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CN115176203A - 衬底支撑件和衬底台 - Google Patents

衬底支撑件和衬底台 Download PDF

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CN115176203A
CN115176203A CN202180015881.2A CN202180015881A CN115176203A CN 115176203 A CN115176203 A CN 115176203A CN 202180015881 A CN202180015881 A CN 202180015881A CN 115176203 A CN115176203 A CN 115176203A
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C·H·M·伯尔蒂斯
N·坦凯特
M·M·P·A·沃姆伦
S·A·特姆普
F·P·A·范德别尔克莫特尔
N·J·J·罗塞
G·克拉默
N·P·M·布兰吉斯
M·T·J·芳廷
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ASML Holding NV
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Abstract

一种用于在光刻设备中支撑衬底的衬底支撑件,该衬底支撑件包括:第一支撑体,该第一支撑体被配置成支撑衬底;主本体,该主本体与第一支撑体分离,并且被配置成支撑第一支撑体,主本体包括热调节器,该热调节器被配置成热调节主本体和/或第一支撑体和/或衬底;以及提取件本体,该提取件本体围绕主本体和支撑体,其中提取件本体包括第一提取通道,该第一提取通道被配置成从衬底的周边部分的附近提取流体。

Description

衬底支撑件和衬底台
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年2月24日提交的EP申请20158919.9的优先权和2020年3月17日提交的EP申请20163571.1的优先权,该申请通过引用整体并入本文。
技术领域
本发明涉及用于在光刻设备中支撑衬底的衬底支撑件、衬底台、用于支撑衬底的方法、以及器件制造方法。
背景技术
光刻设备是一种被构造成将所需图案应用于衬底上的机器。例如,光刻设备可用于制造集成电路(IC)。例如,光刻设备可将图案形成装置(例如掩模)的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。已知的光刻设备包括:所谓的步进器,其中通过一次性将整个图案曝光至目标部分上来照射每个目标部分;和所谓的扫描器,其中通过在给定方向(“扫描”方向)上经由辐射束来扫描实施图案而同时平行于或反向平行于此方向来同步地扫描实施衬底来照射每个目标部分。
随着半导体制造过程的持续进步,电路元件的尺寸已持续不断地减小,而每个器件的功能元件(诸如晶体管)的数量几十年来一直在稳步地增加,所遵循的趋势通常被称为“摩尔定律”。为了跟上摩尔定律,半导体行业一直在追求能够创建越来越小特性的技术。为了在衬底上投影图案,光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定了在所述衬底上图案化的特征的最小尺寸。目前使用的典型波长为365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。
可以通过在曝光期间在衬底上提供具有相对高折射率的浸没流体(诸如水)来实现较小特征的分辨率的进一步提高。浸没流体的效应是使得能够对较小特征进行成像,这是因为曝光辐射在流体中相比于在气体中将具有更短的波长。浸没流体的效应也可以被视为增加所述系统的有效数值孔径(NA)并且也增加焦深。
浸没流体可以通过流体处置结构而被限制至光刻设备的投影系统与衬底之间的局部区域。衬底与受限制的浸没液体之间的快速相对移动可能使浸没流体从局部区域泄漏。这种泄漏是不期望的并且可能引起衬底上的缺陷。衬底相对于投影系统而被步进或扫描的速度因而是有限的。这限制了光刻设备的吞吐量。
发明内容
在半导体制造过程期间,衬底被支撑在衬底支撑件上。随着时间,衬底支撑件会磨损并且需要更换。本发明的目的是提供一种衬底支撑件,其所进行的维护更便宜,并且减少了当它磨损时维修它所需的停工时间长度。
根据本发明,提供了一种用于在光刻设备中支撑衬底的衬底支撑件,该衬底支撑件包括:
第一支撑体,该第一支撑体被配置成支撑衬底;
主本体,该主本体与第一支撑体分离,并且被配置成支撑第一支撑体,主本体包括热调节器,该热调节器被配置成热调节主本体和/或支撑体和/或衬底;以及
提取件本体,该提取件本体围绕主本体和支撑体,其中提取件本体包括第一提取通道,该第一提取通道被配置成从衬底的周边部分的附近提取流体。
根据本发明,还提供了一种衬底台,该衬底台包括:衬底平台;以及衬底支撑件。
根据本发明,还提供了一种用于将光刻设备中的衬底支撑在衬底支撑件上的方法,该方法包括:
将衬底支撑在衬底支撑件的第一支撑体上;
将第一支撑体支撑在与第一支撑体分离的主本体上;
利用主本体的热调节器来热调节主本体和/或支撑体和/或衬底;并且
通过围绕主本体和支撑体的提取件本体的第一提取通道,从衬底的周边部分的附近提取流体。
根据本发明,还提供了一种更换用于在光刻设备中支撑衬底的衬底支撑件的第一支撑体的方法,该方法包括:
将载体板连接至第一支撑体,使得载体板覆盖在第一支撑体的厚度方向上延伸通过第一支撑体的销孔;
使多个销延伸通过相应的销孔,使得销以它们的端部支撑载体板,其中销延伸通过衬底支撑件的在第一支撑体下方的主本体;并且
控制销的移动,以便将第一支撑体下降到主本体上,或者使第一支撑体上升而远离主本体。
根据本发明,还提供了一种使用光刻设备的器件制造方法,该方法包括:
在利用衬底支撑件支撑衬底时,将由图案形成装置图案化的束投影到衬底上;并且
执行用于在光刻设备中支撑衬底的方法,或者更换用于在光刻设备中支撑衬底的衬底支撑件的第一支撑体的方法。
下面参考附图详细描述了本发明的其他实施例、特征和优点,以及本发明的各个实施例的结构和操作、特征和优点。
附图说明
现在将仅通过示例的方式,参考所附的示意图来描述本发明的实施例,其中相应的附图标记指示相应的部件,在附图中:
图1描绘了光刻设备的示意性概略图;
图2和图3描绘了用于光刻投影设备的流体处置系统的两种不同形式的横截面;
图4描绘了光刻设备的部分;
图5描绘了根据本发明的实施例的衬底支撑件;
图6描绘了根据对照例的衬底支撑件;
图7至图11描绘了根据本发明的衬底支撑件的不同形式;
图12和图13描绘了用于本发明的实施例的高度调节机构的不同形式;
图14是根据本发明的实施例的耦接到第一支撑体的载体板的示意性横截面图;
图15是根据本发明的实施例的下降到主本体上的图14所示的组件的示意性横截面图;
图16是与图14和图15中所示的第一支撑体分离的载体板的示意性横截面图;
图17是根据本发明的实施例的连接到第一支撑体的载体板的示意性横截面图;
图18是根据本发明的实施例的连接到第一支撑体的载体板的示意性横截面图;
图19是根据本发明的实施例的连接到第一支撑体的载体板的示意性横截面图;
图20是根据本发明的实施例的用于将载体板连接到第一支撑体的机构的示意性横截面图;
图21是从图20所示的第一支撑体分离载体板的过程的部分的示意性横截面图;
图22是与图20中所示的第一支撑体分离的载体板的示意性横截面图;
图23是根据本发明的实施例的用于将载体板连接到第一支撑体的机构的示意性横截面图;
图24是从图23所示的第一支撑体分离载体板的过程的部分的示意性横截面图;
图25是与图23所示的第一支撑体分离的载体板的示意性横截面图;
图26是根据本发明的实施例的第一支撑体的示意性平面图;
图27是根据本发明的实施例的被夹持以进行处理的第一支撑体的示意性平面图;以及
图28是根据本发明的实施例的被夹持以进行处理的第一支撑体的示意性平面图。
附图中所示的特征不一定按比例绘制,并且所描绘的大小和/或布置不是限制性的。应当理解,附图包括对于本发明可能不是必需的可选特征。此外,并非在每个附图中都描绘了设备的所有特征,且这些附图可能仅示出了与描述特定特征相关的一些部件。
具体实施方式
在本文档中,术语“辐射”和“束”用于涵盖所有类型的电磁辐射,包括紫外辐射(例如,具有365、248、193、157或126nm的波长)。
本文中使用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可被广义地解释为指可用于向入射辐射束赋予经图案化横截面的通用图案形成装置,所述经图案化横截面对应于待在衬底的目标部分中创建的图案。术语“光阀”也可用于此情境。除了经典的掩模(透射式或反射式掩模、二元掩模、相移掩模、混合掩模等)之外,其它此类图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。
图1示意性地描绘了光刻设备。光刻设备包括:照射系统(也被称作照射器)IL,其被配置成调节辐射束B(例如,UV辐射或DUV辐射);掩模支撑件(例如,掩模台)MT,其被构造成支撑图案形成装置(例如,掩模)MA,且连接至被配置成根据某些参数来准确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM;衬底支撑件(例如,衬底台)WT,其被构造成保持衬底(例如,涂覆有抗蚀剂的晶片)W,且连接至被配置成根据某些参数而准确地定位衬底支撑件WT的第二定位装置PW;和投影系统(例如,折射投影透镜系统)PS,其被配置成将由图案形成装置MA赋予至辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分C(例如,包括一个或更多个管芯)上。
在操作中,照射系统IL例如经由束传递系统BD从辐射源SO接收辐射束B。照射系统IL可包括用于导向、成形和/或控制辐射的各种类型的光学部件,诸如折射式、反射式、磁性式、电磁式、静电式和/或其他类型的光学部件,或其任何组合。照射器IL可用以调节辐射束B,以在图案形成装置MA的平面处在其横截面中具有所需空间和角强度分布。
本文中所使用的术语“投影系统”PS应被广义地解释为涵盖各种类型的投影系统,包括折射式、反射式、折射反射式、变形式、磁性式、电磁式和/或静电式光学系统,或其任何组合,视情况而定,适用于所使用的曝光辐射,和/或其他因素,诸如浸没液体的使用或真空的使用。可认为本文中对术语“投影透镜”的任何使用均与更一般术语“投影系统”PS同义。
光刻设备属于如下类型:衬底的至少一部分可由具有相对高折射率的浸没液体(例如水)覆盖,以便填充介于投影系统PS与衬底W之间的浸没空间11,这也被称作浸没光刻。以引用方式并入本公开中的US6,952,253中给出关于浸没技术的更多信息。
光刻设备可以是具有两个或更多个衬底支撑件WT(也称为“双台”)的类型。在这种“多台”机器中,可并行地使用衬底支撑件WT,和/或可对位于衬底支撑件WT中之一上的衬底W进行准备衬底W的后续曝光的步骤,而同时将另一衬底支撑件WT上的另一衬底W用于在另一衬底W上曝光图案。
除了衬底支撑件WT以外,光刻设备可包括测量台(附图中未描绘)。测量台被布置成保持传感器和/或清洁装置。传感器可布置成测量投影系统PS的性质或辐射束B的性质。测量台可保持多个传感器。清洁装置可被布置用以清洁光刻设备的一部分,例如投影系统PS的一部分或提供浸没液体的系统的一部分。测量台可在衬底支撑件WT远离投影系统PS时在投影系统PS下方移动。
在操作中,辐射束B入射到被保持在掩模支撑件MT上的图案形成装置(例如掩模MA)上,且由图案形成装置MA上存在的图案(设计布局)图案化。在已穿越整个掩模MA的情况下,辐射束B传递通过投影系统PS,投影系统PS将所述束聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二定位装置PW和位置测量系统IF,可准确地移动衬底支撑件WT,例如以便在聚焦且对准的位置处在辐射束B的路径中定位不同目标部分C。相似地,第一定位装置PM和可能另一位置传感器(其未在图1中明确地描绘)可用以相对于辐射束B的路径来准确地定位图案形成装置MA。可使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管如所图示的衬底对准标记P1、P2占据专用目标部分,但衬底对准标记P1、P2可位于目标部分之间的空间中。当衬底对准标记P1、P2位于目标部分C之间时,衬底对准标记P1、P2被称为划道对准标记。
为了清楚阐明本发明,使用笛卡尔(Cartesian)坐标系。笛卡尔坐标系具有三个轴,即,x轴、y轴和z轴。所述三个轴中的每个与其他两个轴正交。围绕x轴的旋转被称作Rx旋转。围绕y轴的旋转被称作Ry旋转。围绕z轴的旋转被称作Rz旋转。x轴和y轴限定水平平面,而z轴在竖直方向上。笛卡尔坐标系不限制本发明,而仅用于说明。替代地,另一种坐标系(诸如圆柱形坐标系)可用于阐明本发明。笛卡尔坐标系的定向可以不同,例如,使得z轴具有沿水平平面的分量。
浸没技术已经被引入至光刻系统中以能实现更小特征的改进的分辨率。在浸没光刻设备中,具有相对高折射率的浸没液体的液体层被插置在介于设备的投影系统PS(通过该投影系统,经图案化的束被投影到衬底W)与衬底W之间的浸没空间11中。浸没液体覆盖了衬底W的在投影系统PS的最终元件下的至少部分。因而,衬底W的正在经历曝光的至少部分被浸没于浸没液体中。
在商用浸没光刻中,浸没液体是水。通常,水是高纯度的蒸馏水,诸如通常用于半导体制造厂中的超纯水(UPW)。在浸没系统中,UPW常常被提纯且其可在作为浸没液体而供应至浸没空间11之前经历附加的处理步骤。除了水之外,也可使用具有高折射率的其他液体作为浸没液体,例如:烃(诸如氟代烃);和/或水溶液。此外,已设想将除了液体以外的其他流体用于浸没光刻。
在此说明书中,将在说明中提及局部化浸没,其中浸没液体在使用中被限制在介于最终元件与面对最终元件的表面之间的浸没空间11。面对表面是衬底W的表面,或与衬底W的表面共面的支撑台(或衬底支撑件WT)的表面。(请注意,在下文中对于衬底W的表面的提及也另外或替代地指的是衬底支撑件WT的表面,除非另外明确说明,反之亦然)。投影系统PS与衬底支撑件WT之间的流体处置结构IH用以将浸没液体限制在浸没空间11。由浸没液体填充的浸没空间11在平面上小于衬底W的顶部表面,并且浸没空间11相对于投影系统PS保持基本上静止,同时衬底W和衬底支撑件WT在下面移动。
已设想了其他浸没系统,诸如非限制浸没系统(所谓的“全湿润式”浸没系统)和浴器浸没系统。在非限制浸没系统中,浸没液覆盖范围大于最终元件下方的表面。在浸没空间11外部的液体是作为薄液体膜而存在。液体可覆盖衬底W的整个表面,或甚至衬底W和与衬底W共面的衬底支撑件WT。在浴器式系统中,衬底W被完全浸没于浸没液体的浴器中。
流体处置结构IH是以下结构:其将浸没液体供应至浸没空间11、从浸没空间11去除浸没液体,且由此将浸没液体限制在浸没空间11中。其包括作为流体供应系统的部分的多个特征。公开号为WO99/49504的PCT专利申请中披露的布置是早期的流体处置结构,其包括管道,所述管道供应浸没液体至浸没空间11,或从浸没空间11回收浸没液体,且其依赖于投影系统PS下方的台的相对移动而操作。在最新近设计中,流体处置结构沿着介于投影系统PS的最终元件与衬底支撑件WT或衬底W之间的浸没空间11的边界的至少一部分延伸,以便部分地限定浸没空间11。
流体处置结构IH可具有一系列不同功能。每个功能可来源于使得流体处置结构IH能够实现所述功能的对应特征。流体处置结构IH可由许多不同术语来指代,每个术语指代一功能,诸如阻挡构件、密封构件、流体供应系统、流体去除系统、液体限制结构,等等。
作为阻挡构件,流体处置结构IH是对来自浸没空间11的浸没液体的流动的阻挡件。作为液体限制结构,所述结构将浸没液体限制在浸没空间11中。作为密封构件,流体处置结构IH的密封特征形成密封以将浸没液体限制浸没空间11中。密封特征可包括来自密封构件的表面中的开口的附加气体流(诸如气刀)。
在一个实施例中,流体处置结构IH可供应浸没流体,且因此是流体供应系统。
在一个实施例中,流体处置结构IH可至少部分地限制浸没流体,并因此是流体限制系统。
在一个实施例中,流体处置结构IH可提供对浸没流体的阻挡件,并因此是阻挡构件,诸如流体限制结构。
在一个实施例中,流体处置结构IH可创建或使用气体流,例如以帮助控制浸没流体的流动和/或位置。
气体流可形成密封以限制浸没流体,因此,流体处置结构IH可被称作密封构件;此密封构件可以是流体限制结构。
在一个实施例中,浸没液体用作浸没流体。在该情况下,流体处置结构IH可以是液体处置系统。在参考前述描述的情况下,在此段中针对相对于流体所限定的特征的提及可被理解为包括相对于液体所限定的特征。
光刻设备具有投影系统PS。在衬底W的曝光期间,投影系统PS将经图案化的辐射束投影至衬底W上。为了到达衬底W,辐射束B的路径从投影系统PS通过浸没液体,所述浸没液体由位于投影系统PS与衬底W之间的流体处置结构IH限制。投影系统PS具有与浸没液体接触的透镜元件,其是在束的路径中的最末元件。与浸没液体接触的此透镜元件可被称作“最末透镜元件”或“最终元件”。最终元件至少部分地由流体处置结构IH围绕。流体处置结构IH可将浸没液体限制在最终元件的下方和所面对表面的上方。
如图1中所描述的,在一个实施例中,光刻设备包括控制器500。控制器500被配置成控制衬底台WT。
图2示意性地描绘了局部液体供应系统或流体处置系统。液体供应系统设置有流体处置结构IH(或液体限制结构),所述结构在投影系统PS的最终元件与支撑台WT或衬底W之间、沿着空间11的边界的至少一部分延伸。流体处置结构IH在XY平面中相对于投影系统PS基本固定,而在Z方向上(光轴方向上)可能存在一些相对移动。在示例中,密封被形成在流体处置结构IH和衬底W的表面之间,并且可以是非接触式密封,诸如气体密封(在EP1,420,298中公开了具有气体密封的这种系统)或液封。
流体处置结构IH至少部分地将浸没液体限制在投影系统PS的最终元件与衬底W之间的空间11中。空间11至少部分地由定位在投影系统PS的最终元件下方并围绕所述最终元件的流体处置结构IH形成。浸没液体被引入到投影系统PS下方的空间11中,并且通过液体开口13中的一个而被引入流体处置结构IH内。浸没液体可以通过另一个液体开口13而去除。浸没液体可以通过至少两个液体开口13而引入空间11。使用液体开口13中的哪个来供应浸没液体,并且可选地使用哪个来去除浸没液体可以取决于支撑台WT的移动方向。
浸没液体可以通过非接触式密封(诸如气体密封16,其由在使用期间形成在流体处置结构IH的底部和衬底W的表面之间的气体形成)而被限制在空间11中。气体密封16中的气体在压力下经由入口15而提供至流体处置结构IH与衬底W之间的间隙。经由出口14提取所述气体。气体入口15上的过压、出口14上的真空水平、以及间隙的几何形状被布置成使得,存在向内流动的、限制浸没液体的高速气流。这种系统被公开在US 2004/0207824中,其通过引用整体并入本文。在示例中,流体处置结构IH不具有气体密封16。
图3是描绘根据实施例的其他液体供应系统或流体处置系统的侧向横截面图。图3所示和下文所描述的布置可以应用于上述和图1所示的光刻设备。液体供应系统设置有流体处置结构IH(或液体限制结构),所述结构在投影系统PS的最终元件与支撑台WT或衬底W之间、沿着空间11的边界的至少一部分延伸。
流体处置结构IH至少部分地将浸没液体限制在投影系统PS的最终元件和衬底W之间的空间11中。空间11至少部分地由位于投影系统PS的最终元件下方并且围绕所述最终元件的流体处置结构IH形成。在示例中,流体处置结构IH包括主本体构件53和多孔构件33。多孔构件33是板状的并且具有多个孔(即,开口或小孔)。在一个实施例中多孔构件33是网状板,其中在网中形成多个小孔84。这种系统被公开在US2010/0045949A1中,其通过引用整体并入本文。
主本体构件53包括能够向空间11供应浸没液体的供应口72,以及能够从空间11回收浸没液体的回收口73。供应口72经由通路74连接到液体供应设备75。液体供应设备75能够通过相应的通路74将浸没液体供应到供应口72。回收口73能够从空间11回收浸没液体。回收口73经由通路79连接至液体回收设备80。液体回收设备80通过通路29回收经由回收口73回收的浸没液体。多孔构件33被设置在回收口73中。执行使用供应口72的液体供应操作和使用多孔构件33的液体回收操作使得在投影系统PS和流体处置结构IH的一侧与衬底W的另一侧之间形成空间11。
图4示出了用于理解本发明实施例的光刻设备的部分。图4所示和下文所描述的布置可以应用于上述图1所示的光刻设备。图4是穿过衬底支撑件20和衬底W的横截面。在一个实施例中,衬底支撑件20包括热调节器60的一个或多个调节通道61,这将在下面更详细地描述。在衬底W的边缘与衬底支撑件20的边缘之间存在间隙5。当衬底W的边缘被成像时,或者在其它时间(诸如当衬底W开始在投影系统PS下方移动时(如上所述)),被(例如)流体处置结构IH填充液体的浸没空间11将至少部分地经过衬底W的边缘与衬底支撑件20的边缘之间的间隙5。这可以使得液体从浸没空间11进入间隙5。
衬底W由包括一个或多个突起41(即,突节)的第一支撑体21(例如,丘状台或突节台)保持。第一支撑体21是物体保持件的示例。物体保持件的另一示例是掩模保持件。施加在衬底W和衬底支撑件20之间的负压有助于确保衬底W被固定地保持在合适位置。然而,如果浸没液体进入衬底W和第一支撑体21之间,这可能导致特别是当卸载衬底W时存在困难。
为了处理进入该间隙5的浸没液体,至少一个排液部10、12被设置在衬底W的边缘处,以去除进入间隙5的浸没液体。在图4的实施例中,示出了两个排液部10、12,但是可以仅存在一个排液部或者可以存在多于两个排液部。在一个实施例中,排液部10、12中的每一个都是环形的,使得衬底W的整个外周被包围。
第一排液部10(其在衬底W/第一支撑体21的边缘的径向外侧)的主要功能是有助于防止气泡进入浸没空间11,其中流体处置结构IH的液体存在于浸没空间11中。这种气泡可能不利地影响衬底W的成像。设置第一排液部10有助于避免间隙5中的气体逸出到流体处置结构IH中的浸没空间11中。如果气体逸出到浸没空间11中,则这可能导致存在在浸没空间11内漂浮的气泡。如果这种气泡在投影束的路径中,则这种气泡可能导致成像误差。第一排液部10被配置成从衬底W的边缘与衬底支撑件20中的、其中放置有衬底W的凹部的边缘之间的间隙5去除气体。衬底支撑件20中的凹部的边缘可以由盖环101限定,盖环101可选地与衬底支撑件20的第一支撑体21分离。盖环101可以在平面中被成形为环形并且围绕衬底W的外边缘。第一排液部10提取大部分气体和仅少量的浸没液体。
第二排液部12(其在衬底W/第一支撑体21的边缘的径向内侧)被设置成有助于防止从间隙5来到衬底W下面的液体阻止在成像之后从衬底台WT有效释放衬底W。设置第二排液部12减少或消除了由于液体来到衬底W下面而可能发生的任何问题。
如图4所示,在一个实施例中,光刻设备包括用于使两相流从中通过的第一提取通道102。第一提取通道102形成于块内。第一排液部10和第二排液部12各自设置有相应的开口107、117和相应的提取通道102、113。提取通道102、113通过各自的通路103、114与相应的开口107、117流体连通。
如图4所示,盖环101具有上表面。该上表面绕第一支撑体21上的衬底W周向延伸。在光刻设备的使用中,流体处置结构IH相对于衬底支撑件20移动。在所述相对移动期间,流体处置结构IH跨盖环101与衬底W之间的间隙5移动。在一个实施例中,所述相对移动是由在流体处置结构IH下方移动的衬底支撑件20引起。在替代实施例中,所述相对移动是由在衬底支撑件20上方移动的流体处置结构IH引起。在其他替代实施例中,所述相对移动是由在流体处置结构IH下方的衬底支撑件20的移动以及在衬底支撑件20上方的流体处置结构IH的移动两者来提供。在以下描述中,流体处置结构IH的移动将用于表示流体处置结构IH相对于衬底支撑件20的相对移动。
图5是根据本发明实施例的衬底支撑件20的示意图。衬底支撑件20用于在光刻设备(诸如图1所示的光刻设备)中支撑衬底W。在曝光过程期间,衬底W被支撑在衬底支撑件20上。在曝光过程之间,可以更换衬底支撑件20上的衬底W。在此期间,衬底支撑件20可以不具有被支撑在其上的任何衬底W。
如图5所示,在一个实施例中,衬底支撑件20包括第一支撑体21。第一支撑体21被配置成支撑衬底W。当衬底W由衬底支撑件20支撑时,衬底W与第一支撑体21直接接触。第一支撑体21是衬底支撑件20的物理地支撑衬底W的下侧的部分。如图5所示,在一个实施例中,第一支撑体21包括多个突节41。突节41的远端形成了支撑衬底W的下侧的平面。衬底W的下侧与突节41的远端接触。突节41在第一支撑体21的上侧处。
如图5所示,在一个实施例中,在衬底W的下侧与第一支撑体21的上侧处的(突节41之间的)基部表面之间存在空间42。在一个实施例中,衬底支撑件20包括被配置成将衬底W保持在第一支撑体21上的夹具。例如,如图5所示,在一个实施例中,衬底支撑件20包括夹具,所述夹具包括夹具通道43。夹具通道43被配置成从衬底W与第一支撑体21之间的空间42提取气体。夹具通道43与空间42流体连通。如图5所示,在一个实施例中,夹具通道43经由一个或多个夹具通路44与空间42流体连通。在一个实施例中,夹具通道43具有围绕衬底支撑件20的中心的环形形状。夹具通道43周向地延伸。在一个实施例中,多个夹具通路44竖直地延伸以将夹具通道43连接到空间42。
如图5所示,在一个实施例中,衬底支撑件20包括主本体22。主本体22与第一支撑体21分离。第一支撑体21可以在实质上不损坏主本体22的情况下与主本体22分离。第一支撑体21可以被从主本体22被移除,并且可以被放置回到主本体22上。主本体22被配置成支撑第一支撑体21。
在衬底支撑件20的使用期间,衬底支撑件20会经受磨损和撕划。例如,突节41的远端随时间而磨损。当突节41被磨损时,可以更换第一支撑体21,而不必更换整个衬底支撑件20。例如,可以更换第一支撑体21,而不必更换主本体22。在一个实施例中,从主本体22移除第一支撑体21。然后,将更换的第一支撑体21定位在主本体22上。然后,使用更换的第一支撑体21继续曝光过程。本发明的实施例预期会降低保持衬底支撑件20的可用性的成本。
相比于更换整个衬底支撑件20,更换第一支撑体21可以更快。本发明的实施例预期会减少为了保持衬底支撑件20所需的光刻设备的停工时间。
如图5所示,在一个实施例中,主本体22包括热调节器60。在一个实施例中,热调节器60被配置成热调节主本体22。附加地或可选地,热调节器60被配置成热调节第一支撑体21。附加地或可选地,热调节器60被配置成热调节衬底W。通过热调节主本体22和/或第一支撑体21和/或衬底W,可以控制温度曲线或轮廓。特别地,可以减少由热波动引起的变形。通过减少变形,可以提高曝光过程的准确度。
热调节器60进行热调节的方式没有特别限制。仅作为示例,如图5所示,在一个实施例中,热调节器60包括一个或多个调节通道61。调节通道61可以延伸通过主本体22。在一个实施例中,调节通道61包含流体(例如,气体和/或液体)。
如图1所示,在一个实施例中,光刻设备包括控制器500。在一个实施例中,控制器500被配置成控制通过一个或多个调节通道61的流或流体。在一个实施例中,控制器500被配置成控制通过调节通道61的流体流,以便控制目标本体((例如,主本体22、第一支撑体21和/或衬底W)的温度分布。
如图5所示,在一个实施例中,热调节器60包括一个或多个传感器62。在一个实施例中,传感器62被附接到主本体22或嵌入主本体22中。在一个实施例中,传感器62是温度传感器。在一个实施例中,传感器62可以被配置成感测在调节通道61中流动的流体的温度。在一个实施例中,多个传感器62被设置在沿着调节通道61的不同位置处,以便检测整个调节通道61的温度分布。
如图5所示,在一个实施例中,热调节器60包括一个或多个加热器63。如图5所示,在一个实施例中,加热器63被附接在主本体22的下侧。然而,加热器63可以定位在主本体22或第一支撑体21的其他表面处。附加地或可选地,传感器可以设置在主本体22和/或第一支撑体21的表面处。在一个实施例中,控制器500被配置成从传感器62接收信号,并且随后控制加热器63和/或通过调节通道61的流体流。
在衬底支撑件20中,由第一支撑体21执行物理支撑(并且夹持)衬底W的功能。同时,由主本体22执行热调节的功能。第一支撑体21与主本体22分离。支撑衬底W的功能和热稳定的功能被分离到不同的部件。当一个功能失效(或者不再实现所需标准)时,则可以更换相应部件,而无需更换其他部件。本发明的实施例预期会使得更容易保持衬底支撑件20,使得由衬底支撑件20执行的功能达到所需标准。
如图5所示,在一个实施例中,衬底支撑件20包括提取件本体100。提取件本体100围绕主本体22和第一支撑体21。提取件本体100在主本体22和第一支撑体21的径向外侧。如图5所示,在一个实施例中,提取件本体100被设置在与主本体22分离的部件中。然而,不是必须将提取件本体100与主本体22和第一支撑体21分离。如下面将更详细描述的,提取件本体100可以是与主本体22相同的部件的部分。在这样的实施例中,在不更换主本体22的情况下,无法更换提取件本体100(反之亦然)。在一个实施例中,例如,如图7至图10所示,提取件本体100是与主本体22相同的部件的部分。提取件本体100可以与主本体22一体形成。提取件本体100和主本体22一起形成为一个部件。提取件本体100和主本体22不能彼此分离。在替代实施例中,提取件本体100与衬底平台26一体形成。
如图5所示,在一个实施例中,提取件本体100包括第一提取通道102。在一个实施例中,提取件本体100包括上述的第一排液部10。第一提取通道102被配置成从衬底W的外周部分附近提取流体。如图5所示,在一个实施例中,第一提取通道102被配置成从衬底W的外周边缘的径向外侧提取流体。第一提取通道102被配置成去除气泡,否则所述气泡可能存在于光刻设备所使用的浸没液体中。例如,第一提取通道102通过减少气泡和/或通过减少水印的产生而有助于减少图像缺陷。
如上文所解释的,提取件本体100被配置成减少缺陷问题。由提取件本体100执行的功能可以不同于由第一支撑体21和主本体22执行的功能。当一个功能失效时,或者不再实现所需标准时,可以更换相应的部件(例如,提取件本体100或第一支撑体21或主本体22),而无需更换衬底支撑件20的其他部件。
图6示意性地描绘根据对照示例的衬底支撑件20。在图6所示的对照示例中,支撑(和夹持)衬底W的功能以及热调节衬底W的功能在相同部件中执行。因此,当突节41的尖端磨损时,必须更换包括热调节器60和支撑衬底W的突节41两者的整个主本体22。即使例如热调节器60仍然处于良好状态并且不需要更换,这也是必要的。
如图5所示,在一个实施例中,设置密封构件27来密封衬底支撑件20和支撑衬底支撑件20的衬底平台(stage)26之间的间隙。在图6所示的对照例中,当更换衬底支撑件20时,也必须移除和更换密封构件27。与之不同,在图5所示的实施例中,在第一支撑体21和/或主本体22被更换时,提取件本体100和密封构件27可以保持在原位。类似地,在提取件本体100是与主本体22相同的部件的部分的实施例中,在第一支撑体21被更换时,提取件本体100和密封构件27可以保持在原位。本发明的实施例预期会减少保持衬底支撑件20所需的时间。
如图5所示,在一个实施例中,衬底支撑件20包括第二支撑体23。第二支撑体23与主本体22分离。第二支撑体23被配置成将主本体22支撑在衬底平台26上。在一个实施例中,主本体22与第二支撑体23物理接触。例如,在一个实施例中,主本体22的下侧被支撑在第二支撑体23的顶部上。第二支撑体23被撑在衬底平台26上。
如图5所示,在一个实施例中,第二支撑体23包括多个突节91。在一个实施例中,第二支撑体23的突节91比第一支撑体21的突节41更长。突节91在第二支撑体23的下侧突出。这些突节91朝向衬底平台26延伸,并且由衬底平台26支撑。在一个实施例中,第二支撑体23被配置成减少衬底支撑件20和衬底平台26之间的相对移动。第二支撑体23被配置成减少衬底支撑件20和衬底平台26之间的滑动。在光刻设备的使用期间,衬底平台20可能具有高的加速度。如果衬底支撑件20相对于衬底平台26滑动,则这可能导致不期望的重叠误差。突节91被配置成相对于衬底平台26进行夹持,以便减少衬底支撑件20相对于衬底平台26的滑动。
第二支撑体23可以在不损坏主本体22或第二支撑体23的情况下与主本体22物理地分离。可以更换主本体22和第二支撑体23中的主本体22或者第二支撑体23,而无需更换另一个。例如,如果第二支撑体23的防滑功能不再实现所需标准,则可以更换第二支撑体23,而无需更换主本体22。本发明的实施例预期会降低保持衬底支撑件20的成本。
在另一示例中,如果例如需要更换热调节器60,则可以更换主本体22。可以在不更换(或甚至基本上不移动)第二支撑体23的情况下,来更换主本体22。本发明的实施例预期会降低保持衬底支撑件20的成本。
然而,衬底支撑件20不是必须包括这种第二支撑体23。例如,如图7至图12所示,减少衬底支撑件20相对于衬底平台26的滑动的功能可以由主本体22执行。突节91可以设置在主本体22的底部。
如图5和图7所示,例如,在一个实施例中,主本体22在其上侧包括多个突节65。突节65具有处于一个平面的远端。突节65被配置成支撑第一支撑体21。通过设置主本体22的上侧的突节65,使第一支撑体21的结构保持简单。第一支撑体21的下侧可以是平坦的并且基本上无特征。第一支撑体的上侧包括用于支撑衬底W的突节41。本发明的实施例预期会使得更便宜地制造夹持衬底W的部件。
另外地,如图5以及图8至图10所示,例如,在一个实施例中,第一支撑体21包括多个密封突起46。密封突起46在第一支撑体21的上侧突出。密封突起46短于突节41。密封突起46不与衬底W接触。在密封突起46的顶部和衬底W的下侧之间存在小的间隙。在一个实施例中,密封突起46围绕第一支撑体21周向延伸,即密封突起46形成相应的环。密封突起46被配置成减少跨过密封突起46流动的流体的量。
然而,主本体22不是必须设置有突节65。例如,在图8所示的替代实施例中,第一支撑体21在其最底侧包括多个突节47。突节47具有处于一个平面的远端。突节47被配置成接触主本体22的上侧。如图8所示,代替突节65被设置在主本体22上,可以在第一支撑体21的底侧设置不同的一组突节47。在使用期间,可能的是,突节41、47在衬底支撑件20的其他部分磨损之前被磨损。通过在第一支撑体21上设置两组突节41、47,可以仅通过更换第一支撑体21来更换突节,而无需更换主本体22。本发明的实施例预期会降低保持衬底支撑件20的成本。
如图5所示,在一个实施例中,提取件本体100包括第二提取通道113。这也在其他附图中示出。第二提取通道113是第二排液部12的部分。在一个实施例中,第二提取通道113被配置成从第一提取通道102的径向内侧提取流体。在一个实施例中,第二提取通道113被设置成防止液体在衬底W下方流动。然而,不是必须设置这种第二提取通道113。例如,图10示出了不具有第二提取通道113的实施例。
在一个实施例中,第二提取通道113被配置成从衬底W的外周部分下方提取流体,以便防止液体到达衬底W的中心部分与第一支撑体21之间的空间42。如图4所示,在一个实施例中,第二提取通道113经由一个或多个第二通路114而连接至衬底W的外周部分下方的空间。在一个实施例中,第二提取通道113围绕衬底支撑件20周向延伸。在一个实施例中,设置了多个第二通路114。第二通路114在第二提取通道113和衬底W的周边部分的正下方之间竖直地延伸。
如图5所示,在一个实施例中,第二提取通道113与第一提取通道102以开口间隙间隔开。第一提取通道102和第二提取通道113可以设置在单独的本体24、25中。单独的本体24、25可以在不会破坏本体24、25中的任一个的情况下彼此分离。减少缺陷问题的功能(由第一提取通道102执行)和防止液体在衬底W下方流动的功能(由第二提取通道113执行)可以由单独的本体24、25执行。可以更换本体24、25中的一个,而无需更换另一个。本发明的实施例预期降低保持衬底支撑件20的成本。
如图7所示(并且例如,在图5和图8中也可见),在一个实施例中,衬底支撑件20包括内密封件112和外密封件111。内密封件112被定位在第二提取通道113通过其提取流体的开口的径向内侧。外密封件111被定位在第二提取通道113通过其提取流体的开口的径向外侧。内密封件112和外密封件111朝向衬底W的下侧突出。内密封件112和外密封件111不会突出足够远到与衬底支撑件20所使用的衬底W接触。相反,在内密封件112的顶部与衬底W之间,以及在外密封件111的顶部与衬底W之间存在小的间隙。内密封件112和外密封件11被配置成使得,在使用的时候,液体可以存在于密封件111、112与衬底W之间。这有助于防止液体到达衬底W下方的衬底W的中心部分。
如图9所示,在一个实施例中,内密封件112的功能由第一支撑体21的上侧处的密封突起46实现。这是例如图7中所示的布置的替代方案,在所述布置中,内密封件112被设置为主本体22的上侧处的突起。如图9所示,在一个实施例中,上通路49被设置成通过第一支撑体21。上通路49与第二通路114连接,使得流体可以从衬底W外周的下方而被提取到第二提取通道113中。
如图9所示,例如,在一个实施例中,主本体22包括密封突起66。密封突起66被配置成降低湿气到达主本体22的上表面的可能性。这会减少主本体22的氧化。
如图10所示,在一个实施例中,衬底支撑件20没有设置例如图5至图9所示的第二提取通道113。如图10所示,在一个实施例中,在提取件本体100和主本体22与第一支撑体21之间形成有开口间隙或流动通道115。在一个实施例中,开口间隙或流动通道115与环境压力或压力源流体连通。在一个实施例中,多个流动通道115主要竖直地延伸穿过主本体22(主本体22可以是与提取件本体100相同的部件的部分)。在替代实施例中,开口间隙可以围绕主本体22周向延伸,其中提取件本体100被设置为与主本体22分离的部件。在一个实施例中,气流穿过开口间隙或流动通道115。气流穿过第一支撑体21的上周边边缘的密封突起46。通过提供气流,可以降低液体越过密封突起46而到达衬底W的下侧的可能性。可以不是必须设置第二提取通道113。本发明的实施例预期会降低衬底支撑件20的复杂性。本发明的实施例预期会使得更容易制造衬底支撑件20。
如上所述并且如图5以及图7至图10所示,衬底支撑件20可以以各种方式进行模块化。如图11所示,在一个实施例中,提取件本体100设置有第一提取通道102和第二提取通道113两者。提取件本体100与第一支撑体21和主本体22两者分离。主本体22被直接支撑在衬底平台26上(即,没有第二支撑体23)。如图11所示,内密封件112和外密封件111被设置为提取件本体100的部分。这减小了第一支撑体21的径向尺寸(因为第一支撑体21不需要附加的密封突起46来执行内密封件112的功能)。这减少了当更换磨损的突节41时必须更换的衬底支撑件20的量。
如图11所示,在一个实施例中,主本体22在提取件本体100下方延伸。提取件本体100的下侧耦接到主本体22。这使得更容易控制提取件本体100相对于第一支撑体21的高度。通过更精确地控制提取件本体100的高度,由内密封件112和外密封件111提供的密封功能更可靠。
如图11所示,在一个实施例中,一个或多个孔119设置在主本体22中。孔119被配置成与在提取件本体100的径向内部和主本体22之间的间隙流体连通。孔119可以连接到延伸通过衬底平台26的其它孔。孔119被配置成提供环境气体或加压气体。通过提供通过孔119向上的气流,降低了液体到达衬底W的中心部分的下方的可能性。通过提供通过孔119的气流,减少了传递到第一支撑体21的湿气。通过减少传递到第一支撑体21的湿气,减少了第一支撑体21的氧化。
在一个实施例中,孔119被配置成提供加压气体。通过提供加压气流,可以控制使衬底W的边缘上升。通过控制使衬底W的外边缘上升,可以减少对第一支撑体21的最外侧突节41的磨损。本发明的实施例预期会减少衬底支撑件20的磨损。
如图11所示,在一个实施例中,粘附层104设置在提取件本体100和主本体22之间。粘附层104将提取件本体100固定到主本体22。这使得更容易控制从衬底W到提取件本体100的内密封件112和外密封件111的间隙。
在一个实施例中,珠粒被分散在粘附层104中。例如,玻璃珠粒可以分散在胶合物中。可以选择珠粒的尺寸,以便在内密封件112/外密封件111的顶部与在主本体22的顶表面的径向外部处的密封突起66的顶部之间提供所需高度的台阶。在一个实施例中,珠粒具有例如45微米、50微米或55微米的直径。
如图11所示,在一个实施例中,保持了从第一提取通道102/第二提取通道113通过主本体22(其上附接有提取件本体100)并且随后通过衬底平台26的流体连接。该流体连接可以由狗骨形连接器105和环106保持。然而,提取件本体100与主本体22之间的针对第一提取通道102/第二提取通道113的目的的连接不受特别限制。
主本体22不是必须在提取件本体100下方延伸。在替代实施例中,提取件本体100的下侧附接到衬底平台26。在一个实施例中,衬底台WT(其包括衬底平台26和衬底支撑件20)包括高度调节机构130。例如,在图12和图13中示出了高度调节机构130的替代形式。高度调节机构130被配置成提供可微调的高度调节,以便获得提取件本体100和衬底W之间的正确的密封间隙。高度调节机构130被配置成控制提取件本体100的至少一部分在衬底W下方的高度,使得提取件本体100被配置成防止液体到达衬底W的中心部分与第一支撑体21之间。
如图12所示,在一个实施例中,高度调节机构130包括插入构件131。插入构件131是材料块。插入构件131被设置在提取件本体100的下侧和衬底平台26之间。插入构件131与主本体22分离。插入构件131是提取件本体100通过其而附接至衬底平台26的部件。
如图12所示,在一个实施例中,高度调节机构130包括紧固件132。例如,在一个实施例中,紧固件132是螺栓。如图12所示,在一个实施例中,紧固件132没有到达衬底平台26。紧固件132将提取件本体100连接到插入构件131。
如图12所示,在一个实施例中,提取件本体100包括被配置成与插入构件131接合的突起134。如图12所示,在一个实施例中,插入构件131被胶合到衬底平台26上。
如图12所示,在一个实施例中,插入构件131被构造成具有切口部分133,使得当紧固件132将提取件本体100紧固到插入构件131时,插入构件131会压缩。可以控制插入构件131的压缩,以便控制提取件本体100的顶部在衬底W下方的高度。特别地,可以控制由紧固件132供应的力,以便控制插入构件131的压缩。
图12示出了穿过紧固件132以及穿过插入构件131的实体部分(即在切口部分133之间)的反作用力的作用力线135。如图12中所示,切口部分133可以布置成使得,作用力线135延伸通过插入构件131的相对狭窄部分。插入构件131的狭窄部分可以相对灵活,从而更容易使得插入构件131以受控方式被压缩。这有助于控制提取件本体100在衬底W下方的高度。特别地,插入构件131的在切口部分133之间的狭窄部分可以用作片簧(或其它弯曲部)。
图12中所示的高度调节机构130仅是一个示例。作为另一示例,图13中示出了替代的高度调节机构130。如图13所示,在一个实施例中,提取件本体100包括片簧141。片簧141包括固定到提取件本体100的其余部分的下部142。片簧141还包括在提取件本体100和第一支撑体21之间延伸的上部143。在一个实施例中,围绕衬底支撑件20周向设置多个这种片簧141。在替代实施例中,单个片簧141围绕衬底支撑件20周向延伸。
如图13所示,在一个实施例中,高度调节机构130被配置成控制上部143在衬底W下方的高度,使得上部143被配置成防止液体到达衬底W的中心部分和第一支撑体21之间。在一个实施例中,设置定位螺钉144以允许对片簧141的微调。定位螺钉141可以在提取件本体100的下方突出受控距离。当定位螺钉144从提取件本体100的底部进一步突出时,定位螺钉144迫使片簧141弯曲,从而降低片簧141的上部144的高度。如图13所示,在一个实施例中,第一提取通道102可以经由连接通道140与第二提取通道113连接。
热调节器60布置在主本体22中的方式没有特别限制。在一个实施例中,热调节器60附接在主本体22的下表面处。例如,一个或多个珀耳帖(Peltier)元件和/或加热器可以设置在主本体22和/或提取件本体100的下表面处。附加地或可选地,通道61、一个或多个珀耳帖元件和/或加热器63可以围绕主本体22的底部设置在外部。在替代实施例中,热调节器60附接在主本体22的上侧。外部的通道61、和/或一个或多个珀耳帖元件和/或加热器63可以被附接(例如,胶合到主本体22上)。在一个实施例中,通道61、加热器63和/或传感器62被布置在衬底平台26中。热调节功能的至少一部分由衬底平台26执行。这有助于简化主本体22的设计。在一个实施例中,突节91被设置为衬底平台26的部分。主本体22不需要包括突节91。主本体22的下侧可以是基本上平坦的。在一个实施例中,至少一个传感器62被设置在衬底平台26的相应突节91中。传感器62被配置成感测主本体22的温度。传感器62被定位成靠近主本体22。在一个实施例中,至少一个加热器63被设置在衬底平台26的面向主本体22的表面处。在一个实施例中,加热器63与相应的传感器62配对。加热器63被定位成邻近相应的传感器62。在一个实施例中,基于来自配对的传感器62的输出来控制加热器63。
如图5所示,在一个实施例中,夹持通道43经由主本体22与第一支撑体21之间的另一空间45而与空间42流体连通。
如图5所示,在一个实施例中,通过至少一个锁定螺栓29来相对于衬底平台26锁定衬底支撑件20。在一个实施例中,锁定螺栓29被配置成用作防止衬底支撑件20从衬底平台26掉出的安全锁。然而,突节91执行防止衬底支撑件20相对于衬底平台26滑动的功能。
如图5所示,在一个实施例中,一个或多个销28可以用于将衬底W下降到第一支撑体21上。销28延伸通过衬底支撑件20中的相应的销孔121,并且支撑衬底W,以便在装载和卸载序列期间控制衬底W在第一支撑体21上方的高度。
如图7所示,在一个实施例中,主本体22以两个部分形成,所述两个部分在结合线64处附接在一起。例如,可以使用结合材料。
如上所述,可以更换第一支撑体21,而无需更换衬底保持件20的其他部分。如图所示,第一支撑体21具有与衬底W的形状大致相似的形状。在一个实施例中,光刻设备包括至少一个处置工具,所述处置工具被配置成移动衬底W,例如在光刻设备的不同部分之间移动衬底W,和/或将衬底W移入或移出光刻设备。在一个实施例中,可以使用相同的(多个)处置工具来控制第一支撑体21的移动。
图14是根据本发明的实施例的耦接到第一支撑体21的载体板120的示意性横截面图。载体板120被配置成可耦接至第一支撑体21。载体板120被配置成可从第一支撑体21释放(可解耦)。如图14所示,在一个实施例中,载体板120被配置成当将载体板120耦接至第一支撑体21时,覆盖第一支撑体21中的销孔121。
如上所述,在一个实施例中,多个销28支撑衬底W,并且可以被控制以控制将衬底W下降到衬底支撑件20上。图15示出了载体板120和由销28支撑的第一支撑体21的组件。因为第一支撑体21有效地耦接到载体板120,所以通过设置载体板120覆盖销孔121,销28可以经由载体板120有效地支撑第一支撑体21。本发明的实施例预期会使得更容易和/或更换第一支撑体21。本发明的实施例预期会减少光刻设备的停工时间。不是必须设置载体板120。在替代实施例(下文更详细地描述)中,提供销28的替代方案来控制第一支撑体21的移动。
因为第一支撑体21和载体板120被耦接在一起,所以可以控制销28,以将第一支撑体21下降到衬底支撑件20的其余部分上。一旦第一支撑体21被安装到衬底支撑件20的其余部分上,就可以移除载体板120。图16示意性地示出了从第一支撑体21解耦和移除的载体板120。在一个实施例中,通过开口44施加过压,以有助于从第一支撑体21释放载体板120。载体板120可以通过销28而远离第一支撑体21上升。在一个实施例中,可以然后使用用于处置衬底W的相同处置工具来移动载体板120。
如图14至图16所示,在一个实施例中,载体板120包括多个连接突起122。连接突起122被配置成从载体板120的基板125朝向第一支撑体21突出。载体板120包括基板125和连接突起122。基板125是平坦的。在一个实施例中,基板125和连接突起122由相同的材料形成。基板125与连接突起122一体形成以形成载体板120。如图14所示,在一个实施例中,连接突起122限制基板125可以接近第一支撑体21的程度。如图14所示,在一个实施例中,连接突起122具有邻接表面123。邻接表面123被配置成直接邻接第一支撑体21或者经由结合材料邻接第一支撑体21。
通过设置连接突起122,突节41的远端不与载体板120接触。载体板120由第一支撑体21在第一支撑体21的上侧处的突节41之间进行支撑,其中第一支撑体21的上侧处的突节41的远端与载体板120间隔开。本发明的实施例预期会防止突节41的进一步磨损。
图17是根据本发明的实施例的载体板120的示意图。如图17所示,在一个实施例中,载体板120的面向第一支撑体21的表面足够平坦,当载体板120耦接到第一支撑体21时,第一支撑体21的上侧处的突节41的远端支撑载体板120。如图17所示,在一个实施例中,连接突起122不限制载体板120可以接近第一支撑体21的程度。相反,突节41的远端支撑载体板120。突节41的远端直接接触基板表面124或者经由结合材料接触基板表面124。
如图14和图15所示,在一个实施例中,仅使载体板120的一部分与第一支撑体21接触。这限制了粘附力,从而使得载体板120和第一支撑体21的分离更容易。
例如,如图17和图19所示,不是必须使载体板120在突节41之间接触第一支撑体21的表面。在一个实施例中,突节41之间的表面是粗糙的,使得粘附力受到限制。通过无需与突节41之间的粗糙表面接触,使得粗糙表面不会不利地影响耦接到第一支撑体21的载体板120。
在图17所示的布置中,突节41的远端接触载体板120。更换第一支撑体21的一个原因在于,突节可能已经磨损。当需要更换第一支撑体21时,突节41的远端可以是特别平滑的。突节41的远端可以允许与载体板120的良好粘合,以特别用于卸载第一支撑体21。
载体板120耦接至第一支撑体21的方式没有特别限制。图18示意性地示出了使用粘结材料126将载体板120耦接到第一支撑体21。如图18所示,在一个实施例中,结合材料126被设置在第一支撑体21与连接突起122的邻接表面123之间。附加地或可选地,结合材料126可以设置在突节41的远端和基板表面124之间。
当载体板120耦接到第一支撑体21时,结合材料126用于将载体板120临时结合至第一支撑体21。结合材料126没有特别限制。在一个实施例中,结合材料126包括粘合材料。在替代实施例中,设置液体(例如水)层来代替结合材料126。毛细管压力可以用于保持使载体板120耦接到第一支撑体21。
在图17所示的布置中,粘合材料可以被施加于基板表面124的凹部中。通过将粘合材料限制于该凹部,可以减少粘合材料不期望地接触其他部件的可能性。
如图19所示,附加地或可选地,载体板120通过压力而被夹持到第一支撑体21。在一个实施例中,载体板120包括至少一个内部通道127。内部通道127用于将第一开口128流体连接到至少一个第二开口129。第一开口128和第二开口129位于载体板120的表面处。如图19所示,在一个实施例中,第一开口128位于当载体板120耦接到第一支撑体21时载体板120覆盖销孔121中的一个销孔的位置处。
第二开口129位于载体板120的面向第一支撑体21的上侧的位置处。在一个实施例中,第一开口128可以连接到负压,以便使气流通过内部通道127而从第二开口129到达第一开口128,并且通过第一开口128流出。这可以降低当载体板120耦接至第一支撑体21时在载体板120与第一支撑体21之间的区域中的压力。由于周围压力大于载体板120与第一支撑体21之间的压力,因此载体板120与第一支撑体21可以被保持在一起。
如图19所示,在一个实施例中,第一开口128处于与支撑载体板120的销28相对应的位置处。在一个实施例中,销28包括用于通过第一开口128从内部通道127提取流体的通道。第二开口129的数量没有特别限制。内部通道127的数量没有特别限制。在一个实施例中,为每个相应的销孔121设置第一开口128。
在一个实施例中,载体板120包括导电材料和绝缘层,所述绝缘层被配置成当载体板120连接到第一支撑体21时使导电材料与第一支撑体21电绝缘。导电材料可以相对于第一支撑体21具有电位差。载体板120与第一支撑体21之间的静电吸引可以有助于将载体板120耦接到第一支撑体21。在一个实施例中,绝缘层被设置为围绕载体板120的薄层。
图20至图22示出了根据本发明的实施例的从第一支撑体21释放载体板120的不同阶段。如图20所示,在一个实施例中,载体板120包括至少一个连接机构151。连接机构151被配置成将载体板120机械地锁定到第一支撑体21。在一个实施例中,连接机构151在第一支撑体21的相应的销孔121处,将载体板120锁定到第一支撑体21。
如图20所示,在一个实施例中,连接机构151包括室153。室153被配置成接收相应的销28。当销28支撑载体板120时,室153接收销28的接触端。在一个实施例中,连接机构151被配置成当室153内的压力足够低于室153外部的环境压力时释放锁,使得可以从第一支撑体21释放载体板120。当锁被释放时,可以从第一支撑体21释放载体板120。
如图20所示,在一个实施例中,连接机构151包括至少一个锁定元件152。锁定元件152被配置成延伸通过销孔121,并且与第一支撑体21的背对载体板120的基板125的表面接合。锁定元件152的数量没有特别限制。在一个实施例中,设置两个、三个、四个、或多于四个锁定元件152。可以围绕销孔121沿周向均匀地分布锁定元件152。在一个实施例中,锁定元件152基本上沿周向连续围绕销孔121的内表面。锁定元件152在一端处固定地连接到载体板120的基板125。在一个实施例中,锁定元件152与载体板120的基板125一体形成。
在一个实施例中,室153连接到负压,以便降低室153中的压力。当待从第一支撑体21释放载体板120时,将室153连接到负压。如上所述,在一个实施例中,销28包括用于从销28的接触端处提取流体的通道。在一个实施例中,销28中的通道被配置成从室153提取流体,以便降低室153中的压力。如图20所示,在一个实施例中,设置多个孔154,以用于将销28的通道流体连接到室153。孔154的数量和形式没有特别限制。在一个实施例中,提供了包括孔154的网。在一个实施例中,将网与载体板120的基板125一体形成。在一个实施例中,销28的接触端不是完全垂直于销28的纵向方向,使得当销28支撑载体板120时,销28内的通道与室153流体连接。
图21示出了降低室153中的压力的过程步骤。由于室153中的压力的降低,锁定元件152朝向销28向内弯曲。这使得锁定元件152停止与第一支撑体21的背离载体板120的基板125的表面接合。当锁定元件152停止与第一支撑体21接合时,载体板120不再被锁定至第一支撑体21。如图22所示,然后可以从第一支撑体21释放载体板120。
图23至25示意性地示出了根据本发明的实施例的替代连接机构151。如图23所示,在一个实施例中,室153由壳体157限定。在一个实施例中,壳体157的部分从载体板120的背离第一支撑体21的表面突出。在一个实施例中,壳体157被形成为与基板125分离的部件,并且随后被连接到基板125。本发明的实施例预期会使得更容易制造载体板120。使得基板125的设计更简单。
在一个实施例中,用于壳体157的材料不同于用于载体板120的基板125的材料。如图23所示,在一个实施例中,锁定元件152与限定室153的壳体157一体形成。
如图23所示,在一个实施例中,载体板120包括解锁通道部分155。解锁通道部分155限定解锁通道,流体可以通过所述解锁通道以将载体板120从第一支撑体21解锁。如图23所示,在一个实施例中,载体板120包括弹性构件156,弹性构件156被配置成将壳体157连接至解锁通道部分155。在一个实施例中,解锁通道部分155是载体板120的基板125的部分。
如图24所示,在一个实施例中,销28内的通道连接到解锁通道部分155内的解锁通道。这使得降低了室153中的压力。当降低室153内的压力时,壳体157被迫使相对于载体板120的基板125向下。如图24所示,在一个实施例中,壳体157包括相对于基板125的表面成角度的部分,使得壳体157相对于基板125的向下移动导致锁定元件152弯曲。当锁定元件152弯曲时,锁定元件152停止与第一支撑体21接合。当锁定元件152不再与第一支撑体21接合时,载体板120从第一支撑体21解锁。弹性构件156可以在室153中的压力降低时被压缩。另外,弹性构件156保持了壳体157相对于载体板120的基板125的较高位置,如图23所示。如图25所示,当载体板120被解锁时,可以从第一支撑体21释放载体板120。
不是必须设置载体板120。图26是根据本发明的实施例的第一支撑体21的示意性平面图。如图26所示,在一个实施例中,没有设置载体板120。因此,销28可自由地延伸通过相应的销孔121。在一个实施例中,销28不用于将第一支撑体21下降到衬底支撑件20的主本体22上。在一个实施例中,在不同于销28的位置处设置了另一组销160来用于下降衬底W。在图26中示出了销160的顶部的轮廓。在一个实施例中,用于容纳销160的另一组销孔被设置在衬底支撑件20的低于第一支撑体21的部分中。例如,这样的另一组销孔被设置在主本体22中。销160延伸通过主本体22中的另一组销孔,并且支撑第一支撑体21的下表面。同时,用于支撑衬底W的销28延伸通过销孔121,所述销孔121延伸通过主本体22和第一支撑体21两者。
在替代实施例中,当第一支撑体21具有旋转位置,所述旋转位置不同于其在主本体22上的目标位置时,用于下降衬底W的销28支撑第一支撑体21。第一支撑体21可以由销28支撑,并且以其旋转定向被下降到主本体22上。载体板120不是必需的,因为通过第一支撑体21的销孔121不与销28对齐。这是因为第一支撑体21相对于其最终目标位置发生旋转。一旦第一支撑体21由主本体22支撑,则第一支撑体21就被旋转以便到达其在主本体22上的目标旋转位置。当第一支撑体21位于其在主本体22上的目标位置时,销孔121在第一支撑体21与主本体22之间对齐,使得销28可以延伸通过销孔121,以便将在第一支撑体21上方支撑衬底W。在一个实施例中,设置旋转工具以在主本体22上旋转地定向第一支撑体21。由于在第一支撑体21由主本体22支撑时旋转第一支撑体21,因此不需要设置载体板120,并且不需要设置单独的一组销160。
图27是根据本发明的实施例的第一支撑体21的示意性平面图。在图27所示的视图中,第一支撑体21被夹持以进行处置。如图27所示,在一个实施例中,设置了多个边缘夹持件161用于夹持第一支撑体21。边缘夹持件161被配置成夹持第一支撑体21的外边缘。在一个实施例中,边缘夹持件161被包括在用于处置第一支撑体21的单独的处置工具中。通过设置单独的处置工具,不需要使用销28来下降第一支撑体21,并且不需要设置载体板120。
图28是根据本发明的实施例的第一支撑体21的示意性平面图。在图28所示的视图中,第一支撑体21被夹持以进行处置。如图28所示,在一个实施例中,设置顶部夹持件162用于夹持第一支撑体21的顶部。通过设置顶部夹持件162,不需要设置载体板120或设置单独的一组销160来处置支撑体21。在一个实施例中,顶部夹持件162被包括在用于处置第一支撑体21的单独的处置工具中。所述单独的处置工具与用于将衬底W下降到第一支撑体21上的销28分离。
附图中所示的不同实施例中所示的特征可以彼此组合,除非它们明显不兼容。仅作为示例,在第一支撑体21的下侧设置突节47的特征(图8中所示)可以应用于图5、图9、图10或图11中所示的布置。特别地,图9中所示的布置可以通过用设置在第一支撑体21的下侧的突节47替换位于主本体22的上侧的突节65来修改。附图中所示的特征的其他组合同样是可能的。

Claims (15)

1.一种用于在光刻设备中支撑衬底的衬底支撑件,所述衬底支撑件包括:
第一支撑体,所述第一支撑体被配置成支撑所述衬底;
主本体,所述主本体与所述第一支撑体分离,并且被配置成支撑所述第一支撑体,所述主本体包括热调节器,所述热调节器被配置成热调节所述主本体和/或所述第一支撑体和/或所述衬底;以及
提取件本体,所述提取件本体围绕所述主本体和所述第一支撑体,其中所述提取件本体包括第一提取通道,所述第一提取通道被配置成从所述衬底的周边部分的附近提取流体。
2.根据权利要求1所述的衬底支撑件,包括:
第二支撑体,所述第二支撑体与所述主本体分离,并且被配置成在衬底平台上支撑所述主本体,所述第二支撑体被配置成减少所述衬底支撑件和所述衬底平台之间的相对移动。
3.根据权利要求1或2所述的衬底支撑件,其中,所述主本体在其上侧包括多个突节,所述突节具有处于一个平面的、被配置成支撑所述第一支撑体的远端,或者其中,所述第一支撑体在其下侧包括多个突节,所述突节具有处于一个平面的、被配置成接触所述主本体的上侧的远端。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的衬底支撑件,其中,所述提取件本体包括:
第二提取通道,所述第二提取通道被配置成从所述第一提取通道的径向内侧提取流体,优选地,其中,所述第二提取通道被配置成从所述衬底的周边部分的下方提取流体,以便防止液体到达所述衬底的中心部分与所述第一支撑体之间的空间,并且优选地,其中,所述第二提取通道与所述第一提取通道间隔开开口间隙。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的衬底支撑件,其中,开口间隙或流动通道被形成在所述提取件本体与所述主本体和所述第一支撑体之间,或者其中,所述提取件本体形成所述主本体的组成部分。
6.根据权利要求5所述的衬底支撑件,其中,所述开口间隙或所述流动通道与环境压力或压力源流体连通,和/或其中,所述主本体在所述提取件本体的下方延伸,并且所述提取件本体的下侧耦接至所述主本体,优选地,其中,粘附层设置在所述提取件本体和所述主本体之间。
7.根据前述权利要求中任一项所述的衬底支撑件,其中,热调节器附接在所述主本体的下表面处,和/或其中,销孔在所述第一支撑体的厚度方向上延伸通过所述第一支撑体,所述销孔被配置成使得相应的销能够延伸通过所述销孔,以将衬底下降到所述第一支撑体上。
8.根据权利要求7所述的衬底支撑件,包括:
载体板,所述载体板被配置成能够耦接至所述第一支撑体并且能够从所述第一支撑体释放,所述载体板被配置成使得当所述载体板耦接至所述第一支撑体时,所述载体板覆盖所述销孔。
9.根据权利要求8所述的衬底支撑件,其中:
所述第一支撑体在其上侧包括多个突节,所述突节具有处于一个平面的、被配置成支撑所述衬底的远端;并且
所述载体板包括连接突起,所述连接突起被配置成使得所述第一支撑体在所述第一支撑体的上侧的突节之间支撑所述载体板,其中所述第一支撑体的上侧的突节的远端与所述载体板间隔开,或者其中:
所述第一支撑体在其上侧包括多个突节,所述突节具有处于一个平面的、被配置成支撑所述衬底的远端;并且
所述载体板在其面向所述第一支撑体的表面处足够平坦,使得当所述载体板耦接至所述第一支撑体时,所述第一支撑体的上侧的突节的远端支撑所述载体板。
10.根据权利要求8或9所述的衬底支撑件,包括:
结合材料,所述结合材料用于在所述载体板耦接至所述第一支撑体时将所述载体板临时结合到所述第一支撑体,和/或其中,所述载体板包括用于将第一开口流体连接到至少一个第二开口的至少一个内部通道,在所述载体板耦接至所述第一支撑体时,所述第一开口处于所述载体板覆盖所述销孔中的一个销孔的位置,并且所述第二开口处于位于所述载体板的面向所述第一支撑体的上侧的位置处,和/或其中所述载体板包括导电材料和绝缘层,所述绝缘层被配置成在所述载体板耦接至所述第一支撑体时使所述导电材料与所述第一支撑体电绝缘,和/或其中,所述载体板包括至少一个连接机构,所述连接机构被配置成在所述第一支撑体的相应的销孔处将所述载体板机械锁定到所述第一支撑体。
11.根据权利要求10所述的衬底支撑件,其中,所述连接机构包括室,所述室被配置成接纳相应的销,其中所述连接机构被配置成在所述室内的压力足够低于所述室的外部的环境压力时释放所述锁,使得能够从所述第一支撑体释放所述载体板。
12.一种衬底台,包括:
衬底平台;以及
根据权利要求5或6所述的衬底支撑件,其中,提取件本体的下侧附接至所述衬底平台。
13.根据权利要求12所述的衬底台,包括:
高度调节机构,所述高度调节机构被配置成控制所述提取件本体的至少一部分在所述衬底下方的高度,使得所述提取件本体被配置成防止液体到达所述衬底的中心部分与所述第一支撑体之间。
14.根据权利要求13所述的衬底台,其中,所述高度调节机构包括:
插入构件,所述插入构件位于所述提取件本体的下侧与所述衬底平台之间;以及
紧固件,所述紧固件被配置成将所述提取件本体紧固到所述插入构件;
其中,所述插入构件被构成具有切口部分,使得当所述紧固件将所述提取件本体紧固到所述插入构件时,所述插入构件压缩,从而控制所述提取件本体在所述衬底下方的高度,或者其中:
所述提取件本体包括片簧,所述片簧包括:
下部,所述下部被固定到所述提取件本体的其余部分;以及
上部,所述上部在所述提取件本体与所述第一支撑体之间延伸;并且
所述高度调节机构被配置成控制所述上部在所述衬底下方的高度,使得所述上部被配置成防止液体到达所述衬底的中心部分与所述第一支撑体之间。
15.一种衬底台,包括:
衬底平台;以及
根据权利要求1至4中任一项所述的衬底支撑件,其中提取件本体设置在所述衬底平台中。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2025119563A2 (en) * 2023-12-05 2025-06-12 Asml Netherlands B.V. Method of substrate support repair

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
KR20010112496A (ko) 1999-05-20 2001-12-20 시마무라 테루오 홀더용 콘테이너, 노광장치 및 디바이스 제조방법, 그리고디바이스 제조장치
EP2495613B1 (en) 2002-11-12 2013-07-31 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP3977324B2 (ja) 2002-11-12 2007-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置
KR101431944B1 (ko) * 2003-12-03 2014-09-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품
KR101547037B1 (ko) * 2003-12-15 2015-08-24 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
US7327439B2 (en) 2004-11-16 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7746447B2 (en) 2005-12-22 2010-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and method of calibrating a lithographic apparatus
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070177119A1 (en) * 2006-02-02 2007-08-02 Keiko Chiba Exposure apparatus and device manufacturing method
US7675606B2 (en) 2006-05-05 2010-03-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US7791709B2 (en) 2006-12-08 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Substrate support and lithographic process
JP2008251754A (ja) 2007-03-29 2008-10-16 Nikon Corp 基板搬送方法及び装置、並びに露光方法及び装置
JP4961299B2 (ja) 2007-08-08 2012-06-27 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
EP2131242A1 (en) * 2008-06-02 2009-12-09 ASML Netherlands B.V. Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method
US20100045949A1 (en) 2008-08-11 2010-02-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, maintaining method and device fabricating method
JP2010206113A (ja) 2009-03-05 2010-09-16 Canon Inc 露光装置、及びそれを用いたデバイスの製造方法
NL2005874A (en) * 2010-01-22 2011-07-25 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
JP2011192991A (ja) 2010-03-12 2011-09-29 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置および方法
NL2006203A (en) 2010-03-16 2011-09-19 Asml Netherlands Bv Cover for a substrate table, substrate table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
NL2007768A (en) 2010-12-14 2012-06-18 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
EP2490073B1 (en) 2011-02-18 2015-09-23 ASML Netherlands BV Substrate holder, lithographic apparatus, and method of manufacturing a substrate holder
NL2008630A (en) 2011-04-27 2012-10-30 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
NL2008751A (en) 2011-06-06 2012-12-10 Asml Netherlands Bv Temperature sensing probe, burl plate, lithographic apparatus and method.
NL2009858A (en) 2011-12-27 2013-07-01 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
WO2013113568A2 (en) 2012-02-03 2013-08-08 Asml Netherlands B.V. Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder
JP2015518659A (ja) 2012-04-19 2015-07-02 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 基板ホルダ、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
CN106873312B (zh) 2012-05-22 2019-09-06 Asml荷兰有限公司 传感器、光刻设备以及器件制造方法
CN107367907B (zh) * 2012-05-29 2019-05-03 Asml荷兰有限公司 支撑装置、光刻装置和器件制造方法
KR102054322B1 (ko) 2012-05-29 2019-12-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 대상물 홀더 및 리소그래피 장치
KR102411747B1 (ko) * 2013-10-30 2022-06-22 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
NL2015760A (en) 2014-11-24 2016-09-13 Asml Netherlands Bv Radiation Beam Apparatus.
US10578959B2 (en) * 2015-04-29 2020-03-03 Asml Netherlands B.V. Support apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3314332B1 (en) * 2015-06-23 2019-08-07 ASML Netherlands B.V. Support apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
CN111474826B (zh) 2015-12-15 2024-12-17 Asml荷兰有限公司 衬底保持器、光刻设备及制造器件的方法
JP6700922B2 (ja) 2016-04-05 2020-05-27 キヤノン株式会社 カバー部材、搬送装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
US10705426B2 (en) * 2016-05-12 2020-07-07 Asml Netherlands B.V. Extraction body for lithographic apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN118841359A (zh) * 2024-07-26 2024-10-25 沈阳工业大学 一种用于半导体无膜划切的吸附装置及其吸附方法

Also Published As

Publication number Publication date
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