CN102456968B - 电连接器组合及制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电连接器组合，用于连接芯片模块至电路板，其包括：设有若干收容孔的绝缘本体及填充锡球，所述收容孔分别贯穿绝缘本体的上、下表面，且收容孔包括靠近收容孔上表面的上收容孔及自上收容孔向下倾斜并靠近收容孔下表面的下收容孔，所述上收容孔的中心间距小于下收容孔的中心间距，填充锡球填充于收容孔内经受热融化后形成具有导电性质的锡柱，锡柱的上表面位于上收容孔内，锡柱的下表面凸出于下收容孔。本发明的电连接器组合可连接导电体的中心间距不同的芯片模块及电路板。

Description

电连接器组合及制造方法

【技术领域】

本发明涉及一种电连接器组合，尤指一种将芯片模块电性连接至电路板的电连接器组合。

【背景技术】

美国专利公告第7674113号揭示了一种电连接器组合，其包括绝缘本体，所述绝缘本体内设有若干的金属管，芯片模块的锡球及电路板的锡球可同时收容于金属管的上、下两端，并与金属管电性连接，从而实现芯片模块与电路板之间的电性连接。

但是上述电连接器组合至少存在以下缺陷，若芯片模块的锡球之间的间距或者电路板的垫片之间的间距由之前上下相同的间距变为不同的间距的时侯，上述收容孔无法同时即收容芯片模块的锡球又与电路板的垫片相连接的现象，进而会影响到芯片模块与电路板之间的电性连接。

因此，确有必要对现有的电连接器组合进行改进以克服现有技术的前述缺陷。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种电连接器组合，该电连接器组合可与不同的中心间距的芯片模块及电路板电性连接。

本发明的目的是通过以下技术方案实现：一种电连接器组合，用于连接芯片模块至电路板，其包括：设有若干收容孔的绝缘本体绝缘本体，所述收容孔分别贯穿绝缘本体的上、下表面，所述收容孔包括靠近收容孔上表面的上收容孔及自上收容孔向下倾斜并靠近收容孔下表面的下收容孔，所述上收容孔的中心间距小于下收容孔的中心间距，并且收容孔内还设有与其侧壁紧密结合的锡柱。

所述锡柱由加热熔化若干填充至收容孔中的填充锡球所形成，所述锡柱完全融合于收容孔内并与收容孔的侧壁融合为一体，形成导电介质。所述收容孔的侧壁呈不规则设置，侧壁的表面电镀有镀铜层，所述收容孔的侧壁包括位于上、下两端的竖直状侧壁及连接上、下两竖直状侧壁的倾斜状侧壁，所述上收容孔设有均匀的中心间距，下收容孔设有均匀的中心间距。所述芯片模块设有锡球，电路板包括垫片，所述收容孔的上收容孔收容芯片模块的锡球。所述锡柱设有位于上收容孔内且其上表面呈平面的顶部，芯片模块的锡球与锡柱的顶部上表面相接触，锡柱还设有凸出于下收容孔并呈凸出球面以与电路板的垫片相接触的底部。

本发明的目的还可以通过另一种技术方案实现：一种电连接器组合的制造方法，步骤如下：a.提供一绝缘本体，其包括基体及形成于基体上的若干收容孔，收容孔的侧壁呈不规则设置，收容孔包括靠近基体上表面的上收容孔及自上收容孔向下倾斜并靠近基体下表面的下收容孔；b.所述侧壁的表面电镀镀铜层；c.将若干直径较大的填充锡球收容于收容孔的下收容孔中，将若干直径小的填充锡球从上收容孔的开口中置于收容孔中；d.高温加热，使位于收容孔中的填充锡球受热融化后形成锡柱。

所述基体的收容孔的上收容孔相邻的中心间距与下收容孔相邻的中心间距不同，且下收容孔的直径大于上收容孔的直径。所述收容孔设有侧壁，所述收容孔的侧壁包括位于上、下两端的竖直状侧壁及连接上、下两竖直状侧壁的倾斜状侧壁。所述芯片模块设有锡球，电路板包括垫片，所述收容孔的上收容孔收容芯片模块的锡球。所述锡柱设有位于上收容孔内且其上表面呈平面的顶部，芯片模块的锡球并与锡柱的顶部上表面相接触，锡柱还设有凸出于下收容孔并呈凸出球面以与电路板的垫片相接触的底部。

相较于现有技术，本发明电连接器组合具有如下有益效果：电连接器组合可与不同的中心间距的芯片模块及电路板电性连接。

【附图说明】

图1为本发明电连接器组合的立体组合图。

图2为本发明电连接器组合的立体分解图。

图3沿图1中的A-A线的剖视示意图。

图4为本发明电连接器组合与芯片模块连接的剖视示意图。

【具体实施方式】

请参阅图1和图4所示，本发明电连接器组合100将芯片模块2电性连接至电路板4，其包括绝缘本体1及收容于绝缘本体1中的填充锡球3。

请参阅图2所示，所述芯片模块2大致呈板状结构，其底部阵列设有若干锡球20。所述绝缘本体1包括基体10及位于基体10四周的外壁13。其中，所述基体10中部设有若干收容孔11，所述收容孔11分别贯穿绝缘本体1的上、下表面，包括靠近绝缘本体1上表面的部分定义为上收容孔110，靠近绝缘本体1下表面的部分定义为下收容孔111，所述上收容孔110与下收容孔111相互贯通。所述外壁13包括向上凸伸的凸伸部12，所述凸伸部12可将芯片模块2定位于绝缘本体1内。

请具体参阅图3和图4所示，收容孔11的侧壁112呈不规则设置，侧壁112的表面电镀有镀铜层113。所述收容孔11的侧壁112包括位于上、下两端的竖直状侧壁112及连接上、下两竖直状侧壁112的倾斜状侧壁(未标号)。上收容孔110设有均匀的中心间距，自上收容孔110向外侧并向下倾斜形成下收容孔111，所述下收容孔111设有均匀的中心间距，所述上收容孔110之间的中心间距与下收容孔111之间的中心间距需要通过精密的设计及计算制造而成。下收容孔111的中心间距与上收容孔110的中心间距不同，下收容孔111相邻的中心间距大于上收容孔110相邻的中心间距，下收容孔111内的直径大于上收容孔110的直径。所述收容孔11的上收容孔110内可收容直径较小的锡球20于其中。可根据芯片模块2的锡球20之间的排布密度及电路板4的垫片40之间的排布方式再经过精密的设计及计算而设置出收容孔11的上收容孔110及下收容孔111的中心间距。

基体10的收容孔11内需放置填充锡球3，其制造方法如下：将若干直径较大的填充锡球3通过相应的治具收容于收容孔11的下收容孔111中，然后将若干直径逐渐变小的填充锡球3从上收容孔110的开口中分别置于收容孔11中，再经过高温加热后，位于收容孔11中的填充锡球3受热融化后形成锡柱30，所述锡柱30完全融合于收容孔11内并与收容孔11的侧壁112融合为一体，从而形成导电介质。位于收容孔11中的锡柱30的顶部位于上收容孔110内其上表面大致呈平面，芯片模块2的锡球20收容于收容孔11的上收容孔110内并与锡柱30的上表面相接触，锡柱30的底部凸出于下收容孔111并大致呈凸出球面以与电路板4的垫片40相接触。

本发明的电连接器组合100的绝缘本体1的收容孔11可根据不同的需求同时收容排布密度较高的芯片模块2的锡球20于上收容孔110内，并使较为稀松的电路板4的垫片40与下收容孔111内的锡柱30相互接触，可同时连接不同中心间距的电子元件。将若干填充锡球3直接置入收容孔11内并将其融化后形成具有导电性质的锡柱30，以锡柱30替代现有的导电端子具有连接的可靠性高的优势，进而提高电连接器组合100电性连接芯片模块2及电路板4的连接可靠性。

Claims (9)

1.一种电连接器组合，用于连接芯片模块至电路板，其包括：设有若干收容孔的绝缘本体，所述收容孔分别贯穿绝缘本体的上、下表面，其特征在于：所述收容孔包括靠近收容孔上表面的上收容孔及自上收容孔向下倾斜并靠近收容孔下表面的下收容孔，所述上收容孔的中心间距小于下收容孔的中心间距，并且收容孔内还设有与其侧壁紧密结合的锡柱。

2.如权利要求1所述的电连接器组合，其特征在于：所述锡柱由加热熔化若干填充至收容孔中的填充锡球所形成，所述锡柱完全融合于收容孔内并与收容孔的侧壁融合为一体，形成导电介质。

3.如权利要求2所述的电连接器组合，其特征在于：所述收容孔的侧壁呈不规则设置，侧壁的表面电镀有镀铜层，所述收容孔的侧壁包括位于上、下两端的竖直状侧壁及连接上、下两竖直状侧壁的倾斜状侧壁，所述上收容孔设有均匀的中心间距，下收容孔设有均匀的中心间距。

4.如权利要求3所述的电连接器组合，其特征在于：所述芯片模块设有锡球，电路板包括垫片，所述收容孔的上收容孔收容芯片模块的锡球。

5.如权利要求4所述的电连接器组合，其特征在于：所述锡柱设有位于上收容孔内且其上表面呈平面的顶部，芯片模块的锡球与锡柱的顶部上表面相接触，锡柱还设有凸出于下收容孔并呈凸出球面以与电路板的垫片相接触的底部。

6.一种电连接器组合的制造方法，其特征在于：其包括以下步骤：a.提供一绝缘本体，其包括基体及形成于基体上的若干收容孔，收容孔的侧壁呈不规则设置，收容孔包括靠近基体上表面的上收容孔及自上收容孔向下倾斜并靠近基体下表面的下收容孔；b.所述侧壁的表面电镀镀铜层；c.将若干直径较大的填充锡球收容于收容孔的下收容孔中，将若干直径小的填充锡球从上收容孔的开口中置于收容孔中；d.高温加热，使位于收容孔中的填充锡球受热融化后形成锡柱。

7.如权利要求6所述的电连接器组合的制造方法，其特征在于：所述基体的收容孔的上收容孔相邻间的中心间距与下收容孔相邻的中心间距不同，且下收容孔内的直径大于上收容孔的直径。

8.如权利要求7所述的电连接器组合的制造方法，其特征在于：所述收容孔的侧壁包括位于上、下两端的竖直状侧壁及连接上、下两竖直状侧壁的倾斜状侧壁。

9.如权利要求8所述的电连接器组合的制造方法，其特征在于：所述锡柱设有位于上收容孔内且其上表面呈平面的顶部及凸出于下收容孔并呈凸出球面的底部。