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TWI552321B - 顯示面板及顯示裝置 - Google Patents

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TWI552321B
TWI552321B TW103134075A TW103134075A TWI552321B TW I552321 B TWI552321 B TW I552321B TW 103134075 A TW103134075 A TW 103134075A TW 103134075 A TW103134075 A TW 103134075A TW I552321 B TWI552321 B TW I552321B
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TW
Taiwan
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substrate
disposed
display panel
insulating layer
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TW103134075A
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TW201613077A (en
Inventor
李冠鋒
張榮芳
Original Assignee
群創光電股份有限公司
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Priority to US14/750,674 priority patent/US9401375B2/en
Priority to JP2015162047A priority patent/JP2016071340A/ja
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Description

顯示面板及顯示裝置
本發明係關於一種顯示面板及顯示裝置，特別關於一種具有較高可靠度的顯示面板及顯示裝置。
隨著科技的進步，平面顯示面板已經廣泛地被運用在各種領域，因具有體型輕薄、低功率消耗及無輻射等優越特性，已經漸漸地取代傳統陰極射線管顯示裝置，而應用至許多種類之電子產品中，例如行動電話、可攜式多媒體裝置、筆記型電腦、液晶電視及液晶螢幕等等。
以液晶顯示面板為例，習知一種液晶顯示面板包含一薄膜電晶體基板及一彩色濾光基板，兩者係相對而設。其中，薄膜電晶體基板具有複數薄膜電晶體及複數畫素電極設置於一基板上，可藉由控制薄膜電晶體而將資料輸入畫素電極，藉此可控制液晶的轉向而顯示影像。
由於市場的快速競爭，顯示面板及裝置的尺寸與顯示色彩飽和度的需求也快速增加，同時也增加對薄膜電晶體電性表現與穩定度的要求。其中，以金屬氧化物(Metal oxide-based,MOSs)作為半導體層材料的薄膜電晶體可在室溫中製備，並且擁有良好的電流輸出特性、較低的漏電流與高於非晶矽薄膜電晶體(amorphous silicon thin film transistor,a-Si TFT)十倍以上的電子遷移率，可分別降低顯示面板的功率消耗與提升顯示面板的操作頻率，因此，已成為下一代顯示面板及裝置中主流之驅動元件。
然而，雖然金屬氧化物半導體層具有較佳的電性，但是卻容易受環境的水氣及氧氣的影響，導致顯示面板的可靠性變差；另外，在高解析的產品應用上，為了提高顯示面板的開口率，也會導入有機平坦層的材料，由於有機材料阻隔水氣的能力較無機材料差，因此可能在製程過程即會吸附水氣，進而影響顯示區內薄膜電晶體及其他元件的可靠度。因此，在習知技術中，一般會在有機平坦層上再覆蓋一層無機絕緣層，藉此隔絕 水氣，避免有機平坦層於製程中吸附水氣而影響元件特性。但是，若於有機平坦層的製程期間已吸入水氣時，後續的無機絕緣層覆蓋後，水氣可能會被無機絕緣層封住而無法散失，反而會影響顯示面板的元件特性而降低產品可靠度。
因此，如何提供一種顯示面板及顯示裝置，可有效降低有機平坦層吸附水氣的程度，進而增加顯示面板及顯示裝置的元件可靠度，已成為重要課題之一。
有鑑於上述課題，本發明之目的為提供一種可有效降低有機平坦層吸附水氣的程度，進而增加顯示面板及顯示裝置的元件可靠度之顯示面板。
為達上述目的，依據本發明之一種顯示面板具有一顯示區及鄰設於顯示區之一週邊區，並包括一第一基板、一第二基板、一第一絕緣層、一有機層、一第二絕緣層、一框膠以及一顯示層。第二基板與第一基板相對設置。第一絕緣層設置於第一基板及第二基板之間。第二絕緣層設置於第一絕緣層及第二基板之間，框膠設置於週邊區，並封閉第一基板與第二基板的外圍，顯示層設置於第二絕緣層及第二基板之間，有機層設置於第一絕緣層及第二絕緣層之間，其中，第二絕緣層具有至少一第一貫穿部，第一貫穿部位於週邊區，且第一貫穿部曝露出有機層，使有機層接觸框膠或顯示層。
為達上述目的，依據本發明之一種顯示裝置包括一背光模組以及一顯示面板，顯示面板具有一顯示區及鄰設於顯示區之一週邊區，並包含一第一基板、一第二基板、一第一絕緣層、一有機層、一第二絕緣層、一框膠以及一顯示層。第二基板與第一基板相對設置。第一絕緣層設置於第一基板及第二基板之間。第二絕緣層設置於第一絕緣層及第二基板之間，框膠設置於週邊區，並封閉第一基板與第二基板的外圍，顯示層設置於第二絕緣層及第二基板之間，有機層設置於第一絕緣層及第二絕緣層之間，其中，第二絕緣層具有至少一第一貫穿部，第一貫穿部位於週邊區，且第一貫穿部曝露出有機層，使有機層接觸框膠或顯示層。
在一實施例中，第一貫穿部為穿孔，或為環繞週邊區之溝槽。
在一實施例中，第一貫穿部位於框膠寬度範圍之內。
在一實施例中，第一貫穿部位於框膠與顯示區之間。
在一實施例中，第二絕緣層更具有至少一第二貫穿部，第二貫穿部曝露出有機層，且第二貫穿部位於框膠寬度範圍之內。
在一實施例中，顯示面板，更包括一薄膜電晶體及一第一電極層。薄膜電晶體設置於第一基板上，並具有一汲極、一源極及一通道層，汲極及源極分別與通道層接觸，且第一絕緣層覆蓋薄膜電晶體。第一電極層設置於第二絕緣層上，且第一電極層填入位於有機層及第一絕緣層之一通孔內而連接汲極。
在一實施例中，薄膜電晶體更具有一蝕刻阻擋層，蝕刻阻擋層設置於通道層上。
在一實施例中，汲極及源極分別經由蝕刻阻擋層之一開口與通道層接觸。
在一實施例中，通道層材料為金屬氧化物半導體。
在一實施例中，顯示面板更包括一電子元件，其鄰設於第一貫穿部，並位於週邊區內。
在一實施例中，電子元件為一薄膜電晶體，薄膜電晶體設置於第一基板上，並具有一汲極、一源極及一通道層，汲極及源極分別與通道層接觸，且汲極接觸通道層的位置與源極接觸通道層的位置之間具有一最短距離，第一貫穿部於垂直第一基板的方向上與最短距離的位置為不重疊。
承上所述，因本發明之顯示面板及顯示裝置中，係於週邊區範圍之內的部份移除第二絕緣層而形成至少一第一貫穿部，以曝露出有機層，因此，當水氣於製程中由外部滲入有機層時，可在進行後續的面板組裝製程前先進行脫水氣的步驟，以透過第一貫穿部使水氣進行逸散，降低有機層的水氣含量，因此，使後續製程而完成的顯示面板可有效降低有機層吸附水氣的程度，進而增加顯示面板的元件可靠度。
1、1a~1f、3‧‧‧顯示面板
11‧‧‧第一基板
12‧‧‧第二基板
13‧‧‧顯示層
14‧‧‧第一絕緣層
15‧‧‧有機層
16‧‧‧第一電極層
17‧‧‧第二電極層
18‧‧‧第二絕緣層
181‧‧‧第一貫穿部
182‧‧‧第二貫穿部
19‧‧‧電子元件
2‧‧‧顯示裝置
4‧‧‧背光模組
AA‧‧‧顯示區
C‧‧‧通道層
d‧‧‧最短距離
D‧‧‧汲極
E‧‧‧光線
ESL‧‧‧蝕刻阻擋層
F‧‧‧框膠
G‧‧‧閘極
G1‧‧‧閘極絕緣層
H‧‧‧通孔
L‧‧‧走線
PA‧‧‧週邊區
P-P’、Q-Q’‧‧‧直線
S‧‧‧源極
T‧‧‧薄膜電晶體
圖1為一種有機材料的吸水率與時間的關係示意圖。
圖2A為本發明較佳實施例之一種顯示面板的俯視示意圖。
圖2B為圖2A中，直線P-P’的剖視示意圖。
圖3A至圖3E分別為本發明不同實施態樣之顯示面板的示意圖。
圖3F為圖2A之顯示面板另一側的直線Q-Q’之剖視示意圖。
圖4為本發明較佳實施例之一種顯示裝置的示意圖。
以下將參照相關圖式，說明依本發明較佳實施例之顯示面板及顯示裝置，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。
為了降低顯示面板的功率消耗、提升操作頻率以及提高開口率，於顯示面板的製程中導入氧化物薄膜電晶體及有機的平坦化層材料，但是氧化物薄膜電晶體容易受環境的水氣及氧氣的影響，且有機材料的水氣吸附能力也大於無機材料，因此容易造成薄膜電晶體的特性偏移，進而降低顯示面板的可靠度。
請參照圖1所示，其為一種有機材料的吸水率(water absorption rate)與時間的關係示意圖。由圖1可知，大約5分鐘之後，有機材料的吸水率就上升至1.8%左右。因此，本發明提出一種較佳實施例的顯示面板及顯示裝置，可有效降低有機層吸附水氣的程度，進而增加顯示面板及顯示裝置的元件可靠度。
請參照圖2A及圖2B所示，其中，圖2A為本發明較佳實施例之一種顯示面板1的俯視示意圖，而圖2B為圖2A中，直線P-P’的剖視示意圖。顯示面板1可為液晶顯示面板或為有機發光二極體顯示面板。本實施例係以液晶顯示面板為例。其中，液晶顯示面板可為邊緣電場切換(Fringe Field Switching，FFS)型液晶顯示面板，或者如水平切換型(In Plane Switching，IPS)或者如扭轉向列型(Twisted Nematic，TN)液晶顯示面板，或者垂直配向型(Vertical Alignment，VA)型液晶顯示面板。於此，係以邊緣電場切換型(FFS)液晶顯示面板為例。
顯示面板1具有一顯示區AA(active area)及鄰設於顯示區 AA之一週邊區PA(peripheral area)。其中，顯示區AA即為多數光線可穿過顯示面板1之區域，藉此顯示影像畫面，而週邊區PA為部署週邊驅動元件及走線的區域，因有黑色矩陣圖案，故光線難以穿透。本實施例之週邊區PA是以環設於顯示區AA的外圍為例。
如圖2B所示，顯示面板1包括一第一基板11、一第二基板12及一顯示層13。第一基板11與第二基板12相對而設，而顯示層13則夾設於第一基板11與第二基板12之間。其中，第一基板11及第二基板12為透光材質所製成，並例如為一玻璃基板、一石英基板或一塑膠基板，並不限定。本實施例之顯示層13為一液晶層，並具有多數個液晶分子(圖未顯示)。在另一實施例中，若顯示面板1為有機發光二極體顯示面板時，則顯示層13可為一有機發光二極體堆疊結構，此時，第二基板12可為一保護蓋板(Cover plate)，以保護有機發光層不受外界水氣或異物的污染。
另外，本實施例的顯示面板1更可包括一薄膜電晶體T、一第一絕緣層14、一有機層15、一第一電極層16、一第二電極層17、一第二絕緣層18及一框膠F。
薄膜電晶體T設置於第一基板11上，並位於顯示區AA內。於此，薄膜電晶體T為顯示區AA內之畫素的開關元件。薄膜電晶體T包含一閘極G、一閘極絕緣層G1、一通道層C、一源極S及一汲極D。閘極G設置於第一基板11上，且閘極G之材質可為金屬(例如為鋁、銅、銀、鉬、或鈦)或其合金所構成的單層或多層結構。部分用以傳輸驅動訊號之導線，可以使用與閘極G同層且同一製程之結構，彼此電性相連，例如掃描線(圖未顯示)。閘極絕緣層G1設置並覆蓋於閘極G上，且閘極絕緣層G1可為有機材質例如為有機矽氧化合物，或無機材質例如為氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、氧化鉿、或上述材質之多層結構。閘極絕緣層G1需完整覆蓋閘極G，並可選擇部分或全部覆蓋第一基板11。
通道層C相對閘極G位置設置於閘極絕緣層G1上。在實施上，通道層C例如可包含一氧化物半導體。其中，前述之氧化物半導體包括氧化物，且氧化物包括銦、鎵、鋅及錫其中之一，例如為氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)。源極S與汲極D分別設置於通道層C 上，且源極S和汲極D分別與通道層C接觸。於薄膜電晶體T之通道層C未導通時，源極S和汲極D電性分離。其中，源極S與汲極D之材質可為金屬(例如鋁、銅、銀、鉬、或鈦)或其合金所構成的單層或多層結構。此外，部分用以傳輸驅動訊號之導線，可以使用與源極S與汲極D同層且同一製程之結構，例如資料線(圖未顯示)。
另外，本實施例之薄膜電晶體T更具有一蝕刻阻擋(etch stop)層ESL，蝕刻阻擋層ESL設置於通道層C上。而源極S與汲極D之一端可分別自蝕刻阻擋層ESL之開口與通道層C接觸。其中，蝕刻阻擋層ESL可為有機材質例如為有機矽氧化合物，或單層無機材質例如氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、氧化鉿、或上述材質組合之多層結構，並不限定。不過，在其他的實施態樣中，也可將源極S與汲極D直接設置於通道層C上，而不需蝕刻阻擋層ESL。
第一絕緣層14設置於第一基板11及第二基板12之間。於此，第一絕緣層14設置於源極S及汲極D上，並覆蓋薄膜電晶體T，且延伸至週邊區PA。另外，有機層15設置並覆蓋於第一絕緣層14上，且延伸至週邊區PA。於此，有機層15設置於第一絕緣層14及第二絕緣層18之間。有機層15的材料可例如為全氟烷基乙烯基醚共聚物(Polyfluoroalkoxy,PFA)，而第二電極層17設置於有機層15上，且第二絕緣層18設置於第一絕緣層14及第二基板12之間，並覆蓋有機層15及第二電極層17，並延伸至週邊區PA。其中，第一絕緣層14及第二絕緣層18的材料為無機材料，並例如為氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)的單層或多層結構，並不限定。
第一電極層16設置於第二絕緣層18上，且第一電極層16亦填入位於有機層15及第一絕緣層14之一通孔H內而連接汲極D。在本實施例中，第一電極層16例如為畫素電極，而第二電極層17為共同電極。不過，在不同的實施例中，第一電極層16可為共同電極，且第二電極層17可為畫素電極，本發明並不限定。第一電極層16及第二電極層17的材質例如可為銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁鋅氧化物(AZO)、鎘錫氧化物(CTO)、氧化錫(SnO2)、或氧化鋅(ZnO)等透明導電材料，並不限定。
另外，顯示面板1更可包括一黑色矩陣層及一濾光層(圖未顯示)。黑色矩陣層設置於第一基板11或第二基板12上，並對應於薄膜電晶體T設置，而濾光層則設置於第一基板11面對第二基板12之一側上，或設置於第二基板12上，且濾光層對應於第一電極層16設置。由於黑色矩陣層為不透光材質，因此於第一基板11上可形成一不透光的區域(週邊區PA)，進而界定出可透光的區域(顯示區AA)。本實施例之黑色矩陣層與濾光層可分別設置於第二基板12上，不過，在其他的實施態樣中，黑色矩陣層或濾光層也可分別設置於第一基板11上，使其成為一BOA(BM on array)基板，或成為一COA(color filter on array)基板。於此，並不加以限制。此外，顯示面板1更可包括一保護層(例如為over-coating，圖未顯示)，保護層可覆蓋黑色矩陣層及濾光層。保護層之材質可為光阻材料、樹脂材料或是無機材料(例如SiOx/SiNx)等，用以保護黑色矩陣層及濾光層不受後續製程的影響而被破壞。
另外，框膠F設置於週邊區PA，並封閉第一基板11與第二基板12的外圍。本實施例之框膠F例如可為光固化膠(例如UV膠)，並例如但不限於大氣中以塗佈方式環設於第一基板11上，且位於第二絕緣層18上為例，使得液晶分子可填充於框膠F所圍設的容置空間內而形成一個液晶顯示面板。其中，例如但不限於以滴下式注入法(One Drop Filling,ODF)分別填入液晶分子到框膠F所圍設的區域內。
因此，當顯示面板1之複數掃描線接收一掃描訊號時可分別使各掃描線對應之該些薄膜電晶體T導通，並將對應每一行畫素之一資料訊號藉由複數資料線傳送至對應的畫素之第一電極層16，使顯示面板1可顯示影像畫面。
請再參照圖2B所示，在本實施例中，第二絕緣層18具有至少一第一貫穿部181，第一貫穿部181鄰設於框膠F，並介於顯示區AA與框膠F之間，且位於週邊區PA內，第一貫穿部181曝露出有機層15，使有機層15可接觸顯示層13。於實施上，可藉由例如蝕刻方式移除週邊區PA的部分第二絕緣層18來形成第一貫穿部181，使得俯視第一貫穿部181時，可直接曝露出有機層15，使有機層15可接觸顯示層13。在本實施例 中，顯示面板1係以具有二個第一貫穿部181，並位於框膠F與顯示區AA之間為例。不過，在不同的實施例中，第一貫穿部181的數量也可為一或其他數量。另外，第一貫穿部181可為穿孔，或為環繞週邊區PA之溝槽，並不限定。
另外，在本實施例中，顯示面板1更具有一走線L，走線L設置於第一基板11上，並鄰近於框膠F。於此，走線L的材料與閘極G的材料(俗稱第一金屬層M1)相同，當然，也可使用與源極S或汲極D相同的材料來製作走線L。另外，本實施例的走線L由下而上依序覆蓋有閘極絕緣層G1、蝕刻阻擋層ESL、第一絕緣層14、有機層15及第二絕緣層18。走線L可用於元件間的連接之用，或應用於靜電防止(Anti-Electrostatic Discharge)上。
承上，在本實施例的顯示面板1中，係於週邊區PA範圍之內的部份移除第二絕緣層18而形成至少一第一貫穿部181，以曝露出有機層15，因此，當水氣於製程中由外部滲入有機層15時，可在進行後續的面板組裝製程前先進行脫水氣的步驟(例如加熱)，以透過第一貫穿部181使水氣進行逸散(第一貫穿部181可提供有機層15吸水氣後的逸散路徑，降低水氣含量)，因此，使後續製程而完成的顯示面板1可有效降低有機層15吸附水氣的程度，進而增加顯示面板1的元件可靠度。
另外，請分別參照圖3A至圖3E所示，其分別為本發明不同實施態樣之顯示面板1a~1e的示意圖。
如圖3A所示，顯示面板1a與圖2B之顯示面板1主要的不同在於，顯示面板1a的兩個第一貫穿部181係位於框膠F寬度範圍之內(被框膠F密封)，使有機層15可接觸框膠F。不過，在其他實施態樣中，也可將第一貫穿部181的部份結構設置於框膠F範圍內，部分結構設置於框膠F與顯示區AA之間，並不限定。
另外，如圖3B所示，顯示面板1b與圖2B之顯示面板1主要的不同在於，顯示面板1b除了兩個第一貫穿部181位於框膠F與顯示區AA之間外，第二絕緣層18更具有至少一第二貫穿部182，第二貫穿部182位於框膠F的寬度範圍之內，且第二貫穿部182亦曝露出有機層15。於此， 第二貫穿部182的數量亦為二，而且同樣曝露出有機層15。藉此，可提供更多的水氣散逸路徑。
另外，如圖3C所示，顯示面板1c與圖2B之顯示面板1主要的不同在於，顯示面板1c不具有蝕刻阻擋層ESL，源極S與汲極D是直接設置於通道層C上。因此，走線L由下而上依序覆蓋有閘極絕緣層G1、第一絕緣層14、有機層15及第二絕緣層18。
另外，如圖3D所示，顯示面板1d與圖2B之顯示面板1主要的不同在於，顯示面板1d除了一樣不具有蝕刻阻擋層ESL之外，顯示面板1d之源極S、汲極D與通道層C的設置順序為相反。換言之，係先於閘極絕緣層G1上形成源極S、汲極D的圖案之後，再形成通道層C於源極S及汲極D上，且分別使通道層C接觸源極S與汲極D。
另外，如圖3E所示，顯示面板1e與圖2B之顯示面板1主要的不同在於，顯示面板1e除了不具有蝕刻阻擋層ESL，顯示面板1e之薄膜電晶體T為頂閘極式(Top gate)的結構，其閘極G位於通道層C之上，且源極S與汲極D分別透過閘極絕緣層G1與第一絕緣層14之通孔而與通道層C接觸。
另外，請參照圖3F所示，其為圖2A之顯示面板另一側的直線Q-Q’之剖視示意圖。於此，直線Q-Q’的位置可例如為閘極驅動電路(gate driver circuit)直接形成於第一基板11上之區域(即Gate On Panel,GOP)，使得圖3F為顯示面板之閘極驅動電路之設置區域的剖視示意圖。其中，圖3F係以顯示面板1f來表示。
與圖2B之顯示面板1主要的不同在於，圖3F之顯示面板1f更可包括一電子元件19，電子元件19鄰設於第一貫穿部181，並位於週邊區PA內，而且電子元件19可電性連接薄膜電晶體T。於此，電子元件19為一驅動元件，用以驅動顯示面板1f之顯示區AA內的元件。電子元件19例如為一薄膜電晶體，其結構可參照上述之薄膜電晶體T的相同元件，不再多作說明。不過，在其他的實施例中，電子元件19可不為薄膜電晶體，而是其他類型的元件，例如二極體(diode)或電容。
此外，顯示面板1a~1f其它元件的技術特徵可參照顯示面 板1之相同元件，不再贅述。
不過，特別注意的是，在圖3F中，由於電子元件19為薄膜電晶體，因此為了保護薄膜電晶體的通道層C，第一貫穿部181的設置位置需有所限制。如圖3F所示，於汲極D接觸通道層C的位置與源極S接觸通道層C的位置之間具有一最短距離d，且第一貫穿部181於垂直第一基板11的方向上與最短距離d的位置為不重疊(即第一貫穿部181不可包含在最短距離d的垂直上方)。
再一提的是，上述之顯示面板1c~1f的第一貫穿部181也可位於框膠F的寬度範圍之內，或者除了第一貫穿部181位於框膠F與顯示區AA之間外，顯示面板1c~1f亦可具有第二貫穿部182位於框膠F內，且第二貫穿部182亦曝露出有機層15，本發明均不限定。
另外，請參照圖4所示，其為本發明較佳實施例之一種顯示裝置2的示意圖。
顯示裝置2包括一顯示面板3以及一背光模組4(Backlight Module)，顯示面板3與背光模組4相對設置。其中，顯示裝置2為一液晶顯示裝置，且顯示面板3包含上述之顯示面板1、1a~1f的其中之一，或其變化態樣，具體技術內容可參照上述，不再多作說明。當背光模組4發出的光線E穿過顯示面板3時，可透過顯示面板3之各畫素顯示色彩而形成影像。
綜上所述，因本發明之顯示面板及顯示裝置中，係於週邊區範圍之內的部份移除第二絕緣層而形成至少一第一貫穿部，以曝露出有機層，因此，當水氣於製程中由外部滲入有機層時，可在進行後續的面板組裝製程前先進行脫水氣的步驟，以透過第一貫穿部使水氣進行逸散，降低有機層的水氣含量，因此，使後續製程而完成的顯示面板可有效降低有機層吸附水氣的程度，進而增加顯示面板的元件可靠度。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
1‧‧‧顯示面板
11‧‧‧第一基板
12‧‧‧第二基板
13‧‧‧顯示層
14‧‧‧第一絕緣層
15‧‧‧有機層
16‧‧‧第一電極層
17‧‧‧第二電極層
18‧‧‧第二絕緣層
181‧‧‧第一貫穿部
AA‧‧‧顯示區
C‧‧‧通道層
D‧‧‧汲極
ESL‧‧‧蝕刻阻擋層
F‧‧‧框膠
G‧‧‧閘極
G1‧‧‧閘極絕緣層
H‧‧‧通孔
L‧‧‧走線
PA‧‧‧週邊區
S‧‧‧源極
T‧‧‧薄膜電晶體

Claims (19)

  1. 一種顯示面板，具有一顯示區及鄰設於該顯示區之一週邊區，並包括：一第一基板；一第二基板，與該第一基板相對設置；一第一絕緣層，設置於該第一基板及該第二基板之間；一第二絕緣層，設置於該第一絕緣層及該第二基板之間；一框膠，設置於該週邊區，並封閉該第一基板與該第二基板的外圍；一顯示層，設置於該第二絕緣層及該第二基板之間；以及一有機層，設置於該第一絕緣層及該第二絕緣層之間，其中，該第二絕緣層具有至少一第一貫穿部，該第一貫穿部位於該週邊區，且該第一貫穿部曝露出該有機層，使該有機層接觸該框膠或該顯示層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第一貫穿部為穿孔，或為環繞該週邊區之溝槽。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第一貫穿部位於該框膠寬度範圍之內。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第一貫穿部位於該框膠與該顯示區之間。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之顯示面板，其中該第二絕緣層更具有至少一第二貫穿部，該第二貫穿部曝露出該有機層，且該第二貫穿部位於該框膠寬度範圍之內。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，更包括：一薄膜電晶體，設置於該第一基板上，並具有一汲極、一源極及一通道層，該汲極及該源極分別與該通道層接觸，且該第一絕緣層覆蓋該薄膜電晶體；及一第一電極層，設置於該第二絕緣層上，且該第一電極層填入位於該有機層及該第一絕緣層之一通孔內而連接該汲極。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之顯示面板，其中該薄膜電晶體更具有一蝕 刻阻擋層，該蝕刻阻擋層設置於該通道層上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之顯示面板，其中該汲極及該源極分別經由該蝕刻阻擋層之一開口與該通道層接觸。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之顯示面板，其中該通道層材料為金屬氧化物半導體。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，更包括：一電子元件，鄰設於該第一貫穿部，並位於該週邊區內。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板，其中該電子元件為一薄膜電晶體，該薄膜電晶體設置於該第一基板上，並具有一汲極、一源極及一通道層，該汲極及該源極分別與該通道層接觸，且該汲極接觸該通道層的位置與該源極接觸該通道層的位置之間具有一最短距離，該第一貫穿部於垂直該第一基板的方向上與該最短距離的位置為不重疊。
  12. 一種顯示裝置，包括：一背光模組；以及一顯示面板，具有一顯示區及鄰設於該顯示區之一週邊區，該顯示面板包含：一第一基板；一第二基板，與該第一基板相對設置；一第一絕緣層，設置於該第一基板及該第二基板之間；一第二絕緣層，設置於該第一絕緣層及該第二基板之間；一框膠，設置於該週邊區，並封閉該第一基板與該第二基板的外圍；一顯示層，設置於該第二絕緣層及該第二基板之間；以及一有機層，設置於該第一絕緣層及該第二絕緣層之間，其中，該第二絕緣層具有至少一第一貫穿部，該第一貫穿部位於該週邊區，且該第一貫穿部曝露出該有機層，使該有機層接觸該框膠或該顯示層。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置，其中該第一貫穿部位於該框膠寬度範圍之內。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置，其中該第一貫穿部位於該框 膠與該顯示區之間。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之顯示裝置，其中該第二絕緣層更具有至少一第二貫穿部，該第二貫穿部曝露出該有機層，且該第二貫穿部位於該框膠寬度範圍之內。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置，更包括：一薄膜電晶體，設置於該第一基板上，並具有一汲極、一源極及一通道層，該汲極及該源極分別與該通道層接觸，且該第一絕緣層覆蓋該薄膜電晶體；及一第一電極層，設置於該第二絕緣層上，且該第一電極層填入位於該有機層及該第一絕緣層之一通孔內而連接該汲極。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之顯示裝置，其中該薄膜電晶體更具有一蝕刻阻擋層，該蝕刻阻擋層設置於該通道層上。
  18. 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置，更包括：一電子元件，鄰設於該第一貫穿部，並位於該週邊區內。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之顯示裝置，其中該電子元件為一薄膜電晶體，該薄膜電晶體設置於該第一基板上，並具有一汲極、一源極及一通道層，該汲極及該源極分別與該通道層接觸，且該汲極接觸該通道層的位置與該源極接觸該通道層的位置之間具有一最短距離，該第一貫穿部於垂直該第一基板的方向上與該最短距離的位置為不重疊。
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