CN102645801B - 薄膜晶体管阵列基板、彩膜基板、制作方法和显示设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板、彩膜基板、制作方法和显示设备，包括：薄膜晶体管阵列基板上的数据扫描线不直接与栅极扫描线交叠，而是在一条栅极扫描线两侧设计两条与栅极扫描线不相交的数据扫描线，避免了栅极扫描线和数据扫描线的交叠处被静电击穿后出现短接的问题，同时，利用彩膜基板上的数据传输线跨过栅极扫描线，导通栅极扫描线两侧的数据扫描线，使一条数据扫描线输入的数据信号通过彩膜基板上的数据传输线引入另一条数据扫描线，保证了通过数据扫描线传输数据信号的连续性。

Description

薄膜晶体管阵列基板、彩膜基板、制作方法和显示设备

技术领域

本发明涉及晶体管制造领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板、薄膜晶体管阵列基板制作方法，彩膜基板、彩膜基板的制作方法，以及显示设备。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)以其低电压、低功耗、适宜于电路集成、轻巧便携等优点而受到广泛的研究与应用，液晶显示技术的发展经历了扭曲向列(TN-LCD)、超扭曲向列(STN-LCD)和薄膜晶体管阵列(TFT-LCD)三个重要的发展阶段，其中，TFT-LCD是由薄膜晶体管(TFT)基板和彩膜基板对盒形成的。

如图1所示，为薄膜晶体管阵列基板的俯视图，该薄膜晶体管阵列基板包括：一组栅极扫描线(Gateline)和与之垂直的一组数据扫描线(Dateline)，为了避免栅极扫描线和数据扫描线直接接触造成短接的问题，栅极扫描线和数据扫面线位于不同层面，使数据扫描线位于栅极扫描线的上层，相邻的两条栅极扫描线和数据扫描线构成的区域称之为像素区域。为了直观地看出薄膜晶体管阵列基板中栅极扫描线和数据扫描线的位置关系，图1所示的薄膜晶体管阵列基板中只示出栅极扫描线和数据扫描线以及其位置关系，而省略了薄膜晶体管阵列基板中的其他部分，如像素电极、公共电极等。

从图1中可以看出，构成一个像素区域的两条栅极扫描线和与之垂直的两条数据扫描线有4个交叠处，在每个交叠处，栅极扫描线和垂直的数据扫描线之间仅有一层栅极绝缘层(GI Layer)。在薄膜晶体管上电运行的过程中，栅极扫描线和数据扫描线的交叠处容易被静电击穿，造成栅极扫描线和数据扫描线短接，进而产生亮线不良的问题。

发明内容

本发明实施例的目的在于：提供一种薄膜晶体管阵列基板、彩膜基板、制作方法和显示设备，用以解决现有技术中存在的栅极扫描线和数据扫描线交叠处由于静电击穿，导致栅极扫描线和数据扫描线短接的问题。

一种薄膜晶体管阵列基板，包括：

形成在所述阵列基板上的栅极扫描线；

形成在所述阵列基板上分别位于栅极扫描线两侧且与栅极扫描线不相交的两条数据扫描线。

一种彩膜基板，包括：

底基板；

形成在所述底基板之上的数据传输线。

一种薄膜晶体管阵列基板制作方法，所述方法包括：

在所述阵列基板上沉积金属层，形成栅极扫描线；

在形成栅极扫描线的所述阵列基板上沉积金属层，形成分别位于栅极扫描线两侧且与栅极扫描线不相交的两条数据扫描线。

一种彩膜基板制作方法，所述方法包括：

在彩膜基板的底基板上沉积金属薄膜；

在底基板上形成的具有传输数据信号能力的数据传输线。

一种显示设备，包括：

形成在薄膜晶体管阵列基板上的栅极扫描线；

形成在薄膜晶体管阵列基板上分别位于栅极扫描线两侧且与栅极扫描线不相交的两条数据扫描线；

彩膜基板的底基板；

形成在所述底基板之上的数据传输线。

本发明有益效果如下：

本发明实施例的方案设计的阵列基板上的数据扫描线不直接与栅极扫描线交叠，而是在一条栅极扫描线两侧设计两条与栅极扫描线不相交的数据扫描线，避免了栅极扫描线和数据扫描线的交叠处被静电击穿后出现短接的问题，同时，利用彩膜基板上的数据传输线跨过栅极扫描线，导通栅极扫描线两侧的数据扫描线，使一条数据扫描线输入的数据信号通过彩膜基板上的数据传输线引入另一条数据扫描线，保证了通过数据扫描线传输数据信号的连续性。

附图说明

图1为背景技术中薄膜晶体管阵列基板的俯视图；

图2为本发明实施例一薄膜晶体管阵列基板的俯视图；

图3为本发明实施例一在薄膜晶体管阵列基板的金球处，以垂直于数据扫描线的方向剖面的示意图；

图4为本发明实施例二薄膜晶体管阵列基板制作方法示意图。

具体实施方式

为了克服栅极扫描线和数据扫描线的交叠处被静电击穿后出现短接的问题，本发明实施例提出一种新型的薄膜晶体管阵列基板以及彩膜基板，使数据扫描线不直接与栅极扫描线交叠，而是将传统的一条数据扫描线断开为两条数据扫描线，这两条数据扫描线设计在栅极扫描线两侧且与栅极扫描线不相交的位置，为了保证通过数据扫描线传输数据信号的连续性，利用彩膜基板上的数据传输线跨过栅极扫描线，导通栅极扫描线两侧的数据扫描线，使一条数据扫描线输入的数据信号通过彩膜基板上的数据传输线引入另一条数据扫描线，在确保数据信号的正常传输的情况下，避免了栅极扫描线和数据扫描线的交叠处被静电击穿后出现短接的问题。

需要说明的是，在图1所示的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图中，只示意出两条栅极扫描线和两条数据扫描线的交叠情况，为了简化描述，本发明实施例以解决一条栅极扫描线和一条数据扫描线的交叠处易被静电击穿的问题为目的，来描述本发明实施例的方案，显然，本发明实施例的方案可以推广到形成一组(包括多条)栅极扫描线以及一组(包括多条)数据扫描线的薄膜晶体管阵列基板中。

下面结合说明书附图对本发明实施例的方案进行详细描述。

实施例一

由于本发明实施例一中薄膜晶体管阵列基板中，利用彩膜基板上的数据传输线跨过栅极扫描线，来导通阵列基板上栅极扫描线两侧的两条数据扫描线的数据信号传输，因此，本实施例一中的薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板对盒设置，下面分别对薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板加以说明。

本发明中的数据扫描线为不连续的断开的独立金属线，且不与栅极扫描线相交，最大程度上避免了静电击穿现象的发生，提高了良率。

如图2所示，为薄膜晶体管阵列基板的俯视图，在阵列基板上形成一条栅极扫描线11，在栅极扫描线11的两侧分别有两条数据扫描线12，从图2中可以看出，两条数据扫描线12分别垂直于栅极扫描线11，且每条数据扫描线12都不与栅极扫描线11相交。

需要说明的是，本实施例并不限定数据扫描线12与栅极扫描线11之间的间隔，该间隔设定稍大或稍小都不影响本发明目的的实现，但该间隔的大小应适应于彩膜基板上的数据传输线的长度。

在阵列基板的栅极扫描线11上还形成有源层13(Active Layer)、源/漏(S/D)电极14，以及在数据扫描线12上形成源/漏电极14。

在栅极扫描线11的源/漏电极14处形成过孔(Via Hole)15，以及，在数据扫描线12上形成绝缘层，在绝缘层上也形成过孔(Via Hole)15。

需要说明的是，本实施例中涉及的过孔可以是圆形孔状结构，也可以变形为槽或其他结构。

在进行以上处理后的阵列基板上形成像素电极(图2中未示出)，得到初步处理后可用的阵列基板。

在初步处理后可用的阵列基板中，栅极扫描线11和数据扫描线12之间没有交叠处，也就是说，在由栅极扫描线11和数据扫描线12构成的像素区域中，一条数据扫描线12只在一个像素区域中传输数据信号，若数据信号需要跨过一条栅极扫描线11，则数据信号只能通过外接的其他线路传输至另一个像素区域中的数据扫描线12，避免了栅极扫描线11和数据扫描线12出现短接的情况。

上述对本实施例一的阵列基板的说明只描述了与本发明目的有关的特点，而本发明实施例一中的阵列基板也同样具有传统的阵列基板中的工艺部分，如：在基板上还有公共电极；在所述栅极扫描线之上还形成有栅电极绝缘层；在栅极扫描线和数据扫描线的交汇处还形成有薄膜晶体管，薄膜晶体管的源电极和数据扫描线电连接；在栅电极绝缘层、数据扫描线及薄膜晶体管之上还形成有钝化层，并在薄膜晶体管的漏电极之上形成钝化层过孔或沟槽；另外，在钝化层上还形成有像素电极，像素电极通过钝化层过孔或沟槽与所述薄膜晶体管的漏电极连接。

本实施例一中的阵列基板上，栅极扫描线、数据扫描线、薄膜晶体管的源电极和漏电极、公共电极为铝、铬、钨、钽、钛、钼及铝镍之一或任意组合构成的单层或复合层结构。栅电极绝缘层的材料为氮化硅、二氧化硅或氧化铝等。像素电极的材料为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌等。

在对阵列基板进行处理后，还需要对彩膜基板进行处理，在彩膜基板的底基板上形成数据传输线，完成对彩膜基板的初步处理。本实施例一中所述的数据传输线是彩膜基板上的具有传输数据信号能力的金属线，或是由金属氧化物为材料制成的数据传输线，如由氧化铟锡(Indium-Tin Oxide，ITO)制成的数据传输线，本发明实施例对数据传输线的材质不做特别限定。

彩膜基板上的数据传输线可以为跨越栅极扫描线的不连续金属线，也可以为从第一个像素起，到最后一个像素为止的连续金属线。当数据传输线为不连续金属线时，一条数据传输线的两端通过金球分别与两条数据扫描线中靠近栅极扫描线的一端相连，用于将一条数据扫描线输出的数据信号引入另一条数据扫描线。当数据传输线为连续金属线时，数据扫描线通过金球与数据传输线直接连接。

本实施例中，除了使用金球将数据传输线与数据扫描线导通外，还可以使用诸如导电隔垫物等其他导电体来导通数据传输线与数据扫描线。

上述对本实施例一的彩膜基板的说明只描述了与本发明目的有关的特点，而本发明实施例一中的彩膜基板也同样具有传统的彩膜基板中的工艺部分，如：形成在所述数据传输线之上的黑矩阵(BM)；形成在所述数据传输线和黑矩阵之上的像素树脂，包括红、绿、蓝三原色；形成在所述像素树脂、黑矩阵和数据传输线之上的公共电极；形成在相邻像素树脂的交汇区的柱状隔垫物等。

在阵列基板和彩膜基板都完成初步处理后，要通过诸如金球(AU Ball)等导电体将阵列基板上的数据扫描线和彩膜基板上的数据传输线相连，其连接结构为：第一个金球16的一端通过第一条数据扫描线12上绝缘层的过孔15形成的通道与第一条数据扫描线12连接上，第一金球16的另一端与彩膜基板上数据传输线的一段相连；彩膜基板上数据传输线的另一端与第二个金球16的一端相连，第二个金球16的另一端与通过第二条数据扫描线12上绝缘层的过孔15形成的通道与第二条数据扫描线12连接上。若以图2所示的情形，在一条数据扫描线的过孔处有4个金球，则栅极扫描线11两侧的8个金球分别按照上述形式，将数据扫描线和彩膜基板上的数据传输线连接在一起。

此时，第一条数据扫描线11输出的数据信号传输至彩膜基板上的数据传输线的一端，再由彩膜基板上的数据传输线的另一端将数据信号引入第二条数据扫描线11，确保数据信号的正确传输。

如图3所示，为彩膜基板和阵列基板对盒设置后，在薄膜晶体管阵列基板的金球处，以垂直于数据扫描线的方向剖面的示意图，从图3中可以看出，彩膜基板和阵列基板对盒设置后，彩膜基板在上层，阵列基板在下层，在图3中，彩膜基板的最上层是底基板，第二层是彩膜基板上的数据传输线。彩膜基板上的数据传输线与阵列基板上的数据扫描线之间通过金球相连，因此，图3中金球的顶部与彩膜基板上的数据传输线接触，底部与阵列基板上的数据扫描线接触。

由于彩膜基板和阵列基板对盒设置，因此，彩膜基板上有黑矩阵(BMLayer)，位于彩膜基板上的数据传输线上与金球不接触的地方；阵列基板上有绝缘层(PVX)，位于阵列基板上的数据扫描线上与金球不接触的地方，而在阵列基板上的数据扫描线下是栅极绝缘层(GI Layer)。

需要说明的是，由于本发明实施例中栅极扫描线11和数据扫描线12之间的位置关系决定了栅极扫描线11和数据扫描线12不存在交叠处，因此，栅极扫描线11和数据扫描线12之间可以没有栅极绝缘层，而是将栅极扫描线11和数据扫描线12制作在阵列基板的同一层面上；当然，栅极扫描线11和数据扫描线12也可以位于不同层面上，在栅极扫描线11上形成栅极绝缘层，所述数据扫描线12位于栅极绝缘层之上的结构。

本发明实施例一的图2、图3描述的薄膜晶体管阵列基板结构是实现本发明目的的一种典型结构，但本发明并不限于这一种结构，本发明的发明思想可以应用到其他栅极扫描线与数据扫描线有交叠的结构中，将与栅极扫描线交叠的数据扫描线断开，使栅极扫描线与数据扫描线不交叠，进而通过导电体将数据扫描线与彩膜基板上的数据传输线相连，实现数据信号在数据扫描线中传输的目的即可。

需要说明的是，本发明实施例对现有的薄膜晶体管阵列基板的改进在于对数据扫描线的形状改变以及将数据扫描线与彩膜基板上的数据传输线相连，而对于薄膜晶体管阵列基板的其他工艺部分没有改变，因此，图2、图3中仅示出与本发明的改进有关的工艺部分，而省略了其他没有改进的工艺部分，但省略的其他工艺部分仍以其现有的结构以及在阵列基板和彩膜基板上的位置存在。

实施例二

本发明实施例二还提供一种与实施例一属于同一发明构思下的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，如图4所示，所述方法包括以下步骤：

步骤101：在阵列基板上沉积金属层，形成栅极扫描线。

本步骤可以使用磁控溅射方式，在阵列基板上制备一层厚度在1000埃至7000埃的栅金属薄膜，用栅极掩模板通过曝光工艺和化学腐蚀工艺，在阵列基板的一定区域上形成栅极扫描线、栅电极和公共电极的图案。

所述栅金属薄膜的材料通过使用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬或铜等金属、也可以使用上述几种金属材料的组合。

上述步骤101可以使用目前可用的其他形成栅极扫描线的方案。

步骤102：在形成栅极扫描线的阵列基板上沉积金属层，形成分别位于栅极扫描线两侧且与栅极扫描线不相交的两条数据扫描线。

在阵列基板上形成栅极扫描线后，利用化学气相沉积的方法在阵列基板上连续沉积1000埃至6000埃的栅电极绝缘层和1000埃至6000埃的非晶硅薄膜，并通过光刻工艺和化学腐蚀工艺，在所述栅电极上形成有源层及其上方的沟道。

然后，在阵列基板上沉积类似于栅金属的厚度在1000埃至7000埃的金属层，通过对源/漏极的掩模板的曝光、显影工艺的设计，定位数据扫描线在阵列基板上的位置和形状为：数据信号传输流向上的两条数据扫描线位于栅极扫描线的两侧，与栅极扫描线垂直但不相交。另外，通过通过源/漏极的掩模板在一定区域上形成源/漏电极，还形成挡光条和公共电极，其中部分源电极和部分漏电极搭接在有源层上。

本步骤在形成数据扫描线时，可以在形成栅极扫描线的阵列基板上形成栅极绝缘层，之后再栅极绝缘层上再形成数据扫描线；或是在形成栅极扫描线的阵列基板上不形成栅极绝缘层，而是在与栅极扫描线同一层面上形成数据扫描线。

步骤103：在形成数据扫描线的阵列基板上沉积非金属绝缘层，形成数据扫描线上绝缘层，所述绝缘层上有过孔。

本步骤是实现本发明目的的优选步骤。

在本步骤中，在形成数据扫描线的阵列基板上沉积非金属绝缘层(如钝化层)，通过钝化层的掩模板，利用曝光和刻蚀工艺形成数据扫描线上绝缘层以及绝缘层上的过孔，以及漏电极的过孔。

在对阵列基板进行上述步骤101和步骤103的工艺后，可以在阵列基板上沉积透明像素电极，通过光刻工艺和化学腐蚀工艺形成像素电极。

本发明实施例二的彩膜基板可以通过以下工艺制造：

首先，在底基板上沉积类似于栅金属的厚度在1000埃至7000埃的金属层，通过对掩模板的曝光、显影工艺的设计，形成数据传输线。

然后，使用化学汽相沉积方法，在形成数据传输线的基板上制备一层厚度在1um至5um的黑矩阵层。黑矩阵材料通常可以采用铬或氧化铬组合构成的单层结构，也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构。用掩模版通过曝光工艺和化学刻蚀工艺，在玻璃基板的一定区域上形成黑矩阵。

接下来，利用涂敷分散法在底基板上涂敷1um到5um的红色像素树脂层。像素树脂层材料通常是丙稀酸类感光性树脂或其他羧酸型色素颜料树脂。然后通过曝光工艺和化学显影工艺，在玻璃基板的一定区域上形成红色像素。

接着，采用和制备红色像素类似的方法，利用涂敷分散法在底基板上涂敷1um到5um的绿色和蓝色像素树脂层，然后通过曝光工艺和化学显影工艺，在玻璃基板的一定区域上形成绿色像素和蓝色像素。

随后，在整个底基板上沉积一层公共电极层。此公共电极为透明电极，厚度在至之间。

最后，采用与黑矩阵层形成相类似的方法，在底基板上沉积一层柱状隔垫物层，使用透明电极的掩模版，通过光刻工艺，最终形成柱状隔垫物。柱状隔垫物直径在10um至20um，高度在2um至5um。

在制作得到阵列基板和彩膜基板后，将彩膜基板上的数据传输线两端通过导电体分别与两条数据扫描线中靠近栅极扫描线的一端相连，具体地，可以将彩膜基板上的数据传输线两端分别与导电体相连，所述导电体再通过数据扫描线上的过孔分别与两条数据扫描线中靠近栅极扫描线的一端相连。

本发明实施例二的阵列基板和彩膜基板制作方法也可以有其他实现方式，如采用不同次数的光科技术，或是选择不同材料或材料组合实现，TFT-LCD器件的结构可以有各种修改和变形。

实施例三

本发明实施例三还提供一种制备薄膜晶体管阵列基板的制作系统，包括：

用于在阵列基板上沉积金属层，形成栅极扫描线的部件；

用于在形成栅极扫描线的阵列基板上沉积金属层，进而形成分别位于栅极扫描线两侧且与栅极扫描线不相交的两条数据扫描线的部件。

进一步地，还包括：用于将彩膜基板上的数据传输线两端通过导电体分别与两条数据扫描线中靠近栅极扫描线的一端相连的部件。

需要说明的是，本发明实施例三中的制作系统可以是各种能够实现实施例二方法的工艺部件，包括但不限于目前常规的薄膜晶体管阵列基板的制备部件(如掩模板、光刻工艺设备等)。与目前常规的薄膜晶体管阵列基板的制备部件不同的是，本发明实施例三中的制作系统中形成数据扫描线的部件所形成的数据扫描线，是分别位于栅极扫描线两侧且与栅极扫描线不相交的两条数据扫描线，而现有技术中形成的数据扫描线是与栅极扫描线有交叠的数据扫描线。且本发明实施例三中的制作系统中还具有将彩膜基板上的数据传输线两端通过导电体分别与两条数据扫描线中靠近栅极扫描线的一端相连的部件。

本发明实施例三还提供一种彩膜基板的制作系统，包括：用于在彩膜基板的底基板上沉积金属薄膜，形成的具有传输数据信号能力的数据传输线的部件。

进一步地，还包括：

用于将数据传输线的两端通过导电体分别与薄膜晶体管阵列基板上的两条数据扫描线中靠近栅极扫描线的一端相连的部件。

实施例四

本发明实施例四还提供一种显示设备，该显示设备包括本发明实施例一至实施例三涉及的薄膜晶体管阵列基板和对盒设置的彩膜基板。

具体地，显示设备包括：

形成在薄膜晶体管阵列基板上的栅极扫描线；

形成在薄膜晶体管阵列基板上分别位于栅极扫描线两侧且与栅极扫描线不相交的两条数据扫描线；

彩膜基板的底基板；

形成在所述底基板之上的数据传输线。

显示设备中各部分的连接关系为：数据传输线的两端通过导电体分别与薄膜晶体管阵列基板上的两条数据扫描线中靠近栅极扫描线的一端相连，用于将一条数据扫描线输出的数据信号引入另一条数据扫描线。

尽管已描述了本申请的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本申请范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (11)

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：

形成在所述阵列基板上的栅极扫描线；

形成在所述阵列基板上分别位于栅极扫描线两侧且与栅极扫描线不相交的两条数据扫描线；

一条数据扫描线输出的数据信号通过导电体输出至彩膜基板上的数据传输线的一端，彩膜基板上的数据传输线的另一端，通过导电体将数据信号引入另一条数据扫描线。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

所述导电体是金球或导电隔垫物。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，还包括：

形成在数据扫描线上绝缘层，所述导电体通过数据扫描线上绝缘层的过孔分别与两条数据扫描线中靠近栅极扫描线的一端相连。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，

所述栅极扫描线和数据扫描线在阵列基板的同一层面上，或在栅极扫描线上形成栅极绝缘层，所述数据扫描线位于栅极绝缘层之上。

5.一种彩膜基板，其特征在于，包括：

底基板；

形成在所述底基板之上的数据传输线；

数据传输线的两端通过导电体分别与薄膜晶体管阵列基板上的两条数据扫描线中靠近栅极扫描线的一端相连，用于将一条数据扫描线输出的数据信号引入另一条数据扫描线。

6.如权利要求5所述的彩膜基板，其特征在于，所述数据传输线的材料是金属或金属氧化物。

7.一种薄膜晶体管阵列基板制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在所述阵列基板上沉积金属层，形成栅极扫描线；

在形成栅极扫描线的所述阵列基板上沉积金属层，形成分别位于栅极扫描线两侧且与栅极扫描线不相交的两条数据扫描线；

将彩膜基板上的数据传输线两端通过导电体分别与两条数据扫描线中靠近栅极扫描线的一端相连。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，

所述栅极扫描线与数据扫描线形成在阵列基板的同一层面上，或在栅极扫描线上形成栅极绝缘层，并在栅极绝缘层上形成数据扫描线。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在形成数据扫描线之后，且将数据传输线与数据扫描线相连之前，所述方法还包括：

在形成数据扫描线的阵列基板上沉积非金属绝缘层，形成数据扫描线上的绝缘层；

将数据传输线与数据扫描线相连，具体包括：

将彩膜基板上的数据传输线两端分别与导电体相连，所述导电体通过数据扫描线上绝缘层的过孔分别与两条数据扫描线中靠近栅极扫描线的一端相连。

10.一种彩膜基板制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在彩膜基板的底基板上沉积金属薄膜；

在底基板上形成的具有传输数据信号能力的数据传输线；

将数据传输线的两端通过导电体分别与薄膜晶体管阵列基板上的两条数据扫描线中靠近栅极扫描线的一端相连。

11.一种显示设备，其特征在于，包括：

形成在薄膜晶体管阵列基板上的栅极扫描线；

形成在薄膜晶体管阵列基板上分别位于栅极扫描线两侧且与栅极扫描线不相交的两条数据扫描线；

彩膜基板的底基板；

形成在所述底基板之上的数据传输线；

数据传输线的两端通过导电体分别与薄膜晶体管阵列基板上的两条数据扫描线中靠近栅极扫描线的一端相连，用于将一条数据扫描线输出的数据信号引入另一条数据扫描线。