CN102820408A - 一种高功率led芯片的封装机构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高功率LED芯片的封装机构，包括支架，所述支架腔体内设有正极板、负极板及填平支架腔体的荧光胶，所述正、负极板与支架一体相连，所述负极板的上方设有LED芯片，所述LED芯片的正、负极分别通过导线连接到正、负极板上，所述LED芯片的上方设有一次光学镜片。本发明的高功率LED芯片的封装机构，通过加厚加大了LED芯片连接的负极板，增加了散热接触面，提高了LED芯片封装的散热性能，且支架上还设有以模压技术做出半圆形的硅胶质一次光学镜片，能够增大LED芯片的照明角度，散热性能好、体型小巧、设计简单、容易实现，具有良好的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于灯具结构技术领域，具体涉及一种高功率LED芯片的封装机构。
背景技术
全球气候暖化造成地球环境的重大伤害，节能减排便成为全体的责任，故LED灯逐渐取代了传统的钨丝灯泡和荧光灯泡并成为主要照明灯，而用于LED灯的LED芯片转换效率也不断在提高，目前，市场上的top系列贴片LED芯片封装机构的散热性能不够，只能承受小功率，还采用陶瓷作为基板、硅基板等材料制成，但成本均非常高，大量实施费用高，不易推广。
发明内容
本发明所解决的技术问题是克服现有技术中LED封装结构散热性能低，可承载功率小，生产成本高，不易大量实施推广的问题。
为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：
一种高功率LED芯片的封装机构，包括支架，其特征在于：所述支架腔体内设有正极板、负极板及填平支架腔体的荧光胶，所述正、负极板与支架一体相连，所述负极板的上方设有LED芯片，所述LED芯片的正、负极分别通过导线连接到正、负极板上，所述LED芯片的上方设有一次光学镜片。
前述的一种高功率LED芯片的封装机构，其特征在于：所述支架的长度在3.2-3.6mm之间，宽度在2.6-3.0mm之间。
前述的一种高功率LED芯片的封装机构，其特征在于：所述支架的长度为3.4mm，宽度为2.8mm。
前述的一种高功率LED芯片的封装机构，其特征在于：所述正、负极板采用无氧铜材质制成，且负极板面积占所述支架底面积的3/4。
前述的一种高功率LED芯片的封装机构，其特征在于：所述导线采用合金材质制成。
前述的一种高功率LED芯片的封装机构，其特征在于：所述一次光学镜片为硅胶注塑模压而成的半球形状。
本发明的有益效果是：本发明加厚加大了LED芯片连接的负极板，增加了散热接触面， LED芯片以导热粘贴材料或金属共金粘接在负极板上，LED芯片产生的热量能够均匀经负极板传到载体散热，提高了LED芯片封装的散热性能，且支架上还设有以模压技术做出半圆形的硅胶质一次光学镜片，能够增大LED芯片的照明角度，由于正、负极板采用无氧铜材质制成，成本还较低，而且体型小巧、设计简单、容易实现，具有良好的应用前景。
附图说明
图1是本发明的一种高功率LED芯片的封装机构的俯视图。
图2是本发明的一种高功率LED芯片的封装机构的剖面图。
图3是本发明的一种高功率LED芯片的封装机构的底面图。
附图标号的含义如下：
1：支架；2：负极板；3：正极板；4：LED芯片；5：导线；6：一次光学镜片；7：荧光胶。
具体实施方式
下面将结合说明书附图，对本发明作进一步的说明。
如图1所示， 一种高功率LED芯片的封装机构，包括支架1，其的长度在3.2-3.6mm之间，宽度在2.6-3.0mm之间，优选长度3.4mm，宽度2.8mm，误差不超过0.2mm，支架1腔体内设有正极板3、负极板2及填平腔体内的荧光胶7，支架1是将正极板3和负极板2放入支架1腔体内以夹持射出而成，正极板3和负极板2均为无氧铜材质，且负极板2进行加厚加大处理，使得负极板2占支架1底面积的3/4，增加了LED芯片与下方散热接触面，负极板2上方设有LED芯片4，LED芯片4的正、负极分别通过导线连接到正、负极板上，LED芯片4以导热粘贴材料或金属共金粘在负极板2上，产生的热可均匀经负极板2传到载体散热，提高了LED封装结构的散热性能，两根合金材质的导线5将LED芯片4的正负电极分别导入正负极板3和2上，将荧光胶7填入支架1腔体内，并填平，最后再将支架1放入模压模具内，将一次光学镜片6以硅胶注塑模压的方式成半圆形，完成高功率LED芯片的封装，散热性能好，可承载功率高，体型小巧，生产成本低，可大量实施推广，设计简单，容易实现，具有良好的应用前景。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (6)
1.一种高功率LED芯片的封装机构，包括支架，其特征在于：所述支架腔体内设有正极板、负极板及填平支架腔体的荧光胶，所述正、负极板与支架一体相连，所述负极板的上方设有LED芯片，所述LED芯片的正、负极分别通过导线连接到正、负极板上，所述LED芯片的上方设有一次光学镜片。
2.根据权利要求1所述的一种高功率LED芯片的封装机构，其特征在于：所述支架的长度在3.2-3.6mm之间，宽度在2.6-3.0mm之间。
3.根据权利要求1所述的一种高功率LED芯片的封装机构，其特征在于：所述支架的长度为3.4mm，宽度为2.8mm。
4.根据权利要求1所述的一种高功率LED芯片的封装机构，其特征在于：所述正、负极板采用无氧铜材质制成，且负极板面积占所述支架底面积的3/4。
5.根据权利要求1所述的一种高功率LED芯片的封装机构，其特征在于：所述导线采用合金材质制成。
6.根据权利要求1所述的一种高功率LED芯片的封装机构，其特征在于：所述一次光学镜片为硅胶注塑模压而成的半球形状。
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