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CN103907200A - 用于太阳能发电系统的纳米颗粒以及具有该纳米颗粒的太阳能电池 - Google Patents

用于太阳能发电系统的纳米颗粒以及具有该纳米颗粒的太阳能电池 Download PDF

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Abstract

用于太阳能发电系统以提高光利用率的纳米颗粒，具有选自包含金属、金属合金、半导体、导电非金属、导电化合物及其混合物的材料的核，由此而令至少一个第一壳体围绕所述核设置。

Description

用于太阳能发电系统的纳米颗粒以及具有该纳米颗粒的太阳能电池
技术领域
本发明涉及用于提高光利用率的太阳能发电系统的纳米颗粒，具有选自包含金属、金属合金、半导体、导电非金属、导电化合物及其混合物的材料的核，以及具有至少一种这样的纳米颗粒的太阳能电池。
背景技术
WO2009/043340公开了具有至少一个太阳能电池的光伏模块，其中引入用于光增强的纳米颗粒。这些纳米颗粒可以具有特定的几何构型和布置从而增强入射光。
然而，已经发现光伏模块中仅纳米颗粒的几何构型和布置并不会导致最优化的结果。
发明内容
由此，本发明的目的在于进一步开发用于引言部分中介绍的太阳能发电系统的纳米颗粒，以这样的方式用于太阳能发电装置或太阳能电池中，它们比现有技术产生更好的光增强。
这根据本发明而实现，其中至少一个第一壳体围绕所述核而设置。
将核/壳原理应用于太阳能发电系统的纳米颗粒赋予本领域技术人员物理和化学地操作纳米颗粒的大量的可能性，以这样的方式来可以根据用途实现最优化的光增强。
本发明的另一个优点在于围绕核设置有至少一个第二壳体，其与核之间的距离比至少一个第一壳体与核的距离更大。
通过提供第二壳体，可以产生纳米颗粒的物理和化学特性的其它组合。在本发明中是指第一壳体总是围绕着核，并且第一壳体和第二壳体按任意顺序布置。
本发明的另一个优点在于第一连接层被设置在核和第一壳体之间。第一连接层确保了在核与第一壳体之间产生良好的粘结。
另一个优点在于第二连接层被设置在第一壳体和第二壳体之间。第二连接层确保了在第一壳体和第二壳体之间实现良好的粘结。
关于本发明纳米颗粒的其它优点在从属权利要求的技术特征中表述。
本发明关于太阳能电池的另一个优点在于多个纳米颗粒被设置在半导体层内。这就确保了纳米颗粒并不仅仅必须以分散的方式存在于半导体层内，而是在特定实施方式的形式中，如果第一壳体或第二壳体中的一个为半导体层的话，还可以被密集地填充以使得它们形成半导体层。在某些形式的实施方式中，如果纳米颗粒之间的间隙填充有半导体材料，那么其也是有利的。在其它形式的实施方式中，如果纳米颗粒之间的间隙填充有其它的材料，例如介电材料或导电材料，那么其为有利的。
只要大部分的纳米颗粒是以这样的方式来设置，如此密集的填充是有利的，即至少某些纳米颗粒相互接触或者与第一壳体或第二壳体接触，并且接触纳米颗粒的壳形成半导体层。
附图说明
本发明实施方式的形式在下文中将结合附图更加详细地描述。其中：
图1示出了根据本发明第一实施方式的示意性圆形纳米颗粒，其具有核以及第一壳体和第二壳体；
图2示出了根据本发明第二实施方式的示意性纳米颗粒，其具有核、第一连接层、第一壳体和第二壳体；
图3示出了根据本发明第三实施方式的示意性纳米颗粒，其具有核以及第一壳体和第二壳体；
图4示出了根据本发明第四实施方式的示意性纳米颗粒，其具有核、第一连接层、第一壳体、第二连接层和第二壳体；
图5示出了如图1所示的但是呈椭圆形式的纳米颗粒；
图6示出了如图2所示的但是呈椭圆形式的纳米颗粒；
图7示出了如图3所示的但是呈椭圆形式的纳米颗粒；
图8示出了如图4所示的但是呈椭圆形式的纳米颗粒；
图9示出了具有根据图1的纳米颗粒的太阳能电池的示意性局部视图；
图10示出了具有根据图5但是尺寸不同的纳米颗粒的示意性太阳能电池；并且
图11示出了具有根据图4的纳米颗粒的示意性太阳能电池。
图12示出了具有根据图1按大小排序的纳米颗粒的示意性太阳能电池。
具体实施方式
图1示出了示意性的纳米颗粒1，具有核3、围绕核3的第一壳体5以及围绕第一壳体5的第二壳体7。在该第一形式的实施方式中，第一壳体5直接邻接核3，并且第二壳体7直接邻接第一壳体5。
图2示出了基本上相同的纳米颗粒，但是在第二形式的实施方式中，在核3和第一壳体5之间具有第一连接层9。
在图3的第三形式的实施方式中，所示的纳米颗粒1的结构形式与图1的纳米颗粒1相同。唯一不同的是第二壳体7的特性。图3中的第一壳体通常为介电材料。图3中的第二壳体7通常由另一种材料构成，例如光敏半导体，例如像铜铟镓硒(CIGS)或Si。
在图4中示出了第四形式的实施方式的纳米颗粒1。在该第四形式的实施方式的纳米颗粒中，在第一壳体5和第二壳体7之间还存在第二连接层11。由此，图4中的纳米颗粒具有核3、第一连接层9、第二壳体5、第二连接层11和第二壳体7。图4中的第一壳体通常为介电材料。图4中的第二壳体7通常由另一种材料构成，例如光敏半导体，像铜铟镓硒(CIGS)或Si。
图5示出了第一实施方式变形的纳米颗粒1。在这种变形中，纳米颗粒1为椭圆形的。
图6示出了图2的第二实施方式的变形。图6中的纳米颗粒1也是椭圆形的。图7中的纳米颗粒1为图3中的第三实施方式的纳米颗粒1的椭圆形变形。图8中的纳米颗粒1也是图4中的纳米颗粒1的椭圆形变形。
在所有形式的实施方式中，核3任选地由金属、过渡金属、半金属、导电非金属化合物或半导电非金属化合物，或所述材料的混合物、合金和化合物构成。核的制备并不是本发明的主旨。本领域技术人员可以根据其所选择的相应的应用来制造核3。根据本发明的纳米颗粒1的核3的形状和尺寸为球形的或者椭圆形的、圆柱形的或者具有或不具有圆端的棒状的、圆锥形的或者金字塔形的、立方体的或者块状的、不规则的或者尺寸上可在微米、纳米或亚纳米范围内变化的。
根据本发明，对于在太阳能发电系统中的应用来说，至少一个第一壳体5应当被施加至核。至少一个壳体5应当具有某些化学或物理特性，其与核3一起确保光在太阳能发电系统中的增强。
尽管在附图中通常会示出两个壳体，但是根据本发明至少应当存在第一壳体5。第二壳体7为任选的并在所讨论的应用中用于最优化纳米颗粒1的特性。第一壳体5或第二壳体7的形状和尺寸优选为这样的，即第一壳体5相当均匀地围绕邻接核3。然而，在其它形式的实施方式中，其它的形状也是可行的，例如金字塔形的核在球形壳内。第一壳体5和第二壳体7的厚度可以在一个原子层至微米范围内变化。
第一壳体5和/或第二壳体7可以是相同的或者不同的，并且相互之间直接连接或与核3直接连接，或者通过第一连接层9或第二连接层11而连接。由此，第一壳体5和/或第二壳体7由非导电材料构成，例如卤化物、优选氟化物、例如像CaF2或MgF2，硫族化物、优选例如氧化物等。第一壳体5和/或第二壳体7还可以由半导电材料、导电材料（例如TCO变体，光可渗透材料，光吸收和/或光转换材料，例如铜铟镓硒(CIGS)，CdTe，Si，有机半导体等）以及无机材料或有机材料构成。最后，第一壳体5和/或第二壳体7还可以表现特定的化学特性和/或物理特性，其确保纳米颗粒1以预设定的方式来布置（在局部环境中相互彼此地或者相对于表面设置）。这可能导致密集的或松散的单层或者由纯粹种类的混合物构成的紧密的纳米颗粒层。各种相互作用是产生纳米颗粒布置的原因，例如化学或物理相互作用，例如范德华力、粘附力、离子力或者静电或电磁作用。
在根据图2和图4的第二和第四形式的实施方式中，在核3和第一壳体5之间提供第一连接层9，并且在第一壳体5和第二壳体7之间提供第二连接层11。这样的第一连接层9和第二连接层11优选由有机或无机材料构成，其调解壳体和核（第一连接层9）之间或者在两个相邻的壳之间（第二连接层11）的化学和物理特性。
这样的有机材料可以是携带多种不同功能基团以允许在两侧粘结（核/壳、第一壳体/第二壳体等）的有机化合物。第一连接层9和第二连接层11优选尽可能薄。
在所有的附图中，纳米颗粒1的最外壳体均为第二壳体7，并且在图1、图2、图5和图6中，其以虚线示意性地示出。在其它形式的实施方式中，第一壳体5也可以是外壳体。这完全取决于所选择的交替次序。
图9示意性地示出了太阳能电池100的局部图视，其中布置有数个根据在图1中所示实施方式形式的纳米颗粒1。
图10示意性地示出了太阳能电池变形的局部图视，其与在图5中所示的纳米颗粒1具有不同的尺寸。
图11示意性地示出了太阳能电池100的局部图视，其中，纳米颗粒1根据第四形式的实施方式（图4）来设置。
图12示意性地示出了太阳能电池100的局部图视，其中，根据第一形式的实施方式（图1）的纳米颗粒1按照大小顺序排列来设置。在这种方式中，不同频率范围的入射光可在相应的穿透深度被最佳地转化或增强。例如，短波光线最佳地可以在表面附近与可能更小的纳米颗粒1相作用，并且长波光线可以穿透更深的深度而最佳地与可能更大的纳米颗粒1相互作用。在图12中，光由左侧进入。一方面，图12可以表示单独的太阳能电池，有源(active)半导体包含数层纳米颗粒1，另一方面，图12可以表示以堆叠的方式设置的多节点电池。对于本发明，作用在太阳能电池100上的“光”的频率范围并不是严格要求的。本发明可以与所有种类的电磁辐射联合使用，例如还可以是红外/热辐射（例如热光伏）、微波等。
在任何形式中的太阳能电池100的制造过程中，纳米颗粒1例如可以通过旋涂、浸渍、自组装、湿法化学沉积、溶胶凝胶法、分离/凝聚法、物理方法（例如通过电磁特性或静电特性分配和势能、气相分离、印刷技术、例如类似于喷墨印刷、直接接触传播、喷雾方法）来施加。纳米颗粒可被制造并完全地或者部分地沉积在表面上或附近。这通常采用湿法化学方法或者物理制造过程（即气相沉积、等离子方法等）而实现。
最后，对于纳米颗粒1来说，其还能够施加在“填充”材料的单独施加层之间。那么该层就会是“在上部”和“在下部”并且可能必须被掺杂。取决于应用目的，设想作为用于纳米颗粒1的填充材料为介电材料、半导体、TCO，其中可能需要掺杂。填充材料还可以填充纳米颗粒1之间的空间。
外壳体的目的仅仅为组织纳米颗粒1在局部环境中的分布和/或粘结，并且其能够和/或合理的化学或物理移除不再需要的部分壳体。外壳体可以通过实施靶向反应而被熔融。通过这样的熔融过程，特别是核在相对均匀的或一致的环境中的填充就会改善。如果外壳体由光敏半导体构成，那么这些壳体的熔融能够导致至少更大的接触表面，并能够形成完全的半导体层。由此，通过界面的减少和可能的路径更长，显著改善了所产生的电子-空穴对的传导性。
第一壳体5和/或第二壳体7的最佳参数例如由核3、以及第一壳体5和/或第二壳体7的个体特性而给出，导致宏观特性总和看起来完全不同于核3、第一壳体5或第二壳体7单独的特性。一种光学特性例如在于第一壳体5或第二壳体7比周围的层具有更高的折射指数。通过倾斜入射光，光迁移通过壳并与纳米颗粒1作用数次。
最后，优选地改变形状和尺寸可以增强不同的频率范围。
在其它形式的实施方式中，除了介电壳体，纳米颗粒1还具有导电壳体，其产生层之间的导电接触，并允许载流子的传导。如果纳米颗粒1围绕有在其中产生载流子的光敏半导体层，那么其为特别有益的。为了确保技术功能，这些必须被快速地分离并导引开，从而使得它们不会再次聚集。这可以通过插入在半导体层和载流子之下的TCO层并且通过纳米颗粒1的内侧而被移除来实现。可替换地或者另外地，TCO层可以被施加至围绕半导体层的外侧。在这种情况中，电荷还可以围绕外侧而被移除。重要的是，掺杂、导电性和pn-转换被正确地设定。这样的设定对于本领域技术人员来说是熟知的，并且不是本发明一部分。
在TCO层位于半导体下方的实施方式中，可产生额外的电接触以将电子从TCO层传导至外侧。
如果纳米颗粒1的最外层壳体对于太阳能电池的操作来说并不是需要的，例如其仅用于通过粘合作用的方式来设置纳米颗粒，那么该壳体就可以在设置纳米颗粒1之后而被移除。
附图标记
1 纳米颗粒
3 核
5 第一壳体
7 第二壳体
9 第一连接层
10 第二连接层
100 太阳能电池

Claims (14)

1.一种用于太阳能发电系统以提高光利用率的纳米颗粒，具有选自包含金属、金属合金、半导体、导电非金属、导电化合物及其混合物的材料的核，
其特征在于
至少一个第一壳体（5）围绕所述核（3）布置。
2.根据权利要求1所述的纳米颗粒，其特征在于围绕所述核（3）设置至少一个第二壳体（7），其与所述核（3）之间的距离比所述至少一个第一壳体（5）与所述核（3）的距离更大。
3.根据权利要求1或2所述的纳米颗粒，其特征在于第一连接层（9）被布置在所述核（3）和所述第一壳体（5）之间。
4.根据权利要求2或3所述的纳米颗粒，其特征在于第二连接层（11）被布置在所述第一壳体（5）和所述第二壳体（7）之间。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的纳米颗粒，其特征在于所述至少一个第一壳体（5）为介电壳体。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的纳米颗粒，其特征在于所述至少一个第二壳体（7）为介电壳体。
7.根据权利要求2至5中任一项所述的纳米颗粒，其特征在于所述至少一个第二壳体（7）为导电壳体。
8.根据权利要求2至5中任一项所述的纳米颗粒，其特征在于所述至少一个第二壳体（7）为半导体壳体。
9.根据权利要求8的所述纳米颗粒，其特征在于所述至少一个第二壳体（7）为有源半导体，例如CIGS。
10.根据权利要求2至9中任一项所述的纳米颗粒，其特征在于所述至少一个第二壳体（7）具有粘结作用以粘着至其周围环境。
11.一种太阳能电池，具有根据权利要求1至10任一项所述的至少一种纳米颗粒。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其特征在于多个纳米颗粒（1）被布置在半导体层中。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池，其特征在于多个纳米颗粒（1）以这样的方式设置，即至少某些纳米颗粒（1）相互接触或与所述第一壳体（5）或所述第二壳体（7）相接触。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其特征在于接触纳米颗粒（1）的所述第一壳体（5）或所述第二壳体（7）形成半导体层。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016017763A1 (ja) * 2014-07-30 2016-02-04 京セラ株式会社 量子ドット太陽電池
KR101692985B1 (ko) * 2015-04-03 2017-01-05 한국과학기술연구원 무기 나노물질 기반 소수성 전하 수송체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 유무기 복합 페로브스카이트 태양전지

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020187347A1 (en) * 1997-03-12 2002-12-12 Wm. Marsh Rice University Multi-layer nanoshells
US20050129947A1 (en) * 2003-01-22 2005-06-16 Xiaogang Peng Monodisperse core/shell and other complex structured nanocrystals and methods of preparing the same
EP1980652A2 (en) * 2007-03-26 2008-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Multilayer nanocrystal structure and method for producing the same
WO2011004446A1 (ja) * 2009-07-06 2011-01-13 トヨタ自動車株式会社 光電変換素子
CN101978101A (zh) * 2008-03-18 2011-02-16 索莱克山特公司 薄膜太阳能电池中改进的背接触

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8791359B2 (en) * 2006-01-28 2014-07-29 Banpil Photonics, Inc. High efficiency photovoltaic cells
US20100022020A1 (en) * 2006-09-01 2010-01-28 Halas Nancy J Compositions for surface enhanced infrared absorption spectra and methods of using same
DE102007047088A1 (de) 2007-10-01 2009-04-09 Buskühl, Martin, Dr. Fotovoltaik-Modul mit wenigstens einer Solarzelle

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020187347A1 (en) * 1997-03-12 2002-12-12 Wm. Marsh Rice University Multi-layer nanoshells
US20050129947A1 (en) * 2003-01-22 2005-06-16 Xiaogang Peng Monodisperse core/shell and other complex structured nanocrystals and methods of preparing the same
EP1980652A2 (en) * 2007-03-26 2008-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Multilayer nanocrystal structure and method for producing the same
CN101978101A (zh) * 2008-03-18 2011-02-16 索莱克山特公司 薄膜太阳能电池中改进的背接触
WO2011004446A1 (ja) * 2009-07-06 2011-01-13 トヨタ自動車株式会社 光電変換素子

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Publication number Publication date
WO2013001373A3 (de) 2013-08-22
DE202011103301U1 (de) 2011-10-20
WO2013001373A2 (de) 2013-01-03
BR112013032971A2 (pt) 2017-01-31
MX2014000261A (es) 2014-09-01
US20140224308A1 (en) 2014-08-14

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