CN101800293B - 有机发光二极管及其绝缘层和隔离柱的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种有机发光二极管的绝缘层和隔离柱的制作方法，包括：1)在制作好的阳极和汇流电极上面涂覆一层负性光阻，厚度为3-8微米，用隔离柱的曝光掩膜板覆盖该基板，进行曝光，通过控制曝光量来控制光阻的曝光厚度，从而控制隔离柱的高度为2-5微米；2)然后将基板翻转，用绝缘层的曝光掩膜板覆盖基板底部，进行曝光，通过控制曝光量来控制该光阻底部未曝光部分的厚度，从而控制绝缘层60的高度为1-3微米；3)将曝光完成后的光阻显影、干燥、固膜。该方法采用一种光刻胶，一次涂覆，一次前烘、两次曝光、一次显影、一次后烘的方法，使得制作工序大大减少，并且相应的制作成本大大降低。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机发光装置，尤其涉及一种有机发光二极管及其绝缘层(Insulator)和隔离柱(Rip)的制作方法。
背景技术
近些年有机发光二极管的发光器件越来越受到人们的关注，这是因为其借助自发光，消除了在液晶显示装置中必要的背光源，并且这样使其易于制作成更薄更轻便的显示装置。另外，自发光OLED具有较高的清晰度和色彩饱和度。
OLED除了具有阳极层和阴极层之外，还具有一个包含有机化合物的层，当对该有机层施加一个电场时，电流激发其发光(电致发光)。有机化合物发出的冷光被分成从单重态激发(荧光)回到基态的发光和从三重态激发(磷光)回到基态的发光。
设在阳极和阴极之间的所有层一起构成有机发光构件，该有机发光构件至少包括一个发光层，一个空穴注入层，一个电子注入层，一个空穴传输层等。OLED的基本结构是以阳极层，发光层和阴极层顺序排列的片层。这种基本结构能够改变成以阳极、空穴注入层、发光层、阴极层顺序排列的片层，或者以阳极、空穴注入层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层顺序排列的片层。
请参阅图1及图2所示，其披露了OLED的基本结构，其包括成型于玻璃基板10上的阳极20、于该阳极20上依预定图案设置的像素定义层60即绝缘层、多个成形于该绝缘层60上的隔离柱50、多个介于隔离柱50间的有机发光构造30、以及同时沉积于该隔离柱50上的金属层70与该有机发光构造30上的阴极40，其中倒梯形的隔离柱50使阴极40之间绝缘。公知的，将隔离柱50做成倒梯形结构在沉积阴极层的时候可有效防止隔离柱50上面的金属层70与该阴极40的短路与干扰。
其中由绝缘层来定义像素图案，该绝缘层将显示面板分割成一个个微小区间，空穴传输层、有机发光层、电子传输层沉积在该区间中，形成一个个的发光单元即为像素。利用隔离柱的高度差，将整板蒸镀其上的阴极分开，形成独立的阴电极图案。一般用ITO透明电极做阳极，阴极一般用热蒸镀的方法沉积Al。
通常绝缘层和隔离柱分开制做，并且两种光阻性质不同，先做好绝缘层，然后在绝缘层上面做隔离柱。每层都必须要经过涂覆、前烘、曝光、显影、后烘等制程，工艺相当繁琐。
发明内容
本发明的目的是提供一种有机发光二极管及其绝缘层和隔离柱的制作方法，该方法有效的减少制作工序，降低生产成本。
为了实现上述目的，本发明有机发光二极管的制作方法采用如下技术方案：
一种有机发光二极管的制作方法，其包括以下步骤：
第一步制作金属汇流电极和非金属阳极：在镀有金属电极层和非金属透明导电层的玻璃基板上面，均匀涂覆一层正性光阻，然后利用掩膜及微影图像转移技术，在该基板上面形成金属汇流电极的互补图案，利用该光阻图案作为掩膜，将没有被保护的金属层刻蚀掉，然后将作为掩膜的光阻剥离，非金属阳极的制作过程为先用光阻形成保护图案，然后在蚀刻液中刻蚀，最后剥离光阻；
第二步制作绝缘层和隔离柱：在制作好的非金属阳极和金属汇流电极的玻璃基板上面涂覆一层负性光阻，厚度为3-8微米，用隔离柱的曝光掩膜板覆盖该基板，进行曝光，控制光阻的曝光厚度，使隔离柱的高度为2-5微米；然后将该玻璃基板翻转，用绝缘层的曝光掩膜板覆盖基板底部，进行曝光，控制光阻底层未曝光部分的厚度，使绝缘层的高度为1-3微米；曝光完成后对光阻进行显影、干燥、固膜；
第三步沉积有机发光构件的各有机功能层：采用真空热蒸镀的方法沉积有机发光构件的各有机功能层，所述有机发光构件的各有机功能层至少包括一有机发光层；
第四步蒸镀电子注入层和阴极：采用真空热蒸镀的方法沉积电子注入层和阴极，然后对该器件进行真空封装。
所述金属电极层可为Cr或Mo/Al/Mo，刻蚀没有保护的Cr或Mo/Al/Mo所采用的蚀刻液为1.69-2.13wt.％的硝酸、9.95-10.95wt.％的冰醋酸、70.20-72.93wt.％的磷酸及去离子水的混合溶液，该硝酸、冰醋酸、磷酸及去离子水的体积比为3∶15.2∶76.8∶5.0。
所述非金属透明导电层的材料为ITO、IZO、GZO中一种，刻蚀非金属阳极所采用的蚀刻液为18wt.％的盐酸、1.6wt.％的硝酸及去离子水的混合溶液，该盐酸、硝酸及去离子水的混合溶液的体积比为1∶0.08∶1。
所述剥离光阻所采用的剥离液为3-8wt.％的氢氧化钾水溶液。
所述第二步中显影用显影液为2.38wt.％的TMAH，显影时间为100-300秒，干燥为在200-250℃环境下干燥20-50分钟。
为了实现上述目的，本发明有机发光二极管的绝缘层和隔离柱的制作方法采用如下技术方案：
一种有机发光二极管的绝缘层和隔离柱的制作方法，其包括以下步骤：
1)在制作好的非金属阳极和金属汇流电极上面涂覆一层负性光阻，厚度为3-8微米，用隔离柱的曝光掩膜板覆盖该基板，进行曝光，控制光阻的曝光厚度，使隔离柱的高度为2-5微米；
2)然后将基板翻转，用绝缘层的曝光掩膜板覆盖基板底部，进行曝光，控制光阻底部未曝光部分的厚度，使绝缘层的高度为1-3微米；
3)将曝光完成后的光阻显影、干燥、固膜。
所述将曝光完成后的光阻显影、干燥的步骤为：选用2.38wt.％的TMAH显影液显影100-300秒，然后用DI水清洗，在200-250℃干燥20-50分钟。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：采用一种光刻胶，一次涂覆，一次前烘、两次曝光、一次显影、一次后烘的方法，使得制作工序大大减少，并且相应的制作成本大大降低。
附图说明
图1为公知的OLED的侧视示意图；
图2为公知的有机发光构件各层组成示意图；
其中：10为玻璃基板；20为阳极；30为有机发光构造；40为电子注入层和阴极；50为隔离柱；60为绝缘层；70为金属层；301为空穴输运层；302为有机发光层；303为空穴/激子的阻隔层；304为电子输运层。
具体实施方式
本发明制作方法所制作的0LED的结构与公知的0LED的结构相同，其主要是提供一种全新的有机电致发光二极管的制作方法，利用微影图像转移技术，绝缘层和隔离柱用一种光刻胶，分两次曝光，一次显影制作而成，减少了制作工序、降低生产成本。
请参阅图1及图2所示，为使本发明的内容更容易理解，以下举几个例子予以说明。
实施例1：
本发明有机电致发光二极管的制作方法包括以下步骤：
第一步制作金属汇流电极和非金属透明阳极20：在清洗干净的镀有Mo/Al/Mo和ITO双层透明导电膜的玻璃基板10上面涂覆正性光阻，然后利用微影图像转移技术，在该玻璃基板10上面形成Mo/Al/Mo金属汇流电极的互补图案；利用该光阻形成的图案作为掩膜，刻蚀没有被保护的Mo/Al/Mo导电层，蚀刻液采用1.69wt.％的硝酸、9.95wt.％的冰醋酸、70.20wt.％的磷酸及去离子水的混合溶液，体积混合比为3∶15.2∶76.8∶5.0；蚀刻完成后将光阻剥离并形成Mo/Al/Mo汇流电极，剥离液选用3wt.％的氢氧化钾水溶液；ITO阳极20的制作过程同上，蚀刻液选用18wt.％的盐酸、1.6wt.％的硝酸及去离子水的混合溶液，体积混合比为1∶0.08∶1；
第二步制作绝缘层60和隔离柱50：在制作好的阳极20和金属汇流电极上面涂覆一层负性光阻，厚度为8微米，用隔离柱50的曝光掩膜板覆盖涂有负性光阻的基板10，进行曝光，控制隔离柱50的高度为5微米；然后将该基板翻转，用绝缘层60的曝光掩膜板覆盖基板底部，进行曝光，控制该光阻底部未曝光部分的厚度，使绝缘层60的高度为3微米；将曝光完成后的光阻显影，显影液用2.38wt.％的TMAH，显影时间为300秒，然后用DI水清洗、250℃下干燥50分钟；
第三步沉积有机发光构件30的各有机功能层：有机发光构件30包括空穴输运层301(hole transporting layer，HTL)、有机发光层302(emitting layer，EML)、空穴/激子的阻隔层303(blockinglayer，BL)、电子输运层304(electron transporting layer，ETL)；各有机功能层均采用真空热蒸镀的方法沉积，将金属掩膜覆盖基板10，放入真空腔体内，加热蒸发源，有机材料升华并在基板10上面沉积。HTL301采用NPB(N，N’-二(1-naphyl)-N，N’-二苯基-1，1’-联苯-4，4’-二胺)、EML302的磷光主体材料采用CBP(4，4’-二(9-咔唑基(carbazoyl))-2，2’-联苯)，掺杂材料采用铕(Eu)的金属络合物，ETL 304采用三(8-羟基喹啉)铝。
第四步蒸镀电子注入材料和阴极40：方法为真空热蒸镀，电子注入材料采用LiF，阴极采用Al，然后对该器件进行真空封装。至此，本发明有机电致发光二极管制作完成。
下面实施例中和实施例1相同的步骤在此不再赘述。
实施例2：
第一步制作金属汇流电极和非金属阳极20，金属汇流电极的材料为Cr，阳极20的材料为GZO；
第二步制作绝缘层60和隔离柱50：在制作好的阳极20和金属汇流电极上面涂覆一层负性光阻，厚度为3微米，用隔离柱50的曝光掩膜板覆盖该基板10，进行曝光，控制隔离柱50的高度为2微米；然后将该基板10翻转，用绝缘层60的曝光掩膜板覆盖基板10底部，进行曝光，控制该光阻未曝光部分的厚度，使绝缘层60的高度为1微米；将曝光完成后的光阻显影，显影液用2.38wt.％的TMAH，显影时间为200秒，然后用DI水清洗、200℃下干燥35分钟；
第三步沉积有机发光构件30的各有机功能层。HTL301采用TPD(N，N’-二苯基-N，N’-二(3一甲基苯基)-(1，1’-联苯)-4，4’-二胺)、EML302的磷光主体材料采用CBP(4，4’-二(9-咔唑基(carbazoyl))-2，2’-联苯)，掺杂材料采用铱(I r)的金属络合物，ETL 304采用三(8-羟基喹啉)铝。
第四步真空热蒸镀电子注入层和阴极40，电子注入层采用Mg/Ag，阴极采用铝，然后对该器件进行真空封装。至此，本发明有机电致发光二极管制作完成。
实施例3：
第一步制作金属汇流电极和非金属透明阳极20，汇流电极的材料为Mo/Al/Mo，阳极20的材料为IZO；
第二步制作绝缘层60和隔离柱50：在制作好的阳极20和汇流电极上面涂覆一层负性光阻，厚度为6微米，用隔离柱50的曝光掩膜板覆盖该基板10，进行曝光，控制光阻的曝光厚度，使隔离柱50的高度为4微米；然后将该基板翻转，用绝缘层60的曝光掩膜板覆盖基板10底部，进行曝光，控制该光阻未曝光部分的厚度，使绝缘层60的高度为2微米；将曝光完成后的光阻显影，显影液用2.38wt.％的TMAH，显影时间为100秒，然后用DI水清洗、220℃下干燥20分钟；
第三步沉积有机发光构件30的各有机功能层。HTL301采用NPB(N，N’-二(1-naphyl)-N，N’-二苯基-1，1’-联苯-4，4’-二胺)、EML 302的磷光主体材料采用CBP(4，4’-二(9-咔唑基(carbazoyl))-2，2’-联苯)，掺杂材料采用铂(Pt)的金属络合物，ETL 304采用三(8-羟基喹啉)铝。
第四步蒸镀电子注入材料和阴极，电子注入材料采用Ca/Ag，然后对该器件进行真空封装。至此，本发明有机电致发光二极管制作完成。
本发明中有机功能层30和电子注入层40材料并不局限于以上实施例中所提到的材料，电子注入层40的材料还可选用锂/铝(Li/Al)、铝/钙(Al/Ga)、氟化艳(CsF)、氟化钠(NaF)、氟化钙(CaF2)、氧化锂(Li2O)、氧化艳(Cs2O)、氧化钠(Na2O)、碳酸锂(Li2CO3)、碳酸艳(Cs2CO3)或碳酸钠(Na2CO3)等低逸出功材料；有机功能层30中有机发光层302的磷光主体材料还可以采用CBP的衍生物，磷光掺杂材料还可为锇(Os)、钌(Ru)等金属络合物。
Claims (7)
1.一种有机发光二极管的制作方法，其特征在于，其包括以下步骤：
第一步制作金属汇流电极和非金属阳极：在镀有金属电极层和非金属透明导电层的玻璃基板上面，均匀涂覆一层正性光阻，然后利用掩膜及微影图像转移技术，在该基板上面形成金属汇流电极的互补图案，利用该光阻图案作为掩膜，将没有被保护的金属层刻蚀掉，然后将作为掩膜的光阻剥离，非金属阳极的制作过程为先用光阻形成保护图案，然后在蚀刻液中刻蚀，最后剥离光阻；
第二步制作绝缘层和隔离柱：在制作好的非金属阳极和金属汇流电极的玻璃基板上面涂覆一层负性光阻，厚度为3-8微米，用隔离柱的曝光掩膜板覆盖该基板，进行曝光，控制光阻的曝光厚度，使隔离柱的高度为2-5微米；然后将该玻璃基板翻转，用绝缘层的曝光掩膜板覆盖基板底部，进行曝光，控制光阻底层未曝光部分的厚度，使绝缘层的高度为1-3微米；曝光完成后对光阻进行显影、干燥、固膜；
第三步沉积有机发光构件的各有机功能层：采用真空热蒸镀的方法沉积有机发光构件的各有机功能层，所述有机发光构件的各有机功能层至少包括一有机发光层；
第四步蒸镀电子注入层和阴极：采用真空热蒸镀的方法沉积电子注入层和阴极，然后对该器件进行真空封装。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管的制作方法，其特征在于：金属电极层可为Cr或Mo/Al/Mo，刻蚀没有保护的Cr或Mo/Al/Mo所采用的蚀刻液为1.69-2.13wt.％的硝酸、9.95-10.95wt.％的冰醋酸、70.20-72.93wt.％的磷酸及去离子水的混合溶液，该硝酸、冰醋酸、磷酸及去离子水的体积比为3∶15.2∶76.8∶5.0。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管的制作方法，其特征在于：非金属透明导电层的材料为ITO、IZO、GZO中一种，刻蚀非金属阳极所采用的蚀刻液为18wt.％的盐酸、1.6wt.％的硝酸及去离子水的混合溶液，该盐酸、硝酸及去离子水的混合溶液的体积比为1∶0.08∶1。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管的制作方法，其特征在于：剥离光阻所采用的剥离液为3-8wt.％的氢氧化钾水溶液。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管的制作方法，其特征在于：所述第二步中显影用显影液为2.38wt.％的TMAH，显影时间为100-300秒，干燥为在200-250℃环境下干燥20-50分钟。
6.一种有机发光二极管的绝缘层和隔离柱的制作方法，其特征在于，其包括以下步骤：
1)在制作好的非金属阳极和金属汇流电极上面涂覆一层负性光阻，厚度为3-8微米，用隔离柱的曝光掩膜板覆盖该基板，进行曝光，控制光阻的曝光厚度，使隔离柱的高度为2-5微米；
2)然后将基板翻转，用绝缘层的曝光掩膜板覆盖基板底部，进行曝光，控制光阻底部未曝光部分的厚度，使绝缘层(60)的高度为1-3微米；
3)将曝光完成后的光阻显影、干燥、固膜。
7.如权利要求6所述有机发光二极管的绝缘层和隔离柱的制作方法，其特征在于，所述将曝光完成后的光阻显影、干燥的步骤为：选用2.38wt.％的TMAH显影液显影100-300秒，然后用DI水清洗，在200-250℃干燥20-50分钟。
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