CN101976700A - 硅片的后清洗工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及太阳能电池生产方法技术领域，尤其是一种硅片的后清洗工艺，其具有如下步骤：a.将多晶硅片硅片制绒、扩散，得到25～80ohm/Sq的均匀扩散区；b.再用酸溶液进行腐蚀，酸溶液中：HF体积浓度占1.6％～4.5％，HNO3体积浓度占20％～30％，CH3COOH体积浓度占33％～39％，其余为H2O，将腐蚀时间控制在20～180秒，温度为15～25℃。本发明硅片的后清洗工艺，通过优化溶液配比，可精确控制溶液的反应速率，而且硅片表面的反射率没有提高，从而提高了太阳能电池的效率。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池生产方法技术领域，尤其是一种硅片的后清洗工艺。
背景技术
多晶硅太阳能电池的效率总体上没有单晶硅太阳电池的高，这主要是由于两个原因，一方面多晶硅材料本身的少数载流子寿命没有单晶硅的高，另一方面目前的酸法制绒技术的陷光效果没有单晶碱法制绒好。在目前的传统工艺中，要缩小多晶硅太阳能电池与单晶硅太阳电池之间效率上的差距，一方面可以通过吸杂将多晶硅材料寿命提高一些，另一方面吸杂之后的清洗要尽可能的降低或不影响反射率。
目前广泛使用的酸腐蚀溶液是以HF-HNO3为基础的水溶液体系，为了控制化学反应的剧烈程度，有时还加入一些其他的化学品。但是，基本的化学反应是不变的，大致的蚀刻机制是HNO3(一种氧化剂)腐蚀，在硅片表面形成了一层SiO2，然后这层SiO2在HF酸的作用下去除。酸对硅的腐蚀速度与晶粒取向无关，因此酸腐蚀又称为各向同性腐蚀。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：为了解决扩散吸杂之后的清洗不影响反射率的技术问题，本发明提供一种硅片的后清洗工艺。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种硅片的后清洗工艺，其具有如下步骤：
a.将多晶硅片硅片制绒、扩散，得到25～80ohm/Sq的均匀扩散区；
b.为了降低表面浓度和结深或刻蚀掉表面杂质富集区，再用酸溶液进行腐蚀，酸溶液中：HF体积浓度占1.6％～4.5％，HNO3体积浓度占20％～30％，CH3COOH体积浓度占33％～39％，其余为H2O，将腐蚀时间控制在20～180秒，温度为15～25℃，刻蚀速率为0.002～0.02um/s。
作为优选：一种硅片的后清洗工艺：
a.将多晶硅片硅片制绒、扩散，得到45ohm/Sq的均匀扩散区；
b.再用酸溶液进行腐蚀，酸溶液中：HF体积浓度占2.3％，HNO3体积浓度占21％，CH3COOH体积浓度占33％，其余为H2O，温度为18℃。
作为另一优选：一种硅片的后清洗工艺：
a.将多晶硅片硅片制绒、扩散，得到70ohm/Sq的均匀扩散区；
b.再用酸溶液进行腐蚀，酸溶液中：HF体积浓度占3.1％，HNO3体积浓度占20.3％，CH3COOH体积浓度占38％，其余为H2O，温度为18℃
本发明的有益效果是，本发明硅片的后清洗工艺，通过优化溶液配比，可精确控制溶液的反应速率，而且硅片表面的反射率没有提高。
具体实施方式
实施例1
取P型多晶硅片，电阻率：2.5Ωcm，
硅片经制绒、扩散，其方块电阻为45ohm/Sq，后放入体积比浓度为HF：2.3％，HNO3：31％，CH3COOH：33％，其余为H2O的混酸溶液中，溶液温度控制在18℃，则溶液的腐蚀速率为0.0125um/s，且硅片表面反射率没有提高。
实施例2：
取P型多晶硅片，电阻率：0.5Ωcm，
硅片经制绒、高低温吸杂，其方块电阻为70ohm/Sq，后放入体积比浓度为HF：3.1％，HNO3：20.3％，CH3COOH：38％，其余为H2O的混酸溶液中，溶液温度控制在18℃，则溶液的腐蚀速率为0.004um/s，且硅片表面反射率没有提高。
Claims (3)
1.一种硅片的后清洗工艺，其特征是：具有如下步骤：
a.将多晶硅片硅片制绒、扩散，得到25～80ohm/Sq的均匀扩散区；
b.再用酸溶液进行腐蚀，酸溶液中：HF体积浓度占1.6％～4.5％，HNO3体积浓度占20％～30％，CH3COOH体积浓度占33％～39％，其余为H2O，将腐蚀时间控制在20～180秒，温度为15～25℃。
2.如权利要求1所述的硅片的后清洗工艺，其特征在于：
a.将多晶硅片硅片制绒、扩散，得到45ohm/Sq的均匀扩散区；
b.再用酸溶液进行腐蚀，酸溶液中：HF体积浓度占2.3％，HNO3体积浓度占21％，CH3COOH体积浓度占33％，其余为H2O，温度为18℃。
3.如权利要求1所述的硅片的后清洗工艺，其特征在于：
a.将多晶硅片硅片制绒、扩散，得到70ohm/Sq的均匀扩散区；
b.再用酸溶液进行腐蚀，酸溶液中：HF体积浓度占3.1％，HNO3体积浓度占20.3％，CH3COOH体积浓度占38％，其余为H2O，温度为18℃。
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