周缘部供给第一药液。第一药液是SC1等碱性溶液，能够除去预先形成于基片W的周缘部上的膜。第一药液从基片W的周缘被甩掉后，沿杯状体7的外周壁71的倾斜面71a流动，被回收到外侧的凹部74。

接着，在S104中，第一纯水喷嘴42向基片W的上表面Wa的周缘部供给纯水。此时，第三纯水喷嘴48向基片W的下表面Wb的周缘部供给纯水。纯水将残留在基片W的周缘部的第一药液洗去。纯水从基片W的周缘被甩掉后，沿杯状体7的外周壁71的倾斜面71a流动，被回收到外侧的凹部74。

接着，在S105中，旋转部3使基片W停止旋转。

接着，在S106中，旋转部3使基片W与保持部2一起在第二方向RD2旋转。

接着，在S107中，第二药液喷嘴51向基片W的上表面Wa的周缘部供给第二药液。此时，第四药液喷嘴57向基片W的下表面Wb的周缘部供给第二药液。第二药液是DHF等酸性溶液，能够除去预先形成于基片W的周缘部上的膜。第二药液从基片W的周缘被甩掉后，沿杯状体7的外周壁71的倾斜面71a流动，被回收到外侧的凹部74。

接着，在S108中，第二纯水喷嘴52向基片W的上表面Wa的周缘部供给纯水。此时，第四纯水喷嘴58向基片W的下表面Wb的周缘部供给纯水。纯水将残留在基片W的周缘部的第二药液洗去。纯水从基片W的周缘被甩掉后，沿杯状体7的外周壁71的倾斜面71a流动，被回收到外侧的凹部74。

接着，在S109中，通过基片W的旋转，将残留在基片W的纯水甩掉，使基片W干燥。在S109中，也可以为，与上述S107和上述S108等相比，使基片W的转速大。

接着，在S110中，旋转部3使基片W停止旋转。

接着，在S111中，进行与上述S101相反的动作，进行基片W的送出。具体而言，首先，将覆盖件8上升至原本的位置。之后，输送装置进入处理容器11的内部，从保持部2收取基片W，将收取到的基片W送出到处理容器11的外部。

更换基片W，反复实施图8所示的基片W的处理。其结果是，如图6所示，在杯状体7的外周壁71的倾斜面71a生成沉积物D。沉积物D由于附着于外周壁71的倾斜面71a的液滴干燥而产生。沉积物D例如是利用第一药液从基片W除去了的膜的再析出物。该再析出物溶解于第一药液，因此能够用第一药液除去。

接着，参照图9，对使用第一药液的清洗方法进行说明。图9所示的各步骤S201～S206在控制部9的控制下被实施。例如，当蚀刻用的基片W的处理个数达到设定个数时，输送装置将清洗用的基片DW送入处理容器11的内部，并交送到保持部2。保持部2保持基片DW，输送装置退出到处理容器11的外部后，开始S201以后的处理。

清洗用的基片DW与蚀刻用的基片W不同，是没有形成膜的基片。蚀刻用的基片W的直径与清洗用的基片DW的直径为相同程度。蚀刻用的基片W例如是硅晶片，清洗用的基片DW例如是碳化硅晶片。此外，作为清洗用的基片DW，也可以使用形成有膜的基片。

首先，在S201中，保持部2在杯状体7的内部将基片DW水平地保持，并且旋转部3使基片DW在第一方向RD1旋转。此外，在S201中，中央喷嘴61向基片DW的上表面DWa的中心部供给纯水。纯水在离心力的作用下向基片DW的径向外侧流动，从基片DW的周缘被甩掉。

另外，在S201中，如图11所示，第一药液喷嘴41向在第一方向RD1旋转的基片DW的上表面DWa的周缘部供给第一药液L1。第一药液L1是SC1等碱性溶液。第一药液L1的液流F1与纯水L2的液流F2发生撞击，由于该冲击而液滴向各种方向飞散。如图10所示，能够向外周壁71的倾斜面71a的较广范围供给第一药液L1的液滴，利用第一药液L1溶解沉积物D，而能够将其除去。

基片DW的转速越大，纯水L2的液流F2越快，液滴越容易飞散。基片DW的转速例如为1500rpm～2500rpm。下述的S202～S203、S301～S303、S305～S307、S401～S403、S405～S407中，基片DW的转速也例如为1500rpm～2500rpm。

一般而言，由撞击引起的冲击，在撞击开始时大。因此，也可以为，在S201中，第一药液喷嘴41断续地排出第一药液L1。断续地形成第一药液L1的液流F1，断续地发生第一药液L1的液流F1与纯水L2的液流F2的撞击。断续地产生大的冲击，容易产生液滴。

另外，也可以为，在S201中，加热器45d对排出前的第一药液L1进行加热。同样地，也可以为，加热器65d对排出前的纯水L2进行加热。飞散的液滴的温度变高，因此沉积物D的溶解反应得到促进。

接着，在S202中，第一药液喷嘴41向在第二方向RD2旋转的基片DW的上表面DWa的周缘部供给第一药液L1。在基片DW旋转的过程中在基片DW的周缘部飞散的第一药液L1的液滴，在基片DW的旋转方向上被运送。基片DW的周缘附近的气体被基片DW拖拽而与基片DW一起旋转，第一药液L1的液滴在基片DW的旋转方向上被运送。

S201和S202中，基片DW的旋转方向被反转。其结果是，第一药液L1的液滴的运送方向被反转，在外周壁71的整个周向均等地供给第一药液L1的液滴。因此，能够从外周壁71的整个周向除去沉积物D。

第一药液喷嘴41的喷射线R1如上述那样，具有朝向第一方向RD1的成分。在S202中，与S201不同，与基片DW的旋转方向相反地供给第一药液L1。在S202中，与S201相比，第一药液L1与基片DW的相对速度的大小较大，撞击时的冲击大，因此容易产生液滴。

接着，在S203中，除了移动机构43使第一药液喷嘴41在第一位置与第二位置之间移动这一点之外，进行与S201同样的动作。第一位置如图11所示，是第一药液喷嘴41的喷射线R1到达基片DW的上表面DWa的周缘部的位置。另一方面，第二位置如图13所示，是第一药液喷嘴41的喷射线R1偏离基片DW的位置。

在S203中，移动机构43可以使第一药液喷嘴41从第一位置移动到第二位置，也可以使第一药液喷嘴41从第二位置移动到第一位置。在第一药液喷嘴41从第二位置移动到第一位置的期间，基片W的转速可以变大。无论如何，第一药液喷嘴41的喷射线R1都通过基片DW的周缘。此时，如图12所示，液滴飞散的方向变化。由此，能够向较广范围供给第一药液L1的液滴。

在第一药液喷嘴41的喷射线R1通过基片DW的周缘时，从第一药液喷嘴41向基片DW的倾斜部DWc供给第一药液L1。由于倾斜部DWc，液滴飞散的方向变化。由此，能够向较广范围供给第一药液L1的液滴。

在S203中，移动机构43也可以使第一药液喷嘴41在第一位置与第二位置之间往返。通过使第一药液喷嘴41往返，能够向较广范围供给足够量的第一药液L1的液滴。也可以反复实施第一药液喷嘴41的往返。也可以为，在第一药液喷嘴41在第一位置与第二位置之间往返的情况下，当第一药液喷嘴41到达第二位置时，基片W的旋转方向被反转。

接着，在S204中，中央喷嘴61向在第一方向RD1旋转的基片DW的上表面DWa的中心部供给纯水L2。纯水L2在离心力的作用下向基片DW的径向外侧流动，从基片DW的周缘被甩掉，将残留在外周壁71的倾斜面71a的第一药液L1洗去。

接着，在S205中，中央喷嘴61向在第二方向RD2旋转的基片DW的上表面DWa的中心部供给纯水L2。在基片DW旋转的过程中从基片DW的周缘被甩掉的纯水L2的液滴，在基片DW的旋转方向上被运送。

在S204和S205中，基片DW的旋转方向被反转。其结果是，纯水L2的液滴的运送方向被反转，向外周壁71的整个周向均等地供给纯水L2的液滴。因此，能够从外周壁71的整个周向除去第一药液L1。

接着，在S206中，保持部2在杯状体7的内部将基片DW水平地保持，并且旋转部3使基片DW在第二方向RD2旋转，将残留在基片DW的纯水L2甩掉，使基片DW干燥。之后，输送装置从保持部2收取基片DW，并将其送出到处理容器11的外部。

在本实施方式中，中央喷嘴61相当于技术方案中记载的第一喷嘴，第一药液喷嘴41相当于技术方案中记载第二喷嘴。另外，在本实施方式中，纯水L2相当于技术方案中记载第一处理液，第一药液L1相当于技术方案中记载第二处理液。此外，在本实施方式中，第一药液L1是SC1等碱性溶液，但也可以是DHF等酸性溶液。S201～S205的顺序不限定于图9的顺序，例如S201与S202的顺序也可以颠倒。

另外，中央喷嘴61在S201～S203中也可以排出第一药液L1来代替纯水L2。代替纯水L2的液流F2，而形成第一药液L1的液流F2。在后者的情况下，使第一药液L1的液流F1、F2彼此撞击，因此能够抑制第一药液L1的浓度降低，能够高效地溶解沉积物D。

接着，参照图14，对使用纯水的清洗方法进行说明。本变形例的沉积物D是第一药液与第二药液的反应生成物，例如是碱性溶液和酸性溶液的盐。盐溶解于纯水，因此能够用纯水除去。图14所示的各步骤S301～S309在控制部9的控制下被实施。开始进行S301以后的处理的条件，与开始进行图9所示的S201以后的处理的条件相同。

首先，在S301中，保持部2在杯状体7的内部将基片DW水平地保持，旋转部3使基片DW在第二方向RD2旋转。另外，在S301中，中央喷嘴61向基片DW的上表面DWa的中心部供给纯水。纯水在离心力的作用下向基片DW的径向外侧流动，从基片DW的周缘被甩掉。

另外，在S301中，第二纯水喷嘴52向在第二方向RD2旋转的基片DW的上表面DWa的周缘部供给纯水。纯水的液流彼此撞击，由于该冲击而使液滴向各种方向飞散。能够向外周壁71的倾斜面71a的较广范围供给纯水的液滴，能够利用纯水溶解沉积物D并将其除去。

一般而言，由撞击引起的冲击在撞击开始时大。因此，也可以为，在S301中，第二纯水喷嘴52断续地排出纯水。断续地形成纯水的液流，断续地产生纯水的液流彼此的撞击。断续地产生大的冲击，容易产生液滴。

另外，也可以为，在S301中，加热器56d对排出前的纯水进行加热。同样地，也可以为，加热器65d对排出前的纯水进行加热。飞散的液滴的温度变高，因此沉积物D的溶解反应得到促进。

接着，在S302中，第二纯水喷嘴52向在第一方向RD1旋转的基片DW的上表面DWa的周缘部供给纯水。在基片DW旋转的过程中在基片DW的周缘部飞散的纯水的液滴，在基片DW的旋转方向上被运送。

在S301和S302中，基片DW的旋转方向被反转。其结果是，纯水的液滴的运送方向被反转，向外周壁71的整个周向均等地供给纯水的液滴。因此，能够从外周壁71的整个周向除去沉积物D。

第二纯水喷嘴52的喷射线R4如上述那样，具有朝向第二方向RD2的成分。在S302中，与S301不同，与基片DW的旋转方向相反地供给纯水。在S302中，与S301相比，纯水与基片DW的相对速度的大小较大，撞击时的冲击大，因此容易产生液滴。

接着，在S303中，除了移动机构53使第二纯水喷嘴52在第三位置与第四位置之间移动这一点以外，进行与S301同样的动作。第三位置是第二纯水喷嘴52的喷射线R4到达基片DW的上表面DWa的周缘部的位置。另一方面，第四位置是第二纯水喷嘴52的喷射线R4偏离基片DW的位置。

在S303中，移动机构53可以使第二纯水喷嘴52从第三位置移动到第四位置，也可以使第二纯水喷嘴52从第四位置移动到第三位置。在第二纯水喷嘴从第四位置移动到第三位置的期间，基片W的转速可以变大。无论如何，第二纯水喷嘴52的喷射线R4都通过基片DW的周缘。此时，液滴飞散的方向变化。由此，能够向较广范围供给纯水的液滴。

在第二纯水喷嘴52的喷射线R4通过基片DW的周缘时，从第二纯水喷嘴52向基片DW的倾斜部DWc供给纯水。由于倾斜部DWc，而使液滴飞散的方向变化。由此，能够向较广范围供给纯水的液滴。

也可以为，在S303中，移动机构53使第二纯水喷嘴52在第三位置与第四位置之间往返。通过第二纯水喷嘴52往返，能够向较广范围供给足够量的纯水的液滴。也可以反复实施第二纯水喷嘴52的往返。也可以为，在第二纯水喷嘴52在第三位置与第四位置之间往返的情况下，当第二纯水喷嘴52到达第四位置时，基片W的旋转方向被反转。

接着，在S304中，中央喷嘴61向在第二方向RD2旋转的基片DW的上表面DWa的中心部供给纯水。S304是与图9所示的S205同样的处理。

接着，在S305中，中央喷嘴61向在第一方向RD1旋转的基片DW的上表面DWa的中心部供给纯水。纯水在离心力的作用下向基片DW的径向外侧流动，从基片DW的周缘被甩掉。

另外，S305中，第一纯水喷嘴42向在第一方向RD1旋转的基片DW的上表面DWa的周缘部供给纯水。纯水的液流彼此撞击，由于该冲击而使液滴向各种方向飞散。能够向外周壁71的倾斜面71a的较广范围供给纯水的液滴，能够利用纯水溶解沉积物D并将其除去。

一般而言，由撞击引起的冲击在撞击开始时大。因此，也可以为，在S305中，第一纯水喷嘴42断续地排出纯水。断续地形成纯水的液流，断续地产生纯水的液流彼此的撞击。断续地产生大的冲击，容易产生液滴。

另外，也可以为，在S305中，加热器46d对排出前的纯水进行加热。同样地，也可以为，加热器65d对排出前的纯水进行加热。飞散的液滴的温度变高，因此沉积物D的溶解反应得到促进。

接着，在S306中，第一纯水喷嘴42向在第二方向RD2旋转的基片DW的上表面DWa的周缘部供给纯水。在基片DW旋转的过程中在基片DW的周缘部飞散的纯水的液滴，在基片DW的旋转方向上被运送。

在S305和S306中，基片DW的旋转方向被反转。其结果是，纯水的液滴的运送方向被反转，向外周壁71的整个周向均等地供给纯水的液滴。因此，能够从外周壁71的整个周向除去沉积物D。

第一纯水喷嘴42的喷射线R2如上述那样，具有朝向第一方向RD1的成分。在S306中，与S305不同，与基片DW的旋转方向相反地供给纯水。在S306中，与S305相比，纯水与基片DW的相对速度的大小较大，撞击时的冲击大，因此容易产生液滴。

接着，在S307中，除了移动机构43使第一纯水喷嘴42在第五位置与第六位置之间移动这一点以外，进行与S305同样的动作。第五位置是第一纯水喷嘴42的喷射线R2到达基片DW的上表面DWa的周缘部的位置。另一方面，第六是第一纯水喷嘴42的喷射线R2偏离基片DW的位置。

在S307中，移动机构43可以使第一纯水喷嘴42从第五位置移动到第六位置，也可以使第一纯水喷嘴42从第六位置移动到第五位置。在第一纯水喷嘴42从第六位置移动到第五位置的期间，基片W的转速可以变大。无论如何，第一纯水喷嘴42的喷射线R2都通过基片DW的周缘。此时，液滴飞散的方向变化。由此，能够向较广范围供给纯水的液滴。

在第一纯水喷嘴42的喷射线R2通过基片DW的周缘时，从第一纯水喷嘴42向基片DW的倾斜部DWc供给纯水。由于倾斜部DWc，而液滴飞散的方向变化。由此，能够向较广范围供给纯水的液滴。

也可以为，在S307中，移动机构43使第一纯水喷嘴42在第五位置与第六位置之间往返。通过第一纯水喷嘴42往返，能够向较广范围供给足够量的纯水的液滴。也可以反复实施第一纯水喷嘴42的往返。也可以为，在第一纯水喷嘴42在第五位置与第六位置之间往返的情况下，当第一纯水喷嘴42到达第六位置时，基片W的旋转方向被反转。

接着，在S308中，保持部2在杯状体7的内部将基片DW水平地保持，旋转部3使基片DW在第一方向RD1旋转，中央喷嘴61向基片DW的上表面DWa的中心部供给纯水。S308是与图9所示的S204同样的处理。

接着，在S309中，保持部2在杯状体7的内部将基片DW水平地保持，旋转部3使基片DW在第一方向RD1旋转，将残留在基片DW的纯水甩掉，使基片DW干燥。之后，输送装置从保持部2收取基片DW，并将其送出到处理容器11的外部。

在本变形例中，中央喷嘴61相当于技术方案中记载第一喷嘴，第一纯水喷嘴42相当于技术方案中记载第二喷嘴，第二纯水喷嘴52相当于技术方案中记载第三喷嘴。另外，在本变形例中，第一处理液、第二处理液和第三处理液全部为纯水。S301～S308的顺序不限定于图14的顺序，例如S301～S304与S305～S308的顺序也可以颠倒。

接着，参照图15，对使用第一药液和第二药液这两者的清洗方法进行说明。本变形例的沉积物D含有2种再析出物。一种再析出物是用第一药液从基片W除去的膜的再析出物，其溶解于第一药液，因此能够用第一药液除去。另一种再析出物是用第二药液从基片W除去的膜的再析出物，其溶解于第二药液，因此能够用第二药液除去。图15所示的各步骤S401～S409在控制部9的控制下被实施。开始进行S401以后的处理的条件，与开始进行图9所示的S201以后的处理的条件相同。

首先，在S401中，保持部2在杯状体7的内部将基片DW水平地保持，旋转部3使基片DW在第二方向RD2旋转。另外，在S401中，中央喷嘴61向基片DW的上表面DWa的中心部供给纯水。纯水在离心力的作用下向基片DW的径向外侧流动，基片DW的周缘被甩掉。

另外，在S401中，第二药液喷嘴51向在第二方向RD2旋转的基片DW的上表面DWa的周缘部供给第二药液。第二药液是DHF等酸性溶液。第二药液的液流与纯水的液流撞击，由于该冲击而液滴向各种方向飞散。能够向外周壁71的倾斜面71a的较广范围供给第二药液的液滴，用第二药液溶解沉积物D的一部分并将其除去。

一般而言，由撞击引起的冲击在撞击开始时大。因此，也可以为，在S401中，第二药液喷嘴51断续地排出第二药液。断续地形成第二药液的液流，断续地产生第二药液的液流与纯水的液流的撞击。断续地产生大的冲击，容易产生液滴。

另外，也可以为，在S401中，加热器55d对排出前的第二药液进行加热。同样地，也可以为，加热器65d对排出前的纯水进行加热。飞散的液滴的温度变高，因此沉积物D的溶解反应得到促进。

接着，在S402中，第二药液喷嘴51向在第一方向RD1旋转的基片DW的上表面DWa的周缘部供给第二药液。在基片DW旋转的过程中在基片DW的周缘部飞散的第二药液的液滴，在基片DW的旋转方向上被运送。

在S401和S402中，基片DW的旋转方向被反转。其结果是，第二药液的液滴的运送方向被反转，向外周壁71的整个周向均等地供给第二药液的液滴。因此，能够从外周壁71的整个周向除去沉积物D。

第二药液喷嘴51的喷射线R3如上述那样，具有朝向第二方向RD2的成分。在S402中，与S401不同，与基片DW的旋转方向相反地供给第二药液。在S402中，与S401相比，第二药液与基片DW的相对速度的大小较大，撞击时的冲击大，因此容易产生液滴。

接着，在S403中，除了移动机构53使第二药液喷嘴51在第七位置与第八位置之间移动这一点以外，进行与S401同样的动作。第七位置是第二药液喷嘴51的喷射线R3到达基片DW的上表面DWa的周缘部的位置。另一方面，第八是第二药液喷嘴51的喷射线R3偏离基片DW的位置。

在S403中，移动机构53可以使第二药液喷嘴51从第七位置移动到第八位置，也可以使第二药液喷嘴51从第八位置移动到第七位置。在第二药液喷嘴51从第八位置移动到第七位置之间，基片W的转速可以变大。无论如何，第二药液喷嘴51的喷射线R3都通过基片DW的周缘。此时，液滴飞散的方向变化。由此，能够向较广范围供给第二药液的液滴。

在第二药液喷嘴51的喷射线R3通过基片DW的周缘时，从第二药液喷嘴51向基片DW的倾斜部DWc供给第二药液。由于倾斜部DWc，而液滴飞散的方向变化。由此，能够向较广范围供给第二药液的液滴。

也可以为，在S403中，移动机构53使第二药液喷嘴51在第七位置与第八位置之间往返。通过第二药液喷嘴51往返，能够向较广范围供给足够量的第二药液的液滴。也可以反复实施第二药液喷嘴51的往返。也可以为，在第二药液喷嘴51在第七位置与第八位置之间往返的情况下，当第二药液喷嘴51到达第八位置时，基片W的旋转方向被反转。

接着，在S404中，保持部2在杯状体7的内部将基片DW水平地保持，并且旋转部3使基片DW在第二方向RD2旋转，中央喷嘴61向基片DW的上表面DWa的中心部供给纯水。S404是与图9所示的S205同样的处理。

接着，在S405～S408中，进行与图9所示的S201～S204同样的处理。

接着，在S409中，保持部2在杯状体7的内部将基片DW水平地保持，旋转部3使基片DW在第一方向RD1旋转，将残留在基片DW的纯水甩掉，使基片DW干燥。之后，输送装置从保持部2收取基片DW，并将其送出到处理容器11的外部。

在本变形例中，中央喷嘴61相当于技术方案中记载第一喷嘴，第一药液喷嘴41相当于技术方案中记载第二喷嘴，第二药液喷嘴51相当于技术方案中记载第三喷嘴。另外，在本变形例中，纯水相当于第一处理液，第一药液相当于第二处理液，第二药液相当于第三处理液。S401～S408的顺序不限定于图15的顺序，例如S401～S404与S405～S408的顺序也可以颠倒。

另外，中央喷嘴61在S401～S403中也可以排出第二药液来代替纯水。在后者的情况下，使第二药液的液流彼此撞击，因此能够抑制第二药液的浓度降低，能够高效地溶解沉积物D。

另外，中央喷嘴61在S405～S407中也可以排出第一药液来代替纯水。在后者的情况下，使第一药液的液流彼此撞击，因此能够抑制第一药液的浓度降低，能够高效地溶解沉积物D。

排出第一药液的中央喷嘴61和排出第二药液的中央喷嘴61也可以分体地设置，以防止由中和反应导致的盐的析出。该情况下，例如，排出第一药液的中央喷嘴61相当于技术方案中记载第一喷嘴，第一药液喷嘴41相当于技术方案中记载第二喷嘴，排出第二药液的中央喷嘴61相当于技术方案中记载第三喷嘴，第二药液喷嘴51相当于技术方案中记载第四喷嘴。另外，该情况下，第一药液相当于第一处理液和第二处理液，第二药液相当于第三处理液和第四处理液。

以上，对本发明的基片处理装置的杯状体的清洗方法和基片处理装置的实施方式等进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式等。在技术方案中记载范畴内，能够进行各种变更、修正、替换、附加、删除和组合。这些当然也属于本发明的技术的范围。

本申请基于2020年5月1日向日本国专利局申请的日本特愿2020-081376号主张优先权，将日本特愿2020-081376号的全部内容援引到本申请。

附图标记说明

1基片处理装置

2保持部

3旋转部

31旋转轴

4液供给单元

41第一药液喷嘴

42第一纯水喷嘴

51第二药液喷嘴

52第二纯水喷嘴

61中央喷嘴

7杯状体

W基片

Wa上表面。

Claims (15)

1.一种基片处理装置的杯状体的清洗方法，其中，所述基片处理装置包括：水平地保持基片的保持部；使所述保持部以铅垂的旋转轴为中心旋转的旋转部；向所述保持部所保持的所述基片的上表面供给液体的液供给单元；和杯状体，其包围所述保持部所保持的所述基片的周缘，承接从所述基片的周缘飞散的所述液体，所述清洗方法的特征在于，具有：

在所述杯状体的内部水平地保持所述基片，并且使所述基片以铅垂的旋转轴为中心在第一方向上旋转的状态下，从第一喷嘴向所述基片的上表面的中心部供给第一处理液，并且从第二喷嘴向所述基片的上表面的周缘部供给第二处理液的步骤；和

在所述第二喷嘴排出所述第二处理液的过程中，使所述第二喷嘴在第一位置与第二位置之间在所述基片的径向上移动的步骤，其中，所述第一位置是所述第二喷嘴的喷射线到达所述基片的上表面的周缘部的位置，所述第二位置是所述第二喷嘴的喷射线偏离所述基片的位置。

2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于：

在使所述第二喷嘴在所述第一位置与所述第二位置之间移动的期间，从所述第二喷嘴向所述基片的倾斜部供给所述第二处理液。

3.根据权利要求1或2所述的清洗方法，其特征在于：

在所述第二喷嘴排出所述第二处理液的过程中，使所述第二喷嘴在所述第一位置与所述第二位置之间往返。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的清洗方法，其特征在于：

在将所述第二喷嘴固定于所述第一位置的状态下，断续地实施由所述第二喷嘴进行的所述第二处理液的排出。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的清洗方法，其特征在于：

具有在使所述基片以所述旋转轴为中心在作为与所述第一方向相反方向的第二方向上旋转的状态下，从所述第一喷嘴向所述基片的上表面的中心部供给所述第一处理液，并且从所述第二喷嘴向所述基片的上表面的周缘部供给所述第二处理液的步骤。

6.根据权利要求5所述的清洗方法，其特征在于：

所述第二喷嘴的喷射线在从上方观察时包含朝向所述基片的径向外侧的成分和朝向所述第一方向的成分。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的清洗方法，其特征在于：

具有对从所述第一喷嘴排出的所述第一处理液进行预加热的步骤。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的清洗方法，其特征在于：

具有对从所述第二喷嘴排出的所述第二处理液进行预加热的步骤。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的清洗方法，其特征在于：

所述第一处理液是纯水或碱性溶液且所述第二处理液是碱性溶液，

或者，所述第一处理液是纯水或酸性溶液且所述第二处理液是酸性溶液，

或者，所述第一处理液和所述第二处理液这两者是纯水。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的清洗方法，其特征在于：

具有在使所述基片以所述旋转轴为中心在作为与所述第一方向相反方向的第二方向上旋转的状态下，从所述第一喷嘴向所述基片的上表面的中心部供给所述第一处理液，并且从第三喷嘴向所述基片的上表面的周缘部供给第三处理液的步骤，

所述第二喷嘴的喷射线在从上方观察时包含朝向所述基片的径向外侧的成分和朝向所述第一方向的成分，

所述第三喷嘴的喷射线在从上方观察时包含朝向所述基片的径向外侧的成分和朝向所述第二方向的成分。

11.根据权利要求10所述的清洗方法，其特征在于：

具有在所述第三喷嘴排出所述第三处理液的过程中，使所述第三喷嘴在所述第三喷嘴的喷射线到达所述基片的上表面的周缘部的位置与所述第三喷嘴的喷射线偏离所述基片的位置之间，在所述基片的径向上移动的步骤。

12.根据权利要求10或11所述的清洗方法，其特征在于：

具有在使所述基片以所述旋转轴为中心在所述第一方向上旋转的状态下，从所述第一喷嘴向所述基片的上表面的中心部供给所述第一处理液，并且从所述第三喷嘴向所述基片的上表面的周缘部供给所述第三处理液的步骤。

13.根据权利要求10～12中任一项所述的清洗方法，其特征在于：

所述第一处理液是纯水，所述第二处理液和所述第三处理液中的一者是碱性溶液，且所述第二处理液和所述第三处理液中的另一者是酸性溶液，

或者，所述第一处理液、所述第二处理液和所述第三处理液全部是纯水。

14.根据权利要求1～9中任一项所述的清洗方法，其特征在于：

具有在使所述基片以所述旋转轴为中心在作为与所述第一方向相反方向的第二方向上旋转的状态下，从第三喷嘴向所述基片的上表面的中心部供给第三处理液，并且从第四喷嘴向所述基片的上表面的周缘部供给第四处理液的步骤，

所述第二喷嘴的喷射线在从上方观察时包含朝向所述基片的径向外侧的成分和朝向所述第一方向的成分，

所述第四喷嘴的喷射线在从上方观察时包含朝向所述基片的径向外侧的成分和朝向所述第二方向的成分，

所述第一处理液和所述第二处理液这两者是碱性溶液，且所述第三处理液和所述第四处理液这两者是酸性溶液，

或者，所述第一处理液和所述第二处理液这两者是酸性溶液，且所述第三处理液和所述第四处理液这两者是碱性溶液。

15.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

水平地保持基片的保持部；

使所述保持部以铅垂的旋转轴为中心旋转的旋转部；

向所述保持部所保持的所述基片的上表面供给液体的液供给单元；

杯状体，其包围所述保持部所保持的所述基片的周缘，承接从所述基片的周缘飞散的所述液体；以及

控制所述旋转部和所述液供给单元的控制部，

所述液供给单元具有：向所述基片的上表面的中心部供给第一处理液的第一喷嘴；向所述基片的上表面的周缘部供给第二处理液的第二喷嘴；和使所述第二喷嘴在所述基片的径向上移动的移动机构，

所述控制部实施：

在所述杯状体的内部水平地保持所述基片，并且使所述基片以铅垂的旋转轴为中心在第一方向上旋转的状态下，从所述第一喷嘴向所述基片的上表面的中心部供给所述第一处理液，并且从所述第二喷嘴向所述基片的上表面的周缘部供给所述第二处理液的处理；和

在所述第二喷嘴排出所述第二处理液的过程中，使所述第二喷嘴在第一位置与第二位置之间在所述基片的径向上移动的处理，其中，所述第一位置是所述第二喷嘴的喷射线到达所述基片的上表面的周缘部的位置，所述第二位置是所述第二喷嘴的喷射线偏离所述基片的位置。

Images