CN111146347A - 电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种电致发光器件，包括基板，以及设置在所述基板上的至少一种量子点电致发光单元和至少一种有机电致发光单元，所述量子点电致发光单元包括相对设置的第一阳极和第一阴极，设置在所述第一阳极和所述第一阴极之间的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层和所述第一阴极之间的第一电子传输层；所述有机电致发光单元包括相对设置的第二阳极和第二阴极，设置在所述第二阳极和所述第二阴极之间的有机发光层，以及设置在所述有机发光层和所述第二阴极之间的第二电子传输层；所述第一电子传输层的材料选自交联型电子传输材料，所述第二电子传输层的材料选自交联型电子传输材料。
Description
技术领域
本发明属于发光显示技术领域，尤其涉及一种电致发光器件及其制备方法。
背景技术
由于量子点具有尺寸可调节的发光、发光线宽窄、发光效率高等特点，以量子点为发光层的量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode，QLED)成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点电致发光具有光色纯度好、发光量子效率高、响应速度快等优点，近年来受到了广泛的关注。经过多年的研究开发，从公开报导的文献资料来看，目前最高的红色和绿色QLED的外量子效率已经超过或者接近20％，表明红绿量子点发光二极管的内量子效率实际上已经接近理论极限。然而，作为彩色显示不可或缺三基色之一的蓝色量子点发光二极管，目前在电光转换效率远低于红绿量子点发光二极管，从而限制了量子点发光二极管在彩色显示方面的应用。
另外，红绿蓝三种颜色的量子点发光二极管器件的寿命差距也很大。从公开报导的文献资料看，红色量子点发光二极管器件在初始亮度为100cd/m2工作条件下，半亮度寿命已经超过10万小时甚至更长；但是，绿色和蓝色量子点发光二极管器件的半亮度寿命远低于红色器件的寿命，尤其是量子点发光二极管器件，公开报导的半寿命只达到几十到几百小时，距离实用水平还有不少差距。
基于有机发光材料电致发光(OLED)材料及器件结构等技术已经开发了近三十年，相对QLED已经比较成熟，某些有机电致发光材料的性能相比较量子点，具有更好的性能，例如更高的发光效率或更长的寿命。因此可以采用高性能有机发光材料来弥补量子点及量子点发光二极管器件的性能的缺陷。
采用量子点电致发光和有机电致发光混合发光结构可以充分发挥两类不同发光的优势，且量子点电致发光和有机电致发光都可以采用倒置器件结构。为了兼容溶液加工工艺，防止在后续发光层及其它功能层上层制作过程中溶剂对下层的破坏，倒置型器件底层电子传输层常采用氧化物纳米粒子作为电子传输材料，例如ZnO纳米粒子、ZnMgO纳米粒子。这种纳米粒子成膜界面较差，通常需要额外的界面修饰层来改善界面特性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电致发光器件及其制备方法，旨在解决现有的电致发光器件中氧化物纳米粒子作为电子传输材料存在成膜界面差的问题。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
一种电致发光器件，包括基板，以及设置在所述基板上的至少一种量子点电致发光单元和至少一种有机电致发光单元，
所述量子点电致发光单元包括相对设置的第一阳极和第一阴极，设置在所述第一阳极和所述第一阴极之间的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层和所述第一阴极之间的第一电子传输层；
所述有机电致发光单元包括相对设置的第二阳极和第二阴极，设置在所述第二阳极和所述第二阴极之间的有机发光层，以及设置在所述有机发光层和所述第二阴极之间的第二电子传输层；
其中，所述第一阳极和所述第二阳极设置在所述基板上，或者所述第一阴极和所述第二阴极设置在所述基板上；
且所述第一阳极和所述第二阳极的材料相同或不同，所述第一阴极和所述第二阴极的材料相同或不同，所述第一电子传输层的材料选自交联型电子传输材料，所述第二电子传输层的材料选自交联型电子传输材料，且所述第一电子传输层与所述第二电子传输层的材料相同或不同。
以及，一种电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
提供基板，在所述基板上制备阴极和像素界定层，形成以所述阴极为底、所述像素界定层围合形成的像素槽，预先设定量子点发光区域和有机发光区域；
在所述量子点发光区域的阴极表面沉积交联型电子传输材料，在惰性环境下加热处理，使所述交联型电子传输材料发生交联，制备第一电子传输层；在所述有机发光区域的阴极表面沉积交联型电子传输材料，在惰性环境下加热处理，使所述交联型电子传输材料发生交联，制备第二电子传输层
在所述电子传输层表面制备发光层，在发光层上制备阳极，其中，在所述第一电子传输层上制备量子点发光层，在所述第二电子传输层上制备有机发光层。
一种电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
提供基板，在所述基板上制备阳极和像素界定层，形成以所述阳极为底、所述像素界定层围合形成的像素槽，预先设定量子点发光区域和有机发光区域；
在所述量子点发光区域的阳极表面制备量子点发光层，在所述量子点发光层表面沉积交联型电子传输材料，在惰性环境下加热处理，使所述交联型电子传输材料发生交联，制备第一电子传输层；其中，在所述有机发光区域的阳极表面制备有机发光层，在所述有机发光层表面沉积交联型电子传输材料，在惰性环境下加热处理，使所述交联型电子传输材料发生交联，制备第二电子传输层；
在所述第一电子传输层和所述第二电子传输层的表面制备阴极。
本发明提供了一种基于量子点电致发光和有机电致发光的发光器件，可以充分发挥量子点和有机材料的优势，实现性能更加优良的光电显示。具体的，本发明提供的电致发光器件，首先，采用有机电致发光和量子点电致发光的组合混合发光方式，可以进一步提升显示器的综合显示性能，特别是提高弱势电致发光单元如蓝色发光电致发光二极管的发光效率和使用寿命。其次，本发明采用交联型电子传输材料，经交联后形成的材料具有很好的化学稳定性，可以在制备过程中有效抵挡来自上层溶剂的侵蚀，特别是来自发光器件中来自有机发光层或量子点发光层溶剂的侵蚀，尤其是有机发光层溶剂的侵蚀，从而提高界面性能，满足器件的电子传输效率，使有机发光层的发光效率与量子点发光层的发光效率更匹配，从而获得更好的混合发光显示。此外，由于有机材料成膜界面较好，不需要额外的界面修饰层，具有良好的工艺兼容性，且可简化工艺，降低制造成本。综上，本发明基于量子点电致发光和有机电致发光混合发光结构的彩色显示器件，不仅具有高性能的显示，而且在制作过程中还可以更好的兼容制造工艺，节省制造成本。
本发明提供的电致发光器的制备方法，只需在常规的电致发光器件的制备工艺基础上，一方面，调整发光层材料的类型，另一方面，沉积交联型电子传输材料后进行加热处理，使材料发生交联。本发明提供的方法不需要额外的界面修饰层，具有良好的工艺兼容性，工艺简单，可降低制造成本，最重要的是，能够获得界面性能好、发光效率高的电致发光器件。
附图说明
图1是本发明实施例1、2提供的电致发光器件的结构示意图；
图2是本发明实施例3、4提供的电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
本发明实施例提供了一种电致发光器件，包括基板，以及设置在所述基板上的至少一种量子点电致发光单元和至少一种有机电致发光单元，
所述量子点电致发光单元包括相对设置的第一阳极和第一阴极，设置在所述第一阳极和所述第一阴极之间的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层和所述第一阴极之间的第一电子传输层；
所述有机电致发光单元包括相对设置的第二阳极和第二阴极，设置在所述第二阳极和所述第二阴极之间的有机发光层，以及设置在所述有机发光层和所述第二阴极之间的第二电子传输层；
其中，所述第一阳极和所述第二阳极设置在所述基板上，或者所述第一阴极和所述第二阴极设置在所述基板上；
且所述第一阳极和所述第二阳极的材料相同或不同，所述第一阴极和所述第二阴极的材料相同或不同，所述第一电子传输层的材料选自交联型电子传输材料，所述第二电子传输层的材料选自交联型电子传输材料，且所述第一电子传输层与所述第二电子传输层的材料相同或不同。
本发明实施例提供了一种基于量子点电致发光和有机电致发光的发光器件，可以充分发挥量子点和有机材料的优势，实现性能更加优良的光电显示。具体的，本发明实施例提供的电致发光器件，首先，采用有机电致发光和量子点电致发光的组合混合发光方式，可以进一步提升显示器的综合显示性能，特别是提高弱势电致发光单元如蓝色发光电致发光二极管的发光效率和使用寿命。其次，本发明实施例采用交联型电子传输材料，经交联后形成的材料具有很好的化学稳定性，可以在制备过程中有效抵挡来自上层溶剂的侵蚀，特别是来自发光器件中来自有机发光层或量子点发光层溶剂的侵蚀，尤其是有机发光层溶剂的侵蚀，从而提高界面性能，满足器件的电子传输效率，使有机发光层的发光效率与量子点发光层的发光效率更匹配，从而获得更好的混合发光显示。此外，由于有机材料成膜界面较好，不需要额外的界面修饰层，具有良好的工艺兼容性，且可简化工艺，降低制造成本。综上，本发明实施例基于量子点电致发光和有机电致发光混合发光结构的彩色显示器件，不仅具有高性能的显示，而且在制作过程中还可以更好的兼容制造工艺，节省制造成本。
本发明实施例中，所述电致发光器件包括若干个像素单元，每个像素单元包括多个子像素单元，多个子像素单元包括至少一种量子点电致发光单元和至少一种有机电致发光单元。具体的，多个子像素单元包括包括至少一种量子点电致发光单元和至少一种有机电致发光单元，理解为电致发光单元中的发光层材料不完全相同，包括量子点发光材料和有机发光材料，即量子点电致发光单元中的发光材料为量子点材料，有机电致发光单元中的发光材料为有机材料。优选实施例中，所述电致发光器件包括若干个像素单元，每个像素单元包括三个子像素单元，三个子像素单元分别为红光量子点发光单元、一个绿光量子点发光单元和一个蓝光有机发光单元。
所述电致发光器件，原则上可以至少选择任意一种颜色的发光器件作为量子点电致发光单元，也可以至少选择任意一种颜色的发光器件作为有机电致发光单元。优选的，所述电致发光器件中，所述量子点电致发光单元包括红光量子点电致发光单元、绿光量子点电致发光单元，所述有机电致发光单元包括蓝光有机电致发光单元，从而提高弥补蓝光量子点电致发光的不足，提高发光器件的整体发光性能。更优选的，所述电致发光器件包括若干个像素单元，每个像素单元包括一个红光量子点发光单元、一个绿光量子点发光单元和一个蓝光有机发光单元，从而通过提高电子传输层(第一电子传输层、第二电子传输层)的界面性能，提高蓝光器件的发光效率。
具体的，本发明实施例中，所述第一阳极和所述第二阳极的材料相同或不同，所述第一阴极和所述第二阴极的材料相同或不同。优选的，为了提高材料的兼容性，进而提高器件稳定性，同时为了简化工艺流程，所述第一阳极和所述第二阳极的材料相同，即所述量子点电致发光单元和所述有机电致发光单元共用阳极；所述第一阴极和所述第二阴极的材料相同，即所述量子点电致发光单元和所述有机电致发光单元共用阴极。
优选的，所述电致发光器件还可以包括空穴传输层、空穴注入层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子注入层等功能层中的一层或者多层。其中，
本发明实施例所述基板设置在阳极或阴极一端，用于承载整个电致发光器件。具体的，所述第一阳极和所述第二阳极设置在所述基板上，或者所述第一阴极和所述第二阴极设置在所述基板上。
空穴传输层位于(量子点或有机)发光层和阳极之间；
空穴注入层位于空穴传输层和阳极之间，或在没有设置空穴传输层的情况下，空穴注入层位于(量子点或有机)发光层和阳极之间；所述空穴注入层可以进一步提升各发光单元的发光效率，以进一步降低功耗。
电子阻挡层位于(量子点或有机)发光层和空穴传输层之间，或在没有设置空穴传输层的情况下，空穴注入层位于(量子点或有机)发光层和阳极之间；
空穴阻挡层位于(量子点或有机)发光层和电子传输层之间，或没有设置电子传输层的情况下，空穴阻挡层位于(量子点或有机)发光层和阴极之间；
电子注入层位于电子传输层与阴极之间，或没有设置电子传输层的情况下，空穴阻挡层位于(量子点或有机)发光层和阴极之间。
本发明实施例中，所述电致发光器件还包括用于分隔相邻的发光单元的像素界定层。即相邻的电致发光单元通过像素界定层隔离。所述像素界定层还可以限定溶液法工艺制作过程中材料溶液精确的流入指定的发光单元子像素区，防止串色导致发光纯度降低。
作为一个优选实施例，如图1所示，所述电致发光器件结构包括基板100，设置在基板的阴极110和用于分隔相邻发光像素单元的像素界定层300，在阴极110上设置的电子传输层120，在电子传输层120上设置的发光层，其中，210、220、230分别表示红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层，且210、220、230中至少有一种是量子点发光层，且至少有一种是有机发光层，在发光层上设置的空穴传输层130，在空穴传输层130上设置的阳极140，所述电子传输层的材料选自交联型电子传输材料。
作为一个更优选实施例，如图2所示，所述电致发光器件结构包括基板100，设置在基板的阴极110和用于分隔相邻发光像素单元的像素界定层300，在阴极110上设置的电子传输层120，在电子传输层120上设置的发光层，其中，210、220、230分别表示红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层，且210、220、230中至少有一种是量子点发光层，且至少有一种是有机发光层，在发光层上设置的空穴传输层130，在空穴传输层130上设置的空穴注入层135，在空穴注入层135上设置的阳极140，所述电子传输层的材料选自交联型电子传输材料。
在上述结构的基础上，进一步的，所述交联型电子传输材料优选苯基吡啶类交联型电子传输材料、苯基苯并咪唑类交联型电子传输材料、三苯基膦类交联型电子传输材料、三氮唑类交联电子传输材料中的至少一种。优选的交联型电子传输材料交联后形成的结构具有很好的化学稳定性，能够避免在制备上层功能层时被溶剂腐蚀而影响界面性能，特别是能够避免来自量子点发光材料溶液或有机发光材料溶液中溶剂的腐蚀，进而影响器件发光效率。此外，优选的交联型电子传输材料，具有较好的兼容性，能够同时用于量子点电致发光单元和有机电致发光单元中，且具有较好的稳定性。
进一步优选的，所述苯基吡啶类交联型电子传输材料选自下式结构化合物中的至少一种：
DV-24PyTAZ：2,4-双(4-(4-(4-(叔丁基)苯基)-5-(4-(((4-乙烯基苄基)氧基)甲基)苯基)-4H-1,2,4-三唑-3-基)苯基)吡啶；
DV-25PyTAZ：2,5-双(4-(4-(4-(叔丁基)苯基)-5-(4-(((4-乙烯基苄基)氧基)甲基)苯基)-4H-1,2,4-三唑-3-基)苯基)吡啶；
DV-26PyTAZ：2,6-双(4-(4-(4-(叔丁基)苯基)-5-(4-(((4-乙烯基苄基)氧基)甲基)苯基)-4H-1,2,4-三唑-3-基)苯基)吡啶；
DV-35PyTAZ：3,5-双(4-(4-(4-(叔丁基)苯基)-5-(4-(((4-乙烯基苄基)氧基)甲基)苯基)-4H-1,2,4-三唑-3-基)苯基)吡啶。
优选的上述结构的苯基吡啶类交联型电子传输材料，具有更好的化学稳定性。
本发明实施例中，优选的，所述第一电子传输层的厚度为10-200nm；优选的，所述第二电子传输层的厚度为10-200nm。为了简化制备工艺，优选所述第一电子传输层的厚度与所述第二电子传输层的厚度相同。
所述基板优选为透明基板，可以是玻璃基板，也可以是柔性基板。
所述发光材料依据发光层类型进行选择，当发光层为量子点发光层时，选择量子点发光材料。具体的，所述量子点发光材料可以选自II-IV族化合物半导体，包括但不限于CdS、CdSe、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS；也可以选自III-V族化合物半导体或IV-VI族化合物半导体，包括但不限于GaAs、InP、PbS/ZnS、PbSe/ZnS；还可以选自I-III-VI2族等半导体纳米晶，所述量子点发光材料可以采用均一混合类型，也可以采用梯度混合类型，还可以采用核-壳类型或联合类型。此外，所述量子点发光材料中含有含有掺杂物质，掺杂方式可以是自掺杂。
当发光层为有机发光层时，选择常规的有机发光材料。优选的，采用溶液加工型有机发光材料，从而可以在制备过程中采用喷墨打印等溶液法加工工艺成膜。如当蓝光电致发光单元为有机电致发光单元，所述蓝光电致发光单元中的蓝色有机发光层的材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物。优选的蓝色有机发光层的材料不仅具有较好的可加工性，而且具有较好的蓝光发光性能。
所述空穴传输材料可以选自聚对苯撑乙烯(PPv)类、聚噻吩类、聚硅烷类、三苯甲烷类、三芳胺类、腙类、吡唑啉类、嚼唑类、咔唑类、丁二烯类等有机空穴传输材料，也可以选自NiO、MoO3等无机空穴传输材料及其复合物，还可以选自掺杂型复合结构，例如F4-TCNQ(2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷)、HAT-CN(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲)中的至少一种掺杂到NPB(N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)、TPD(N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)等材料中形成的掺杂型空穴传输材料，MoO3掺杂到NPB、TPD等材料形成的掺杂型空穴传输材料。
阳极的材料为金属材料，包括但不限于Al、Au、Ag、Pt、Cu、Mo、Ni、Mg等金属，也可以是合金。
本发明实施例提供的电致发光器件，可以通过下述方法制备获得。
以及，本发明实施例还提供了电致发光器件的制备方法。
作为一种具体实施方式，所述电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
S01.提供基板，在所述基板上制备阴极和像素界定层，形成以所述阴极为底、所述像素界定层围合形成的像素槽，预先设定量子点发光区域和有机发光区域；
S02.在所述量子点发光区域的阴极表面沉积交联型第一电子传输材料，在惰性环境下加热处理，使所述交联型电子传输材料发生交联，制备电子传输层；在所述有机发光区域的阴极表面沉积交联型电子传输材料，在惰性环境下加热处理，使所述交联型电子传输材料发生交联，制备第二电子传输层；
S03.在所述电子传输层表面制备发光层，在发光层上制备阳极，其中，在所述第一电子传输层上制备量子点发光层，在所述第二电子传输层上制备有机发光层。
具体的，上述步骤S01中，在所述基板上制备阴极和像素界定层可以采用常规方法制备获得。根据产品需求或设计要求，预先设定量子点发光区域和有机发光区域。
上述步骤S02中，在所述量子点发光区域的阴极表面沉积交联型电子传输材料，在所述有机发光区域的阴极表面沉积交联型电子传输材料，分别制备第一电子传输层和第二电子传输层。所述交联型电子传输材料采用溶液加工法优选采用喷墨打印方式实现，不仅工艺简单，而且易于得到厚度均匀、平整度较高的膜层。进一步的，在惰性环境下进行加热处理，其中，加热处理的温度根据具体的交联型电子传输材料的类型确定，以实现材料的交联但不破坏电子传输材料及其下层结构材料为宜。
上述步骤S03中，在所述电子传输层表面制备发光层，优选采用溶液加工法实现。此时，可以根据不同的电致发光单元的类型，沉积不同的发光材料。具体的，在所述第一电子传输层上制备量子点发光层，在所述第二电子传输层上制备有机发光层。
在发光层上制备阳极优选采用真空真镀方式实现。
进一步的，在制备阳极前，优选在发光层上通过溶液加工法或真空蒸镀工艺制备空穴传输层。
作为另一种具体实施方式，一种电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
E01.提供基板，在所述基板上制备阳极和像素界定层，形成以所述阳极为底、所述像素界定层围合形成的像素槽，预先设定量子点发光区域和有机发光区域；
E02.在所述量子点发光区域的阳极表面制备量子点发光层，在所述量子点发光层表面沉积交联型电子传输材料，在惰性环境下加热处理，使所述交联型电子传输材料发生交联，制备第一电子传输层；在所述有机发光区域的阳极表面制备有机发光层，在所述有机发光层表面沉积交联型电子传输材料，在惰性环境下加热处理，使所述交联型电子传输材料发生交联，制备第二电子传输层；
E03.在所述第一电子传输层和所述第二电子传输层的表面制备阴极。
具体的，上述步骤E01中，在所述基板上制备阳极和像素界定层可以采用常规方法制备获得，阳极优选采用真空真镀法制备。根据产品需求或设计要求，预先设定量子点发光区域和有机发光区域。
上述步骤E02中，在所述量子点发光区域的阳极表面制备量子点发光层，在所述有机发光区域的阳极表面制备有机发光层，优选采用溶液加工法实现。进一步的，在制备发光层前，优选在阳极表面通过溶液加工法或真空蒸镀工艺制备空穴传输层。
在所述量子点发光层表面沉积交联型电子传输材料，在所述有机发光层表面沉积交联型电子传输材料，采用溶液加工法优选采用喷墨打印方式实现，不仅工艺简单，而且易于得到厚度均匀、平整度较高的膜层。进一步的，在惰性环境下进行加热处理，其中，加热处理的温度根据具体的交联型电子传输材料的类型确定，以实现材料的交联但不破坏电子传输材料及其下层结构材料为宜。
上述步骤E03中，在所述第一电子传输层和所述第二电子传输层的表面制备阴极，优选采用真空真镀方法实现。
本发明实施例提供的电致发光器的制备方法，只需在常规的电致发光器件的制备工艺基础上，一方面，调整发光层材料的类型，另一方面，沉积交联型电子传输材料后进行加热处理，使材料发生交联。本发明实施例提供的方法不需要额外的界面修饰层，具有良好的工艺兼容性，工艺简单，可降低制造成本，最重要的是，能够获得界面性能好、发光效率高的电致发光器件。
下面结合具体实施例进行说明。
实施例1
一种电致发光器件，如图1所示，包括基板100(玻璃基板)，设置在基板的阴极110(ITO透明阴极)和用于分隔相邻发光像素单元的像素界定层300，在阴极110上设置的电子传输层120(DV-26PyTAZ)，在电子传输层120上设置的发光层，其中，210、220、230分别表示红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层，210是红色量子点发光层、220是绿色量子点发光层、230是蓝色有机发光层，130是空穴传输层，在发光层上设置的空穴传输层130，在空穴传输层130上设置的阳极140。
所述电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
提供预先做好ITO电极和像素界定层的基板上
在基板上喷墨打印制备DV-26PyTAZ电子传输层120，所有像素全打印，并采用真空干燥法去除有机溶剂；在惰性气体环境下，加热至180-230℃，加热时间20-40分钟，使电子传输材料充分交联，制备电子传输层；
分别在不同的像素坑中喷墨打印红色量子点发光层210、绿色量子点发光层220、蓝色有机发光层230，真空干燥；
在惰性气体环境下，加热至100-140℃，加热时间20-40分钟；在发光层上真空蒸镀空穴传输层130、所有像素全部蒸镀；在空穴传输层130上真空蒸镀制备阳极140。
实施例2
实施例2与实施例1的不同之处在于：210是红色量子点发光层、220是绿色有机发光层、230是蓝色有机发光层。
实施例3
一种电致发光器件，如图2所示，与实施例1的不同之处在于，在空穴传输层130与阳极140之间插入空穴注入层135。
所述电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
提供预先做好ITO电极和像素界定层的基板上
在基板上喷墨打印制备DV-26PyTAZ电子传输层120，所有像素全打印，并采用真空干燥法去除有机溶剂；在惰性气体环境下，加热至180-230℃，加热时间20-40分钟，使电子传输材料充分交联，制备电子传输层；
分别在不同的像素坑中喷墨打印红色量子点发光层210、绿色量子点发光层220、蓝色有机发光层230，真空干燥；
在惰性气体环境下，加热至100-140℃，加热时间20-40分钟；在发光层上真空蒸镀空穴传输层130、所有像素全部蒸镀；在空穴传输层130上真空蒸镀空穴注入层135，所有像素全部蒸镀；在空穴注入层135上真空蒸镀制备阳极140。
实施例4
实施例4与实施例3的不同之处在于：210是红色量子点发光层、220是绿色有机发光层、230是蓝色有机发光层。
结果显示，实施例1、实施例3充分利用红绿量子点发光颜色纯，并利用蓝色有机电致发光寿命比蓝色量子点长的特征，组合制备的电致发光器件比三种颜色都使用量子点的量子点电致发光显示器更稳定。实施例2、实施例4，绿色有机发光材料在起始亮度1000cd/m2的T95(即亮度衰减到95％)已经超过3000小时，远高于绿色量子点的寿命(相同条件下，T95不到500小时)，配合高效率的蓝色有机发光材料和红色量子点电致发光，组合制备的电致发光器件实现可靠性更好的混合发光显示。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种电致发光器件，其特征在于，包括基板，以及设置在所述基板上的至少一种量子点电致发光单元和至少一种有机电致发光单元，
所述量子点电致发光单元包括相对设置的第一阳极和第一阴极，设置在所述第一阳极和所述第一阴极之间的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层和所述第一阴极之间的第一电子传输层；
所述有机电致发光单元包括相对设置的第二阳极和第二阴极，设置在所述第二阳极和所述第二阴极之间的有机发光层，以及设置在所述有机发光层和所述第二阴极之间的第二电子传输层；
其中，所述第一阳极和所述第二阳极设置在所述基板上，或者所述第一阴极和所述第二阴极设置在所述基板上；
且所述第一阳极和所述第二阳极的材料相同或不同，所述第一阴极和所述第二阴极的材料相同或不同，所述第一电子传输层的材料选自交联型电子传输材料，所述第二电子传输层的材料选自交联型电子传输材料，且所述第一电子传输层与所述第二电子传输层的材料相同或不同。
2.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述交联型电子传输材料选自苯基吡啶类交联型电子传输材料、苯基苯并咪唑类交联型电子传输材料、三苯基膦类交联型电子传输材料、三氮唑类交联电子传输材料中的至少一种。
3.如权利要求2所述的电致发光器件，其特征在于，所述苯基吡啶类交联型电子传输材料选自下式结构化合物中的至少一种：
4.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述第一电子传输层的厚度为10-200nm。
5.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述第二电子传输层的厚度为10-200nm。
6.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件中，所述量子点电致发光单元包括红光量子点电致发光单元、绿光量子点电致发光单元，所述有机电致发光单元包括蓝光有机电致发光单元。
7.如权利要求6所述的电致发光器件，其特征在于，所述蓝光电致发光单元中的蓝色有机发光层的材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物。
8.如权利要求1-7任一项所述的电致发光器件，其特征在于，所述第一阳极和所述第二阳极相同，所述第一阴极和所述第二阴极相同。
9.如权利要求1-7任一项所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件还包括用于分隔相邻发光单元的像素界定层。
10.一种电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基板，在所述基板上制备阴极和像素界定层，形成以所述阴极为底、所述像素界定层围合形成的像素槽，预先设定量子点发光区域和有机发光区域；
在所述量子点发光区域的阴极表面沉积交联型电子传输材料，在惰性环境下加热处理，使所述交联型电子传输材料发生交联，制备第一电子传输层；在所述有机发光区域的阴极表面沉积交联型电子传输材料，在惰性环境下加热处理，使所述交联型电子传输材料发生交联，制备第二电子传输层；
在所述电子传输层表面制备发光层，在发光层上制备阳极，其中，在所述第一电子传输层上制备量子点发光层，在所述第二电子传输层上制备有机发光层。
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