CN102168249A - 蒸发源装置 - Google Patents
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- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 98
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims abstract description 97
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 210000003850 cellular structure Anatomy 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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Abstract
一种蒸发源装置,以在大面积的基板制作时,提高蒸镀物的均匀性及蒸镀材料的利用率。本发明的蒸发源装置包含一坩锅及一喷嘴盖体。该坩锅系容纳一蒸镀材料,借由加热该坩锅使该蒸镀材料的分子蒸发。而该喷嘴盖体设置于该坩锅的上方,具有一斜孔喷嘴及一直孔喷嘴,该斜孔喷嘴及该直孔连接于该坩锅。
Description
【技术领域】
本发明有关于一种线型之双蒸发源装置,特别是关于一种可在大面积的基板制作时,提高镀膜的均匀性及蒸镀材料的利用率的坩锅结构。
【背景技术】
蒸镀制程(evaporation process)在半导体组件制作、液晶显示器组件制作或太阳能电池组件制作过程中受到了广泛的使用,为了将制作过程中所使用的蒸镀材料均匀涂布于基板,现有技术中是将基板设置于坩锅的开口上方,再借由加热坩锅使得放置于其内的蒸镀材料蒸发,通过开口而均匀地附着在于基板上,达成均匀涂布的效果。
然当基板尺寸越来越大时,其所蒸镀薄膜的均匀度便是极大的挑战,如何在大型基板上制作厚度均匀的高质量镀膜,一直是当前蒸镀制程量产时所面临最大的挑战。
为因应大面积量产的需求,大面积薄膜蒸镀早期是从传统的点蒸发源为基础来进行改良,所延伸出的改良有:改变点蒸发源气体容器开口的形状、增加点蒸发源的数目、以及改变点蒸发源的排列方式等方法。但这些改良应用在小面积及少量生产时,单点或多点蒸发源的蒸镀方式也许可提供较均匀的镀膜,但其缺陷在于当拟进行大面积镀膜且须大量生产时,仍会遭遇如膜厚不均或蒸镀材料利用率低等种种限制。
故为因应大面积镀膜与大量生产,在现有技术中更进一步地将蒸镀源由点蒸发源改进为线蒸发源。线蒸发源是以扫描方式进行蒸镀,线蒸发源适合大面积式的生产,但其膜厚均匀性仍不佳,且其蒸镀材料利用率仍偏低。
【发明内容】
鉴于所指出的各种缺陷,为因应大面积且大量生产制程的需求,本发明提出一种线型的蒸发源装置,较佳地适用在大面积的基板制作,能够显著的提高镀膜的均匀性及蒸镀材料的利用率。
根据上述构想,本发明提出一种蒸发源装置。该蒸发源装置包含坩锅及喷嘴盖体,坩锅具有一第一容置空间及第二容置空间系容纳不同或相同的蒸镀材料,借由辐射加热源加热坩锅使蒸镀材料的分子蒸发,坩锅配置成上方开口的筒状结构,筒状结构为圆形、长方形或方形。喷嘴盖体设置于坩锅的上方,具有一斜孔喷嘴及一直孔喷嘴,斜孔喷嘴及直孔喷嘴连接于该坩锅,喷嘴盖体具有嵌合部,可供该坩锅一端筒壁嵌入结合喷嘴盖体,斜孔喷嘴与喷嘴盖体的中心线形成一夹角。
承接上述,本发明提供一种蒸发源装置,其包含:
一坩锅,其中容纳有一蒸镀材料;以及
一喷嘴盖体,卡固于该坩锅的开口处,具有一斜孔喷嘴以及一直孔喷嘴,该斜孔喷嘴及该直孔喷嘴分别连接于该坩锅。
所述的蒸发源装置,其特征在于:该坩锅为一筒状结构,该筒状结构为圆形或方形,该喷嘴盖体具有一嵌槽,该坩锅的该开口处的筒壁可嵌合入该嵌槽,该斜孔喷嘴的中心线与该喷嘴盖体的中心线之间具有一夹角。
所述的蒸发源装置,其特征在于:该夹角为3~40度角,该夹角为5~20度角,该夹角为8~15度角。
所述的蒸发源装置,其特征在于:该直孔喷嘴的中心线平行于该喷嘴盖体的中心线。
所述的蒸发源装置,其特征在于:该斜孔喷嘴的轴线与该直孔喷嘴的轴线相交。
本发明还提供一种蒸发源装置,其包含:
一坩锅,具有一第一容置空间及第二容置空间;以及
一喷嘴盖体,设置于该坩锅的开口处,具有数个斜孔喷嘴及数个直孔喷嘴,该等斜孔喷嘴及该等直斜孔喷嘴分别连接于该一第一容置空间及该第二容置空间。
所述的蒸发源装置,其特征在于:该一第一容置空间及该第二容置空间分别容纳有第一蒸发材料及第二蒸发材料。
所述的蒸发源装置,其特征在于:该坩锅为一筒状结构,且该筒状结构为长方形,或狭长形。
本发明还提供一种蒸发源装置,其包含:
一坩锅,具有一第一容置空间及第二容置空间;以及
一喷嘴盖体,具有一嵌合部,该喷嘴盖体经由该嵌合部而与该坩锅的一开口卡固连接,该喷嘴盖体并具有数个斜孔喷嘴及数个直孔喷嘴。
所述的蒸发源装置,其特征在于:该嵌合部更包含一阶梯状的套接段,该嵌合部更包含一凹设的嵌槽。
由上述可知,本发明的蒸发源装置,可适用在大面积的基板制作,能够显著的提高镀膜的均匀性及蒸镀材料的利用率。
【附图说明】
图1是显示本发明的蒸发源装置的坩锅剖面图;
图2是显示本发明第一实施例的线型蒸发源装置的喷嘴盖体剖面图;
图3是显示本发明第一实施例的线型蒸发源装置的坩锅与喷嘴盖体结合的剖面图;
图4是显示图3的A-A’线的剖面图;
图5是显示图3的A-A’线的剖面图;
图6是显示本发明第二实施例的双蒸发源装置的喷嘴部剖面图;
图7是显示本发明第二实施例的双蒸发源装置的坩锅与喷嘴盖体结合的剖面图;
图8是显示本发明第三实施例的线型双蒸发源装置的喷嘴盖体剖面图;及
图9是显示本发明第三实施例的线型双蒸发源装置的坩锅与喷嘴盖体结合的剖面图。
10:坩锅
20、40、50:喷嘴盖体
30、30’:容置空间
60:蒸镀材料
100:线型蒸发源装置
201、401、501:本体
202、402、502:盖唇
203:嵌槽
204、404、504:斜孔喷嘴
204’、404’、504’:直孔喷嘴
403、503:套接段
【具体实施方式】
本发明的实施例的详细描述如下,然而,除了该详细描述外,本发明还可以广泛地在其它的实施例施行。亦即,本发明的范围不受已提出的实施例的限制,而应以本发明提出的权利要求为准。
再者,为提供更清楚的描述及更易理解本发明,图示内各部份并没有依照其相对尺寸绘图,某些尺寸与其它相关尺度相比已经被夸张;不相关的细节部份也未完全绘出,以求图示的简洁。
图1是显示本发明的线型蒸发源装置的坩锅剖面图,图2是显示本发明第一实施例的线型蒸发源装置的喷嘴盖体剖面图,而图3是显示本发明第一实施例的线型蒸发源装置的坩锅与喷嘴盖体结合的剖面图。本发明的双蒸发源装置100可决定蒸镀材料60的蒸发方向,该蒸发源装置100包含坩锅10及喷嘴盖体20。请参阅图1,坩锅10系容纳蒸镀材料60,借由辐射加热源加热坩锅10使蒸镀材料60的分子蒸发,坩锅10配置为上方开口的筒状结构,筒状结构为圆形、长方形或方形。
请参阅图2,喷嘴盖体20由本体201、盖唇202、斜孔喷嘴204及直孔喷嘴204’所组成,本体201具有可以向下结合的盖唇202,盖唇202下端凹设的嵌槽203可供坩锅10上端筒壁嵌入结合喷嘴盖体20,斜孔喷嘴204及直孔喷嘴204’分别连接于坩锅10。如图2所示,斜孔喷嘴204可为可调节蒸镀材料30喷出方向的任何构造,斜孔喷嘴204与喷嘴盖体20的中心线L形成一夹角θ为3~40度角,以所蒸镀薄膜的均匀性最佳即可蒸镀的范围最大做选择,其较佳角度为5~20度角,亦或者更佳角度为8~15度角。
请参阅图3,本发明的线型蒸发源装置100可决定蒸镀材料60的蒸发方向,线型蒸发源装置100包含坩锅10及喷嘴盖体20。其坩锅10及喷嘴盖体20的结合已分述于前,此不再赘述如,如此即形成线型蒸发源装置100。
本实施例中可包含数个直孔喷嘴204及数个直孔喷嘴204’,如图2所示。该等直孔喷嘴204’配设于喷嘴盖体20的中心线L的另一侧,与喷嘴部20的中心线L相互平行,且该等斜孔喷嘴204的轴线与该等直孔喷嘴204’的轴线相交,形成一夹角θ’。
图4及图5是图3的A-A’线的剖面图,显示本发明第一实施例的蒸发源装置,喷嘴部20的外型可为圆形、长方形或方形,配合坩锅10的外型即可。上述喷嘴盖体20的外型或坩锅10的外型可根据实际功能需求而作调整,并不限定于上述类型中。
本发明的双蒸发源装置100可决定蒸镀材料60,60’的蒸发方向,该双蒸发源装置100包含坩锅10及喷嘴盖体20。请参阅图1,
请参阅图2,喷嘴盖体20由本体201、盖唇202、斜孔喷嘴204及直孔喷嘴204’所组成,本体201具有可以向下结合的盖唇202,盖唇202下端凹设的嵌槽(或称嵌合部)203可供坩锅10上端筒壁嵌入结合喷嘴盖体20,如图2所示,斜孔喷嘴204可为可调节蒸镀材料30喷出方向的任何构造,斜孔喷嘴204与喷嘴盖体20的中心线L形成一夹角θ为3~40度角,以所蒸镀薄膜的均匀性最佳即可蒸镀的范围最大做选择,其较佳角度为5~20度角,亦或者更佳角度为8~15度角。
图6是显示本发明第二实施例线型的双蒸发源装置的喷嘴盖体剖面图,而图7是显示本发明第二实施例线型的双蒸发源装置的坩锅与喷嘴盖体结合的剖面图。本发明第二实施例的线型蒸发源装置100的坩锅10不同于第一实施例,坩锅10具有一第一容置空间30及第二容置空间30’系容纳不同或相同的蒸镀材料60,60’,借由辐射加热源加热坩锅10使蒸镀材料60,60’的分子蒸发,坩锅10配置为上方开口的筒状结构,筒状结构为圆形、长方形或方形。喷嘴盖体40由本体401、盖唇402、数个斜孔喷嘴404及数个直孔喷嘴404’所组成。本体401具有可以向下结合的盖唇402,盖唇402下端外侧配设阶梯状的套接段(或称嵌合部)403,可供坩锅10上端筒壁套接结合喷嘴盖体40,斜孔喷嘴404连接于坩锅10的第一容置空间30,直孔喷嘴404’连接于坩锅10的第二容置空间30’,以形成线型双蒸发源装置100。
图8是显示本发明第三实施例的线型蒸发源装置的喷嘴盖体剖面图,而图9是显示本发明第三实施例的线型蒸发源装置的坩锅与喷嘴盖体结合的剖面图。本发明第三实施例的线型蒸发源装置100的坩锅10与第一或第二实施例相同,喷嘴盖体50由本体501、盖唇502、数个斜孔喷嘴504及数个直孔喷嘴504’所组成,本体501具有可以向下结合的盖唇502,盖唇502下端内侧配设阶梯状的套接段(或称嵌合部)503,可供坩锅10上端筒壁套接结合喷嘴盖体50,以形成线型双蒸发源装置100。
本发明以较佳之实施例说明如上,仅用于借以帮助了解本发明之实施,非用以限定本发明之精神,而熟悉此领域技艺者于领悟本发明之精神后,在不脱离本发明之精神范围内,当可作些许更动润饰及等同之变化替换,其专利保护范围当视权利要求及其等同领域而定。
Claims (10)
1.一种蒸发源装置,其包含:
一坩锅,其中容纳有一蒸镀材料;以及
一喷嘴盖体,卡固于该坩锅的开口处,具有一斜孔喷嘴以及一直孔喷嘴,该斜孔喷嘴及该直孔喷嘴分别连接于该坩锅。
2.根据权利要求1所述的蒸发源装置,其特征在于:该坩锅为一筒状结构,该筒状结构为圆形或方形,该喷嘴盖体具有一嵌槽,该坩锅的该开口处的筒壁可嵌合入该嵌槽,该斜孔喷嘴的中心线与该喷嘴盖体的中心线之间具有一夹角。
3.根据权利要求2所述的蒸发源装置,其特征在于:该夹角为3~40度角,该夹角为5~20度角,该夹角为8~15度角。
4.根据权利要求1所述的蒸发源装置,其特征在于:该直孔喷嘴的中心线平行于该喷嘴盖体的中心线。
5.根据权利要求1所述的蒸发源装置,其特征在于:该斜孔喷嘴的轴线与该直孔喷嘴的轴线相交。
6.一种蒸发源装置,其包含:
一坩锅,具有一第一容置空间及第二容置空间;以及
一喷嘴盖体,设置于该坩锅的开口处,具有数个斜孔喷嘴及数个直孔喷嘴,该等斜孔喷嘴及该等直斜孔喷嘴分别连接于该一第一容置空间及该第二容置空间。
7.根据权利要求6所述的蒸发源装置,其特征在于:该一第一容置空间及该第二容置空间分别容纳有第一蒸发材料及第二蒸发材料。
8.根据权利要求6所述的蒸发源装置,其特征在于:该坩锅为一筒状结构,且该筒状结构为长方形,或狭长形。
9.一种蒸发源装置,其包含:
一坩锅,具有一第一容置空间及第二容置空间;以及
一喷嘴盖体,具有一嵌合部,该喷嘴盖体经由该嵌合部而与该坩锅的一开口卡固连接,该喷嘴盖体并具有数个斜孔喷嘴及数个直孔喷嘴。
10.根据权利要求9所述的蒸发源装置,其特征在于:该嵌合部更包含一阶梯状的套接段,该嵌合部更包含一凹设的嵌槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201010124417 CN102168249A (zh) | 2010-02-26 | 2010-02-26 | 蒸发源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201010124417 CN102168249A (zh) | 2010-02-26 | 2010-02-26 | 蒸发源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102168249A true CN102168249A (zh) | 2011-08-31 |
Family
ID=44489561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201010124417 Pending CN102168249A (zh) | 2010-02-26 | 2010-02-26 | 蒸发源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102168249A (zh) |
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- 2010-02-26 CN CN 201010124417 patent/CN102168249A/zh active Pending
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