CN103123801A - 存储器装置及其负位线信号产生装置 - Google Patents

Abstract

一种存储器装置及其负位线信号产生装置，其中的负位线信号产生装置包括电容、放电通道以及电压产生器。电容在耦接至位线的端点上产生负位线信号。放电通道依据电压推动致能信号以导通或断开。电压产生器依据电压推动致能信号以决定是否提供电压至负推动端点。其中，当电压产生器提供电压至负推动端点时，放电通道被断开，电容在耦接至位线的端点上对应产生负位线信号。

Description

存储器装置及其负位线信号产生装置

技术领域

本发明涉及一种存储器装置，特别是涉及一种存储器装置的负位线信号产生装置。

背景技术

随着电子技术的精进，电子产品成为人们日常生活中必备的工具。而在电子产品用来记录信息的存储器装置，也成为其中的一个重要的部份。

以静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)为范例，在电子装置所接收的操作电压越来越低，存取速度的要求越来越快的情况下，在针对静态随机存取存储器进行存取时，为提升其位线(bit line)以及字线(word line)间的电压差，一种使负位线信号降低至零电压电平以下的负位线信号的技术于是被提出。

现有的负位线信号产生技术常发生在高操作电压时，会对应产生具有较大电压绝对值的负位线信号。如此一来，会使得接收位线信号以及字线信号的晶体管的栅源极间的电压差过大。在长时间的使用下，这个晶体管可能发生损毁而产生漏电或无法正常工作的现象。也造成了静态随机存取存储器的可靠度下降的现象。

发明内容

本发明提供多种负位线信号产生装置，用以产生不随操作电压的变化而大幅变化的负位线信号。

本发明提供多种存储器装置，设置多个负位线信号产生装置，并用以产生不随操作电压的变化而大幅变化的负位线信号。

本发明提出一种负位线信号产生装置，包括电容、放电通道以及电压产生器。电容耦接于负推动端点与位线间，电容在耦接至位线的端点上产生该负位线信号。放电通道耦接在参考电压以及负推动端点，依据电压推动致能信号以导通或断开。电压产生器依据电压推动致能信号以决定是否提供电压至负推动端点。其中，当电压产生器提供电压至负推动端点时，放电通道被断开，电容在耦接至位线的端点上对应产生负位线信号。

本发明还提出一种负位线信号产生装置，包括第一电容、放电通道、第二电容、电压产生器以及开关。第一电容耦接于负推动端点与位线间，电容在耦接至位线的端点上产生负位线信号。放电通道耦接至负推动端点，依据电压推动致能信号以决定是否提供参考电压至负推动端点。电压产生器耦接至第二电容，依据电压推动致能信号以决定是否提供一电压对第二电容进行充电。开关串接在电压产生器与第二电容的耦接点与位线间，依据电压推动致能信号以导通或断开第二电容与第一电容间的连接关系。

本发明还提出一种存储器装置，具有多条位线。存储器装置包括多个负位线信号产生装置。负位线信号产生装置耦接至位线，各负位线信号产生装置包括电容、放电通道以及电压产生器。电容耦接于负推动端点与位线间，电容在耦接至位线的端点上产生该负位线信号。放电通道耦接在参考电压以及负推动端点，依据电压推动致能信号以导通或断开。电压产生器依据电压推动致能信号以决定是否提供电压至负推动端点。其中，当电压产生器提供电压至负推动端点时，放电通道被断开，电容在耦接至位线的端点上对应产生负位线信号。

本发明还提出一种存储器装置，具有多条位线。存储器装置包括多个负位线信号产生装置。负位线信号产生装置耦接至位线，各负位线信号产生装置包括第一电容、放电通道、第二电容、电压产生器以及开关。第一电容耦接于负推动端点与位线间，电容在耦接至位线的端点上产生负位线信号。放电通道耦接至负推动端点，依据电压推动致能信号以决定是否提供参考电压至负推动端点。电压产生器耦接至第二电容，依据电压推动致能信号以决定是否提供一电压对第二电容进行充电。开关串接在电压产生器与第二电容的耦接点与位线间，依据电压推动致能信号以导通或断开第二电容与第一电容间的连接关系。

基于上述，本发明提供电压产生器来对位线所连接的电容的两个端点的其中之一来提供电压，并通过所提供的电压与操作电压的变化无相关联的特性，使负位线信号产生装置所产生的负位线信号不会随着操作电压的升高或降低而产生大幅度的变化。

为使本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并结合附图详细说明如下。

附图说明

图1绘示本发明实施例的一负位线信号产生装置100的示意图。

图2A绘示本发明另一实施例的负位线信号产生装置200的示意图。

图2B绘示本发明实施例的负位线信号产生装置200的另一实施方式。

图3绘示本发明另一实施例的负位线信号产生装置300的示意图。

图4绘示本发明另一实施例的负位线信号产生装置400的示意图。

图5绘示本发明另一实施例的负位线信号产生装置500的示意图。

图6绘示本发明再一实施例的负位线信号产生装置600的示意图。

图7绘示本发明的再一实施例的负位线信号产生装置700的示意图。

图8绘示本发明的一实施例的存储器装置800的示意图。

附图符号说明

100、200、300、400、500、600：负位线信号产生装置

110、210、310、410、510、610、710：放电通道

120、220、320、420：电压产生器

520：能带隙电压产生电路

620、720：电压产生器

222：降压元件

223：放电电流源

630：开关

NFB：电流控制信号

FB：反向信号

INV0～INV6：反向器

C_bst、C1：电容

BL：位线

GND：参考电压

MN1、MN2、M1～M6：晶体管

NBST：负推动端点

NSBL：负位线信号

V1：固定电压

BSTEN：电压推动致能信号

VCC：操作电压

WCLK：启动信号

VNBST：端点电压

VNBST1：回授电压

D1：二极管

C_blc：稳压电容

PC：端点

B1、B2：信号

TG0：传输门

具体实施方式

以下请参照图1，图1绘示本发明实施例的一负位线信号产生装置100的示意图。负位线信号产生装置100包括电容C_bst、放电通道110以及电压产生器120。电容C_bst耦接于负推动端点NBST与位线BL间，电容C_bst在耦接至位线BL的端点上产生负位线信号NSBL。放电通道110耦接在参考电压GND以及负推动端点NBST间，依据电压推动致能信号BSTEN以导通或断开。电压产生器120依据电压推动致能信号BSTEN以决定是否提供电压V1至负推动端点NBST。

在负位线信号产生装置100的整体操作上，电压产生器120依据例如为低电压电平的电压推动致能信号BSTEN来提供电压V1至负推动端点NBST，并使负推动端点NBST上的电压电平被充电至等于电压V1。接着，在负推动端点NBST上的电压电平稳定等于电压V1后，推动致能信号BSTEN被转态至例如高电压电平，并使放电通道110导通，且同时使电压产生器120停止提供电压V1至负推动端点NBST。如此一来，由于负推动端点NBST上的电压快速下降至等于接地电压的参考电压GND，再通过电容C_bst所产生的推动效应，位线BL上的电压将同步的下降，并藉以产生负位线信号NSBL。

请特别注意，由于电压产生器120所产生的电压V1是会随着负位线信号产生装置100及所属存储器装置所使用的操作电压的增加而降低，因此，负位线信号产生装置100所产生的负位线信号NSBL的电压值也将因操作电压的增加而对应下降。

在本实施例中，负位线信号产生装置100的放电通道110是藉由N型的晶体管MN1来建构的。晶体管MN1的栅极接收电压推动致能信号BSTEN，而其源极以及漏极则串接在负推动端点NBST与参考电压GND间。

以下请参照图2A，图2A绘示本发明另一实施例的负位线信号产生装置200的示意图。负位线信号产生装置200包括电容C_bst、放电通道210以及电压产生器220。而电压产生器220则包括由晶体管M5建构的开关、充电电流源221、由晶体管M2建构的开关、降压元件222以及放电电流源223。

晶体管M5的第一端接收操作电压VCC，其控制端接收启动信号WCLK而其第二端则耦接至放电电流源223，并用以提供电流控制信号NFB。充电电流源221由晶体管M1来建构，其中，晶体管M1的控制端接收依据反向器INV0所产生的电流控制信号NFB的反向信号FB，晶体管M1的第一端接收操作电压VCC，其第二端则耦接至晶体管M2的第一端。晶体管M2的控制端则接收由反向器INV1所产生的启动信号WCLK的反向信号，而晶体管M2的第二端耦接至降压元件222的一端。降压元件222的另一端则耦接至放电电流源223。当晶体管M2导通时，充电电流源221所产生的充电电流会对负推动端点NBST进行充电，并据以产生端点电压VNBST。降压元件222则针对端点电压VNBST进行降压，并产生回授电压VNBST1。在本实施例中，降压元件222由晶体管M3所建构，晶体管M3的控制端接收操作电压VCC。因此，回授电压VNBST1等于端点电压VNBST减去晶体管M3的临界电压。

放电电流源223则串接在晶体管M5的第二端以及参考电压GND间，放电电流源223依据回授电压VNBST1来产生放电电流，并藉以调整电流控制信号NFB的电压大小。在本实施例中，放电电流源223由晶体管M4所建构，晶体管M4的控制端接收回授电压VNBST1，其第一端耦接至晶体管M5的第二端，其第二端耦接至参考电压GND。晶体管M6的控制端接收启动信号WCLK的反向信号，其第一及第二端分别耦接至负推动端点NBST以及参考电压GND，晶体管M6用以在电压产生器220不需要提供电压时提供负推动端点NBST进行放电的路径。

在整体操作方面，在启动信号WCLK由电压低电平转态至电压高电平的上升缘期间，晶体管M2会逐渐的被导通，并传送充电电流源221所产生的充电电流至负推动端点NBST，并藉以产生逐渐升高的端点电压VNBST。在此同时，降压元件222针对端点电压VNBST进行降压所产生的回授电压VNBST1对应上升，并使放电电流源223提供放电电流以调降电流控制信号NFB。

若在当操作电压VCC为相对低的电压时，放电电流源223会因为所接收的回授电压VNBST1过低，而无法提供很大的放电电流，使得电流控制信号NFB被调降的速度相对于充电电流源221对负推动端点NBST进行充电是缓慢的。也因此，端点电压VNBST将会被充电到等于操作电压VCC。

相反的，若在当操作电压VCC为相对高的电压时，放电电流源223则可以提供较大的放电电流，并快速的调低电流控制信号NFB。也就是说，充电电流源221对负推动端点NBST进行充电的时间将在电流控制信号NFB快速被调低的情况下而大幅的缩短，因此，端点电压VNBST将不会被充电到等于较高的操作电压VCC，而会被限制在一定的电压电平(小于操作电压VCC)。

附带一提的，启动信号WCLK的上升缘会发生在电压推动致能信号被致能(也就是产生负位线信号)前。

以下请参照图2B，图2B绘示本发明实施例的负位线信号产生装置200的另一实施方式。其中，降压元件222可以利用二极管P1来取代，二极管P1的阳极耦接至负推动端点NBST，而其阴极则耦接至晶体管M4的控制端。而在此状态下，回授电压VNBST1等于端点电压VNBST减去二极管P1的临界电压。

以下请参照图3，图3绘示本发明另一实施例的负位线信号产生装置300的示意图。负位线信号产生装置300包括电容C_bst、放电通道310、电压产生器320以及稳压电容C_blc。在本实施例中，放电通道310以及电压产生器320的电路结构与操作方式与图2A所绘示的实施例是相同的，以下不多赘述。而本实施例还在位线BL以及参考电压GND间设置稳压电容C_blc。通过这个稳压电容C_blc的设置，位线BL上的电压V_BL可以表示为如下数学式(1)所示：

$V_{\mathrm{BL}}=\frac{\mathrm{VNBSST}\×C_{\mathrm{bst}}}{C_{\mathrm{bst}}+C_{\mathrm{bl}}+C_{\mathrm{blc}}}---\left(1\right)$

其中的C_bl为位线BL上的电容值。

由上述的数学式(1)可以得知，对应不同的存储器装置的位线BL所承受的负载所产生的不同的电容值，本发明实施例可以通过设定稳压电容C_blc的电容值大小来获得补偿，使位线BL在产生负位线信号时电压V_BL可以稳定而不会有过大的漂移。

以下请参照图4，图4绘示本发明另一实施例的负位线信号产生装置400的示意图。负位线信号产生装置400包括电容C_bst、放电通道410、电压产生器420、反向器INV2以及稳压电容C_blc。在本实施例中，放电通道410以及电压产生器420的电路结构与操作方式与图2A所绘示的实施例是相同的，以下不多赘述。而本实施例还在位线BL以及电压推动致能信号BSTEN间设置反向器INV2以及稳压电容C_blc。其中，反向器INV2的输入端接收电压推动致能信号BSTEN，其输出端耦接稳压电容C_blc。稳压电容C_blc的另一端则耦接至位线BL。在电压推动致能信号BSTEN为电压高电平(等于操作电压VCC)时，反向器INV2的输出端提供电压低电平的信号(例如接地电压)至稳压电容C_blc。通过这个稳压电容C_blc的设置，位线BL上的电压V_BL可以表示为如下数学式(2)所示：

$V_{\mathrm{BL}}=\frac{\mathrm{VNBST}\×C_{\mathrm{bst}}-\mathrm{VCC}\×C_{\mathrm{blc}}}{C_{\mathrm{bst}}+C_{\mathrm{bl}}+C_{\mathrm{blc}}}---\left(2\right)$

同样的，通过稳压电容C_blc的设置，可以使位线BL在产生负位线信号时电压V_BL可以稳定而不会有过大的漂移。并且，由于在数学式(2)的分子中，稳压电容C_blc的电容值被放大了VCC倍，因此，本实施例中的稳压电容C_blc的电容值可以不需要过大，也可以发挥稳定负位线信号的电压V_BL。

以下请参照图5，图5绘示本发明另一实施例的负位线信号产生装置500的示意图。负位线信号产生装置500包括电容C_bst、放电通道510、能带隙电压产生电路520、反向器INV4以及稳压电容C_blc。在本实施例中，能带隙电压产生电路520所产生的固定电压与操作电压VCC的变化无关。并且，能带隙电压产生电路520接收电压推动致能信号BSTEN以决定是否提供固定电压至负推动端点NBST。此外，本实施例与图4绘示的负位线信号产生装置400的实施例相类似，以下不多赘述。

其中，图5绘示的能带隙电压产生电路520可以由其他的电压产生器所取代。在此，用以取代能带隙电压产生电路520的电压产生器所产生的电压VNBST与操作电压VCC是有相关联的，其与位线BL上的电压V_BL关系可以表示为数学式(3)：

$\left|V_{\mathrm{BL}}\right|=\frac{\mathrm{VNBST}\left(\mathrm{VCC}\right)\×C_{\mathrm{bst}}-\mathrm{VCC}\×C_{\mathrm{blc}}}{C_{\mathrm{blc}}+C_{\mathrm{bst}}+C_{\mathrm{bl}}}---\left(3\right)$

其中，C_bl为位线上的电容值。再依据数学式(3)，可以计算出数学式(4)：

$\frac{\∂\left|V_{\mathrm{BL}}\right|}{\∂\mathrm{VCC}}=\frac{C_{\mathrm{bst}}}{C_{\mathrm{blc}}+C_{\mathrm{bst}}+C_{\mathrm{bl}}}\frac{\∂\mathrm{VNBST}\left(\mathrm{VCC}\right)}{\∂\mathrm{VCC}}-\frac{C_{\mathrm{bl}}}{C_{\mathrm{blc}}+C_{\mathrm{bst}}+C_{\mathrm{bl}}}---\left(4\right)$

在电压产生器所产生的电压VNBST可以满足数学式(5)的要求下，在操作电压VCC上升的状态下，位线BL上的电压V_BL可以有效的被抑制而不随之升高。满足数学式(5)则如下所示：

$\frac{C_{\mathrm{bst}}}{C_{\mathrm{blc}}+C_{\mathrm{bst}}+C_{\mathrm{bl}}}\frac{\&PartialD;\mathrm{VNBST}\left(\mathrm{VCC}\right)}{\&PartialD;\mathrm{VCC}}<\frac{C_{\mathrm{bl}}}{C_{\mathrm{blc}}+C_{\mathrm{bst}}+C_{\mathrm{bl}}}---\left(5\right)$

接着则请参照图6，图6绘示本发明再一实施例的负位线信号产生装置600的示意图。负位线信号产生装置600包括电容C_bst、C1、放电通道610、电压产生器620以及开关630，其中，电容C1由晶体管MN3所建构。电容C_bst耦接于负推动端点NBST与位线BL间，并在耦接至位线BL的端点上产生负位线信号NSBL。放电通道610耦接至负推动端点NBST。放电通道610依据电压推动致能信号BSTEN以决定是否提供参考电压GND至负推动端点NBST，在本实施例中，参考电压GND为接地电压。电压产生器620耦接至电容C1，依据操作电压VCC产生输出电压VN，并依据电压推动致能信号BSTEN以决定是否提供输出电压VN对电容C1进行充电。开关630则串接在电压产生器620与电容C1的耦接点与位线BL间。开关630依据电压推动致能信号BSTEN以导通或断开电容C1与电容C_bst间的连接关系。

在操作细节上，电压产生器620先提供所产生的电压以对电容C1进行充电。其中，电压产生器620所产生的电压是小于操作电压VCC(例如等于1/3VCC)。并且，在这个充电操作完成后，开关630依据电压推动致能信号BSTEN导通电容C1以及电容C_bst间的连接。同时，电压产生器620则依据电压推动致能信号BSTEN停止提供所产生的电压至电容C1。如此一来，电容C1以及电容C_bst间进行电荷分配的操作。若是操作电压VCC的电压电平偏高时，储存在电容C1的电荷就会被传送至电容C_bst中，并藉以抑制使因放电通道610的导通而下降的负位线信号NSBL的电压的下降程度。

在本实施例中，放电通道610由晶体管MN1来建构，其中，晶体管MN1的控制端接收电压推动致能信号BSTEN，而其第一端耦接至负推动端点NBST，其第二端耦接至参考电压GND。开关630则由晶体管MN2所建构，晶体管MN2的控制端接收电压推动致能信号BSTEN，而其第一端耦接至位线BL，其第二端耦接至电容C1。附带一提的是，在晶体管MN2被导通，且依据操作电压VCC所产生的输出电压VN的电压值小于晶体管MN3的临界电压时，晶体管MN3所建构的电容C1的电容值相对是很小的，因此可以减低在低电压的操作电压VCC的情况下，负位线信号NSBL的电压的下降程度被抑制的程度。相对的，在依据操作电压VCC所产生的输出电压VN的电压值大于晶体管MN3的临界电压时，电容C1上升，而传送至位线BL的电荷也随之上升。所以负位线信号NSBL的电压的下降程度可以有效的被抑制。

请参照图7，图7绘示本发明的再一实施例的负位线信号产生装置700的示意图。负位线信号产生装置700包括电容C_bst、C1、放电通道710、电压产生器720、开关730以及反向器INV1、INV2及INV3。在本实施例中，放电通道710由多个反向器INV4～INV6串接而成，其中的反向器INV4的输入端接收电压推动致能信号BSTEN，而反向器INV6的输出端则传送电压推动致能信号BSTEN的反向信号至负推动端点NBST。也就是说，当电压推动致能信号BSTEN为高电平电压时(例如等于操作电压VCC)，放电通道710提供例如等于参考电压GND(接地电压)至负推动端点NBST。开关730由晶体管M3所构成，其中，晶体管M3的控制端通过反向器INV2、INV3接收电压推动致能信号BSTEN，且其第一端耦接电容C1，第二端耦接至位线BL。电容C1则为利用晶体管M1所建构的晶体管电容，其控制端通过反向器INV1接收电压推动致能信号BSTEN的反向信号，其第一端及第二端与晶体管M3的第一端以及电压产生器720相耦接。

电压产生器720则包括晶体管M2、传输门TG0以及晶体管M4所建构的电容。晶体管M2的控制端接收电压推动致能信号BSTEN，其第一端接收操作电压VCC，其第二端耦接至传输门TG0以及电容C1。晶体管M4的第一端及第二端接耦接至操作电压VCC，其控制端耦接至传输门TG0。当传输门依据由反向器INV2及INV3所产生的信号B1及B2而导通时，操作电压VCC会通过传输门TG0对晶体管M4所形成的电容，以及直接对电容C1进行充电，并使端点PC上的输出电压的电压值等于操作电压VCC的n倍，其中，n的数值由晶体管M1以及晶体管M4的栅极电容值所决定。

在整体操作上，首先，使电压产生器720依据操作电压VCC产生输出电压，也就是端点PC上的输出电压的电压值VPC。接着，使电压推动致能信号BSTEN转态为致能状态(高电压电平)，并断开电容C1接收电压产生器720所产生的输出电压的路径，并同时导通晶体管M3。在当操作电压VCC为较高电压值的电压时，端点PC上的输出电压的电压值VPC(＝n×VCC)会高于晶体管M1的临界电压，电容C1中所储存的部份电荷会经由晶体管M3流至电容C_bst耦接位线BL的端点上，以抑制负位线信号NSBL下降的幅度。相反的，在当操作电压VCC为较低电压值的电压时，端点PC上的输出电压的电压值VPC(＝n×VCC)会低于晶体管M1的临界电压，此时电容C1的电容值会很小，不致影响负位线信号NSBL的下降幅度。

请参照图8，图8绘示本发明的一实施例的存储器装置800的示意图。存储器装置800可以是静态随机存取存储器，存储器装置800包括多个存储单元801～80M以及多个负位线信号产生装置810～81N。其中，负位线信号产生装置810～81N分别耦接至存储单元801～80M所连接的位线BL1～BLN以及BL1B～BLNB。负位线信号产生装置610～61N可以利用前述图1～图7所绘示的负位线信号产生装置100～700的其中的任一来实施。而关于负位线信号产生装置100～700的实施细节，在前述实施例中都有详细的说明，在此不再重复说明。

综上所述，本发明藉由设置电压产生器，在负推动端点或位线上提供一个电压，并通过这个电压来稳定负位线信号产生时的电压电平，使负位线信号不因操作电压的上升或下降，而产生大幅度的变化。

虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的前提下，可作若干的更动与润饰，故本发明的保护范围是以本发明的权利要求为准。

Claims (19)

1.一种负位线信号产生装置，包括：

一电容，耦接于一负推动端点与一位线间，该电容在耦接至位线的端点上产生一负位线信号；

一放电通道，耦接在一参考电压以及该负推动端点间，依据一电压推动致能信号以导通或断开；以及

一电压产生器，依据该电压推动致能信号以决定是否提供一电压至该负推动端点；

其中，当该电压产生器提供该电压至该负推动端点时，该放电通道被断开，该电容在耦接至位线的端点上对应产生该负位线信号。

2.如权利要求1所述的负位线信号产生装置，其中该电压产生器包括一能带隙电压产生电路。

3.如权利要求1所述的负位线信号产生装置，其中该电压产生器包括：

一第一开关，其一端接收一操作电压，其另一端提供一电流控制信号，该第一开关依据一启动信号而导通或断开；

一充电电流源，耦接该第一开关，并依据该电流控制信号来调整所产生的一充电电流；

一第二开关，其一端耦接该充电电流源以接收该充电电流，其另一端产生一端点电压，受控于该启动信号的反向信号而导通或断开；

一降压元件，耦接该第二开关，接收并针对该端点电压进行降压以产生一回授电压；以及

一放电电流源，串接在该第一开关提供该电流控制信号的端点以及该参考电压间，受控于该回授电压以调整所产生的一放电电流，并进以调整该电流控制信号。

4.如权利要求3所述的负位线信号产生装置，其中该第一开关为一第一晶体管，具有控制端、第一端以及第二端，其控制端接收该启动信号，其第一端接至该操作电压，其第二端产生该电流控制信号。

5.如权利要求3所述的负位线信号产生装置，其中该充电电流源包括：

一第二晶体管，具有控制端、第一端以及第二端，其控制端接收该电流控制信号的反向信号，其第一端接至该操作电压，其第二端产生该充电电流。

6.如权利要求3所述的负位线信号产生装置，其中该第二开关为一第三晶体管，具有控制端、第一端以及第二端，其控制端接收该启动信号的反向信号，其第一端接至该充电电流源，其第二端产生该端点电压。

7.如权利要求3所述的负位线信号产生装置，其中该降压元件包括：

一第四晶体管，具有控制端、第一端以及第二端，其控制端接收该操作电压，其第一端接收该端点电压，其第二端产生该回授电压。

8.如权利要求3所述的负位线信号产生装置，其中该降压元件包括：

一二极管，其阴极产生该回授电压，其阳极接收该端点电压。

9.如权利要求3所述的负位线信号产生装置，其中该放电电流源为一第五晶体管，具有控制端、第一端以及第二端，其控制端接收该回授电压，其第一端耦接至该第一开关，其第二端耦接至该参考电压。

10.如权利要求1所述的负位线信号产生装置，其中还包括：

一稳压电容，串接在该位线以及该参考电压间。

11.如权利要求1所述的负位线信号产生装置，其中还包括：

一反向器，其输入端接收该电压推动致能信号；以及

一稳压电容，串接在该反向器的输出端以及该位线间。

12.一种负位线信号产生装置，包括：

一第一电容，耦接于一负推动端点与一位线间，该电容在耦接至该位线的端点上产生该负位线信号；

一放电通道，耦接至该负推动端点，依据一电压推动致能信号以决定是否提供一参考电压至该负推动端点；

一第二电容；

一电压产生器，耦接至该第二电容，依据一操作电压产生一输出电压，并依据该电压推动致能信号以决定是否提供该输出电压对该第二电容进行充电；以及

一开关，串接在该电压产生器与该第二电容的耦接点与该位线间，依据该电压推动致能信号以导通或断开该第二电容与该第一电容间的连接关系。

13.如权利要求12所述的负位线信号产生装置，其中该电压产生器包括：

一第一晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端接收一操作电压，其控制端接收该电压推动致能信号；

一传输门，其一端耦接至该第一晶体管的第二端，依据该电压推动致能信号以导通或断开；以及

一第三电容，耦接在该操作电压以及该传输门未耦接该第一晶体管的端点。

14.如权利要求13所述的负位线信号产生装置，其中该第一晶体管与该传输门的导通或断开的状态相同。

15.如权利要求12所述的负位线信号产生装置，其中该放电通道包括：

N个缓冲器，串接在该负推动端点以及该电压推动致能信号间，所述缓冲器传送该电压推动致能信号的反向信号至该负推动端点，其中N为正整数。

16.如权利要求12所述的负位线信号产生装置，其中该第二电容为一第二晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端与第二端共同耦接至该电压产生器，其控制端接收该电压推动致能信号的反向信号。

17.如权利要求12所述的负位线信号产生装置，其中该开关包括：

一第三晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其第一端耦接至该第二电容，其第二端耦接至该位线，其控制端接收该电压推动致能信号。

18.一种存储器装置，具有多条位线，包括：

多个负位线信号产生装置，所述负位线信号产生装置耦接至所述位线，各该负位线信号产生装置包括：

一电容，耦接于一负推动端点与各该位线间，该电容在耦接至位线的端点上该产生该负位线信号；

一放电通道，耦接在一参考电压以及该负推动端点，依据一电压推动致能信号以导通或断开；

一电压产生器，依据该电压推动致能信号以决定是否提供一电压至该负推动端点；

其中，当该电压产生器提供该电压至该负推动端点时，该放电通道被断开，该电容在耦接至位线的端点上对应产生该负位线信号。

19.一种存储器装置，具有多个位线，包括：

多个负位线信号产生装置，所述负位线信号产生装置耦接至所述位线，各该负位线信号产生装置包括：

一第一电容，耦接于一负推动端点与各该位线间，该电容在耦接至该位线的端点上该产生该负位线信号；

一放电通道，耦接至该负推动端点，依据一电压推动致能信号以决定是否提供一参考电压至该负推动端点；

一第二电容；

一电压产生器，耦接至该第二电容，依据该电压推动致能信号以决定是否提供一电压对该第二电容进行充电；

一开关，串接在该电压产生器与该第二电容的耦接点与该位线间，依据该电压推动致能信号以导通或断开该第二电容与该第一电容间的连接关系。

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