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CN114695817B - 一种量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents

一种量子点发光二极管及其制备方法

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CN114695817B
CN114695817B CN202011630860.5A CN202011630860A CN114695817B CN 114695817 B CN114695817 B CN 114695817B CN 202011630860 A CN202011630860 A CN 202011630860A CN 114695817 B CN114695817 B CN 114695817B
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metal oxide
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TCL Technology Group Co Ltd
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Abstract

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述制备方法通过量子点发光层上沉积金属氧化物的醇溶液；在所述金属氧化物的醇溶液上制备双端基有机物溶液；所述双端基有机物的端基分别为能与羟基发生反应的官能团；在所述双端基有机物溶液上沉积羟基聚合物溶液，并进行退火处理，在所述量子点发光层上依次形成金属氧化物层、连接层以及聚合物层。通过双端基有机物将羟基聚合物与醇类溶剂连接，从而使最终得到量子点发光二极管的聚合物层与作为电子传输层的金属氧化物层完全无缝连接，降低了聚合物层与电子传输层之间的界面势垒，减少电荷积累，减缓由于电荷在界面处的积累而导致的材料衰退，有利于提高器件发光效率和寿命。

Description

一种量子点发光二极管及其制备方法
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
量子点电致发光是一种新型的固态照明技术，具备低成本、重量轻，响应速度快，色彩饱和度高等优点，拥有广阔的发展前景，已成为新一代LED显示器件的重要研究方向之一。由于量子点发光二极管(QLED)具有更好的单色性、色彩饱和度和较低的制备成本等优点，在显示和照明领域展现出广阔的应用前景。经过近几年的快速发展，量子点发光二极管器件的发光亮度、外量子效率(EQE)和寿命等主要性能都得到了大幅度提升。
平衡电子和空穴的载流子注入是获得高效量子点发光二极管器件的有效途径，在现有的QLED器件中，通常在电极与电子传输层之间设置过渡层，减缓电子传输效率，但是过渡层与电子传输层之间并不能无缝衔接在一起，产生较大的界面势垒，降低了量子点发光二极管器件的发光性能和寿命。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在平衡电子和空穴的传输速率，提高量子点发光二极管器件的发光效率。
本发明的技术方案如下：
一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：
在阳极衬底上制备量子点发光层；
在所述量子点发光层上沉积金属氧化物溶液，所述金属氧化物溶液包括醇类溶剂以及分散在所述醇类溶剂中的金属氧化物；
在所述金属氧化物溶液上制备双端基有机物溶液，所述双端基有机物的结构式为X1-R-X2，其中，R为烃基，X1和X2分别为与羟基发生反应的官能团；
在所述双端基有机物溶液上沉积羟基聚合物溶液，并进行溶剂蒸发处理，在所述量子点发光层上依次形成金属氧化物层、连接层以及聚合物层；
在所述聚合物层上制备阴极，制得所述量子点发光二极管。
所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，所述双端基有机物溶液与所述金属氧化物溶液之间互不相溶；所述双端基有机物溶液与所述聚合物溶液之间互不相溶。
所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，所述双端基有机物溶液与所述聚合物溶液的沉积时间间隔为3min以内，所述溶剂蒸发处理与所述聚合物溶液的沉积的时间间隔为3min。
所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，所述金属氧化物溶液、所述双端基有机物溶液和所述聚合物溶液的沉积方式为喷墨打印法。
所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，所述烃基为碳原子数大于3的直链烃基。
所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，所述官能团选自异氰酸酯基团、酰卤基团、羧基、酸酐基团中的一种。
所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，所述羟基聚合物选自聚稀醇类化合物、聚丙烯酸树脂羟基衍生物、羟基取代聚苯乙烯类化合物中的一种或多种。
所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，所述羟基聚合物的相对分子质量为5～12万。
所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，所述金属氧化物包括ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、ZrO2、NiO、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO中的一种或多种。
所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，所述溶剂蒸发处理为退火，所述退火的温度为80～120℃，所述退火的时间为0.5～1.5h。
所述的量子点发光二极管，其中，所述聚合物层的厚度为9～17nm。
一种量子点发光二极管，其中，依次包括：阳极、量子点发光层、电子传输层、聚合物层以及阴极；
所述电子传输层为金属氧化物，所述聚合物层包括长支链聚合物，所述长支链聚合物的长支链插入所述电子传输层，使所述金属氧化物镶嵌在所述长支链之间。
所述的量子点发光二极管，其中，所述长支链聚合物的长支链通过采用双端基有机物接枝得到，在接枝过程中，至少部分所述双端基有机物的一端与所述长支链聚合物的主体连接，且至少部分所述双端基有机物的另一端与所述电子传输层连接。
所述的量子点发光二极管，其中，所述长支链为碳原子数大于4的直链。
所述的量子点发光二极管，其中，所述连接层的厚度为1～5nm；所述聚合物层的厚度为8～12nm。
有益效果：本发明采用醇类溶剂作为金属氧化物溶液的溶剂，在沉积了金属氧化物溶液后，接着沉积双端基有机物溶液，再在双端基有机物溶液上沉积羟基聚合物溶液，双端基有机物的两个端基分别为能与羟基发生反应的官能团，从而双端基有机物分别与醇类溶剂分子和羟基聚合物反应，从而连接了醇类溶剂分子的双端基有机物接枝到聚合物上成为聚合物上的支链，使最终制备的QLED器件的聚合物层与金属氧化物完全无缝连接，降低了聚合物层与电子传输层之间的界面势垒，减少电荷积累，减缓由于电荷在界面处的积累而导致的材料衰退，有利于提高器件发光效率和寿命。
附图说明
图1为本发明提供的一种量子点发光二极管的制备方法较佳实施例的流程示意图。
图2为本发明提供的一种量子点发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种量子点发光二极管器件及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参见图1，图1为本发明提供一种量子点发光二极管的制备方法较佳实施例的流程示意图，其中，包括以下步骤：
S10、在阳极衬底上形成量子点发光层；
S20、在所述量子点发光层上沉积金属氧化物溶液，所述金属氧化物溶液包括醇类溶剂以及分散在所述醇类溶剂中的金属氧化物；
S30、在所述金属氧化物溶液上制备双端基有机物溶液，所述双端基有机物的结构式为X1-R-X2，其中，R为烃基，X1和X2为与羟基发生反应的官能团；
S40、在所述双端基有机物溶液上沉积羟基聚合物溶液，并进行溶剂蒸发处理，在所述量子点发光层上形成金属氧化物层以及聚合物层；
S50、在所述聚合物层上制备阴极，制得所述量子点发光二极管。
电子在电子传输层中的迁移率较高且注入势垒较低，而空穴的迁移率通常较低且注入势垒较高，使得电子传输速率和空穴传输速率不平衡，导致发光层载流子复合不稳定，并且过量的电子注入引起器件功能层自发光，从而影响量子点发光二极管器件的发光纯度和复合效率。在电极与电子传输层之间设置一层如聚甲基丙烯酸甲酯等绝缘过渡层，可以减缓电子的传输效率，但是绝缘过渡层与电子传输层之间往往存在较大的界面势垒，导致电荷积累，影响量子点器件的性能和寿命。
本实施例中，采用醇类溶剂作为金属氧化物溶液的溶剂，在沉积了金属氧化物溶液之后，不进行干燥处理，而是接着在金属氧化物溶液上沉积双端基有机物溶液，再在双端基有机物溶液上沉积羟基聚合物溶液。双端基有机物的两个端基分别为能与羟基发生反应的官能团，两个端基的官能团可相同，也可不同，只要都能与羟基反应都可以。双端基有机物的其中一个端基与醇类溶剂的羟基反应，另一个端基与羟基聚合物的羟基反应，从而使连接了醇类溶剂分子的双端基有机物接枝到聚合物上，成为聚合物上的支链。双端基有机物与羟基聚合物和醇类溶剂的反应通式为：
进行溶剂蒸发处理后，在量子点发光层上依次形成金属氧化物层以及聚合物层，二者形成了一种具有接枝镶嵌结构的电子功能层。聚合物层可以减缓电子的传输速率，阻挡多余的电子传输，从而平衡电子和空穴的传输和注入，而连接了醇类溶剂分子的双端基有机物作为聚合物的支链从聚合物层经连接层延伸至金属氧化物层，金属氧化物晶体镶嵌在所述支链中间，从而使聚合物层与金属氧化物层完全无缝连接，降低了聚合物层与金属氧化物层之间的界面势垒，减少电荷积累，减缓了由于电荷在界面处的积累而导致的材料衰退，提高了量子点发光二极管的发光效率和寿命。
在一种实施方式中，所述双端基有机物溶液与所述金属氧化物溶液之间互不相溶。在沉积溶液的时候，相邻的溶液层之间会有一定的界面互溶的情况，而金属氧化物溶液是形成量子点发光二极管的电子传输层，为了防止双端基有机物溶液中的双端基有机物进入金属氧化物溶液导致电子传输层的电子传输能力下降，采用的双端基有机物溶液与金属氧化物溶液之间互不相溶，这样双端基有机物与金属氧化物的醇溶液能够在界面进行反应。
在一种实施方式中，所述双端基有机物溶液与所述聚合物溶液的沉积时间间隔为3min以内，所述溶剂蒸发处理与所述聚合物溶液的沉积的时间间隔为3min以内。在双端基有机物溶液后，双端基有机物的一个端基会迅速与金属氧化物溶液的溶剂反应，在反应的同时，由于烃链段的伸长取向，双端基有机物的另一个端基会向背离金属氧化物溶液的方向伸长，在3min以沉积聚合物溶液，有利于聚合物溶液中的聚合物与双端基有机物的另一个端基反应，同时快速沉积并进行溶剂蒸发处理可以降低相邻的溶液层之间的扩散程度，避免相邻层之间的混合。
在一种实施方式中，所述金属氧化物溶液、所述双端基有机物溶液和所述聚合物溶液的沉积方式为喷墨打印法。采用喷墨打印的方式可以避免沉积的相邻溶液层之间的相互运动，降低溶液层中溶质向相邻层扩散的扩散速率，避免相邻层之间的混合。
进一步，由于QLED器件的电子传输材料通常是纳米材料，在器件的长期使用过程中，容易团聚，导致发光均匀性变差，发光颗粒感变强。本实施例的金属氧化物层作为QLED器件的电子传输层，其晶体镶嵌在聚合物支链中间，并被支链均匀地分散，减少了电子在传输层内的横向传输，有利于保护电子在传输层中的传输特性，同时有效避免了金属氧化物晶体的团聚，减少发光颗粒感，提高器件发光均匀性。
在一种实施方式中，所述烃基为碳原子数大于3的直链烃基。直链烃基的碳原子数大于3时，得到与电子传输方向平行的支链取向结构。聚合物支链有拉伸取向，碳原子数较大可以增加聚合物支链在取向方向上的长度，增加电荷的离域性，降低电荷传递中的势垒。另一方面，QLED器件发光产生的热量能够使得支链膨胀伸长伸直，进一步提高支链取向度，利于电荷传输，而电荷的有效传输提高了发光效率，产生更多热量，从而形成动态平衡。
在一种实施方式中，所述官能团分别包括但不限于异氰酸酯基团(-NCO)、酰卤基团(-COX，X为卤素元素)、羧基(-COOH)和酸酐基团中的一种。优选的，所述双端基有机物为异氰酸酯类化合物、酸酐类化合物中的一种或多种，如联苯四甲酸二酐，对苯二异氰酸酯等。异氰酸酯和酸酐等官能团能够直接与水反应，具有很强的吸水性，未反应的双端基有机物可以防止多余的水分进入器件，降低其他功能层受到水的破坏的风险。
在一种实施方式中，所述醇类溶剂包括但不限于乙醇、甲醇、正丁醇、正丙醇和正戊醇中的一种或多种。这些醇类溶剂均为直链醇，直链醇对金属氧化物的分散性好，能均匀分散金属氧化物，减少沉积金属氧化物时的团聚现象。
在一种实施方式中，所述羟基聚合物包括但不限于聚稀醇类化合物、聚丙烯酸树脂羟基衍生物、羟基取代聚苯乙烯类化合物中的一种或多种。
在一种实施方式中，所述聚合物的相对分子质量为5～12万。相对分子质量过高会导致聚合物层的成膜性较差和厚度较大，大大阻碍了电子的传输。
在一种实施方式中，所述电子传输层材料包括ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、ZrO2、NiO、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO中的一种或多种。
在一种实施方式中，所述溶剂蒸发处理为退火，所述退火的温度为80～120℃，所述退火的时间为0.5～1.5h。合适的热处理温度和时间还有利于双端基有机物与金属氧化物溶液的溶剂和聚合物反应，进一步提高了QLED器件的电子传输层和聚合物层的连接程度，提高电子传输特性。
在一种实施方式中，所述阳极可选自铟掺杂氧化锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)、铝掺杂氧化锌(AZO)中的一种或多种。
在一种实施方式中，所述量子点材料包括但不限于II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种。所述量子点发光层使用的半导体材料包括但不限于II-VI半导体的纳米晶，如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe和其他二元、三元、四元的II-VI化合物，III-V族半导体的纳米晶，如GaP、GaAs、InP、InAs和其他二元、三元、四元的III-V化合物。
在一种实施方式中，所述阴极包括但不限于金属材料、碳材料、金属氧化物中的一种或多种。其中，所述金属材料包括Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Mg中的一种或多种；所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯、碳纤维中的一种或多种；所述金属氧化物可以是掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO、AMO中的一种或多种，也包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，其中，所述复合电极包括AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。
在一种实施方式中，在阳极衬底上制备量子点发光层之前，所述制备方法还包括步骤：在阳极衬底上制备空穴注入层，再在所述空穴注入层上制备空穴传输层。
在一种实施方式中，所述空穴传输层材料选自具有空穴传输能力的有机材料，所述有机材料包括但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚(N,N’双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)联苯胺)(poly-TPD)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)(PFB)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4’-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPB)中的一种或多种。所述的空穴传输层材料还可选自具有空穴传输能力的无机材料，所述无机材料包括但不限于掺杂或非掺杂的NiO、WO3、MoO3、CuO、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、C60中的一种或多种。
在一种实施方式中，所述的空穴注入层包括但不限于聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)、非掺杂过渡金属氧化物、掺杂过渡金属氧化物、金属硫化物、掺杂金属硫化物中的一种或多种。
本发明还提供一种量子点发光二极管，所述量子点发光二极管依次包括：阳极、量子点发光层、电子传输层、聚合物层以及阴极；
所述电子传输层为金属氧化物，所述聚合物层包括长支链聚合物，所述长支链聚合物的长支链插入所述电子传输层，使所述金属氧化物镶嵌在所述长支链之间。
本实施例中，聚合物层可以减缓电子的传输速率，阻挡多余的电子传输，从而平衡电子和空穴的传输和注入。且由于长支链聚合物的长支链插入所述电子传输层，使所述金属氧化物镶嵌在所述长支链之间，从而使聚合物层与电子传输层(也就是金属氧化物层)完全无缝连接，降低了聚合物层与电子传输层之间的界面势垒，减少电荷积累，减缓了由于电荷在界面处的积累而导致的材料衰退，提高了量子点发光二极管的发光效率和寿命。
进一步，金属氧化物层作为QLED器件的电子传输层，其晶体镶嵌在聚合物支链中间，并被支链均匀地分散，减少了电子在传输层内的横向传输，有利于保护电子在传输层中的传输特性，同时有效避免了金属氧化物晶体的团聚，减少发光颗粒感，提高器件发光均匀性。
在一种实施方式中，所述长支链聚合物的长支链通过采用双端基有机物接枝得到，在接枝过程中，至少部分所述双端基有机物的一端与所述长支链聚合物的主体连接，且至少部分所述双端基有机物的另一端与所述电子传输层连接。
具体的，在量子点发光二极管的制备过程中，可能会有部分双端基有机物没有接枝羟基聚合物以及金属氧化物溶液中的溶剂，这些残留的双端基有机物位于长支链聚合物的长支链之间。异氰酸酯和酸酐等官能团能够直接与水反应，具有很强的吸水性，如联苯四甲酸二酐，对苯二异氰酸酯等，因而这些残留的双端基有机物能够防止多余的水分进入器件，降低其他功能层受到水的破坏的风险。进一步，长支链聚合物的长支链延伸至金属氧化物层，长支链的链端处于金属氧化物之间，金属氧化物晶体镶嵌在所述支链中间，从而使聚合物层和金属氧化物层之间完全无缝连接，降低了聚合物层与金属氧化物层之间的界面势垒，减少电荷积累，减缓了由于电荷在界面处的积累而导致的材料衰退，提高了量子点发光二极管的发光效率和寿命。本实施例中，量子点发光二极管有多种形式，具体的，如图2所示，图2是本实施例提供的一种量子点发光二极管的结构示意图，所述量子点发光二极管包括从下往上依次设置的阳极10、空穴注入层20、空穴传输层30、量子点发光层40、电子传输层50、聚合物层60以及阴极70。
在一种实施方式中，所述长支链为碳原子数大于4的直链。
在一种实施方式中，所述连接层的厚度为1～5nm；所述聚合物层的厚度为8～12nm。
下面通过具体的实施例对本发明作进一步地说明。
实施例1
步骤S11：在透明阳极衬底上沉积PEDOT：PSS作为空穴注入层；在空穴注入层上沉积TFB作为空穴传输层；在空穴传输层上沉积量子点发光层；
步骤S12：在量子点发光层上沉积ZnO乙醇溶液；
步骤S13：在ZnO的乙醇溶液上沉积均苯四甲酸二酐的正己烷溶液；
步骤S14：在均苯四甲酸二酐的正己烷溶液上沉积聚乙烯醇溶液；
步骤S15：在80℃的条件下同时将ZnO的乙醇溶液、均苯四甲酸二酐正己烷溶液和聚乙烯醇溶液进行热处理30min，在量子点发光层上依次对应形成金属氧化物层、连接层以及聚合物层。
步骤S16：通过蒸镀的方式在聚合物层上沉积金属阴极；
步骤S17：经封装后得到量子点发光二极管。
实施例2
步骤S21：在透明阳极衬底上沉积PEDOT：PSS作为空穴注入层；在空穴注入层上沉积TFB作为空穴传输层；在空穴传输层上沉积量子点发光层；
步骤S22：在量子点发光层上沉积ZnO的乙醇溶液；
步骤S23：在ZnO的乙醇溶液上沉积已二酰氯的乙醚溶液；
步骤S24：在已二酰氯的乙醚溶液上沉积聚甲基丙烯酸羟乙酯溶液；
步骤S25：采用紫外光同时对ZnO的乙醇溶液、已二酰氯的乙醚溶液和聚甲基丙烯酸羟乙酯溶液照射2min后，再在80℃的条件下热处理30min，在量子点发光层上依次对应形成金属氧化物层、连接层以及聚合物层。
步骤S26：通过蒸镀的方式在聚合物层上沉积金属阴极；
步骤S27：经封装后得到量子点发光二极管。
实施例3
步骤S31：在透明阳极衬底上沉积PEDOT：PSS作为空穴注入层；在空穴注入层上沉积TFB作为空穴传输层；在空穴传输层上沉积量子点发光层；
步骤S32：在量子点发光层上沉积ZnO的乙醇溶液；
步骤S33：在ZnO的乙醇溶液上沉积己二异氰酸酯的甲苯溶液；
步骤S34：在己二异氰酸酯的甲苯溶液上沉积聚乙烯醇溶液；
步骤S35：采用紫外光对ZnO的乙醇溶液、己二异氰酸酯的甲苯溶液和聚乙烯醇溶液照射2min后，再在80℃的条件下热处理30min，在量子点发光层上依次对应形成金属氧化物层、连接层以及聚合物层；
步骤S36：通过蒸镀的方式在聚合物层上沉积金属阴极；
步骤S37：经封装后得到QLED器件。
综上所述，本发明采用醇类溶剂作为金属氧化物溶液的溶剂，在沉积了金属氧化物溶液后，接着沉积双端基有机物溶液，再在双端基有机物溶液上沉积羟基聚合物溶液，双端基有机物的两个端基分别为能与羟基发生反应的官能团，从而双端基有机物分别与醇类溶剂分子和羟基聚合物反应，从而连接了醇类溶剂分子的双端基有机物接枝到聚合物上成为聚合物上的支链，使最终制备的QLED器件的聚合物层与金属氧化物完全无缝连接，降低了聚合物层与电子传输层之间的界面势垒，减少电荷积累，减缓由于电荷在界面处的积累而导致的材料衰退，有利于提高器件发光效率和寿命。同时，电子传输材料晶体镶嵌在聚合物的支链中，支链将金属氧化物晶体均匀地分散，减少了电子在传输层内的横向传输，有效避免金属氧化物晶体的团聚，有利于保护电子传输特性，减少发光颗粒感，提高器件发光均匀性。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (13)

1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：
在阳极衬底上制备量子点发光层；
在所述量子点发光层上沉积金属氧化物溶液，所述金属氧化物溶液包括醇类溶剂以及分散在所述醇类溶剂中的金属氧化物；
在所述金属氧化物溶液上制备双端基有机物溶液，所述双端基有机物的结构式为X1-R-X2，其中，R为烃基，X1和X2分别为能与羟基发生反应的官能团；
在所述双端基有机物溶液上沉积羟基聚合物溶液，并进行溶剂蒸发处理，在所述量子点发光层上形成金属氧化物层以及聚合物层；其中，双端基有机物的其中一个端基与醇类溶剂的羟基反应，另一个端基与羟基聚合物的羟基反应，从而使连接了醇类溶剂分子的双端基有机物接枝到聚合物上，成为聚合物上的支链；聚合物的支链从聚合物层经连接层延伸至金属氧化物层，金属氧化物晶体镶嵌在所述支链中间；
在所述聚合物层上制备阴极，制得所述量子点发光二极管；
所述双端基有机物溶液与所述聚合物溶液的沉积时间间隔为3min以内，所述溶剂蒸发处理与所述聚合物溶液的沉积的时间间隔为3min以内。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述双端基有机物溶液与所述金属氧化物溶液之间互不相溶。
3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物溶液、所述双端基有机物溶液和所述聚合物溶液的沉积方式均采用喷墨打印法。
4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述烃基为碳原子数大于3的直链烃基。
5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述官能团选自异氰酸酯基团、酰卤基团、羧基、酸酐基团中的一种。
6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述醇类溶剂选自乙醇、甲醇、正丁醇、正丙醇和正戊醇中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述羟基聚合物的相对分子质量为5~12万。
8.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物包括ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、ZrO2、NiO、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO中的一种或多种。
9.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述溶剂蒸发处理为退火，所述退火的温度为80~120℃，所述退火的时间为0.5~1.5h。
10.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述聚合物层的厚度为9~17nm。
11.一种采用权利要求1所述的制备方法制备得到的量子点发光二极管，其特征在于，依次包括：阳极、量子点发光层、电子传输层、聚合物层以及阴极；
所述电子传输层为金属氧化物，所述聚合物层包括长支链聚合物，所述长支链聚合物的长支链插入所述电子传输层，使所述金属氧化物镶嵌在所述长支链之间。
12.根据权利要求11所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述长支链为碳原子数大于4的直链。
13.根据权利要求11所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述长支链的长度为1~5nm；所述聚合物层的厚度为9~17nm。
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