DE102007047088A1 - Fotovoltaik-Modul mit wenigstens einer Solarzelle - Google Patents
Fotovoltaik-Modul mit wenigstens einer Solarzelle Download PDFInfo
- Publication number
- DE102007047088A1 DE102007047088A1 DE102007047088A DE102007047088A DE102007047088A1 DE 102007047088 A1 DE102007047088 A1 DE 102007047088A1 DE 102007047088 A DE102007047088 A DE 102007047088A DE 102007047088 A DE102007047088 A DE 102007047088A DE 102007047088 A1 DE102007047088 A1 DE 102007047088A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- photovoltaic module
- light
- layer
- module according
- solar cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 15
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 5
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
- H10F77/315—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Fotovoltaik-Modul mit wenigstens einer Solarzelle, die eine Energie erzeugende Schicht aufweist, an deren Strahlungsrückseite eine erste Kontaktschicht ausgebildet ist und an deren Strahlungsvorderseite eine zweite Kontaktschicht ausgebildet ist, wobei unterhalb einer der Strahlung abgewandten Seite der ersten Kontaktschicht ein Licht verstärkendes Material ausgebildet ist.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Fotovoltaik-Modul mit wenigstens einer Solarzelle, die eine Energie erzeugende Schicht aufweist, an deren Strahlungsrückseite eine erste Kontaktschicht („Rückseitenkontakt") ausgebildet ist und an deren Strahlungsvorderseite eine zweite Kontaktschicht („Frontkontakt") ausgebildet ist.
- Ein solches Fotovoltaik-Modul ist aus dem Stand der Technik allgemein bekannt. Ein großes Ziel in der Fotovoltaik ist, Licht auf die Solarzellen zu konzentrieren, um die Lichtintensität zu steigern. Wenn die Intensität des auf die Solarzellen auftreffenden Lichts gesteigert wird, können die Solarzellen kleiner ausfallen, leistungsstärker werden und damit einen höheren Wirkungsgrad erzielen. Die ist in vielen Fällen kostengünstiger und effektiver im Vergleich zu einer bislang üblichen Bauweise mit kristallinen Halbleiterzellen oder Dünnschichtzellen aus ganz unterschiedlichen Materialien.
- Auf der anderen Seite ist aber für die Konzentrierung des Lichtes auf die Solarzellen ein erheblicher Aufwand zu betreiben. Die dazu verwendeten Systeme sind häufig kompliziert und bestehen aus Linsen oder Spiegeln, die im Stand der Technik zahlreich beschrieben sind. Mit diesen Systemen ausgerüstete Fotovoltaik-Module können in Abhängigkeit vor Sonnenstand über zwei Achsen nachgeführt werden. Eine solche Nachführung ist für eine gute Konzentration des Lichtes zwingend erforderlich, denn nur mit Hilfe der Nachführung ist es möglich, dafür zu sorgen, dass das auftreffende Licht immer senkrecht auf die Solarzelle gerichtet ist. Der Einsatz solcher nachführbaren Fotovoltaik-Module mit höherem Wirkungsgrad ist aber nur in großen Solarkraftwerken üblich, da die Nachführung der Module auf Hausdächern bereits auf statischen Gründen nur schwer zu realisieren ist.
- Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist daher, ein Fotovoltaik-Modul mit wenigstens einer Solarzelle dahingehend weiterzubilden, dass eine Verstärkung des auf die Solarzelle einfallenden Lichts und eine Erhöhung des Wirkungsgrades einer Solarzelle auch ohne komplizierte Nachführungssysteme möglich wird.
- Die Aufgabe wird dadurch gelöst, dass unterhalb einer der Strahlung abgewandten Seite der zweiten Kontaktschicht („Frontkontakt") ein Licht verstärkendes Material ausgebildet ist.
- Die Licht verstärkende Schicht führt in dem erfindungsgemäßen Fotovoltaik-Modul dazu, dass auch nicht senkrecht einfallende Lichtstrahlen derart verstärkt werden, dass sogar eine größere Intensität erhalten wird, als wenn diese senkrecht auf die Solarzelle einfallen würden. Die Licht verstärkende Schicht führt zu einer erhöhten Strahlungsabsorption in der Energie erzeugenden Schicht und steigert damit den Wirkungsgrad der Solarzelle bzw. des Fotovoltaik-Moduls.
- Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass die Licht verstärkende Schicht Kleinstpartikel aufweist. Die Kleinstpartikel bewirken, dass das einfallende Licht in der Umgebung der Kleinstpartikel durch verschiedene physikalische Effekte verstärkt wird. Diese Verstärkung führt zu der erhöhten Strahlungsabsorption und der bereits genannten erhöhten Elektronenausbeute in der Energie erzeugenden Schicht.
- Dieser Effekt wird in Verbindung mit der Verstärkung von Signalen in der Infrarotspektroskopie beschrieben. Dadurch strahlen die Nanopartikel ihrerseits ein eigenes, elektromagnetisches Feld ab, das sich mit dem einfallenden Feld überlagert. Die Folge davon ist, dass das gesamte Feld verstärkt wird und einen erhöhten Fotostrom erzeugen kann. Der Effekt selbst ist physikalisch noch nicht komplett verstanden, wird aber in der IR-Spektroskopie unter dem Begriff SEIRA (Surface Enhanced Infrared Absorption) im Bereich der Forschung zur Verstärkung der IR-Absorption verwendet. Dadurch kann die Nachweisgrenze in der IR-Spektroskopie um mehrere Vielfache gesenkt werden.
- Ein weiterer Vorteil gemäß vorliegender Erfindung ist, dass die Energie erzeugende Schicht einen p-leitenden, Licht absorbierenden Halbleiter umfasst, auf dessen dem Licht zugewandten Seite die Licht verstärkende Schicht aufgebracht ist. Neben einer in der Energie erzeugenden Schicht integrierten Ausbildung der Licht verstärkenden Schicht ist es nunmehr auch möglich, die Licht verstärkende Schicht separat auf der Energie erzeugenden Schicht aufzubringen.
- Ein weiterer Vorteil des Fotovoltaik-Moduls gemäß vorliegender Erfindung besteht darin, dass die Kleinstpartikel eine Vorrichtung der Geometrie und Anordnung haben. In einer vorbestimmten Geometrie und Anordnung ist hier gemeint, dass je nach Anwendung neben einer zufälligen Streuung der Kleinstpartikel in der Licht verstärkenden Schicht auch eine gezielte Anordnung und Geometrie der Kleinstpartikel an sich durchgeführt werden kann, um eine bestimmte Wirkung zu erzielen. So kann mit einer bestimmten Anordnung und Geometrie ein ganz bestimmter Wirkungsgrad an bestimmten Stellen an einer Solarzelle erzielt werden.
- Für eine bestimmte Anwendung kann es von Vorteil sein, dass die Kleinstpartikel Ellipsoide sind. Mit Ellipsoiden haben sich gute Wirkungsgrade in der Infrarotspektroskopie ergeben.
- Weitere Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus den Merkmalen der weiteren Unteransprüche.
- Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird am Folgenden anhand der einzigen Figur näher beschrieben. Das heißt, in der Figur ist schematisch eine nicht maßstabsgetreue Anordnung eines möglichen Aufbaus einer Solarzelle eines erfindungsgemäßen Fotovoltaik-Moduls mit Verstärkungseffekt dargestellt.
- Das Fotovoltaik-Modul gemäß vorliegender Erfindung umfasst wenigstens eine Solarzelle
10 . Die Solarzelle10 umfasst eine zentrale und Energie erzeugende Schicht5 mit einem gleitenden, Licht absorbierenden Halbleiter, der aus kristallinen oder anderen Materialien, zum Beispiel auf der Basis von Silizium oder Germanium (Si oder Ge) oder aus Verbindungen, wie zum Beispiel CIGS oder aus organischen Stoffen, aufgebaut sein kann. In anderen Ausführungsformen sind auch ganz andere Stoffe und Elementkombinationen möglich. Diese Energie erzeugende Schicht ist auf einer Strahlungsrückseite mit einer ersten elektrischen Kontaktschicht7 („Rückseitenkontakt") versehen, die häufig aus Molybdän besteht, und auf der Strahlungsvorderseite mit einer zweiten Kontaktschicht1 („Frontkontakt") ist ein Licht verstärkendes Material3 ausgebildet. Dieses Licht verstärkende Material3 kann in der Energie erzeugenden Schicht5 oder auf dieser ausgebildet sein. In der vorliegenden Ausführungsform ist auf der dem Licht zugewandten Seite der Energie erzeugenden Schicht5 mit p-Leiter, das heißt, an der Strahlungsvorderseite, das Licht verstärkende Material3 als Schicht ausgebildet. Dieses Licht verstärkende Material3 beinhaltet Kleinstpartikel3.1 , die insbesondere Nano- oder Mikropartikel sind und aus einem Metall bestehen. Zum Beispiel können die Metalle der Kleinstpartikel3.1 ausgewählt sein aus der Gruppe bestehend aus Edelmetallen, wie zum Beispiel Gold, Silber oder Platin, oder aus Kupfer, Indium, Zinn, Palladium und Eisen. Die Aufzählung ist nicht abschließend, da auch andere Metalle eingesetzt werden können. Die Kleinstpartikel können beliebige Geometrien aufweisen, sind in der vorliegenden Ausführungsform aber als Ellipsoide dargestellt. Auch die Anordnung der Kleinstpartikel3.1 kann beliebig erfolgen. Neben einer zufälligen Streuung können gezielte Anordnungen vorgenommen werden, um besondere Wirkungsgrade an bestimmten Bereichen einer Solarzelle zu erzielen. Die Kleinstpartikel3.1 sind in der Licht verstärkenden Schicht3 eingebettet. Die Licht verstärkende Schicht3 ist in der vorliegenden Ausführungsform eine n-leitende Halbleiterschicht, die auf der Energie erzeugenden p-leitenden Schicht5 aufgebracht ist. - In der vorliegenden Ausführungsform sind die Kleinstpartikel
3.1 in einem Abstand zueinander angeordnet. Es kann aber auch Ausführungsformen geben, in denen ein solcher Abstand nicht immer vorliegen muss. Es kann ebenfalls Anwendungen geben, in denen die Kleinstpartikel3.1 zur Umgebung hin elektrisch isoliert sind. - Die zweite Kontaktschicht
1 an der Strahlungsvorderseite ist einer einfallenden Strahlung zugewandt und ist üblicherweise eine TCO-Schicht (TCO = Transparent Contacted Oxside) gebildet. - Die Deposition der Licht verstärkenden Schicht
3 mit den Kleinstpartikeln3.1 im Nanometerbereich oder Mikrometerbereich kann auf unterschiedliche Art und Weise erfolgen. Auch der Ort der Deposition ist abhängig von den jeweiligen Solarzelltypen. Zum Beispiel erfordern kristalline Zellen aus Silizium eine andere Deposition als Dünnschichtzellen aus zum Beispiel CdTe amorphem Silizium oder den unterschiedlichen CIS-Zusammensetzungen. Ebenso können Unterschiede in der Verarbeitungs- und/oder Herstellungspraxis der verschiedenen Hersteller von Fotovoltaikzellen für unterschiedliche Geometrien und Produktionsschritte verantwortlich sein. - Gängige Möglichkeiten der Herstellung sind zum Beispiel physikalische Bedampfungs- und Zerstäubungsverfahren, lithografische Verfahren, die Deposition fertiger Nano- bzw. Mikropartikel zum Beispiel mit Hilfe von Drucktechniken, wie sie zum Beispiel Nanosolar Inc. aus Palo Alto (Kalifornien, USA) anwendet (
DE 10 2005 003 842 A1 ) oder mittels Selbstaggregation oder Tauchprozesse. Auch über chemische Methoden ist die Herstellung von Nano- bzw. Mikropartikel auf der Oberfläche möglich. - Das eine Vielzahl unterschiedlicher Solarzellen Bauarten gibt, ist die hier beschriebene Anordnung nur als ein Ausführungsbeispiel anzusehen, das im konkreten Fall auch vollständig anders aufgebaut sein kann. Zum Beispiel könnte es möglich sein, dass die Licht verstärkende Schicht
3 mit den Nanopartikeln3.1 direkt in die p-leitende Schicht5 eingebaut ist oder aber auch zusätzliche Schichten mit besonderen Eigenschaften erforderlich sind. - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- - DE 102005003842 A1 [0018]
Claims (10)
- Fotovoltaik-Modul mit wenigstens einer Solarzelle, die eine Energie erzeugende Schicht aufweist, an deren Strahlungsrückseite eine erste Kontaktschicht ausgebildet ist und an deren Strahlungsvorderseite eine zweite Kontaktschicht ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass unterhalb einer der Strahlung abgewandten Seite der ersten Kontaktschicht (
1 ) ein Licht verstärkendes Material (3 ) ausgebildet ist. - Fotovoltaik-Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Licht verstärkende Material (
3 ) Kleinstpartikel (3.1 ) aufweist. - Fotovoltaik-Modul nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Energie erzeugende Schicht (
5 ) einen p-leitenden Licht absorbierenden Halbleiter umfasst, auf dessen dem Licht zugewandten Seite das Licht verstärkende Material (3 ) als Schicht aufgebracht ist. - Fotovoltaik-Modul nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Kleinstpartikel (
3.1 ) eine vorbestimmte Geometrie und Anordnung haben. - Fotovoltaik-Modul nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Kleinstpartikel (
3.1 ) ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Ellipsoiden, Zylindern, Quadern. - Fotovoltaik-Modul nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Licht verstärkende Schicht (
3 ) eine n-leitende Halbleiterschicht ist, in welche die Kleinstpartikel (3.1 ) eingebettet sind. - Fotovoltaik-Modul nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Kleinstpartikel (
3.1 ) zur umgebenden, Licht verstärkenden Schicht (3 ) isoliert sind. - Fotovoltaik-Modul nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Kleinstpartikel (
3.1 ) aus Metall sind. - Fotovoltaik-Modul nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Metall ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Gold, Silber, Platin, Kupfer, Indium, Zinn, Palladium, Eisen.
- Fotovoltaik-Modul nach einem der Ansprüche 2 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Kleinstpartikel (
3.1 ) eine Größe im Nano- oder Mikrobereich haben.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102007047088A DE102007047088A1 (de) | 2007-10-01 | 2007-10-01 | Fotovoltaik-Modul mit wenigstens einer Solarzelle |
| PCT/DE2008/001608 WO2009043340A2 (de) | 2007-10-01 | 2008-09-26 | Fotovoltaik-modul mit wenigstens einer solarzelle |
| EP08836224A EP2212917A2 (de) | 2007-10-01 | 2008-09-26 | Fotovoltaik-modul mit wenigstens einer solarzelle |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102007047088A DE102007047088A1 (de) | 2007-10-01 | 2007-10-01 | Fotovoltaik-Modul mit wenigstens einer Solarzelle |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102007047088A1 true DE102007047088A1 (de) | 2009-04-09 |
Family
ID=40418027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102007047088A Withdrawn DE102007047088A1 (de) | 2007-10-01 | 2007-10-01 | Fotovoltaik-Modul mit wenigstens einer Solarzelle |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP2212917A2 (de) |
| DE (1) | DE102007047088A1 (de) |
| WO (1) | WO2009043340A2 (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL2008514C2 (en) * | 2012-03-21 | 2013-09-25 | Inter Chip Beheer B V | Solar cell. |
| CN106663704A (zh) * | 2014-07-30 | 2017-05-10 | 京瓷株式会社 | 量子点太阳能电池 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012029559A1 (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-08 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機光電変換素子 |
| JP2012074569A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | 光電変換素子 |
| DE202011103301U1 (de) | 2011-06-30 | 2011-10-20 | Martin Buskühl | Nanoteilchen für eine solartechnische Anlage sowie eine Solarzelle mit solchen Nanoteilchen |
| JP6373552B2 (ja) * | 2011-10-26 | 2018-08-15 | 住友化学株式会社 | 光電変換素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005003842A1 (de) | 2004-02-19 | 2005-10-20 | Nanosolar Inc | Herstellung einer Photovoltaikzelle auf Lösungsbasis |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4482778A (en) * | 1983-04-19 | 1984-11-13 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Solar energy converter using surface plasma waves |
| JPS6068663A (ja) | 1983-09-26 | 1985-04-19 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | アモルフアスシリコン太陽電池 |
| US7442320B2 (en) * | 2004-06-18 | 2008-10-28 | Ultradots, Inc. | Nanostructured materials and photovoltaic devices including nanostructured materials |
| JP2006066550A (ja) | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Sharp Corp | 光電変換素子 |
| JP2007073794A (ja) | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Univ Of Tokyo | プラズモン共鳴型光電変換素子及びその製造方法 |
| US20070119496A1 (en) | 2005-11-30 | 2007-05-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Photovoltaic cell |
| US8791359B2 (en) | 2006-01-28 | 2014-07-29 | Banpil Photonics, Inc. | High efficiency photovoltaic cells |
| US20100022020A1 (en) * | 2006-09-01 | 2010-01-28 | Halas Nancy J | Compositions for surface enhanced infrared absorption spectra and methods of using same |
-
2007
- 2007-10-01 DE DE102007047088A patent/DE102007047088A1/de not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-09-26 EP EP08836224A patent/EP2212917A2/de not_active Withdrawn
- 2008-09-26 WO PCT/DE2008/001608 patent/WO2009043340A2/de not_active Ceased
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005003842A1 (de) | 2004-02-19 | 2005-10-20 | Nanosolar Inc | Herstellung einer Photovoltaikzelle auf Lösungsbasis |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL2008514C2 (en) * | 2012-03-21 | 2013-09-25 | Inter Chip Beheer B V | Solar cell. |
| CN106663704A (zh) * | 2014-07-30 | 2017-05-10 | 京瓷株式会社 | 量子点太阳能电池 |
| CN106663704B (zh) * | 2014-07-30 | 2018-07-27 | 京瓷株式会社 | 量子点太阳能电池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2212917A2 (de) | 2010-08-04 |
| WO2009043340A3 (de) | 2010-04-08 |
| WO2009043340A2 (de) | 2009-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE102010017461B4 (de) | Solarzelle, Solarzellenherstellungsverfahren und Prüfverfahren | |
| EP1875517B1 (de) | Heterokontaktsolarzelle mit invertierter schichtstrukturgeometrie | |
| EP1891681A1 (de) | Konzentrator-photovoltaik-einrichtung, daraus gebildetes pv- konzentratormodul sowie herstellverfahren hierfür | |
| EP2758993B1 (de) | Dünnschichtsolarmodul mit serienverschaltung und verfahren zur serienverschaltung von dünnschichtsolarzellen | |
| DE202010018465U1 (de) | Solarzellenmodul | |
| DE102012205258A1 (de) | Photoelektrochemische Zelle, System und Verfahren zur lichtgetriebenen Erzeugung von Wasserstoff und Sauerstoff mit einer photoelektrochemischen Zelle und Verfahren zur Herstellung der photoelektrochemischen Zelle | |
| DE102008055028A1 (de) | Solarzelle | |
| DE102007047088A1 (de) | Fotovoltaik-Modul mit wenigstens einer Solarzelle | |
| DE102008060404A1 (de) | Einseitig kontaktiertes Dünnschicht-Solarmodul mit einer inneren Kontaktschicht | |
| WO2008119766A1 (de) | Umgebungslichtsensor | |
| EP2850661B1 (de) | Heterokontakt-solarzelle und verfahren zu deren herstellung | |
| DE102004032810B4 (de) | Photovoltaische Solarzelle mit einer Schicht mit Licht streuenden Eigenschaften und Solarmodul | |
| DE102012218265B4 (de) | Rückseitenfeld-Strukturen für Mehrfachübergang-III-V-Photovoltaikeinheiten und Verfahren zum Herstellen einer Mehrfachübergang-III-V-Photovoltaikeinheit | |
| DE102011010077A1 (de) | Photovoltaische Solarzelle sowie Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE102009054630B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines photovoltaisches Bauelements | |
| EP2742533A2 (de) | Solarmodul mit verringertem leistungsverlust und verfahren zu dessen herstellung | |
| DE112008003495T5 (de) | Verfahren zum Herstellen einer fotovoltaischen Zelle sowie fotovoltaische Zelle | |
| DE202008017971U1 (de) | Dünnschichtsolarzelle mit Leiterbahnenelektrode | |
| DE102013203061A1 (de) | Halbleiterbauelement, insbesondere Solarzelle und Verfahren zum Herstellen einer metallischen Kontaktierungsstruktur eines Halbleiterbauelementes | |
| DE102010017246A1 (de) | Solarzellenmodul und Herstellungsverfahren hierfür | |
| DE102011109817A1 (de) | Dünnschicht-Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE102011054794A1 (de) | Gemischte Sputtertargets und ihre Verwendung in Cadmiumsulfidschichten von Cadmiumtelluriddünnschichtphotovoltaikeinrichtungen | |
| DE102010015848A1 (de) | Solarmodul oder Solarzelle mit optisch funktionaler witterungsbeständiger Oberflächenschicht | |
| DE102006059417A1 (de) | Photovoltaik-Vorrichtung mit holografischer Struktur zum Umlenken einfallender Sonnenstrahlung, sowie Herstellverfahren hierfür | |
| DE202013003610U1 (de) | Solarzellenmodul |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |