CN103427005B - 发光半导体元件及其制作方法以及光源模块 - Google Patents

Abstract

一种发光半导体元件及其制作方法以及光源模块，发光半导体元件包含至少两导电单元、至少一发光半导体晶粒及一光穿透层，两导电单元之间具有一开槽，该发光半导体晶粒跨接于所述导电单元，该光穿透层包覆该发光半导体晶粒并至少部分填充于该开槽中以结合两导电单元。本发明的发光半导体元件的导光单元与光穿透层配合密封发光半导体晶粒，可以有效地缩减发光半导体元件的面积并可提升发光半导体元件的绝缘效果。

Description

发光半导体元件及其制作方法以及光源模块

技术领域

本发明涉及一种发光半导体元件，尤指一种发光二极管元件。

背景技术

配合参阅图1，为现有发光半导体元件的剖视图。

发光半导体元件包含一第一导线支架800、一晶粒承载支架802、一第二导线支架804、一发光二极管晶粒806、一绝缘体808、多条导线810及一透光胶体814。绝缘体808是使用不透光胶材，如：聚邻苯二甲酰胺(Polyphthalamide,PPA)等制作而成，用以固定第一导线支架800、晶粒承载支架802及第二导线支架804，并形成一大致呈杯状的固晶区812，晶粒承载支架802露出于固晶区812；其中绝缘体808是利用射出成型方式形成于第一导线支架800、晶粒承载支架802及第二导线支架804外围。

发光二极管晶粒806设置于晶粒承载支架802上，发光二极管晶粒806通过导线(例如焊线)810电连接至第一导线支架800及第二导线支架804。透光胶体814置于固晶区812内用以覆盖发光二极管晶粒806及保护导线810。

由上所述，第一导线支架800、晶粒承载支架802、第二承载支架804、绝缘体808及透光胶体814配合气密地包覆发光二极管晶粒806。然而，绝缘体808本身的热阻大，使得制得的发光半导体元件的导热效果差；其次，绝缘体808的体积成为发光半导体元件的体积无法有效地缩小的主因，并提高制作成本；再者，制作绝缘体808所使用的胶体随着使用时间的增加而老化，并产生可靠度问题。

发明内容

本发明的目的在于有效地缩小发光半导体元件的体积、提升散热效果及降低制作成本。

本发明提供一种发光半导体元件。该发光半导体元件包含至少两导电单元、至少一发光半导体晶粒及一光穿透层，两导电单元之间具有一开槽，该发光半导体晶粒跨接于所述多个导电单元，该光穿透层包覆该发光半导体晶粒并至少部分填充于该开槽中以结合两导电单元。

本发明提供一种发光半导体元件，该发光半导体元件包含至少两导电单元、至少一发光半导体晶粒及至少一导线，两导电单元之间具有一开槽，该发光半导体晶粒设置于其中的一导电单元，该导线跨接于该发光半导体晶粒及另外的导电单元中的一个之间，该光穿透层包覆该发光半导体晶粒、所述多个导线并至少部分填充于该开槽中以结合所述多个导电单元。

本发明提供一种光源模块，包含：一基板；以及至少一个上述的发光半导体元件，该发光半导体元件设置于该基板的一侧，并电连接于该基板。

本发明更提供一种发光半导体元件的制作方法，包含下列步骤：a)于一第一导电层形成至少一开槽；b)设置至少一发光半导体晶粒于该第一导电层，该开槽露出至少部分该发光半导体晶粒；c)形成一光穿透层，该光穿透层与该第一导电层配合包覆该发光半导体晶粒。

利用本发明的制作方法所完成的发光半导体元件的导光单元与光穿透层配合密封发光半导体晶粒，可以有效地缩减发光半导体元件的面积并可提升发光半导体元件的绝缘效果。

附图说明

图1为现有发光半导体元件的剖视图。

图2A-图2J为本发明第一实施例的发光半导体元件的制作方法的制作流程示意图。

图3A-图3Z为本发明第二实施例的发光半导体元件的制作方法的制作流程示意图。

图4A为本发明第一实施例的光源模块的剖视图。

图4B为本发明第二实施例的光源模块的剖视图。

图4C为本发明第三实施例的光源模块的剖视图。

图5为本发明第一实施例的照明装置的剖视图。

图6A为本发明第四实施例的光源模块的剖视图。

图6B为本发明第五实施例的光源模块的剖视图。

其中，附图标记说明如下：

10、20第一导电层

100、200开槽

102、206上表面

11、21导电单元

12、30发光半导体晶粒

13导线

120、300基板

122、302N型氮化镓

124、304多量子井层

126、306P型氮化镓层

128a、128b、308a、308b连接垫

130、310半导体层

14、34光穿透层

202第二导电层

204中介层

206上表面

208下表面

22遮蔽层

24绝缘层

26暂时基板

28黏着件

32挡墙

36光波长转换物质

40a、40b、40c、50基板

402a、402b、404c电路图样

402c绝缘物体

45透光盖体

52连接线

54绝缘物质

56导电凸块

800第一导线支架

802晶粒承载支架

804第二导线支架

806发光二极管晶粒

808绝缘体

810导线

812固晶区

814透光胶体

具体实施方式

配合参阅图2A至图2J，为本发明所提出用于发光半导体元件的制作方法的一实施例的制作流程示意图，其中发光半导体元件例如可为(但是不限定于)发光二极管。

如图2A所示，首先提供一第一导电层10，第一导电层10大致呈平板状并使用具有良好导电性质的材质制作而成，如：金属，制作而成，该金属材质可例如为铜。以较佳实施例而言，第一导电层10的厚度t大于5微米(micrometer,μm)，藉以提高该发光半导体元件的散热效果。

随后在第一导电层10上形成一开槽100，如图2B所示，开槽100可以利用冲模(stamping)、蚀刻或半蚀刻等方式形成于第一导电层10上。开槽100的数量可以为一个或多个，于本实施例中，开槽100以两个为例说明，但是须知此数量仅为一实施例，不是本发明的限制。此两开槽100大致呈平行排列，但不以此为限，如图2C所示。

承上所述，将至少一发光半导体晶粒12设置于第一导电层10的一上表面102并与第一导电层10形成电性连接，如图2D、图2E及图2G所示。发光半导体晶粒12的数量可以为一个或多个，于本实施例中，以两个发光半导体晶粒12为例说明，且发光半导体晶粒12为发光二极管晶粒。发光半导体晶粒12包含多个半导体层130及两连接垫128a及128b，连接垫128a及128b设置于半导体层130上方，使形成水平式(lateral)结构；实际实施时，发光半导体晶粒12也可以设计为垂直式(vertical)结构，使两连接垫128a及128b位于半导体层130的两侧。于本实施例中，半导体层130包含依序排列的一基板120、一N型氮化镓(GalliumNitride,GaN)122、一多量子井(multiplequantumwell,MQW)层124及一P型氮化镓层126，连接垫128a设置于该N型氮化镓层122上，且连接垫128b设置于该P型氮化镓层126上，发光半导体晶粒12可供发出蓝光；实际实施时，可依实际需求及限制加以调整半导体层130的堆叠结构及出光颜色。

如图2D所示，发光半导体晶粒12是以覆晶形式地设置于第一导电层10的上表面102，且发光半导体晶粒12的两连接垫128a、128b分别跨设于开槽100两侧并与第一导电层10连接。其次，开槽100部分地露出于发光半导体晶粒12的设置范围。发光半导体晶粒12的两连接垫128a及128b可以通过焊接(soldering)工艺以与第一导电层10形成电性连接，或者发光半导体晶粒12的两连接垫128a及128b也通过涂布银胶(Agglue)或导电硅胶(silicone)等方式以与第一导电层10形成电性连接。

如图2E、图2F及图2G所示，发光半导体晶粒12的两连接垫128a及128b也可以通过多条导线13以电连接至开槽100两侧的第一导电层10；其中发光半导体晶粒12于第一导电层10上的设置方向相反于图2D所示的发光半导体晶粒12。要说明的是，发光半导体晶粒12的两连接垫128a及128b必须分别电连接于开槽100两侧的第一导电层10，以避免短路现象产生。

如图2E及图2F所示，第一导电层10包含四个开槽100，发光半导体晶粒12设置于任两开槽100之间，导线13的一端连接于发光半导体晶粒12的连接垫128a及128b，并跨越开槽100连接于第一导电层10。如图2G所示，发光半导体晶粒12设置于开槽100一侧的第一导电层10，且连接垫128a通过导线13电连接于其上，连接垫128b通过导线13电连接至开槽100另一侧的第一导电层10。要说明的是，当发光半导体晶粒为垂直式结构时，位于半导体层一侧的连接垫可以直接地电连接于开槽一侧的第一导电层10，位于半导体层另一侧的连接垫则通过一导线电连接至开槽另一侧的第一导电层。

之后，如图2H所示，形成一光穿透层14，光穿透层14包覆发光半导体晶粒12，并通过部分露出于发光半导体晶粒12设置范围的开槽100中填充至开槽100内，意即光穿透层14与第一导电层10配合紧密地包覆发光半导体晶粒12，并结合第一导电层10及发光半导体晶粒12。光穿透层14较佳地为透光绝缘物质，如：硅胶，以提供良好的绝缘效果。于本实施例中，光穿透层14大致呈半球状，可以有效地提高取光效果，实际实施时，可依实际需求及限制加以调整光穿透层14的外型。光穿透层14可以使用注胶成型(Molding)、点胶(Dispensing)或设置透镜(PlacingLens)等方式形成。由上所述，光穿透层14不仅可以结合第一导电层10及发光半导体晶粒12，同时可以保护发光半导体晶粒12、提供良好绝缘效果以及提高取光效果。

最后，沿着光穿透层14的边缘切割第一导电层10使形成多个发光半导体元件；同时地，位于各发光半导体晶粒12下方的第一导电层10亦被区分为至少两导电单元11，且其中任两导电单元11之间具有该开槽100，如图2I所示。其次，任两导电单元11之间皆不形成连接，藉以避免发光半导体元件产生短路现象。

因此，图2I所示便为本发明所提出的发光半导体元件的一实施例。由该图所示可知，该发光半导体元件包含至少两导电单元11、一发光半导体晶粒12及一光穿透层14。两导电单元11是使用导电材质制作而成，以较佳实施例而言，两导电单元11厚度t大于5微米，以达到良好的热特性，且两导电单元11之间具有一开槽100。发光半导体晶粒12跨接于两导电单元11并包含多个半导体层130及两连接垫128a及128b，两连接垫128a及128b分别电连接于两导电单元11，其中第一导电层10的表面积大于等于发光半导体晶粒12的表面积。光穿透层14包覆该发光半导体晶粒12并至少部分填充于该开槽100内，藉以结合该发光半导体晶粒12及导电单元11，同时保护发光半导体晶粒12并提供良好绝缘效果以及提高取光效果。以较佳实施例而言，发光半导体晶粒12直接地设置于导电单元11上，且导电单元11的厚度t大于5微米，可以加速地导离发光半导体晶粒12点亮时产生的热能。

另外，发光半导体元件的发光半导体晶粒12也可以设置于其中的一导电单元11，发光半导体晶粒12通过至少一导线13电连接于另一导电单元11，如图2J所示。导线13跨接于发光半导体晶粒12的连接垫128a、128b及导电单元11之间，以电连接该发光半导体晶粒12及导电单元11。

配合参阅图3A至图3Z，为本发明所提出用于发光半导体元件的制作方法的另一实施例的制作流程示意图，其中发光半导体元件例如可为(但是不限定于）发光二极管。

如图3A所示，首先提供一第一导电层20；以较佳实施例而言，第一导电层20大致呈平板状且厚度t大于5微米，使得设置于其上的发光半导体晶粒点亮时产生的热能可以快速地被导离。第一导电层20包含两第二导电层202及一中介层204；中介层204位于两第二导电层202之间，第二导电层202可例如为铜，中介层204为具有可挠性质的绝缘材，如：聚亚酰胺(polyimide,PI)。第一导电层20还包含一上表面206及一相反于上表面的下表面208。实际实施时，可依实际需求或限制加以调整第一导电层20的组成堆叠结构，当然，第一导电层20也可以仅包含第二导电层202。

如图3B所示，于第一导电层20的上表面206及下表面208其中至少一者形成一遮蔽层22。于本实施例中，遮蔽层22同时形成于第一导电层20的上表面206及下表面208。以较佳实施例而言，遮蔽层22可以为具有光反射效果的反射层或可以提高第一导电层20物理强度的保护层。

随后在所得结构上形成多个开槽200，开槽200可以设计为特定图样，如第三C图所示；开槽200可以通过冲模、蚀刻或半蚀刻等方式形成于第一导电层20上。开槽200可以仅贯穿其中的一第二导电层202，如图3D所示，或者开槽200可以同时贯穿第二导电层202及中介层204，如图3E所示。在后文中，为了说明方便，以开槽200同时贯穿第二导电层202及中介层204作为说明范例，但此并非本发明的限制。再者，第一导电层20也可以通过开槽200而区分成为多个相互分离的导电单元21，如第三F图所示。

在此，要说明的是：在下文中，当第一导电层20通过开槽200而区分成多个互相分离的独立区块时，各独立区块将被称作为导电单元21。

随后在所得结构下方形成一绝缘层24，如图3G所示；绝缘层24所具有的厚度可设计为小于100微米，但此厚度仅为实施例，不是本发明的必要限制。

接着将所得结构设置于一暂时基板26上，如图3H所示。第一导电层20及暂时基板26之间还可以包含一黏着件28，黏着件28较佳地为热解胶带(ThermalReleaseTape,TRT)。

之后，将多个发光半导体晶粒30设置于第一导电层20并电连接于第一导电层20，如图3I所示，且开槽200露出至少部份发光半导体晶粒30，如图3J所示。发光半导体晶粒30包含多个半导体层310及两连接垫308a及308b；于本实施例中，半导体层310可供发出蓝光并包含依序排列的一基板300、一N型氮化镓302、一多量子井层304及一P型氮化镓层306，连接垫308a形成于N型氮化镓302上，连接垫308b形成于P型氮化镓层306上，使形成水平式结构；实际实施时，可依实际需求及限制加以调整半导体层310的堆叠结构及出光颜色。当然，发光半导体晶粒30也可以设计为垂直式结构。。

如图3I所示，发光半导体晶粒30以覆晶形式地设置于第一导电层20的上表面206，且发光半导体晶粒30的两连接垫308a及308b分别跨接于开槽200两侧的第一导电层20。发光半导体晶粒30的两连接垫308a及308b可以通过焊接、涂布银胶、导电硅胶、助焊剂共晶接合(fluxeutecticbonding)技术或直接共晶接合(directeutecticbonding)技术等方式与第一导电层20形成电性连接。如图3J所示，发光半导体晶粒12可以通过具有特定图样的开槽100以形成串联、并联或串并联连接。

如图3K至图3N所示，形成一包覆发光半导体晶粒30的光穿透层34，并除去部分第一导电层20使第一导电层20区分成为多个导电单元21，发光半导体晶粒30通过导电单元21使彼此形成串并联。光穿透层34与第一导电层20配合紧密地包覆发光半导体晶粒30，并由至少部分露出发光半导体晶粒30的开槽200流入发光半导体晶粒30下方，以结合第一导电层20。光穿透层34较佳地为透光绝缘物质，以提供良好的绝缘效果。如图3K及图3L所示，光穿透层34分别地包覆各该发光半导体晶粒30，使各该发光半导体晶粒30形成单晶封装形式；光穿透层34大致呈半球状地包覆各该发光半导体晶粒30，以提高取光效率。如图3M及图3N所示，光穿透层34同时包覆多个发光半导体晶粒30并覆盖第一导电层20，以形成多晶封装形式；光穿透层34的上表面与第一导电层20之间的距离随着远离发光半导体晶粒30而递减，使该光透层34大致呈半球状地包覆发光半导体晶粒30，藉此以提高取光效率。

光穿透层34可以使用注胶成型、点胶或设置透镜等方式形成并包覆发光半导体晶粒30；当光穿透层30是通过点胶方式形成时，可于第一导电层20上方预先形成一环绕发光半导体晶粒20的挡墙32，如图3O所示。挡墙32用以提供限位功能，藉以使光穿透层34大致呈半球状，以提高取光效率。

再者，于第一导电层20通过开槽200而区分为多个导电单元21的实施例中，位于各发光半导体晶粒30下方的导电单元21的表面积必须大于等于发光半导体晶粒30的表面积。另外，如图3P及图3Q所示，光穿透层34同时包覆发光半导体晶粒30及导电单元21的侧缘，以达到更佳的绝缘效果，且光穿透层34的上表面与导电单元21之间的距离一致。

如图3R所示，光穿透层34的上表面与导电单元21之间的距离随着远离发光半导体晶粒30而递减，使该光透层34大致呈半球状地包覆发光半导体晶粒30，藉此以提高取光效率。另外，发光半导体晶粒30也可以通过导电单元21形成串并联的形式，如图3S所示；但此连接方式仅为一实施例，不是本发明的必要限制。

承上所述，设置一光波长转换物质36于光穿透层34的内表面或外表面或的中或其组合，光波长转换材质34可以为荧光粉、量子点荧光粉(QuantumDotPhosphor)或量子井薄膜(QuantumWellFilm)。发光半导体晶粒30发出的光线通过光波长转换物质36后，与光波长转换物质36发生波长转换并产生一波长转换光线。于本实施例中，发光半导体晶粒30可供发出蓝光，光波长转换物质36经激发后可产生黄光；发光半导体晶粒30发出的部分蓝光与光波长转换物质36发生波长转换并产生波长转换光线(黄光)，波长转换光线与其它部分蓝光混光后可产生白光。光波长转换物质36可以设置邻近于发光半导体晶粒30，如图3T所示，其中光波长转换物质36可以形成于设置光穿透层34之前并包覆发光半导体晶粒30，意即光波长转换物质36设置邻近于发光半导体晶粒30。或者光波长转换物质36也可以于光穿透层34形成的后再行设置于光穿透层34上，意即光波长转换物质36设置远离于发光半导体晶粒30，如第三U图所示。或者光波长转换物质36也可以均匀地分布于光穿透层34内部，如第三V图所示，其中，该光波长转换物质36直接地混合于光穿透层36中，并通过点胶或注胶成型等方式包覆发光半导体晶粒30。

最后，切割使形成多个发光半导体元件并移除暂时基板26，如图3W至图3W所示。同时地，位于各发光半导体晶粒30下方的第一导电层20亦被区分为至少两导电单元21，且其中任两导电单元21之间具有开槽200。其次，任两导电单元21之间皆不形成连接，藉以避免发光半导体元件产生短路现象。

如图3W所示的发光半导体元件，导电单元21的表面积大于光穿透层34覆盖于导电单元21的面积；其次，也可同时移除绝缘层24并弯折导电单元21，以达到方便插接的功能，如图3X所示。

如图3Y所示的发光半导体元件，导电单元21的表面积大致等于光穿透层34覆盖导电单元21的面积。

如图3Z所示，光穿透层34同时包覆多个发光半导体晶粒30，以形成多晶封装的发光半导体元件。其次，多个发光半导体晶粒30可以通过导电单元21形成串并联的形式。

因此，本发明所提出的发光半导体元件包含至少两导电单元21、至少一发光半导体晶粒30及一光穿透层34。两导电单元21大致呈平板状且其厚度大于5微米，该两导电单元21之间具有一开槽200。

发光半导体晶粒30跨接于该两导电单元21并包含多个半导体层310及两连接垫308a及308b，两连接垫308a及308b分别电连接于所述两导电单元21，其中第一导电层20的表面积大于等于发光半导体晶粒30的表面积。

光穿透层34包覆发光半导体晶粒30并至少部分填充于该开槽200中，藉以结合导电单元21及发光半导体晶粒30，同时保护发光半导体晶粒30并提供良好绝缘效果以及提高取光效果。光穿透层34可以完全地覆盖导电单元21的上表面206，如图3Y所示。其次，发光半导体元件可选择性地包含一遮蔽层22，该遮蔽层22设置于导电单元21的一上表面206及一下表面208的其中的至少一者，其中下表面208相反于上表面206。

发光半导体元件更可选择性地包含一光波长转换物质36，设置于该光穿透层34中，发光半导体晶粒30发出的光线通过光波长转换物质36发出波长转换产生波长转换光线，其中光波长转换物质36可以设置邻近于发光半导体晶粒30或远离于发光半导体晶粒30，或者光波长转换物质36也可以均匀地混合于光穿透层34中。

再者，光穿透层34可以同时包覆多个发光半导体晶粒20，以及完全地覆盖导电单元21的上表面206并包覆导电单元21的侧缘，如图3Z所示。发光半导体元件也可选择性地包含一绝缘层24，位于该遮蔽层22下方，光穿透层34可以部份地覆盖导电单元21的上表面206，如图3W所示。发光半导体元件也可选择性地弯折导电单元21以达到方便插接的功效，如图3X所示。

前述的发光半导体元件可与一基板40a配合形成一光源模块，如图4A所示；为了方便说明，以图3Y所示的发光半导体元件作为说明范例。基板40a可以为电路板，且其上预先形成有至少一电路图样402a。至少一发光半导体元件设置于基板40a上，且发光半导体元件的导电单元21电连接于电路图样402a。发光半导体元件的数量可以为一个或多个，于本实施例中，发光半导体元件以两个为例，但是须知此数量仅为一实施例，不是本发明的必要限制；其次，两发光半导体元件通过电路图样402a形成串联电连接形式，实际实施时，两发光半导体元件也可以通过电路图样402a形成并联电连接形式。

再者，光源模块可以贴附至一散热装置，如：散热片，以加速地导离发光半导体元件点亮时产生的热能。或者，如图4B所示，光源模块的基板40b本身即为散热装置。基板40b预先形成有至少一电路式样402b，发光半导体元件的导电单元21电连接于电路式样402b上。如此一来，发光半导体元件点亮时产生的热能可以快速地通过基板40b传递至外界空气中。

如图4C所示，电路图样404c也可以额外地设置于基板40c的上表面，且相邻的两电路图样404c之间设置一绝缘物体402c，藉以提升电性绝缘效果。发光半导体元件设置于基板40c且导电单元21电连接于电路图样404c。

前述的光源模块可以与一透光盖体45配合形成一照明装置，如图5所示，并可供室内或室外照明使用。照明装置包含一如图4C所示的光源模块及一透光盖体45，透光盖体45与基板40c结合使发光半导体元件可以位于透光盖体45及基板40c之间，发光半导体元件较佳地是朝向透光盖体45的方向发出光线。再者，该透光盖体45的内表面或外表面的其中的至少一者可以包含有光波长转换物质，如荧光粉，以与发光半导体元件发出的光线发生波长转换后产生波长转换光线，以达到光色转换的效果；当然，光波长转换也可以直接地设置于透光盖体45内。

如图6A所示，当发光半导体元件包含绝缘层24时，设置于基板50上的多个发光半导体元件必须通过多条连接线52以形成电性连接。然而，连接线52也可以被多个导电凸块56取代，如图6B所示，使两发光半导体元件达到电性连接的效果。此外，各导电凸块56可以选择性地通过一绝缘物质54撑立于基板50上，使相邻的两发光半导体元件的导电单元21接触，并使两发光半导体元件形成电性连接。当然，图6A及图6B所示的光源模块也可以与一透光盖体组合形成一可供室内或室外照明使用的照明装置。

综合以上所述，利用本发明的制作方法所完成的发光半导体元件的导光单元与光穿透层配合密封发光半导体晶粒，可以有效地缩减发光半导体元件的面积并可提升发光半导体元件的绝缘效果；其次，导电单元的厚度大于5微米且表面积大于等于发光半导体晶粒的表面积，使得设置于其上的发光半导体晶粒点亮时产生的热能可以快速地被导离，并降低发光半导体元件与电路板或其它板材焊接时的困难度。

然而以上所述，仅为本发明的较佳实施例，不能限定本发明实施的范围，即凡依本发明权利要求书所作的均等变化与修饰等，皆应仍属本发明的专利涵盖范围意图保护的范畴。

Claims (29)

1.一种发光半导体元件，包含：

至少两导电单元，所述导电单元之间具有一开槽；

至少一发光半导体晶粒，跨接于所述多个导电单元；以及

一光穿透层，包覆所述发光半导体晶粒并至少部分填充于该开槽中以结合所述导电单元；

其中，该发光半导体元件不包含设置在至少两导电单元的下方的基板。

2.如权利要求1所述的发光半导体元件，其中该导电单元的厚度大于5微米。

3.如权利要求1所述的发光半导体元件，其中所述多个导电单元的表面积大于等于所述发光半导体晶粒的表面积。

4.如权利要求1所述的发光半导体元件，其中该发光半导体元件还包含一位于该光穿透层的中的光波长转换物质。

5.如权利要求1所述的发光半导体元件，其中该发光半导体元件还包含一遮蔽层，该遮蔽层设置于该导电单元的一上表面及一下表面的至少其中之一，该下表面相反于该上表面。

6.如权利要求1所述的发光半导体元件，其中该发光半导体元件还包含一设置于该导电单元下方的绝缘层。

7.如权利要求6所述的发光半导体元件，其中该绝缘层的厚度小于100微米。

8.如权利要求1所述的发光半导体元件，其中该发光半导体元件还包含一挡墙，该挡墙设置于该导电单元并环绕该发光半导体晶粒，该光穿透层设置于该挡墙内。

9.如权利要求1所述的发光半导体元件，其中该导电单元包含两第二导电层及一设置于所述两第二导电层之间的绝缘层，该开槽至少贯穿其中的一第二导电层。

10.如权利要求1所述的发光半导体元件，其中该光穿透层部分地覆盖所述多个导电单元的一上表面。

11.如权利要求1所述的发光半导体元件，其中该光穿透层完全地覆盖所述多个导电单元的一上表面。

12.如权利要求11所述的发光半导体元件，其中该光穿透层同时包覆所述发光半导体晶粒及多个导电单元的所有侧缘。

13.如权利要求1所述的发光半导体元件，其中该发光半导体元件包含多个导电单元及多个发光半导体晶粒，任两导电单元之间具有一开槽，各发光半导体晶粒跨接于任两导电单元，所述多个发光半导体晶粒通过所述多个导电单元形成串并联连接。

14.一种发光半导体元件，包含：

至少两导电单元，所述导电单元之间具有一开槽；

至少一发光半导体晶粒，设置于其中的一导电单元；

至少一导线，跨接于该发光半导体晶粒及另外的导电单元中的一个之间；以及

一光穿透层，包覆该发光半导体晶粒、该导线并至少部分填充于该开槽中以结合所述多个导电单元；

其中，该发光半导体元件不包含设置在至少两导电单元的下方的基板。

15.如权利要求14所述的发光半导体元件，其中该导电单元的厚度大于5微米。

16.如权利要求14所述的发光半导体元件，其中所述多个导电单元的表面积大于等于该发光半导体晶粒的表面积。

17.如权利要求14所述的发光半导体元件，其中该光穿透层至少部分地覆盖所述多个导电单元的一上表面。

18.如权利要求14所述的发光半导体元件，其中该光穿透层同时包覆所述发光半导体晶粒及多个导电单元的所有侧缘。

19.一种光源模块，包含：

一基板；以及

至少一如权利要求1至18中任一项所述的发光半导体元件，该发光半导体元件设置于该基板的一侧，并电连接于该基板。

20.如权利要求19所述的光源模块，其中该基板为散热装置或电路板。

21.一种发光半导体元件的制作方法，包含：

a)提供一第一导电层；

b)通过冲模、蚀刻或半蚀刻方式于该第一导电层形成至少一开槽；

c)设置至少一发光半导体晶粒于该第一导电层并与开槽两侧的该第一导电层形成电性连接；以及

d)形成一光穿透层，该光穿透层包覆该发光半导体晶粒并连接该第一导电层，且该光穿透层至少部分填充于该开槽；

其中，制得的该发光半导体元件不包含设置在第一导电层下方的基板。

22.如权利要求21所述的发光半导体元件的制作方法，其中该发光半导体晶粒跨接于开槽两侧的第一导电层，该开槽露出至少部分该发光半导体晶粒，该光穿透层与该第一导电层配合紧密地包覆该发光半导体晶粒。

23.如权利要求21所述的发光半导体元件的制作方法，其中该制作方法还包含：

于该第一导电层的一上表面及一下表面的至少其中之一形成一遮蔽层。

24.如权利要求21所述的发光半导体元件的制作方法，其中该制作方法还包含：

于该第一导电层下方形成一绝缘层。

25.如权利要求21所述的发光半导体元件的制作方法，其中该制作方法还包含：

设置一光波长转换物质并包覆该发光半导体晶粒。

26.如权利要求21所述的发光半导体元件的制作方法，其中该制作方法还包含：

于光穿透层中设置一光波长转换物质，该光波长转换物质均匀地分布于该光穿透层中。

27.如权利要求21所述的发光半导体元件的制作方法，其中该制作方法还包含：

设置一光波长转换层于该光穿透层上。

28.如权利要求21所述的发光半导体元件的制作方法，其中，于步骤c之后，还包含一步骤c1，设置至少一导线于该发光半导体晶粒及开槽一侧的该第一导电层之间，该发光半导体晶粒设置于开槽另一侧的该第一导电层。

29.如权利要求21所述的发光半导体元件的制作方法，其中该制作方法其中，在步骤b和步骤c之间还包含：在该第一导电层下方设置一暂时基板；在步骤d后还包含：切割使形成多个发光半导体元件并移除该暂时基板。