CN102077358B - 光电动势装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

提供一种即使在高速焙烧条件下形成表面电极也可以使电极的宽度与未在高速焙烧条件下制作的以往的情况相同的光电动势装置。具备：p型硅基板(101)、在p型硅基板(101)的光的入射面侧形成的n型扩散层(102)、在n型扩散层(102)上形成的表面电极(110)、在p型硅基板(101)的与光的入射面对置的背面形成的p+层(103)、以及在p+层(103)上的规定的位置形成的背面电极(120)，表面电极(110)具有：在n型扩散层(102)上形成的第1电极层(111)；以及在第1电极层(111)上形成且电阻率比第1电极层(111)小的1层以上的第2电极层(112)。

Description

光电动势装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及光电动势装置及其制造方法。

背景技术

当前在地球上使用的电力用太阳能电池的主流是硅太阳能电池，但其量产水平下的制造方法一般希望尽可能简化而降低制造成本。对该量产水平的制造方法的一个例子进行说明(例如，参照专利文献1)。首先，在p型硅基板的整个面使磷(P)热扩散而形成了n型扩散层之后，以仅在一个主面残留n型扩散层的方式进行蚀刻。接下来，作为反射防止膜，在n型扩散层上通过等离子体CVD(Chemical VaporDeposition，化学气相沉积)法等来形成氮化硅膜。之后，在硅基板的背面，网板印刷了铝膏(aluminum paste)和背面用银膏(silverpaste)之后使其依次干燥，并且在氮化硅膜上网板印刷了成为表面电极的表面用银膏之后进行干燥。此处，在很多的硅太阳能电池中通过1次印刷来形成表电极，但在该专利文献1中，为了降低成本、防止浪费资源，在形成具有栅电极和汇流电极(bus electrode)的梳型电极构造的表面电极时，在第1次使用栅电极和汇流电极的掩模图案来印刷银膏并使其干燥之后，第2次使用栅电极的掩模图案在第1次印刷的栅电极的银膏上印刷银膏并使其干燥。之后，以峰值温度成为700～900℃的焙烧分布，在近红外炉中焙烧几分钟至十几分钟。其结果，在背面侧，形成高浓度地包含作为杂质的铝的p+层、背面铝电极、以及背面银电极。另外，在表面侧，使表面用银膏在焙烧过程中熔融、贯通氮化硅膜，形成能够与n型扩散层电接触的表面银电极。通过以上，制造出硅太阳能电池。另外，作为这些表背的电极形成用中使用的金属膏，使用使作为主成分的金属粉和玻璃粉末分散到有机赋形剂 (organic vehicle)中而得到的厚膜膏组成物。该金属膏中包含的玻璃粉通过在表背与硅面反应粘着而确保电极的机械性的强度。

另外，近年来，作为实现太阳能电池的高效化的方法，示出了通过使电极焙烧时的焙烧时间变短而可以抑制晶体质量劣化的方法。例如，可知能够通过焙烧状态(退火)的差异，来提高太阳能电池高效化的指标之一即扩散长度(life time：使用期限)(例如，参照非专利文献1)。具体而言，示出了退火时间越短、life time越提高的结果。

【专利文献1】国际公开第2005/109524号小册子

【非专利文献1】Ajeet Rohatgi，“Designs and Fabrication Technologies for Future Commercial Crystalline Si Solar Cells”，15th Proc.Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells and Modules，Materials and Processes(Colorado)，2005，P.11

发明内容

但是，如非专利文献1所述，在使电极焙烧时间变短时，存在如下问题：难以使表面电极熔融、贯通反射防止膜而与n型扩散层电接触，而且，作为表面银电极的反应时间变短从而导致导电率变差。另外，在高速焙烧条件下制作表面电极的情况下，需要选择可以在高速焙烧条件下熔融、贯通反射防止膜而与n型扩散层接触的银膏。但是，关于这样的可以在短时间内熔融、贯通反射防止膜的银膏，由于焙烧后的银电极的电阻率高，所以与未在高速焙烧条件下制作的情况相比，必需加宽其电极宽度。其结果，存在如下问题：由于细线化，使表面电极相对硅基板的覆盖率下降，由此表面的孔径比(aperture ratio)扩大，从而难以实现高效化。

本发明是鉴于所述问题而完成的，目的在于提供一种光电动势装置及其制造方法，即使在高速焙烧条件下形成了表面电极，也可以扩大相对基板的孔径比。

为了达成所述目的，本发明的光电动势装置具备：第1导电类型的半导体基板；在所述半导体基板的光的入射面侧扩散了第2导电类 型的杂质而得到的第1扩散层；在所述第1扩散层上形成的表面电极；在所述半导体基板的与光的入射面对置的背面形成的由第1导电类型构成的第2扩散层；以及在所述第2扩散层上的规定的位置形成的背面电极，所述光电动势装置的特征在于，所述表面电极具有：在所述第1扩散层上形成的第1电极层；以及在所述第1电极层上形成、且电阻率比所述第1电极层小的1层以上的第2电极层，所述第1电极层与所述第1扩散层之间的接触电阻低于所述第2电极层与所述第1扩散层之间的接触电阻，通过将从升温时的最高到达温度-10℃的到达时起经由最高到达温度而达到降温时的最高到达温度-10℃为止的峰值温度保持时间设为5秒以内的高速焙烧来焙烧表面电极用膏，从而形成所述第1电极层。

根据本发明，在第1扩散层上配置第1电极层，将电阻率小的规格的第2电极层配置在第1电极层上，所以具有如下效果：即使第1电极层的电阻率大，在高速焙烧中也可以实现细线化，不会降低晶体质量而可以削减表面侧的电极面积并提高孔径比，实现高效化。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式1的光电动势装置的结构的俯视图。

图2是图1的A-A剖面图。

图3-1是示意性地示出本实施方式1的光电动势装置的制造方法的处理步骤的一个例子的剖面图(其1)。

图3-2是示意性地示出本实施方式1的光电动势装置的制造方法的处理步骤的一个例子的剖面图(其2)。

图3-3是示意性地示出本实施方式1的光电动势装置的制造方法的处理步骤的一个例子的剖面图(其3)。

图3-4是示意性地示出本实施方式1的光电动势装置的制造方法的处理步骤的一个例子的剖面图(其4)。

图3-5是示意性地示出本实施方式1的光电动势装置的制造方法的处理步骤的一个例子的剖面图(其5)。

图3-6是示意性地示出本实施方式1的光电动势装置的制造方法的处理步骤的一个例子的剖面图(其6)。

图4是示出表面电极的形成中使用的银膏的特性的一个例子的图。

图5-1是示出使用了银膏151时的光电动势装置的曲线因子的图。

图5-2是示出使用了银膏152时的光电动势装置的曲线因子的图。

图6-1是示出第1电极层的印刷中使用的掩模图案的俯视图的一个例子的图。

图6-2是示出第2电极层的印刷中使用的掩模图案的俯视图的一个例子的图。

图7是示出本发明的实施方式2中使用的掩模图案的一个例子的图。

图8是示出本发明的实施方式2中使用的掩模图案的另一例子的图。

(附图标记说明)

100：光电动势装置；101：p型硅基板；102：n型扩散层；103：p+层；105：反射防止膜；110：表面电极；111：第1电极层；112：第2电极层；120：背面电极；121：背面集电电极；122：背面取出电极；131：栅电极；132：汇流电极；151、152：银膏；161：铝膏；162：背面用银膏；200、210、210A、210B：掩模图案；201、211、211A、211B：栅电极形成部；202：汇流电极形成部；221：栅电极的延伸方向的两端部；222：栅电极的延伸方向的中央部。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的光电动势装置的制造方法的优选的实施方式进行详细说明。另外，本发明不限于这些实施方式。另外，在以下的实施方式中使用的光电动势装置的剖面图是示意性的图，层的厚度与宽度的关系、各层的厚度的比例等与实际不同。

实施方式1.

图1是示出本发明的实施方式1的光电动势装置的结构的俯视图，图2是图1的A-A剖面图。光电动势装置100具备光电变换层， 该光电变换层包括：作为半导体基板的p型硅基板101、在该p型硅基板101的一个主面(受光面)侧的表面中使n型的杂质扩散而得到的n型扩散层102、以及在另一个主面(背面)侧的表面中比硅基板101高浓度地包含p型的杂质的p+层103。

在光电变换层的背面(p+层103)侧，作为背面电极120而设置有：以在光电变换层中发电的电气的集电和透过了光电变换层的入射光的反射为目的而在p+层103的几乎整个面设置的由铝构成的背面集电电极121、和取出在该背面集电电极121中产生的电气的由银构成的背面取出电极122。背面电极120的大部分还需要形成p+层103，并由铝构成的背面集电电极121所占据。但是，由于无法对背面集电电极121(铝)进行锡焊，所以作为用于利用铜箔等而将光电动势装置彼此相互连接的电极，在背面的一部分中形成背面取出电极122。

另外，在光电变换层的受光面(n型扩散层102)侧，设置有防止入射光向光电变换层的受光面反射的反射防止膜105、以及表面电极110，该表面电极110包括：为了使在光电变换层中发电的电气局部地集电而在受光面设置的银等的栅电极131；以及为了取出在栅电极131中集电的电气而与栅电极131大致正交地设置的银等的汇流电极132。

此处，表面电极110具有由特性不同的多个层构成的多层构造。在该例子中，表面电极110包括：形成于与n型扩散层102相接的部分、并与n型扩散层102的电接触性良好的由银构成的第1电极层111；以及第1电极层111上的电阻率比第1电极层111小的由银构成的第2电极层112。另外，作为栅电极131，可以形成任意宽度的电极，但优选为比0.15mm窄的宽度、特别优选为比0.1mm窄的宽度。通过使用这样的细线的栅电极131，可以削减表面电极110的电极面积，提高孔径比。一般，如果使栅电极131的宽度变窄，而设为小于以往的栅电极的剖面面积，则电阻变大，但通过将上层设为由电阻率小的材料构成的多层构造，可以实现与使用了以往的宽幅的栅电极的情况相 同或者比其低的作为栅电极131的电阻。

在这样构成的光电动势装置100中，如果太阳光从光电动势装置100的受光面侧照射到pn结面(p型硅基板101与n型扩散层102的接合面)，则生成空穴和电子。通过pn结面附近的电场，所生成的电子朝向n型扩散层102移动，空穴朝向p+层103移动。由此，在n型扩散层102中电子过剩，在p+层103中空穴过剩，其结果，产生光电动势。在使pn结正向地偏置的方向上产生该光电动势，与n型扩散层102连接的表面电极110成为负极，与p+层103连接的背面电极120成为正极，电流流向未图示的外部电路。另外，在受光面侧，所产生的电子穿过n型扩散层102，集中到栅电极131，进而集中到汇流电极132。此时，在栅电极131中，在与n型扩散层102接触的第1电极层111中，与n型扩散层102的电接触的特性优良，抑制损失而取入电子。然后，电子通过电阻率比第1电极层111低的第2电极层112而到达汇流电极132。另外，在汇流电极132中，也与栅电极131同样地在第1电极层111中取入电子，与在栅电极131中收集到的电子一起，在第2电极层112中向外部电路低电阻地流过电子。这样，向外部电路取出输出。

接下来，对这样的构造的光电动势装置100的制造方法进行说明。图3-1～图3-6是示意性地示出本实施方式1的光电动势装置的制造方法的处理步骤的一个例子的剖面图。

首先，准备p型硅基板101(图3-1)，作为n型杂质例如使磷(P)热扩散，从而将使导电类型反转的n型扩散层102形成在p型硅基板101的表面(图3-2)。通常，作为磷的扩散源，大多使用三氯氧磷(POCl₃)。另外，在无需特别设计的情况下，n型扩散层102形成在p型硅基板101的整个面。另外，进行控制，以使该n型扩散层102的薄层电阻(sheet resistance)成为几十Ω/□程度，并且，使该n型扩散层102的深度成为例如0.3～0.5μm程度。

接下来，在成为p型硅基板101的受光面的主面，涂敷抗蚀剂进行了保护之后，通过蚀刻，以仅在由抗蚀剂保护的一个主面残留n型 扩散层102的方式，除去在p型硅基板101的其它表面形成的n型扩散层102。之后，使用有机溶剂等来除去抗蚀剂。由此，得到仅在受光面侧形成了n型扩散层102的p型硅基板101(图3-3)。接下来，通过等离子体CVD法等，在n型扩散层102上作为反射防止膜105而形成氮化硅膜(图3-4)。厚度是例如70～90nm程度。

之后，在p型硅基板101的背面上，通过网板印刷而印刷了铝膏161和背面用银膏162之后，依次使其干燥。另外，背面用银膏162形成在连接铜箔的位置处，在除此以外的p型硅基板101的背面上形成铝膏161。另外，在反射防止膜105上通过网板印刷法而印刷了成为表面电极110的第1电极层111的银膏151之后，使其干燥(图3-5)。接下来，在银膏151上，通过网板印刷法而印刷了成为表面电极110的第2电极层112的银膏152之后，使其干燥(图3-6)。

图4是示出表面电极的形成中使用的银膏的特性的一个例子的图。如该图4所示，n型扩散层102上的第1电极层111的形成中使用的银膏151是在焙烧后与n型扩散层102的电接触特性优良的膏，具有电阻率高这样的特性。另外，该银膏151具有可以通过高速焙烧来熔融、贯通反射防止膜105的组成。另一方面，第1电极层111上的第2电极层112的形成中使用的银膏152与银膏151相比，在焙烧后作为银电极的电阻率更优良。

之后，以峰值温度成为700～900℃的焙烧分布，在近红外炉中焙烧几分钟至十几分钟。如以下那样定义此时的高速焙烧中的焙烧分布的峰值温度保持时间。高速焙烧中的峰值温度保持时间是从(升温时的最高到达温度-10℃)的到达时起经由最高到达温度而达到(降温时的最高到达温度-10℃)为止的时间，设该峰值温度保持时间为5秒以内。这样，通过缩短焙烧时间，可以抑制p型硅基板101的特性、晶体性的劣化。

通过该焙烧，在背面侧，在焙烧中铝作为杂质从铝膏161扩散到p型硅基板101中，形成包含有高浓度的铝的p+层103。该p+层103一般被称为BSF(Back Surface Field，背面场)层，对太阳能电池的 能量变换效率的提高作出贡献。另外，铝膏161从干燥后的状态在焙烧后成为背面集电电极121。而且，背面用银膏162也同时被焙烧而成为背面取出电极122。在该焙烧时，背面集电电极121与背面取出电极122的边界成为合金状态，并在电气上也连接。

另一方面，表面用银膏在焙烧过程中熔融、贯通反射防止膜105而成为可以与n型扩散层102电接触的表面电极110。图5-1是示出使用了银膏151时的光电动势装置的曲线因子(填充系数(fill factor)：F.F.)的图，图5-2是示出使用了银膏152时的光电动势装置的曲线因子的图。在以上那样的焙烧条件下，关于图4记载的银膏151，虽然作为电极的电阻率为6.2μΩ·cm而比较大，但与n型扩散层102的电接触特性良好，成为图5-1所示那样的填充系数(0.777)。另一方面，关于图4记载的银膏152，虽然作为电极的电阻率为2.5μΩ·cm而小于银膏151，但与n型扩散层102的电接触特性差，成为图5-2所示那样的填充系数(0.343)，太阳能电池的特性也变差。

因此，以使银膏151承担得到与n型扩散层102的良好的电接触特性的作用、并使银膏152承担用于实现细线化的表面电极110的电阻率降低的作用的方式，组合银膏151、152，从而可以形成在高速焙烧条件下与n型扩散层102的电接触特性良好、且具有用于实现细线化而充分的电阻率的表面电极110。通过以上，可以得到具有图1～图2所示的构造的光电动势装置。

此处，对用于形成所述构造的表面银电极的第1次的印刷中使用的掩模图案、和第2次以后的印刷中使用的掩模图案进行说明。图6-1是示出第1电极层的印刷中使用的掩模图案的俯视图的一个例子的图，图6-2是示出第2电极层的印刷中使用的掩模图案的俯视图的一个例子的图。

在与n型扩散层102的电接触特性良好的银膏151用的印刷中，使用可同时形成图6-1所示的栅电极形成部201和汇流电极形成部202的掩模图案200。另一方面，在第2次的导电率优良的银膏152用的印刷中，使用图6-2所示的没有汇流电极形成部202而仅形成了 栅电极形成部201的掩模图案210。使用该图6-2所示那样的掩模图案210，在第2次以后，不进行汇流电极形成部202的印刷，从而可以大幅抑制银膏的使用量。

另外，在汇流电极形成部202中，在后面的装配工序中，大致沿着汇流电极132的长度方向全长，锡焊在铜箔中浸渍了焊锡的片电极(tab electrode)。如果将铜箔的剖面面积设为例如宽度2mm、厚度160μm，则通过1次的印刷而形成的银电极的剖面面积是例如宽度2mm、厚度10μm程度，所以如果充分地进行锡焊，则所集电的电流流过铜箔(片电极)而并非第2电极层112。其结果，关于汇流电极132的作用，只要与片电极在整个面进行锡焊、且电接触即可，所以如上所述，即使抑制了汇流电极形成部202的厚度也不会有问题。

另外，在所述说明中，示出了由第1和第2电极层111、112构成表面电极110的情况，但不限于此，也可以由3层以上的电极层构成。另外，在所述说明中，说明了通过网板印刷而形成第2层以上的电极层的情况，但也可以使用溅射法等的成膜法来形成。但是，在该情况下，在印刷第1电极层111并进行了焙烧之后，使用薄膜形成技术来形成第2电极层112。

根据本实施方式1，在n型扩散层102上形成与n型扩散层102的电接触特性良好的银膏151，在其上形成在焙烧之后电阻率比银膏151小的银膏152之后，进行了高速焙烧，所以具有可以得到如下的表面电极110的效果，其中，该表面电极110具有：通过该高速焙烧而熔融、贯通反射防止膜105从而具有与n型扩散层102良好的接触特性的第1电极层111；以及可以减少损失地搬运所收集到的载流子的第2电极层112。由此，即使进行了高速焙烧，也可以减小表面电极110(栅电极131)的电阻率，可以实现细线化。即，具有如下效果：不会降低晶体质量，可以削减表面侧的电极面积而提高孔径比，实现光电动势装置的高效化。

实施方式2.

图7是示出本发明的实施方式2的第2次以后的印刷中使用的掩 模图案的一个例子的图。如实施方式1中所说明那样，在第1次的印刷中，使用在焙烧后与n型扩散层102的电接触的特性优良的银膏151、和图6-1所示的掩模图案200，形成汇流电极132和栅电极131的图案。接下来，在第2次的印刷中，使用在焙烧后电阻率比银膏151还优良的银膏152、和栅电极形成部201在栅电极形成部201的延伸方向上比图6-2的掩模图案210还短的掩模图案210A，形成栅电极131的图案。

此处，考虑远离汇流电极132的部分的电流密度比汇流电极132附近还低这样的栅电极131收集的电流的密度，而不在第1次印刷的部分的整个面形成第2次印刷干燥后的在焙烧后成为电阻率优良的电极的银膏152。即，在光电动势装置100中，通过发电而产生的电流从最远离汇流电极132的部分(端部或中央)朝向汇流电极132通过栅电极131而被收集。因此，在栅电极131中最能流过电流的部分是汇流电极132附近的根部分。因此，在汇流电极132的根部分中，如所述实施方式1中所说明那样使如下构造：在n型扩散层102侧印刷成为与n型扩散层102的电接触的特性优良的第1电极层111的银膏151并使其干燥，在其上印刷成为在焙烧后电阻率比第1电极层111更优良的第2电极层112的银膏152并使其干燥。另外，在最远离汇流电极132的部分中是如下构造：仅印刷与n型扩散层102的电接触的特性优良的银膏151并使其干燥。另外，在该图7的例子中，示出了从汇流电极形成部(图6-1的202)形成栅电极形成部211A的情况，其中，该栅电极形成部211A用于形成从汇流电极132到栅电极131的端部为止的长度的2/3程度的长度的栅电极131。即，在下层的栅电极的延伸方向的两端部221附近没有形成栅电极形成部211A。

图8是示出本发明的实施方式2中的第2次以后的印刷中使用的掩模图案的另一例子的图。在该图8的情况下示出了如下的掩模图案210B，其中，在图7的情况下，在邻接的汇流电极132之间的栅电极131中，该掩模图案210B可以从汇流电极132形成邻接的汇流电极132之间的一半长度的2/3程度的长度的栅电极131。即，该掩模图案 210B表示在栅电极131的延伸方向的两端部221和中央部222附近没有形成栅电极形成部211B的情况。

根据本实施方式2，从汇流电极132，形成从汇流电极132到p型硅基板101的周边部或者与邻接的汇流电极132的中间点为止的长度的2/3程度的长度的栅电极131，所以具有相比实施方式1可以大幅降低用于形成栅电极131(第2电极层112)的银膏152的使用量这样的效果。另外，即使在产生了印刷偏差的情况下，也可以使线宽度的增加小于以往。

另外，在所述说明中，以在p型硅基板101中形成了n型扩散层102的情况为例子，但即使在使导电类型相逆的情况下也可以同样地应用本发明。另外，不仅是硅基板，而且还可以将本发明全面地应用于半导体基板。

(产业上的可利用性)

如上所述，本发明的光电动势装置的制造方法适用于使用太阳光来进行发电的太阳能电池。

Claims (11)

1.一种光电动势装置，具备：

第1导电类型的半导体基板；

在所述半导体基板的光的入射面侧扩散了第2导电类型的杂质而得到的第1扩散层；

在所述第1扩散层上形成的表面电极；

在所述半导体基板的与光的入射面对置的背面形成的第1导电类型的第2扩散层；以及

在所述第2扩散层上的规定的位置形成的背面电极，

所述光电动势装置的特征在于，

所述表面电极具有：

在所述第1扩散层上形成的第1电极层；以及

在所述第1电极层上形成、且电阻率比所述第1电极层小的1层以上的第2电极层，

所述第1电极层与所述第1扩散层之间的接触电阻低于所述第2电极层与所述第1扩散层之间的接触电阻，

通过将从升温时的最高到达温度-10℃的到达时起经由最高到达温度而达到降温时的最高到达温度-10℃为止的峰值温度保持时间设为5秒以内的高速焙烧来焙烧表面电极用膏，从而形成所述第1电极层。

2.根据权利要求1所述的光电动势装置，其特征在于，

所述表面电极具有：

在所述第1扩散层上的第1方向上以第1间隔并行地形成多个的栅电极；以及

宽度比所述栅电极宽、且以将多个所述栅电极之间进行连接的方式在与所述第1方向大致正交的第2方向上形成的汇流电极，

构成所述栅电极的所述第2电极层的从所述汇流电极到所述栅电极的延伸方向的端部为止的长度，比所述第1电极层的从所述汇流电极到所述栅电极的延伸方向的端部为止的长度短。

3.根据权利要求2所述的光电动势装置，其特征在于，

设置了多个所述汇流电极，

在所述第1电极层上的邻接的所述汇流电极之间的中央附近，不形成构成所述栅电极的所述第2电极层。

4.一种光电动势装置的制造方法，其特征在于，包括：

扩散层形成工序，在第1导电类型的半导体基板的光的入射面侧扩散第2导电类型的杂质，而形成扩散层；

反射防止膜形成工序，在所述扩散层上形成防止所入射的光的反射的反射防止膜；

第1表面电极用膏形成工序，在所述反射防止膜上，通过网板印刷法来印刷第1表面电极用膏；

第2表面电极用膏形成工序，在所述第1表面电极用膏上，通过网板印刷法来形成在焙烧后电阻率比所述第1表面电极用膏小的第2表面电极用膏；以及

焙烧工序，通过将从升温时的最高到达温度-10℃的到达时起经由最高到达温度而达到降温时的最高到达温度-10℃为止的峰值温度保持时间设为5秒以内的高速焙烧，对所述第1以及第2表面电极用膏进行焙烧。

5.根据权利要求4所述的光电动势装置的制造方法，其特征在于，

所述高速焙烧时的峰值温度是700～900℃。

6.根据权利要求4所述的光电动势装置的制造方法，其特征在于，

直到所述第1以及第2表面电极用膏的厚度成为规定的厚度为止，执行多次所述第2表面电极用膏形成工序。

7.根据权利要求4所述的光电动势装置的制造方法，其特征在于，

在所述第1表面电极用膏形成工序中，所述第1表面电极用膏与所述第2表面电极用膏相比，焙烧后的与所述半导体基板的接触电阻更小。

8.根据权利要求4所述的光电动势装置的制造方法，其特征在于，

在所述第1表面电极用膏形成工序中，利用具有栅电极形成部和汇流电极形成部的第1掩模图案来进行印刷，其中，所述栅电极形成部形成在第1方向上并行地排列多个的栅电极，所述汇流电极形成部形成将所述栅电极之间进行连接且宽度比所述栅电极宽的汇流电极，

在所述第2表面电极用膏形成工序中，利用仅具有栅电极形成部的第2掩模图案来进行印刷。

9.根据权利要求8所述的光电动势装置的制造方法，其特征在于，

所述第2掩模图案的从所述汇流电极形成部到所述栅电极形成部的延伸方向的端部为止的长度，比所述第1掩模图案的从所述汇流电极形成部到所述栅电极形成部的延伸方向的端部为止的长度短。

10.根据权利要求9所述的光电动势装置的制造方法，其特征在于，

设置了多个所述汇流电极形成部，

在所述第2掩模图案的邻接的所述汇流电极形成部之间的中央附近，没有形成所述栅电极形成部。

11.一种光电动势装置的制造方法，其特征在于，包括：

扩散层形成工序，在第1导电类型的半导体基板的光的入射面侧扩散第2导电类型的杂质，而形成扩散层；

反射防止膜形成工序，在所述扩散层上形成防止所入射的光的反射的反射防止膜；

表面电极用膏形成工序，在所述反射防止膜上，通过网板印刷法来印刷表面电极用膏；

第1电极层形成工序，通过将从升温时的最高到达温度-10℃的到达时起经由最高到达温度而达到降温时的最高到达温度-10℃为止的峰值温度保持时间设为5秒以内的高速焙烧，对所述表面电极用膏进行焙烧，形成第1电极层；以及

第2电极层形成工序，在所述第1电极层上，通过薄膜形成技术而形成电阻率比所述第1电极层小的第2电极层。