CN103985817B

CN103985817B - 有机发光二极管装置及其制造方法

Info

Publication number: CN103985817B
Application number: CN201410031207.5A
Authority: CN
Inventors: 金南珍; 朴澈桓
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2013-02-07
Filing date: 2014-01-23
Publication date: 2017-09-22
Anticipated expiration: 2034-01-23
Also published as: TW201806209A; US10586947B2; KR20140100733A; US20230320127A1; TW202228317A; US10892442B2; US20160329523A1; TWI602336B; TW202101806A; TWI757761B; US10199599B2; EP2765627A2; US9705107B2; US9419247B2; CN107579100A; US20150228928A1; US20190173043A1; US11696462B2; US20210210714A1; KR102103421B1

Abstract

提供了一种有机发光二极管装置及其制造方法，所述有机发光二极管装置可以具有增强的薄膜包封层以防止水分从外部渗透。所述有机发光二极管装置包括：基板；有机发光二极管单元，形成在基板的一部分上；薄膜包封层，形成为覆盖有机发光二极管单元，其中，薄膜包封层具有一个或多个无机层和一个或多个有机层交替层叠的多层结构，阻挡物形成在位于所述基板的一部分上的有机发光二极管单元的外部，薄膜包封层的有机层形成在由阻挡物限定的区域内。

Description

有机发光二极管装置及其制造方法

本申请要求于在2013年2月7日提交到韩国知识产权局的第10-2013-0013832号韩国专利申请的优先权，该申请的公开通过引用被完全包含于此。

技术领域

本公开涉及一种具有用于防止水分从外部渗透的改进的包封结构的有机发光二极管装置及其制造方法。

背景技术

有机发光二极管装置具有下述特点：有机发光二极管单元因氧或水分的渗透而劣化。因此，为了防止氧或水分从外部渗透，通常使用用于密封和保护有机发光二极管单元的包封结构。

作为包封结构，已经广泛地采用了薄膜包封结构，该薄膜包封结构利用有机层和无机层交替层叠的多层结构来覆盖有机发光二极管单元。有机发光二极管单元通过将有机层和无机层交替地层叠在基板的有机发光二极管单元上而被密封。

有机层用于为平板显示器提供柔性，而无机层用于防止氧或水分的渗透。因此，为了防止氧或水分从外部渗透，有机层与有机发光二极管单元相邻地位于内部，而无机层位于有机发光二极管单元的外部。

然而，通过在沉积单体之后由于暴露于紫外光等使单体固化来形成有机层，通常，为了沉积单体，已经使用了闪蒸法。当沉积蒸发后的单体时，一些单体流入到掩模下部，因此会将一些单体沉积在不期望沉积的区域中。由于沉积区域是仅期望无机层的区域，因此当有机层存在于该区域中时，粘合力下降，并且因此可能发生松开的问题，进一步而言，可能会导致水分和氧从外部的渗透，由此会出现黑点缺陷。

发明内容

本公开已经致力于提供一种包括这样的薄膜包封层的有机发光二极管装置及其制造方法，即，该薄膜包封层具有增强的粘合力，并且通过形成防止单体流入到掩模下部的阻挡物使得仅在需要沉积的区域中执行沉积，从而防止水分和氧从外部渗透。

本公开的一个实施例提供了一种有机发光二极管装置，所述有机发光二极管装置包括：基板；有机发光二极管单元，形成在基板的一部分上；薄膜包封层，形成为覆盖有机发光二极管单元，其中，薄膜包封层具有一个或多个无机层和一个或多个有机层交替层叠的多层结构，阻挡物形成在位于所述基板的一部分上的有机发光二极管单元的外部，薄膜包封层的有机层形成在由阻挡物限定的区域内。

有机发光二极管单元可以包括顺序形成在所述基板的一部分上的第一电极、有机发射层和第二电极。

有机层和无机层的数量可以分别在2层到20层之间。

阻挡物的高度可以等于或低于薄膜包封层中的一个或多个无机层中的离有机发光二极管单元最远的无机层的高度。

形成阻挡物的材料可以是有机材料或无机材料，详细地说，形成阻挡物的材料可以是包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂或者丙烯酸树脂中的一种或多种的有机材料或者可以是包括硅化合物的无机材料。

本公开的另一实施例提供了一种制造有机发光二极管装置的方法，所述方法包括：准备基板；在基板的一部分上形成有机发光二极管单元；与位于所述基板的一部分上有机发光二极管单元分隔开地形成阻挡物；形成薄膜包封层，以覆盖有机发光二极管单元，其中，形成薄膜包封层的步骤包括形成多个无机层以及在由阻挡物限定的区域内形成多个有机层。

形成有机发光二极管单元的步骤可以包括：在所述基板的一部分上形成绝缘层；在绝缘层上形成第一电极的图案；形成像素限定层，使得第一图案化电极按像素单元分隔开；在第一电极上形成有机发射层；在有机发射层上形成第二电极，其中，形成阻挡物的步骤与形成像素限定层的步骤同时执行。

形成多个无机层的步骤和形成多个有机层的步骤可以交替地分别执行2次到20次。

阻挡物的高度可以等于或低于多个无机层中离有机发光二极管单元最远的无机层的高度。

形成阻挡物的材料可以是有机材料或无机材料，详细地说，形成阻挡物的材料可以是包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂或者丙烯酸树脂中的至少一个的有机材料或者可以是包括硅化合物的无机材料。

在根据本公开实施例的有机发光二极管装置中，由于通过形成阻挡物来防止单体流入到掩模下部而仅在需要沉积的区域中执行沉积，因此能够改善粘合力并防止水分和氧从外部渗透。

此外，由于通过仅在需要沉积的区域执行沉积而在产品设计期间减小并改进死空间（dead space），因此其优势在于加强了产品竞争力。

此外，由于根据本公开的阻挡物可以利用与形成像素限定层时使用的材料相同的材料以及与形成像素限定层时使用的掩模相同的掩模来形成，因此不需要另外的过程和额外的材料。

上述的发明内容仅是说明性的，并且不意图以任何方式进行限制。除了上述的说明性的方面、实施例和特征之外，通过参照附图和下面的具体实施方式，进一步的方面、实施例和特征将变得清楚。

附图说明

图1是示意性地示出了有机发光二极管装置的结构的剖视图。

图2是示出了有机发光二极管装置的有机发光二极管单元的剖视图。

图3是用于描述有机发光二极管装置中的发射空间和死空间的结构的示意图。

图4是示意性地示出了根据本公开实施例的有机发光二极管装置的结构的剖视图。

图5是示出了根据本公开实施例的有机发光二极管装置的有机发光二极管单元的剖视图。

图6是用于描述根据本公开实施例的阻挡物的形状的示意图。

图7是用于描述根据本公开另一实施例的有机发光二极管装置的示意图。

图8是用于描述根据本公开另一实施例的阻挡物的形状的示意图。

图9是示意性地示出了根据本公开又一实施例的有机发光二极管装置的结构的剖视图。

图10是示出根据本公开又一实施例的有机发光二极管装置的有机发光二极管单元的剖视图。

图11是用于描述根据本公开又一实施例的阻挡物的形状的示意图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述本公开的特定实施例。

虽然本公开可以通过若干实施例来修改和实施，但是具体的实施例被示出在附图中，并且将主要在说明书中进行描述。然而，本公开的范围不限于具体的实施例，并且应该理解的是，包括在本公开的精神和范围内的所有变形、等同物和替换物被包括在本公开的范围中。

在本公开中使用的术语选自于目前广泛使用的常用术语，但是在某些情况下，存在由申请人任意选择的术语，而在这种情况下，其含义应该通过考虑到在本公开的说明书中公开或使用的含义来理解。

为了具体地描述本公开，省略了与描述不相关的部分，且在整个说明书中，相似的附图标记通常表示相似的元件。而且，为了方便说明，在附图中，每个元件的尺寸和厚度都是任意示出的，本公开不必限于附图中所示出的尺寸和厚度。

在附图中，为了清晰起见，放大了层和区域的厚度。在附图中，为了描述的方便，可以夸大某些层和区域的厚度。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称作“位于”另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上或者也可以存在中间元件。

图1是示意性地示出了有机发光二极管装置的结构的剖视图。

如图1中所示，有机发光二极管装置包括：基板10；有机发光二极管单元20，形成在基板上；以及薄膜包封层30，形成为覆盖有机发光二极管单元。

如图2中所示，有机发光二极管单元20具有绝缘层21、第一电极22、像素限定层23、发射层24和第二电极（未示出）顺序地形成在基板10上的结构。此外，有机发光二极管装置可以被分成发射空间E和死空间D，如图3中简要地示出。

返回参照图1，薄膜包封层30具有无机层31和33以及有机层32交替地堆叠的结构。

有机层32主要用于给平板显示器提供柔性，而无机层31和33用于防止氧或水分渗入到平板显示器中。因此，为了防止氧或水分从外部渗透，有机层32与有机发光二极管单元相邻地位于内部，而无机层31和33位于有机发光二极管单元的外部。

然而，有机层32通过在沉积单体之后通过暴露于紫外光等来固化单体而形成，而为了沉积单体，通常已经使用过闪蒸法。当蒸发的单体被沉积时，一些单体流入到掩模的下部，因此一些单体32’会沉积在不期望进行沉积的区域中。由于沉积区域是仅期望无机层31和33的区域，因此当有机层32存在于该区域中时，粘合性降低，因而会发生松开问题，此外，会导致水分和氧从外部的渗透，因而会发生黑点缺陷。

为了解决这些问题，本公开提供了一种有机发光二极管装置及其制造方法，即，通过形成防止单体流入到掩模下部的阻挡物使得仅在需要沉积的区域中执行沉积，该有机发光二极管装置包括具有增强的粘附性并防止水分和氧从外部渗透的薄膜包封层。

图4是示意性地示出根据本公开实施例的有机发光二极管装置的剖视图。

如图4中所示，根据本公开实施例的有机发光二极管装置包括：基板100；有机发光二极管单元200，形成在基板上；以及薄膜包封层300，形成为覆盖有机发光二极管单元，其中，薄膜包封层300具有一个或多个无机层310和330与至少一个有机层320交替层叠的多层结构。有机发光二极管装置还包括阻挡物400，阻挡物400形成为与有机发光二极管单元200分隔开并在基板100上位于有机发光二极管单元200的外部，而薄膜包封层300的有机层320形成在阻挡物400的内侧，具体地，形成在由阻挡物400限定的区域内。

基板100可以是具有优异的机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑度、可操作性和防水性的玻璃基板或透明塑料基板。虽然在图4中未示出，但是基板100可以进行各种改变，例如，可以在基板100上进一步设置平坦化层、绝缘层等。

参照图5，有机发光二极管单元200设置在基板100上。有机发光二极管单元200包括顺序形成的绝缘层210、第一电极220、像素限定层230、有机发射层240和第二电极（未示出）。

此外，在图5中，为了简化描述，未单独示出半导体器件，而是省略了半导体器件，但是半导体器件可以设置在基板100和绝缘层210之间。半导体器件的示例包括具有栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管（TFT）。

在第一电极是正极的情况下，第一电极220可以与薄膜晶体管（TFT）的漏电极电连接。半导体器件可以通过形成薄膜晶体管的通用方法形成。因此，省略了对形成半导体器件或薄膜晶体管的详细方法的描述。

如图5中所示的，绝缘层210设置在基板100上。

在包括开关元件、接触件、焊盘、插头、电极、导电图案和绝缘图案等的下部结构设置在基板上的情况下，绝缘层210的厚度可以足够厚以覆盖下部结构。

绝缘层210可以形成为单层结构（single structure），但也可以形成为包括两个或更多个绝缘层的多层结构。

为了改善形成在基板上的绝缘层210的平坦化程度，可以对基板执行平坦化工艺。例如，基板可以通过在基板上应用化学机械抛光（CMP）工艺、回蚀工艺（etch-backprocess）等而具有平坦的上表面。

根据本公开的实施例，绝缘层210可以包含有机材料。例如，绝缘层210可以包含从光致抗蚀剂、丙烯酸聚合物、聚酰亚胺聚合物、聚酰胺聚合物、硅氧烷聚合物、含有光敏丙烯酸羧基的聚合物、酚醛树脂或碱溶性树脂中选择的材料。这些材料可以单独使用或者以它们的组合来使用。

根据本公开的另一实施例，绝缘层可以通过使用诸如硅化合物、金属或金属氧化物的无机材料形成。例如，绝缘层210可以包含从氧化硅（SiOx）、氮化硅（SiNx）、氮氧化硅（SiOxNy）、碳氧化硅（SiOxCy）、碳氮化硅（SiCxNy）、铝（Al）、镁（Mg）、锌（Zn）、铪（Hf）、锆（Zr）、钛（Ti）、钽（Ta）、氧化铝（AlOx）、氧化钛（TiOx）、氧化钽（TaOx）、氧化镁（(MgOx)、氧化锌（ZnOx）、氧化铪（HfOx）、氧化锆（ZrOx）和氧化钛（TiOx）中选择的材料。这些材料可以单独使用或者以它们的组合来使用。

根据组成材料，可通过使用旋涂工艺、印刷工艺、溅射工艺、化学气相沉积（CVD）工艺、原子层沉积（ALD）工艺、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺、高密度等离子体-化学气相沉积（HDP-CVD）工艺、真空沉积工艺等在基板上形成绝缘材料210。

第一电极220形成在绝缘层210上。第一电极220可以通过使用真空沉积法或溅射法等形成，并且可以是阴极或阳极。第一电极220可以是透明电极、半透明电极或反射电极，并且可以通过使用氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锡（SnO₂）、氧化锌（ZnO）、Al、Ag和Mg等形成，但是不限于此。此外，第一电极220可进行各种改变，例如，第一电极220可以具有通过使用两种或更多种不同材料而呈两层或更多层的结构。

接下来，像素限定层230形成在绝缘层210和第一电极220上。像素限定层230可以通过使用有机材料、无机材料等形成。例如，像素限定层230可以包含从诸如光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂和丙烯酸类树脂的有机材料或者诸如硅化合物的无机材料中选择的材料。

第二电极（未示出）可通过使用真空沉积法或溅射法等形成，并且可以是阴极或阳极。用于形成第二电极的金属可以使用具有低功函数的金属、合金、导电化合物和它们的混合物。金属的详细示例可以包括锂（Li）、镁（Mg）、铝（Al）、铝-锂（Al-Li）、钙（Ca）、镁-铟（Mg-In）、镁-银（Mg-Ag）等。此外，第二电极可进行各种改变，例如，第二电极可以具有通过使用两种或更多种不同材料而呈两层或更多层的结构。

有机发射层240设置在第一电极210和第二电极（未示出）之间。有机发射层240可以包括已知的发光材料。例如，发光材料可以包含已知的主体（诸如Alq3、4,4’-N,N’--二咔唑-联苯（CBP）、聚(N-乙烯基咔唑)（PVK）和二苯乙烯基芳烃（DSA））以及已知的掺杂剂（诸如像PtOEP、Ir(piq)₃、Btp₂Ir(acac)和DCJTB的红色掺杂剂、像Ir(ppy)₃(ppy=苯基吡啶)、Ir(ppy)₂(acac)和Ir(mpyp)₃的绿色掺杂剂和像F₂Irpic、(F₂ppy)₂Ir(tmd)、Ir(dfppz)₃和三芴（ter-fluorene）的蓝色ter-fluorene），但是不限于此。

同时，虽然在图5中未详细地示出，但是除了有机发射层240之外，在第一电极210和第二电极之间还可以包括从空穴注入层、空穴传输层、空穴停止层、电子传输层和电子注入层中选择的一种或多种层。空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层可以通过使用已知的材料和已知的方法形成。

参照图4，薄膜包封层300设置为覆盖有机发光二极管单元200，并且包括第一无机层310、第一有机层320和第二无机层330。

薄膜包封层300可以形成为无机层和有机层分别以2层到20层交替堆叠的多层结构，但是有机层和无机层的各自的数量不限于此。

参照图4和图5，阻挡物400形成为与有机发光二极管单元200分隔开，并在基板100上位于有机发光二极管单元200的外部。

阻挡物400与有机发光二极管单元200分隔开，以被形成在死空间D中，而薄膜包封层300的有机层320形成在阻挡物的内侧，从而用于形成有机层的单体可以仅沉积在期望的位置。

在形成像素限定层230时形成阻挡物400。因此，不需要额外制造单独的掩模，并且用于形成阻挡物400的材料可以与用于形成像素限定层230的材料相同。用于形成阻挡物400的材料可以包含从诸如光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂和丙烯酸类树脂的有机材料或者诸如硅化合物的无机材料中选择的材料。

根据本公开，可以在不对位置、形状、尺寸和数量进行任何具体限制的情况下形成阻挡物400。

阻挡物400可以设置在死空间D中的任何位置处，但为了改善死空间D，阻挡物400可以位于接近发射空间E的位置处。此外，阻挡物400的形状可以形成为诸如四边形、圆形、三角形等期望的形状。

关于阻挡物400的尺寸，高度可以是薄膜包封层的厚度或小于薄膜包封层的厚度，这是由于高度受薄膜包封层厚度的影响，宽度可以是死空间D的宽度或小于死空间D的宽度，这是由于宽度受死空间D的影响。

根据本公开的实施例，阻挡物400的高度可以等于、小于或高于薄膜包封层300的最上面的有机层的高度。此外，根据另一实施例，阻挡物400的高度可以等于或低于薄膜包封层300的最上面的无机层的高度。换言之，阻挡物400的高度可以等于或低于薄膜包封层300中的一个或多个无机层中的离有机发光二极管单元200最远的无机层的高度，其中，最远的无基层的高度指的是最上面的无机层所处的水平面。

此外，由于阻挡物400仅通过按期望的形状对像素限定层掩模执行图案化来形成，因此阻挡物400可以形成在四个边上、两个边上或者期望的位置上。

图4和图5对应于单个阻挡物400形成在死空间D中的结构的示例并且具有阻挡物400形成为位于四个边上的单个阻挡物400的结构，如图6中所示。在图4中，无机层和有机层一个接一个地交替堆叠，但是无机层和有机层的数量可以是多个。根据层的数量来控制阻挡物400的高度。

如上所述，在图7中示出了通过交替地堆叠若干层的有机层和无机层而形成的薄膜包封层和根据层的数量控制高度的阻挡物的示例。

图7中示出的有机发光二极管装置的包封层300包括第一无机层310、第一有机层320、第二无机层330、第二有机层340和第三无机层350。在图7中，作为示例示出了包括三层无机层和两层有机层的包封层300，但是根据本公开的有机发光二极管装置可以包括有机层和无机层以更多或更少层交替层叠的包封层。

在图7中，形成第一有机层320的第一有机材料和形成第二有机层340的第二有机材料可以彼此相同或不同。为了描述的简便，在这里，描述了形成第一有机层320的第一有机材料作为示例，而形成包封层300的其它有机层可以由下面给出的有机材料制成。

形成第一有机层320的第一有机材料可以包括从由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂、苝树脂和其它聚合物材料组成的组中选择的一种或多种材料。

丙烯酸树脂的示例包括丙烯酸丁酯、丙烯酸乙基己酯等，甲基丙烯酸树脂的示例包括甲基丙烯酸丙二醇酯、四氢呋喃甲基丙烯酸酯（tetra-hydroperfuryl methacrylate）等，乙烯树脂的示例包括醋酸乙烯酯、N-乙烯吡咯烷酮等，环氧树脂的示例包括脂环族环氧化物、环氧丙烯酸酯、环氧乙烯类树脂等，聚氨酯树脂的示例包括聚氨酯丙烯酸酯等，纤维素树脂的示例包括硝化纤维素等，但是本公开不限于此。

类似地，形成第一无机层310的第一无机材料、形成第二无机层330的第二无机材料和形成第三无机层350的第三无机材料可以彼此相同或不同。为了描述的简便，描述了形成第一无机层310的第一无机材料作为示例，但形成包封层300的其它无机层可以由下面给出的无机材料制成。

形成第一无机层310的第一无机材料可以是从由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅（SiON）组成的组中选择的一种或多种材料。

图8示出了本公开的另一实施例，在该实施例中，阻挡物400具有虚线的形状。如图4和5中所示，通过在四个边上的单个阻挡物而形成了阻挡物，在图8中示出了以虚线形状形成的结构的示例。

在图6和图8中，分别示出了阻挡物400形成为具有直线形状的单个阻挡物和具有虚线形状的单个阻挡物的示例，但是如上所述，阻挡物400的形状可以按诸如圆形、四边形、三角形等的各种形状形成。

图9示意性地示出了根据本公开又一实施例的有机发光二极管装置的结构，其中，阻挡物400的数量为两个。

如图9中所示，可以形成两个阻挡物400。当形成有机发光二极管单元200时，具体地讲，当形成像素限定层230时，形成这两个阻挡物。然后，形成薄膜包封层300的第一无机层310，以覆盖有机发光二极管单元200，第一无机层310沉积在除了阻挡物400外的基板100的整个上侧。接下来，在两个阻挡物中形成得更靠近发射空间E的一个阻挡物的内侧形成第一有机层320，形成第二无机层330以覆盖第一有机层320和两个阻挡物400。

如图10和图11所示，根据本公开又一实施例的有机发光二极管装置包括形成在死空间D中的两个阻挡物400。作为示例示出了两个阻挡物，但是阻挡物的数量不被具体地限制，能够在不超过死空间D的宽度的范围内即可。

图11中示出的双阻挡物400按直线的形状形成，但是该双阻挡物可以具有图8中示出的虚线的形状并且可以按诸如圆形、三角形等各种形状形成。

根据本公开的有机发光二极管装置的制造方法的实施例包括：准备基板；在基板上形成有机发光二极管单元；形成阻挡物，使得阻挡物与二极管单元分隔开，并在基板上位于有机发光二极管单元的外部；形成薄膜包封层，以覆盖有机发光二极管单元，其中，形成薄膜包封层的步骤包括形成无机层以及形成有机层，在形成有机层的过程中，在阻挡物内侧形成有机层。

下面将参照图4和图5更加详细地描述根据本公开实施例的有机发光二极管装置的制造方法。

首先，在基板100上形成有机发光二极管单元200。

形成有机发光二极管单元200的步骤包括：在基板100上形成绝缘层210；在绝缘层210上形成第一电极220的图案；形成像素限定层230，使得第一图案化电极按像素单元分隔开，即，使得第一图案化电极按像素限定单元分隔开；在按像素单元分隔开的第一电极上形成有机发射层240；在有机发射层上形成第二电极（未示出）。

形成有机发光二极管单元200的第一电极220、有机发射层240和第二电极（未示出）的方法可以例如通过使用沉积、溅射和涂覆的方法来执行。除了有机发射层240之外，可以在第一电极210和第二电极（未示出）之间形成空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的一个或多个。

根据本公开，形成阻挡物400的步骤可与形成像素限定层230的步骤同时执行和。

可以在不需要额外的制造单独掩模的工艺的情况下形成阻挡物400，这是由于通过在制造用于形成像素限定层的掩模时在死空间中增加用于阻挡物的图案化而形成阻挡物400。

可以通过使用与用于形成像素限定层230的材料相同的材料来形成阻挡物400。用于形成阻挡物400的材料可以包含从诸如光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂和丙烯酸类树脂的有机材料或者诸如硅化合物的无机材料中选择的材料。

可以在不对位置、形状、尺寸和数量进行任何具体限制的情况下形成阻挡物400。阻挡物400可以设置在死空间D中的任何位置处，但为了改善死空间D，阻挡物400可以位于接近发射空间E的位置处。此外，阻挡物400的形状可以按诸如四边形、圆形、三角形等期望的形状形成。

根据本公开的实施例，阻挡物400的高度可以等于、低于或高于薄膜包封层300的最上面的有机层的高度。此外，根据另一实施例，阻挡物400的高度可以等于或低于薄膜包封层300的最上面的无机层的高度。换言之，阻挡物400的高度可以等于或低于薄膜包封层300中的一个或多个无机层中的离有机发光二极管单元200最远的无机层的高度，其中，最远的无基层的高度指的是最上面的无机层所处的水平面。

在基板100上形成有机发光二极管单元200之后，形成薄膜包封层300，以覆盖有机发光二极管单元200。形成薄膜包封层300的步骤包括形成无机层的步骤和形成有机层的步骤，可以通过交替地执行形成无机层的步骤和形成有机层的步骤2次到20次来形成具有多层结构的薄膜包封层。

如图4中所示，形成第一无机层310，以覆盖基板100上的有机发光二极管单元200。通过在除了阻挡物400的位置外的整个基板100上执行沉积来形成第一无机层310。

形成第一无机层310的材料可以是从由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅（SiON）组成的组中选择的一种或多种材料。

然后，在第一无机层310上顺序地形成第一有机层320和第二无机层330。

形成第一有机层320的材料可以包括从由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂、苝树脂和其它聚合物材料组成的组中选择的一种或多种材料。

丙烯酸树脂的示例包括丙烯酸丁酯、丙烯酸乙基己酯等，甲基丙烯酸树脂的示例包括甲基丙烯酸丙二醇酯、四氢呋喃甲基丙烯酸酯（tetra-hydroperfuryl methacrylate）等，乙烯树脂的示例包括醋酸乙烯酯、N-乙烯吡咯烷酮等，环氧树脂的示例包括脂环族环氧化物、环氧丙烯酸酯、环氧乙烯类树脂等，聚氨酯树脂的示例包括聚氨酯丙烯酸酯等，纤维素树脂的示例包括硝化纤维素等，但是形成第一有机层320的材料不限于此。

通过沉积单体并形成在基于阻挡物400的内侧来形成有机层320。如此，通过阻挡物400仅在需要沉积的部分沉积单体来形成有机层，因此，能够防止单体流入到形成无机层的区域中从而劣化粘合性并引起黑点缺陷的问题。

形成第二无机层330的材料和方法可以与上面描述的形成第一无机层310的材料和方法同样地适用，并参照上面描述的内容。

在图4中，示出了额外地在第一无机层310上形成第一有机层320和第二无机层330的示例，但交替地执行形成无机层的步骤和形成有机层的步骤2次到20次，以形成具有多层有机层和无机层层叠的薄膜包封层。

如上所述，在图7中示出了通过交替地重复形成无机层的步骤和形成有机层的步骤若干次而形成的薄膜包封层300和通过根据薄膜包封层控制高度而形成的阻挡物400的示例。

图7中示出的有机发光二极管装置的包封层300包括第一无机层310、第一有机层320、第二无机层330、第二有机层340和第三无机层350。此外，在图7中示出的有机发光二极管装置的阻挡物400可以形成为被控制成具有与第二有机层340的高度相同的高度。

在图7中，作为示例示出了包括三层无机层和两层有机层的包封层300，但是根据本公开的有机发光二极管装置可以包括有机层和无机层利用更多或更少层交替层叠的包封层。此外，阻挡层400的高度可以等于或低于作为薄膜包封层300的最上面的无机层的第三无机层350的高度，并且可等于或高于作为薄膜包封层300的顶部有机层的第二有机层340的高度。

如上所述，根据本公开的有机发光二极管装置包括在形成像素限定层的过程中同时形成的阻挡物，因此，在没有通过增加工艺、掩模和材料而导致产生额外的单独成本的情况下，能够改善粘合性并防止水分和氧从外部渗透。

由上可知，将认识到的是，出于说明的目的，已经在这里描述了本公开的各种实施例，并且在不脱离本公开的范围和精神的情况下，可以在此进行各种修改。因此，在由权利要求书表示的真实范围和精神的情况下，这里公开的各种实施例不意图限制。

Claims

1.一种有机发光二极管装置，所述有机发光二极管装置包括：

基板；

有机发光二极管单元，形成在基板的一部分上；

第一阻挡物，在基板上设置在有机发光二极管单元的外部；

第二阻挡物，在基板上设置在第一阻挡物的外部；以及

薄膜包封层，形成为覆盖有机发光二极管单元，

其中，薄膜包封层具有一个或多个无机层和一个或多个有机层交替层叠的多层结构，

其中，薄膜包封层包括位于有机发光二极管单元上的第一无机层，其中，第一无机层形成在第一阻挡物的内部。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中，有机发光二极管单元包括顺序地形成在所述基板的一部分上方的第一电极、有机发射层和第二电极。

3.如权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中，有机层和无机层的数量分别在2层到20层之间。

4.如权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中，第一阻挡物的高度等于或低于薄膜包封层中的一个或多个无机层中的离有机发光二极管单元最远的无机层的高度。

5.如权利要求1所述的有机发光二极管装置，其中，形成第一阻挡物和第二阻挡物的材料是有机材料或无机材料。

6.如权利要求5所述的有机发光二极管装置，其中，有机材料包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂或者丙烯酸树脂中的一种或多种。

7.如权利要求5所述的有机发光二极管装置，其中，无机材料包括硅化合物。

8.一种制造有机发光二极管装置的方法，所述方法包括：在基板上形成有机发光二极管单元；形成薄膜包封层，以覆盖有机发光二极管单元，

其中，形成有机发光二极管单元的步骤包括：

在基板上形成无机绝缘层；

在无机绝缘层上形成第一电极；

在形成有第一电极的无机绝缘层上形成被构造为使第一电极逐个像素地分隔开的像素限定层；

形成与第一电极分隔开的第一阻挡物；

在第一阻挡物的外部形成第二阻挡物；

在逐个像素地分隔开的第一电极上形成有机发光层；

在有机发光层上形成第二电极，

其中，形成薄膜包封层的步骤包括：

在形成有机发光二极管的基底上形成第一无机层；

在第一无机层上形成有机层，

在有机层上形成第二无机层，

其中，第一无机层形成在第一阻挡物的内部。

9.如权利要求8所述的制造方法，其中，形成第一阻挡物的步骤和形成第二阻挡物的步骤与形成像素限定层的步骤同时执行。

10.如权利要求8所述的制造方法，其中，第一阻挡物的高度等于或低于多个无机层中离有机发光二极管单元最远的无机层的高度。