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CN114563928A - 一种套刻标记的优化筛选方法、装置、设备、存储介质及程序产品 - Google Patents

一种套刻标记的优化筛选方法、装置、设备、存储介质及程序产品 Download PDF

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CN114563928A
CN114563928A CN202210085558.9A CN202210085558A CN114563928A CN 114563928 A CN114563928 A CN 114563928A CN 202210085558 A CN202210085558 A CN 202210085558A CN 114563928 A CN114563928 A CN 114563928A
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CN202210085558.9A
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丁洪贞
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Dongfang Jingyuan Electron Ltd
Original Assignee
Dongfang Jingyuan Electron Ltd
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Abstract

本发明涉及光刻技术领域，特别涉及一种套刻标记的优化筛选方法，包括以下步骤：输入多组套刻标记的标记参数；选择一种或多种仿真因子而添加作为可编辑的筛选条件，仿真因子包括可制造性信息、匹配性信息、可探测性信息及准确性信息的一种或多种的组合；基于标记参数通过预设计算模型计算得到每组套刻标记对应的选择的仿真因子的信息；将每组套刻标记的对应仿真因子信息分别与预设的标准进行比较，得到并输出匹配标准的套刻标记。本发明还提供一种装置、设备、存储介质及程序产品。本发明提供的套刻标记的优化筛选方法解决目前对套刻标记的筛选方法不够合理，在实际应用中不够实用的问题。

Description

一种套刻标记的优化筛选方法、装置、设备、存储介质及程序 产品
【技术领域】
本发明涉及光刻技术领域，其特别涉及一种套刻标记的优化筛选方法。
【背景技术】
随着半导体行业的发展，对集成电路的制造工艺要求越来越高，其中，集成电路制造中套刻误差的计量是判断光刻工艺对准好坏的指标，判断设计的套刻标记的合理性，筛选不合格的套刻标记是一项十分重要的流程。目前对套刻标记的筛选方法不够合理，在实际应用中不够实用。
【发明内容】
为了解决目前对套刻标记的筛选方法不够合理，在实际应用中不够实用的问题，本发明提供一种套刻标记的优化筛选方法。
本发明为解决上述技术问题，提供如下的技术方案：一种一种套刻标记的优化筛选方法，包括以下步骤：
输入多组套刻标记的标记参数；
选择一种或多种仿真因子而添加作为可编辑的筛选条件，所述仿真因子包括可制造性信息、匹配性信息、可探测性信息及准确性信息的一种或多种的组合；
基于所述标记参数通过预设计算模型计算得到每组所述套刻标记对应的选择的仿真因子的信息；
将每组所述套刻标记的对应仿真因子信息分别与预设的标准进行比较，得到并输出匹配所述标准的套刻标记。
优选地，所述可制造性信息包括归一化对数斜率和工艺窗口。
优选地，所述工艺窗口的参数包括曝光裕度和聚焦深度。
优选地，所述可探测性信息包括归一化强度系数和灵敏度。
优选地，所述准确性信息包括：归一化强度系数的变化量、套刻信号变换对非对称的影响量、套刻信号变化的均方根和灵敏度数值变化的均方根。
优选地，所述匹配性信息包括转换信息、增量转换信息、图形关键尺寸偏差和匹配图形关键尺寸对应的像差灵敏度的差值。
优选地，所述标记参数包括仿真参数、结构参数和基本规则结构，所述计算模型包括计算光刻模型和量测计算模型，所述计算光刻模型根据所述仿真参数、结构参数及所述基本规则结构进行仿真计算得到所述可制造性信息和所述匹配性信息；所述量测计算模型根据所述仿真参数、结构参数及基本规则结构进行量测计算得到所述可探测性信息和所述准确性信息。
优选地，基于所述标记参数通过预设计算模型进行计算之前还包括以下步骤：选择是否在所述基本规则结构中加入微扰。
优选地，得到匹配所述标准的套刻标记进一步包括以下步骤：
将一组所述套刻标记对应的所述可制造性信息、所述匹配性信息、所述可探测性信息及所述准确性信息分别与所述标准进行比较；
若匹配所述标准，则输出所述套刻标记；
若不匹配所述标准，则进行下一组的筛选。
本发明为解决上述技术问题，提供又一技术方案如下：一种应用上述方法的装置，装置包括：
用于输入的标记参数输入模块、用于选择仿真因子的选择模块、用于计算的计算模块、用于将计算得到的信息与预设的标准进行比对的信息比对模块以及输出匹配标准的套刻标记的标记输出模块。
本发明为解决上述技术问题，提供又一技术方案如下：一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序，所述处理器执行上述计算机程序以实现上述方法的步骤
本发明为解决上述技术问题，提供又一技术方案如下：一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序指令，所述计算机程序指令被处理器执行时实现上述方法的步骤。
本发明为解决上述技术问题，提供又一技术方案如下：一种计算机程序产品，包括计算机程序或指令，所述计算机程序或指令被处理器执行时实现上述方法的步骤。
与现有技术相比，本发明所提供的一种套刻标记的优化筛选方法，具有如下的有益效果：
1.通过对输入的多组套刻标记的标记参数的可制造性信息、匹配性信息、可探测性信息及准确性信息中的一种或多种进行计算分析，与预设标准比较，并且对仿真因子添加可编辑的筛选条件，根据需要，针对性地对套刻标记的特性进行仿真分析，可准确地筛选出符合筛选标准的套刻标记，在实际应用中更加实用，且效率更高。
2.对套刻标记的归一化对数斜率和工艺窗口进行仿真分析，根据曝光结果检测的图形重要尺寸的曝光能量，即曝光裕度，和聚焦深度来对其可制造性进行仿真分析。对仿真过程细化到这具体参数，能够更加准确地对其可制造性进行仿真分析，提高了可制造性仿真结果的可靠性。
3.对套刻标记的归一化强度系数和灵敏度进行仿真分析，使可探测性仿真结果又对应的具体数值来与预设标准进行比较，从而得出评价结果，提高了可探测性仿真结果的可靠性。
4.对套刻标记的归一化强度系数的变化量、套刻信号变换对非对称的影响量、套刻信号变化的均方根和灵敏度数值变化的均方根进行分析比对，通过不同参数在其预设标准范围内的变化情况进行拟合分析，综合得出准确性信息的仿真结果，提高了仿真的准确性。
5.匹配性信息包括转换信息、增量转换信息、图形关键尺寸偏差和匹配图形关键尺寸对应的像差灵敏度的差值，通过将上述信息与预设标准进行比较，可得出套刻标记在制造过程中与器件的匹配性信息，使仿真结果更加贴合实际制造过程，对实际生产制造具有重要的参考意义。
6.标记参数包括仿真参数、结构参数和基本规则结构，计算模型包括计算光刻模型和量测计算模型，计算光刻模型根据仿真参数、结构参数及基本规则结构进行仿真计算得到可制造性信息和匹配性信息；量测计算模型根据仿真参数、结构参数及基本规则结构进行量测计算得到可探测性和准确性。
分别通过计算光刻模型和量测计算模型进行仿真计算，得到输入标记参数的可制造性信息、匹配性信息、可探测性信息及准确性信息，使评估结果对应的流程更加合理清晰，增加了筛选方法的合理性。
7.基于标记参数通过预设计算模型进行计算之前还包括以下步骤：选择是否在基本规则结构中加入微扰。
在实际的光刻过程和量测过程中，基本规则结构往往都会出现细微的偏差，加入选择微扰的流程可使仿真过程更加优化，使仿真计算筛选的套刻标记更加合理。
8.本发明实施例还提供一种装置，用于实现上述方法，具有与上述一种套刻标记筛选的方法相同的有益效果，在此不做赘述。
9.本发明实施例还提供一种计算机设备，具有与上述一种套刻标记筛选的方法相同的有益效果，在此不做赘述。
10.本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质，具有与上述一种套刻标记筛选的方法相同的有益效果，在此不做赘述。
11.本发明实施例还提供一种计算机程序产品，具有与上述一种套刻标记筛选的方法相同的有益效果，在此不做赘述。
【附图说明】
图1是本发明第一实施例提供的套刻标记优化筛选的方法的流程图一。
图2是本发明第一实施例提供的选择仿真因子进行仿真的流程图一。
图3是本发明第一实施例提供的投影光刻示意图。
图4是本发明第一实施例提供的光学量测设备示意图。
图5是本发明第一实施例提供的uDBO标记示意图。
图6是本发明第一实施例提供的基于衍射原理DBO标记示意图。
图7是本发明第一实施例提供的标记切分类型示意图。
图8是本发明第一实施例提供的1D光栅套刻侧壁角微扰的设计层结构示意图1。
图9是本发明第一实施例提供的1D光栅套刻侧壁角微扰的设计层结构示意图2。
图10是本发明第一实施例提供的1D光栅套刻侧壁角微扰的底层结构侧壁角度设计示意图。
图11是本发明第一实施例提供的计算光刻流程图。
图12是本发明第一实施例提供的量测计算流程图。
图13是本发明第一实施例提供的套刻标记筛选的方法的流程图二。
图14是本发明第二实施例提供的装置结构示意图。
图15是本发明第三实施例提供的计算机设备的结构示意图。
图16是本发明第四实施例提供的计算机可读存储介质的结构示意图。
图17是本发明第五实施例提供的计算机程序产品的结构示意图。
附图标识说明：
1、套刻标记的优化筛选方法；2、装置；3、计算机设备；4、计算机可读存储介质；5、计算机程序产品；
10、标记参数；11、计算模型；12、可制造性信息；13、匹配性信息；14、可探测性信息；15、准确性信息；16、量测数据库；17、系统参数数据库；18、套刻标记数据库；19、仿真因子；20、输入模块；21、计算模块；22、比对模块；23、输出模块；30、存储器；31、处理器；40、计算机程序指令；50、计算机程序或指令；
100、仿真参数；101、结构参数；102、基本规则结构；110、计算光刻模型；111、量测计算模型；300、计算机程序；
1000、材料参数；1001、像差；1002、量测设备系统参数；1010、套刻标记类型；1020、3D膜系结构；1100、光刻参考指数；1101、激光光源；1102、聚光透镜；1103、掩模版；1104、投影物镜；1105、硅片；1110、量测参考指数；1111、光源；1112、滤光组件；1113、光束整形组件；1114、照明现场光阑；1115、分束镜；1116、套刻标记；1117、物镜；1118、第一探测器；1119、反射镜；11120、第二探测器；11121、成像放大系统组件；11122、成像滤波组件；
10000、光刻波长材料参数；10001、可见光波长材料参数；10010、光刻过程像差；10011、量测过程像差；11000、归一化对数斜率；11001、工艺窗口；11100、目标系数；11101、堆栈灵敏度。
【具体实施方式】
为了使本发明的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1，本发明第一实施例提供一种套刻标记的优化筛选方法1，包括以下步骤：
输入多组套刻标记的标记参数；
选择一种或多种仿真因子19而添加作为可编辑的筛选条件，仿真因子19包括可制造性信息12、匹配性信息13、可探测性信息14及准确性信息15的一种或多种的组合；
基于标记参数通过预设计算模型计算得到每组套刻标记对应的选择的仿真因子19的信息；
将每组套刻标记的对应仿真因子19信息分别与预设的标准进行比较，得到并输出匹配标准的套刻标记。
通过对输入的多组套刻标记的标记参数的可制造性信息12、匹配性信息13、可探测性信息14及准确性信息15中的一种或多种进行计算分析，与预设标准比较，并且对仿真因子19添加可编辑的筛选条件，根据需要，针对性地对套刻标记的特性进行仿真分析，可准确地筛选出符合筛选标准的套刻标记，在实际应用中更加实用，且效率更高。
进一步地，可制造性信息12包括归一化对数斜率NISL和工艺窗口PW，工艺窗口PW包括曝光裕度EL和聚焦深度DOF。曝光裕度EL为是指在线宽允许变化范围内,曝光能量允许的最大偏差。它是衡量光刻工艺的一项基本参数。光学曝光系统可以形成符合设计版图要求的曝光能量范围，通常使用曝光结果检测的CD值的变化量在+/-10％范围内的曝光能量选择范围来定义。聚焦深度DOF是衡量曝光工艺窗口PW的重要参数，它标志了曝光系统成像的质量和晶圆表面位置的关系。在聚焦深度范围之内，曝光成像的质量是可以保证的。曝光时的聚焦深度必须要远大于晶圆表面的不平整度，只有这样才能保证光刻工艺的良率。
匹配性信息13包括转换信息Shiftkpi:、增量转换信息DeltaShiftkpi:、图形关键尺寸偏差MatchCD和匹配图形关键尺寸对应的像差灵敏度的差值Mindeltashift。对于匹配性信息的评价标准，转换信息、增量转换信息和匹配图形关键尺寸对应的像差灵敏度的差值越小越好。
可探测性信息14包括归一化强度系数TC和灵敏度SS。对于可探测性信息的评价标准，归一化强度系数TC越大越好，灵敏度SS越小越好。
准确性信息15包括归一化强度系数的变化量、套刻信号变换对非对称的影响量、套刻信号变化的均方根和灵敏度数值变化的均方根。对于准确性信息的评价标准，归一化强度系数的变化量越小越好，套刻信号变换对非对称的影响量越小越好。
请参阅图2，示例性地，选择可制造性信息12和可探测性信息14作为仿真因子19，并对应添加可制造性筛选条件和可探测性筛选条件进行仿真筛选。
可以理解地，可探测性信息12的筛选条件为归一化强度系数TC和灵敏度SS；可制造性信息14的筛选条件为归一化对数斜率NISL和工艺窗口PW。
在引入可制造性筛选条件进行仿真之后，得到可制造性结果输出表，并将筛选后的套刻标记传入下一步，进行可探测性仿真筛选，依据可探测性筛选条件，得到可探测性结果输出表，并对应输出二次筛选后的套刻标记。需要说明的是，输出可制造性结果输出表和可探测性结果输出表是因为仿真因子19为可制造性信息12和可探测性信息14，若仿真因子19为准确性信息15和匹配性信息13，则对应输出准确性结果输出表和匹配性结果输出表。而仿真因子19是可以根据需要选择的，即可编辑的，因此每次仿真可能会有不同的结果输出表输出。
可以理解地，在选择仿真因子19时，也可同时选择可制造性信息12、匹配性信息13、可探测性信息14和准确性信息15进行仿真，对应地在每一步仿真之后，对应输出可制造性结果输出表、匹配性结果输出表、可探测性结果输出表和准确性结果输出表。
进一步地，标记参数10包括仿真参数100、结构参数101和基本规则结构102，计算模型11包括计算光刻模型110和量测计算模型11，通过计算光刻模型110根据仿真参数100、结构参数101及基本规则结构102进行计算光刻过程仿真计算得到可制造性信息12和匹配性信息13；通过测计算模型11根据所仿真参数100、结构参数101及基本规则结构102进行量测计算过程仿真计算得到可探测性信息12和准确性信息13。
具体地，仿真参数100包括仿真中所涉及的材料参数1000或加载材料库中已存在的材料参数1000。材料参数1000分为光刻波长193nm下所需的光刻波长材料参数10000和可见光波长下的可见光波长材料参数10001。材料特性影响光刻和量测计算的电磁波反射和投射的特性，所以针对光刻波长下的光和量测过程中的可见光的不同波长和频率需要用户输入不同的材料特性或从材料库中加载不同的材料特性。如硅在可见光的550nm下的折射率n1＝4.0817，衰减系数k1为0.040882，但是在193nm波长下硅材料的折射率n2＝0.883，衰减系数k2＝2.788。
可以理解地，仿真参数100还包括像差1001。像差1001包括计算光刻过程中的像差10010和量测计算过程中的像差10011。
请参阅图3，激光光源1101通过聚光透镜1102照射到掩模版1103上，掩膜版1103上的图案经过投影物镜1104转移到硅片1105面上。由于投影光刻的特点，必然会映入像差1001，所以在套刻标记筛选时，需要引入像差1001。
请参阅图4，完成光刻工艺的套刻标记是在含有物镜1117的光学量测系统中探测信号，所以由物镜1117引入的像差1001，在套刻标记筛选方法中也是需要考虑到像差1001的影响。
进一步地，基于标记参数10通过预设计算模型11，即计算光刻模型110和量测计算模型11，得到每组套刻标记对应的可制造性信息12、匹配性信息13、可探测性信息14及准确性信息15中的一种或多种。分别通过计算光刻模型110和量测计算模型11进行仿真计算，得到输入标记参数10的可制造性信息12、匹配性信息13、可探测性信息14及准确性信息15，使评估结果对应的流程更加合理清晰，增加了筛选方法的合理性。
其中，标记参数10中的仿真参数100还包括量测设备系统参数1002，将实际量测设备的光学测量参数作为仿真参数100输入，通过量测计算模型11计算输入的套刻标记的可探测性信息14和准确性信息15。
请参阅图4，示例性地，由光源1111发出的光经过滤光组件1112、光束整形组件1113和照明现场光阑1114，通过分束镜1115照射到套刻标X记1116上，套刻标X记1116衍射出的信号被物镜1117收集后，一路信号被第一探测器1118收集，另一路信号经过反射镜1119后被第二探测器11120收集。第二探测器11120的信号是经过成像放大系统组件11121和成像滤波组件11122完成处理的。具体地，量测设备系统参数1002包括：输入设备的光谱信息、量测照明模式、探测物镜的大小、频域滤波的数值和孔径大小等。光谱信息需要根据对图4中的光源1111进行测量，其结果作为量测模型计算的输入。测量照明模式具体指的是针对不同的工艺时，套刻设备中可以选择不同的照明模式以便于测出满足实际生产指标(如测量重复性)。业界内常见的照明模式有针对于DBO的四极照明，针对于u-DBO的双极照明。探测物镜指的是图4中测量系统的物镜1117的数值孔径的大小，物镜1117的大小决定了测量时收集套刻信号的空间范围。频域滤波的数值孔径大小指针对于u-DBO的衍射信号在成像前设计的滤除0级光的孔径光阑数值大小。
结构参数101包括套刻标记的类型，套刻标记的类型可以从数据库中导入，也可定义常见的不同套刻标记类型1010，同时还可以对标记类型选择是否切分。
示例性地，请参阅图5至图7，针对不同标记的尺寸要求，在输入结构参数101之后，可以对标记进行切分，示例性地，请参阅图7，切分类型包括BasicLS，ParalST_P(N),VertST_P(N)和2DST_P(N)。
进一步地，在计算得到每组套刻标记的对应的可制造性信息12、匹配性信息13、可探测性信息14及准确性信息15中的一种或多种之后，将其与预设的标准进行比较，得到并输出匹配标准的套刻标记，完成套刻标记的筛选。
可以理解地，可制造性信息12、匹配性信息13、可探测性信息14及准确性信息15中的一种或多种由选择的仿真因子19决定。
通过对输入的多组套刻标记的标记参数10的可制造性信息12、匹配性信息13、可探测性信息14及准确性信息15中的一种或多种进行计算分析，并于预设标准比较，可准确全面地筛选出合格套刻标记，且容易实现，在实际应用中更加实用。
优选地，在输入标记参数10之后，且在基于标记参数10通过预设计算模型进行计算之前，还包括以下步骤：选择是否在基本规则结构102中加入微扰。
基本规则结构102包括完成所有工艺过程之后的3D膜系结构1020，根据3D膜系结构1020，选择是否设置微扰。
示例性地，请参阅图8，每一层可自由添加材料和结构。套刻设计只需要在上下两册设计周期结构光栅，然后在基本结构上设计微扰。示例性地，如图9到图10是对底层结构设计侧壁角度。其中常见的结构微扰主要包括结构侧壁角度变化，底部倾斜等。在实际的光刻过程和量测过程中，基本规则结构102往往都会出现细微的偏差，加入选择微扰的流程可使仿真过程更加优化，使仿真计算筛选的套刻标记更加合理。
进一步地，基于计算光刻模型110和量测计算模型11进行仿真。计算光刻模型110用于计算评估套刻标记的可制造性和匹配性；量测计算模型11用于计算仿真所设计套刻标记的可探测性和准确性。
具体地，计算光刻模型110根据仿真参数100、结构参数101及基本规则结构102进行仿真计算得到可制造性信息12和匹配性信息13进一步包括以下步骤：
计算光刻模型110根据所仿真参数100、结构参数101及基本规则结构102模拟光刻工艺过程进行仿真计算，得出可制造性和匹配性对应的光刻参考指数1100；
将光刻参考指数1100与预设的光刻数据库进行比对得到可制造性信息12和匹配性信息13。
示例性地，请参阅图11，输入计算光刻193nm膜系的材料参数1000、光刻过程像差10010和套刻标记类型1010设计，并输入套刻标记所有工艺流程后的基本规则结构102来选择是否设置微扰，若设置微扰，则以微扰结构输入，若设置微扰，则以基本规则结构102输入，将输入的值引入计算光刻模型110，计算得到光刻参考指数1100。光刻参考指数1100包括归一化对数斜率11000和工艺窗口11001，将归一化对数斜率11000和工艺窗口11001与预设数据库对比，评价套刻标记的可制造性和匹配性。不同的标记参数10会对应有不同的光刻参考指数1100，通过将计算得出的光刻参考指数1100与对应的数据库进行比对可得到满足可制造性和匹配性标准的套刻标记，使筛选结果更加优化。
具体地，量测计算模型11根据仿真参数100、结构参数101及基本规则结构102进行量测计算得到可探测性信息14和准确性信息15进一步包括以下步骤：
量测计算模型11根据仿真参数100、结构参数101及基本规则结构102模拟量测过程进行量测计算，得出可探测性和准确性对应的量测参考指数1110；
将量测参考指数1110与预设的量测数据库16进行比对，得到可探测性信息14和准确性信息15。
示例性地，请参阅图12，输入可见光下膜系的材料参数1000、量测设备系统参数1002、量测过程像差10011和套刻标记类型1010，并输入套刻标记所有工艺流程后的基本规则结构102来选择是否设置微扰，若设置微扰，则以微扰结构输入，若设置微扰，则以基本规则结构102输入，将输入的值引入量测计算模型11进行量测计算，得出可探测性和准确性对应的量测参考指数1110。量测参考指数1110包括目标系数11100和堆栈灵敏度11101，将目标系数11100和堆栈灵敏度11101与预设的量测数据库16进行比对，得到可探测性信息14和准确性信息15。不同的标记参数10会对应有不同的量测参考指数1110，通过将计算得出的量测参考指数1110与对应的量测数据库16进行比对可得到满足可探测性信息14和准确性标准的套刻标记，使筛选结果更加优化。
进一步地，得到匹配标准的套刻标记进一步包括以下步骤：
将一组套刻标记对应的可制造性信息12、匹配性信息13、可探测性信息14及准确性信息15分别与标准进行比较；
若套刻标记对应的可制造性信息12、匹配性信息13、可探测性信息14及准确性信息15匹配标准，则输出套刻标记；
若套刻标记对应的可制造性信息12、匹配性信息13、可探测性信息14及准确性信息15不匹配标准，则将下一组套刻标记对应的可制造性信息12、匹配性信息13、可探测性信息14及准确性信息15分别与标准进行比较。
优选地，方法还包括以下步骤：
将量测参考指数1110与预设的系统参数数据库17进行比对，得到对应的参考仿真参数100，用于指导量测设备的计量光学硬件配置，如波长、照明模式等。在量测计算的过程中，得到的量测参考指数1110与预设的量测数据库16进行比对，可输出对应的参考仿真参数100，在实际应用中，对于每组标记参数10，可根据仿真参数100针对性地调整系统的参数，例如输入设备的光谱信息、测量照明模式、探测物镜的大小、频域滤波的数值孔径大小等，使量测过程更具有针对性，量测结果更加准确。
优选地，方法在输出匹配标准的套刻标记之后还包括以下步骤：
将得到的匹配标准的套刻标记保存到套刻标记数据库18中，该库可为后续仿真作为参考、经验数据。将匹配标准的套刻标记存入套刻标记数据库18，当下次传入相同或相似的数据时，可减少仿真步骤，节省仿真时间，甚至直接输出对应的仿真结果。
优选地，方法在输出匹配标准的套刻标记之后还包括以下步骤：
根据输出结果，选择是否调整仿真参数100变化量重新进行仿真筛选。
请参阅图13，示例性地，本实施例整体通过图示流程进行优化筛选，首先，输入套刻标记类型1010设计、编辑选择仿真因子19、仿真所需材料参数1000、仿真中需要的像差1001、量测设备系统参数1002和套刻标记所有工艺流程后的基本规则结构102，并根据基本规则结构102选择是否设置微扰，若设置微扰，则以微扰结构输入，若不设置微扰，则已基本规则结构输入。加载计算模型11和参数进行仿真计算，其中计算光刻模型110仿真计算评价分析可制造性和匹配性，量测计算模型11评价分析可探测性和准确性，将得到的可制造性、匹配性、可探测性和准确性分析结果与预设标准进行比较评估，得到匹配标准的套刻标记，再判断输出结果是否满足要求，若不满足，则调整仿真参数100，加载计算模型11重新进行仿真计算，若满足，则输出匹配标准的套刻标记和量测设备光学系统参考仿真参数100，并且将得到的匹配标准的套刻标记保存到套刻标记数据库18中。
本发明第二实施例还提供一种装置2，用于实现上述方法1，请参阅图14，装置2包括用于输入的参数输入模块20、用于计算的计算模块21、用于将计算得到的信息与预设的标准进行比对的信息比对模块22、输出匹配标准的套刻标记的标记输出模块23以及编辑选择仿真因子的编辑模块24。
本发明第三实施例还提供一种计算机设备3，请参阅图15包括存储器30、处理器31及存储在存储器30上的计算机程序300，处理器31执行上述计算机程序300以实现上述方法1的步骤。
本发明第四实施例还提供一种计算机可读存储介质4，请参阅图16，其上存储有计算机程序指令40，当计算机程序指令40被处理器执行时，实现上述方法1的步骤。
本发明第五实施例提供一种计算机程序产品5，请参阅图17，包括计算机程序或指令50，计算机程序或指令50被处理器执行时实现上述方法1的步骤。
在本发明所提供的实施例中，应理解，“与A对应的B”表示B与A相关联，根据A可以确定B。但还应理解，根据A确定B并不意味着仅仅根据A确定B，还可以根据A和/或其他信息确定B。
应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定特征、结构或特性可以以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于可选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。
在本发明的各种实施例中，应理解，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的必然先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。
在本发明的附图中的流程图和框图，图示了按照本申请各种实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段、或代码的一部分，该模块、程序段、或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现方案中，方框中所标注的功能也可以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，在此基于涉及的功能而确定。需要特别注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
以上对本发明实施例公开的一种套刻标记的优化筛选方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡在本发明的原则之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含本发明的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种套刻标记的优化筛选方法，用于仿真套刻误差，其特征在于：包括以下步骤：
输入多组套刻标记的标记参数；
选择一种或多种仿真因子而添加作为可编辑的筛选条件，所述仿真因子包括可制造性信息、匹配性信息、可探测性信息及准确性信息的一种或多种的组合；
基于所述标记参数通过预设计算模型计算得到每组所述套刻标记对应的选择的仿真因子的信息；
将每组所述套刻标记的对应仿真因子信息分别与预设的标准进行比较，得到并输出匹配所述标准的套刻标记。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述可制造性信息包括归一化对数斜率和工艺窗口。
3.如权利要求3所述的方法，其特征在于：
所述工艺窗口的参数包括曝光裕度和聚焦深度。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述可探测性信息包括归一化强度系数和灵敏度。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述准确性信息包括：归一化强度系数的变化量、套刻信号变换对非对称的影响量、套刻信号变化的均方根和灵敏度数值变化的均方根。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述匹配性信息包括转换信息、增量转换信息、图形关键尺寸偏差和匹配图形关键尺寸对应的像差灵敏度的差值。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述标记参数包括仿真参数、结构参数和基本规则结构，所述计算模型包括计算光刻模型和量测计算模型，所述计算光刻模型根据所述仿真参数、结构参数及所述基本规则结构进行仿真计算得到所述可制造性信息和所述匹配性信息；所述量测计算模型根据所述仿真参数、结构参数及基本规则结构进行量测计算得到所述可探测性信息和所述准确性信息。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：
基于所述标记参数通过预设计算模型进行计算之前还包括以下步骤：选择是否在所述基本规则结构中加入微扰。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：
得到匹配所述标准的套刻标记进一步包括以下步骤：
将一组所述套刻标记对应的所述可制造性信息、所述匹配性信息、所述可探测性信息及所述准确性信息分别与所述标准进行比较；
若匹配所述标准，则输出所述套刻标记；
若不匹配所述标准，则进行下一组的筛选。
10.一种应用如权利要求1-9中任一项所述方法的装置，其特征在于：装置包括：
用于输入的标记参数输入模块、用于选择仿真因子的选择模块、用于计算的计算模块、用于将计算得到的信息与预设的标准进行比对的信息比对模块以及输出匹配标准的套刻标记的标记输出模块。
11.一种计算机设备，其特征在于：包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序，所述处理器执行上述计算机程序以实现如权利要求1所述方法的步骤。
12.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序指令，其特征在于：所述计算机程序指令被处理器执行时实现如权利要求1所述方法的步骤。
13.一种计算机程序产品，其特征在于：包括计算机程序或指令，所述计算机程序或指令被处理器执行时实现权利要求1所述方法的步骤。
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