CN102822936A - 等离子显示面板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种包括有包含金属氧化物的基底层和分散配置在基底层上的凝集粒子的等离子显示面板的制造方法，该方法包含以下的工艺。在电介质层上形成基底层。接着，通过在基底层上涂敷使凝集粒子分散了的有机溶剂，从而形成涂敷层。接着，通过对涂敷层进行减压干燥，从而至少在基底层上形成有机溶剂的覆膜。接下来，将已经形成覆膜的前面板与背面板对置配置。接着，通过加热被对置配置的前面板与背面板而使覆膜蒸发，且将凝集粒子分散配置在基底层上，进而从放电空间中排出蒸发的覆膜的成分。接着，对覆膜已被蒸发的前面板和背面板进行密封。

Description

等离子显示面板的制造方法

技术领域

在此被公开的技术涉及被利用于显示器件等中的等离子显示面板的制造方法。

背景技术

等离子显示面板(以下称作PDP)由前面板与背面板构成。前面板由玻璃基板、形成于玻璃基板的一个主面上的显示电极、覆盖显示电极并发挥作为电容器的作用的电介质层、以及形成于电介质层上且由氧化镁(MgO)组成的保护层构成。另一方面，背面板由玻璃基板、形成于玻璃基板的一个主面上的数据电极、覆盖数据电极的基底电介质层、形成于基底电介质层上的隔壁、以及形成于各隔壁之间且分别以红色、绿色及蓝色发光的荧光体层构成。

前面板与背面板使电极形成面侧对置，并被气密密封。在由隔壁划分出的放电空间内封入氖(Ne)及氙(Xe)的放电气体。放电气体根据选择性地施加在显示电极上的影像信号电压而放电。因放电而产生的紫外线激励各色的荧光体层。激励后的荧光体层以红色、绿色、蓝色发光。这样，PDP实现彩色图像显示(参照专利文献1)。

保护层主要具有4种功能。其一，保护电介质层不会受到基于放电的离子冲击。其二，释放用于使数据放电产生的初始电子。其三，保持用于使放电产生的电荷。其四，在维持放电之际释放二次电子。通过保护电介质层不会受到离子冲击，从而可抑制放电电压的上升。通过增加初始电子释放数，从而可以降低成为图像闪烁的原因的数据放电错误。通过提高电荷保持性能，从而可以降低施加电压。通过增加二次电子释放数，从而可以降低维持放电电压。为了使初始电子释放数增加，例如正在进行向保护层的MgO中添加硅(Si)或铝(Al)等的尝试(例如参照专利文献1、2、3、4、5等)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2002-260535号公报

专利文献2：JP特开平11-339665号公报

专利文献3：JP特开2006-59779号公报

专利文献4：JP特开平8-236028号公报

专利文献5：JP特开平10-334809号公报

发明内容

一种PDP的制造方法，PDP具备背面板、以及在与背面板之间设置放电空间并被密封的前面板。前面板具有电介质层和覆盖电介质层的保护层。保护层包含形成于电介质层上的基底层。在基底层，氧化镁的结晶粒子多个凝集而成的凝集粒子分散配置于整个面上。基底层至少包含第1金属氧化物与第2金属氧化物。进而，基底层在X射线衍射分析中具有至少一个峰值。基底层的峰值位于第1金属氧化物的X射线衍射分析中的第1峰值和第2金属氧化物的X射线衍射分析中的第2峰值之间。第1峰值及第2峰值表示与基底层的峰值所表示的面方位相同的面方位。第1金属氧化物及第2金属氧化物是从氧化镁、氧化钙、氧化锶及氧化钡组成的群之中选择的2种。

该PDP的制造方法包含以下工艺。在电介质层上形成基底层。接着，通过在基底层上涂敷使凝集粒子分散了的有机溶剂，从而形成涂敷层。接着，通过对涂敷层进行减压干燥，从而至少在基底层上形成有机溶剂的覆膜。接下来，将已经形成覆膜的前面板与背面板对置配置。接着，通过加热被对置配置的前面板与背面板而使覆膜蒸发，且将凝集粒子分散配置在基底层上，进而从放电空间中排出蒸发的覆膜的成分。接着，对覆膜已被蒸发的前面板和背面板进行密封。

附图说明

图1是表示实施方式涉及的PDP的构造的立体图。

图2是表示实施方式涉及的前面板的构成的剖视图。

图3是表示实施方式涉及的PDP的制造工序的流程图。

图4是表示实施方式涉及的基底膜的X射线衍射分析结果的图。

图5是表示实施方式涉及的其他构成的基底膜的X射线衍射分析结果的图。

图6是实施方式涉及的凝集粒子的放大图。

图7是表示实施方式涉及的PDP的放电延迟与保护层中的钙(Ca)浓度的关系的图。

图8是表示该PDP涉及的电子释放性能与Vscn点亮电压的关系的图。

图9是表示实施方式涉及的凝集粒子的平均粒径与电子释放性能的关系的图。

图10是表示实施方式涉及的凝集粒子的平均粒径与隔壁破损概率的关系的图。

图11是表示实施方式涉及的保护层形成工序的流程图。

图12是表示实施方式涉及的保护层形成工序的图。

具体实施方式

[1.PDP的基本构造]

PDP的基本构造是一般的交流面放电型PDP。如图1所示，PDP1将前面玻璃基板3等构成的前面板2和背面玻璃基板11等构成的背面板10对置配置。前面板2与背面板10的外周部被玻璃料等组成的密封材料进行气密密封。在被密封的PDP1内部的放电空间16中以53kPa～80kPa的压力封入氖(Ne)及氙(Xe)等放电气体。

在前面玻璃基板3上，扫描电极4及维持电极5构成的一对带状的显示电极6和黑条7互相平行地分别配置有多列。在前面玻璃基板3上，按照覆盖显示电极6与黑条7的方式，形成发挥作为电容器的作用的电介质层8。进而，在电介质层8的表面上形成有由氧化镁(MgO)等组成的保护层9。再有，如图2所示，本实施方式中的保护层9包含层叠于电介质层8上的基底层、即基底膜91以及附着于基底膜91上的凝集粒子92。

扫描电极4及维持电极5分别在由铟锡氧化物(ITO)、二氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)等导电性金属氧化物组成的透明电极上层叠有包含Ag的总线电极。

在背面玻璃基板11上，在与显示电极6正交的方向上互相平行地配置着由以银(Ag)为主成分的导电性材料组成的多个数据电极12。数据电极12被基底电介质层13覆盖。进而，在数据电极12间的基底电介质层13上形成有划分放电空间16的规定高度的隔壁14。在基底电介质层13上及隔壁14的侧面上，按照每个数据电极12，依次涂敷并形成借助紫外线而以红色发光的荧光体层15、以绿色发光的荧光体层15及以蓝色发光的荧光体层15。在显示电极6与数据电极12交叉的位置上形成有放电单元。具有排列在显示电极6方向上的红色、绿色、蓝色的荧光体层15的放电单元成为用于彩色显示的像素。

另外，在本实施方式中，封入放电空间16中的放电气体包含10体积％以上、30％体积以下的Xe。

[2.PDP的制造方法]

接着，对PDP1的制造方法进行说明。

首先，对前面板2的制造方法进行说明。如图3所示，在电极形成工序S11中，通过光刻法在前面玻璃基板3上形成扫描电极4及维持电极5、与黑条7。扫描电极4及维持电极5具有包含用于确保导电性的银(Ag)的金属总线电极4b、5b。再有，扫描电极4及维持电极5还具有透明电极4a、5a。金属总线电极4b层叠于透明电极4a上。金属总线电极5b层叠于透明电极5a上。

在透明电极4a、5a的材料中，为了确保透明度与电导而利用铟锡氧化物(ITO)等。首先，通过溅射法等，在前面玻璃基板3上形成ITO薄膜。然后，通过平版印刷法形成规定图案的透明电极4a、5a。

总线电极4b、5b的材料利用的是包含Ag、用于使Ag粘结的玻璃料、感光性树脂和溶剂等的白色膏剂。首先，通过丝网印刷法等在前面玻璃基板3上涂敷白色膏剂。接着，利用干燥炉除去白色膏剂中的溶剂。接着，隔着规定图案的光掩模，对白色膏剂进行曝光。

接着，白色膏剂被显影而形成总线电极图案。最后，利用烧成炉，在规定的温度下烧成总线电极图案。也就是说，除去总线电极图案中的感光性树脂。再有，总线电极图案中的玻璃料熔融。熔融后的玻璃料在烧成后再次玻璃化。通过以上的工序，形成总线电极4b、5b。

黑条7利用的是包含黑色颜料的材料。利用丝网印刷法等在显示电极6之间形成黑条7。

接着，在电介质层形成工序S12中，形成电介质层8。电介质层8的材料利用的是包含电介质玻璃料、树脂和溶剂等的电介质膏剂。首先通过压模涂敷法等，按照覆盖扫描电极4、维持电极5及黑条7的方式，以规定的厚度在前面玻璃基板3上涂敷电介质膏剂。接着，利用干燥炉来除去电介质膏剂中的溶剂。最后，利用烧成炉，在规定的温度下烧成电介质膏剂。也就是说，电介质膏剂中的树脂被除去。再有，电介质玻璃料熔融。熔融后的玻璃料在烧成之后再次玻璃化。通过以上的工序S12而形成电介质层8。在此，除了对电介质膏剂进行压模涂敷的方法以外，还可以利用丝网印刷法、旋转涂敷法等。还有，也可以不利用电介质膏剂，而是通过CVD(Chemical Vapor Deposition)法等来形成作为电介质层8的膜。后述电介质层8的细节。

接着，在保护层形成工序S13中，在电介质层8上形成具有基底膜91及凝集粒子92的保护层9。再有，在基底膜91上形成有机溶剂的覆膜17。后述保护层9的细节及保护层形成工序S13的细节。

通过以上的工序S11～S13，在前面玻璃基板3上形成扫描电极4、维持电极5、黑条7、电介质层8、保护层9，前面板2完成。

接着，对背面板制作工序S21进行说明。通过光刻法在背面玻璃基板11上形成数据电极12。数据电极12的材料利用的是包含用于确保导电性的Ag、用于使Ag粘结的玻璃料、感光性树脂以及溶剂等的数据电极膏剂。首先，通过丝网印刷法等，以规定的厚度在背面玻璃基板11上涂敷数据电极膏剂。接着，利用干燥炉除去数据电极膏剂中的溶剂。接着，隔着规定图案的光掩模来曝光数据电极膏剂。接着，数据电极膏剂被显影而形成数据电极图案。最后，利用烧成炉，在规定的温度下烧成数据电极图案。也就是说，除去数据电极图案中的感光性树脂。再有，数据电极图案中的玻璃料熔融。熔融后的玻璃料在烧成之后再次玻璃化。通过以上的工序形成数据电极12。在此，除了对数据电极膏剂进行丝网印刷的方法以外，还可以利用溅射法、蒸镀法等。

接着，形成基底电介质层13。基底电介质层13的材料利用的是包含电介质玻璃料、树脂和溶剂等的基底电介质膏剂。首先，通过丝网印刷法等，按照覆盖数据电极12的方式，以规定的厚度在已形成有数据电极12的背面玻璃基板11上涂敷基底电介质膏剂。接着，利用干燥炉来除去基底电介质膏剂中的溶剂。最后，利用烧成炉，在规定的温度下烧成基底电介质膏剂。也就是说，除去基底电介质膏剂中的树脂。再有，电介质玻璃料熔融。熔融后的玻璃料在烧成之后再次玻璃化。通过以上的工序，可形成基底电介质层13。在此，除了对基底电介质膏剂进行丝网印刷的方法以外，还可以利用压模涂敷法、旋转涂敷法等。还有，也可以不利用基底电介质膏剂，而是通过CVD法等来形成作为基底电介质层13的膜。

接着，通过光刻法来形成隔壁14。隔壁14的材料利用的是包含填料、用于使填料粘结的玻璃料、感光性树脂、和溶剂等的隔壁膏剂。首先，通过压模涂敷法等，以规定的厚度在基底电介质层13上涂敷隔壁膏剂。接着，利用干燥炉来除去隔壁膏剂中的溶剂。接着，隔着规定图案的光掩模，对隔壁膏剂进行曝光。接着，隔壁膏剂被显影而形成隔壁图案。最后，利用烧成炉在规定的温度下烧成隔壁图案。也就是说，除去隔壁图案中的感光性树脂。再有，隔壁图案中的玻璃料熔融。熔融后的玻璃料在烧成之后再次玻璃化。通过以上的工序，形成隔壁14。在此，除了光刻法以外还可以利用喷砂法等。

接着，形成荧光体层15。荧光体层15的材料利用的是包含荧光体、粘合剂和溶剂等的荧光体膏剂。首先，通过分配法等，以规定的厚度在邻接的隔壁14间的基底电介质层13上及隔壁14的侧面上涂敷荧光体膏剂。接着，利用干燥炉来除去荧光体膏剂中的溶剂。最后，利用烧成炉在规定的温度下烧成荧光体膏剂。也就是说，荧光体膏剂中的树脂被除去。通过以上的工序来形成荧光体层15。在此，除了分配法以外，还可以利用丝网印刷法、喷墨法等。

通过以上的背面板制作工序S21，制成在背面玻璃基板11上具有规定的构成部件的背面板10。

接着，在玻璃料涂敷工序S22中，通过分配法在背面板10的周围形成密封材料(未图示)。密封材料(未图示)的材料利用的是包含玻璃料、粘合剂和溶剂等的密封膏剂。然后，利用干燥炉来除去密封膏剂中的溶剂。

然后，组装前面板2和背面板10。在校正工序S31中，按照使显示电极6与数据电极12正交的方式，将前面板2与背面板10对置配置。

接着，在密封排气工序S32中，利用玻璃料将前面板2与背面板10的周围密封，放电空间16内被排气。通过加热前面板2与背面板10，从而覆膜17蒸发，凝集粒子92分散配置在基底膜91上。进而，蒸发的覆膜17的成分被从放电空间16排出。

最后，在放电气体供给工序S33中，向放电空间16内封入包含Ne、Xe等的放电气体。

通过以上的工序，制成PDP1。

[3.电介质层的细节]

对电介质层8详细地进行说明。电介质层8由第1电介质层81和第2电介质层82构成。第1电介质层81的电介质材料包含以下的成分。三氧化二铋(Bi₂O₃)为20重量％～40重量％。从氧化钙(CaO)、氧化锶(SrO)及氧化钡(BaO)组成的群之中选择的至少1种为0.5重量％～12重量％。从三氧化钼(MoO₃)、三氧化钨(WO₃)、二氧化铈(CeO₂)及二氧化锰(MnO₂)组成的群之中选择的至少1种为0.1重量％～7重量％。

另外，取代MoO₃、WO₃、CeO₂及MnO₂组成的群，也可以包含0.1重量％～7重量％的从氧化铜(CuO)、三氧化二铬(Cr₂O₃)、三氧化二钴(Co₂O₃)、七氧化二钒(V₂O₇)及三氧化二锑(Sb₂O₃)组成的群之中选择的至少1种。

再有，作为上述成分以外的成分，还可以包含0重量％～40重量％的ZnO、0重量％～35重量％的三氧化二硼(B₂O₃)、0重量％～15重量％的二氧化硅(SiO₂)、0重量％～10重量％的三氧化二铝(Al₂O₃)等、不含铅成分的成分。

电介质材料由湿式喷射磨机或球磨机粉碎成平均粒径为0.5μm～2.5μm，来制作电介质材料粉末。然后，利用三根辊将55重量％～70重量％的该电介质材料粉末、30重量％～45重量％的粘合剂成分充分混合搅拌，制成压模涂敷用、或印刷用的第1电介质层用膏剂。

粘合剂成分是乙基纤维素、或含有1重量％～20重量％的丙烯酸树脂的萜品醇、或者丁基卡必醇乙酸酯。另外，可以根据需要，向膏剂中添加作为增塑剂的邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯。另外，也可以添加作为分散剂的甘油单油酸酯、山梨糖醇酐倍半油酸酯、homogenoll(阴离子表面活性剂Kao Corporation公司产品名)、烷基烯丙基的磷酸酯等。若添加分散剂，则可提高印刷特性。

第1电介质层用膏剂是以覆盖显示电极6的方式通过压模涂敷法或丝网印刷法印刷在前面玻璃基板3上的。被印刷的第1电介质层用膏剂在干燥后，在比电介质材料的软化点稍高的温度、即575℃～590℃下被烧成，从而制成第1电介质层81。

接着，对第2电介质层82进行说明。第2电介质层82的电介质材料包含以下的成分。Bi₂O₃为11重量％～20重量％。从CaO、SrO、BaO选择的至少1种为1.6重量％～21重量％。从MoO₃、WO₃、CeO₂选择的至少1种为0.1重量％～7重量％。

另外，也可以取代MoO₃、WO₃、CeO₂而包含0.1重量％～7重量％的从CuO、Cr₂O₃、Co₂O₃、V₂O₇、Sb₂O₃、MnO₂选择的至少1种。

再有，作为上述成分以外的成分，也可以包含0重量％～40重量％的ZnO、0重量％～35重量％的B₂O₃、0重量％～15重量％的SiO₂、0重量％～10重量％的Al₂O₃等、不含铅成分的成分。

电介质材料由湿式喷射磨机或球磨机粉碎成平均粒径为0.5μm～2.5μm，由此制成电介质材料粉末。然后，利用三根辊将55重量％～70重量％的该电介质材料粉末和30重量％～45重量％的粘合剂成分充分混合搅拌，来制作压模涂敷用、或印刷用的第2电介质层用膏剂。

粘合剂成分是乙基纤维素、或含有1重量％～20重量％的丙烯酸树脂的萜品醇、或者丁基卡必醇乙酸酯。另外，可以根据需要，向膏剂中添加作为增塑剂的邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二丁酯、磷酸三苯酯、磷酸三丁酯。另外，也可以添加作为分散剂的甘油单油酸酯、山梨糖醇酐倍半油酸酯、homogenoll(阴离子表面活性剂Kao Corporation公司产品名)、烷基烯丙基的磷酸酯等。若添加分散剂，则可提高印刷特性。。

通过丝网印刷法或压模涂敷法，在第1电介质层81上印刷第2电介质层用膏剂。被印刷的第2电介质层用膏剂在干燥后，在比电介质材料的软化点稍高的温度、即550℃～590℃下被烧成，由此形成第2电介质层82。

另外，为了确保可见光透过率，电介质层8的膜厚优选第1电介质层81与第2电介质层82合计为41μm以下。

为了抑制与总线电极4b、5b的Ag的反应，第1电介质层81使Bi₂O₃的含有量比第2电介质层82的Bi₂O₃的含有量还多，设为20重量％～40重量％。于是，第1电介质层81的可见光透过率比第2电介质层82的可见光透过率还低，因此第1电介质层81的膜厚比第2电介质层82的膜厚还要薄。

若Bi₂O₃的含有量小于11重量％，则第2电介质层82难以发生着色，但在第2电介质层82中易于产生气泡。因而，并不优选使Bi₂O₃的含有量小于11重量％。另一方面，若Bi₂O₃的含有率超过40重量％，则容易发生着色，因此可见光透过率降低。因而也不优选使Bi₂O₃的含有量超过40重量％。

再有，电介质层8的膜厚越小，则亮度的提高与放电电压的降低的效果就变得越显著。因而，在不会使绝缘耐压降低的范围内优选尽可能地将膜厚设定得较小。

从以上的观点来看，在本实施方式中，将电介质层8的膜厚设定为41μm以下，将第1电介质层81设为5μm～15μm、将第2电介质层82设为20μm～36μm。

可以确认：如上这样制造出的PDP1，即便在显示电极6中利用了Ag材料，也可以抑制前面玻璃基板3的着色现象(黄变)、及电介质层8中的气泡的产生等，可以实现绝缘耐压性能优越的电介质层8。

接着，对在本实施方式的PDP1中利用这些电介质材料来抑制第1电介质层81中黄变或气泡的产生的理由进行考察。即，公知：通过在包含Bi₂O₃的电介质玻璃中添加MoO₃、或WO₃，从而在580℃以下的低温容易生成Ag₂MoO₄、Ag₂Mo₂O₇、Ag₂Mo₄O₁₃、Ag₂WO₄、Ag₂W₂O₇、Ag₂W₄O₁₃等化合物。在本实施方式中，由于电介质层8的烧成温度为550℃～590℃，所以在烧成中扩散到电介质层8中的银离子(Ag⁺)会与电介质层8中的MoO₃、WO₃、CeO₂、MnO₂反应，生成稳定的化合物而变得稳定。即，Ag⁺不会被还原而是变得稳定，因此不会凝集在一起而生成胶体。因此，通过使Ag⁺稳定化，从而伴随于Ag的胶体化的氧的产生减少，电介质层8中的气泡的产生也会减少。

另一方面，为了使这些效果有效，在包含Bi₂O₃的电介质玻璃中优选将MoO₃、WO₃、CeO₂、MnO₂的含有量设为0.1重量％以上，更优选为0.1重量％以上、7重量％以下。尤其是，若低于0.1重量％，则抑制黄变的效果会减小，若超过7重量％，则在玻璃上引起着色，因此不是优选的。

即，本实施方式的PDP1的电介质层8，在与Ag材料构成的总线电极4b、5b相接的第1电介质层81中抑制黄变现象与气泡产生，通过设置在第1电介质层81上的第2电介质层82来实现高的光透过率。结果，作为电介质层8整体而言，能够实现气泡或黄变的产生极少且透过率高的PDP。

[4.保护层的细节]

保护层9包含作为基底层的基底膜91和凝集粒子92。基底膜91至少包含第1金属氧化物和第2金属氧化物。第1金属氧化物及第2金属氧化物是从MgO、CaO、SrO及BaO组成的群之中选择的2种。进而，基底膜91在X射线衍射分析中具有至少一个峰值。该峰值位于第1金属氧化物的X射线衍射分析中的第1峰值和第2金属氧化物的X射线衍射分析中的第2峰值之间。第1峰值与第2峰值表示与基底膜91的峰值所表示的面方位相同的面方位。

[4-1.基底膜的细节]

在图4中示出构成本实施方式的PDP1的保护层9的基底膜91面的X射线衍射结果。再有，图4中也示出MgO单体、CaO单体、SrO单体、及BaO单体的X射线衍射分析的结果。

在图4中，横轴为布拉格衍射角(2θ)，纵轴为X射线衍射波的强度。衍射角的单位以将1周设为360度的度来表示，强度以任意单位(arbitrary unit)来表示。以带括号的形式示出特定方位面、即结晶方位面。

如图4所示，在(111)的面方位中，CaO单体在衍射角32.2度具有峰值。MgO单体在衍射角36.9度具有峰值。SrO单体在衍射角30.0度具有峰值。BaO单体在衍射角27.9度具有峰值。

在本实施方式的PDP1中，保护层9的基底膜91包含有从MgO、CaO、SrO及BaO组成的群之中选择的至少2种以上的金属氧化物。

在图4中示出构成基底膜91的单体成分为2种成分的情况下的X射线衍射结果。A点是作为单体成分而利用MgO与CaO的单体来形成的基底膜91的X射线衍射结果。B点是作为单体成分而利用MgO与SrO的单体来形成的基底膜91的X射线衍射结果。C点是作为单体成分而利用MgO与BaO的单体来形成的基底膜91的X射线衍射结果。

如图4所示，A点在(111)的面方位中，在衍射角36.1度具有峰值。成为第1金属氧化物的MgO单体在衍射角36.9度具有峰值。成为第2金属氧化物的CaO单体在衍射角32.2度具有峰值。即，A点的峰值存在于MgO单体的峰值与CaO单体的峰值之间。同样，B点的峰值为衍射角35.7度，存在于成为第1金属氧化物的MgO单体的峰值和成为第2金属氧化物的SrO单体的峰值之间。C点的峰值为衍射角35.4度，也存在于成为第1金属氧化物的MgO单体的峰值和成为第2金属氧化物的BaO单体的峰值之间。

再有，在图5中示出构成基底膜91的单体成分为3种成分以上时的X射线衍射结果。D点是作为单体成分而利用MgO、CaO及SrO来形成的基底膜91的X射线衍射结果。E点是作为单体成分而利用MgO、CaO及BaO来形成的基底膜91的X射线衍射结果。F点是作为单体成分而利用CaO、SrO及BaO来形成的基底膜91的X射线衍射结果。

如图5所示，关于D点，在(111)的面方位中，在衍射角33.4度具有峰值。成为第1金属氧化物的MgO单体在衍射角36.9度具有峰值。成为第2金属氧化物的SrO单体在衍射角30.0度具有峰值。即，D点的峰值存在于MgO单体的峰值和SrO单体的峰值之间。同样，E点的峰值为衍射角32.8度，存在于成为第1金属氧化物的MgO单体的峰值和成为第2金属氧化物的BaO单体的峰值之间。F点的峰值为衍射角30.2度，也存在于成为第1金属氧化物的CaO单体的峰值和成为第2金属氧化物的BaO单体的峰值之间。

因此，本实施方式的PDP1的基底膜91至少包含第1金属氧化物和第2金属氧化物。进而，基底膜91在X射线衍射分析中具有至少一个峰值。该峰值位于第1金属氧化物的X射线衍射分析中的第1峰值和第2金属氧化物的X射线衍射分析中的第2峰值之间。第1峰值和第2峰值表示与基底膜91的峰值所表示的面方位相同的面方位。第1金属氧化物及第2金属氧化物是从MgO、CaO、SrO及BaO组成的群之中选择的2种。

另外，在上述的说明中，作为结晶的面方位面，虽然以(111)为对象进行了说明，但即便在将其他面方位作为对象的情况下，金属氧化物的峰值的位置也与上述是同样的。

CaO、SrO及BaO的距离真空度(vacuum level)的深度，和MgO相比存在于较浅的区域内。因而，在驱动PDP1的情况下，认为当存在于CaO、SrO、BaO的能级中的电子向Xe离子的基态跃迁之际，基于俄歇效应而被释放的电子数，与从MgO的能级开始跃迁时相比会有所增多。

再有，如上所述，本实施方式的基底膜91的峰值位于第1金属氧化物的峰值和第2金属氧化物的峰值之间。即，认为基底膜91的能级存在于单体的金属氧化物之间，基于俄歇效应而被释放的电子数，与从MgO的能级开始跃迁时相比有所增多。

结果，在基底膜91中，与MgO单体相比，可以发挥良好的二次电子释放特性，由此可以降低维持电压。因而，尤其是在为了提高亮度而提高了作为放电气体的Xe分压的情况下，能够实现降低了放电电压、低电压且高亮度的PDP1。

表1中表示：在本实施方式的PDP1中封入60kPa的Xe及Ne的混合气体(Xe、15％)并改变了基底膜91的构成时的维持电压的结果。

【表1】

其中，表1的维持电压是以将比较例的值设为[100」时的相对值来表示的。样品A的基底膜91由MgO与CaO构成。样品B的基底膜91由MgO与SrO构成。样品C的基底膜91由MgO与BaO构成。样品D的基底膜91由MgO、CaO及SrO构成。样品E的基底膜91由MgO、CaO及BaO构成。再有，比较例的基底膜91由MgO单体构成。

在将放电气体的Xe的分压从10％提高到15％的情况下，亮度大约上升30％，但在基底膜91为MgO单体时的比较例中，维持电压大约上升10％。

另一方面，在本实施方式的PDP中，无论是样品A、样品B、样品C、样品D、样品E中的哪一个，与比较例相比较，都可以将维持电压降低大约10％～20％。因而，可以设为通常动作范围内的维持电压，可以实现高亮度且低电压驱动的PDP。

另外，CaO、SrO、BaO在为单体时反应性高，因此易于与杂质发生反应，因此具有电子释放性能降低的课题。然而，在本实施方式中通过采取这些金属氧化物的构成，从而降低反应性，以杂质的混入或氧缺损少的结晶构造形成。因而，在PDP的驱动时可抑制电子被过剩地释放，除了低电压驱动和二次电子释放性能的兼顾效果以外，还可以发挥适度的电子保持特性的效果。该电荷保持特性，尤其是在预先保持初始化期间内贮存的壁电荷、在写入期间内防止写入不良并进行可靠的写入放电这一点上是有效的。

[4-2.凝集粒子的细节]

接着，对本实施方式的设置在基底膜91上的凝集粒子92详细地进行说明。

如图6所示，凝集粒子92是将MgO的结晶粒子92a多个凝集在一起而得到的粒子。可以利用扫描型电子显微镜(SEM)来确认形状。本实施方式中，多个凝集粒子92分散配置在基底膜91的整个面上。

凝集粒子92是平均粒径在0.9μm～2.5μm范围内的粒子。此外，本实施方式中，平均粒径指的是体积累计平均直径(D50)。再有，平均粒径的测量中利用了激光衍射式粒度分布测量装置MT-3300(日机装株式会社制)。

凝集粒子92不是像固体那样通过较强的结合力结合在一起。凝集粒子92是通过静电或范德瓦耳斯力等使得多个一次粒子集合在一起。再有，凝集粒子92以通过超声波等外部刺激，其一部分或全部分解成一次粒子的状态的程度的力结合。作为凝集粒子92的粒径，约为1μm左右，作为结晶粒子92a，具有14面体、12面体等7个面以上的面的多面体形状。再有，结晶粒子92a可以通过以下所示的气相合成法或前体烧成法中任一种方法来制造。

在气相合成法中，在充满了惰性气体的气体氛围下对纯度为99.9％以上的镁(Mg)金属材料进行加热。进而，通过向气体氛围中导入少量氧并进行加热，从而Mg被直接氧化。由此，制成MgO的结晶粒子92a。

另一方面，在前体烧成法中，通过以下的方法来制作结晶粒子92a。在前体烧成法中，以700℃以上的高温均匀地烧成MgO的前体。而且，烧成后的MgO被逐渐冷却，从而得到MgO的结晶粒子92a。作为前体，例如可以选择镁醇盐(Mg(OR)₂)、乙酰基丙酮镁(Mg(acac)₂)、氢氧化镁(Mg(OH)₂)、碳酸镁(MgCO₂)、氯化镁(MgCl₂)、硫酸镁(MgSO₄)、硝酸镁(Mg(NO₃)₂)、草酸镁(MgC₂O₄)中的任意1种以上的化合物。

另外，根据所选择的化合物的不同，虽然通常采取水合物的形态，但也可以利用这种水合物。这些化合物被调整为烧成后所得到的MgO的纯度为99.95％以上、优选为99.98％以上。原因在于：若在这些化合物中混入一定量以上的各种碱金属、B、Si、Fe、Al等杂质元素，则在热处理时会产生不必要的粒子间自行粘合或烧结，难以获得高结晶性的MgO的结晶粒子92a。因此，需要通过除去杂质元素等而预先对前体进行调整。通过对前体烧成法的烧成温度或烧成气体氛围进行调整，从而可以控制粒径。可以在700℃左右～1500℃左右的范围内选择烧成温度。烧成温度为1000℃以上时，能够将一次粒径控制在0.3～2μm左右。在基于前体烧成法的生成过程中，能够以多个一次粒子彼此之间凝集在一起的凝集粒子92的状态获得结晶粒子92a。

根据本发明人的实验可以确认：MgO的凝集粒子92具有主要抑制写入放电中的放电延迟的效果和改善放电延迟的温度依赖性的效果。因而，在本实施方式中，利用凝集粒子92与基底膜91相比在高度的初始电子释放特性方面更优越的性质，作为在放电脉冲上升时所需的初始电子供给部来配置。

认为放电延迟的主因在于：在放电开始时成为触发的初始电子从基底膜91表面向放电空间16中释放的量不足。因而，为了有助于向放电空间16稳定地供给初始电子，将MgO的凝集粒子92分散配置在基底膜91的表面上。由此，在放电脉冲上升时电子丰富地存在于放电空间16中，可以实现放电延迟的消除。因此，根据这种初始电子释放特性，即便在高清的情况下，PDP1也可以进行放电响应性较佳的高速驱动。另外，在基底膜91的表面上配置金属氧化物的凝集粒子92的构成中，除了主要抑制写入放电中的放电延迟的效果之外，还可以获得改善放电延迟的温度依赖性的效果。

如上所述，在本实施方式的PDP1中，通过由达到低电压驱动与电荷保持的兼顾效果的基底膜91和达到放电延迟的防止效果的MgO的凝集粒子92来构成，从而作为PDP1整体来说，即便在高清的PDP中，也能以低电压实现高速驱动，且可以实现抑制了点亮不良的高品位的图像显示性能。

[4-3.实验1]

图7是表示本实施方式的PDP1中利用了由MgO与CaO构成的基底膜91时的放电延迟和保护层9中的钙(Ca)浓度的关系的图。作为基底膜91，由MgO与CaO来构成，基底膜91在X射线衍射分析中，在MgO的峰值产生的衍射角和CaO的峰值产生的衍射角之间存在峰值。

另外，在图7中示出，作为保护层9而仅有基底膜91的情况和在基底膜91上配置了凝集粒子92的情况，并且以基底膜91中不含有Ca的情况为基准来示出放电延迟。

根据图7可知，在仅有基底膜91的情况和在基底膜91上配置了凝集粒子92的情况下，仅有基底膜91时伴随着Ca浓度的增加，放电延迟增大，相对于此，通过在基底膜91上配置凝集粒子92，从而可以大幅地减小放电延迟，即便Ca浓度增加，放电延迟也几乎不会增大。

[4-4.实验2]

接着，对为了确认具有本实施方式的保护层9的PDP1的效果而进行的实验结果进行说明。

首先，试制了具有构成不同的保护层9的PDP1。试制品1是仅形成了由MgO组成的保护层9的PDP1。试制品2是形成了由掺杂有Al、Si等杂质的MgO组成的保护层9的PDP1。试制品3是仅使MgO组成的结晶粒子92a的一次粒子散布并附着在由MgO组成的保护层9上的PDP1。

另一方面，试制品4是本实施方式的PDP1。试制品4是使具有同等粒径的MgO的结晶粒子92a彼此之间凝集在一起而成的凝集粒子92按照分布于整个面上的方式附着在由MgO组成的基底膜91上的PDP1。作为保护层9利用的是上述样品A。即，保护层9具备：由MgO与CaO构成的基底膜91；以及使结晶粒子92a凝集在一起而得到的凝集粒子92，该凝集粒子92按照几乎均匀地分布在整个面上的方式附着在基底膜91上。其中，基底膜91在基底膜91面的X射线衍射分析中，在构成基底膜91的第1金属氧化物的峰值和第2金属氧化物的峰值之间具有峰值。即，第1金属氧化物为MgO、第2金属氧化物为CaO。而且，MgO的峰值的衍射角为36.9度，CaO的峰值的衍射角为32.2度，基底膜91的峰值的衍射角存在于36.1度。

针对具有这4种保护层的构成的PDP1测量了电子释放性能与电荷保持性能。

此外，电子释放性能是表示值越大则电子释放量越多的数值。电子释放性能被表现为放电的表面状态、气体种类及由该状态决定的初始电子释放量。对于初始电子释放量，可以通过向表面照射离子、或照射电子束，对从表面释放出的电子电流量进行测定的方法来测量。但难以在不进行破坏的情况下实施。因而，采用了日本特开2007-48733号公报中公开的方法。即，对成为放电时的延迟时间中、被称作统计延迟时间的放电产生容易度的标准的数值进行测定。通过对统计延迟时间的倒数进行积分，而成为与初始电子的释放量线性对应的数值。放电时的延迟时间是指从写入脉冲的上升起至写入放电延迟产生为止的时间。可认为放电延迟的主要原因是成为写入放电产生时的触发的初始电子难以从保护层表面被释放到放电空间中。

再有，作为电荷保持性能的指标，利用了制作出PDP1的情况下抑制电荷释放现象所需的、对扫描电极施加的电压(以下称作Vscn点亮电压)的电压值。即，Vscn点亮电压低的情况则表示电荷保持能力高。若Vscn点亮电压低，则能以低电压驱动PDP。由此，作为电源或各电气部件来说，能够使用耐压及容量小的部件。在现存的产品中，用于依次以脉冲方式施加扫描电压的MOSFET等半导体开关元件使用了耐压为150V左右的元件。作为Vscn点亮电压，考虑到因温度引起的变动，优选抑制为120V以下。

根据图8可知，试制品4在电荷保持性能的评价中可以将Vscn点亮电压设为120V以下，且电子释放性能与仅有MgO的保护层时的试制品1相比，可以获得格外良好的特性。

一般而言PDP的保护层的电子释放能力与电荷保持能力是相反的。通过变更保护层的成膜条件，或者在保护层中掺杂Al或Si、Ba等杂质来成膜，从而能够提高电子释放性能。但是作为副作用，Vscn点亮电压也会上升。

在本实施方式的具有保护层9的PDP中，对于电子释放能力而言，具有8倍以上的特性，而对于电荷保持能力来说，能够使Vscn点亮电压为120V以下。即，能够获得可以与存在因高清化而使扫描线数增加且单元尺寸变小的倾向的PDP对应、而且具备电子释放能力与电荷保持能力双方的保护层9。

[4-5.实验3]

接着，对本实施方式的PDP1的保护层9中采用的凝集粒子92的粒径详细地进行说明。其中，在以下进行的说明中，粒径指的是平均粒径，平均粒径指的是体积累计平均直径(D50)。

图9是表示在保护层9中使MgO的凝集粒子92的平均粒径发生变化后调查了电子释放性能的实验结果。在图9中，凝集粒子92的平均粒径是通过对凝集粒子92进行SEM观察而被测长的。

如图9所示，如果平均粒径缩小到0.3μm左右，则电子释放性能会降低，若基本为0.9μm以上，则可以获得高的电子释放性能。

为了使放电单元内的电子释放数增加，希望保护层9上的每单位面积的结晶粒子数多。根据本发明人们的实验可知：若在相当于与保护层9密接接触的隔壁14的顶部的部分存在结晶粒子92a，则有时会使隔壁14的顶部破损。此时，破损后的隔壁14的材料会扩散到荧光体之上，产生该单元无法正常地点亮或熄灭的现象。如果结晶粒子92a并未存在于与隔壁顶部对应的部分，则隔壁破损的现象难以产生，因此若可附着的结晶粒子数多，则隔壁14的破损产生概率升高。图10是表示使凝集粒子92的平均粒径发生变化而调查了隔壁破损概率的实验结果。如图10所示，凝集粒子92的平均粒径若增大到2.5μm左右，则隔壁破损的概率会急剧地升高，若粒径比2.5μm小，则可以将隔壁破损的概率抑制得比较小。

如上所述，在本实施方式的具有保护层9的PDP1中，对于电子释放能力而言，为8倍以上的特性，对于电荷保持能力而言则能够使Vscn点亮电压为120V以下。

另外，在本实施方式中，作为结晶粒子而利用MgO粒子并进行了说明，但即便为其他单晶体粒子而利用了与MgO同样地具有高电子释放性能的Sr、Ca、Ba、Al等的金属氧化物的结晶粒子，也可以获得同样的效果，因此作为粒子种类来说，并未限定为MgO。

[5.保护层形成工序S13的细节]

接着，在本实施方式的PDP1中，利用图11及图12对保护层形成工序S13进行说明。

如图11所示，保护层形成工序S13在进行了形成电介质层8的电介质层形成工序S12之后具有基底膜蒸镀工序S131、膏剂涂敷工序S132及干燥工序S133。

如图12所示，在基底膜蒸镀工序S131中，通过真空蒸镀法在电介质层8上形成基底膜91。真空蒸镀法的原材料是MgO单体、CaO单体、SrO单体及BaO单体的材料的小球或将这些材料混合在一起的小球。除了真空蒸镀法以外，还可以利用电子束蒸镀法、溅射法、离子喷镀法等。

而且，在之后的膏剂涂敷工序S132及干燥工序S133中，遍及未烧成的基底膜91的整个面，在基底膜91上形成有机溶剂的覆膜17。另外，也可以在膏剂涂敷工序S132之前对基底膜91进行烧成。

膏剂涂敷工序S132中，首先，制作使凝集粒子92分散了的有机溶剂、即凝集粒子膏剂。然后，通过将凝集粒子膏剂涂敷到基底膜91上，从而形成平均膜厚8μm以上、20μm以下的涂敷层、即凝集粒子膏剂膜93。其中，作为将凝集粒子膏剂涂敷到基底膜91上的方法，还可以采用丝网印刷法、喷雾法、旋转涂敷法、压模涂敷法、狭缝涂敷法等。再有，凝集粒子膏剂膜93的平均膜厚虽然基于后述的干燥工序S133的条件，但是更优选为8μm以上、12μm以下。原因在于：若凝集粒子膏剂膜93的平均膜厚比12μm厚，则在干燥工序S133中时间会变长。原因还在于：若凝集粒子膏剂膜93的平均膜厚比8μm薄，则凝集粒子92难以均匀地分散在基底膜91上。

在此，作为凝集粒子膏剂的制作中使用的有机溶剂，适用与基底膜91或凝集粒子92的亲和性高的物质。例如可以利用甲基甲氧基丁醇(methyl methoxy butanol)、萜品醇(terpineol)、丙二醇(propylene glycol)、苄醇(benzyl alcohol)等有机溶剂单体或者这些的混合溶剂。包含有这些有机溶剂的膏剂的粘度为几mPa·s～几十mPa·s。

被涂敷了凝集粒子膏剂的前面玻璃基板3被立即移至干燥工序S133。在干燥工序S133中，凝集粒子膏剂膜93被减压干燥。由此，凝集粒子膏剂膜93的有机溶剂被除去。在除去有机溶剂的过程中，多个凝集粒子92分散附着在基底膜91上。再有，凝集粒子膏剂膜93的有机溶剂并不是被全部除去，而是在基底膜91上形成平均膜厚1nm以上、50nm以下的有机溶剂的覆膜17。干燥工序S133的细节进一步后述。

根据该方法，能够使凝集粒子92分散附着在基底膜91的整个面上。再有，可以在基底膜91上形成有机溶剂的覆膜17。

在此，对现有的PDP的制造方法进行说明。在现有的PDP的制造方法的保护层形成工序中，在干燥工序后进行了烧成工序。在烧成工序中，以几百度的温度烧成干燥工序后的前面玻璃基板3。通过进行烧成工序，从而将残存于保护层9中的有机溶剂全部除去。

但是，基底膜91若被暴露于大气中，则与CO系的杂质反应，容易变质。若基底膜91的表面与CO系的杂质发生反应，则在基底膜91的表面上形成碳酸盐。而且，若基底膜91的表面变质，则基底膜91的二次电子释放能力会减小。结果，PDP1的维持电压会上升。由于形成于基底膜91的表面上的碳酸盐是化合物，故在制造工序中无法容易地除去。例如在形成了碳酸钙的情况下，为了通过加热分解而从基底膜91的表面除去，则需要825℃以上的温度，因此需要加热以外的工序。

因而，本实施方式的PDP1的制造方法在干燥工序S133中，在基底膜91上形成有机溶剂的覆膜17。然后，由于在干燥工序S133后并不进行烧成工序，故覆膜17在保护层形成工序S13中不会被除去。因而，本实施方式的PDP1的制造方法，即便使基底膜91暴露于大气中，也可以抑制基底膜91与大气中的CO系的杂质发生反应。再有，本实施方式的PDP1的制造方法在密封排气工序S32中使覆膜17蒸发，由此可以从放电空间16排出覆膜17的成分。有机溶剂的覆膜17不会与基底膜91发生反应，由于仅仅是附着，故在密封排气工序S32中通过加热而可以容易地除去。

因而，本实施方式的基底膜91可以抑制二次电子释放能力减少。由此，通过本实施方式的制造方法制作出的PDP1可以抑制基底膜91的劣化并降低维持电压。

[6.干燥工序S133的细节]

接着，对干燥工序S133详细地进行说明。干燥工序S133是利用真空腔室来进行的。真空腔室具备闸门部(gate unit)。经由闸门部，前面玻璃基板3出入。真空腔室与干式泵连接。通过干式泵来控制真空腔室内的压力。真空腔室内配置有台座(table)。台座具备固定机构。

首先，从闸门部将基底膜91上已形成凝集粒子膏剂膜93的前面玻璃基板3搬送到真空腔室内。前面玻璃基板3按照基底膜91在上的方式设置在台座上。接着，通过干式泵将真空腔室内的压力减压到规定压力为止。本实施方式中，真空腔室内的压力被减压到9Pa为止。再有，真空腔室内的压力达到9Pa为止的时间为2分钟～3分钟。

通过干燥工序S133，在真空腔室内凝集粒子膏剂膜93被干燥。在干燥工序S133中，不会产生进行加热干燥的情况下显著的凝集粒子膏剂膜93内的对流。因而，凝集粒子92更均匀地附着在基底膜91上。

还有，通过干燥工序S133，虽然凝集粒子膏剂膜93被干燥，但有机溶剂并未被全部除去。由此，可以在基底膜91上形成平均膜厚5nm以上、20nm以下的有机溶剂的覆膜17。在本实施方式中，覆膜17仅形成于基底膜91的表面上。

另外，在本实施方式中，有机溶剂的覆膜17仅形成于基底膜91的表面上，但也可以形成于凝集粒子92的表面。然而，通过仅在基底膜91的表面上形成覆膜17，从而在后述的覆膜除去之际，可以简化工序。这是因为：只要仅从基底膜91的表面使覆膜17蒸发即可，而无需考虑从凝集粒子92蒸发的条件。再有，通过至少在基底膜91形成覆膜17，从而可以达到本实施方式的效果。

还有，优选将真空腔室内的压力减压至50Pa以下。其原因在于：凝集粒子膏剂膜93的干燥需要时间，凝集粒子92难以均匀地分散。更优选将真空腔室内的压力减压至20Pa以下。其原因在于：凝集粒子92更均匀地分散附着。

进而，在干燥工序S133中，例如可以采用在5分钟以内将真空腔室内的压力从大气压减压至20Pa以下的方法，仅在基底膜91的表面上形成覆膜17。

再有，优选有机溶剂的覆膜17的平均膜厚为1nm以上、50nm以下。其原因在于：若覆膜17的平均膜厚比50nm厚，则使覆膜17蒸发而从基底膜91中除去的工序会花费时间。进而，原因在于：若覆膜17的平均膜厚比1nm薄，则会出现基底膜91未被覆膜17覆盖的区域。更优选有机溶剂的覆膜17的平均膜厚为5nm以上、20nm以下。原因在于：可以更可靠地覆盖基底膜91的整个面且进一步缩短使覆膜17蒸发而从基底膜91中除去的工序的时间。

[6-1.关于覆膜除去方法]

在制造出的PDP1中，若形成于基底膜91上的有机溶剂的覆膜17的成分残留在放电空间16内，则会产生使放电电压变动、保护层9的耐溅射性能劣化等不良状况。因而，在该PDP1的制造工序中需要在封入放电气体之前除去覆膜17。本实施方式中，在密封排气工序S32中使覆膜17从基底膜91蒸发，从放电空间16排出覆膜17的成分。以下对覆膜17的除去方法进行说明。

首先，在校正工序S31中，使已形成覆膜17的前面板2和背面板10对置配置。此时，前面板2与背面板10隔着设置于基板周边部的密封材料而对置配置，例如利用夹子等暂时固定后设置在密封炉内。背面板10中配置有通过排气孔而可以与放电空间16导通的、例如由玻璃材料组成的排气管。排气管和面板内排气装置及放电气体导入装置连接着。作为密封材料，例如利用软化点温度为380℃的低熔点玻璃。

接着，在密封排气工序S32中，通过对被对置配置的前面板2与背面板10进行加热而使覆膜17蒸发，且在基底膜91上分散配置凝集粒子92，进而从放电空间16中排出蒸发的覆膜17的成分。

首先，将密封炉的内部减压排气至1×10^-2Pa左右。此时，由于还未对背面板10和前面板2进行密封，因此放电空间16内与密封炉内为同一压力。

接着，为了在密封材料的软化点温度380℃以下使覆膜17蒸发，保持继续密封炉的内部的排气的状态不变，例如使密封炉升温至350℃左右，在该温度下将前面板2与背面板10保持10分钟。由此，形成于基底膜91上的覆膜17的成分蒸发，凝集粒子92分散配置在基底膜91上。再有，将蒸发的覆膜17的成分向放电空间16外排出。另外，若前面板2及背面板10的加热和密封炉内部的排气同时进行，则可以抑制通过前面板2及背面板10的加热而蒸发的覆膜17的成分再度附着在基底膜91上，因此是优选的。

而且，继续放电空间16内的排气，将密封炉升温至超过密封材料的软化点温度380℃的温度、例如420℃左右，在该温度下将前面板2与背面板10保持10分钟左右。根据该工序，使密封材料充分地熔融。而且，通过降温至密封材料的软化点温度以下的例如300℃，从而对前面板2与背面板10进行密封。

进而，将放电空间16内继续排气至1×10^-4Pa左右之后，通过放电气体导入装置向放电空间16内导入放电气体。作为放电气体，例如以压力66.5kPa导入Ne与Xe的混合气体并对排气管进行密封，从密封装置中取出前面板2与背面板10。

通过以上的工序，制成覆膜17已被蒸发且前面板2与背面板10被密封的PDP1。

[6-2.实验4]

接着，对为了确认本实施方式的PDP1的制造方法的效果而进行的实验结果进行说明。发明人们准备了3种PDP的样品，这些样品是改变基底膜91的组成及保护层形成工序S13而制造出的。发明人们针对这些样品而进行了初始维持电压的测量。样品1的PDP在基底膜蒸镀工序S131中形成了MgO单体的基底膜91。而且，在干燥工序S133后进行了烧成工序。样品2的PDP在基底膜蒸镀工序S131中形成了上述样品A的基底膜91。也就是说，样品2的基底膜91由MgO与CaO构成。而且，样品2的PDP在干燥工序S133后进行了烧成工序。样品3的PDP在基底膜蒸镀工序S131中形成了上述样品A的基底膜91。再有，样品3的PDP通过干燥工序S133而在基底膜91上形成有机溶剂的覆膜17。而且，在干燥工序S133后并未进行烧成工序。样品1及样品2中的烧成工序都是在大气气体氛围下以500℃的温度进行的。

针对这些样品，测量初始维持电压，并测量了以样品1为基准的相对维持电压。在将样品1的PDP的维持电压设为0(V)时，样品2的PDP的相对维持电压为-20.21(V)。由此，可知样品2的PDP与样品1的PDP相比，维持电压被大幅地降低。这是因为样品2的PDP的基底膜91由MgO与CaO构成。也就是说，由于基底膜91由2种金属氧化物构成，故样品2的PDP可以降低维持电压。还有，在将样品1的PDP的维持电压设为0(V)时，样品3的PDP的相对维持电压为-29.41(V)。由此，可知：样品3的PDP与样品1的PDP以及样品2的PDP相比，维持电压被大幅地降低。这就是通过干燥工序S133在基底膜91上形成有机溶剂的覆膜17且通过在干燥工序S133后不进行烧成工序而并未除去覆膜17的效果。通过在基底膜91上形成覆膜17，从而即便暴露于大气中，也可以抑制CO系的杂质附着在基底膜91的表面上。由此，样品3的PDP1可以抑制基底膜91的劣化并降低维持电压。再有，也可以确认：在密封排气工序S32中，样品3的PDP1的覆膜17被除去，并未残存于放电空间16中。

再有，在本实施方式的PDP1的制造方法中，通过形成覆膜17，从而无需使形成保护层9后的前面玻璃基板3的搬送气体氛围成为真空、或氮、或氮与氧的混合气体、或稀有气体等的气体氛围，能够实现生产设备的简化。

还有，本实施方式的PDP1的制造方法在保护层形成工序S13中不进行烧成工序就可以形成覆膜17。而且，本实施方式的制造方法，可以使所形成的覆膜17在前面板2与背面板10的密封排气工序S32中蒸发。因而，无需新设置除去覆膜17的工序，可以省略烧成工序，由此能够实现生产设备的简化。

[7.总结]

本实施方式是PDP1的制造方法，PDP1具备背面板10以及与背面板10密封在一起的前面板2。前面板2具有电介质层8、和覆盖电介质层8的保护层9。保护层9包含形成于电介质层8上的基底层、即基底膜91。氧化镁的结晶粒子多个凝集在一起而成的凝集粒子92分散配置于基底膜91的整个面上。基底膜91至少包含第1金属氧化物和第2金属氧化物。进而，基底膜91在X射线衍射分析具有至少一个峰值。基底膜91的峰值位于第1金属氧化物的X射线衍射分析中的第1峰值和第2金属氧化物的X射线衍射分析中的第2峰值之间。第1峰值及第2峰值表示与基底层的峰值所表示的面方位相同的面方位。第1金属氧化物及第2金属氧化物是从氧化镁、氧化钙、氧化锶及氧化钡组成的群之中选择的2种。

而且，本实施方式的PDP1的制造方法包含以下的工艺。在电介质层8上形成基底膜91。接着，通过在基底膜91上涂敷使凝集粒子92分散了的有机溶剂，从而形成作为涂敷层的凝集粒子膏剂膜93。接着，通过对凝集粒子膏剂膜93进行减压干燥，从而至少在基底膜91上形成有机溶剂的覆膜17。接下来，将已形成有覆膜17的前面板2和背面板10对置配置。接着，通过对被对置配置的前面板2和背面板10进行加热而使覆膜17蒸发，且使凝集粒子92分散配置在基底膜91上，进而从放电空间16中排出蒸发的覆膜17的成分。接着，对覆膜17被蒸发的前面板2和背面板10进行密封。

通过以上的工艺，本实施方式的PDP1的制造方法在干燥工序S133中可以在基底膜91的表面上形成有机溶剂的覆膜17。由此，本实施方式的PDP1可以抑制基底膜91的劣化并降低维持电压。再有，PDP1可以抑制基底膜91的电荷保持性能的降低。还有，本实施方式的PDP1的制造方法可以在密封排气工序S32中使干燥工序S133中形成的有机溶剂的覆膜17蒸发。因而，本实施方式的PDP1的制造方法无需在干燥工序S133后设置烧成工序，能够实现生产设备的简化。

-工业实用性-

如上所述，被本实施方式公开的技术在实现具备高清且高亮度的显示性能且低耗电的PDP的方面是有用的。

-符号说明-

1  PDP

2  前面板

3  前面玻璃基板

4  扫描电极

4a，5a  透明电极

4b，5b  总线电极

5  维持电极

6  显示电极

7  黑条

8  电介质层

9  保护层

10 背面板

11 背面玻璃基板

12 数据电极

13 基底电介质层

14 隔壁

15 荧光体层

16  放电空间

17  覆膜

81  第1电介质层

82  第2电介质层

91  基底膜

92  凝集粒子

92a 结晶粒子

93  凝集粒子膏剂膜

Claims (7)

1.一种等离子显示面板的制造方法，

该等离子显示面板具备背面板、以及与所述背面板之间设置放电空间并被密封的前面板，

所述前面板具有电介质层和覆盖所述电介质层的保护层，

所述保护层包含形成于所述电介质层上的基底层，

在所述基底层上，由氧化镁的结晶粒子多个凝集而成的凝集粒子分散配置在整个面上，

所述基底层至少包含第1金属氧化物与第2金属氧化物，

进而，所述基底层在X射线衍射分析中具有至少一个峰值，

所述峰值位于第1金属氧化物的X射线衍射分析中的第1峰值和第2金属氧化物的X射线衍射分析中的第2峰值之间，

所述第1峰值及所述第2峰值表示与所述峰值所表示的面方位相同的面方位，

所述第1金属氧化物及所述第2金属氧化物是从氧化镁、氧化钙、氧化锶及氧化钡组成的群之中选择的2种，

在该制造方法中，

在所述电介质层上形成所述基底层；

接着，通过在所述基底层上涂敷使所述凝集粒子分散了的有机溶剂而形成涂敷层；

接着，通过对所述涂敷层进行减压干燥，从而至少在所述基底层上形成所述有机溶剂的覆膜；

接下来，将已形成所述覆膜的前面板与所述背面板对置配置；

接着，通过加热被对置配置的前面板与背面板而使所述覆膜蒸发，且将所述凝集粒子分散配置在所述基底层上，进而从所述放电空间中排出蒸发的覆膜的成分；

接着，对所述覆膜已被蒸发的前面板和所述背面板进行密封。

2.根据权利要求1所述的等离子显示面板的制造方法，其中，

通过对所述涂敷层减压至50Pa以下的压力进行干燥，从而至少在所述基底层上形成所述有机溶剂的覆膜。

3.根据权利要求2所述的等离子显示面板的制造方法，其中，

通过对所述涂敷层在5分钟以内从大气压减压至50Pa以下的压力进行干燥，从而至少在所述基底层上形成所述有机溶剂的覆膜。

4.根据权利要求1所述的等离子显示面板的制造方法，其中，

通过对被对置配置的前面板与背面板进行加热且对所述放电空间进行排气，从而使所述覆膜蒸发，且在所述基底层上分散配置所述凝集粒子，进而从所述放电空间中排出蒸发的覆膜的成分。

5.根据权利要求1所述的等离子显示面板的制造方法，其中，

仅在所述基底层的表面形成所述有机溶剂的覆膜。

6.根据权利要求1所述的等离子显示面板的制造方法，其中，

至少在所述基底层上形成平均膜厚为1nm以上、50nm以下的所述有机溶剂的覆膜。

7.根据权利要求1所述的等离子显示面板的制造方法，其中，

通过在所述基底层上涂敷使所述凝集粒子分散了的有机溶剂，从而形成平均膜厚为8nm以上、12nm以下的涂敷层。

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