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CN114005907A - 一种Topcon电池的制造方法 - Google Patents

一种Topcon电池的制造方法 Download PDF

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CN114005907A
CN114005907A CN202111332211.1A CN202111332211A CN114005907A CN 114005907 A CN114005907 A CN 114005907A CN 202111332211 A CN202111332211 A CN 202111332211A CN 114005907 A CN114005907 A CN 114005907A
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CN
China
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layer
silicon wafer
single crystal
type single
crystal silicon
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CN202111332211.1A
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白玉磐
陈园
付少剑
张明明
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Shangrao Jietai New Energy Technology Co ltd
Original Assignee
Shangrao Jietai New Energy Technology Co ltd
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Abstract

本发明公开了一种Topcon电池的制造方法，包括S1，对N型单晶硅片进行碱制绒；S2，对碱制绒后的N型单晶硅片的正面进行硼扩散；S3，采用具有添加剂的碱溶液进行清洗，对氧化层的区域定向保护隔绝OH‑与氧化硅反应，对无氧化层的区域加速OH‑的反应，增大{111}/{100}面的腐蚀速率，实现背面抛光；S4，去除正面的BSG层后，表面依次生长超薄二氧化硅层、掺杂非晶硅薄膜层以及掩膜层；S5，对正面进行开槽获得开槽线，开槽线用于将所围的内侧区域与外侧背面在正面的绕镀隔离；S6，进行双面镀膜形成正面镀膜层和背面镀膜层；S7，丝网印刷银浆，再通过烧结形成电极。通过激光处理，隔离降低漏电，省去目前的湿法去绕镀过程，提高了电池的制造效率。

Description

一种Topcon电池的制造方法
技术领域
本发明涉及光伏电池技术领域，特别是涉及一种Topcon电池的制造方法。
背景技术
TOPCon电池(Tunnel Oxide Passivated Contacts)是隧穿氧化钝化接触电池，初始的制备方法如下：
采用N型硅片，先在硅片背面采用化学方法生长一层超薄的氧化层(1-1.5nm)形成隧穿层，其次在氧化层上沉积掺磷的非晶硅薄膜(20nm)作为背场，随后在高温下退火，使沉积的非晶硅薄膜结晶以加强钝化效果。该电池的开路电压达到700mV，填充因子为82％，效率达到了24％，截止2021年4月28日，该结构的双面电池效率达到了26.0％。
钝化接触技术的关键点是根据掺杂的不同，能使一种载流子(如电子)穿过结构层(即接触作用)，阻止另一种载流子(如空穴)通过(即钝化作用)。
PERC电池制备流程和几种TOPCon电池制备流程的对比。Topcon在PERC基础上升级只需要增加背面钝化膜制备和清洗设备，根据不同的技术路线，增加的设备略有差异。
LPCVD方案研究的比较早，相对成熟，但因为绕镀比较严重，良率影响较大，另一方面，LPCVD原位掺杂路线产能低，这两大因素是制约其产业化的重要方面。而PECVD具有原位掺杂沉积速度快，绕镀轻微等优点，有多家企业在进行产业化开发。PECVD路线沉积poly能很大程度控制绕镀的形状和大小，但是由于PECVD方式原位掺杂poly，侧边沉积了掺杂的poly，也会让正面PN结与背面导通，产生漏电，故沉积之后仍然需要去绕镀清洗。
发明内容
本发明的目的是提供了一种Topcon电池的制造方法，降低漏电。提高产品的良品率。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种Topcon电池的制造方法，包括
S1，对N型单晶硅片进行碱制绒；
S2，对碱制绒后的所述N型单晶硅片的正面进行硼扩散；
S3，对所述N型单晶硅片采用具有添加剂的碱溶液进行清洗，对氧化层的区域定向保护隔绝OH-与氧化硅反应，对无氧化层的区域加速OH-的反应，增大{111}/{100}面的腐蚀速率，实现背面抛光；
S4，去除所述N型单晶硅片的正面的BSG层后，对所述N型单晶硅片表面依次生长超薄二氧化硅层、掺杂非晶硅薄膜层以及掩膜层；
S5，对所述N型单晶硅片正面进行开槽获得开槽线，所述开槽线用于将所围的内侧区域与外侧所述N型单晶硅片背面在正面的绕镀隔离；
S6，对所述N型单晶硅片进行双面镀膜形成正面镀膜层和背面镀膜层；
S7，在所述N型单晶硅片丝网印刷银浆，再通过烧结形成电极。
其中，所述S1包括：
采用NaOH溶液或KOH溶液对所述N型单晶硅片进行制绒。
其中，所述S1包括：
在温度为70～75℃质量浓度为3％～5％的NaOH溶液或KOH溶液中进行初抛去除所述N型单晶硅片表面的损伤层；
在温度为80～85℃的具有添加剂的NaOH溶液或KOH溶液碱液中对所述N型单晶硅片制绒，在所述N型单晶硅片的两面形成绒面；
在酸性溶液中对所述N型单晶硅片清洗去除表面杂质；
其中，对所述N型单晶硅片制绒的减薄量在0.5-0.6g，反射率控制在11-12％。
其中，在所述S2和所述S3之间，还包括：
对所述N型单晶硅片采用HF溶液进行清洗，去除背面BSG层。
其中，在所述S4与所述S5之间，还包括：
在850-950℃的氮气气氛下，对所述N型单晶硅片进行退火处理，激活所述掺杂非晶硅薄膜层中的磷原子、推进所述磷原子，使得所述掺杂非晶硅薄膜层中的非晶硅进一步晶化，将所述非晶硅转化为多晶硅。
其中，采用原子层沉积的方式在所述N型单晶硅片表面生长所述超薄二氧化硅层，或采用热氧化的方式在所述N型单晶硅片表面生长所述超薄二氧化硅层。
其中，采用PECVD或MOCVD在所述N型单晶硅片表面沉积所述掺杂非晶硅薄膜层。
其中，所述超薄二氧化硅层的厚度为1-2nm，所述非晶硅薄膜层的厚度为80-120nm。
其中，所述开槽线与所述N型单晶硅片正边缘的间距为0.5-1mm。
其中，所述S6包括：
在所述N型单晶硅片表面正面沉积正面钝化氧化铝层和正面氮化硅层作为正面镀膜层；
在所述N型单晶硅片表面背面沉积背面氮化硅层作为背面镀膜层；
其中，所述正面钝化氧化铝层、所述背面遂穿氧化铝层的厚度为4-5nm，所述正面氮化硅层作的厚度为70-80nm，所述背面氮化硅层作的厚度为80-85nm。
本发明实施例所提供的Topcon电池的制造方法，与现有技术相比，具有以下优点：
本发明实施例提供的Topcon电池的制造方法，通过在沉积镀膜层之前，在N型单晶硅片正面进行开槽获得开槽线，所述开槽线用于将所围的内侧区域与外侧所述N型单晶硅片背面在正面的绕镀隔离，降低漏电。从而可以省去目前的湿法去绕镀过程，提高了电池的制造效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的Topcon电池的制造方法的一种具体实施方式的步骤流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1，图1为本发明实施例提供的Topcon电池的制造方法的一种具体实施方式的步骤流程示意图。
在一种具体实施方式中，所述Topcon电池的制造方法，包括
S1，对N型单晶硅片进行碱制绒；
S2，对碱制绒后的所述N型单晶硅片的正面进行硼扩散；
S3，对所述N型单晶硅片采用具有添加剂的碱溶液进行清洗，对氧化层的区域定向保护隔绝OH-与氧化硅反应，对无氧化层的区域加速OH-的反应，增大{111}/{100}面的腐蚀速率，实现背面抛光；
S4，去除所述N型单晶硅片的正面的BSG层后，对所述N型单晶硅片表面依次生长超薄二氧化硅层、掺杂非晶硅薄膜层以及掩膜层；在完成背面抛光之后，才会将正面硼扩散形成的BSG层去除，使得在抛光过程中，碱溶液由于正面BSG层存在的原因，对硅片正面形成保护，不会对正面进行抛光。
S5，对所述N型单晶硅片正面进行开槽获得开槽线，所述开槽线用于将所围的内侧区域与外侧所述N型单晶硅片背面在正面的绕镀隔离；
S6，对所述N型单晶硅片进行双面镀膜形成正面镀膜层和背面镀膜层；
S7，在所述N型单晶硅片丝网印刷银浆，再通过烧结形成电极。
通过在沉积镀膜层之前，在N型单晶硅片正面进行开槽获得开槽线，所述开槽线用于将所围的内侧区域与外侧所述N型单晶硅片背面在正面的绕镀隔离，降低漏电。从而可以省去目前的湿法去绕镀过程，提高了电池的制造效率
在晶体硅太阳电池中，前表面光的反射被认为是影响效率的一个重要因素，通常采用表面织构化(制绒)技术把太阳电池表面制成绒面结构来减少表面光的反射，该工序可以减少光的反射率，提高短路电流(Isc)，最终提高电池的光电转换效率。
单晶硅织构化是利用贵的各向异性腐蚀特性。所谓各向异性腐蚀特性是指硅的不同晶面的腐蚀速度不同。硅的各向异性腐蚀剂最常用的是NaOH或KOH，通过控制碱液的浓度实现硅的不同晶面上不同的腐蚀速度，在硅表面形成金字塔状的结构，实现对入射光减反射。
本申请中对于该制绒过程不做限定，在一个实施例中，其中，所述S1包括：
采用NaOH溶液或KOH溶液对所述N型单晶硅片进行制绒。
为了进一步提高制绒质量，使得制绒过程变得标准化，在一个实施例中，所述S1包括：
在温度为70～75℃质量浓度为3％～5％的NaOH溶液或KOH溶液中进行初抛去除所述N型单晶硅片表面的损伤层；
在温度为80～85℃的具有添加剂的NaOH溶液或KOH溶液碱液中对所述N型单晶硅片制绒，在所述N型单晶硅片的两面形成绒面；
在酸性溶液中对所述N型单晶硅片清洗去除表面杂质；
其中，对所述N型单晶硅片制绒的减薄量在0.5-0.6g，反射率控制在11-12％。
在碱液中的反应方程式为
Si+6OH-→SiO32-+3H2O+4e
4H++4e→2H2
总的反应方程式为
Si+2OH-+H2O＝SiO32-+2H2
对表面为(100)晶向的硅片，由于不同晶向的反应速率不同，利用硅在碱中的各向异性腐蚀得到图示的结构，反应最终停止在反应速度最慢的(111)面上，四个相交的(111)面构成金字塔的四个侧面，因而单晶硅的绒面通常被称为金字塔结构，
具体的，N型单晶硅可以在常规单晶制绒设备中，首先在温度为75℃浓度为3％的KOH溶液中进行初抛去损伤层，随后在温度为85℃的碱液和添加剂体系中制绒，在硅片的两面形成绒面，然后在酸性溶液中清洗，去除表面杂质；一般的，单晶硅制绒工艺的减薄量控制在0.5-0.6g，反射率控制在11-12％。
在本申请中，在完成硅片的制绒处理之后，需要正面硼扩散，本申请对于该过程不做限定。
B在硅中的沉积扩散是一个氧化扩散过程，主要的反应是BCl3与O2反应，形成氧化硼(B2O3)在硅片表面的化学沉积：4BCl3+3O2＝2B2O3+6Cl2；氧化硼与Si发生反应生成氧化硅和B原子：2B2O3+3Si＝3SiO2+4B。B2O3与所生成的SiO2相互混合沉积在硅片表面形成硼硅玻璃(BSG)，沉积的B原子会扩散进入到Si中，在硅表面形成BSG层。
在本申请中，由于在正面硼扩散的时候可能会形成背面BSG层，需要去除，一般主要通过酸洗(HF)去除硅片扩散后存在背面高复合的不BSG层，正面BSG层保留。
HF是无色透明的液体，具有较弱的酸性、易挥发性和很强的腐蚀性，但HF具有一个很重要的特性是它能够溶解二氧化硅。在半导体生产的清洗和腐蚀工艺中，主要就利用HF的这一特性来除去硅片表面的BSG层(二氧化硅层)。
硅片背面主要反应如下：
6HF+SiO2＝H2[SiF6]+H2O
去BSG的基本过程为：水膜保护→酸洗去背面BSG→纯水喷淋→烘干。
一个实施例中，在所述S2和所述S3之间，还包括：
对所述N型单晶硅片采用HF溶液进行清洗，去除背面BSG层。
本申请对于HF溶液的浓度、清洗时长以及溶液温度等不做限定。
为了进一步提高器件的性能，在本申请中在完成正面硼扩散后，需要进行背面抛光，具体的主要是通过碱抛实现，本申请对于具体的工艺过程不做限定。
该工艺主要通过碱+添加剂体系，对硅片有氧化层的区域进行定向保护，隔绝OH-与氧化硅反应；对无氧化层的区域加速OH-与其反应(硅片背面)，增大{111}/{100}面的腐蚀速率，进行抛光；碱抛可得到良好的背面平整性，大大降低背面比表面积，增加背表面反射率，提高背面钝化效果。并且可以去除背面N型扩散层，促进P+层的形成，提高少子寿命。
硅片背面反应如下：
2NaOH+H2O+Si＝Na2SiO3+2H2↑
为了进一步提高电池片的性能，使得其中掺杂离子扩散更加均匀，在一个实施例中，在所述S4与所述S5之间，还包括：
在850-950℃的氮气气氛下，对所述N型单晶硅片进行退火处理，激活所述掺杂非晶硅薄膜层中的磷原子、推进所述磷原子，使得所述掺杂非晶硅薄膜层中的非晶硅进一步晶化，将所述非晶硅转化为多晶硅。
通过采用高温氮气气氛下，对所述N型单晶硅片进行退火处理，激活并推进所述掺杂非晶硅薄膜层中的磷原子，使得磷原子能够扩散到更深处，避免出现局部的载流子浓度过高而深处载流子浓度过低的情况，提高产品的性能，同时，还能够使得所述掺杂非晶硅薄膜层中的非晶硅进一步晶化，将所述非晶硅转化为多晶硅，从而提高掺杂非晶硅薄膜层中的硅原子层的晶体化质量，进行而提高整个电池片的质量。
本申请中并不局限于在氮气气氛下，还可以采用其它的气体，如惰性气体等，对于其中需要维持的气压、温度以及持续时长也不做限定，可以采用该工艺条件，也可以其它的工艺条件，本申请对此不作限定。
本申请由于需要制备Topcon结构，因此需要制备超薄二氧化硅层层对于制备过程以及具体厚度不做锌锭，一般采用原子层沉积的方式在所述N型单晶硅片表面生长所述超薄二氧化硅层，或采用热氧化的方式在所述N型单晶硅片表面生长所述超薄二氧化硅层。
采用原子层沉积的方式在所述N型单晶硅片表面生长所述超薄二氧化硅层，优点是能够精确控制沉积厚度，缺点是沉积速度较慢，而且工艺成本较高。而采用热氧化的方式的优点是沉积速度快，但是精确度较低。而且原子层沉积是在原有的基础上增加超薄二氧化硅层，中的厚度会增加，热氧化是通过原有硅片的基础上进行氧化形成超薄二氧化硅层，厚度不会增加，工作人员可以根据工艺精度以及需要选择合适的超薄二氧化硅层方式。
而富于形成Topcon的掺杂非晶硅薄膜层，一般采用PECVD或MOCVD在所述N型单晶硅片表面沉积所述掺杂非晶硅薄膜层。
本申请中对于Topcon的各个功能层的结构不做限定，一般所述超薄二氧化硅层的厚度为1-2nm，所述非晶硅薄膜层的厚度为80-120nm。
一个实施例中，对于生长超薄二氧化硅层、沉积非晶硅薄膜：
方案一：第一步是原子层沉积，本身的性质具有自限制性和饱和性，第一步反应沉积硅源，硅源属于有机硅Si(CH)化学吸附在硅片表面，铺满一层后饱和不会再沉积，此时生成—O—Si(CH)，然后第二步氩气将多余的硅源以及副产物吹扫出去(吹扫)，第三步，通入的氧气通过射频电源通电将其电离为等离子体O与第一步沉积的Si(CH)反应，生成氧化硅，由于第一步硅源化学吸附的饱和性，这一步也是有自饱和性的，将第一步化学吸附的硅源氧化后就不会反应了，第四步，氩气将多余的产物以及副产物吹送出腔体，重复几次以上步骤生成1-2nm隧穿SiO2层。采用PECVD的方式，用Ar携带SiH4、PH3在等离子开启的情况下在硅片表面沉积80-120nm掺杂非晶硅薄膜，然后在用Ar携带N2O在等离子开启的情况下在非晶硅薄膜上面沉积一层1nm左右的掩膜。
方案二：采用热氧化的方式，在600-900℃的温度下，通入氧气，在硅片表面形成一层1-2nmSiO2隧穿层。然后采用PECVD的方式生产掺杂多晶硅，具体如下：先用H2携带SiH4和PH3在等离子开启的情况下在硅片表面沉积80-120nm掺杂非晶硅薄膜，为了改善爆膜，亦会在沉积之初通入CH4气体。然后在通入N2O在等离子开启的情况下在非晶硅薄膜上面沉积一层掩膜。
本申请的核心是采用开槽的方式将开槽线用于将所围的内侧区域与外侧所述N型单晶硅片背面在正面的绕镀隔离，对于采用的开槽当时以及具体的开槽参数不做限定，一般所述开槽线与所述N型单晶硅片正边缘的间距为0.5-1mm。
一个实施例中，采用波长为532nm的激光，对电池片正面进行开槽工艺，开槽线条控制在离边缘1mm距离，即背面绕镀范围之内，达到隔离的目的。
本申请中在最后进行电极制备之前需要在正面和背面进行抚摸，本申请对于其膜层的种类、厚度以及镀膜方式做限定。
一个实施例中，所述S6包括：
在所述N型单晶硅片表面正面沉积正面钝化氧化铝层和正面氮化硅层作为正面镀膜层；
在所述N型单晶硅片表面背面沉积背面氮化硅层作为背面镀膜层；
优选的，所述正面钝化氧化铝层、所述背面遂穿氧化铝层的厚度为4-5nm，所述正面氮化硅层作的厚度为70-80nm，所述背面氮化硅层作的厚度为80-85nm。
一个是实施例中：
第一步是原子层沉积，本身的性质具有自限制性和饱和性，第一步反应沉积硅源，TMA化学吸附在硅片表面，铺满一层后饱和不会再沉积，此时生成-O-Al-，然后第二步氩气将多余的TMA以及副产物吹扫出去(吹扫)，第三步，通入的氧气通过射频电源通电将其电离为等离子体O与第一步沉积的-Al-反应，生成氧化铝，由于第一步硅源化学吸附的饱和性，这一步也是有自饱和性的，将第一步化学吸附的硅源氧化后就不会反应了，第四步，氩气将多余的产物以及副产物吹送出腔体，重复几次以上步骤生成4-5nm隧穿氧化铝层。采用PECVD的方式，在等离子开启的情况下通入SiH4、NH3，在硅片表面沉积70-80nm氮化硅，作为电池片的正面减反射层；在硅片背面使用PECVD设备，在等离子开启的情况下通入SiH4、NH3，在硅片表面沉积80-85nm的氮化硅作为电池片的背面减反射层。
最后，使用丝网印刷的方式分别在电池背面和正面印刷银浆。在电池背面印刷银栅线，再加上在电池背面沉积了氮化硅钝化层，减少背面电极的遮光比例，提高电池片背面的进光量，从而使得电池具有双面发电的特性。
需要说明的是，本申请中正面丝网图形外框要控制在激光开槽图形之内。
烧结：此步骤工艺目的是通过高温合金的过程，使硅片上的电极连接在一起。其工艺原理是：原先溶入到电极金属材料中的硅原子重新以固态形式结晶出来，也就是在金属和晶体接触界面上生长出一层外延层。如果外延层内含有足够的量的与原先晶体材料导电类型相同的杂质成分，就获得了用合金法工艺形成的欧姆接触；如果在结晶层含有足够量的与原先晶体材料导电类型异型的杂质成分就获得了用合金工艺形成的PN结。烧结作用和目的就是把印刷到硅片上的电极在高温下烧结成电池片，最终使电极和硅片本身形成欧姆接触，从而提高电池片的开路电压和填充因子2个关键因素参数，是电极的接触具有电阻特性，达到生产高转换效率电池片的目的。
本申请中通过正面设置开槽获得开槽线，实现隔离，减少去绕镀过程化学品的使用、降低碎片以及提高良率。湿法去绕镀设备投资可以省去。
综上所述，本发明实施例提供的Topcon电池的制造方法，通过在沉积镀膜层之前，在N型单晶硅片正面进行开槽获得开槽线，所述开槽线用于将所围的内侧区域与外侧所述N型单晶硅片背面在正面的绕镀隔离，降低漏电。从而可以省去目前的湿法去绕镀过程，提高了电池的制造效率。
以上对本发明所提供的Topcon电池的制造方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种Topcon电池的制造方法，其特征在于，包括
S1，对N型单晶硅片进行碱制绒；
S2，对碱制绒后的所述N型单晶硅片的正面进行硼扩散；
S3，对所述N型单晶硅片采用具有添加剂的碱溶液进行清洗，对氧化层的区域定向保护隔绝OH-与氧化硅反应，对无氧化层的区域加速OH-的反应，增大{111}/{100}面的腐蚀速率，实现背面抛光；
S4，去除所述N型单晶硅片的正面的BSG层后，在所述N型单晶硅片表面依次生长超薄二氧化硅层、掺杂非晶硅薄膜层以及掩膜层；
S5，对所述N型单晶硅片正面进行开槽获得开槽线，所述开槽线用于将所围的内侧区域与外侧所述N型单晶硅片背面在正面的绕镀隔离；
S6，对所述N型单晶硅片进行双面镀膜形成正面镀膜层和背面镀膜层；
S7，在所述N型单晶硅片丝网印刷银浆，再通过烧结形成电极。
2.如权利要求1所述Topcon电池的制造方法，其特征在于，所述S1包括：
采用NaOH溶液或KOH溶液对所述N型单晶硅片进行制绒。
3.如权利要求2所述Topcon电池的制造方法，其特征在于，所述S1包括：
在温度为70～75℃质量浓度为3％～5％的NaOH溶液或KOH溶液中进行初抛去除所述N型单晶硅片表面的损伤层；
在温度为80～85℃的具有添加剂的NaOH溶液或KOH溶液碱液中对所述N型单晶硅片制绒，在所述N型单晶硅片的两面形成绒面；
在酸性溶液中对所述N型单晶硅片清洗去除表面杂质；
其中，对所述N型单晶硅片制绒的减薄量在0.5-0.6g，反射率控制在11-12％。
4.如权利要求3所述Topcon电池的制造方法，其特征在于，在所述S2和所述S3之间，还包括：
对所述N型单晶硅片采用HF溶液进行清洗，去除背面BSG层。
5.如权利要求4所述Topcon电池的制造方法，其特征在于，在所述S4与所述S5之间，还包括：
在850-950℃的氮气气氛下，对所述N型单晶硅片进行退火处理，激活所述掺杂非晶硅薄膜层中的磷原子、推进所述磷原子，使得所述掺杂非晶硅薄膜层中的非晶硅进一步晶化，将所述非晶硅转化为多晶硅。
6.如权利要求5所述Topcon电池的制造方法，其特征在于，采用原子层沉积的方式在所述N型单晶硅片表面生长所述超薄二氧化硅层，或采用热氧化的方式在所述N型单晶硅片表面生长所述超薄二氧化硅层。
7.如权利要求6所述Topcon电池的制造方法，其特征在于，采用PECVD或MOCVD在所述N型单晶硅片表面沉积所述掺杂非晶硅薄膜层。
8.如权利要求7所述Topcon电池的制造方法，其特征在于，所述超薄二氧化硅层的厚度为1-2nm，所述非晶硅薄膜层的厚度为80-120nm。
9.如权利要求8所述Topcon电池的制造方法，其特征在于，所述开槽线与所述N型单晶硅片正边缘的间距为0.5-1mm。
10.如权利要求9所述Topcon电池的制造方法，其特征在于，所述S6包括：
在所述N型单晶硅片表面正面沉积正面钝化氧化铝层和正面氮化硅层作为正面镀膜层；
在所述N型单晶硅片表面背面沉积背面氮化硅层作为背面镀膜层；
其中，所述正面钝化氧化铝层、所述背面遂穿氧化铝层的厚度为4-5nm，所述正面氮化硅层作的厚度为70-80nm，所述背面氮化硅层作的厚度为80-85nm。
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